JP2633106B2 - レジスト塗布装置 - Google Patents
レジスト塗布装置Info
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/02—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
- B05C11/08—Spreading liquid or other fluent material by manipulating the work, e.g. tilting
-
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- B05C11/10—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
- B05C11/1002—Means for controlling supply, i.e. flow or pressure, of liquid or other fluent material to the applying apparatus, e.g. valves
- B05C11/1005—Means for controlling supply, i.e. flow or pressure, of liquid or other fluent material to the applying apparatus, e.g. valves responsive to condition of liquid or other fluent material already applied to the surface, e.g. coating thickness, weight or pattern
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- Feedback Control In General (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】 本発明はレジスト塗布装置に関
し、特に、LSI製造工程におけるリソグラフィに用い
られる。
し、特に、LSI製造工程におけるリソグラフィに用い
られる。
【0002】
【従来の技術】 ウェハ上に形成されるパターンが微細
化され、かつ高い寸法精度が要求されるに従い、微細化
の中心ともいうべきリソグラフィの役割は、重要な位置
を占めている。すなわち、露光技術と並び、レジストプ
ロセスおよびその装置に対する要求もより厳しさを増
し、多様になってきている。従来のレジストプロセスに
用いられるレジスト塗布装置では、ウェハ中央部にレジ
ストを滴下した後、そのウェハを所定の回転数で回転さ
せ、レジストを振り切ることにより所望のレジスト膜厚
を得る、いわゆるスピンコート方式が採用されている。
化され、かつ高い寸法精度が要求されるに従い、微細化
の中心ともいうべきリソグラフィの役割は、重要な位置
を占めている。すなわち、露光技術と並び、レジストプ
ロセスおよびその装置に対する要求もより厳しさを増
し、多様になってきている。従来のレジストプロセスに
用いられるレジスト塗布装置では、ウェハ中央部にレジ
ストを滴下した後、そのウェハを所定の回転数で回転さ
せ、レジストを振り切ることにより所望のレジスト膜厚
を得る、いわゆるスピンコート方式が採用されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】 ところで、従来技術
では塗布されたレジストの膜厚の監視は、時々モニタリ
ングすることにより行われている。したがって、常時監
視はされていないので、レジスト膜厚がわずかに外れて
目的の線幅を得ることができない場合がある。また、干
渉式の膜厚測定器では、種々の工程を経たウェハたとえ
ば不純物濃度分布が傾斜しすぎているものや多層膜等の
測定は困難となり、さらに測定不能となる場合も多い。
したがって、レジストが塗布されたウェハを用いて、直
接レジストの膜厚を測定することができない。
では塗布されたレジストの膜厚の監視は、時々モニタリ
ングすることにより行われている。したがって、常時監
視はされていないので、レジスト膜厚がわずかに外れて
目的の線幅を得ることができない場合がある。また、干
渉式の膜厚測定器では、種々の工程を経たウェハたとえ
ば不純物濃度分布が傾斜しすぎているものや多層膜等の
測定は困難となり、さらに測定不能となる場合も多い。
したがって、レジストが塗布されたウェハを用いて、直
接レジストの膜厚を測定することができない。
【0004】本発明は上述した問題点を鑑み、常時、レ
ジストの膜厚を測定することを可能とし、さらにその測
定結果に基づいて所望の均一なレジスト膜厚を得ること
ができるレジスト塗布装置を提供することを目的とす
る。
ジストの膜厚を測定することを可能とし、さらにその測
定結果に基づいて所望の均一なレジスト膜厚を得ること
ができるレジスト塗布装置を提供することを目的とす
る。
【0005】
【課題を解決するための手段】 本発明のレジスト塗布
装置は、実施例に対応する図1を参照しつつ説明する
と、ウェハWを載置する回転自在なウェハチャック3
と、そのウェハWにレジストRを滴下するレジスト供給
部5と、ウェハチャック3を設定回転数で回転させる駆
動部8とを有する装置において、ウェハチャック3に固
着され、かつ、ウェハWの外周に沿って設けられた金属
板1と、その金属板1上に形成されたレジストRの膜厚
を測定する干渉式膜厚計6と、その測定結果に基づいて
あらかじめ設定された膜厚を得るために必要なウェハチ
ャック3の回転数を算出し、ウェハチャック3の回転数
がその算出結果に一致するよう駆動部8における設定回
転数を変更する校正手段7とを設けたことによって、特
徴付けられている。
装置は、実施例に対応する図1を参照しつつ説明する
と、ウェハWを載置する回転自在なウェハチャック3
と、そのウェハWにレジストRを滴下するレジスト供給
部5と、ウェハチャック3を設定回転数で回転させる駆
動部8とを有する装置において、ウェハチャック3に固
着され、かつ、ウェハWの外周に沿って設けられた金属
板1と、その金属板1上に形成されたレジストRの膜厚
を測定する干渉式膜厚計6と、その測定結果に基づいて
あらかじめ設定された膜厚を得るために必要なウェハチ
ャック3の回転数を算出し、ウェハチャック3の回転数
がその算出結果に一致するよう駆動部8における設定回
転数を変更する校正手段7とを設けたことによって、特
徴付けられている。
【0006】
【作用】 ウェハWの外周に沿って配設された金属板1
の上面にはウェハW上に、ともにおなじ厚さのレジスト
Rが塗布されているので、金属板1上のレジストRの膜
厚を測定することにより、ウェハW上のレジストRの膜
厚を得ることができる。また、塗布されたレジストRの
膜厚とレジストRの塗布時の回転数との相関関係は、用
いたレジストにより異なっている。たとえば、シプレイ
社製のAZ1470のレジストを用いた場合について、
図3にレジスト膜厚(T)とレジスト塗布時の回転数
(R)との相関関係を両対数グラフにより示す。
の上面にはウェハW上に、ともにおなじ厚さのレジスト
Rが塗布されているので、金属板1上のレジストRの膜
厚を測定することにより、ウェハW上のレジストRの膜
厚を得ることができる。また、塗布されたレジストRの
膜厚とレジストRの塗布時の回転数との相関関係は、用
いたレジストにより異なっている。たとえば、シプレイ
社製のAZ1470のレジストを用いた場合について、
図3にレジスト膜厚(T)とレジスト塗布時の回転数
(R)との相関関係を両対数グラフにより示す。
【0007】また、この相関関係は(1) 式により与えら
れる。 T=2.24×105 ×R-0.62 ・・・・(1) このグラフを用いて所望の膜厚に対する回転数を得るこ
ともできる。
れる。 T=2.24×105 ×R-0.62 ・・・・(1) このグラフを用いて所望の膜厚に対する回転数を得るこ
ともできる。
【0008】
【実施例】 図1は本発明実施例の構成を表す図であ
り、図2は本発明実施例を説明する平面図である。以
下、これらの図面に基づいて本発明実施例を説明する。
ウェハWを載置するウェハチャック3は回転軸4に支持
されている。またウェハWの外周に沿って設けられた金
属板1は、図2に示すように、ウェハチャック3の四方
から突出して形成されている金属板支持板2によって連
結され、固着されている。なお、ウェハWと金属板1の
間隔は約1mm、また金属板1の幅は約20mmであ
り、ウェハWを載置した状態ではウェハW表面および金
属板1の上面はともに共通した同一平面となるよう配置
されている。一方、ウェハW上方にはレジストRをウェ
ハWの中心部上に滴下するよう位置決めされたレジスト
供給部5が備えられている。また、レジストRの膜厚を
測定すべく干渉式膜厚計6が所定位置に配設されてい
る。また、その干渉式膜厚計6の測定結果に基づいて所
望の膜厚を得るべくウェハチャック3の回転数を算出
し、その算出値を上述したウェハチャック3の所定の回
転数とする校正手段7が設けられている。
り、図2は本発明実施例を説明する平面図である。以
下、これらの図面に基づいて本発明実施例を説明する。
ウェハWを載置するウェハチャック3は回転軸4に支持
されている。またウェハWの外周に沿って設けられた金
属板1は、図2に示すように、ウェハチャック3の四方
から突出して形成されている金属板支持板2によって連
結され、固着されている。なお、ウェハWと金属板1の
間隔は約1mm、また金属板1の幅は約20mmであ
り、ウェハWを載置した状態ではウェハW表面および金
属板1の上面はともに共通した同一平面となるよう配置
されている。一方、ウェハW上方にはレジストRをウェ
ハWの中心部上に滴下するよう位置決めされたレジスト
供給部5が備えられている。また、レジストRの膜厚を
測定すべく干渉式膜厚計6が所定位置に配設されてい
る。また、その干渉式膜厚計6の測定結果に基づいて所
望の膜厚を得るべくウェハチャック3の回転数を算出
し、その算出値を上述したウェハチャック3の所定の回
転数とする校正手段7が設けられている。
【0009】次に、以上の構成よりなる本発明実施例の
動作を説明する。ウェハWの中央にレジストRを滴下し
た後、所望の膜厚が得られる所定の回転数でウェハWを
回転させる。その後、その回転を一時停止し、金属板1
上の膜厚を干渉式の膜厚計6で測定する。次に、ウェハ
W上および金属板1上のレジストRを同時に除去するた
めに、ウェハチャック3を所定の回転数に回転しなが
ら、ウェハWエッヂ上方に配設されたノズル(図示せ
ず)によりECA,アセトン等のレジスト溶解液(以下
リンス液という)を滴下することにより、ウェハWエッ
ヂ部分と金属板1上のレジストRが除去された後、リン
ス液の滴下を停止する。その後、ウェハチャック3を所
定の回転数回転することにより、所定部分のレジストR
を除去したウェハWを乾燥する。
動作を説明する。ウェハWの中央にレジストRを滴下し
た後、所望の膜厚が得られる所定の回転数でウェハWを
回転させる。その後、その回転を一時停止し、金属板1
上の膜厚を干渉式の膜厚計6で測定する。次に、ウェハ
W上および金属板1上のレジストRを同時に除去するた
めに、ウェハチャック3を所定の回転数に回転しなが
ら、ウェハWエッヂ上方に配設されたノズル(図示せ
ず)によりECA,アセトン等のレジスト溶解液(以下
リンス液という)を滴下することにより、ウェハWエッ
ヂ部分と金属板1上のレジストRが除去された後、リン
ス液の滴下を停止する。その後、ウェハチャック3を所
定の回転数回転することにより、所定部分のレジストR
を除去したウェハWを乾燥する。
【0010】上述したように、所望の膜厚を得るための
回転数は、以下に説明する回転数の補正により精度の高
い値を得ることができる。すなわち、(2) 式により得ら
れたレジスト膜厚塗布時の回転数(R)とレジスト膜厚
(T)との相関関係を図4に両対数グラフにより示す。
R=4.27×108 ×T-1.61 ・・・・(2) 図4において、Tt はこれから得ようとする膜厚の目標
値、Rpはその時の予想実回転数で図4のグラフあるい
は(2) 式により得られる値である。Tm は先に設定され
た回転数(RS )によって得られたレジスト膜厚であ
り、Rr はこの時の回転数を(2)式により求めた値であ
る。ここで、次のウェハにレジストを塗布する補正回転
数Rt は(3) 式によって与えられる。
回転数は、以下に説明する回転数の補正により精度の高
い値を得ることができる。すなわち、(2) 式により得ら
れたレジスト膜厚塗布時の回転数(R)とレジスト膜厚
(T)との相関関係を図4に両対数グラフにより示す。
R=4.27×108 ×T-1.61 ・・・・(2) 図4において、Tt はこれから得ようとする膜厚の目標
値、Rpはその時の予想実回転数で図4のグラフあるい
は(2) 式により得られる値である。Tm は先に設定され
た回転数(RS )によって得られたレジスト膜厚であ
り、Rr はこの時の回転数を(2)式により求めた値であ
る。ここで、次のウェハにレジストを塗布する補正回転
数Rt は(3) 式によって与えられる。
【0011】Rt =RS +(Rp −Rr )・・・・(3) このように、ウェハWにレジストRを滴下した後、上述
の校正された回転数でウェハWを回転することにより、
所望の膜厚を得ることができる。以上述べた膜厚の測定
およびその測定結果に基づいた回転数の校正は自動で行
われる。
の校正された回転数でウェハWを回転することにより、
所望の膜厚を得ることができる。以上述べた膜厚の測定
およびその測定結果に基づいた回転数の校正は自動で行
われる。
【0012】
【発明の効果】 以上述べたように、本発明によればウ
ェハの外周に沿って金属板を配設し、その金属板上に塗
布されたレジスト膜厚を測定することによりウェハ上の
レジスト膜厚を得るよう構成したことにより、ウェハが
種々の工程を経た状態のものであっても、ウェハ上に塗
布されたレジストの膜厚の測定をすることができる。さ
らに、金属板上に塗布されたレジスト膜はウェハエッヂ
のレジスト除去時に同時に除去されるので、繰り返して
測定することが可能となり、常時膜厚測定が実現でき
る。
ェハの外周に沿って金属板を配設し、その金属板上に塗
布されたレジスト膜厚を測定することによりウェハ上の
レジスト膜厚を得るよう構成したことにより、ウェハが
種々の工程を経た状態のものであっても、ウェハ上に塗
布されたレジストの膜厚の測定をすることができる。さ
らに、金属板上に塗布されたレジスト膜はウェハエッヂ
のレジスト除去時に同時に除去されるので、繰り返して
測定することが可能となり、常時膜厚測定が実現でき
る。
【0013】さらにまた、上述した測定結果に基づいて
所望のレジスト膜厚を得ることができるよう校正手段を
設けたことにより、所望のレジスト膜厚を精度よく得る
ことができ、したがって、高精度の線幅管理を行うこと
ができる。さらに、測定手段として構成の簡単な干渉式
膜厚計が用いられているので、装置は全体として簡便と
なる効果も大きいといえる。
所望のレジスト膜厚を得ることができるよう校正手段を
設けたことにより、所望のレジスト膜厚を精度よく得る
ことができ、したがって、高精度の線幅管理を行うこと
ができる。さらに、測定手段として構成の簡単な干渉式
膜厚計が用いられているので、装置は全体として簡便と
なる効果も大きいといえる。
【図1】 本発明実施例の構成を表す図
【図2】 本発明実施例の一部平面図
【図3】 本発明実施例の作用説明図
【図4】 本発明実施例を説明する図
1・・・・金属板 2・・・・金属板支持板 3・・・・ウェハチャック 4・・・・回転軸 5・・・・レジスト供給部 6・・・・干渉式膜厚計 7・・・・校正手段 8・・・・駆動部 W・・・・ウェハ R・・・・レジスト
Claims (1)
- 【請求項1】 ウェハを載置する回転自在な支持板と、
そのウェハにレジストを滴下するレジスト供給部と、上
記支持板を設定回転数で回転させる駆動部とを有する装
置において、上記支持板に固着され、かつ、上記ウェハ
の外周に沿って設けられた金属板と、その金属板上に形
成されたレジストの膜厚を測定する測定手段と、その測
定結果に基づいてあらかじめ設定された膜厚を得るため
に必要な上記支持板の回転数を算出し、上記支持板の回
転数がその算出結果に一致するよう上記駆動部における
設定回転数を変更する校正手段とを設けたことを特徴と
するレジスト塗布装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3119817A JP2633106B2 (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | レジスト塗布装置 |
US07/885,376 US5250116A (en) | 1991-05-24 | 1992-05-19 | Resist film coating apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3119817A JP2633106B2 (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | レジスト塗布装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04346417A JPH04346417A (ja) | 1992-12-02 |
JP2633106B2 true JP2633106B2 (ja) | 1997-07-23 |
Family
ID=14770982
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3119817A Expired - Fee Related JP2633106B2 (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | レジスト塗布装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5250116A (ja) |
JP (1) | JP2633106B2 (ja) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0451329B1 (en) * | 1990-04-13 | 1998-01-28 | Hitachi, Ltd. | Controlling method of the thickness of a thin film when forming that film |
US5509375A (en) * | 1992-06-22 | 1996-04-23 | Vlsi Technology, Inc. | Apparatus and method for detecting contaminants carried by a fluid |
US5366757A (en) * | 1992-10-30 | 1994-11-22 | International Business Machines Corporation | In situ resist control during spray and spin in vapor |
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US6025012A (en) * | 1995-09-20 | 2000-02-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and apparatus for determining film thickness control conditions and discharging liquid to a rotating substrate |
JP3254574B2 (ja) | 1996-08-30 | 2002-02-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜形成方法及びその装置 |
US5932163A (en) | 1996-12-18 | 1999-08-03 | Ashley; Louis S. | Thin film cover and method of making same |
US6177133B1 (en) | 1997-12-10 | 2001-01-23 | Silicon Valley Group, Inc. | Method and apparatus for adaptive process control of critical dimensions during spin coating process |
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AT408930B (de) * | 1999-01-13 | 2002-04-25 | Thallner Erich | Vorrichtung zur chemischen behandlung von wafern |
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CN1203482C (zh) * | 2000-02-25 | 2005-05-25 | 皇家菲利浦电子有限公司 | 圆形光学存储盘的制造方法 |
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US7632542B2 (en) * | 2005-10-26 | 2009-12-15 | University Of Maryland | Method for controlling uniformity of thin films fabricated in processing systems |
JP5787653B2 (ja) * | 2011-07-20 | 2015-09-30 | 株式会社ディスコ | レーザ加工装置 |
KR102182788B1 (ko) * | 2013-12-12 | 2020-11-25 | 카티바, 인크. | 두께를 제어하기 위해 하프토닝을 이용하는 잉크-기반 층 제조 |
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CN104651797B (zh) * | 2015-03-16 | 2018-03-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 彩膜层成膜装置和彩膜层成膜方法 |
CN106547169A (zh) * | 2017-02-04 | 2017-03-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种光刻胶涂布装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1991
- 1991-05-24 JP JP3119817A patent/JP2633106B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-05-19 US US07/885,376 patent/US5250116A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04346417A (ja) | 1992-12-02 |
US5250116A (en) | 1993-10-05 |
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