JP2633230B2 - 磁気記憶体 - Google Patents
磁気記憶体Info
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- JP2633230B2 JP2633230B2 JP60213957A JP21395785A JP2633230B2 JP 2633230 B2 JP2633230 B2 JP 2633230B2 JP 60213957 A JP60213957 A JP 60213957A JP 21395785 A JP21395785 A JP 21395785A JP 2633230 B2 JP2633230 B2 JP 2633230B2
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
- G11B5/725—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction containing a lubricant, e.g. organic compounds
- G11B5/7253—Fluorocarbon lubricant
- G11B5/7257—Perfluoropolyether lubricant
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
- G11B5/726—Two or more protective coatings
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- Y10S428/90—Magnetic feature
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- Lubricants (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は磁気的記憶装置（磁気ディスク装置または磁
気ドラム装置など）に用いられる磁気記憶体に関する。
気ドラム装置など）に用いられる磁気記憶体に関する。
（従来の技術） 一般に記録再生磁気ヘッド（以下ヘッドと呼ぶ）と磁
気記憶体とを構成部とする磁気記憶装置の記録再生方法
には次のような方法がある。すなわち操作開始時にヘッ
ドと磁気記憶体面とを接触状態でセットした後、磁気記
憶体に所要の回転を与えることによりヘッドと磁気記憶
体面の間に空気層分の空間を作り、この状態で記録再生
する方法である（コンタクト・スタート・ストップ方
式、以下CSSと呼ぶ）。この方法では操作終了時に磁気
記憶体の回転が止まり、この時ヘッドと磁気記憶体面は
操作開始時と同様に接触摩擦状態にある。
気記憶体とを構成部とする磁気記憶装置の記録再生方法
には次のような方法がある。すなわち操作開始時にヘッ
ドと磁気記憶体面とを接触状態でセットした後、磁気記
憶体に所要の回転を与えることによりヘッドと磁気記憶
体面の間に空気層分の空間を作り、この状態で記録再生
する方法である（コンタクト・スタート・ストップ方
式、以下CSSと呼ぶ）。この方法では操作終了時に磁気
記憶体の回転が止まり、この時ヘッドと磁気記憶体面は
操作開始時と同様に接触摩擦状態にある。
これらの接触摩擦状態におけるヘッドと磁気記憶体の
間に生じる摩擦力は、ヘッドおよび磁気記憶体を摩耗さ
せついにはヘッドおよび磁性媒体に傷を生じせしめるこ
とがある。
間に生じる摩擦力は、ヘッドおよび磁気記憶体を摩耗さ
せついにはヘッドおよび磁性媒体に傷を生じせしめるこ
とがある。
また前記接触摩擦状態においてヘッドのわずかな姿勢
の変化がヘッドにかかる荷重を不均一にさせヘッドおよ
び磁気記憶体表面に傷を作ることもある。
の変化がヘッドにかかる荷重を不均一にさせヘッドおよ
び磁気記憶体表面に傷を作ることもある。
このヘッドとの接触および摺動による磁気記憶体の破
壊を防止するために、従来特開昭52−49805号公報に見
られるように、磁気記憶体表面にパーフロロアルキルポ
リエーテルあるいはシリコーンオイルなどの液体潤滑剤
を被覆していた。
壊を防止するために、従来特開昭52−49805号公報に見
られるように、磁気記憶体表面にパーフロロアルキルポ
リエーテルあるいはシリコーンオイルなどの液体潤滑剤
を被覆していた。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながらこのような液体潤滑剤はヘッドとの摺動
および磁気記憶体の回転時の遠心力によって除去され、
長時間の磁気記憶装置の使用において耐摩耗性が劣化し
ていくという欠点を有していた。
および磁気記憶体の回転時の遠心力によって除去され、
長時間の磁気記憶装置の使用において耐摩耗性が劣化し
ていくという欠点を有していた。
本発明の目的は、この問題点を解決した磁気記憶体を
提供することにある。
提供することにある。
（問題を解決するための手段） 本発明の磁気記憶体は、その部分断面図（第１図）に
示すように下地体１の上に磁性媒体２が被覆され、さら
に前記磁性媒体上に直接または保護膜を介して、表面改
質層４が被覆され、さらに前記表面改質層４の上にパー
フロロポリエーテル基を有する潤滑剤５が被覆された構
造を有する。前記表面改質層は、前記磁性媒体または前
記磁性媒体上に被覆された保護膜の表面と結合する官能
基およびパーフロロポリエーテル基を有する。また、前
記表面改質層表面の臨界表面張力と前記潤滑剤の表面張
力の差は２ダイン／センチメータから−２ダイン／セン
チメータの範囲である。
示すように下地体１の上に磁性媒体２が被覆され、さら
に前記磁性媒体上に直接または保護膜を介して、表面改
質層４が被覆され、さらに前記表面改質層４の上にパー
フロロポリエーテル基を有する潤滑剤５が被覆された構
造を有する。前記表面改質層は、前記磁性媒体または前
記磁性媒体上に被覆された保護膜の表面と結合する官能
基およびパーフロロポリエーテル基を有する。また、前
記表面改質層表面の臨界表面張力と前記潤滑剤の表面張
力の差は２ダイン／センチメータから−２ダイン／セン
チメータの範囲である。
下地体１はアルミ合金、チタン合金、またはステンレ
スなどの金属、またはポリエステル、ポリイミド、ポリ
アミドイミド、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォ
ン芳香族ポリエーテル、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラ
ミン樹脂、ポリカーポネート、ジアリルフタレート樹
脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ポリフェニレンサ
ルファイド、ポリフェニレンエーテル、ポリアセタール
樹脂、ポリブチレンテレフタレート、ビスマレイミドト
リアジン樹脂、ポリオキシベンジレン樹脂、ポリアミノ
ビスマレミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド、ポリフ
ェニレンサルファイドなどのプラスチック、またはガラ
ス、シリコン、ゲルマニウム、アルミナ、シリカ、ダイ
アモンドなどのセラミックス、または陽極酸化アルマイ
ト被覆アミル合金あるいは、Ni−Ｐメッキ膜、Cr、FeN
i、ステンレス、MoまたはＷなどの金属または前記プラ
スチック、前記セラミックスを被覆したアルミ合金、ス
テンレスなどの積層合金基板、あるいは前記金属あるい
は前記セラミックスが被覆された前記プラスチック基
板、あるいは前記金属または前記プラスチックが被覆さ
れたセラミック基板である。
スなどの金属、またはポリエステル、ポリイミド、ポリ
アミドイミド、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォ
ン芳香族ポリエーテル、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラ
ミン樹脂、ポリカーポネート、ジアリルフタレート樹
脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ポリフェニレンサ
ルファイド、ポリフェニレンエーテル、ポリアセタール
樹脂、ポリブチレンテレフタレート、ビスマレイミドト
リアジン樹脂、ポリオキシベンジレン樹脂、ポリアミノ
ビスマレミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド、ポリフ
ェニレンサルファイドなどのプラスチック、またはガラ
ス、シリコン、ゲルマニウム、アルミナ、シリカ、ダイ
アモンドなどのセラミックス、または陽極酸化アルマイ
ト被覆アミル合金あるいは、Ni−Ｐメッキ膜、Cr、FeN
i、ステンレス、MoまたはＷなどの金属または前記プラ
スチック、前記セラミックスを被覆したアルミ合金、ス
テンレスなどの積層合金基板、あるいは前記金属あるい
は前記セラミックスが被覆された前記プラスチック基
板、あるいは前記金属または前記プラスチックが被覆さ
れたセラミック基板である。
次にこの下地体１の上に被覆される磁性媒体２として
Fe3O4、γ−Fe2O3、Fe3N4、バリウムフェライトなどの
鉄酸化物または鉄窒化物などのセラミックスまたはCo、
Co−Ni−Ｐ、Co−Mn−Ｐ、Co−Mn−Ni−Ｐ、Co−Re、Co
−Ni−Re、Co−Mn−Re−Ｐ、Co−Cr、Co−Fe−Cr、Co−
Ｖ、Co−Ru、Co−Os、Co−Pt、Co−Ni−Pt、Co−Pt−C
r、Co−Pt−Ｖ、Co−Rh、Co−Cr−Rh、Co−Ni−Mo、Co
−Ni−Cr、Co−Ni−Ｗ、Co−Smなどのコバルトを含む金
属またはFe−Mg、Fe−Nd、Fe−Ag、Fe−Pd、Fe−Tbなど
の鉄を含む金属またはMn−Al、Mn−Cu−Alなどのマンガ
ンを含む金属が用いられる。
Fe3O4、γ−Fe2O3、Fe3N4、バリウムフェライトなどの
鉄酸化物または鉄窒化物などのセラミックスまたはCo、
Co−Ni−Ｐ、Co−Mn−Ｐ、Co−Mn−Ni−Ｐ、Co−Re、Co
−Ni−Re、Co−Mn−Re−Ｐ、Co−Cr、Co−Fe−Cr、Co−
Ｖ、Co−Ru、Co−Os、Co−Pt、Co−Ni−Pt、Co−Pt−C
r、Co−Pt−Ｖ、Co−Rh、Co−Cr−Rh、Co−Ni−Mo、Co
−Ni−Cr、Co−Ni−Ｗ、Co−Smなどのコバルトを含む金
属またはFe−Mg、Fe−Nd、Fe−Ag、Fe−Pd、Fe−Tbなど
の鉄を含む金属またはMn−Al、Mn−Cu−Alなどのマンガ
ンを含む金属が用いられる。
さらに該磁性媒体２の上に直接又は保護膜を介して被
覆される表面改質層４は磁性体２および潤滑剤５によっ
て最適な物質が決められる。表面改質層４はCOOH、−NC
O、−Ｍ（OR）３（ｎは０、１または２、ＭはSi、Ti、Z
r、Ge、Snなどの金属または半金属）、−CN−NH2、−NR
H、−NH−、−CH＝CH2、−SO3H、−NO、−OH、−COOR、
−NHCONH−、−NHCO−、−NCS、−SH、−CONH2、−PO
（OH）２、＝PO（OH）、＝PO−、＝Ｐ−、−Ｏ−、−Ｓ
−（Ｒは−CmH2m＋１、ｍは１以上の整数）、−CH2−Ｏ
−Ｏ−CH2−、−CH＝CH−、−Ｃ三Ｃ−などの官能基を
含む化合物を用いることができる。磁性媒体２が上記金
属の場合は上記官能基の中で−COOH、−CH＝CH2、−N
H2、−CNが最適である。また磁性媒体２が上記セラミッ
クスの場合は、上記の官能基の中でも−Si（OR）３がが
最も適している。表面改質層４は上記官能基と同時に、
該表面改質層の上に被覆される潤滑剤５の表面張力と同
じかまたは２ダイン／センチメータ以内で大きいか、ま
たは２ダイン／センチメータ以内で小さい表面張力を有
するセグメント分子を含むことが望ましい。このセグメ
ント分子は潤滑剤５の分子構造によって最適な構造が決
められる。最も最適な組み合わせはセグメン分子と潤滑
剤の分子が同じ構造を有していることである。潤滑剤５
としてパーフロロアルキルエーテル（Rf−Ｏ−Rf）から
なるパーフロロアルキルエーテル化合物を使用した場合
は表面改質層４中のセグメント分子中に該パーフロロア
ルキルエーテル基を含むことが望ましい。但し前記潤滑
剤分子と前記セグメント分子の表面張力の差を前記範囲
に調節する為に、潤滑剤分子中あるいはセグメント分子
中に他の分子を導入する事もできる。例えば表面改質層
中のセグメント分子にアルキル化合物が含まれている場
合、パーフロロアルキルエーテル基を含む潤滑剤分子中
にアルキル基を導入することも出来る。潤滑剤５として
はパーフルオロプロピルエーテル、パーフルオロエチル
エーテルなどのパーフロロアルキルエーテルがある。第
２図は、本発明の磁気記憶体の部分断面図である。第２
図において、下地体１および磁性媒体２、表面改質層
４、潤滑剤５は第１図と同じであるが磁性媒体２と表面
改質層４の間に保護膜３が被覆されている。保護膜３は
SiO2、Si3N4、SiCまたは珪酸重合物などの珪素化合物ま
たはAl2O3、CoO、Co3O4、Co2O3、α−Fe2O3、Cr2O3、Cr
O3、TiO2、ZrO2、ZnO、PbO、NiO、MoO2またはSnO2など
の金属酸化物またはTiN、ZrN、CrN、TaN、BNなどの金属
窒化物またはMoS2、WS2、TaS2、などの金属硫化物ある
いはTiC、ZrC、CrC、TaCなどの金属炭化物またはふっ化
黒鉛などの金属ふっ化物またはＷ、Cr、Ip、NiB、NiP、
FeCr、NiCrSn、Pb、Zn、Tl、Au、Ag、Cu、Ga、Ru、Rh、
Mn、MoOsまたはTaまたはそれらの合金などの金属または
合金またはSi、Ge、Ｂ、Ｃ（非晶質あるいはダイアモン
ド状あるいはその混合物）などの半導体あるいはポリテ
トラフルオロエチレン、フェノール樹脂、ポリイミドな
どのプラスチックが用いられる。該保護膜３の上に被覆
される表面改質層４は用いられる保護膜により最適な物
質が決められる。表面改質層４は第１図のところで説明
したような官能基を含む化物であり、保護膜３が上記金
属の場合は上記官能基の中で−COOH−、−CH＝CH2、−N
H2、−CNが最適である。また保護膜３が上記珪素化合
物、金属酸化物、金属窒化物、金属硫化物、金属炭化
物、半導体などのセラミックスの場合は、上記官能基の
中でも−Si（OR）３が最も適している。また保護膜３が
プラスチックの場合は、−CH＝CH2、−NH2、−CN、−CH
＝CH−、−Ｃ三Ｃ−、−CH2−Ｏ−Ｏ−CH2−が最適であ
る。
覆される表面改質層４は磁性体２および潤滑剤５によっ
て最適な物質が決められる。表面改質層４はCOOH、−NC
O、−Ｍ（OR）３（ｎは０、１または２、ＭはSi、Ti、Z
r、Ge、Snなどの金属または半金属）、−CN−NH2、−NR
H、−NH−、−CH＝CH2、−SO3H、−NO、−OH、−COOR、
−NHCONH−、−NHCO−、−NCS、−SH、−CONH2、−PO
（OH）２、＝PO（OH）、＝PO−、＝Ｐ−、−Ｏ−、−Ｓ
−（Ｒは−CmH2m＋１、ｍは１以上の整数）、−CH2−Ｏ
−Ｏ−CH2−、−CH＝CH−、−Ｃ三Ｃ−などの官能基を
含む化合物を用いることができる。磁性媒体２が上記金
属の場合は上記官能基の中で−COOH、−CH＝CH2、−N
H2、−CNが最適である。また磁性媒体２が上記セラミッ
クスの場合は、上記の官能基の中でも−Si（OR）３がが
最も適している。表面改質層４は上記官能基と同時に、
該表面改質層の上に被覆される潤滑剤５の表面張力と同
じかまたは２ダイン／センチメータ以内で大きいか、ま
たは２ダイン／センチメータ以内で小さい表面張力を有
するセグメント分子を含むことが望ましい。このセグメ
ント分子は潤滑剤５の分子構造によって最適な構造が決
められる。最も最適な組み合わせはセグメン分子と潤滑
剤の分子が同じ構造を有していることである。潤滑剤５
としてパーフロロアルキルエーテル（Rf−Ｏ−Rf）から
なるパーフロロアルキルエーテル化合物を使用した場合
は表面改質層４中のセグメント分子中に該パーフロロア
ルキルエーテル基を含むことが望ましい。但し前記潤滑
剤分子と前記セグメント分子の表面張力の差を前記範囲
に調節する為に、潤滑剤分子中あるいはセグメント分子
中に他の分子を導入する事もできる。例えば表面改質層
中のセグメント分子にアルキル化合物が含まれている場
合、パーフロロアルキルエーテル基を含む潤滑剤分子中
にアルキル基を導入することも出来る。潤滑剤５として
はパーフルオロプロピルエーテル、パーフルオロエチル
エーテルなどのパーフロロアルキルエーテルがある。第
２図は、本発明の磁気記憶体の部分断面図である。第２
図において、下地体１および磁性媒体２、表面改質層
４、潤滑剤５は第１図と同じであるが磁性媒体２と表面
改質層４の間に保護膜３が被覆されている。保護膜３は
SiO2、Si3N4、SiCまたは珪酸重合物などの珪素化合物ま
たはAl2O3、CoO、Co3O4、Co2O3、α−Fe2O3、Cr2O3、Cr
O3、TiO2、ZrO2、ZnO、PbO、NiO、MoO2またはSnO2など
の金属酸化物またはTiN、ZrN、CrN、TaN、BNなどの金属
窒化物またはMoS2、WS2、TaS2、などの金属硫化物ある
いはTiC、ZrC、CrC、TaCなどの金属炭化物またはふっ化
黒鉛などの金属ふっ化物またはＷ、Cr、Ip、NiB、NiP、
FeCr、NiCrSn、Pb、Zn、Tl、Au、Ag、Cu、Ga、Ru、Rh、
Mn、MoOsまたはTaまたはそれらの合金などの金属または
合金またはSi、Ge、Ｂ、Ｃ（非晶質あるいはダイアモン
ド状あるいはその混合物）などの半導体あるいはポリテ
トラフルオロエチレン、フェノール樹脂、ポリイミドな
どのプラスチックが用いられる。該保護膜３の上に被覆
される表面改質層４は用いられる保護膜により最適な物
質が決められる。表面改質層４は第１図のところで説明
したような官能基を含む化物であり、保護膜３が上記金
属の場合は上記官能基の中で−COOH−、−CH＝CH2、−N
H2、−CNが最適である。また保護膜３が上記珪素化合
物、金属酸化物、金属窒化物、金属硫化物、金属炭化
物、半導体などのセラミックスの場合は、上記官能基の
中でも−Si（OR）３が最も適している。また保護膜３が
プラスチックの場合は、−CH＝CH2、−NH2、−CN、−CH
＝CH−、−Ｃ三Ｃ−、−CH2−Ｏ−Ｏ−CH2−が最適であ
る。
（作用） 前記表面改質層４はその分子中に含まれる官能基が磁
性媒体２あるいは保護膜３表面と反応して該表面と強固
に被着される一方、潤滑分子との表面張力の差が２ダイ
ン／センチメータ以内で大きいかまたは２ダイン／セン
チメータ以内で小さい表面張力を有するスグメント分子
を含むと表面改質層４は潤滑剤５の流動性を損なわずに
潤滑剤を最も有効に被着されることが出来る。ここで表
面改質層と潤滑剤の表面張力（表面改質層の表面張力は
臨界表面張力として表しても良い）が上記の差で同じか
または近いと最大の効果が得られる理由は、表面張力が
分子間の凝集エネルギーに比例する為であり表面改質層
と潤滑剤の凝集エネルギーが潤滑剤の凝集エネルギーと
同程度のとき潤滑剤の磁気記憶体の回転時の遠心力によ
る飛散を最小にすることが出来る。表面改質層と潤滑剤
の界面の凝集エネルギーが潤滑剤の凝集エネルギーと異
なるときは、潤滑剤が表面改質層の上で滑る為に遠心力
による飛散が大きくなる。回転数10000rpmで磁気記憶体
を30日間連続回転させた時の潤滑剤の減少率が15％以内
を許容値とすると、表面改質層の表面エネルギーと潤滑
剤の表面エネルギーの差は±２となる。これは表面改質
層の表面エネルギーが潤滑剤の表面エネルギーよりも小
さいときは付着漏れが起こり潤滑剤がはじかれるからで
ある。
性媒体２あるいは保護膜３表面と反応して該表面と強固
に被着される一方、潤滑分子との表面張力の差が２ダイ
ン／センチメータ以内で大きいかまたは２ダイン／セン
チメータ以内で小さい表面張力を有するスグメント分子
を含むと表面改質層４は潤滑剤５の流動性を損なわずに
潤滑剤を最も有効に被着されることが出来る。ここで表
面改質層と潤滑剤の表面張力（表面改質層の表面張力は
臨界表面張力として表しても良い）が上記の差で同じか
または近いと最大の効果が得られる理由は、表面張力が
分子間の凝集エネルギーに比例する為であり表面改質層
と潤滑剤の凝集エネルギーが潤滑剤の凝集エネルギーと
同程度のとき潤滑剤の磁気記憶体の回転時の遠心力によ
る飛散を最小にすることが出来る。表面改質層と潤滑剤
の界面の凝集エネルギーが潤滑剤の凝集エネルギーと異
なるときは、潤滑剤が表面改質層の上で滑る為に遠心力
による飛散が大きくなる。回転数10000rpmで磁気記憶体
を30日間連続回転させた時の潤滑剤の減少率が15％以内
を許容値とすると、表面改質層の表面エネルギーと潤滑
剤の表面エネルギーの差は±２となる。これは表面改質
層の表面エネルギーが潤滑剤の表面エネルギーよりも小
さいときは付着漏れが起こり潤滑剤がはじかれるからで
ある。
（実施例） 以下、実施例により本発明を説明する。本実施例にお
いては以下のような試料を作製した。
いては以下のような試料を作製した。
試料１ アルミ合金基板の上にニッケル−燐めっき膜が被覆さ
れ表面粗さ0.02μｍに鏡面仕上げされた下地体１の上
に、磁性媒体２としてコバルト−ニッケル−燐合金を0.
05μｍの厚さにめっきした。次にこの磁性媒体２の上に
保護膜３として特開昭52−20804号公報に示されたよう
なポリ珪酸（珪酸重合物）を回転塗布法により500Åの
厚さに被覆し250℃で焼成した。次にこの保護膜３の上
に表面改質層４として、下記の構造を有するパーフロロ
アルキルポリエーテルシランを20オングストロームの厚
さに塗布した後、該表面改質層４の上に潤滑剤５として
下記の構造を有するパーフロロアルキルポリエーテルを
オングストオームの厚さに被覆して、磁気ディスクを作
った。
れ表面粗さ0.02μｍに鏡面仕上げされた下地体１の上
に、磁性媒体２としてコバルト−ニッケル−燐合金を0.
05μｍの厚さにめっきした。次にこの磁性媒体２の上に
保護膜３として特開昭52−20804号公報に示されたよう
なポリ珪酸（珪酸重合物）を回転塗布法により500Åの
厚さに被覆し250℃で焼成した。次にこの保護膜３の上
に表面改質層４として、下記の構造を有するパーフロロ
アルキルポリエーテルシランを20オングストロームの厚
さに塗布した後、該表面改質層４の上に潤滑剤５として
下記の構造を有するパーフロロアルキルポリエーテルを
オングストオームの厚さに被覆して、磁気ディスクを作
った。
パーフロロアルキルポリエーテルシラン Ｆ（CF（CF3）CF2O）nC2F4COONHC2H4Si（OCH3）３ パーフロロアルキルポリエーテル Ｆ（CF（CF3）CF2O）mC2F5 （ｎは10−20、ｍは30−40） 表面改質層の臨界表面張力は20.0ダイン／センチメー
タである。また潤滑剤の表面張力は19.6ダイン／センチ
メータである。
タである。また潤滑剤の表面張力は19.6ダイン／センチ
メータである。
この磁気ディスクを10000rpmの回転数により30日間回
転させて膜厚の変化を調べたところ３％の減少にとどま
った。
転させて膜厚の変化を調べたところ３％の減少にとどま
った。
試料２ 試料１と同様にして但し磁性媒体２の上に保護膜３と
して無電解めっき法によりニッケル−燐を100Å被覆し
その上に表面改質層４として、下記の構造を有するパー
フロロアルキルポリエーテルカルボン酸を塗布した後、
潤滑剤５として下記の構造を有するパーフロロアルキル
ポリエーテルを被覆して、磁気ディスクを作った。
して無電解めっき法によりニッケル−燐を100Å被覆し
その上に表面改質層４として、下記の構造を有するパー
フロロアルキルポリエーテルカルボン酸を塗布した後、
潤滑剤５として下記の構造を有するパーフロロアルキル
ポリエーテルを被覆して、磁気ディスクを作った。
パーフロロアルキルポリエーテル Ｆ（CF（CF3）CF2O）nCF2COOH パーフロロアルキルポリエーテル Ｆ（C2F4O）ｐ（CF2O）pCF3 （ｎは12、ｐは16、ｑは14、である） 表面改質層の臨界表面張力は19.0ダイン／センチメー
タである。また潤滑剤の表面張力は19.8ダイン／センチ
メータである。
タである。また潤滑剤の表面張力は19.8ダイン／センチ
メータである。
この磁気ディスクを10000rpmの回転数により30日間回
転させて膜厚の変化を調べたところ５％の減少にとどま
った。
転させて膜厚の変化を調べたところ５％の減少にとどま
った。
試料３ 試料１と同様にして但し磁性媒体２の上に保護膜とし
て、スパッタ法によりカーボンを200オングストローム
被覆した後、表面改質層４として下記の構造を有するパ
ーフロロアルキルポリエーテルイソシアネートを塗布し
た後、潤滑剤５として下記の構造を有するパーフロロア
ルキルポリエーテルを被覆して、磁気ディスクを作っ
た。
て、スパッタ法によりカーボンを200オングストローム
被覆した後、表面改質層４として下記の構造を有するパ
ーフロロアルキルポリエーテルイソシアネートを塗布し
た後、潤滑剤５として下記の構造を有するパーフロロア
ルキルポリエーテルを被覆して、磁気ディスクを作っ
た。
パーフロロアルキルポリエーテルイソシアネート OCNC6H3（CH3）HNCOCF2（C2F4O）ｒ（CF2O）sCF2CONH
（CH3）C6H3NCO パーフロロアルキルポリエーテル Ｆ（C2F4O）ｐ（CF2O）qCF3 （ｒは12、ｓは８、ｐは16、ｑは14である。） 表面改質層の臨界表面張力は20.0ダイン／センチメー
タである。また潤滑剤の表面張力は18.0ダイン／センチ
メータである。
（CH3）C6H3NCO パーフロロアルキルポリエーテル Ｆ（C2F4O）ｐ（CF2O）qCF3 （ｒは12、ｓは８、ｐは16、ｑは14である。） 表面改質層の臨界表面張力は20.0ダイン／センチメー
タである。また潤滑剤の表面張力は18.0ダイン／センチ
メータである。
この磁気ディスクを10000rpmの回転数により30日間回
転させて膜厚の変化を調べたところ20％の減少にとどま
った。
転させて膜厚の変化を調べたところ20％の減少にとどま
った。
試料４ 試料１と同様にして但し磁性媒体２としてγFe2O3を
スパッタ法により0.1μｍの厚さで被覆し該磁性媒体の
上に、表面改質層４として下記の構造を有するパーフロ
ロアルキルポリエーテルシランを塗布した後、潤滑剤５
として下記の構造を有するパーフロロアルキルポリエー
テルを被覆して磁気ディスクを作った。
スパッタ法により0.1μｍの厚さで被覆し該磁性媒体の
上に、表面改質層４として下記の構造を有するパーフロ
ロアルキルポリエーテルシランを塗布した後、潤滑剤５
として下記の構造を有するパーフロロアルキルポリエー
テルを被覆して磁気ディスクを作った。
パーフロロアルキルポリエーテルシラン （H3CO）3SiC3H6NHOCCF2（C2F4O）ｐ（CF2O）qCF2CONHC
3H6Si（OCH3）３ パーフロロアルキルポリエーテル Ｆ（C2F4O）ｒ（CF2O）sCF3 （ｐは６、ｑは４、ｒは16、ｓは14である） 表面改質層の臨界表面張力は20.0ダイン／センチメー
タである。また潤滑剤の表面張力は18.0ダイン／センチ
メータである。
3H6Si（OCH3）３ パーフロロアルキルポリエーテル Ｆ（C2F4O）ｒ（CF2O）sCF3 （ｐは６、ｑは４、ｒは16、ｓは14である） 表面改質層の臨界表面張力は20.0ダイン／センチメー
タである。また潤滑剤の表面張力は18.0ダイン／センチ
メータである。
この磁気ディスクを10000rpmの回転数により30日間回
転させて膜厚の変化を調べたところ15％の減少にとどま
った。
転させて膜厚の変化を調べたところ15％の減少にとどま
った。
試料５ 試料１と同様にして但し磁性媒体２としてCoCr合金を
スパッタ法により0.1μｍの厚さで被覆し該磁性媒体の
上に、表面改質層４として下記の構造を有するパーフロ
ロアルキルポリエーテル二カルボン酸を塗布した後、潤
滑剤５として下記の構造を有するパーフロロアルキルポ
リエーテルを被覆して磁気ディスクを作った。
スパッタ法により0.1μｍの厚さで被覆し該磁性媒体の
上に、表面改質層４として下記の構造を有するパーフロ
ロアルキルポリエーテル二カルボン酸を塗布した後、潤
滑剤５として下記の構造を有するパーフロロアルキルポ
リエーテルを被覆して磁気ディスクを作った。
パーフロロアルキルポリエーテル二カルボン酸 HOOCCF2（C2F4O）ｐ（CF2O）qCF2COOH パーフロロアルキルポリエーテル Ｆ（C2F4O）ｒ（OF2O）sCF3 （ｐは８、ｑは６、ｒは18、ｓは16である） 表面改質層の臨界表面張力は20.0ダイン／センチメー
タである。また潤滑剤の表面張力は18.0ダイン／センチ
メータである。
タである。また潤滑剤の表面張力は18.0ダイン／センチ
メータである。
この磁気ディスクを10000rpmの回転数により30日間回
転させて膜厚の変化を調べたところ15％の減少にとどま
った。
転させて膜厚の変化を調べたところ15％の減少にとどま
った。
試料６ 試料１と同様にして但し保護膜３としてBNをスパッタ
法により0.1μｍの厚さで被覆し保護膜の上に、表面改
質層４として下記の構造を有するオキシパーフロロアル
キルポリエーテルシランを塗布した後、潤滑剤５として
下記の構造を有するパーフロロアルキルポリエーテルジ
オールを被覆して磁気ディスクを作った。
法により0.1μｍの厚さで被覆し保護膜の上に、表面改
質層４として下記の構造を有するオキシパーフロロアル
キルポリエーテルシランを塗布した後、潤滑剤５として
下記の構造を有するパーフロロアルキルポリエーテルジ
オールを被覆して磁気ディスクを作った。
オキシパーフロロアルキルポリエーテルシラン HOCH2CF2（C2F4O）ｐ（CF2O）qCF2CH2OCH2CH（OH）C3H6
Si（OCH3）３ パーフロロアルキルポリエーテルジオール HOCH2CF2（C2F4O）ｐ（CF2O）qCF2OH2OH （ｐは14、ｑは12である） 表面改質層の臨界表面張力は23.0ダイン／センチメー
タである。また潤滑剤の表面張力は21.0ダイン／センチ
メータである。
Si（OCH3）３ パーフロロアルキルポリエーテルジオール HOCH2CF2（C2F4O）ｐ（CF2O）qCF2OH2OH （ｐは14、ｑは12である） 表面改質層の臨界表面張力は23.0ダイン／センチメー
タである。また潤滑剤の表面張力は21.0ダイン／センチ
メータである。
この磁気ディスクを10000rpmの回転数により30日間回
転させて膜厚の変化を調べたところ10％の減少にとどま
った。
転させて膜厚の変化を調べたところ10％の減少にとどま
った。
試料７ 試料１と同様にして但し保護膜３としてTiCをスパッ
タ法により0.1μｍの厚さで被覆し保護膜の上に、表面
改質層４として下記の構造を有するパーフロロアルキル
ポリエーテル二エステルを塗布した後、潤滑剤５として
下記の構造を有するパーフロロアルキルポリエーテルエ
ステルを被覆して磁気ディスクを作った。
タ法により0.1μｍの厚さで被覆し保護膜の上に、表面
改質層４として下記の構造を有するパーフロロアルキル
ポリエーテル二エステルを塗布した後、潤滑剤５として
下記の構造を有するパーフロロアルキルポリエーテルエ
ステルを被覆して磁気ディスクを作った。
パーフロロアルキルポリエーテルエステルシラン H3COOCCF2（C2F4O）ｐ（CF2O）qCF2COONHC2H4Si（OC
2H5）３ パーフロロアルキルポリエーテルジエステル H3COOCCF2（C2F4O）ｒ（CF2O）sCF2COOCH3 （ｐは６、ｑは４、ｒは16、ｓは14） 表面改質層の臨界表面張力は21.0ダイン／センチメー
タである。また潤滑剤の表面張力は19.8ダイン／センチ
メータである。
2H5）３ パーフロロアルキルポリエーテルジエステル H3COOCCF2（C2F4O）ｒ（CF2O）sCF2COOCH3 （ｐは６、ｑは４、ｒは16、ｓは14） 表面改質層の臨界表面張力は21.0ダイン／センチメー
タである。また潤滑剤の表面張力は19.8ダイン／センチ
メータである。
この磁気ディスクを10000rpmの回転数により30日間回
転させて膜厚の変化を調べたところ10％の減少にとどま
った。
転させて膜厚の変化を調べたところ10％の減少にとどま
った。
比較試料１ 試料１同様にして但し表面改質層４として下記の構造
を有するパーフロロアルキルシランを塗布した後、潤滑
剤５として下記の構造を有するパーフロロアルキルポリ
エーテルを被覆して磁気ディスクを作った。
を有するパーフロロアルキルシランを塗布した後、潤滑
剤５として下記の構造を有するパーフロロアルキルポリ
エーテルを被覆して磁気ディスクを作った。
パーフロロアルキルシラン C10F21C2H4Si（OC2H5）３ パーフロロアルキルポリエーテル Ｆ（C2F4O）ｐ（CF2O）qCF3 表面改質層の臨界表面張力は13ダイン／センチメータ
である。また潤滑剤の表面張力は18.5ダイン／センチメ
ータである。この磁気ディスクを10000rpmの回転数によ
り30日間回転させて膜厚の変化を調べたところ80％も減
少した。
である。また潤滑剤の表面張力は18.5ダイン／センチメ
ータである。この磁気ディスクを10000rpmの回転数によ
り30日間回転させて膜厚の変化を調べたところ80％も減
少した。
比較試料２ 試料２同様にして但し保護膜２の上に、潤滑剤５とし
て下記の構造を有するパーフロロアルキルポリエーテル
を被覆して磁気ディスクを作った。
て下記の構造を有するパーフロロアルキルポリエーテル
を被覆して磁気ディスクを作った。
パーフロロアルキルポリエーテル Ｆ（C2F4O）ｐ（CF2O）qCF3 保護膜３の臨界表面張力は54.4ダイン／センチメータ
である。また潤滑剤の表面張力は18.0ダイン／センチメ
ータである。この磁気ディスクを10000rpmの回転数によ
り30日間回転させて膜厚の変化を調べたところ70％も減
少した。
である。また潤滑剤の表面張力は18.0ダイン／センチメ
ータである。この磁気ディスクを10000rpmの回転数によ
り30日間回転させて膜厚の変化を調べたところ70％も減
少した。
（発明の効果） 以上のように本発明の磁気記憶体は磁気記憶体の回転
による潤滑剤の飛散を極めて少なくすることが出来るこ
とが分かった。
による潤滑剤の飛散を極めて少なくすることが出来るこ
とが分かった。
なお本発明の実施例では磁気ディスクについて述べた
がフロッピーディスク、磁気テープ、磁気カードにも本
発明が有効であることは明らかである。
がフロッピーディスク、磁気テープ、磁気カードにも本
発明が有効であることは明らかである。
第１図および第２図は本発明の例を示す部分断面図であ
る。 １……下地体、２……磁性媒体、３……保護膜、４……
表面改質層、５……潤滑剤である。
る。 １……下地体、２……磁性媒体、３……保護膜、４……
表面改質層、５……潤滑剤である。
Claims (1)
- 【請求項１】下地体の上に磁性媒体が被覆され、さらに
前記磁性媒体上に直接または保護膜を介して、表面改質
層が被覆され、さらに前記表面改質層の上にパーフロロ
ポリエーテル基を有する潤滑剤が被覆されてなる磁気記
憶体であって、前記表面改質層が、前記磁性媒体または
前記磁性媒体上に被覆された保護膜の表面と結合する官
能基およびパーフロロポリエーテル基を有し、前記表面
改質層表面の臨界表面張力と前記潤滑剤の表面張力の差
が２ダイン／センチメータから−２ダイン／センチメー
タの範囲であることを特徴とする磁気記憶体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60213957A JP2633230B2 (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | 磁気記憶体 |
| US06/912,358 US4849305A (en) | 1985-09-26 | 1986-09-26 | Magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60213957A JP2633230B2 (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | 磁気記憶体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6273422A JPS6273422A (ja) | 1987-04-04 |
| JP2633230B2 true JP2633230B2 (ja) | 1997-07-23 |
Family
ID=16647855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60213957A Expired - Lifetime JP2633230B2 (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | 磁気記憶体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4849305A (ja) |
| JP (1) | JP2633230B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| KR20190042033A (ko) * | 2016-08-19 | 2019-04-23 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 조성물 |
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- 1985-09-26 JP JP60213957A patent/JP2633230B2/ja not_active Expired - Lifetime
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1986
- 1986-09-26 US US06/912,358 patent/US4849305A/en not_active Expired - Lifetime
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |