JP2650813B2 - 配線基板 - Google Patents
配線基板Info
- Publication number
- JP2650813B2 JP2650813B2 JP7713592A JP7713592A JP2650813B2 JP 2650813 B2 JP2650813 B2 JP 2650813B2 JP 7713592 A JP7713592 A JP 7713592A JP 7713592 A JP7713592 A JP 7713592A JP 2650813 B2 JP2650813 B2 JP 2650813B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- paste
- wiring board
- glass substrate
- electrode
- oxidizing atmosphere
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、各種電子デバイス、特
にプラズマディスプレイパネル等の平面型ディスプレイ
の電極部品として有用な配線基板に関するものである。
にプラズマディスプレイパネル等の平面型ディスプレイ
の電極部品として有用な配線基板に関するものである。
【0002】
【従来の技術】プラズマディスプレイパネル(以下、P
DPと言う)の電極部品として用いられる配線基板とし
て図9に示すものがある。
DPと言う)の電極部品として用いられる配線基板とし
て図9に示すものがある。
【0003】同図に示した配線基板11は、所定の厚み
を有するガラス基板12と、該ガラス基板12の上面に
所定のストライプパタ−ンで付設された電極13とから
構成されている。この配線基板11は、ガラス基板12
の上面にNi,Au等の厚膜をスクリ−ン印刷法によっ
てストライプ状に形成して製造されている。
を有するガラス基板12と、該ガラス基板12の上面に
所定のストライプパタ−ンで付設された電極13とから
構成されている。この配線基板11は、ガラス基板12
の上面にNi,Au等の厚膜をスクリ−ン印刷法によっ
てストライプ状に形成して製造されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
配線基板11では、電極材料自体に光透過を期待できな
いため、光を外部に取り出すためには電極12の幅wを
できるだけ細くする必要がある。しかし、単に電極12
の幅を細くするだけではこれと比例して抵抗値が高くな
り、PDP用電極として必要なシ−ト抵抗値(数Ω〜数
十Ω/□)を得られなくなる。
配線基板11では、電極材料自体に光透過を期待できな
いため、光を外部に取り出すためには電極12の幅wを
できるだけ細くする必要がある。しかし、単に電極12
の幅を細くするだけではこれと比例して抵抗値が高くな
り、PDP用電極として必要なシ−ト抵抗値(数Ω〜数
十Ω/□)を得られなくなる。
【0005】上記の問題に対し従来では、電極12の抵
抗値を低減する方法として電極12の膜厚を厚くする方
法と、電極材料として高導電率のCuペ−ストを利用す
る方法が取られている。
抗値を低減する方法として電極12の膜厚を厚くする方
法と、電極材料として高導電率のCuペ−ストを利用す
る方法が取られている。
【0006】しかし、前者の方法では電極12の突出量
tが大きくなって基板11の上面に凸部が形成されるた
め、この上に薄膜を付設する場合にその段差吸収が難し
くなってピンホ−ル等を生じ易い難点がある。
tが大きくなって基板11の上面に凸部が形成されるた
め、この上に薄膜を付設する場合にその段差吸収が難し
くなってピンホ−ル等を生じ易い難点がある。
【0007】また、後者の方法ではCuペ−ストの焼成
に非酸化雰囲気が必要になるため、専用の焼成炉や窒素
ガス設備が別途必要となる難点があり、また電極抵抗値
を低減するにもある程度の突出量tが必要になって前者
同様の不具合を生じる恐れがある。
に非酸化雰囲気が必要になるため、専用の焼成炉や窒素
ガス設備が別途必要となる難点があり、また電極抵抗値
を低減するにもある程度の突出量tが必要になって前者
同様の不具合を生じる恐れがある。
【0008】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、基板上面に凸部を形成す
ることなく、所望の低抵抗値を電極に得ることが可能な
配線基板を提供することにある。
で、その目的とするところは、基板上面に凸部を形成す
ることなく、所望の低抵抗値を電極に得ることが可能な
配線基板を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明では、ガラス基板の上面に設けられた所定パ
タ−ンの溝内に、非酸化性雰囲気下で焼成可能な金属ペ
−ストと酸化性雰囲気下で焼成可能な金属ペ−ストを層
状に順に積み重ね、これを酸化性雰囲気下で一括焼成し
て両厚膜を溝内に埋設している。
め、本発明では、ガラス基板の上面に設けられた所定パ
タ−ンの溝内に、非酸化性雰囲気下で焼成可能な金属ペ
−ストと酸化性雰囲気下で焼成可能な金属ペ−ストを層
状に順に積み重ね、これを酸化性雰囲気下で一括焼成し
て両厚膜を溝内に埋設している。
【0010】
【作用】本発明に係る配線基板では、ガラス基板の上面
に設けられた溝内に、電極となる両厚膜が埋設されてい
るので、基板上面に従来のような凸部が形成されること
がない。
に設けられた溝内に、電極となる両厚膜が埋設されてい
るので、基板上面に従来のような凸部が形成されること
がない。
【0011】また、下層の金属ペ−ストが上層の金属ペ
−ストによって覆われているので、下層の金属ペ−スト
が酸化性雰囲気下で焼成できないものであっても、上層
の金属ペ−ストを焼成する際に同時に焼成することが可
能となる。換言すれば、通常は非酸化性雰囲気下で焼成
される高導電率のCuペ−スト等を簡単に利用すること
が可能となり、これにより両厚膜のト−タル的な抵抗値
を低減させることができる。
−ストによって覆われているので、下層の金属ペ−スト
が酸化性雰囲気下で焼成できないものであっても、上層
の金属ペ−ストを焼成する際に同時に焼成することが可
能となる。換言すれば、通常は非酸化性雰囲気下で焼成
される高導電率のCuペ−スト等を簡単に利用すること
が可能となり、これにより両厚膜のト−タル的な抵抗値
を低減させることができる。
【0012】
【実施例】図1には本発明を適用した配線基板1の部分
断面図を示してある。同図において2はガラス基板、3
は電極である。電極3は、層状に重ねられたCu製の第
1厚膜3aとNi製の第2厚膜3bとから成り、ガラス
基板2の上面に形成されたストライプ状の溝2aに基板
上面と面一状態で埋設されている。
断面図を示してある。同図において2はガラス基板、3
は電極である。電極3は、層状に重ねられたCu製の第
1厚膜3aとNi製の第2厚膜3bとから成り、ガラス
基板2の上面に形成されたストライプ状の溝2aに基板
上面と面一状態で埋設されている。
【0013】以下にこの配線基板1の製造方法について
説明する。まず、長さ300mm×幅400mmで厚み
3mmのガラス基板、ここではソ−ダライムガラスから
成るガラス基板Kを450℃に加熱した状態で、その上
面にSncl4 ・5H2 OとSbcl2 とH2 Oとを適
当割合で混合した液をスプレ−法によって噴霧し、該上
面に厚み0.2μm程度のSnO2(酸化スズ)製の保護
膜Kaを形成する(図2参照)。
説明する。まず、長さ300mm×幅400mmで厚み
3mmのガラス基板、ここではソ−ダライムガラスから
成るガラス基板Kを450℃に加熱した状態で、その上
面にSncl4 ・5H2 OとSbcl2 とH2 Oとを適
当割合で混合した液をスプレ−法によって噴霧し、該上
面に厚み0.2μm程度のSnO2(酸化スズ)製の保護
膜Kaを形成する(図2参照)。
【0014】次に、保護膜Kaの上面にレジスト剤(東
京応化製,OFPR−800)をスピンナ−塗布して、
厚み0.3μm程度のレジスト膜Rを形成し、120℃
で30分間加熱して乾燥させる。この後に、所望のスト
ライプパタ−ンに適合したホトマスク、ここでは幅50
μmで長さ300mmの非透光部を平行に有するホトマ
スクMをレジスト膜Rの上面に載置する(図3参照)。
京応化製,OFPR−800)をスピンナ−塗布して、
厚み0.3μm程度のレジスト膜Rを形成し、120℃
で30分間加熱して乾燥させる。この後に、所望のスト
ライプパタ−ンに適合したホトマスク、ここでは幅50
μmで長さ300mmの非透光部を平行に有するホトマ
スクMをレジスト膜Rの上面に載置する(図3参照)。
【0015】次に、ホトマスクMの上から光を照射して
レジスト膜Rの必要部分を露光した後、KOH(水酸化
カリウム)水溶液で現像し、150℃で30分間加熱し
て乾燥させレジストパタ−ンRPを得る(図4参照)。
レジスト膜Rの必要部分を露光した後、KOH(水酸化
カリウム)水溶液で現像し、150℃で30分間加熱し
て乾燥させレジストパタ−ンRPを得る(図4参照)。
【0016】次に、HclとH2 Oを1対1の割合で混
合しエッチング液を用い、これにZn粉を混入して水素
を発生させながら保護膜Kaをエッチングする。続い
て、HF(弗化水素)とH2 Oを1対1の割合で混合し
たエッチング液を用い、ガラス基板Kを10分間エッチ
ングして、レジストパタ−ンRP間に溝Gを形成する。
本例のエッチング処理では、ガラス基板Kの長さ方向に
幅100μmで深さ25μmの溝Gが形成される(図5
参照)。
合しエッチング液を用い、これにZn粉を混入して水素
を発生させながら保護膜Kaをエッチングする。続い
て、HF(弗化水素)とH2 Oを1対1の割合で混合し
たエッチング液を用い、ガラス基板Kを10分間エッチ
ングして、レジストパタ−ンRP間に溝Gを形成する。
本例のエッチング処理では、ガラス基板Kの長さ方向に
幅100μmで深さ25μmの溝Gが形成される(図5
参照)。
【0017】次に、レジストパタ−ンRPと保護膜Ka
を除去し、溝Gと同パタ−ンのストライプ状スクリ−ン
マスク(図示省略)を用い、溝G内に底部にCuペ−ス
トP1(デュポン製,QS190)を、後述する焼成に
よる収縮を見込んで希望値(10μm)よりも厚めに印
刷する(図6参照)。保護膜Kaの除去には上記同様の
エッチング液が使用される。
を除去し、溝Gと同パタ−ンのストライプ状スクリ−ン
マスク(図示省略)を用い、溝G内に底部にCuペ−ス
トP1(デュポン製,QS190)を、後述する焼成に
よる収縮を見込んで希望値(10μm)よりも厚めに印
刷する(図6参照)。保護膜Kaの除去には上記同様の
エッチング液が使用される。
【0018】次に、上記同様のスクリ−ンマスク(図示
省略)を用い、溝G内のペ−ストP1の上側にNiペ−
ストP2(デュポン製,9535)を、後述する焼成に
よる収縮を見込んで希望値(15μm)よりも厚めに印
刷する(図7参照)。
省略)を用い、溝G内のペ−ストP1の上側にNiペ−
ストP2(デュポン製,9535)を、後述する焼成に
よる収縮を見込んで希望値(15μm)よりも厚めに印
刷する(図7参照)。
【0019】次に、印刷後のガラス基板Kを600℃で
1時間、大気中で一括焼成する。下層のCuペ−ストP
2の焼成には通常非酸化性雰囲気が必要になるが、この
場合は上層のNiペ−ストP1が焼成する際に同時に下
層のCuペ−ストP2も焼成される。この焼成では溝G
内に層状に印刷された両ペ−ストP1,P2が夫々収縮
し、固化したNiペ−ストP2の上面がガラス基板Kの
上面とほぼ面一状態になる(図8参照)。
1時間、大気中で一括焼成する。下層のCuペ−ストP
2の焼成には通常非酸化性雰囲気が必要になるが、この
場合は上層のNiペ−ストP1が焼成する際に同時に下
層のCuペ−ストP2も焼成される。この焼成では溝G
内に層状に印刷された両ペ−ストP1,P2が夫々収縮
し、固化したNiペ−ストP2の上面がガラス基板Kの
上面とほぼ面一状態になる(図8参照)。
【0020】次に、焼成後のガラス基板Kを研磨装置に
かけ、固化したNiペ−ストP2の上面を研磨してガラ
ス基板Kの上面と平らにする。以上で図1に示した配線
基板1が製造される。
かけ、固化したNiペ−ストP2の上面を研磨してガラ
ス基板Kの上面と平らにする。以上で図1に示した配線
基板1が製造される。
【0021】ちなみに、上記の方法で得られた電極3の
長手方向端部間の抵抗値を測定したところ約50Ωであ
った。電極3の抵抗値をこれよりも低減させたい場合に
は、溝Gの深さのみを大きくしこれに合わせて両ペ−ス
トP1,P2の厚みを増やすか、或いはCuペ−ストP
2の印刷厚みの割合を増せばよい。
長手方向端部間の抵抗値を測定したところ約50Ωであ
った。電極3の抵抗値をこれよりも低減させたい場合に
は、溝Gの深さのみを大きくしこれに合わせて両ペ−ス
トP1,P2の厚みを増やすか、或いはCuペ−ストP
2の印刷厚みの割合を増せばよい。
【0022】尚、上記の製造方法で使用したNiペ−ス
トP2は、Auペ−スト等の酸化性雰囲気下で焼成可能
な他の金属ペ−ストで代用することができる。
トP2は、Auペ−スト等の酸化性雰囲気下で焼成可能
な他の金属ペ−ストで代用することができる。
【0023】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
電極となる両厚膜がガラス基板の溝内に埋設されている
ので、基板上面に従来のような凸部が形成されることが
なく、段差の影響を排除して配線基板上に薄膜等を良好
に付設できる。
電極となる両厚膜がガラス基板の溝内に埋設されている
ので、基板上面に従来のような凸部が形成されることが
なく、段差の影響を排除して配線基板上に薄膜等を良好
に付設できる。
【0024】また、通常は非酸化性雰囲気下で焼成され
る高導電率のCuペ−スト等を簡単に利用することが可
能となり、これにより両厚膜のト−タル的な抵抗値を低
減させて所望の低抵抗値を電極に確保することができ、
電極幅も小さくできる利点がある。
る高導電率のCuペ−スト等を簡単に利用することが可
能となり、これにより両厚膜のト−タル的な抵抗値を低
減させて所望の低抵抗値を電極に確保することができ、
電極幅も小さくできる利点がある。
【図1】本発明を適用した配線基板の部分断面図
【図2】製造工程図
【図3】製造工程図
【図4】製造工程図
【図5】製造工程図
【図6】製造工程図
【図7】製造工程図
【図8】製造工程図
【図9】従来の配線基板の部分断面図
1…配線基板、2…ガラス基板、2a…溝、3…電極、
3a…第1厚膜、3b…第2厚膜。
3a…第1厚膜、3b…第2厚膜。
Claims (1)
- 【請求項1】 ガラス基板の上面に設けられた所定パタ
−ンの溝内に、非酸化性雰囲気下で焼成可能な金属ペ−
ストと酸化性雰囲気下で焼成可能な金属ペ−ストを層状
に順に積み重ね、これを酸化性雰囲気下で一括焼成して
両厚膜を溝内に埋設した、ことを特徴とする配線基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7713592A JP2650813B2 (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7713592A JP2650813B2 (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 配線基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05283845A JPH05283845A (ja) | 1993-10-29 |
JP2650813B2 true JP2650813B2 (ja) | 1997-09-10 |
Family
ID=13625363
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7713592A Expired - Lifetime JP2650813B2 (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 配線基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2650813B2 (ja) |
-
1992
- 1992-03-31 JP JP7713592A patent/JP2650813B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH05283845A (ja) | 1993-10-29 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970415 |