JP2641002B2 - ジフェニルスルホン化合物 - Google Patents
ジフェニルスルホン化合物Info
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- JP2641002B2 JP2641002B2 JP4000715A JP71592A JP2641002B2 JP 2641002 B2 JP2641002 B2 JP 2641002B2 JP 4000715 A JP4000715 A JP 4000715A JP 71592 A JP71592 A JP 71592A JP 2641002 B2 JP2641002 B2 JP 2641002B2
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Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子供与性無色染料と
電子受容性化合物を使用した記録材料、例えば感圧記録
材料、感熱記録材料用の電子受容性化合物として有用な
3,3′−ジフェニル−4−ヒドロキシ−4′−置換ヒ
ドロキシジフェニルスルホン化合物に関する。
電子受容性化合物を使用した記録材料、例えば感圧記録
材料、感熱記録材料用の電子受容性化合物として有用な
3,3′−ジフェニル−4−ヒドロキシ−4′−置換ヒ
ドロキシジフェニルスルホン化合物に関する。
【0002】
【従来の技術】感圧記録材料、感熱記録材料用の電子受
容性化合物としてフェノール性化合物は各種知られてい
るが、何れも発色濃度、発色感度、未印字部保存性、印
字部保存性(耐候性、耐薬品性等)等に於いて幾つかの
欠点を有していた。例えば、特公平3−54655号に
開示されている4−イソプロポキシ−4′−ヒドロキシ
ジフェニルスルホンを感熱記録紙に用いた場合、高い発
色濃度、感度を示すが、マジック、蛍光ペン等で筆記す
る事により未印字部が発色したり、印字した画像が消え
てしまう等、耐薬品性が不十分であった。
容性化合物としてフェノール性化合物は各種知られてい
るが、何れも発色濃度、発色感度、未印字部保存性、印
字部保存性(耐候性、耐薬品性等)等に於いて幾つかの
欠点を有していた。例えば、特公平3−54655号に
開示されている4−イソプロポキシ−4′−ヒドロキシ
ジフェニルスルホンを感熱記録紙に用いた場合、高い発
色濃度、感度を示すが、マジック、蛍光ペン等で筆記す
る事により未印字部が発色したり、印字した画像が消え
てしまう等、耐薬品性が不十分であった。
【0003】また特開平2−266981号に開示され
ているビス−(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニ
ル)スルホンを感熱記録紙に用ると発色感度が低く、マ
ジック、蛍光ペン等で筆記する事により画像の消色は示
さないが未印字部が発色し、ハンドクリーム等が付着す
ると、たちまち画像が消色する等、発色感度、耐薬品性
が不十分であった。
ているビス−(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニ
ル)スルホンを感熱記録紙に用ると発色感度が低く、マ
ジック、蛍光ペン等で筆記する事により画像の消色は示
さないが未印字部が発色し、ハンドクリーム等が付着す
ると、たちまち画像が消色する等、発色感度、耐薬品性
が不十分であった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、発色濃度、
発色感度、未印字部保存性、印字部保存性(耐候性、耐
薬品性等)等を同時に満足するフェノール性化合物を提
供する事である。
発色感度、未印字部保存性、印字部保存性(耐候性、耐
薬品性等)等を同時に満足するフェノール性化合物を提
供する事である。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記課題は、フェノール
性化合物として、下記一般式(1)で表される、3,
3′−ジフェニル−4−ヒドロキシ−4′−置換ヒドロ
キシジフェニルスルホン化合物により達成された。 一般式(1)
性化合物として、下記一般式(1)で表される、3,
3′−ジフェニル−4−ヒドロキシ−4′−置換ヒドロ
キシジフェニルスルホン化合物により達成された。 一般式(1)
【0006】
【化2】
【0007】式中、Rはアルコキシ基、アリール基、ま
たはアリールオキシ基で置換されていてもよいアルキル
基を表す。
たはアリールオキシ基で置換されていてもよいアルキル
基を表す。
【0008】Rで表されるアルキル基は直鎖でも分岐で
も、環を形成していてもよく、炭素数1〜25の基が好
ましく、中でも炭素数1〜18の基が好ましい。特に
は、メチル基、エチル基、ノルマルプロピル基、イソプ
ロピル基、ノルマルブチル基、イソブチル基、セカンダ
リーブチル基、ノルマルアミル基、イソアミル基、ノル
マルヘキシル基、シクロヘキシル基、ノルマルヘプチル
基、ノルマルオクチル基、ノルマルノニル基、ノルマル
デシル基、ラウリル基、ステアリル基、が好ましい。
も、環を形成していてもよく、炭素数1〜25の基が好
ましく、中でも炭素数1〜18の基が好ましい。特に
は、メチル基、エチル基、ノルマルプロピル基、イソプ
ロピル基、ノルマルブチル基、イソブチル基、セカンダ
リーブチル基、ノルマルアミル基、イソアミル基、ノル
マルヘキシル基、シクロヘキシル基、ノルマルヘプチル
基、ノルマルオクチル基、ノルマルノニル基、ノルマル
デシル基、ラウリル基、ステアリル基、が好ましい。
【0009】Rで表されるアルキル基に置換していても
よいアルコキシ基としては、直鎖でも分岐でも、環を形
成していてもよく、炭素数1〜10の基が好ましく、中
でも炭素数1〜6の基が好ましい。特には、メトキシ
基、エトキシ基、ノルマルプロポキシ基、イソプロポキ
シ基、ノルマルブトキシ基、イソブトキシ基、セカンダ
リーブトキシ基、ノルマルアミルオキシ基、イソアミル
オキシ基、ノルマルヘキシルオキシ基、シクロヘキシル
オキシ基が好ましい。
よいアルコキシ基としては、直鎖でも分岐でも、環を形
成していてもよく、炭素数1〜10の基が好ましく、中
でも炭素数1〜6の基が好ましい。特には、メトキシ
基、エトキシ基、ノルマルプロポキシ基、イソプロポキ
シ基、ノルマルブトキシ基、イソブトキシ基、セカンダ
リーブトキシ基、ノルマルアミルオキシ基、イソアミル
オキシ基、ノルマルヘキシルオキシ基、シクロヘキシル
オキシ基が好ましい。
【0010】Rで表されるアルキル基に置換してもよい
アリール基としては、炭素数6〜14の基が好ましく、
この炭素数とは別に芳香環上に更に置換基を有していて
もよい。アリール基として特には、フェニル基、ナフチ
ル基、アントラセニル基が好ましい。芳香環上に有して
いてもよい置換基としてはアルキル基、アルコキシ基、
アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子が好まし
く、特には、メチル基、エチル基、ノルマルプロピル
基、イソプロピル基、ノルマルブチル基、イソブチル
基、ノルマルアミル基、イソアミル基、ノルマルヘキシ
ル基、メトキシ基、エトキシ基、ノルマルプロポキシ
基、イソプロポキシ基、ノルマルブトキシ基、イソブト
キシ基、セカンダリーブトキシ基、ノルマルアミルオキ
シ基、イソアミルオキシ基、フェニル基、フェノキシ
基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子が好ましい。
アリール基としては、炭素数6〜14の基が好ましく、
この炭素数とは別に芳香環上に更に置換基を有していて
もよい。アリール基として特には、フェニル基、ナフチ
ル基、アントラセニル基が好ましい。芳香環上に有して
いてもよい置換基としてはアルキル基、アルコキシ基、
アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子が好まし
く、特には、メチル基、エチル基、ノルマルプロピル
基、イソプロピル基、ノルマルブチル基、イソブチル
基、ノルマルアミル基、イソアミル基、ノルマルヘキシ
ル基、メトキシ基、エトキシ基、ノルマルプロポキシ
基、イソプロポキシ基、ノルマルブトキシ基、イソブト
キシ基、セカンダリーブトキシ基、ノルマルアミルオキ
シ基、イソアミルオキシ基、フェニル基、フェノキシ
基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子が好ましい。
【0011】Rで表されるアルキル基に置換してもよい
アリールオキシ基としては、炭素数6〜10の基が好ま
しく、この炭素数とは別に芳香環上に更に置換基を有し
ていてもよい。アリールオキシ基として特には、フェニ
ルオキシ基、ナフチルオキシ基が好ましい。芳香環上に
有していてもよい置換基としてはアルキル基、アルコキ
シ基、アラルキルオキシ基、アリール基、アリールオキ
シ基、ハロゲン原子が好ましく、特には、メチル基、エ
チル基、ノルマルプロピル基、イソプロピル基、ノルマ
ルブチル基、イソブチル基、ノルマルアミル基、イソア
ミル基、ノルマルヘキシル基、シクロヘキシル基、メト
キシ基、エトキシ基、ノルマルプロポキシ基、イソプロ
ポキシ基、ノルマルブトキシ基、イソブトキシ基、セカ
ンダリーブトキシ基、ノルマルアミルオキシ基、イソア
ミルオキシ基、フェニル基、クミル基、ベンジルオキシ
基、フェニルオキシ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原
子が好ましい。
アリールオキシ基としては、炭素数6〜10の基が好ま
しく、この炭素数とは別に芳香環上に更に置換基を有し
ていてもよい。アリールオキシ基として特には、フェニ
ルオキシ基、ナフチルオキシ基が好ましい。芳香環上に
有していてもよい置換基としてはアルキル基、アルコキ
シ基、アラルキルオキシ基、アリール基、アリールオキ
シ基、ハロゲン原子が好ましく、特には、メチル基、エ
チル基、ノルマルプロピル基、イソプロピル基、ノルマ
ルブチル基、イソブチル基、ノルマルアミル基、イソア
ミル基、ノルマルヘキシル基、シクロヘキシル基、メト
キシ基、エトキシ基、ノルマルプロポキシ基、イソプロ
ポキシ基、ノルマルブトキシ基、イソブトキシ基、セカ
ンダリーブトキシ基、ノルマルアミルオキシ基、イソア
ミルオキシ基、フェニル基、クミル基、ベンジルオキシ
基、フェニルオキシ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原
子が好ましい。
【0012】一般式(1)で表される化合物の具体例を
以下に示すが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。
以下に示すが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。
【0013】
【化3】
【0014】
【化4】
【0015】
【化5】
【0016】
【化6】
【0017】
【化7】
【0018】
【化8】
【0019】
【化9】
【0020】
【化10】
【0021】
【化11】
【0022】本発明の化合物は、既知の合成法を参考に
して容易に合成できる。例えば、ビス−(3−フェニル
−4−ヒドロキシフェニル)スルホンを無溶媒或いは、
水、アルコール等のプロトン性溶媒、ジメチルホルムア
ミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等
の非プロトン性溶媒、アセトニトリル、酢酸エチル、ア
セトン、トルエン等の極性溶媒、ヘキサン、ベンゼン、
エーテル等の非極性溶媒、ジクロロメタン、クロロホル
ム等の含ハロゲン溶媒、又はこれらの混合溶媒中(二層
系でもよい)、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭
酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭
酸水素カリウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウ
ム等の結合剤の存在下、添加剤無し、又は四級アンモニ
ウム塩、ハロゲン化アルカリ等の添加剤を加えて、対応
するアルキル基、アラルキル基、アリールオキシアルキ
ル基のハロゲン化物、パラトルエンスルホン酸エステ
ル、硫酸エステル等と0〜150℃で0.5〜24時間
反応させる。次いで、反応混合物を氷水中にあけ、有機
溶剤で分液操作をして抽出するか、再結晶又はシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーにより精製して目的の化合
物を得ることが出来る。
して容易に合成できる。例えば、ビス−(3−フェニル
−4−ヒドロキシフェニル)スルホンを無溶媒或いは、
水、アルコール等のプロトン性溶媒、ジメチルホルムア
ミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等
の非プロトン性溶媒、アセトニトリル、酢酸エチル、ア
セトン、トルエン等の極性溶媒、ヘキサン、ベンゼン、
エーテル等の非極性溶媒、ジクロロメタン、クロロホル
ム等の含ハロゲン溶媒、又はこれらの混合溶媒中(二層
系でもよい)、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭
酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭
酸水素カリウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウ
ム等の結合剤の存在下、添加剤無し、又は四級アンモニ
ウム塩、ハロゲン化アルカリ等の添加剤を加えて、対応
するアルキル基、アラルキル基、アリールオキシアルキ
ル基のハロゲン化物、パラトルエンスルホン酸エステ
ル、硫酸エステル等と0〜150℃で0.5〜24時間
反応させる。次いで、反応混合物を氷水中にあけ、有機
溶剤で分液操作をして抽出するか、再結晶又はシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーにより精製して目的の化合
物を得ることが出来る。
【0023】また別の合成法として例えば、対応する4
−ヒドロキシ−3−フェニルベンゼンスルホニルクロラ
イドのアルキル、アラルキル、アリールオキシアルキル
エーテルとオルトフェニルフェノールとを塩化アルミ、
塩化鉄、塩化亜鉛、硫酸等の結合剤の存在下、無溶媒或
いはジクロロメタン、ジクロロエタン、ニトロベンゼ
ン、二硫化炭素等の溶媒中、−10〜150℃の反応温
度で0.5から24時間反応させ、通常は氷冷した塩酸
で処理し、必要なら再結晶、シリカゲルカラムクロマト
グラフィー等により精製しても目的の化合物を得ること
ができる。
−ヒドロキシ−3−フェニルベンゼンスルホニルクロラ
イドのアルキル、アラルキル、アリールオキシアルキル
エーテルとオルトフェニルフェノールとを塩化アルミ、
塩化鉄、塩化亜鉛、硫酸等の結合剤の存在下、無溶媒或
いはジクロロメタン、ジクロロエタン、ニトロベンゼ
ン、二硫化炭素等の溶媒中、−10〜150℃の反応温
度で0.5から24時間反応させ、通常は氷冷した塩酸
で処理し、必要なら再結晶、シリカゲルカラムクロマト
グラフィー等により精製しても目的の化合物を得ること
ができる。
【0024】
実施例1 具体例(1)の化合物の合成 ジメチルアセトアミド20ml中にビス−(3−フェニ
ル−4−ヒドロキシフェニル)スルホン10g、炭酸カ
リウム4.28g、沃化メチル4.4gを加え40℃で
6時間攪拌した。冷却後、反応混合物を氷水中にあけ食
塩と酢酸エチルを加え一時間攪拌した。酢酸エチル層を
濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精
製して目的の化合物を得た。融点133〜136℃。
ル−4−ヒドロキシフェニル)スルホン10g、炭酸カ
リウム4.28g、沃化メチル4.4gを加え40℃で
6時間攪拌した。冷却後、反応混合物を氷水中にあけ食
塩と酢酸エチルを加え一時間攪拌した。酢酸エチル層を
濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精
製して目的の化合物を得た。融点133〜136℃。
【0025】実施例2 具体例(2)の化合物の合成 メタノール40ml中にビス−(3−フェニル−4−ヒ
ドロキシフェニル)スルホン10g、エチルブロマイド
3.38g、48%NaOHaq2.75gを加え40
℃で6時間攪拌した。冷却後、実施例1と同様に処理し
て目的の化合物を得た。融点169〜172℃。
ドロキシフェニル)スルホン10g、エチルブロマイド
3.38g、48%NaOHaq2.75gを加え40
℃で6時間攪拌した。冷却後、実施例1と同様に処理し
て目的の化合物を得た。融点169〜172℃。
【0026】実施例3 具体例(3)の化合物の合成 水171ml中にビス−(3−フェニル−4−ヒドロキ
シフェニル)スルホン30g、ノルマルプロピルブロマ
イド10.5gを加え50℃で攪拌した。次いで20重
量%炭酸ナトリウム水溶液84.7gを50℃で2時間
かけて滴下した後、70℃で3時間攪拌した。冷却後、
塩酸でpH7.5にし、濾過、水洗、乾燥して粗結晶を
得た。イソプロピルアルコールより再結晶して目的の化
合物を得た。融点172〜175℃。
シフェニル)スルホン30g、ノルマルプロピルブロマ
イド10.5gを加え50℃で攪拌した。次いで20重
量%炭酸ナトリウム水溶液84.7gを50℃で2時間
かけて滴下した後、70℃で3時間攪拌した。冷却後、
塩酸でpH7.5にし、濾過、水洗、乾燥して粗結晶を
得た。イソプロピルアルコールより再結晶して目的の化
合物を得た。融点172〜175℃。
【0027】実施例4 具体例(4)の化合物の合成 ビス−(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)スル
ホン48.2g、イソプロピルブロマイド18.5g及
び炭酸カリウム22.2gをジメチルホルムアミド20
0ml中に加え100〜120℃の温度で4時間攪拌し
た。ジメチルホルムアミドを減圧下に留去し、残留物に
クロロホルム200mlと水200を加えて溶解し、さ
らに少量の硫酸を加えて水層のpHを5.0として分液
した。クロロホルム層を100mlの水で洗浄したの
ち、クロロホルムを留去し、残留物をトルエンで再結晶
して目的の化合物を得た。融点153〜156℃。
ホン48.2g、イソプロピルブロマイド18.5g及
び炭酸カリウム22.2gをジメチルホルムアミド20
0ml中に加え100〜120℃の温度で4時間攪拌し
た。ジメチルホルムアミドを減圧下に留去し、残留物に
クロロホルム200mlと水200を加えて溶解し、さ
らに少量の硫酸を加えて水層のpHを5.0として分液
した。クロロホルム層を100mlの水で洗浄したの
ち、クロロホルムを留去し、残留物をトルエンで再結晶
して目的の化合物を得た。融点153〜156℃。
【0028】実施例5 具体例(9)の化合物の合成 水酸化ナトリウム8g、水25gを入れ、溶解後、ビス
−(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)スルホン
40gを加え加温溶解した。液温を70℃にした後、ノ
ルマルアミルブロマイド16.5gを1時間で滴下し、
更に65〜72℃で12時間攪拌を続けた。反応液にト
ルエンを加え、ジエーテル体をトルエン層に抽出除去し
たあと、水層に酢酸エチルを加えて抽出し、目的物を酢
酸エチル層に抽出した。酢酸エチル層を希塩酸で中和、
水洗後、溶媒を留去して得られた残渣をトルエンから再
結晶して目的の化合物を得た。融点140〜143℃。
−(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)スルホン
40gを加え加温溶解した。液温を70℃にした後、ノ
ルマルアミルブロマイド16.5gを1時間で滴下し、
更に65〜72℃で12時間攪拌を続けた。反応液にト
ルエンを加え、ジエーテル体をトルエン層に抽出除去し
たあと、水層に酢酸エチルを加えて抽出し、目的物を酢
酸エチル層に抽出した。酢酸エチル層を希塩酸で中和、
水洗後、溶媒を留去して得られた残渣をトルエンから再
結晶して目的の化合物を得た。融点140〜143℃。
【0029】実施例6 具体例(11)の化合物の合成 水酸化ナトリム2g、臭化ナトリウム2.0g、水12
g、ビス−(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)
スルホン10gを仕込み、溶解後、ノルマルヘキシルブ
ロマイド16.5gを70℃、1時間で滴下した。実施
例5 と同様に反応、処理して、目的の化合物を得た。融
点138〜141℃。
g、ビス−(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)
スルホン10gを仕込み、溶解後、ノルマルヘキシルブ
ロマイド16.5gを70℃、1時間で滴下した。実施
例5 と同様に反応、処理して、目的の化合物を得た。融
点138〜141℃。
【0030】実施例7〜17 下記、表1に、実施例2と同様の方法で合成した化合物
とその融点を示す。
とその融点を示す。
【0031】
【表1】
【0032】実施例18 具体例(9)の化合物の合成 1,2−ジクロロエタン40ml中に3−フェニル−4
−ノルマルアミルオキシフェニルスルホニルクロライド
9.66g、塩化アルミニウム4.73g、オルトフェ
ニルフェノール4.85gを加え室温で12時間攪拌し
た。反応液を氷と希塩酸の混合物中に注入し有機層を水
で繰り返し洗い、乾燥した。溶媒を留去し残渣をエタノ
ールから再結晶して目的の化合物を得た。融点140〜
143℃。
−ノルマルアミルオキシフェニルスルホニルクロライド
9.66g、塩化アルミニウム4.73g、オルトフェ
ニルフェノール4.85gを加え室温で12時間攪拌し
た。反応液を氷と希塩酸の混合物中に注入し有機層を水
で繰り返し洗い、乾燥した。溶媒を留去し残渣をエタノ
ールから再結晶して目的の化合物を得た。融点140〜
143℃。
Claims (1)
- 【請求項1】下記一般式(1)で表される3,3′−ジ
フェニル−4−ヒドロキシ−4′−置換ヒドロキシジフ
ェニルスルホン化合物。 一般式(1) 【化1】 式中、Rはアルコキシ基、アリール基、またはアリール
オキシ基で置換されていてもよいアルキル基を表す。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4000715A JP2641002B2 (ja) | 1992-01-07 | 1992-01-07 | ジフェニルスルホン化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4000715A JP2641002B2 (ja) | 1992-01-07 | 1992-01-07 | ジフェニルスルホン化合物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05186417A JPH05186417A (ja) | 1993-07-27 |
JP2641002B2 true JP2641002B2 (ja) | 1997-08-13 |
Family
ID=11481460
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4000715A Expired - Fee Related JP2641002B2 (ja) | 1992-01-07 | 1992-01-07 | ジフェニルスルホン化合物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2641002B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000273081A (ja) * | 1999-03-23 | 2000-10-03 | Nippon Soda Co Ltd | ジフェニルスルホン化合物の工業的製造方法 |
US7241924B2 (en) | 1999-03-23 | 2007-07-10 | Nippon Soda Co., Ltd. | Industrial process for the production of diphenyl sulfone compounds |
KR100561896B1 (ko) | 2001-01-22 | 2006-03-16 | 닛뽕소다 가부시키가이샤 | 디페닐술폰화합물의 제조 방법 |
-
1992
- 1992-01-07 JP JP4000715A patent/JP2641002B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH05186417A (ja) | 1993-07-27 |
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