JP2759266B2 - 酸化物系超電導体被覆部材 - Google Patents
酸化物系超電導体被覆部材Info
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- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title claims description 23
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 35
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- BBMCTIGTTCKYKF-UHFFFAOYSA-N 1-heptanol Chemical compound CCCCCCCO BBMCTIGTTCKYKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000954177 Bangana ariza Species 0.000 description 2
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910002077 partially stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910001422 barium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はエレクトロニクス分野等で使用される酸化物
系超電導体被覆部材に関するものである。 〔従来技術〕 近年、90Kの高臨界温度を有する酸化物系超電導体が
発見され、従来の金属又は金属間化合物系超電導体に代
わり液体窒素温度で使用可能な材料として注目され、各
分野での応用研究が進められている。 その中でも、超電導体のその特異的性質からエレクト
ロニクス分野への応用が盛んに行われ、例えば配線基板
等への応用が進められている。 一般に配線基板等に適用する場合は基板に対してスパ
ッタ法やスクリーン印刷法あるいはディッピング法によ
り酸化物系超電導薄膜を形成したものが研究され、中に
は電流密度が105〜106A/cm2という値が報告されてい
る。 スパッタ法によれば、成膜したままの酸化物は超電導
現象を示さず、超電導体とするには酸化雰囲気中で900
℃程度の温度で熱処理することが必要である。また、印
刷法やディッピング法による成膜においても900℃程度
の温度で熱処理を必要とする。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかし乍ら、上述した従来技術によれば、製造工程中
に基板との接触状態での高温熱処理を必須とすることか
ら、基板からの基板を構成する元素の超電導膜への拡散
が生じ、超電導体特性の劣化、例えばオフセット温度の
低下等が生じる傾向にある。 このような傾向を回避するために熱処理温度を低くす
るための改良や、基板材料として高価なサファイアや、
MgO,PSZ（部分安定化ジルコニア）あるいはSrTiO3の基
板を用いることが検討されているが、熱処理温度低下に
よる改良では不十分であり、基板材料の改良では価格的
問題、あるいは基板材料が限定されるため、広汎な分野
への応用ができない等の不都合があった。 〔発明の目的〕 本発明は叙上の問題点を解決することを主たる目的と
するもので具体的には、アルミナ質セラミックスからな
る基板に対して、基板からの超電導膜への拡散を防止
し、膜の超電導特性を安定化させることを目的とする。
それによって超電導膜の用途を広げるとともに安価な超
電導体被覆部材を提供することを目的とするものであ
る。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明者等は上記問題点に対し、研究を重ねた結果、
酸化物系超電導体、特にペロブスカイト型構造のものに
対して、CrあるいはMnの金属元素はほとんど置換されず
に、超電導体特性に対してもほとんど影響を及ぼさない
さとに着目し、これらの金属化合物を基板と超電導体の
薄膜との間に介在させることにより基板からの元素の拡
散を中間層が阻止することから、アルミナ基板が採用で
きることを知見した。 即ち、本発明は、アルミナ基板上に酸化物系超電導体
の薄膜を形成した酸化物系超電導体被覆部材において、
前記基板と前記薄膜との間にCr、Mnのうちの少なくとも
１種の金属あるいはその化合物から成る中間層を介在さ
せたことを特徴とする酸化物系超電導体被覆部材を提供
するにある。 以下、本発明をさらに詳述する。 従来の構成において例えばAl2Ｏ3を基板として用い、
その基板上にREBa2Cu3Ｏ７−δ膜を設ける場合、基板中
のAl2Ｏ3が膜中に拡散し、膜組成のREイオンと置換する
ため、超電導体である斜方晶結晶の格子長が変わり、超
電導特性は劣化する。同様にMg2+イオンはBaイオンと置
換して特性が劣化する。 上記の元素に対し、Cr、Mnのイオンは元素置換は殆ど
行われず、異生成物となり、超電導特性に何ら影響を及
ぼさないものである。 本発明において基板と薄膜との間に介在される中間層
はCr、Mnの金属単体あるいは酸化物などの化合物の形で
設けることができる。 また、基板材料としては中間層の介在によりあらゆる
ものが採用されるが、被覆部材の製造にあたり、600〜9
50℃の熱処理を必要とすることから、熱処理温度に耐え
得るものが要求される。よって、本発明では、あらゆる
セラミック基板が採用されるが、特に、アルミナ基板に
対して特に有効であり、いずれも公知の方法で製造され
た焼結体からなる。 さらに、中間層上に形成される超電導体は具体的には
ペロブスカイト型構造を有するもので、例えばREBa2Cu3
Ｏ７−δ系（REは希土類元素）が挙げられ、これらはい
ずれもその一部を他の元素で置換されたものであっても
問題はない。 本発明の酸化物系超電導体被覆部材の製造に際して
は、まず、前述した基板に対し、公知の薄膜形成手段、
例えばプラズマCVD、熱CVD等のCVD法や、蒸着、スパッ
タリング等のPVD法等を用いて、金属単体、或いは金属
化合物として設ける。 酸化物系超電導体の薄膜の形成に当たっては超電導体
粉末を溶剤中に分散したペーストを用い、前述した中間
層が形成された規範上に印刷塗布或いはディッピング塗
布して乾燥後、800〜950℃で熱処理を行う。また、他の
方法としては超電導体をターゲットとして、スパッタリ
ングするかまたは超電導粉体のプラズマ溶射などによっ
て形成することができる。 なお、本発明において設けられる中間層の厚みは１μ
ｍ以上が好ましく、１μｍを下回ると、基板から元素の
拡散を有効的に抑制できなくなる傾向にある。 以下、本発明を次の例で説明する。 〔比較例〕 Dy2Ｏ31/2モル,BaCO3２モル,CuO3モルの各粉末を秤量
してメノー乳鉢で充分に混合した粉末をアルミナ製磁製
ボートに充填して空気中で880℃で10時間加熱した。そ
の後、100℃hrで冷却後、550℃で３時間保持した後、室
温まで除冷した。 この仮焼粉末をメノー乳鉢を用いて１μｍ程度にまで
微粉化し、約10gの粉末を得た。 粉末10gに対しバインダーとしてエチルセルロース0.9
g、および溶剤としてヘプチルアルコールを1.5g添加
し、メノー乳鉢で混練し、印刷用ペーストを作成した。
Al2Ｏ3（純度99.6％）の基板の上に300メッシュのステ
ンレス製スクリーンを通して５×20mmの帯状パターンを
10μｍ厚みで印刷した。 室温で２時間、その後乾燥機にて50℃〜100℃まで１
℃/minで昇温し、最終的に100℃で２時間乾燥した。こ
のパターン印刷した基板を大気中,900℃で２時間加熱
し、500℃まで200℃/hrで冷却し、500℃で５時間保持し
た後、室温まで炉却した。 得られた、被覆部材に対し温度による電気抵抗の変化
を４端子法で測定した。パターン上にAgペーストを用い
て４電極を作成し、φ0.2mmの銅線をリード線とした。 測定の結果、室温から冷却していくと抵抗値は高くな
るいわゆる半導体的挙動を示し、液体窒素温度（77K）
以上では抵抗が０にならなかった。 実施例１ アルミナ基板（99.8％）上にマグネトロンスパッタリ
ング法によりCr,Mnの各金属をターゲットとしてAr圧３
〜６×10-3Torr以下、基板温度200〜250℃の条件で成膜
速度約1000Å／分で厚さ２μｍの金属膜を個々に形成し
た。 得られた基板に比較例と同様にしてペーストをパター
ン印刷し、焼き付けた。 同様にオフセット温度（Ｋ）、負の磁化率（％）を測
定したところCrが80K,52％、Mnが83K,60％であり、いず
れも高い温度で超電導を示した。 因みに比較のために、アルミナ基板上にFe金属膜を設
け、同様に被覆部材を作製し、特性を測定したところ、
液体窒素下（77K）では超電導は示さなかった。 〔発明の効果〕 以上詳述した通り、本発明によれば超電導薄膜と基板
の間にCr、Mnの金属単体或いは金属化合物からなる中間
層を設けることによって基板からの薄膜への元素の拡散
を阻止することができ、しかも中間層自体超電導薄膜に
対し特性上何ら悪影響を及ぼすことがない。よって従来
のSrTiO3サファイヤ等の高価な基板を用いることなく安
価なアルミナ基板を採用することができ、被覆部材とし
ての価格を下げ、しかも用途を広げることが可能とな
る。
系超電導体被覆部材に関するものである。 〔従来技術〕 近年、90Kの高臨界温度を有する酸化物系超電導体が
発見され、従来の金属又は金属間化合物系超電導体に代
わり液体窒素温度で使用可能な材料として注目され、各
分野での応用研究が進められている。 その中でも、超電導体のその特異的性質からエレクト
ロニクス分野への応用が盛んに行われ、例えば配線基板
等への応用が進められている。 一般に配線基板等に適用する場合は基板に対してスパ
ッタ法やスクリーン印刷法あるいはディッピング法によ
り酸化物系超電導薄膜を形成したものが研究され、中に
は電流密度が105〜106A/cm2という値が報告されてい
る。 スパッタ法によれば、成膜したままの酸化物は超電導
現象を示さず、超電導体とするには酸化雰囲気中で900
℃程度の温度で熱処理することが必要である。また、印
刷法やディッピング法による成膜においても900℃程度
の温度で熱処理を必要とする。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかし乍ら、上述した従来技術によれば、製造工程中
に基板との接触状態での高温熱処理を必須とすることか
ら、基板からの基板を構成する元素の超電導膜への拡散
が生じ、超電導体特性の劣化、例えばオフセット温度の
低下等が生じる傾向にある。 このような傾向を回避するために熱処理温度を低くす
るための改良や、基板材料として高価なサファイアや、
MgO,PSZ（部分安定化ジルコニア）あるいはSrTiO3の基
板を用いることが検討されているが、熱処理温度低下に
よる改良では不十分であり、基板材料の改良では価格的
問題、あるいは基板材料が限定されるため、広汎な分野
への応用ができない等の不都合があった。 〔発明の目的〕 本発明は叙上の問題点を解決することを主たる目的と
するもので具体的には、アルミナ質セラミックスからな
る基板に対して、基板からの超電導膜への拡散を防止
し、膜の超電導特性を安定化させることを目的とする。
それによって超電導膜の用途を広げるとともに安価な超
電導体被覆部材を提供することを目的とするものであ
る。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明者等は上記問題点に対し、研究を重ねた結果、
酸化物系超電導体、特にペロブスカイト型構造のものに
対して、CrあるいはMnの金属元素はほとんど置換されず
に、超電導体特性に対してもほとんど影響を及ぼさない
さとに着目し、これらの金属化合物を基板と超電導体の
薄膜との間に介在させることにより基板からの元素の拡
散を中間層が阻止することから、アルミナ基板が採用で
きることを知見した。 即ち、本発明は、アルミナ基板上に酸化物系超電導体
の薄膜を形成した酸化物系超電導体被覆部材において、
前記基板と前記薄膜との間にCr、Mnのうちの少なくとも
１種の金属あるいはその化合物から成る中間層を介在さ
せたことを特徴とする酸化物系超電導体被覆部材を提供
するにある。 以下、本発明をさらに詳述する。 従来の構成において例えばAl2Ｏ3を基板として用い、
その基板上にREBa2Cu3Ｏ７−δ膜を設ける場合、基板中
のAl2Ｏ3が膜中に拡散し、膜組成のREイオンと置換する
ため、超電導体である斜方晶結晶の格子長が変わり、超
電導特性は劣化する。同様にMg2+イオンはBaイオンと置
換して特性が劣化する。 上記の元素に対し、Cr、Mnのイオンは元素置換は殆ど
行われず、異生成物となり、超電導特性に何ら影響を及
ぼさないものである。 本発明において基板と薄膜との間に介在される中間層
はCr、Mnの金属単体あるいは酸化物などの化合物の形で
設けることができる。 また、基板材料としては中間層の介在によりあらゆる
ものが採用されるが、被覆部材の製造にあたり、600〜9
50℃の熱処理を必要とすることから、熱処理温度に耐え
得るものが要求される。よって、本発明では、あらゆる
セラミック基板が採用されるが、特に、アルミナ基板に
対して特に有効であり、いずれも公知の方法で製造され
た焼結体からなる。 さらに、中間層上に形成される超電導体は具体的には
ペロブスカイト型構造を有するもので、例えばREBa2Cu3
Ｏ７−δ系（REは希土類元素）が挙げられ、これらはい
ずれもその一部を他の元素で置換されたものであっても
問題はない。 本発明の酸化物系超電導体被覆部材の製造に際して
は、まず、前述した基板に対し、公知の薄膜形成手段、
例えばプラズマCVD、熱CVD等のCVD法や、蒸着、スパッ
タリング等のPVD法等を用いて、金属単体、或いは金属
化合物として設ける。 酸化物系超電導体の薄膜の形成に当たっては超電導体
粉末を溶剤中に分散したペーストを用い、前述した中間
層が形成された規範上に印刷塗布或いはディッピング塗
布して乾燥後、800〜950℃で熱処理を行う。また、他の
方法としては超電導体をターゲットとして、スパッタリ
ングするかまたは超電導粉体のプラズマ溶射などによっ
て形成することができる。 なお、本発明において設けられる中間層の厚みは１μ
ｍ以上が好ましく、１μｍを下回ると、基板から元素の
拡散を有効的に抑制できなくなる傾向にある。 以下、本発明を次の例で説明する。 〔比較例〕 Dy2Ｏ31/2モル,BaCO3２モル,CuO3モルの各粉末を秤量
してメノー乳鉢で充分に混合した粉末をアルミナ製磁製
ボートに充填して空気中で880℃で10時間加熱した。そ
の後、100℃hrで冷却後、550℃で３時間保持した後、室
温まで除冷した。 この仮焼粉末をメノー乳鉢を用いて１μｍ程度にまで
微粉化し、約10gの粉末を得た。 粉末10gに対しバインダーとしてエチルセルロース0.9
g、および溶剤としてヘプチルアルコールを1.5g添加
し、メノー乳鉢で混練し、印刷用ペーストを作成した。
Al2Ｏ3（純度99.6％）の基板の上に300メッシュのステ
ンレス製スクリーンを通して５×20mmの帯状パターンを
10μｍ厚みで印刷した。 室温で２時間、その後乾燥機にて50℃〜100℃まで１
℃/minで昇温し、最終的に100℃で２時間乾燥した。こ
のパターン印刷した基板を大気中,900℃で２時間加熱
し、500℃まで200℃/hrで冷却し、500℃で５時間保持し
た後、室温まで炉却した。 得られた、被覆部材に対し温度による電気抵抗の変化
を４端子法で測定した。パターン上にAgペーストを用い
て４電極を作成し、φ0.2mmの銅線をリード線とした。 測定の結果、室温から冷却していくと抵抗値は高くな
るいわゆる半導体的挙動を示し、液体窒素温度（77K）
以上では抵抗が０にならなかった。 実施例１ アルミナ基板（99.8％）上にマグネトロンスパッタリ
ング法によりCr,Mnの各金属をターゲットとしてAr圧３
〜６×10-3Torr以下、基板温度200〜250℃の条件で成膜
速度約1000Å／分で厚さ２μｍの金属膜を個々に形成し
た。 得られた基板に比較例と同様にしてペーストをパター
ン印刷し、焼き付けた。 同様にオフセット温度（Ｋ）、負の磁化率（％）を測
定したところCrが80K,52％、Mnが83K,60％であり、いず
れも高い温度で超電導を示した。 因みに比較のために、アルミナ基板上にFe金属膜を設
け、同様に被覆部材を作製し、特性を測定したところ、
液体窒素下（77K）では超電導は示さなかった。 〔発明の効果〕 以上詳述した通り、本発明によれば超電導薄膜と基板
の間にCr、Mnの金属単体或いは金属化合物からなる中間
層を設けることによって基板からの薄膜への元素の拡散
を阻止することができ、しかも中間層自体超電導薄膜に
対し特性上何ら悪影響を及ぼすことがない。よって従来
のSrTiO3サファイヤ等の高価な基板を用いることなく安
価なアルミナ基板を採用することができ、被覆部材とし
ての価格を下げ、しかも用途を広げることが可能とな
る。
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．アルミナ基板上に酸化物系超電導体の薄膜を形成し
た酸化物系超電導体被覆部材において、前記基板と前記
薄膜との間にCr、Mnのうちの少なくとも１種の金属ある
いはその化合物から成る中間層を介在させたことを特徴
とする酸化物系超電導体被覆部材。 ２．前記酸化物系超電導体がペロブスカイト型構造を有
する特許請求の範囲第１項記載の酸化物系超電導体被覆
部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62304132A JP2759266B2 (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | 酸化物系超電導体被覆部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62304132A JP2759266B2 (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | 酸化物系超電導体被覆部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01144519A JPH01144519A (ja) | 1989-06-06 |
| JP2759266B2 true JP2759266B2 (ja) | 1998-05-28 |
Family
ID=17929424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62304132A Expired - Lifetime JP2759266B2 (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | 酸化物系超電導体被覆部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2759266B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0244012A (ja) * | 1988-08-03 | 1990-02-14 | Dowa Mining Co Ltd | 超伝導薄膜の形成法 |
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Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2583901B2 (ja) * | 1987-08-04 | 1997-02-19 | 株式会社フジクラ | 超電導電気回路 |
| CA1303252C (en) * | 1987-08-13 | 1992-06-09 | John A. Agostinelli | Circuit element with barrier layer for protecting crystalline oxide conductive layer |
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| JPH0199268A (ja) * | 1987-10-13 | 1989-04-18 | Mitsubishi Electric Corp | 異方性酸化物超電導体薄膜の製造方法 |
-
1987
- 1987-11-30 JP JP62304132A patent/JP2759266B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01144519A (ja) | 1989-06-06 |
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