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JP2763080B2 - 光ディスク装置 - Google Patents

光ディスク装置

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JP2763080B2
JP2763080B2 JP4062606A JP6260692A JP2763080B2 JP 2763080 B2 JP2763080 B2 JP 2763080B2 JP 4062606 A JP4062606 A JP 4062606A JP 6260692 A JP6260692 A JP 6260692A JP 2763080 B2 JP2763080 B2 JP 2763080B2
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JP
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area
data
flag
disk medium
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毅 中原
正弘 中田
浩 鈴木
研一 内海
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Fujitsu Ltd
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光ディスク装置に関し、
特に、書き込み処理を効率的に行うことによって、処理
速度を上げることができる光ディスク装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来技術】図１２は国際標準規格（ＩＳＯ規格）に基
づく光ディスク媒体１の各フィールドの割り付け構造を
示す概念図である。光ディスク媒体１にはユーザが使用
できるユーザ使用可領域１０とユーザが使用できないユ
ーザ使用不可領域２０とがあり、上記ユーザ使用可領域
１０にはユーザが自由にデータを書き込むことができ、
あるいは光ディスク媒体１を取り扱うに必要なプログラ
ムが書き込まれる。ユーザ使用不可領域２０には光ディ
スク媒体の製造者が該光ディスク媒体の管理に必要なデ
ータを書き込むようになっている。
【０００３】更に詳しくは、第３トラックから９９９６
トラック迄がユーザが通常の方法でアクセスできるユー
ザ使用可領域１０である。このユーザ使用可領域１０は
全領域が書き込み可能領域（ＲＡＭ部）１０ａ〔この場
合でもアクセスに必要な必要最小限のＲＯＭ部がある〕
である場合、あるいは全領域が読み込み専用領域（ＲＯ
Ｍ部）１０ｂである場合、さらに、外周部の一部をＲＯ
Ｍ部１０ｂとなし他の部分をＲＡＭ部１０ａとなしたい
わゆるパーシャルＲＯＭである場合がある。ユーザ使用
可領域１０の内外周のユーザ使用不可領域２０には、光
ディスク媒体の製造番号、製造日等が書き込まれるＤＭ
Ａ(Disk Managiment Area)２０ｍ、更に、その内外周部
にインナ（アウタ）コントロールトラック部２０ｃが設
けられ、このインナ（アウタ）コントロールトラック部
２０ｃに上記ＲＡＭ部１０ｂ、ＲＯＭ部１０ｂの割り付
け定義をするデータが書き込まれる。
【０００４】図１３は従来の光ディスク装置を示す概念
図である。光ディスク媒体１へのデータの書き込みは、
まず、光ディスク媒体１にバイアス磁界Ｈをかけて光ヘ
ッド２よりのレーザの光スポットを光ディスク媒体１上
の特定のブロックに連続照射してバイアス磁界Ｈの方向
に光ディスク媒体１を磁化させる、いわゆるイレーズを
行う。このときの光ディスク媒体１の状態をイレーズ状
態という。次にバイアス磁界Ｈをイレーズのときと逆の
方向に向け、光ディスク媒体１が一回転して上記イレー
ズした上記ブロックに、上記光スポットが再び照射し
て、該光スポットをＯＮ／ＯＦＦすると、ＯＮのとき光
ディスク媒体１はイレーズ状態の逆の方向に磁化され、
データが書き込まれる、いわゆる書き込みを行う。
【０００５】上記の場合、光ディスク装置でデータを書
き込むときには、必ずイレーズしてから書き込みを行う
ようになっている。そこで、書き込み性能の向上をはか
るために、光ディスク媒体１に該光ディスク媒体１の各
ブロックがそれぞれイレーズ済か否かを示す符号（例え
ばフラグ）を備えるようにし、光磁気ディスク媒体１の
各ブロックがそれぞれイレーズ済か否かを示す符号（例
えばフラグ）を上記各ブロックに対応させてテーブルと
して記憶する領域を備え、上記領域を検索することによ
ってイレーズ状態であるか否かが判るようになってい
る。更に、各ブロックへのデータの書き込みによってイ
レーズ状態であった部分がイレーズ状態でなくなったと
きには、上記テーブルの内容を書き換えるようになって
いる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記構成
の場合、書き込みを行う毎に光ディスク媒体上の上記領
域を更新してやる必要があり、その場合、オーバーヘッ
ドが大きくなり返って書き込み工程が遅くなってしまう
という問題がある。
【０００７】そこで、上記光ディスク媒体１上のイレー
ズ状態であるか否かを示したテーブルの内容を書き換え
るためには、装置側の半導体メモリ上に予め上記テーブ
ルの内容を光ディスク媒体１より書き込んでおいて、上
記イレーズ状態から非イレーズ状態への変化があったブ
ロックに対応する符号（フラグ）を書き換え、作業が終
わった段階で該半導体メモリの内容に基づいて光ディス
ク媒体１の上記テーブルを書き換えるようにしている。
従って、この書き換え処理はイレーズ状態から非イレー
ズ状態に変化があったブロックはもちろん、当該変化の
なかったブロックについても行われ（すなわち、テーブ
ル全体の書き換えが行なわれ）時間を要する処理となっ
ていた。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために以下の手段を採用している。すなわち、図１
（ａ）に示すように、まず、光ディスク媒体に、各ブロ
ックがイレーズ状態にあるかどうかを表すフラグデータ
をテーブルとしてもつフラグデータＴと該フラグデータ
Ｔを格納するフラグ領域Ａと、その光ディスク媒体がフ
ラグ領域Ａを有することを表す領域データＥを備えるよ
うにしておく。そして、上記フラグ領域Ａの存在する領
域を除くすべてのユーザ使用可領域をイレーズ状態で初
期化するようにするものである。ここで、上記領域デー
タＥはユーザが容易に消去できないようにする、例え
ば、ユーザ使用可領域以外の部分に領域データＥを存在
させたり、ユーザ側で書き込みを行うことができないＲ
ＯＭ部１０ｂに存在させる。
【０００９】上記の光ディスク媒体を記録再生する光デ
ィスク装置は、光ディスク媒体が装填されたとき、フラ
グデータＴを格納する領域とデータ領域Ｃを備えた半導
体メモリ２００と、イレーズ状態のブロックに書き込み
を行ったとき、上記半導体メモリ２００上にあるフラグ
データＴの内容を対象のブロックがイレーズ状態でない
ことを示すように変更するとともに、上記データ領域Ｃ
にイレーズ状態から状態が変化したブロックの番号を書
き込む書き換え指令手段２０１と、上記データ領域Ｃの
内容に基づいてを光ディスク媒体１のフラグ領域Ａに書
き込み指示する書き込み指令手段２０２とを備える構成
とする。
【００１０】このとき、光ディスク媒体のフラグ領域Ａ
にあるフラグデータＴの部分には、ＲＯＭ部特有の凹凸
ピットＰが存在しないようにしておくのが好ましい。 上
記構成において、光ディスク装置に光ディスク媒体が装
填されたとき、該光ディスク媒体上のフラグ領域Ａに格
納されているフラグデータＴが半導体メモリ２００にロ
ードされる。
【００１１】イレーズ状態のブロックに書き込みを行っ
たとき、書き換え指令手段２０１によって、上記半導体
メモリ２００上にあるフラグデータＴの内容を対象のブ
ロックがイレーズ状態でないことを示すように変更され
るとともに、データ領域Ｃにイレーズ状態から状態が変
化したブロックの番号が書き込まれる。
【００１２】また、アクセス空き時間あるいはイジェク
トが行われる直前に書き込み指令手段２０２によって、
上記データ領域Ｃの内容に基づいて上記半導体メモリ２
００上のフラグデータＴが光ディスク媒体上の上記フラ
グ領域Ａに書き込み指示される。
【００１３】
【実施例】図１（ａ）は本発明の光ディスク媒体１の構
成を示すのもである。上記図１２に示した構成の光ディ
スク媒体１のユーザ使用可領域１０のうちデータ（ある
いはプログラム）が書き込まれているＲＯＭ部１０ｂを
除いてすべての部分をイレーズ状態とする。
【００１４】ＲＯＭ部１０ｂには、ユーザ使用可領域１
０の各ブロックがイレーズ状態にあるかどうかを示すフ
ラッグ・データ・テーブル（以後、フラグデータＴと言
う）を格納したフラグ領域Ａとフラグ領域Ａが存在する
かどうかを示すとともに、ユーザ使用不可領域２０には
該フラグ領域Ａのアドレスを示すデータＥが備えられ
る。上記フラグ領域Ａにユーザがデータを書き込んでフ
ラグデータＴが壊される危険が生じないように、上記後
述するように領域データＥにフラグ領域ＡがＲＯＭ部１
０ｂであることを示しておけばユーザがフラグ領域Ａに
データを書き込むことを防ぐことができる。
【００１５】上記フラグデータＴは、例えば、１ブロッ
クについて１ピットを割り当ててイレーズ状態が１、イ
レーズ状態にない場合が０として、光磁気的なビット列
で各ブロックの状態を表すことができる。図１２に示し
た光ディスク媒体の約１万トラック分のブロック数は計
250000となり、１ビットが１ブロックの状態を表すもの
とすると250000/8=31250のバイトのデータ量となる。安
全のためフラグ領域Ａ内２箇所に同じフラグデータＴを
もつ方法もある。
【００１６】上記領域データＴは以下のように割り付け
ることができる。すなわち、上記図１２に示したインナ
ー（アウタ）コントロールトラック２０ｃにはＲＯＭ部
１０ｂとＲＡＭ部１０ａの割り付け（定義）がなされる
とともに両コントロールトラック２０ｃは読み込み専用
領域でありユーザはアクセスできない。従って、フラグ
領域Ａが存在するかどうかの領域データＥをこのコント
ロールトラック２０ｃの一部に書いておけばユーザが誤
って領域データＥを破損することはない。
【００１７】例えば図１（ａ）に示すように、コントロ
ールトラック２０ｃの中の１ブロック中のベンダユニー
クフィールドＶｆに領域データＥを書くことにより領域
データＥがＩＳＯ規格に準拠しているいかなる光ディス
ク装置でも破壊されることはない。また、フラグ領域Ａ
が該コントロールトラックでの定義でＲＯＭ部１０ｂと
しておけばユーザがフラグ領域Ａにデータを書き込むこ
とを防ぐことができる。
【００１８】上記領域データＥの態様はとくに限定され
ず、図１（ａ）に示すように文字（一種のフラグ）をス
タンパで刻設するようにしてもよいし、フラグ領域Ａの
アドレスをスタンパで刻設するようにしてもよい。
【００１９】図２は上記のような構成の光ディスク媒体
１を装填して、記録再生を行うための光ディスク装置の
１実施例のブロック図を示し、図３は光ディスク媒体が
光ディスク装置に装填されたときの制御手順を示すフロ
ー図である。光ディスク媒体１が上記装置に装填された
とき、まず、判別手段１０１によってフラグ領域Ａをも
つかどうかを上記領域データＥを参照して判断する（図
３、ステップＳ３１）。もし、フラグ領域Ａを持たなけ
れば以後、当該光ディスク媒体１に関して従来通り書き
込みはイレーズを行った後で行うので、フラグ形成手段
１０５にてイレーズを行うべき旨のフラグＢをたてる
（図３、ステップＳ３２）。
【００２０】もし、フラグ領域Ａを持つ場合はイレーズ
を行わずに書き込みを行うための準備として、読み出し
手段２０３にて光ディスク媒体１上のフラグ領域Ａから
フラグデータＴを読み出して装置内の半導体メモリ２０
０に読み込む（図３、ステップＳ３３）。以後下述する
ように装填された光ディスク媒体１に関して書き込み指
令手段２０２にて書き込みを行うときはこの半導体メモ
リ２００上のフラグデータＴを参照して行う（図３、ス
テップＳ３４）。
【００２１】図４は本発明により、光ディスク媒体に書
き込みを行うときの手順を示すフロー図である。まず、
フラグ判別手段１１０にて上述したフラグＢを参照して
フラグデータＴがあるかどうかを判断する。フラグデー
タＴを持たない光ディスク媒体１であれば、イレーズを
行った後で書き込みを行う（図４、ステップＳ４１→Ｓ
４２）。
【００２２】フラグデータＴが存在する場合は判別手段
１０１にてフラグ領域Ａあり（図３、Ｓ３１）と判断さ
れているので、次いで、参照手段１０２にて書き込みを
行うブロックについてフラグデータＴのビットが１か０
か、すなわちそのブロックがイレーズ状態かどうかを上
記半導体メモリ２００に落とし込まれたデータを検出し
て判別する。すでに何等かのデータが書き込まれイレー
ズ状態になければ消去指令手段１０３でイレーズを行っ
た後で書き込み指令手段１０４にて書き込みを行う（図
４、ステップＳ４４→Ｓ４５）。イレーズ状態であれば
イレーズを行わずに書き込み指令手段１０４にて書き込
みを行う（図４、ステップＳ４７）。このようにデータ
の書き込みを行った後、書き込みを行ったブロックがイ
レーズ状態にないことを示すように書き換え指令手段２
０１にて半導体メモリ２００上のフラグデータＴを書き
換える（図４、ステップＳ４７）。
【００２３】図５は本発明により光ディスク媒体の読み
込みを行うときの手順を示すフロー図である。まず、フ
ラグ判別手段１１０にて上述したフラグＢを参照してフ
ラグデータＴがあるかどうかを判断する（図５、Ｓ５
１）。フラグデータＴを持たない光ディスク媒体１であ
れば、対象のブロックのデータを読み込み指令手段１１
３を用いて読み込む（図５、Ｓ５２）。フラグデータＴ
が存在する場合は判別手段１０１によってフラグ領域Ａ
があると判断されているので、次いで、参照手段１０２
にて書き込みを行うブロックについてフラグデータＴの
ビットが１か０か、すなわちそのブロックがイレーズ状
態かどうかを上記半導体メモリ２００に落とし込まれた
データを検出して判別する（図５、Ｓ５１→Ｓ５３→Ｓ
５４）。
【００２４】この判別手順で対象ブロックがイレーズ状
態になければ読み込み指令手段１１３を用いて該対象ブ
ロックを読み込む（図５、Ｓ５８）。逆にイレーズ状態
にあればこのままの状態で読み込みをおこなってもＥＣ
Ｃ(Error Correction Code)エラーが起こって正常な読
み込みを行うことはできない。そこでまず、任意のデー
タを書き込み指令手段１１４によって書き込み、書き込
みが終わると書き込みを行ったブロックがイレーズ状態
にないことを示すように書き換え指令手段２０１にて半
導体メモリ２００上のフラグデータＴを書き換える（図
５、Ｓ５５→Ｓ５６）。その後読み込み指令手段１１３
によってデータを読み込む（図５、Ｓ５７）。
【００２５】上記のように更新された半導体メモリ２０
０（図４、ステップＳ４７、及び図５、Ｓ５７参照）上
のフラグデータＴは、光ディスク媒体１上のフラグ領域
Ａに戻してやる必要がある。書き込みを行う毎にフラグ
領域Ａの更新を行えばオーバーヘッドが大きくなり、返
って書き込み工程が遅くなってしまうので、半導体メモ
リ２００上のフラグデータＴのフラグ領域Ａへの更新
は、ドライブに空き時間があるとき（読み込みや書き込
みの動作を行っていないとき）、あるいは光ディスク媒
体１をイジェクトする直前に行う。また、半導体メモリ
２００上のデータを更新するときに、イレーズ状態から
イレーズ状態でなくなったブロック番号だけを半導体メ
モリ２００上のデータ領域Ｃに記録しておき、光ディス
ク媒体１上のフラグ領域Ａの更新に際してデータ領域Ｃ
の内容を参照して記入された番号に対応するブロックの
フラグデータのみを更新すれば時間の節約ができる。こ
の領域Ｃはドライブに空き時間があるとき（読み込みや
書き込みの動作を行っていないとき）、上記のようにフ
ラグ領域Ａを更新した後クリアされる。
【００２６】ユーザが誤ってフラグ領域Ａにあるフラグ
データＴを破壊することを防止するために前記したよう
に、フラグ領域ＡをＲＯＭ部１０ｂに形成する場合、Ｒ
ＯＭ部は本来凹凸のピットで記録が行われて光磁気記録
再生は行えないが、フラグデータＴに限り光磁気記録再
生ができるような機能を光ディスク装置に持たせてお
く。更に、このとき、光ディスク媒体１上のフラグ領域
ＡにあるフラグデータＴの部分にピットが存在すると光
磁気信号にピット信号が雑音としてのり易いのでフラグ
領域Ａの部分にはピットが存在しないようにしておく。
【００２７】本発明によれば、イレーズを行わずに書き
込みを行えるので、書き込みを速く行うことができる。
しかし、光ディスク媒体にデータを書いたり削除したり
している間にイレーズ状態にあるブロックの数がだんだ
ん減少し、書き込みを速く行える効果が次第に減少して
くる。このような課題を解決するために本発明では、光
ディスク装置に次のような初期化機能を持たせる。
【００２８】すなわち、光ディスク媒体１のユーザ使用
可領域１０の必要最小限のブロックを除くすべてのブロ
ックをイレーズ状態とし、前記フラグデータＴを前記フ
ラグ領域Ａに設定するとともに、領域データＥを設定す
る機能を内蔵させる。
【００２９】図６はこのような初期化機能をもつ光ディ
スク装置の実施例を示す外観図であり、図７は図６に示
す装置の機能ブロック図、図８は図７の装置のフロー図
である。
【００３０】この光ディスク装置は、上記判別手段１０
１等の制御部１００がホストコンピュータの制御で作動
する通常モードとホストコンピュータの制御を受けず
に作動する初期化モードとに切り換えるモード切り換
え手段３００を備えている。すなわちイレーズスイッチ
３１を押すことにより初期化モードに入る準備をし、
もう一度イレーズスイッチ３１を押すことにより回数判
定手段３０５が、モード設定手段３０６を起動して初期
化モードに設定される（図８、Ｓ８１→Ｓ８２）。こ
れによってホストコンピュータに対してイジェクトが行
われている状態、すなわちホストコンピュータより制御
部１００が切り離された状態を形成する。更にこのと
き、ローカル状態インジケータ３２が点灯するようにす
る。
【００３１】さらにもう一度イレーズスイッチ３１を押
すことにより前記、消去指令手段１０３が作動して消去
を開始する（図８、ステップＳ８３）。消去機能により
必要最小限のブロックを除くすべてのブロックをイレー
ズ状態とし、その後書き込み指令手段２０２が作動して
フラグ領域ＡにフラグデータＴを設定する（図８、ステ
ップＳ８５）。イレーズの一連の処理が終了すると同時
に自動的に通常モードに戻り、ホストコンピュータの
指示によって動作し、また上記ローカル状態インジケー
タ３２も消灯する。
【００３２】図９はホストコンピュータの制御を受けず
に光ディスク媒体をイレーズする光ディスク媒体の他の
外観図であり、図１０はそのブロック図、図１１はフロ
ー図である。この実施例でも制御部１００をホストコン
ピュータの制御のもとに作動させるモードと、ホスト
コンピュータの制御を受けずに作動するモードと切り
換えるモード切り換え手段３００を備えている。イジェ
クトスイッチ３３は１回押すと光ディスク媒体１のイジ
ェクトを行い、２回連続で押すと回数判定手段３０５が
モード設定手段３０６を起動して通常モードと初期化
モードの切り換えを行い、ローカル状態インジケータ
３２が点灯する（図１１、ステップＳ９１）。上記初期
化モードではイレーズスイッチ３１とイジェクトスイ
ッチ３３はそれぞれ以下のようなファンクションスイッ
チＡ、ファンクションスイッチＢとなる。
【００３３】すなわち、ファンクションスイッチＡを押
すと選択手段３０７が起動してパーティション選択モー
ドとなる。このとき選択手段３０７は読み出し手段２０
３を用いて読みだした光ディスク媒体１のパーティショ
ン構造を解析し、いくつのパーティションがあるかを確
認する（Ｓ９２）。この状態でファンクションスイッチ
Ｂを１回押すごとに順次何番目のパーティションをイレ
ーズするかを表示手段３０４に切え替え表示する（Ｓ９
３）。この後ファンクションスイッチＡを押すことによ
り何番目のパーティションかを決定し、次に表示パネル
に本当にイレーズしてもよいかどうかを聞いてくる。こ
こでファンクションスイッチＡをもう１回押すと消去指
令手段１０３を起動してイレーズを開始する（図１１、
Ｓ９４→Ｓ９５）。イレーズするのが光ディスク媒体全
体であれば、必要最小限のブロックを除くすべてのブロ
ックをイレーズ状態とし、フラグ領域Ａにフラグデータ
Ｔを設定する。イレーズするのがある限定されたパーテ
ィションであれば、そのパーティションに属するすべて
のブロックをイレーズ状態とし、書き込み指令手段２０
２によってフラグ領域ＡのフラグデータＴを更新する。
イレーズの一連の処理が終了すると同時に自動的に制御
部１００はホストコンピュータの指示で作動する通常モ
ードになる。
【００３４】以上説明した実施例による光ディスク媒体
と光ディスク装置を提供すれば、光ディスク媒体にデー
タを高速に書き込むことができる。しかも、ホストコン
ピュータのＯＳ特有のファイルシステムとは完全に独立
して高速書き込みを行うことができる。しかも、従来の
光ディスク媒体（フラグ領域Ａを持たない媒体）も読み
書きできるし、本発明による高速書き込みに対応してい
ない光ディスク装置に、本発明による光ディスク媒体を
挿入しても読み書きになんら問題を生じない。
【００３５】
【発明の効果】本発明によれば、上記半導体メモリにデ
ータ領域Ｃを設けることによって、イ レーズ状態からイ
レーズ状態でなくなったブロック番号だけを該データ領
域Ｃに記録しておき、光ディスク媒体上のフラグ領域Ａ
の更新に際してデータ領域Ｃの内容を参照して記入され
た番号に対応するブロックのフラグデータのみを更新す
ればよいため、時間の節約ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理図である。
【図２】本発明の光ディスク装置の実施例ブロック図で
ある。
【図３】本発明の手順を示すフロー図である。
【図４】本発明の手順を示すフロー図である。
【図５】本発明の手順を示すフロー図である。
【図６】本発明の光ディスク装置の実施例外観図であ
る。
【図７】図５の実施例ブロック図である。
【図８】図６のフロー図である。
【図９】本発明の光ディスク装置の実施例外観図であ
る。
【図１０】図９の実施例ブロック図である。
【図１１】図９のフロー図である。
【図１２】従来の光ディスクの概念図である。
【図１３】従来の光ディスク装置の概念図である。
【符号の説明】
１ 光ディスク媒体 ２０ ユーザ使用不可領域 １０ｂ ＲＯＭ部 ３０ 初期化スイッチ ３１ イレーズスイッチ ３３ イジェクトスイッチ １０１ 判別手段 １０２ 参照手段 １０３ 消去指令手段 １０４ 書き込み指令手段 １１４ 書き込み指令手段 ２００ 半導体メモリ ２０１ 書き換え指令手段 ２０２ 書き込み指令手段 ３００ モード設定手段 ３０４ 表示手段 ３０７ 選択手段 Ａ フラグ領域 Ｅ 領域データ Ｐ ピット Ｔ フラグデータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 浩 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 内海 研一 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−103758（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−217619（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−17525（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−193317（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−294276（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−234233（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−6611（ＪＰ，Ａ) 実開 昭60−144139（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 20/12 G11B 20/10 G11B 7/00 G11B 11/10 G11B 19/02 G11B 19/10 G11B 19/12 G11B 19/16

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 光ディスク媒体（1)において、各ブロッ
    クがイレーズ状態にあるかどうかを表すフラグデータを
    テーブルとしてもつフラグデータテーブルと、該フラグ
    データテーブルを格納するフラグ領域(A) と、該フラグ
    領域(A) を有することを示す領域データ(E) とを備えた
    光ディスク媒体（1)に対する記録再生を行う光ディスク
    装置であって、 光ディスク媒体（1)が装填されたとき、フラグデータ
    (T) を格納する領域とデータ領域(C) を備えた半導体メ
    モリ(200) と、 イレーズ状態のブロックに書き込みを行ったとき、上記
    半導体メモリ(200) 上にあるフラグデータ(T) の内容を
    対象のブロックがイレーズ状態でないことを示すように
    変更するとともに、上記データ領域(C) にイレーズ状態
    から状態が変化したブロックの番号を書き込む書き換え
    指令手段(201) とを備えたことを特徴とする光ディスク
    装置。
  2. 【請求項２】 上記領域データ(E) を上記光ディスク媒
    体（1)のユーザ使用不可領域（20) に備えた請求項１に
    記載の光ディスク装置。
  3. 【請求項３】 上記光ディスク媒体（1)が、上記フラグ
    領域(A) の存在する領域を除くすべてのユーザ使用可領
    域（10) をイレーズ状態で初期化する光ディスク媒体
    （1)である請求項１に記載の光ディスク装置。
  4. 【請求項４】 上記光ディスク媒体（1)が、上記フラグ
    領域(A) をユーザ側で書き込みを行うことができないＲ
    ＯＭ部（10b)に置く光ディスク媒体（1)である請求項１
    に記載の光ディスク装置。
  5. 【請求項５】 上記光ディスク媒体（1)が、上記ＲＯＭ
    部（10b)において、上記フラグデータ(T) を表す部分に
    ＲＯＭ部特有の物理的凹凸のピット(P) が存在しない光
    ディスク媒体（1)である請求項３に記載の光ディスク装
    置。
  6. 【請求項６】 上記データ領域(C) の内容に基づいてを
    光ディスク媒体(1)のフラグ領域(A) に書き込み指示す
    る書き込み指令手段(202) を備えた請求項１に記載の光
    ディスク装置。
  7. 【請求項７】 上記書き換え指令手段(201) が、アクセ
    ス空き時間あるいはイジェクトが行われる直前に行われ
    る請求項１に記載の光ディスク装置。
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