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JP2666388B2 - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents

積層セラミックコンデンサ

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JP2666388B2
JP2666388B2 JP63172450A JP17245088A JP2666388B2 JP 2666388 B2 JP2666388 B2 JP 2666388B2 JP 63172450 A JP63172450 A JP 63172450A JP 17245088 A JP17245088 A JP 17245088A JP 2666388 B2 JP2666388 B2 JP 2666388B2
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copper
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multilayer ceramic
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洋 鷹木
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は積層セラミックコンデンサに関する。
従来の技術 積層セラミックコンデンサは、各誘電体セラミック層
間に内部電極層を介在させ、両層を同時焼成することに
より得られる積層構造体であり、通常のコンデンサに比
べて小型でかつ大容量を得られるという利点を有し、現
在すでに実用に供されている。
積層セラミックコンデンサの誘電体材料としては、比
較的高い誘電率が得られ、低温での焼成が可能であると
いう理由から、最近では鉛を含む誘電体セラミックが広
く用いられる。しかし、このような誘電体を還元雰囲気
中で焼成すると一般に絶縁特性が損なわれるため、該誘
電体と同時焼成する内部電極材料としては、酸化雰囲気
中で焼成しても酸化、溶解せず、また該誘電体と反応し
ない安定な銀−パラジウム合金等の貴金属が一般的に用
いられる。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、銀−パラジウム合金は非常に高価な材
料であるため製造コストが高くつき、また使用中での銀
のマイグレーションにより特性が劣化したり、導電率が
小さいため等価直列抵抗が大きくなる等の欠点を有す
る。
課題を解決するための手段 本発明者らは、内部電極として、銅または銅合金を用
いれば、酸化鉛を含む誘電体セラミックの持つ高い誘電
率を保ちつつ、低コストでかつ1010Ωcm以上の高い絶縁
抵抗を有する積層セラミックコンデンサを製造できるこ
とを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、複数層の誘電体セラミック層
と、該誘電体セラミック層間に介在された内部電極層と
から構成された積層体の両端面に前記内部電極層に電気
接続される外部電極が形成された積層セラミックコンデ
ンサにおいて、前記誘電体セラミック層は酸化鉛を含む
誘電体セラミックに還元防止剤が添加含有されたものか
らなり、前記内部電極層は銅または銅合金からなること
を特徴とする積層セラミックコンデンサを提供するもの
である。
さらに本発明によれば、内部電極として、ガラスフリ
ットを添加した銅または銅合金、或いは前記の誘電体粉
末および／または還元防止剤を添加した銅または銅合金
を用いることにより耐デラミネーション性を付与した積
層セラミックコンデンサを提供することも可能である。
用いる誘電体粉末は、例えば、一般式 aPb（Mg1/3Nb2/3）O3−bPb（Zn1/3Nb2/3）O3−cPbTiO3 ［式中、ａ、ｂおよびｃは定数］ 等により示される組成を有する酸化鉛を含む誘電体セラ
ミックからなる公知の材料であり、通常、所定量のPb3O
4、MgCO3、Nb2O5、TiO2およびZnO等をボールミル中で湿
式混合し、蒸発・乾燥して混合粉末を得、該粉末をさら
に焼成し、粉砕・篩別して得られるものであるが、特に
この組成に限定するものではない。
本発明における還元防止剤とは、例えば、一般式、 ｄ（MnO2＋RO）＋（１−ｄ）（B2O3＋SiO2） 或いは、 ｅ（ZnO＋RO）＋（１−ｅ）（B2O3＋SiO2） ［式中、ROはMgO、CaO、SrOおよびBaOなる群から選ばれ
る少なくとも１種以上の成分、ｄおよびｅは定数］ 等により示される組成を有する材料をいい、通常、所定
量の各成分の酸化物、炭酸塩または水酸化物をボールミ
ル中で湿式混合・粉砕し、蒸発・乾燥して粉末を得、該
粉末をアルミルツボ中で保持した後、急冷してガラス化
し、粉砕・篩別して得られるものであるが、特にこの組
成に限定するものではない。
本発明の誘電体セラミックスは、前記誘電体粉末に前
記還元防止剤を所定の割合で添加し、これにポリビニル
ブチラール系のバインダーおよびエタノールのような有
機溶媒を加え、ボールミル中で湿式混合した後、公知の
ドクターブレード法により成形し、乾燥することにより
得られる適当な形状寸法を有するセラミックグリーンシ
ートを準備し、このシートの上に内部電極となる金属ペ
ーストを公知のスクリーン印刷法で印刷し、これを何層
か積み重ねて、さらに焼成するとによって得られる。
本発明の内部電極としては、主に銅または銅合金が挙
げられ、また、ホウケイ酸鉛、ホウケイ酸ビスマスのよ
うなガラスフリットを添加した銅または銅合金、さらに
誘電体粉末および／または還元防止剤を添加した銅また
は銅合金も用いることもできるが、これらの添加量は積
層セラミックコンデンサの特性を損わない範囲の量であ
ればよい。
本発明の外部電極としては、銅または銅合金、或いは
ガラスフリット、誘電体粉末および／または還元防止剤
を添加した銅または銅合金、或いは銀、パラジウムまた
は銀−パラジウム合金等が挙げられるが、積層コンデン
サの使用用途、使用場所により適宜の材料を用いること
ができる。
以下、本発明の一具体例を添付図面にもとづき詳細に
説明する。
第1a〜1c図は、本発明の積層セラミックコンデンサの
各具体例の断面図である。
本発明のコンデンサの典型的な構造は第1a図に示すよ
うな積層体構造であり、その製造方法は、まず、前記グ
リーンシート状の誘電体セラミックス（１）に内部電極
（２）となる金属ペーストを公知のスクリーン印刷法で
印刷し、これを何層か重ねて熱圧着して未焼成の積層体
を得る。次いで、得られた未焼成の積層体（４）を焼成
するが、本発明のように酸化鉛を含む誘電体セラミック
となるグリーンシートおよび銅系の内部電極となる金属
ペーストを含む積層体を焼成する場合、該誘電体が還元
されずかつ該内部電極が酸化されない酸素分圧雰囲気下
に保持する必要がある。すなわち、誘電体が還元される
と絶縁抵抗が低下し、内部電極が酸化されると等価直列
抵抗が増大するため、いずれの場合もコンデンサとして
の機能を失う。
鉛および銅の酸素分圧と温度の関係については、エル
・エス・ダーケー（L.S.Darkeh）、アール・ダブリュ・
ガリー（R.W.Gurry）らがフィジカル・ケミストリー・
オブ・メタルズ（Physical Chemistry of Metals）
（1953）で発表しており、第２図に示すように、4Cu＋O
2＝2Cu2Oの反応式で示される線より下方の領域では銅は
酸化されず、2Pb＋O2＝2PbOの反応式で示される線より
上方の領域では酸化鉛は還元されない。したがって、理
論的には、この２つの線間ではさまれた領域で積層体を
焼成すれば最良であるが、該領域は非常に狭い範囲（例
えば、1000℃では酸素分圧が約５×10-7〜約８×10-8at
m）であり、実際には該範囲に酸素分圧をコントロール
することは生産技術的に困難である。しかしながら、本
発明によれば、誘電体に還元防止剤を添加したことによ
り、焼成可能な雰囲気の酸素分圧が特に低酸素分圧側に
広がるため、酸素分圧を厳密にコントロールしなくても
適当な還元雰囲気下で良品率の高い製品を得ることがで
きる。焼成後に積層体の各誘電体層が並列接続となるよ
うに外部電極（３）となる金属ペーストを塗布し、焼付
けして積層体セラミックコンデンサ（４）を得る。第1b
図に示すような本発明の他の具体例においては、ある金
属（例えば銅）からなる外部電極（3A）を形成し、さら
にその上に他の金属（例えば銀）からなる外部電極（3
B）を形成してもよい。また第1c図に示すような本発明
のさらに他の具体例においては、各側が異種の金属（例
えば銅合金、パラジウム）からなる外部電極（3C）、
（3D）を形成してもよい。
なお、前記内部電極（２）および外部電極（３）とし
て用いる金属ペーストは、約0.1〜５μの金属粉末に有
機ワニスであるエチルセルロースを加え、ｄ−テレピネ
オール等の溶媒中に分散させたものである。該内部電極
および外部電極の層厚は、コンデンサの容量によっても
異なるが、好ましくは各々、約0,5〜５μ、約10〜80μ
である。
実施例 以下に実施例および比較例を挙げて、本発明をさらに
具体的に説明する。
実施例１ 第１表および第２表に本実施例の積層セラミックコン
デンサの製造条件およびその電気的特性を示す。
還元防止剤の調製： 一般式、 aLi2O＋bRO＋cB2O3＋（１−ａ−ｂ−ｃ）SiO2 ［式中、ROはMgO、CaO、SrOおよびBaOなる成分から選ば
れる少なくとも１種以上の成分、ａ、ｂ、ｃおよびｄは
定数］ で示される組成からなり、第１表に示すような各種成分
比率を有する還元防止剤を得るため、各成分の酸化物、
炭酸塩または水酸化物を混合・粉砕し、蒸発・乾燥して
粉末を得、該粉末をアルミルツボ中、温度1300℃で１時
間保持した後、急冷してガラス化し、200メッシュ篩を
通過するように粗粉砕した。
誘電体粉末の調製： 一般式、 aPb（Mg1/3Nb2/3）O3−bPb（Zn1/3Nb2/3）O3−cPbTiO3 ［式中、ａ、ｂおよびｃは定数］ で示される組成からなり、第２表に示すような各種成分
比率を有する誘電体粉末を得るため、所定量のPb3O4、M
gCO3、Nb2O5、TiO2およびZnOをボールミル中で16時間湿
式混合し、蒸発・乾燥して混合粉末を得、該粉末をジル
コニア質の厘中、680〜730℃で２時間焼成した後、200
メッシュの篩を通過するように粗粉砕した。
かくして調製された誘電体粉末にガラス化した還元防
止剤を第１表および第２表に示す割合で添加し、これに
ポリビニルブチラール系のバインダーおよびエタノール
を加えてボールミル中で16時間湿式混合し、混合粉末を
得た。
ここで、第１表中の本発明の実施例（試料番号１〜1
2）は、一定の成分組成（80Pb（Mg1/3Nb2/3）O3−15Pb
（Zn1/3Nb2/3）O3−5PbTiO3）（モル％）の誘電体粉末
に各々成分比率を変えた還元防止剤を添加したものであ
り、一方、第２表中の本発明の実施例（試料番号１〜1
5）は、各々成分比率を変えた誘電体粉末に一定の成分
組成（5Li2O＋15BaO＋15CaO＋10SrO＋5MgO＋20B2O3＋30
SiO2）（モル％）の還元防止剤を添加したものである。
次いで該混合粉末をドクターブレード法によりシート
成形し、乾燥後に適当な大きさにカットし誘電体セラミ
ックのシートを得た。得られた該シートの片面にスクリ
ーン印刷法で銅ペーストを印刷して内部電極を形成し、
次いでこれを前記第１図に示すような構成で積み重ね、
熱圧着して積層体を得た。未焼成の該積層体をN2、H2お
よびH2Oからなる混合ガス等の還元雰囲気下、730〜1050
℃で２時間焼成した。焼成後に積層体の両端面に銀ペー
ストを塗布し、窒素雰囲気中、800℃で焼き付け、内部
電極と電気接続された外部電極を形成した。このように
して本発明の積層セラミックコンデンサを得た。該コン
デンサの寸法は以下に示すとおりである。
（コンデンサの寸法） 外観寸法： 幅:4.8mm 長さ:5.6mm 厚さ:1.2mm 有効誘電体層の厚さ:32μｍ 誘電体層数:17枚 内部電極層の厚さ:3μｍ 内部電極面積:21.5mm2 外部電極層の厚さ:60μｍ 得られた焼成体について、ふくしん液に漬けて焼結度
の試験を行ない、最適焼成温度を決定した。
得られた積層セラミックコンデンサの試料について、
温度25℃における1KHz、19Vr.m.sでの誘電率（ε）、誘
電損失（tanδ）、および＋20℃を基準とする−25〜＋8
5℃の温度範囲での誘電率の温度特性を測定した。以上
の測定結果を第１表および第２表に示した。
なお、温度特性に関して記載したＢ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ
なる記号はJIS規格による温度特性を意味する。各特性
について詳細に説明すれば、以下のとおりである。
Ｂ特性:20℃における静電容量を基順として、−25℃〜
＋85℃における容量変化率が−10〜＋10％を越えない。
Ｃ特性:20℃における静電容量を基準として、−25℃〜
＋85℃における容量変化率が−20〜＋20％を越えない。
Ｄ特性:20℃における静電容量を基準として、−25℃〜
＋85℃における容量変化率が−30〜＋20％を越えない。
Ｅ特性:20℃における静電容量を基準として、−25℃〜
＋85℃における容量変化率が−55〜＋20％を越えない。
Ｆ特性:20℃における静電容量を基準として、−25℃〜
＋85℃における容量変化率が−80〜＋30％を越えない。
比較例１ 80Pb（Mg1/3Nb2/3）O3−15Pb（Zn1/3Nb2/3）O3−5PbT
iO3（モル％）なる一定の成分組成の誘電体粉末に全く
還元防止剤を添加しない以外は、実施例１と同一の方法
で積層セラミックスコンデンサー（第１表中の試料番号
13）を作製した。実施例１と同一の方法で測定した電気
的特性を第１表に示す。
実施例２ 80Pb（Mg1/3Nb2/3）O3−15Pb（Zn1/3Nb2/3）O3−5PbT
iO3（モル％）なる一定の成分組成の誘電体粉末に対
し、一般式、 ｄ（MnO2＋RO）＋（１−ｄ）（B2O3＋SiO2） 或いは、 ｅ（ZnO＋RO）＋（１−ｅ）（B2O3＋SiO2） ［式中、ROはMgO、CaO、SrOおよびBaOなる群から選ばれ
る少なくとも１種以上の成分、ｄおよびｅは定数］ により示される組成からなり、第３表および第４表に示
すような各種成分比率の還元防止剤を添加する以外は、
実施例１と同一の方法で積層セラミックコンデンサ（第
３表中の試料番号１〜12および第４表中の試料番号１〜
12）を作製した。その電気的特性を第３表および第４表
に示す。
比較例２ 還元防止剤を全く添加しない以外は、実施例２と同一
の方法で積層セラミックスコンデンサー（第３表中の試
料番号13および第４表中の試料番号13）を作製した。そ
の電気的特性を第３表および第４表に示す。
実施例３ 一般式、 dPb（Mg1/2W1/2）−ePbTiO3［式中、ｄおよびｅは定
数］により示される組成からなり、第５表に示すような
各種成分比率の誘電体粉末に対し、5Li2O＋5BaO＋15CaO
＋10SrO＋5MgO＋20B2O3＋30SiO2（モル％）なる一定の
成分組成の還元防止剤を添加する以外は、実施例１と同
一の方法により積層セラミックコンデンサ（第５表中の
試料番号１〜15）を作製した。その電気的特性を第５表
に示す。
比較例３ 還元防止剤を全く添加しない以外は、実施例３と同一
の方法で積層セラミックコンデンサ（第５表中の試料番
号16〜20）を作製した。その電気的特性を第５表に示
す。
実施例４ 内部電極となる金属ペーストとして、銅ペーストの代
わりに5Pt−95Cu（原子％）組成の銅合金ペーストまた
は8Pd−92Cu（原子％）組成の銅合金ペーストを用いる
以外は実施例１と同一の方法で積層セラミックコンデン
サを作製し、実施例１と同一の方法で電気的特性を測定
した。その結果、銅合金ペーストを用いた場合も銅ペー
ストを用いた場合と同じ特性が得られた。
なお、銅合金ペーストを用いる場合、銅以外の金属の
種類および添加量により銅合金の導電率や融点が変化す
ることがあり、純粋な銅に比べて大きく損なわれないよ
うに選ばれる。このため、銅合金ペーストの組成は積層
コンデンサの使用用途や酸化鉛を含む誘電体セラミック
および還元防止剤の組成により規定される。
実施例５ 内部電極となる金属ペーストとして、銅ペーストの代
わりに銅ペーストまたは5Pt−95Cu（原子％）組成の銅
合金ペーストに５重量％の30ZnO＋30B2O3＋40SiO2（モ
ル％）組成のガラスフリットを添加したペースト、５重
量％の80Pb（Mg1/3Nb2/3）O3−15Pb（Zn1/3Nb2/3）O3−
5PbTiO3（モル％）組成の誘電体粉末を添加したペース
ト、５重量％の5Li2O＋15BaO＋15CaO＋10SrO＋5MgO＋20
B2O3＋30SiO2（モル％）組成の還元防止剤を添加したペ
ースト、および３重量％の前記誘電体粉末と２重量％の
前記還元防止剤を添加したペーストを用いる以外は実施
例１と同一の方法で積層セラミックコンデンサを作製
し、実施例１と同一の方法で電気的特性を測定した。そ
の結果、これら添加物を含むペーストを用いた場合も純
粋な銅ペーストを用いた場合と同じ特性が得られた。
なお、銅ペーストまたは銅合金ペーストに対するガラ
スフリット、誘電体粉末、還元防止剤または誘電体粉末
と還元防止剤の混合物の添加量は積層コンデサの特性が
大きく損なわれないよう選ばれるが、ほぼ40重量％以下
である。
前記の実施例１〜５で示すように、本発明の積層セラ
ミックコンデンサは高い誘電率とともに1010Ωcm以上の
良好な絶縁抵抗を有することがわかった。これに対し、
比較例１〜３のコンデンサは誘電損失、絶縁抵抗等の特
性が非常に劣り、コンデンサとしての使用に耐えないも
のであった。
発明の効果 以上記載したごとく、本発明によれば、内部電極とし
て、銅または銅合金、ガラスフリットを添加した銅また
は銅合金、或いは誘電体粉末および／または還元防止剤
を添加した銅または銅合金を用いるため、該内部電極に
マイグレーションの心配がなくかつ導電率の高いコンデ
ンサを低コストで製造できる。また、誘電体粉末に還元
防止剤を混合するため、還元雰囲気中で焼成しても比較
的誘電率が高く、1010Ωcm以上の良好な絶縁抵抗を有す
る積層セラミックスコンデンサを提供できる。
【図面の簡単な説明】
第1a〜1c図は、本発明の積層セラミックコンデンサの各
具体例の断面図、第２図は、鉛および銅の酸素分圧と温
度の関係を示す図である。 図面中の主な符号はつぎのものを意味する。 １……誘電体セラミック、２……内部電極、３……外部
電極。

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】複数層の誘電体セラミック層と、該誘電体
    セラミック層間に介在された内部電極層とから構成され
    た積層体の両端面に前記内部電極層に電気接続される外
    部電極が形成された積層セラミックコンデンサにおい
    て、前記誘電体セラミック層は酸化鉛を含む誘電体セラ
    ミックに還元防止剤が添加含有されたものからなり、前
    記内部電極層は銅または銅合金からなることを特徴とす
    る積層セラミックコンデンサ。
  2. 【請求項２】内部電極がガラスフリットを添加した銅ま
    たは銅合金からなることを特徴とする特許請求の範囲第
    （１）項記載の積層セラミックコンデンサ。
  3. 【請求項３】内部電極が誘電体粉末および／または還元
    防止剤を添加した銅または銅合金からなることを特徴と
    する特許請求の範囲第（１）項記載の積層セラミックコ
    ンデンサ。
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR930012271B1 (ko) * 1989-02-16 1993-12-28 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 적층형 입계 절연형 반도체 세라믹콘덴서 및 그 제조방법
KR920700462A (ko) * 1989-03-22 1992-02-19 다니이 아끼오 적층형입계 절연형 반도체 세라믹콘덴서 및 그 제조방법
US5337209A (en) * 1992-09-10 1994-08-09 Martin Marietta Corporation High energy density lead magnesium niobate-based dielectric ceramic and process for the preparation thereof
JPH07161223A (ja) * 1993-12-10 1995-06-23 Murata Mfg Co Ltd 導電性ペーストおよび積層セラミックコンデンサ
KR970008754B1 (en) * 1994-12-23 1997-05-28 Korea Inst Sci & Tech Multilayer ceramic capacitor and production thereof
US5576926A (en) * 1995-04-03 1996-11-19 American Technical Ceramics Corporation Capacitor with buried isolated electrode
JPH09153710A (ja) * 1995-11-28 1997-06-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd セラミック電子部品の製造方法
JP2002260951A (ja) * 2000-12-28 2002-09-13 Denso Corp 積層型誘電素子及びその製造方法，並びに電極用ペースト材料
JP4225033B2 (ja) * 2001-12-14 2009-02-18 株式会社日本自動車部品総合研究所 セラミック積層体とその製造方法
DE10351377A1 (de) * 2002-11-05 2004-10-28 Nippon Soken, Inc., Nishio Laminiertes dielektrisches Element und Verfahren zu seiner Herstellung
US6828266B1 (en) * 2003-05-16 2004-12-07 Ferro Corporation X7R dielectric composition
EP2037511A3 (en) * 2003-09-24 2009-04-22 Kyocera Corporation Multilayer piezoelectric element
KR100983046B1 (ko) * 2008-12-29 2010-09-17 삼성전기주식회사 소결조제용 붕규산염계 유리 조성물, 유전체 조성물 및 이를 이용한 적층 세라믹 커패시터
US20130107419A1 (en) * 2011-10-28 2013-05-02 Kemet Electronics Corporation Multilayered ceramic capacitor with improved lead frame attachment
KR102212641B1 (ko) * 2015-11-26 2021-02-05 삼성전기주식회사 커패시터 및 그 제조방법

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1171284A (fr) * 1955-08-24 1959-01-23 Welwyn Electrical Lab Ltd Produits vitreux, leur fabrication et leurs applications
US4101952A (en) * 1976-08-17 1978-07-18 Sprague Electric Company Monolithic base-metal glass-ceramic capacitor
US4353153A (en) * 1978-11-16 1982-10-12 Union Carbide Corporation Method of making capacitor with CO-fired end terminations
FR2535313B1 (fr) * 1982-10-29 1985-11-29 Ecole Nale Sup Ceramique Indle Procede de preparation de ceramiques pour condensateurs multicouches
JPS59184511A (ja) * 1983-04-04 1984-10-19 株式会社村田製作所 セラミツク積層コンデンサ
CA1255891A (en) * 1984-04-13 1989-06-20 Union Carbide Corporation Ceramic composition for dielectric in multilayer capacitors
JPS62157604A (ja) * 1985-12-30 1987-07-13 太陽誘電株式会社 誘電体磁器組成物
US4701827A (en) * 1986-02-10 1987-10-20 Kyocera Corporation Multilayer ceramic capacitor
EP0238241B1 (en) * 1986-03-12 1991-11-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Multi-layer ceramic capacitor

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