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JP2655173B2 - Semiconductor wafer separation method and apparatus - Google Patents

Semiconductor wafer separation method and apparatus

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Publication number
JP2655173B2
JP2655173B2 JP17539188A JP17539188A JP2655173B2 JP 2655173 B2 JP2655173 B2 JP 2655173B2 JP 17539188 A JP17539188 A JP 17539188A JP 17539188 A JP17539188 A JP 17539188A JP 2655173 B2 JP2655173 B2 JP 2655173B2
Authority
JP
Japan
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semiconductor wafer
semiconductor
liquid
wafers
roller
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治雄 尾崎
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EMUTETSUKU KK
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体ウェーハの分離方法及び装置に係
り、特に半導体ウェーハを液体中に浸漬し、かつ該液体
に高周波数の振動を与えて該半導体ウェーハの各々の板
間に該液体を浸入させて半導体ウェーハ間の摩擦力を著
しく低下させた後、その表面に沿って最上部のものを移
動させて2枚目以下のものと分離することにより積層さ
れた半導体ウェーハの分離を容易に行えるようにした半
導体ウェーハの分離方法及び装置に関する。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and an apparatus for separating a semiconductor wafer, and more particularly, to a method for immersing a semiconductor wafer in a liquid and applying a high frequency vibration to the liquid. After the liquid penetrates between the respective plates to significantly reduce the frictional force between the semiconductor wafers, the uppermost one is moved along the surface thereof and separated from the second and lower ones to be laminated. The present invention relates to a method and an apparatus for separating a semiconductor wafer, in which the separated semiconductor wafer can be easily separated.

従来の技術 半導体ウェーハ、例えば半導体素子を製作する材料で
あるシリコンウェーハは、通常円柱状に精製された単結
晶母材から例えば直径10mm〜400mmφ、厚さ200μm〜10
mmの円板状に切り出される。そしてその表面にエッチン
グ法等により微細加工を行って半導体素子を製作するた
め、その表面は鏡面研摩されている。従って該半導体ウ
ェーハを積層すると、該半導体ウェーハの鏡面状の表面
同士が密着してしまい、該半導体ウェーハを手作業で1
枚ごとに分離することはこれが薄く割れ易いため相当の
熟練を必要とし、またこの作業を機械化することも行わ
れているが、技術的に種々の問題があり、改良の余地が
あった。
2. Description of the Related Art A semiconductor wafer, for example, a silicon wafer, which is a material for manufacturing a semiconductor device, is usually formed from a single crystal base material purified into a columnar shape, for example, with a diameter of 10 mm to 400 mmφ and a thickness of 200 μm
It is cut into a disk of mm. The surface is mirror-polished in order to manufacture a semiconductor device by performing fine processing on the surface by an etching method or the like. Therefore, when the semiconductor wafers are stacked, the mirror-like surfaces of the semiconductor wafers come into close contact with each other.
Separating each sheet requires considerable skill because it is thin and easily broken, and this operation is also mechanized. However, there are various technical problems and there is room for improvement.

例えば従来の半導体ウェーハの分離装置としては、第
4図に示すものが知られており、以下第5図及び第6図
も参照して該従来例について説明する。
For example, as a conventional semiconductor wafer separating apparatus, the one shown in FIG. 4 is known, and the conventional example will be described below also with reference to FIGS.

半導体ウェーハの分離装置1は、容器2に収容された
液体の一例たる水3の中にエレベータ装置4に乗せら
れ、積層された半導体ウェーハ(以下該従来例の説明に
おいてウエーハと略称する。)5が浸漬されている。ウ
ェーハ5の積層枚数は、例えば該ウェーハの製造工程で
あるスライシングマシンやベベリングマシン等では50枚
〜500枚である。
The semiconductor wafer separation device 1 is placed on an elevator device 4 in water 3 which is an example of a liquid contained in a container 2 and is stacked on the semiconductor wafer (hereinafter abbreviated as a wafer in the description of the conventional example) 5. Is immersed. The number of stacked wafers 5 is, for example, 50 to 500 in a slicing machine, a beveling machine, or the like, which is a manufacturing process of the wafer.

エレベータ装置4が矢印A方向に上昇すると、ウェー
ハ5の表面5aを検出装置8がその検出子8aにより検出し
て、該エレベータ装置は停止する。すると吸着装置9が
下降してウェーハ5の表面5aに接触し、吸引空気の作用
によってウェーハ5を吸着する。エレベータ装置4は、
矢印B方向にわずかに下降して最上部の1枚のウェーハ
5を2枚目以下のものから分離し、吸着装置9が矢印C
方向に平行移動して最上部の1枚のウェーハ5を容器2
の外部に搬出する。
When the elevator device 4 rises in the direction of arrow A, the detection device 8 detects the surface 5a of the wafer 5 by the detector 8a, and the elevator device stops. Then, the suction device 9 descends and comes into contact with the surface 5a of the wafer 5, and sucks the wafer 5 by the action of the suction air. The elevator device 4
The wafer 5 slightly descends in the direction of arrow B to separate the uppermost one wafer 5 from the second and lower wafers.
The wafer 1 at the top is moved in parallel to the
Take it out of the

吸着装置9は、吸着作用を確実なものとするように、
例えばゴムで製作された弾性を持つ吸着パット11をその
先端に備え、該吸着パットでウェーハ5を保持するよう
に構成されているため、吸着パット11で吸着され矢印C
方向に移動するウェーハ5は、複雑な動きをしながら移
動する。従って、エレベータ装置4の下降量が少ないと
第5図に示す如く積層されたウェーハ5と吸着パット11
に吸着され平行移動するウェーハ5の後端部5b同士が接
触して該後端部5bの欠け(チッピング)が発生してしま
う欠点があった。またこれを防止するためにはエレベー
タ装置4の下降量を大きくしなければならないが、そう
すると作業能率が低下してしまうことになる。またウェ
ーハ5は上述した如く鏡面研摩されているので、該ウェ
ーハ同士の密着力が強く、最上部の1枚だけが分離され
ず、複数枚のウェーハ5が吸着パット11に吸着されるこ
ともあり、このような状態のままで矢印C方向に移動さ
せると2枚目以下のウェーハ5が分離ガイド10に干渉し
てチッピングが、またひどい時には割れが発生してしま
うという欠点があった。またチッピングにより発生した
小片が付着したままエッチング等の微細加工を行うと不
良品が発生するという欠点があった。
The suction device 9 ensures that the suction action is ensured.
For example, since the suction pad 11 having elasticity made of rubber is provided at its tip and the wafer 5 is held by the suction pad, the suction pad 11 is sucked by the suction pad 11 and the arrow C
The wafer 5 moving in the direction moves while performing a complicated movement. Therefore, when the descending amount of the elevator apparatus 4 is small, the stacked wafers 5 and the suction pads 11 as shown in FIG.
The rear ends 5b of the wafers 5 that are attracted to and move parallel to each other come into contact with each other, causing chipping of the rear ends 5b. Further, in order to prevent this, the descending amount of the elevator apparatus 4 must be increased, but this will reduce the work efficiency. Further, since the wafers 5 are mirror-polished as described above, the adhesion between the wafers is strong, only the uppermost one is not separated, and a plurality of wafers 5 may be adsorbed to the suction pad 11. However, if the wafer 5 is moved in the direction of arrow C in such a state, the second and subsequent wafers 5 interfere with the separation guide 10 to cause chipping, and in severe cases, cracks occur. In addition, when fine processing such as etching is performed while small pieces generated by chipping are attached, there is a defect that defective products are generated.

目 的 本発明は、上記した従来技術の欠点を除くためになさ
れたものであって、その目的とするところは、積層され
た半導体ウェーハを収納する半導体ウェーハ収納部と該
積層された半導体ウェーハから分離された1枚の該半導
体ウェーハを分離収納する分離部とからなり液体が収容
された容器と、半導体ウェーハを積層して該半導体ウェ
ーハ収納部で上下方向に移動できるようにしたエレベー
タ装置と、回転駆動されるローラが半導体ウェーハ収納
部の上部に設けられ該ローラが半導体ウェーハの最上部
のものの表面に接触したとき該最上部の半導体ウェーハ
をその表面に沿って移動させるようにした搬送装置と、
エレベータ装置を所定の距離だけ上昇させた後停止さ
せ、引き続き該ローラを回転駆動する動作を繰り返し予
め定められたタイミングで該エレベータ装置及び該ロー
ラを制御する制御装置と、半導体ウェーハ収納部の液体
に高周波数の振動を与え積層された半導体ウェーハの間
に該液体を浸入させるようにした高周波発生装置とを備
えることにより、積層された半導体ウェーハから最上部
の1枚のものだけを確実に、かつ容易に分離できるよう
にすることである。また他の目的は、分離作業中の半導
体ウェーハ同士の或いは半導体ウェーハの分離ガイドと
の干渉をなくし、半導体ウェーハのチッピング及び割れ
を防止することであり、またこれによってチッピングに
よって発生した小片が半導体ウェーハに付着したままエ
ッチング等の微細加工を行うことによる不良品の発生を
防止することである。また他の目的は、積層された半導
体ウェーハの分離性能を向上させ、分離装置の作動サイ
クルを短縮して作業能率を向上させることである。
Purpose The present invention has been made in order to eliminate the above-mentioned disadvantages of the prior art, and an object of the present invention is to provide a semiconductor wafer accommodating section for accommodating a laminated semiconductor wafer and a laminated semiconductor wafer. A container containing a liquid, comprising a separation unit for separating and storing one of the separated semiconductor wafers, and an elevator apparatus in which semiconductor wafers are stacked so as to be vertically movable in the semiconductor wafer storage unit; A transfer device in which a roller driven to rotate is provided at an upper portion of the semiconductor wafer accommodating portion and moves the uppermost semiconductor wafer along the surface thereof when the roller comes into contact with the surface of the uppermost one of the semiconductor wafers; ,
The elevator device is stopped after raising the elevator device by a predetermined distance, and the control device for controlling the elevator device and the roller at a predetermined timing by repeating the operation of rotating the roller continuously, and the liquid in the semiconductor wafer storage unit. By providing a high-frequency generator that applies high-frequency vibration and allows the liquid to penetrate between the stacked semiconductor wafers, only the uppermost one from the stacked semiconductor wafers is surely and It should be easy to separate. Another object is to eliminate the interference between semiconductor wafers during the separation operation or between the semiconductor wafer and the separation guide of the semiconductor wafer to prevent chipping and cracking of the semiconductor wafer. The purpose of the present invention is to prevent the occurrence of defective products due to performing fine processing such as etching while adhering to the substrate. Another object is to improve the separating performance of the stacked semiconductor wafers, shorten the operation cycle of the separating device, and improve the working efficiency.

構 成 要するに本発明方法は、容器に収容された液体中に積
層した半導体ウェーハを浸漬し、該液体に高周波数の振
動を与えて前記半導体ウェーハの板間に前記液体を浸入
させ、該浸入した液体の潤滑作用により前記半導体ウェ
ーハ同士の摩擦力を著しく低下させた後、半導体ウェー
ハの最上部のものをその表面に沿って移動させて2枚目
以下のものと分離することを特徴とするものである。
Configuration In short, the method of the present invention involves immersing a laminated semiconductor wafer in a liquid contained in a container, applying high-frequency vibration to the liquid, allowing the liquid to penetrate between the plates of the semiconductor wafer, and After significantly reducing the frictional force between the semiconductor wafers by a lubricating action of a liquid, the uppermost one of the semiconductor wafers is moved along the surface thereof to be separated from the second one or less. It is.

また本発明装置は、積層された半導体ウェーハを収納
する半導体ウェーハ収納部と該半導体ウェーハの2枚目
以下のものから分離された1枚の該半導体ウェーハを分
離収納する分離部とから構成され液体が収容される容器
と、前記半導体ウェーハ収納部内に設けられ該半導体ウ
ェーハを積載して上下方向に移動できるようにしたエレ
ベータ装置と、回転駆動されるローラが前記半導体ウェ
ーハ収納部の上部に設けられ該ローラが前記半導体ウェ
ーハの最上部のものの表面に接触したとき該最上部のも
のをその表面に沿って移動させるようにした搬送装置
と、前記エレベータ装置を所定の距離だけ上昇させた後
停止させると共に前記ローラを回転駆動する動作を繰り
返し予め定められたタイミングで該エレベータ装置及び
該ローラを制御する制御装置と、前記半導体ウェーハ収
納部の液体に高周波数の振動を与え積層された前記半導
体ウェーハの板間に該液体を浸入させるようにした高周
波発生装置とを備えたことを特徴とするものである。
Further, the apparatus of the present invention comprises a semiconductor wafer storage section for storing the stacked semiconductor wafers and a separation section for separating and storing one semiconductor wafer separated from the second or less of the semiconductor wafers. And an elevator device provided in the semiconductor wafer storage portion, the elevator device being loaded in the semiconductor wafer storage portion so as to be movable in the vertical direction, and a roller driven to rotate is provided at the upper portion of the semiconductor wafer storage portion. When the roller comes into contact with the surface of the uppermost one of the semiconductor wafers, the transfer device moves the uppermost one along the surface, and the elevator device is raised after a predetermined distance and then stopped. And a control for controlling the elevator device and the roller at a predetermined timing by repeating the operation of rotating the roller. And a high-frequency generator configured to apply high-frequency vibration to the liquid in the semiconductor wafer accommodating section so that the liquid permeates between the stacked semiconductor wafer plates. .

以下本発明を図面に示す実施例に基いて説明する。第
1図から第3図において本発明に係る半導体ウェーハの
分離装置12は、容器13と、高周波発生装置14と、エレベ
ータ装置15と、搬送装置16と、制御装置18とを備えてい
る。
Hereinafter, the present invention will be described based on embodiments shown in the drawings. 1 to 3, the semiconductor wafer separating apparatus 12 according to the present invention includes a container 13, a high-frequency generator 14, an elevator device 15, a transport device 16, and a control device 18.

容器13は、液体の一例たる水3が収容された容器であ
って、半導体ウェーハ5を50枚から500枚積層して収納
する半導体ウェーハ収納部19と、該積層された半導体ウ
ェーハ5から分離された最上部の1枚の半導体ウェーハ
5を分離収納する分離部20とに分離ガイド21によって分
けられている。分離ガイド21は容器13の底部22に固着さ
れた棒状部材で、半導体ウェーハ収納部19に収納された
最上部の半導体ウェーハ5Aだけが矢印G方向へ該分離ガ
イド21の上方を通過して移動し、分離部20へ移動でき、
積層された半導体ウェーハ5の2枚目以下のものは移動
できないように構成されている。
The container 13 is a container in which water 3, which is an example of a liquid, is stored. The container 13 has a semiconductor wafer storage unit 19 for storing 50 to 500 semiconductor wafers 5 in a stacked manner, and is separated from the stacked semiconductor wafers 5. The uppermost semiconductor wafer 5 is separated by a separation guide 21 into a separation unit 20 for separating and storing the semiconductor wafer 5. The separation guide 21 is a rod-shaped member fixed to the bottom portion 22 of the container 13, and only the uppermost semiconductor wafer 5A stored in the semiconductor wafer storage portion 19 moves above the separation guide 21 in the direction of arrow G. , Can be moved to the separation unit 20,
The second and lower stacked semiconductor wafers 5 are configured not to move.

高周波発生装置14は、超音波を発生する発振器であ
り、その発生する周波数は例えば26kHz乃至36kHzであ
る。また高周波発生装置14は容器13に備えられ、水3に
その発生した振動を与え、積載された半導体ウェーハ5
の板間に水3を浸入させるようにしたものである。
The high-frequency generator 14 is an oscillator that generates ultrasonic waves, and the generated frequency is, for example, 26 kHz to 36 kHz. The high-frequency generator 14 is provided in the container 13, applies the generated vibration to the water 3, and loads the semiconductor wafer 5 loaded thereon.
The water 3 is allowed to enter between the plates.

エレベータ装置15は、直径10mmから400mm、厚さ200μ
mから10mmで、一部にオリエンテーションフラットOFを
持つ円板状の半導体ウェーハ5を積層したものを積載し
た腕24を該半導体ウェーハ収納部19内に備え、矢印E方
向に図示しない駆動装置によって移動できるよう構成さ
れている。また該腕24上に積載された半導体ウェーハ5
は、腕25の矢印E方向への移動に伴ない、容器13の底部
13aに固着された2本の半導体ウェーハガイド25により
案内されて上昇するように構成されている。
The elevator device 15 has a diameter of 10 mm to 400 mm and a thickness of 200 μ.
An arm 24 loaded with a stack of disk-shaped semiconductor wafers 5 each having an orientation flat OF with a length of 10 mm to 10 mm is provided in the semiconductor wafer storage portion 19, and is moved in the direction of arrow E by a driving device (not shown). It is configured to be able to. Further, the semiconductor wafer 5 loaded on the arm 24
Is the bottom of the container 13 with the movement of the arm 25 in the direction of the arrow E.
It is configured to be guided and raised by two semiconductor wafer guides 25 fixed to 13a.

搬送装置16は、モータ等の駆動装置によって軸26を中
心として矢印F方向に回転するローラ28が後述する制御
装置18の作用により一定位置となるように制御される最
上部の半導体ウェーハ5Aの表面5aと接触し、ローラ28が
回転することによって該最上部の1枚の半導体ウェーハ
5Aが矢印G方向に搬送されるように構成されている。分
離部20には、該ローラ28で分離搬送された半導体ウェー
ハ5Aを保持し、次工程に供給する篭状の搬送装置29が備
えられている。
The transfer device 16 is controlled by a drive device such as a motor so that a roller 28 that rotates in the direction of arrow F about a shaft 26 is controlled to a fixed position by the operation of a control device 18 described later. 5a, and the roller 28 is rotated so that the top one semiconductor wafer
5A is configured to be conveyed in the direction of arrow G. The separation unit 20 is provided with a basket-shaped transfer device 29 that holds the semiconductor wafer 5A separated and transferred by the rollers 28 and supplies the semiconductor wafer 5A to the next process.

制御装置18は、ウェーハ5の有無を検出する検出装置
30を含み、該検出装置が半導体ウェーハ5Aの表面5aを検
出するまで該エレベータ装置15を矢印E方向に上昇さ
せ、検出装置30から送出される半導体ウェーハ検出信号
によってエレベータ装置15の作動を停止させるように該
エレベータ装置を制御し、常に最上部の半導体ウェーハ
5Aの表面5aの位置を一定に保つよう構成されている。
The control device 18 is a detection device for detecting the presence or absence of the wafer 5.
The elevator device 15 is raised in the direction of arrow E until the detecting device detects the surface 5a of the semiconductor wafer 5A, and the operation of the elevator device 15 is stopped by the semiconductor wafer detection signal sent from the detecting device 30. Control the elevator device so that the topmost semiconductor wafer
It is configured to keep the position of the surface 5a of 5A constant.

そして本発明方法は、容器13に収容された水3中に積
層した半導体ウェーハ5を浸漬し、該水に高周波数の振
動を与えて半導体ウェーハ5の板間に水3を浸入させ、
該浸入した水の潤滑作用により半導体ウェーハ5同士の
摩擦力を著しく低下させた後、半導体ウェーハ5の最上
部のものをその表面に沿って移動させて2枚目以下のも
のと分離する方法である。
In the method of the present invention, the laminated semiconductor wafers 5 are immersed in the water 3 accommodated in the container 13, and high-frequency vibration is applied to the water to cause the water 3 to enter between the plates of the semiconductor wafer 5.
After the frictional force between the semiconductor wafers 5 is significantly reduced by the lubricating action of the infiltrated water, the uppermost one of the semiconductor wafers 5 is moved along the surface thereof to be separated from the second or lower one. is there.

作 用 本発明は、上記のように構成されており、以下その作
用について説明する。第1図、第2図及び第3図におい
て、エレベータ装置15に積層されている半導体ウェーハ
5は、その表面5aが鏡面研摩されて表面アラサが極めて
良好であるので、隣接する半導体ウェーハ5の表面5a同
士が密着して分離し難い状態となっている。
The present invention is configured as described above, and its operation will be described below. 1, 2 and 3, the surface 5 a of the semiconductor wafer 5 stacked on the elevator device 15 is mirror-polished and the surface roughness is extremely good. 5a are in close contact with each other and are difficult to separate.

そこで積層された半導体ウェーハ5を水3を満たした
容器13中に浸漬し、高周波発生装置14によって26kHz乃
至36KHzの超音波を約15秒間与えると、第2図に示す如
く、密着していた半導体ウェーハ5の板間に水3が浸入
し、半導体ウェーハ5同士の密着力は著しく弱まり、各
々の半導体ウェーハ5は分離状態となる。
Then, the laminated semiconductor wafers 5 are immersed in a container 13 filled with water 3 and subjected to ultrasonic waves of 26 kHz to 36 KHz for about 15 seconds by the high frequency generator 14, as shown in FIG. Water 3 penetrates between the plates of the wafers 5, the adhesion between the semiconductor wafers 5 is remarkably weakened, and the respective semiconductor wafers 5 are separated.

エレベータ装置15を矢印E方向に上昇移動させると、
腕24上に積載された半導体ウェーハ5も半導体ウェーハ
ガイド25により案内されるので、割れることなく上昇す
る。やがて最上部のウェーハ5Aの表面5aが検出装置30の
検出子30aにより検出される位置まで上昇すると、エレ
ベータ装置15は制御装置18の作用により停止する。
When the elevator device 15 is moved upward in the direction of arrow E,
Since the semiconductor wafer 5 loaded on the arm 24 is also guided by the semiconductor wafer guide 25, it rises without breaking. When the front surface 5a of the uppermost wafer 5A eventually reaches a position detected by the detector 30a of the detection device 30, the elevator device 15 is stopped by the operation of the control device 18.

この停止位置は、積層された半導体ウェーハ5の枚数
に関係なく、常に最上部のウェーハ5Aの表面5aを検出装
置30が検出した位置となるので、該最上部の半導体ウェ
ーハ5Aの表面5aは一定位置で停止することになる。また
該停止位置では最上部のウェーハ5Aの表面5aとローラ28
とは接触状態にあり、制御装置18からの駆動信号に基い
てモータ等の駆動装置を回転させてローラ28を矢印F方
向に回転させると、ローラ28と最上部の半導体ウェーハ
5Aの表面5aとの摩擦抵抗により該最上部の半導体ウェー
ハに矢印G方向の力が作用する。ここで半導体ウェーハ
5の板間には水3が浸入して分離状態にあり、更に半導
体ウェーハ5間に浸入した水3が潤滑剤の働きをするの
で、極くわずかな力で最上部の半導体ウェーハ5Aは矢印
G方向に移動を始める。
This stop position is a position where the detection device 30 always detects the surface 5a of the uppermost wafer 5A regardless of the number of the stacked semiconductor wafers 5, so that the surface 5a of the uppermost semiconductor wafer 5A is constant. It will stop at the position. In the stop position, the surface 5a of the uppermost wafer 5A and the roller 28
When the roller 28 is rotated in the direction of arrow F by rotating a driving device such as a motor based on a driving signal from the control device 18, the roller 28 and the uppermost semiconductor wafer are in contact with each other.
A force in the direction of arrow G acts on the uppermost semiconductor wafer due to the frictional resistance of the surface 5a of 5A with the surface 5a. Here, water 3 penetrates between the plates of the semiconductor wafer 5 and is in a separated state, and since the water 3 penetrating between the semiconductor wafers 5 acts as a lubricant, the uppermost semiconductor can be formed with a very small force. The wafer 5A starts moving in the direction of arrow G.

このとき上から2枚目の半導体ウェーハ5Bは、最上部
の半導体ウェーハ5Aのガイドの役目もするので、従来技
術のように該エレベータ装置15を下降させる必要がな
い。更にローラ28が矢印F方向に回転するに伴ない最上
部の半導体ウェーハ5Aは2枚目の半導体ウェーハ5Bの表
面5aにより案内されて移動し、ローラ28と半導体ウェー
ハ5aの後端部5bとの接触がなくなった後は、慣性力によ
って分離ガイド21上を矢印G方向に移動し、分離部20に
搬送される。
At this time, since the second semiconductor wafer 5B from the top also serves as a guide for the uppermost semiconductor wafer 5A, there is no need to lower the elevator device 15 unlike the prior art. Further, as the roller 28 rotates in the direction of the arrow F, the uppermost semiconductor wafer 5A moves while being guided by the surface 5a of the second semiconductor wafer 5B, and moves between the roller 28 and the rear end 5b of the semiconductor wafer 5a. After the contact disappears, it moves on the separation guide 21 in the direction of arrow G by inertia force and is conveyed to the separation unit 20.

なお、分離ガイド21及び分離部20を少し傾斜させる
と、より円滑に半導体ウェーハ5Aを移動させることがで
きる。
When the separation guide 21 and the separation unit 20 are slightly inclined, the semiconductor wafer 5A can be moved more smoothly.

分離部20に搬送された半導体ウェーハ5Aは、水3中を
重力の作用によりゆっくりと下降するが、分離部20の下
方には篭状の搬送装置29が備えられているので、やがて
該搬送装置の中に収納され、駆動装置によって搬送装置
29と共に矢印H方向に搬送されて水3から空気中に引き
上げられ、次工程に供給される。
The semiconductor wafer 5A conveyed to the separation unit 20 slowly descends in the water 3 by the action of gravity. However, since the cage-like conveyance device 29 is provided below the separation unit 20, the conveyance device 29 Transported by a drive device
It is conveyed in the direction of arrow H together with 29, lifted from the water 3 into the air, and supplied to the next step.

また搬送装置29の供給途中において、圧縮空気を半導
体ウェーハ5Aに吹き付けることにより該半導体ウェーハ
5に付着した水3が除去される。
During the supply of the transfer device 29, the compressed air is blown onto the semiconductor wafer 5A to remove the water 3 attached to the semiconductor wafer 5A.

また、半導体ウェーハ収納部19においては、最上部の
半導体ウェーハ5Aが分離部20に搬送されてしまうので、
2枚目の半導体ウェーハ5Bが最上部となり、ローラ28と
の間に半導体ウェーハ5の厚さだけの隙間ができるの
で、再びエレベータ装置15を矢印E方向に、検出装置30
が半導体ウェーハ5Bを検出するまで上昇させ、ローラ28
でウェーハ5Bを分離部20に搬送する作用がエレベータ装
置15に積載された半導体ウェーハ5がなくなるまで繰り
返し行われる。また上記分離作用はすべて水3中で行わ
れるので、該水がクッション作用をなし、薄い半導体ウ
ェーハ5を傷付けることがない。
Further, in the semiconductor wafer storage unit 19, since the uppermost semiconductor wafer 5A is transported to the separation unit 20,
Since the second semiconductor wafer 5B is at the top and a gap is formed between the second semiconductor wafer 5B and the roller 28 by the thickness of the semiconductor wafer 5, the elevator device 15 is again moved in the direction of arrow E to the detection device 30.
Is raised until the semiconductor wafer 5B is detected, and the roller 28
The operation of transferring the wafer 5B to the separation unit 20 is repeated until the semiconductor wafer 5 loaded on the elevator device 15 is exhausted. In addition, since all of the above-mentioned separation action is performed in the water 3, the water acts as a cushion and does not damage the thin semiconductor wafer 5.

本発明に係る半導体ウェーハの分離装置12は、上記の
ように作用し、矢印G方向に搬送されると半導体ウェー
ハ5Aと次の半導体ウェーハ5Bとは干渉することがないの
で、チッピングの発生のおそれはない。また半導体ウェ
ーハ5Aは高周波振動による水3の浸入によって分離され
てから搬送されるので、必ず1枚の半導体ウェーハ5Aだ
けが搬送され、複数枚の半導体ウェーハ5が同時に搬送
されて分離ガイド21と干渉することもない。
The semiconductor wafer separation device 12 according to the present invention operates as described above, and when transported in the direction of arrow G, the semiconductor wafer 5A and the next semiconductor wafer 5B do not interfere with each other. It is not. Further, since the semiconductor wafer 5A is transported after being separated by the intrusion of the water 3 by the high frequency vibration, only one semiconductor wafer 5A is transported without fail, and a plurality of semiconductor wafers 5 are transported simultaneously and interfere with the separation guide 21. Nothing to do.

効 果 本発明は、上記のように積層された半導体ウェーハを
収納する半導体ウェーハ収納部と該積層された半導体ウ
ェーハから分離された1枚の半導体ウェーハを分離収納
する分離部とからなり液体が収容された容器と、半導体
ウェーハを積層して該半導体ウェーハ収納部で上下方向
に移動できるようにしたエレベータ装置と、回転駆動さ
れるローラが半導体ウェーハ収納部の上部に設けられ該
ローラが半導体ウェーハの最上部のものの表面に接触し
たとき該最上部の半導体ウェーハをその表面に沿って移
動させるようにした搬送装置と、エレベータ装置を所定
の高さだけ上昇させた後停止させ、引き続き該ローラを
回転駆動する動作を繰り返し予め定められたタイミング
で該エレベータ装置及び該ローラを制御する制御装置
と、半導体ウェーハ収納部の液体に高周波数の振動を与
え積層された半導体ウェーハの間に該液体を浸入させる
ようにした高周波発生装置とを備えたので、積層された
半導体ウェーハから最上部の1枚のものだけを確実に、
かつ容易に分離できるという効果がある。また分離作業
中の半導体ウェーハ同士の或いは半導体ウェーハの分離
ガイドとの干渉をなくすことができ、半導体ウェーハの
チッピング及び割れを完全に防止できる効果がある。更
にはチッピングによって発生した小片が半導体ウェーハ
に付着したままエッチング等の微細加工を行うことがな
くなるので、このことによる不良品の発生を防止できる
効果がある。また積層された半導体ウェーハの分離性能
を向上させることができるため、分離装置の作動サイク
ルを短縮して作業能率を向上させることができる効果が
得られる。
Effects The present invention comprises a semiconductor wafer storage unit for storing the semiconductor wafers stacked as described above, and a separation unit for separating and storing one semiconductor wafer separated from the stacked semiconductor wafers, wherein the liquid is stored. Container, and an elevator device in which semiconductor wafers are stacked so that they can be moved vertically in the semiconductor wafer storage unit, and a roller that is driven to rotate is provided at the upper part of the semiconductor wafer storage unit, and the roller is a semiconductor wafer storage unit. When the uppermost semiconductor wafer comes into contact with the surface, the uppermost semiconductor wafer is moved along the surface thereof, and the elevator device is moved up to a predetermined height and then stopped, and then the rollers are rotated. A control device for controlling the elevator device and the rollers at a predetermined timing by repeating a driving operation; (C) a high-frequency generator that applies high-frequency vibration to the liquid in the storage section so that the liquid penetrates between the stacked semiconductor wafers, so that the topmost one from the stacked semiconductor wafers Just make sure
In addition, there is an effect that separation can be easily performed. Further, interference between the semiconductor wafers during the separation operation or with the semiconductor wafer separation guide can be eliminated, and there is an effect that chipping and cracking of the semiconductor wafer can be completely prevented. Further, since fine processing such as etching is not performed while small pieces generated by chipping are adhered to the semiconductor wafer, there is an effect that occurrence of defective products due to this can be prevented. Further, since the separation performance of the stacked semiconductor wafers can be improved, the effect of shortening the operation cycle of the separation device and improving the work efficiency can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図から第3図は本発明の実施例に係り、第1図は半
導体ウェーハの分離装置の作動状態を示す要部縦断面
図、第2図は半導体ウェーハの板間に水が浸入して各々
の半導体ウェーハが分離した状態で最上部のものがロー
ラにより分離される状態を示す要部拡大縦断面図、第3
図は半導体ウェーハとウェーハガイド及び分離ガイドと
の位置関係並びに半導体ウェーハの搬送状態を示す平面
図、第4図から第6図は従来例に係り、第4図は半導体
ウェーハの分離装置の要部縦断面図、第5図は半導体ウ
ェーハの分離装置による半導体ウェーハの搬送作業中に
おいて半導体ウェーハの端部同士が干渉する状態を示す
部分縦断面図、第6図は複数枚の半導体ウェーハを誤っ
て搬送している状態を示す部分縦断面図である。 3は液体の一例たる水、5は半導体ウェーハ、5aは表
面、12は半導体ウェーハの分離装置、13は容器、14は高
周波発生装置、15はエレベータ装置、16は搬送装置、18
は制御装置、19は半導体ウェーハ収納部、20は分離部、
28はローラである。
FIGS. 1 to 3 relate to an embodiment of the present invention. FIG. 1 is a longitudinal sectional view of an essential part showing an operation state of a semiconductor wafer separating apparatus, and FIG. Main part enlarged vertical sectional view showing a state in which the uppermost one is separated by a roller in a state where the respective semiconductor wafers are separated.
4 is a plan view showing the positional relationship between a semiconductor wafer, a wafer guide and a separation guide, and the state of transport of the semiconductor wafer. FIGS. 4 to 6 relate to a conventional example, and FIG. FIG. 5 is a partial longitudinal sectional view showing a state in which the ends of the semiconductor wafer interfere with each other during the transfer operation of the semiconductor wafer by the semiconductor wafer separating apparatus, and FIG. FIG. 4 is a partial vertical sectional view showing a state in which the sheet is being conveyed. 3 is water as an example of a liquid, 5 is a semiconductor wafer, 5a is a surface, 12 is a semiconductor wafer separation device, 13 is a container, 14 is a high frequency generator, 15 is an elevator device, 16 is a transport device, 18
Is a control device, 19 is a semiconductor wafer storage unit, 20 is a separation unit,
28 is a roller.

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】容器に収容された液体中に積層した半導体
ウェーハを浸漬し、該液体に高周波数の振動を与えて前
記半導体ウェーハの板間に前記液体を浸入させ、該浸入
した液体の潤滑作用により前記半導体ウェーハ同士の摩
擦力を著しく低下させた後、該半導体ウェーハの最上部
のものをその表面に沿って移動させて2枚目以下のもの
と分離することを特徴とする半導体ウェーハの分離方
法。
1. A method for manufacturing a semiconductor device comprising the steps of: immersing a laminated semiconductor wafer in a liquid contained in a container, applying high-frequency vibration to the liquid to cause the liquid to penetrate between the plates of the semiconductor wafer, and lubricating the penetrated liquid. And after significantly reducing the frictional force between the semiconductor wafers by the action, moving the uppermost one of the semiconductor wafers along the surface thereof to separate them from the second and lower ones. Separation method.
【請求項2】積層された半導体ウェーハを収納する半導
体ウェーハ収納部と該半導体ウェーハの2枚目以下のも
のから分離された1枚の該半導体ウェーハを分離収納す
る分離部とから構成され液体が収容される容器と、前記
半導体ウェーハ収納部内に設けられ該半導体ウェーハを
積載して上下方向に移動できるようにしたエレベータ装
置と、回転駆動されるローラが前記半導体ウェーハ収納
部の上部に設けられ該ローラが前記半導体ウェーハの最
上部のものの表面に接触したとき該最上部のものをその
表面に沿って移動させるようにした搬送装置と、前記エ
レベータ装置を所定の距離だけ上昇させた後停止させる
と共に前記ローラを回転駆動する動作を繰り返し予め定
められたタイミングで該エレベータ装置及び該ローラを
制御する制御装置と、前記半導体ウェーハ収納部の液体
に高周波数の振動を与え積層された前記半導体ウェーハ
の板間に該液体を浸入させるようにした高周波発生装置
とを備えたことを特徴とする半導体ウェーハの分離装
置。
2. A liquid storage device comprising: a semiconductor wafer storage portion for storing stacked semiconductor wafers; and a separation portion for separating and storing one semiconductor wafer separated from the second or less of the semiconductor wafers. A container to be accommodated, an elevator device provided in the semiconductor wafer storage portion, which can load and move the semiconductor wafer vertically, and a roller that is driven to rotate is provided at an upper portion of the semiconductor wafer storage portion. When the roller comes into contact with the surface of the uppermost one of the semiconductor wafers, a transport device that moves the uppermost one along the surface thereof, and stops the elevator device after raising the elevator device by a predetermined distance. A control device that controls the elevator device and the roller at a predetermined timing by repeating an operation of rotating and driving the roller. A high-frequency generator for applying a high-frequency vibration to the liquid in the semiconductor wafer accommodating section so that the liquid penetrates between the stacked semiconductor wafer plates. .
【請求項3】前記高周波発生装置から発生する高周波
は、振動数26kHz乃至36kHzの超音波であることを特徴と
する特許請求の範囲第2項に記載の半導体ウェーハの分
離装置。
3. The semiconductor wafer separating apparatus according to claim 2, wherein the high frequency generated by said high frequency generator is an ultrasonic wave having a frequency of 26 kHz to 36 kHz.
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