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JP2650813B2 - 配線基板 - Google Patents

配線基板

Info

Publication number
JP2650813B2
JP2650813B2 JP7713592A JP7713592A JP2650813B2 JP 2650813 B2 JP2650813 B2 JP 2650813B2 JP 7713592 A JP7713592 A JP 7713592A JP 7713592 A JP7713592 A JP 7713592A JP 2650813 B2 JP2650813 B2 JP 2650813B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
paste
wiring board
glass substrate
electrode
oxidizing atmosphere
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP7713592A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH05283845A (ja
Inventor
英世 飯田
信康 柴
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiyo Yuden Co Ltd
Original Assignee
Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiyo Yuden Co Ltd filed Critical Taiyo Yuden Co Ltd
Priority to JP7713592A priority Critical patent/JP2650813B2/ja
Publication of JPH05283845A publication Critical patent/JPH05283845A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2650813B2 publication Critical patent/JP2650813B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、各種電子デバイス、特
にプラズマディスプレイパネル等の平面型ディスプレイ
の電極部品として有用な配線基板に関するものである。
【0002】
【従来の技術】プラズマディスプレイパネル(以下、P
DPと言う)の電極部品として用いられる配線基板とし
て図9に示すものがある。
【0003】同図に示した配線基板11は、所定の厚み
を有するガラス基板12と、該ガラス基板12の上面に
所定のストライプパタ−ンで付設された電極13とから
構成されている。この配線基板11は、ガラス基板12
の上面にNi,Au等の厚膜をスクリ−ン印刷法によっ
てストライプ状に形成して製造されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
配線基板11では、電極材料自体に光透過を期待できな
いため、光を外部に取り出すためには電極12の幅wを
できるだけ細くする必要がある。しかし、単に電極12
の幅を細くするだけではこれと比例して抵抗値が高くな
り、PDP用電極として必要なシ−ト抵抗値(数Ω〜数
十Ω/□)を得られなくなる。
【0005】上記の問題に対し従来では、電極12の抵
抗値を低減する方法として電極12の膜厚を厚くする方
法と、電極材料として高導電率のCuペ−ストを利用す
る方法が取られている。
【0006】しかし、前者の方法では電極12の突出量
tが大きくなって基板11の上面に凸部が形成されるた
め、この上に薄膜を付設する場合にその段差吸収が難し
くなってピンホ−ル等を生じ易い難点がある。
【0007】また、後者の方法ではCuペ−ストの焼成
に非酸化雰囲気が必要になるため、専用の焼成炉や窒素
ガス設備が別途必要となる難点があり、また電極抵抗値
を低減するにもある程度の突出量tが必要になって前者
同様の不具合を生じる恐れがある。
【0008】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、基板上面に凸部を形成す
ることなく、所望の低抵抗値を電極に得ることが可能な
配線基板を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明では、ガラス基板の上面に設けられた所定パ
タ−ンの溝内に、非酸化性雰囲気下で焼成可能な金属ペ
−ストと酸化性雰囲気下で焼成可能な金属ペ−ストを層
状に順に積み重ね、これを酸化性雰囲気下で一括焼成し
て両厚膜を溝内に埋設している。
【0010】
【作用】本発明に係る配線基板では、ガラス基板の上面
に設けられた溝内に、電極となる両厚膜が埋設されてい
るので、基板上面に従来のような凸部が形成されること
がない。
【0011】また、下層の金属ペ−ストが上層の金属ペ
−ストによって覆われているので、下層の金属ペ−スト
が酸化性雰囲気下で焼成できないものであっても、上層
の金属ペ−ストを焼成する際に同時に焼成することが可
能となる。換言すれば、通常は非酸化性雰囲気下で焼成
される高導電率のCuペ−スト等を簡単に利用すること
が可能となり、これにより両厚膜のト−タル的な抵抗値
を低減させることができる。
【0012】
【実施例】図1には本発明を適用した配線基板1の部分
断面図を示してある。同図において2はガラス基板、3
は電極である。電極3は、層状に重ねられたCu製の第
1厚膜3aとNi製の第2厚膜3bとから成り、ガラス
基板2の上面に形成されたストライプ状の溝2aに基板
上面と面一状態で埋設されている。
【0013】以下にこの配線基板1の製造方法について
説明する。まず、長さ300mm×幅400mmで厚み
3mmのガラス基板、ここではソ−ダライムガラスから
成るガラス基板Kを450℃に加熱した状態で、その上
面にSncl4 ・5H2 OとSbcl2 とH2 Oとを適
当割合で混合した液をスプレ−法によって噴霧し、該上
面に厚み0.2μm程度のSnO2(酸化スズ)製の保護
膜Kaを形成する(図2参照)。
【0014】次に、保護膜Kaの上面にレジスト剤(東
京応化製,OFPR−800)をスピンナ−塗布して、
厚み0.3μm程度のレジスト膜Rを形成し、120℃
で30分間加熱して乾燥させる。この後に、所望のスト
ライプパタ−ンに適合したホトマスク、ここでは幅50
μmで長さ300mmの非透光部を平行に有するホトマ
スクMをレジスト膜Rの上面に載置する(図3参照)。
【0015】次に、ホトマスクMの上から光を照射して
レジスト膜Rの必要部分を露光した後、KOH(水酸化
カリウム)水溶液で現像し、150℃で30分間加熱し
て乾燥させレジストパタ−ンRPを得る(図4参照)。
【0016】次に、HclとH2 Oを1対1の割合で混
合しエッチング液を用い、これにZn粉を混入して水素
を発生させながら保護膜Kaをエッチングする。続い
て、HF(弗化水素)とH2 Oを1対1の割合で混合し
たエッチング液を用い、ガラス基板Kを10分間エッチ
ングして、レジストパタ−ンRP間に溝Gを形成する。
本例のエッチング処理では、ガラス基板Kの長さ方向に
幅100μmで深さ25μmの溝Gが形成される(図5
参照)。
【0017】次に、レジストパタ−ンRPと保護膜Ka
を除去し、溝Gと同パタ−ンのストライプ状スクリ−ン
マスク(図示省略)を用い、溝G内に底部にCuペ−ス
トP1(デュポン製,QS190)を、後述する焼成に
よる収縮を見込んで希望値(10μm)よりも厚めに印
刷する(図6参照)。保護膜Kaの除去には上記同様の
エッチング液が使用される。
【0018】次に、上記同様のスクリ−ンマスク(図示
省略)を用い、溝G内のペ−ストP1の上側にNiペ−
ストP2(デュポン製,9535)を、後述する焼成に
よる収縮を見込んで希望値(15μm)よりも厚めに印
刷する(図7参照)。
【0019】次に、印刷後のガラス基板Kを600℃で
1時間、大気中で一括焼成する。下層のCuペ−ストP
2の焼成には通常非酸化性雰囲気が必要になるが、この
場合は上層のNiペ−ストP1が焼成する際に同時に下
層のCuペ−ストP2も焼成される。この焼成では溝G
内に層状に印刷された両ペ−ストP1,P2が夫々収縮
し、固化したNiペ−ストP2の上面がガラス基板Kの
上面とほぼ面一状態になる(図8参照)。
【0020】次に、焼成後のガラス基板Kを研磨装置に
かけ、固化したNiペ−ストP2の上面を研磨してガラ
ス基板Kの上面と平らにする。以上で図1に示した配線
基板1が製造される。
【0021】ちなみに、上記の方法で得られた電極3の
長手方向端部間の抵抗値を測定したところ約50Ωであ
った。電極3の抵抗値をこれよりも低減させたい場合に
は、溝Gの深さのみを大きくしこれに合わせて両ペ−ス
トP1,P2の厚みを増やすか、或いはCuペ−ストP
2の印刷厚みの割合を増せばよい。
【0022】尚、上記の製造方法で使用したNiペ−ス
トP2は、Auペ−スト等の酸化性雰囲気下で焼成可能
な他の金属ペ−ストで代用することができる。
【0023】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
電極となる両厚膜がガラス基板の溝内に埋設されている
ので、基板上面に従来のような凸部が形成されることが
なく、段差の影響を排除して配線基板上に薄膜等を良好
に付設できる。
【0024】また、通常は非酸化性雰囲気下で焼成され
る高導電率のCuペ−スト等を簡単に利用することが可
能となり、これにより両厚膜のト−タル的な抵抗値を低
減させて所望の低抵抗値を電極に確保することができ、
電極幅も小さくできる利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を適用した配線基板の部分断面図
【図2】製造工程図
【図3】製造工程図
【図4】製造工程図
【図5】製造工程図
【図6】製造工程図
【図7】製造工程図
【図8】製造工程図
【図9】従来の配線基板の部分断面図
【符号の説明】
1…配線基板、2…ガラス基板、2a…溝、3…電極、
3a…第1厚膜、3b…第2厚膜。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ガラス基板の上面に設けられた所定パタ
    −ンの溝内に、非酸化性雰囲気下で焼成可能な金属ペ−
    ストと酸化性雰囲気下で焼成可能な金属ペ−ストを層状
    に順に積み重ね、これを酸化性雰囲気下で一括焼成して
    両厚膜を溝内に埋設した、ことを特徴とする配線基板。
JP7713592A 1992-03-31 1992-03-31 配線基板 Expired - Lifetime JP2650813B2 (ja)

Priority Applications (1)

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JP7713592A JP2650813B2 (ja) 1992-03-31 1992-03-31 配線基板

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Publication Number Publication Date
JPH05283845A JPH05283845A (ja) 1993-10-29
JP2650813B2 true JP2650813B2 (ja) 1997-09-10

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