JP2646262B2 - ジフルオロアルキルシクロヘキシルベンゾニトリル誘導体 - Google Patents
ジフルオロアルキルシクロヘキシルベンゾニトリル誘導体Info
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Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、表示素子用に有用な新規な液晶性化合物お
よび該化合物を含有する液晶組成物に関する。
よび該化合物を含有する液晶組成物に関する。
(従来の技術) 液晶物質およびその組成物は、その液晶相における誘
電率の異方性(Δεと略記する)および光の屈折率の異
方性(Δnと略記する)を利用して、種々の表示装置に
使用されている。
電率の異方性(Δεと略記する)および光の屈折率の異
方性(Δnと略記する)を利用して、種々の表示装置に
使用されている。
液晶表示方式には、応用される電気光学効果に対応し
て、電界制御複屈折型(ECB型)、ねじれネマチツク型
(TN型)、スーパーツイスト複屈折型(SBE型)、動的
散乱型(DS型)、ゲスト・ホスト型など種々の方式があ
る。表示装置に用いられる液晶材料は、その表示方式に
より、また表示素子に要求される諸特性により、広い液
晶相温度範囲、低粘性、大きな正のΔε値または負のΔ
ε値、および広い温度域にわたつて表示素子の諸特性
(特にしきい値電圧)が大きく変化しないことなどの種
々の特性を兼ね備えていなければならない。
て、電界制御複屈折型(ECB型)、ねじれネマチツク型
(TN型)、スーパーツイスト複屈折型(SBE型)、動的
散乱型(DS型)、ゲスト・ホスト型など種々の方式があ
る。表示装置に用いられる液晶材料は、その表示方式に
より、また表示素子に要求される諸特性により、広い液
晶相温度範囲、低粘性、大きな正のΔε値または負のΔ
ε値、および広い温度域にわたつて表示素子の諸特性
(特にしきい値電圧)が大きく変化しないことなどの種
々の特性を兼ね備えていなければならない。
しかし、現在のところ、液晶相温度範囲、動作電圧、
応答性能の面から実用にできる単一化合物はない。実用
には、数種の液晶化合物の混合物、または、数種の液晶
化合物に潜在的に液晶性を有する化合物もしくは非液晶
物質を混合した物が供せられている。
応答性能の面から実用にできる単一化合物はない。実用
には、数種の液晶化合物の混合物、または、数種の液晶
化合物に潜在的に液晶性を有する化合物もしくは非液晶
物質を混合した物が供せられている。
(発明の目的) 本発明の目的は、液晶表示装置に使用可能な液晶性化
合物および液晶組成物を提供しようとするものである。
ここで、液晶性化合物とは、液晶相を示す化合物のほか
に、通常液晶相を示さないが、他の液晶化合物に溶解し
た場合に液晶挙動の或る面に有効に作用する化合物を意
味する。
合物および液晶組成物を提供しようとするものである。
ここで、液晶性化合物とは、液晶相を示す化合物のほか
に、通常液晶相を示さないが、他の液晶化合物に溶解し
た場合に液晶挙動の或る面に有効に作用する化合物を意
味する。
(発明の構成) 本発明は一般式 (式中、nは0〜20の整数である。) で表わされる化合物及び少なくともその一種を含有する
液晶組成物である。
液晶組成物である。
本発明の(I)式の化合物を更に具体的に示すと、 である。
本発明の液晶組成物の成分として(I)式の化合物の
外に用いられる液晶成分としては、例えば以下の(i)
〜(xxxiii)の式で表わされる液晶化合物が好ましい。
外に用いられる液晶成分としては、例えば以下の(i)
〜(xxxiii)の式で表わされる液晶化合物が好ましい。
(i)〜(xxxiii)式において、Xは を示し、Yは−CN、ハロゲン原子、R1またはOR1を示
し、RおよびR1はアルキル基を示し、これらの の水素原子はハロゲン原子で置換されていてもよい。
し、RおよびR1はアルキル基を示し、これらの の水素原子はハロゲン原子で置換されていてもよい。
本発明の化合物は例えば次の合成法に従つて製造でき
る。
る。
(上式中nは前記と同じ) すなわち、後述の様にして得られる、最終目的物に対
応するアルデヒド誘導体(II)をジクロロメタン中でジ
エチルアミノサルフアトリルフルオライドによりフツ素
置換反応することにより得られる。この反応生成物に対
し通常行なわれる減圧蒸留、クロマトグラフイー、再結
晶等の分離精製操作を行なうことにより、目的の化合物
(I)を得ることができる。
応するアルデヒド誘導体(II)をジクロロメタン中でジ
エチルアミノサルフアトリルフルオライドによりフツ素
置換反応することにより得られる。この反応生成物に対
し通常行なわれる減圧蒸留、クロマトグラフイー、再結
晶等の分離精製操作を行なうことにより、目的の化合物
(I)を得ることができる。
原料として用いるアルデヒド誘導体(II)は、例えば
次の合成法に従つて製造できる。
次の合成法に従つて製造できる。
すなわち公知の(例えば特開昭58−59956に記載の方
法で得られる)トランス−4−メトキシメチル−1−
(4−シアノフエニル)シクロヘキサン(III)を公知
の方法、例えばJ.Org.Chem.,44,1247(1979)に記載さ
れた方法に準じて、トリメチルシリルクロライドとヨウ
化ナトリウムとをアセトニトリル溶媒中で反応させ、ト
ランス−4−(4−シアノフエニル)シクロヘキシルカ
ルビノール(IV)を得る。さらに、この化合物(IV)を
Synthesis,245(1982)に記載した方法に準じて、ピリ
ジニウムクロロクロメート(PCC)でアルデヒドに酸化
し、トランス−4−(4−シアノフエニル)シクロヘキ
シルカルボアルデヒド(V)を得る。この化合物(V)
はアルデヒド誘導体(II)に於けるn=0の化合物であ
る。さらに、アルデヒド誘導体(II)に於けるnが1〜
20の整数である化合物は、例えば次の合成法に従つて製
造できる。
法で得られる)トランス−4−メトキシメチル−1−
(4−シアノフエニル)シクロヘキサン(III)を公知
の方法、例えばJ.Org.Chem.,44,1247(1979)に記載さ
れた方法に準じて、トリメチルシリルクロライドとヨウ
化ナトリウムとをアセトニトリル溶媒中で反応させ、ト
ランス−4−(4−シアノフエニル)シクロヘキシルカ
ルビノール(IV)を得る。さらに、この化合物(IV)を
Synthesis,245(1982)に記載した方法に準じて、ピリ
ジニウムクロロクロメート(PCC)でアルデヒドに酸化
し、トランス−4−(4−シアノフエニル)シクロヘキ
シルカルボアルデヒド(V)を得る。この化合物(V)
はアルデヒド誘導体(II)に於けるn=0の化合物であ
る。さらに、アルデヒド誘導体(II)に於けるnが1〜
20の整数である化合物は、例えば次の合成法に従つて製
造できる。
すなわち、アルデヒド誘導体(V)にメトキシメチル
トリフエニルホスホニウムクロライド及び塩基(例え
ば、カリウム−t−ブトキシド、ナトリウムメチラー
ト、フエニルリチウム、n−ブチルリチウム等)を反応
させるWittig反応により、メトキシビニル誘導体(VI)
を得る。この化合物(VI)を酸性下で加熱すると(例え
ば、テトラヒドロフラン溶媒下塩酸と加熱する)、もと
のアルデヒド誘導体(V)よりメチレンが1つ増えたア
ルデヒド誘導体(VII)を得ることができる。このWitti
g反応及び酸処理反応をアルデヒド誘導体(V)にn回
逐次に反応することにより、nが1以上のアルデヒド誘
導体(II)を得ることができる。
トリフエニルホスホニウムクロライド及び塩基(例え
ば、カリウム−t−ブトキシド、ナトリウムメチラー
ト、フエニルリチウム、n−ブチルリチウム等)を反応
させるWittig反応により、メトキシビニル誘導体(VI)
を得る。この化合物(VI)を酸性下で加熱すると(例え
ば、テトラヒドロフラン溶媒下塩酸と加熱する)、もと
のアルデヒド誘導体(V)よりメチレンが1つ増えたア
ルデヒド誘導体(VII)を得ることができる。このWitti
g反応及び酸処理反応をアルデヒド誘導体(V)にn回
逐次に反応することにより、nが1以上のアルデヒド誘
導体(II)を得ることができる。
(実施例) 以下、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発
明はこれらの実施例に限られるものではない。
明はこれらの実施例に限られるものではない。
実施例1 トランス−1−ジフルオロメチル−4−(4−シアノフ
エニル)シクロヘキサン((I)式でn=0のもの、即
ち(1))の調製 (i)トランス−4−(4−シアノフエニル)シクロヘ
キサンカルボアルデヒドの調製 トランス−4−メトキシメチル−1−(4−シアノフ
エニル)シクロヘキサン(III)322.5g(1.41mol)、ヨ
ウ化ナトリウム421.6g(2.81mol)およびアセトニトリ
ル2.5に窒素雰囲気下にて撹拌しながら35℃にて、30
分間でトリメチルシリルクロライド305.6g(2.81mol)
を滴下した。滴下終了後20分間撹拌した後に10℃に冷却
した。反応混合物を吸引ろ過し、母液を氷水2kgにあけ
クロロホルム1.5で抽出した。このクロロホルム溶液
を10重量%のチオ硫酸ナトリウム水溶液0.5で2回分
液洗浄後、さらに水1で3回分液洗浄した。このクロ
ロホルム溶液からクロロホルムを留去し、残渣をトルエ
ン300mlで3回再結晶して精製しトランス−4−(4−
シアノフエニル)シクロヘキシルカルビノール(IV)18
2.5g(0.848mol)を得た。この化合物の融点は108.5〜1
10.8℃であつた。一方ピリジニウムクロロクロメート16
1.7g(0.750mol)をジクロロメタン1に加えておき、
撹拌下に先に得られたトランス−4−(4−シアノフエ
ニルシクロヘキシルカルビノール(IV)107.6g(0.500m
ol)のジクロロメタン0.7溶液を室温にて、瞬時に加
えて、さらに室温で1.5時間撹拌した。この反応液にジ
エチルエーテル1を加えて、上澄液をフロリジルカラ
ムクロマトグラフイを通して濃縮して、トランス−4−
(4−シアノフエニル)シクロヘキシルカルボアルデヒ
ド(V)101.2g(0.474mol)を得た。
エニル)シクロヘキサン((I)式でn=0のもの、即
ち(1))の調製 (i)トランス−4−(4−シアノフエニル)シクロヘ
キサンカルボアルデヒドの調製 トランス−4−メトキシメチル−1−(4−シアノフ
エニル)シクロヘキサン(III)322.5g(1.41mol)、ヨ
ウ化ナトリウム421.6g(2.81mol)およびアセトニトリ
ル2.5に窒素雰囲気下にて撹拌しながら35℃にて、30
分間でトリメチルシリルクロライド305.6g(2.81mol)
を滴下した。滴下終了後20分間撹拌した後に10℃に冷却
した。反応混合物を吸引ろ過し、母液を氷水2kgにあけ
クロロホルム1.5で抽出した。このクロロホルム溶液
を10重量%のチオ硫酸ナトリウム水溶液0.5で2回分
液洗浄後、さらに水1で3回分液洗浄した。このクロ
ロホルム溶液からクロロホルムを留去し、残渣をトルエ
ン300mlで3回再結晶して精製しトランス−4−(4−
シアノフエニル)シクロヘキシルカルビノール(IV)18
2.5g(0.848mol)を得た。この化合物の融点は108.5〜1
10.8℃であつた。一方ピリジニウムクロロクロメート16
1.7g(0.750mol)をジクロロメタン1に加えておき、
撹拌下に先に得られたトランス−4−(4−シアノフエ
ニルシクロヘキシルカルビノール(IV)107.6g(0.500m
ol)のジクロロメタン0.7溶液を室温にて、瞬時に加
えて、さらに室温で1.5時間撹拌した。この反応液にジ
エチルエーテル1を加えて、上澄液をフロリジルカラ
ムクロマトグラフイを通して濃縮して、トランス−4−
(4−シアノフエニル)シクロヘキシルカルボアルデヒ
ド(V)101.2g(0.474mol)を得た。
(ii)表題化合物の調製 市販のジエチルアミノサルフアトリフルオライド13.6
g(0.084mol)のジクロロメタン40ml溶液に、水浴冷
却,撹拌及び窒素気流下にて(i)で得られたトランス
−4−(4−シアノフエニル)シクロヘキシルカルボア
ルデヒド(V)15.0g(0.070mol)のジクロロメタン90m
l溶液を30分間で滴下した。
g(0.084mol)のジクロロメタン40ml溶液に、水浴冷
却,撹拌及び窒素気流下にて(i)で得られたトランス
−4−(4−シアノフエニル)シクロヘキシルカルボア
ルデヒド(V)15.0g(0.070mol)のジクロロメタン90m
l溶液を30分間で滴下した。
さらに1時間撹拌後、氷浴で冷却しながら水100mlを
徐々に滴下した。この油層を分液水洗し、さらに飽和炭
酸水素ナトリウム水溶液で洗浄し、さらに水で、水層が
中性になるまで洗浄した。油層を無水硫酸マグネシウム
で乾燥した。乾燥剤を分離後、ジクロロメタンを留去し
て得られた残渣をトルエンに溶解して、アルミナを使用
したカラムクロマトグラフイーにて精製後メタノールに
て再結晶を繰り返した後、乾燥して目的の化合物7.1g
(0.030mol)を得た。この化合物の融点は54.6℃であつ
た。
徐々に滴下した。この油層を分液水洗し、さらに飽和炭
酸水素ナトリウム水溶液で洗浄し、さらに水で、水層が
中性になるまで洗浄した。油層を無水硫酸マグネシウム
で乾燥した。乾燥剤を分離後、ジクロロメタンを留去し
て得られた残渣をトルエンに溶解して、アルミナを使用
したカラムクロマトグラフイーにて精製後メタノールに
て再結晶を繰り返した後、乾燥して目的の化合物7.1g
(0.030mol)を得た。この化合物の融点は54.6℃であつ
た。
実施例2 トランス−1−(2,2−ジフルオロエチル)−4−(4
−シアノフエニル)シクロヘキサン((I)式でn=1
のもの、即ち(2))の調製 (i)トランス−4−(4−シアノフエニル)シクロヘ
キシルアセトアルデヒド(VII)の調製 市販のメトキシメチルトリフエニルホスホニウムクロ
ライド127.5g(0.372mol)をメチル−t−ブチルエーテ
ル1に加え、アルゴン雰囲気中で撹拌下に−10℃にて
10分間でカリウム−t−ブトキシド43.1g(0.384mol)
を添加した。反応液を1時間、0℃にて撹拌後、−10℃
にて実施例1(i)で得られたトランス−4−(4−シ
アノフエニル)シクロヘキシルカルボアルデヒド(V)
44.1g(0.207mol)のメチル−t−ブチルエーテル200ml
溶液を−10℃にて15分間で滴下した。反応液を0℃で1
時間撹拌後トルエン0.3および水0.3を加えた。この
トルエン溶液を水0.3で4回分液洗浄し、無水硫酸ナ
トリウムにて乾燥した。乾燥剤を分離後、トルエンを留
去して得られた残渣を酢酸エチル100mlに加熱溶解し1
日室温に静置した。析出した結晶をろ別し、母液を濃縮
し、ヘプタンに溶解して、シリカゲルカラムクロマトグ
ラフイーにより精製してトランス−1−(2−メトキシ
−1−エテニル)−4−(4−シアノフエニル)シクロ
ヘキサン39.8g(0.165mol)を得た。その全量にテトラ
ヒドロフラン500mlおよび2N−塩酸120mlを加えて、1時
間撹拌下に加熱還流した後冷却した。反応液にトルエン
300mlおよび水1を加えて洗浄した。このトルエン溶
液を水1で3回分液洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾
燥した。乾燥剤を分離後トルエンを留去して、トランス
−4−(4−シアノフエニル)シクロヘキシルアセトア
ルデヒド(VII)35.4g(0.156mol)を得た。
−シアノフエニル)シクロヘキサン((I)式でn=1
のもの、即ち(2))の調製 (i)トランス−4−(4−シアノフエニル)シクロヘ
キシルアセトアルデヒド(VII)の調製 市販のメトキシメチルトリフエニルホスホニウムクロ
ライド127.5g(0.372mol)をメチル−t−ブチルエーテ
ル1に加え、アルゴン雰囲気中で撹拌下に−10℃にて
10分間でカリウム−t−ブトキシド43.1g(0.384mol)
を添加した。反応液を1時間、0℃にて撹拌後、−10℃
にて実施例1(i)で得られたトランス−4−(4−シ
アノフエニル)シクロヘキシルカルボアルデヒド(V)
44.1g(0.207mol)のメチル−t−ブチルエーテル200ml
溶液を−10℃にて15分間で滴下した。反応液を0℃で1
時間撹拌後トルエン0.3および水0.3を加えた。この
トルエン溶液を水0.3で4回分液洗浄し、無水硫酸ナ
トリウムにて乾燥した。乾燥剤を分離後、トルエンを留
去して得られた残渣を酢酸エチル100mlに加熱溶解し1
日室温に静置した。析出した結晶をろ別し、母液を濃縮
し、ヘプタンに溶解して、シリカゲルカラムクロマトグ
ラフイーにより精製してトランス−1−(2−メトキシ
−1−エテニル)−4−(4−シアノフエニル)シクロ
ヘキサン39.8g(0.165mol)を得た。その全量にテトラ
ヒドロフラン500mlおよび2N−塩酸120mlを加えて、1時
間撹拌下に加熱還流した後冷却した。反応液にトルエン
300mlおよび水1を加えて洗浄した。このトルエン溶
液を水1で3回分液洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾
燥した。乾燥剤を分離後トルエンを留去して、トランス
−4−(4−シアノフエニル)シクロヘキシルアセトア
ルデヒド(VII)35.4g(0.156mol)を得た。
(ii)表題化合物の調製 (i)で得られたトランス−4−(4−シアノフエニ
ル)シクロヘキシルアセトアルデヒド(VII)を原料と
して実施例1の(ii)に準じた方法により表題化合物を
得た。
ル)シクロヘキシルアセトアルデヒド(VII)を原料と
して実施例1の(ii)に準じた方法により表題化合物を
得た。
この化合物の融点は57.2℃であつた。
実施例3 トランス−1−(3,3−ジフルオロプロピル)−4−
(4−シアノフエニル)シクロヘキサン((I)式でn
=2のもの、即ち(3))の調製 (i)3−〔トランス−4−(4−シアノフエニル)シ
クロヘキシル〕−1−プロパナールの調製 市販のメトキシメチルトリフエニルホスホニウムクロ
ライド15.7g(0.0458mol)をテトラヒドロフラン100ml
に加え、アルゴン雰囲気中で撹拌下に−10℃にて、25重
量%のフエニルリチウムのトルエン溶液23mlを10分間で
滴下した。反応液を0℃で30分間撹拌後、−10℃にて、
実施例2(i)で得られたトランス−4−(4−シアノ
フエニル)シクロヘキシルアセトアルデヒド(VII)7.3
g(0.032mol)のテトラヒドロフラン90ml溶液を−10℃
にて10分間で滴下した。反応液を0℃で2時間撹拌後ト
ルエン100mlおよび水200mlを加えて洗浄する。このトル
エン溶液を水200mlで3回分液洗浄後、無水硫酸ナトリ
ウムにて乾燥した。乾燥剤を分離後、トルエンを留去し
て得られた残渣を酢酸エチル20mlに加熱溶解し1日室温
にて静置した。析出した結晶をろ別し、母液を濃縮して
ヘプタンに溶解し、シリカゲルカラムクロマトグラフイ
ーにより精製してトランス−1−(3−メトキシ−2−
プロペニル)−4−(4−シアノフエニル)シクロヘキ
サン4.4g(0.017mol)を得た。その全量にテトラヒドロ
フラン70mlおよび2N−塩酸18mlを加えて、1時間、撹拌
下に加熱還流後、冷却した。反応液にジエチルエーテル
50mlおよび水50mlを加えた。このジエチルエーテル溶液
を水50mlで3回分液洗浄し、無水硫酸ナトリウムにて乾
燥した。乾燥剤を分離後ジエチルエーテルを留去して、
3−〔トランス−4−(4−シアノフエニル)シクロヘ
キシル〕−1−プロパナール4.2g(0.017mol)を得た。
(4−シアノフエニル)シクロヘキサン((I)式でn
=2のもの、即ち(3))の調製 (i)3−〔トランス−4−(4−シアノフエニル)シ
クロヘキシル〕−1−プロパナールの調製 市販のメトキシメチルトリフエニルホスホニウムクロ
ライド15.7g(0.0458mol)をテトラヒドロフラン100ml
に加え、アルゴン雰囲気中で撹拌下に−10℃にて、25重
量%のフエニルリチウムのトルエン溶液23mlを10分間で
滴下した。反応液を0℃で30分間撹拌後、−10℃にて、
実施例2(i)で得られたトランス−4−(4−シアノ
フエニル)シクロヘキシルアセトアルデヒド(VII)7.3
g(0.032mol)のテトラヒドロフラン90ml溶液を−10℃
にて10分間で滴下した。反応液を0℃で2時間撹拌後ト
ルエン100mlおよび水200mlを加えて洗浄する。このトル
エン溶液を水200mlで3回分液洗浄後、無水硫酸ナトリ
ウムにて乾燥した。乾燥剤を分離後、トルエンを留去し
て得られた残渣を酢酸エチル20mlに加熱溶解し1日室温
にて静置した。析出した結晶をろ別し、母液を濃縮して
ヘプタンに溶解し、シリカゲルカラムクロマトグラフイ
ーにより精製してトランス−1−(3−メトキシ−2−
プロペニル)−4−(4−シアノフエニル)シクロヘキ
サン4.4g(0.017mol)を得た。その全量にテトラヒドロ
フラン70mlおよび2N−塩酸18mlを加えて、1時間、撹拌
下に加熱還流後、冷却した。反応液にジエチルエーテル
50mlおよび水50mlを加えた。このジエチルエーテル溶液
を水50mlで3回分液洗浄し、無水硫酸ナトリウムにて乾
燥した。乾燥剤を分離後ジエチルエーテルを留去して、
3−〔トランス−4−(4−シアノフエニル)シクロヘ
キシル〕−1−プロパナール4.2g(0.017mol)を得た。
(ii)表題化合物の調製 (i)で得られた3−〔トランス−4−(4−シアノ
フエニル)シクロヘキシル〕−1−プロパナールを原料
として実施例1の(ii)に準じた方法により表題化合物
を得た。
フエニル)シクロヘキシル〕−1−プロパナールを原料
として実施例1の(ii)に準じた方法により表題化合物
を得た。
この化合物の融点は40.7℃、NI点は9.7℃であつた。
実施例4 トランス−1−(4,4−ジフルオロブチル)−4−(4
−シアノフエニル)シクロヘキサン((I)式でn=3
のもの、即ち(4))の調製 (i)4−〔トランス−4−(4−シアノフエニル)シ
クロヘキシル〕−1−ブタナールの調製 市販のメトキシメチルトリフエニルホスホニウムクロ
ライド257g(0.75mol)をテトラヒドロフラン500mlに加
え、アルゴン雰囲気中で撹拌下に−10℃にて、40分間で
カリウム−t−ブトキシド84.2g(0.75mol)を添加し
た。反応液を1時間、0℃にて撹拌後、−10℃にて、実
施例3(i)の方法で得られる3−〔トランス−4−
(4−シアノフエニル)シクロヘキシル〕−1−プロパ
ナール121g(0.50mol)のテトラヒドロフラン400ml溶液
を−10℃にて1時間で滴下した。反応液を0℃で1時間
撹拌後さらに20℃にて、2時間撹拌した。反応液に0℃
にてトルエン1及び水1を加えた。このトルエン溶
液を水1で4回分液洗浄し、無水硫酸マグネシウムに
て乾燥した。乾燥剤を分離後、トルエンを留去して得ら
れた残渣をヘプタンを溶離液として、シリカゲルカラム
クロマトグラフイーにより精製してトランス−1−(4
−メトキシ−3−ブテニル)−4−(4−シアノフエニ
ル)シクロヘキサン110.8g(0.41mol)を得た。その全
量にテトラヒドロフラン1.5および2N−塩酸0.4を加
えて1時間、撹拌下に加熱還流し、冷却後、反応液にジ
エチルエーテル0.5及び水1を加えた。このジエチ
ルエーテル溶液を水0.5で3回分液洗浄し、無水硫酸
マグネシウムにて乾燥した。乾燥剤を分離後、減圧下に
濃縮して120gの残渣を得た。これをヘプタン:酢酸エチ
ル(3:1)の混合溶媒で再結晶して、4−〔トランス−
4−(4−シアノフエニル)シクロヘキシル〕−1−ブ
タナール93.0g(0.36mol)を得た。
−シアノフエニル)シクロヘキサン((I)式でn=3
のもの、即ち(4))の調製 (i)4−〔トランス−4−(4−シアノフエニル)シ
クロヘキシル〕−1−ブタナールの調製 市販のメトキシメチルトリフエニルホスホニウムクロ
ライド257g(0.75mol)をテトラヒドロフラン500mlに加
え、アルゴン雰囲気中で撹拌下に−10℃にて、40分間で
カリウム−t−ブトキシド84.2g(0.75mol)を添加し
た。反応液を1時間、0℃にて撹拌後、−10℃にて、実
施例3(i)の方法で得られる3−〔トランス−4−
(4−シアノフエニル)シクロヘキシル〕−1−プロパ
ナール121g(0.50mol)のテトラヒドロフラン400ml溶液
を−10℃にて1時間で滴下した。反応液を0℃で1時間
撹拌後さらに20℃にて、2時間撹拌した。反応液に0℃
にてトルエン1及び水1を加えた。このトルエン溶
液を水1で4回分液洗浄し、無水硫酸マグネシウムに
て乾燥した。乾燥剤を分離後、トルエンを留去して得ら
れた残渣をヘプタンを溶離液として、シリカゲルカラム
クロマトグラフイーにより精製してトランス−1−(4
−メトキシ−3−ブテニル)−4−(4−シアノフエニ
ル)シクロヘキサン110.8g(0.41mol)を得た。その全
量にテトラヒドロフラン1.5および2N−塩酸0.4を加
えて1時間、撹拌下に加熱還流し、冷却後、反応液にジ
エチルエーテル0.5及び水1を加えた。このジエチ
ルエーテル溶液を水0.5で3回分液洗浄し、無水硫酸
マグネシウムにて乾燥した。乾燥剤を分離後、減圧下に
濃縮して120gの残渣を得た。これをヘプタン:酢酸エチ
ル(3:1)の混合溶媒で再結晶して、4−〔トランス−
4−(4−シアノフエニル)シクロヘキシル〕−1−ブ
タナール93.0g(0.36mol)を得た。
(ii)表題化合物の調製 (i)で得られた4−〔トランス−4−(4−シアノ
フエニル)シクロヘキシル〕−1−ブタナールを原料と
して実施例1の(ii)に準じた方法により表題化合物を
得た。
フエニル)シクロヘキシル〕−1−ブタナールを原料と
して実施例1の(ii)に準じた方法により表題化合物を
得た。
この化合物の融点は47.5℃、NI点は15.2℃であつた。
実施例5 トランス−1−(5,5−ジフルオロペンチル)−4−
(4−シアノフエニル)シクロヘキサン((I)式でn
=4のもの、即ち(5))の調製 (i)5−〔トランス−4−(4−シアノフエニル)シ
クロヘキシル〕−1−ペンタナールの調製 市販のメトキシメチルトリフエニルホスホニウムクロ
ライド120.8g(0.35mol)をテトラヒドロフラン400mlに
加え、アルゴン雰囲気中で撹拌下に−10℃にて20分間で
カリウム−t−ブトキシド39.5g(0.35mol)を添加し
た。反応液を1時間0℃にて撹拌後、−10℃にて、実施
例4の(i)の方法で得た4−〔トランス−4−(4−
シアノフエニル)シクロヘキシル〕−1−ブタナール6
0.0g(0.23mol)のテトラヒドロフラン300ml溶液を−10
℃にて1時間で滴下した。反応液を0℃で1時間撹拌
後、さらに20℃にて2時間撹拌した。反応液に0℃にて
トルエン1及び水1を加えた。このトルエン溶液を
水1で4回分液洗浄し、無水硫酸マグネシウムにて乾
燥した。乾燥剤を分離後トルエンを留去して得られた残
渣をヘプタンを溶離液としてシリカゲルカラムクロマト
グラフイーにより精製して、トランス−1−(5−メト
キシ−4−ペンテニル)−4−(4−シアノフエニル)
シクロヘキサン52.6g(0.19mol)を得た。
(4−シアノフエニル)シクロヘキサン((I)式でn
=4のもの、即ち(5))の調製 (i)5−〔トランス−4−(4−シアノフエニル)シ
クロヘキシル〕−1−ペンタナールの調製 市販のメトキシメチルトリフエニルホスホニウムクロ
ライド120.8g(0.35mol)をテトラヒドロフラン400mlに
加え、アルゴン雰囲気中で撹拌下に−10℃にて20分間で
カリウム−t−ブトキシド39.5g(0.35mol)を添加し
た。反応液を1時間0℃にて撹拌後、−10℃にて、実施
例4の(i)の方法で得た4−〔トランス−4−(4−
シアノフエニル)シクロヘキシル〕−1−ブタナール6
0.0g(0.23mol)のテトラヒドロフラン300ml溶液を−10
℃にて1時間で滴下した。反応液を0℃で1時間撹拌
後、さらに20℃にて2時間撹拌した。反応液に0℃にて
トルエン1及び水1を加えた。このトルエン溶液を
水1で4回分液洗浄し、無水硫酸マグネシウムにて乾
燥した。乾燥剤を分離後トルエンを留去して得られた残
渣をヘプタンを溶離液としてシリカゲルカラムクロマト
グラフイーにより精製して、トランス−1−(5−メト
キシ−4−ペンテニル)−4−(4−シアノフエニル)
シクロヘキサン52.6g(0.19mol)を得た。
その全量にテトラヒドロフラン750mlおよび2N−塩酸1
90mlを加えて、1時間、撹拌下に加熱還流後冷却した。
反応液にジエチルエーテル0.5及び水1を加えた。
このジエチルエーテル溶液を水0.5で3回分液洗浄
し、無水硫酸マグネシウムにて乾燥した。乾燥剤を分離
後減圧下に濃縮して50gの残渣を得た。これをヘプタ
ン:酢酸エチル(3:1)の混合溶媒で再結晶して、乾燥
して、5−〔トランス−4−(4−シアノフエニル)シ
クロヘキシル〕−1−ペンタナール43.1g(0.16mol)を
得た。
90mlを加えて、1時間、撹拌下に加熱還流後冷却した。
反応液にジエチルエーテル0.5及び水1を加えた。
このジエチルエーテル溶液を水0.5で3回分液洗浄
し、無水硫酸マグネシウムにて乾燥した。乾燥剤を分離
後減圧下に濃縮して50gの残渣を得た。これをヘプタ
ン:酢酸エチル(3:1)の混合溶媒で再結晶して、乾燥
して、5−〔トランス−4−(4−シアノフエニル)シ
クロヘキシル〕−1−ペンタナール43.1g(0.16mol)を
得た。
(ii)表題化合物の調製 (i)で得られた5−〔トランス−4−(4−シアノ
フエニル)シクロヘキシル〕−1−ペンタナールを原料
として実施例1の(ii)に準じた方法により表題化合物
を得た。
フエニル)シクロヘキシル〕−1−ペンタナールを原料
として実施例1の(ii)に準じた方法により表題化合物
を得た。
この化合物のCN点は29.0℃、NI点は34.3℃であつた。
実施例6(使用例1) からなる液晶組成物AのNI点は72.0℃、20℃に於ける粘
度η20は27.5cp、Δεは11.0(ε11=15.7、ε⊥=4.
7)、Δnは0.137であり、これをセル厚9μmのTNセル
に封入したもののしきい値電圧は1.83Vであつた。この
液晶組成物A85重量部に実施例1で得られたトランス−
1−ジフルオロメチル−4−(4−シアノフエニル)シ
クロヘキサンを15重量部加えた液晶組成物のNI点は56.4
℃、η20は31.3cp、Δεは10.4(ε11=15.5、ε⊥=5.
1)となり、Δnは0.130と減少した。この組成物を前述
のものと同じ9μm厚のTNセルに封入したもののしきい
値電圧は1.59Vであり著しい駆動電圧を下げる効果があ
つた。
度η20は27.5cp、Δεは11.0(ε11=15.7、ε⊥=4.
7)、Δnは0.137であり、これをセル厚9μmのTNセル
に封入したもののしきい値電圧は1.83Vであつた。この
液晶組成物A85重量部に実施例1で得られたトランス−
1−ジフルオロメチル−4−(4−シアノフエニル)シ
クロヘキサンを15重量部加えた液晶組成物のNI点は56.4
℃、η20は31.3cp、Δεは10.4(ε11=15.5、ε⊥=5.
1)となり、Δnは0.130と減少した。この組成物を前述
のものと同じ9μm厚のTNセルに封入したもののしきい
値電圧は1.59Vであり著しい駆動電圧を下げる効果があ
つた。
実施例7〜10(使用例2〜5) 実施例6で使用したネマチツク液晶組成物A85重量部
に実施例2〜5で得られた(I)式の化合物を各々15重
量部加えた液晶組成物を調製した。得られた組成物のNI
点、η20、Δn、Δεおよびしきい値電圧を先の実施例
6の結果とともに表1に示した。
に実施例2〜5で得られた(I)式の化合物を各々15重
量部加えた液晶組成物を調製した。得られた組成物のNI
点、η20、Δn、Δεおよびしきい値電圧を先の実施例
6の結果とともに表1に示した。
以上の如く、本発明の(I)式の化合物を液晶の成分
として使用することにより、Δnが小さく、駆動電圧が
低い等の好適な特性を有する液晶組成物が得られる。
として使用することにより、Δnが小さく、駆動電圧が
低い等の好適な特性を有する液晶組成物が得られる。
(発明の作用及び効果) 本発明の(I)式の化合物は液晶性化合物である。さ
らに、本発明の化合物はΔnが小さい化合物であり、視
角の広い液晶表示素子を作成するのに好適な化合物であ
る。又、本発明の化合物のΔεは正に大きく、液晶表示
装置の駆動電圧の低い液晶組成物を調製するのに好適な
化合物である。
らに、本発明の化合物はΔnが小さい化合物であり、視
角の広い液晶表示素子を作成するのに好適な化合物であ
る。又、本発明の化合物のΔεは正に大きく、液晶表示
装置の駆動電圧の低い液晶組成物を調製するのに好適な
化合物である。
本発明の化合物は、又、液晶表示材料に必要な、熱、
光、電気、空気、水分等に対する安定性を有し、既存の
他の液晶性化合物、例えば、エステル系、シツフ系、エ
タン系、アセチレン系、アゾキシ系、ビフエニル系、シ
クロヘキサン系、ピリミジン系、ピリジン系等の液晶化
合物との相溶性が優れているのでそれらの化合物また
は、それらの混合物と混合することにより、種々の用途
に適した液晶材料とすることができる。
光、電気、空気、水分等に対する安定性を有し、既存の
他の液晶性化合物、例えば、エステル系、シツフ系、エ
タン系、アセチレン系、アゾキシ系、ビフエニル系、シ
クロヘキサン系、ピリミジン系、ピリジン系等の液晶化
合物との相溶性が優れているのでそれらの化合物また
は、それらの混合物と混合することにより、種々の用途
に適した液晶材料とすることができる。
Claims (3)
- 【請求項1】一般式 (式中、nは0〜20の整数である) で表わされる化合物。
- 【請求項2】請求項1記載の(I)式に於いてnが0〜
7の整数である化合物。 - 【請求項3】請求項1記載の(I)式の化合物を少なく
とも1種含有する液晶組成物。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1094141A JP2646262B2 (ja) | 1989-04-13 | 1989-04-13 | ジフルオロアルキルシクロヘキシルベンゾニトリル誘導体 |
EP90106958A EP0392515B1 (en) | 1989-04-13 | 1990-04-11 | A difluoroalkylcyclohexyl-benzonitrile derivative |
DE69007317T DE69007317T2 (de) | 1989-04-13 | 1990-04-11 | Difluoroalkylcyclohexyl-benzonitril Derivate. |
US07/508,415 US5053162A (en) | 1989-04-13 | 1990-04-13 | Difluoroalkylcyclohexylbenzonitrile derivative |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1094141A JP2646262B2 (ja) | 1989-04-13 | 1989-04-13 | ジフルオロアルキルシクロヘキシルベンゾニトリル誘導体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02270853A JPH02270853A (ja) | 1990-11-05 |
JP2646262B2 true JP2646262B2 (ja) | 1997-08-27 |
Family
ID=14102107
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1094141A Expired - Lifetime JP2646262B2 (ja) | 1989-04-13 | 1989-04-13 | ジフルオロアルキルシクロヘキシルベンゾニトリル誘導体 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5053162A (ja) |
EP (1) | EP0392515B1 (ja) |
JP (1) | JP2646262B2 (ja) |
DE (1) | DE69007317T2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE59209827D1 (de) * | 1991-02-12 | 2000-05-25 | Merck Patent Gmbh | Flüssigkristalline verbindungen |
US20110113533A1 (en) * | 2009-11-19 | 2011-05-19 | Manuel Guillen | Sports/swimming head protection device |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2636684C3 (de) * | 1976-08-14 | 1980-06-19 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Phenylcyclohexanderivate und ihre Verwendung in flüssigkristallinen Dielektrika |
DE3332692A1 (de) * | 1983-09-10 | 1985-03-28 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Anisotrope verbindungen und fluessigkristallmischungen |
DE3437935A1 (de) * | 1984-10-17 | 1986-04-24 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Heterocyclische verbindungen |
CA1336441C (en) * | 1987-12-28 | 1995-07-25 | Manabu Uchida | Liquid crystal composition |
JPH01216967A (ja) * | 1988-02-26 | 1989-08-30 | Chisso Corp | 液晶化合物 |
-
1989
- 1989-04-13 JP JP1094141A patent/JP2646262B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-04-11 EP EP90106958A patent/EP0392515B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-04-11 DE DE69007317T patent/DE69007317T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-04-13 US US07/508,415 patent/US5053162A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5053162A (en) | 1991-10-01 |
JPH02270853A (ja) | 1990-11-05 |
DE69007317T2 (de) | 1994-07-14 |
DE69007317D1 (de) | 1994-04-21 |
EP0392515B1 (en) | 1994-03-16 |
EP0392515A1 (en) | 1990-10-17 |
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