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JP2640698B2 - Automatic wafer cleaning equipment - Google Patents

Automatic wafer cleaning equipment

Info

Publication number
JP2640698B2
JP2640698B2 JP21465491A JP21465491A JP2640698B2 JP 2640698 B2 JP2640698 B2 JP 2640698B2 JP 21465491 A JP21465491 A JP 21465491A JP 21465491 A JP21465491 A JP 21465491A JP 2640698 B2 JP2640698 B2 JP 2640698B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
cleaning
tank
brush
rotating
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP21465491A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH0536667A (en
Inventor
秀雄 工藤
勇雄 内山
隆司 田中島
嘉晴 木村
盛江 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Handotai Co Ltd filed Critical Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority to JP21465491A priority Critical patent/JP2640698B2/en
Priority to US07/920,392 priority patent/US5317778A/en
Priority to DE69203407T priority patent/DE69203407T2/en
Priority to EP92307019A priority patent/EP0526245B1/en
Publication of JPH0536667A publication Critical patent/JPH0536667A/en
Priority to US08/189,679 priority patent/US5547515A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2640698B2 publication Critical patent/JP2640698B2/en
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  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、ウエーハを1枚ずつ自
動的に洗浄する毎葉式の自動洗浄装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an automatic cleaning apparatus of a leaf type for automatically cleaning wafers one by one.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体素子製造において、半導体ウエー
ハの表面に付着した不純物は半導体素子の性能に悪影響
を及ぼす。
2. Description of the Related Art In the manufacture of semiconductor devices, impurities adhering to the surface of a semiconductor wafer adversely affect the performance of the semiconductor device.

【0003】そこで、半導体ウエーハの製造工程の中に
は洗浄工程が含まれており、この洗浄工程ではウエーハ
が種々の方法によって洗浄されるが、ウエーハの洗浄方
法には大別して物理的洗浄方法と化学的洗浄方法とがあ
る。
[0003] Therefore, the manufacturing process of a semiconductor wafer includes a cleaning process. In this cleaning process, the wafer is cleaned by various methods. The method of cleaning a wafer is roughly classified into a physical cleaning method. There is a chemical cleaning method.

【0004】上記前者の物理的洗浄方法としては、洗浄
ブラシ等を用いてウエーハ表面に付着した不純物を直接
除去する方法、噴射ノズルから加圧流体をウエーハの一
部又は全体に向けて噴射し、これによって不純物を除去
する方法、ウエーハを液中に浸漬してこれに超音波を当
てて該ウエーハに付着した不純物を除去する方法(超音
波洗浄法)等がある。
[0004] As the former physical cleaning method, a method of directly removing impurities adhered to the wafer surface using a cleaning brush or the like, a method in which a pressurized fluid is jetted from a jet nozzle toward a part or the whole of the wafer, Thus, there are a method of removing impurities, a method of immersing a wafer in a liquid and applying ultrasonic waves to the wafer to remove impurities attached to the wafer (ultrasonic cleaning method), and the like.

【0005】又、前記後者の化学的洗浄方法としては、
種々の薬剤、酵素等によってウエーハ表面に付着した不
純物を化学的に分解除去する方法等がある。尚、物理的
洗浄方法と化学的洗浄方法が併用されることもある。
[0005] The latter chemical cleaning methods include:
There is a method of chemically decomposing and removing impurities attached to the wafer surface by various chemicals, enzymes and the like. Incidentally, a physical cleaning method and a chemical cleaning method may be used in combination.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体の製
造分野においては、近年の半導体デバイスの高集積化の
傾向に伴って半導体ウエーハが大口径化し、複数枚のウ
エーハをキャリアに収容して洗浄する従来の方式によれ
ば、多大な労力を要する。
In the field of semiconductor manufacturing, semiconductor wafers have become larger in diameter with the recent trend toward higher integration of semiconductor devices, and a plurality of wafers are accommodated in a carrier for cleaning. According to the conventional method, a great deal of labor is required.

【0007】又、ウエーハをキャリアに収容して運搬す
る方式を採ると、ウエーハとキャリアとの接触等によっ
てウエーハにパーティクル等が付着してウエーハが汚染
されるという問題も生じる。
[0007] In addition, if a method is adopted in which a wafer is accommodated in a carrier and transported, there is also a problem that particles or the like adhere to the wafer due to contact between the wafer and the carrier and the wafer is contaminated.

【0008】更に、研磨が終了したウエーハを次の洗浄
工程に移るまで一時的にストックしておくと、ウエーハ
の表面が乾燥して該表面に付着した不純物が除去されな
いという問題もあった。
Further, if the polished wafer is temporarily stored until the next cleaning step, there is a problem that the surface of the wafer is dried and impurities attached to the surface cannot be removed.

【0009】本発明は上記問題に鑑みてなされたもの
で、その目的とする処は、研磨工程に引き続いてウエー
ハを1枚ずつ連続的に自動洗浄することによって、従来
用いられていたキャリアを廃し(キャリアレスの実
現)、省力化、品質向上等を図ることができるウエーハ
の自動洗浄装置を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and an object thereof is to eliminate a carrier which has been conventionally used by automatically cleaning wafers one by one continuously after a polishing step. An object of the present invention is to provide an automatic wafer cleaning apparatus capable of achieving (carrier-less), labor saving, quality improvement, and the like.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく本
発明は、洗浄すべきウエーハを液中で1枚ずつ受け入れ
るローダ部と、受け入れられたウエーハを回転する一対
の回転ブラシ間に挟持してこれの両面を同時に洗浄する
ブラシ洗浄槽と、洗浄液を収容する複数の洗浄槽と、洗
浄が終了したウエーハを乾燥させる乾燥槽と、乾燥され
たウエーハを収納するアンローダ部と、ウエーハを支持
してこれを搬送する搬送手段を含んでウエーハの自動洗
浄装置を構成したことをその特徴とする。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to achieve the above object, the present invention provides a loader for receiving wafers to be washed one by one in a liquid and a pair of rotating brushes for rotating the received wafers. A brush cleaning tank for simultaneously cleaning both sides of the wafer, a plurality of cleaning tanks for storing the cleaning liquid, a drying tank for drying the wafer after the cleaning, an unloader section for storing the dried wafer, and a wafer. And an automatic wafer cleaning apparatus including a transport means for transporting the wafer.

【0011】[0011]

【作用】本発明に係る自動洗浄装置は毎葉式であって、
ウエーハは搬送手段によって1枚ずつ支持されて搬送さ
れ、且つ連続的に洗浄処理される(即ち、一時的にスト
ックされない)ため、従来用いられていたキャリアが不
要となって所謂キャリアレスを実現することができ、キ
ャリアでの搬送に伴うウエーハの汚染の問題が解消さ
れ、ウエーハの品質向上を図ることができる。
The automatic cleaning device according to the present invention is of a leaf-to-leaf type,
Since the wafers are supported and transported one by one by the transport means and are continuously washed (that is, they are not temporarily stocked), the conventionally used carrier is not required, and a so-called carrier-less is realized. Thus, the problem of wafer contamination due to transport by the carrier can be solved, and the quality of the wafer can be improved.

【0012】又、特にウエーハが大口径であるために重
い場合であっても、ウエーハは搬送手段によって1枚ず
つ自動搬送されるため、作業者に負担を強いることがな
く、省力化が図られる。
In addition, even if the wafer is heavy due to its large diameter, the wafers are automatically transferred one by one by the transfer means, so that no burden is imposed on the operator and labor can be saved. .

【0013】[0013]

【実施例】以下に本発明の一実施例を添付図面に基づい
て説明する。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

【0014】図1、図2、図3は本発明に係る自動洗浄
装置の正面図、平面図、側面図、図4はフロシートであ
り、該自動洗浄装置は、ローダ部A、ウエーハ受槽B、
予備洗浄槽C、ブラシ洗浄槽D、洗浄槽E,F,G,
H,I、2つの予備槽J,K、乾燥槽L及びアンローダ
部Mを有している。
1, 2 and 3 are a front view, a plan view and a side view of an automatic cleaning apparatus according to the present invention, and FIG. 4 is a flow sheet. The automatic cleaning apparatus includes a loader section A, a wafer receiving tank B,
Pre-cleaning tank C, brush cleaning tank D, cleaning tanks E, F, G,
H, I, two preliminary tanks J, K, a drying tank L, and an unloader section M are provided.

【0015】図4に示すように、前記ローダ部Aとウエ
ーハ受槽Bにはライン1,2より純水(HW)が供給さ
れ、これらには純水が満たされている。尚、ローダ部A
とウエーハ受槽Bのオーバーフロタンク3,4から漏れ
出た純水はライン5,6を経て排水ラインへ流れ、ロー
ダ部Aとウエーハ受槽Bの純水のレベルは一定に保たれ
ている。
As shown in FIG. 4, pure water (HW) is supplied to the loader section A and the wafer receiving tank B from lines 1 and 2, and these are filled with pure water. The loader unit A
The pure water leaked from the overflow tanks 3 and 4 of the wafer receiving tank B flows to the drain line via the lines 5 and 6, and the level of the pure water in the loader unit A and the wafer receiving tank B is kept constant.

【0016】而して、前工程である研磨工程においてそ
の表面を鏡面研磨されたウエーハWは、図2に示すよう
に、そのまま継続してローダ部Aに1枚ずつ搬入され、
純水の流れに沿ってウエーハ受槽B内に送られる。
The wafers W whose surfaces have been mirror-polished in the polishing step, which is the preceding step, are continuously loaded one by one into the loader section A as shown in FIG.
The wafer is sent into the wafer receiving tank B along the flow of pure water.

【0017】ところで、ウエーハ受槽Bには、図5乃至
図7に示すウエーハ起立装置7が設けられている。尚、
図5はウエーハ起立装置7の平面図、図6、図7はそれ
ぞれ図5のa−a線、b−b線断面図である。
The wafer receiving tank B is provided with a wafer raising device 7 shown in FIGS. still,
FIG. 5 is a plan view of the wafer erecting device 7, and FIGS. 6 and 7 are sectional views taken along line aa and line bb of FIG. 5, respectively.

【0018】図示のように、ウエーハ受槽Bには回転軸
8が軸受9,9を介して回転自在に支承されており、該
回転軸8の中央部には吸着アーム10が結着されてい
る。そして、この吸着アーム10の先部には吸着ノズル
11が設けられており、該吸着ノズル11には真空路1
2が開口している。尚、真空路12は不図示の真空源に
接続されている。
As shown in the figure, a rotating shaft 8 is rotatably supported on the wafer receiving tank B via bearings 9 and 9, and a suction arm 10 is attached to the center of the rotating shaft 8. . A suction nozzle 11 is provided at the tip of the suction arm 10, and the suction nozzle 11 has a vacuum path 1.
2 is open. The vacuum path 12 is connected to a vacuum source (not shown).

【0019】又、上記吸着アーム10上にはウエーハ受
け板13が結着されており、該ウエーハ受け板13には
4本のストッパピン14…が円弧状に立設されている。
A wafer receiving plate 13 is attached to the suction arm 10, and four stopper pins 14 are arranged on the wafer receiving plate 13 in an arc shape.

【0020】一方、図7に示すように、前記回転軸8の
一端にはギヤ15が結着されており、該ギヤ15にはサ
ーボモータ16の出力軸端に結着されたギヤ17が噛合
している。
On the other hand, as shown in FIG. 7, a gear 15 is connected to one end of the rotary shaft 8, and a gear 17 connected to an output shaft end of a servo motor 16 meshes with the gear 15. doing.

【0021】而して、ウエーハ受槽B内に搬入されたウ
エーハWは、図6に実線にて示すように、純水中で水平
を保って待機する吸着アーム10の吸着ノズル11上に
載置されるとともに、その外周の一部がウエーハ受け板
13のストッパピン14…に当接して位置決めされる。
その後、不図示の真空源が駆動されると、ウエーハWは
真空ノズル11に作用する負圧によって吸着保持され
る。
As shown by the solid line in FIG. 6, the wafer W carried into the wafer receiving tank B is placed on the suction nozzle 11 of the suction arm 10 which is kept horizontal in pure water and stands by. At the same time, a part of the outer periphery of the wafer abuts against the stopper pins 14 of the wafer receiving plate 13 and is positioned.
Thereafter, when a vacuum source (not shown) is driven, the wafer W is sucked and held by the negative pressure acting on the vacuum nozzle 11.

【0022】次に、サーボモータ16が駆動されると、
これの回転はギヤ17,15を介して回転軸8に伝達さ
れ、該回転軸8と吸着アーム10及びウエーハWは図6
の矢印方向(時計方向)に90°回動し、図6に鎖線に
て示すように、ウエーハWは垂直に起立する。
Next, when the servo motor 16 is driven,
The rotation is transmitted to the rotating shaft 8 via gears 17 and 15, and the rotating shaft 8, the suction arm 10 and the wafer W are
Then, the wafer W stands upright as shown by a chain line in FIG.

【0023】上記のようにウエーハ起立装置7によって
起立せしめられたウエーハWは、図8及び図9に示す搬
送ロボット20によって垂直にハンドリングされてウエ
ーハ受槽Bから予備洗浄槽Cまで自動的に搬送される。
The wafer W erected by the wafer erecting device 7 as described above is vertically handled by the transfer robot 20 shown in FIGS. 8 and 9, and is automatically transferred from the wafer receiving tank B to the pre-cleaning tank C. You.

【0024】ここで、搬送ロボット20のハンドリング
部の構成及び作用を図8及び図9に基づいて説明する。
尚、図8はハンドリング部の側断面図、図9は同ハンド
リング部の平面図である。
Here, the configuration and operation of the handling unit of the transfer robot 20 will be described with reference to FIGS.
FIG. 8 is a side sectional view of the handling unit, and FIG. 9 is a plan view of the handling unit.

【0025】図において、21は上下動自在な軸22の
上端に結着されたベースであり、該ベース21には二重
軸構造を成す軸23,24が水平動自在に支持されてい
る。即ち、外側の中空状の軸23はベース21上に立設
された軸受25に水平動自在に支承されており、該軸2
3内には小径の軸24が軸受26,26にて摺動自在に
支持されて挿通している。そして、これら軸23,24
の各一端には、ウエーハWをハンドリングすべきハンド
リングアーム27,28が垂直に支持されており、他端
にはアーム29,30がそれぞれ結着されている。
In the figure, reference numeral 21 denotes a base which is connected to the upper end of a shaft 22 which can move up and down. Shafts 23 and 24 which form a double shaft structure are supported on the base 21 so as to be movable horizontally. That is, the outer hollow shaft 23 is supported by a bearing 25 erected on the base 21 so as to be horizontally movable.
A small-diameter shaft 24 is slidably supported by bearings 26 and 26 and is inserted into the inside 3. And these shafts 23, 24
At one end, handling arms 27 and 28 for handling the wafer W are vertically supported, and at the other end, arms 29 and 30 are respectively connected.

【0026】上記各アーム29,30には軸31,32
が摺動自在に挿通しており、これらの軸31,32の相
対向する端部にはフランジ33,34が結着されてい
る。そして、フランジ33,34とアーム29,30の
間にはスプリング35,36が縮装されている。
The arms 29 and 30 have shafts 31 and 32, respectively.
Are slidably inserted, and flanges 33 and 34 are connected to opposite ends of the shafts 31 and 32, respectively. Further, springs 35 and 36 are contracted between the flanges 33 and 34 and the arms 29 and 30.

【0027】又、図9に示すように、前記ベース21上
にはアクチュエータ37が設置されており、該アクチュ
エータ37の左右に延出するロッド38…の端部にはフ
ランジ39,40が結着されている。そして、これらの
フランジ39,40は前記フランジ33,34に連結さ
れている。尚、前記軸24の軸23から延出する部分は
ベローズ41にて被われている。
As shown in FIG. 9, an actuator 37 is provided on the base 21. Flanges 39 and 40 are attached to ends of rods 38 extending to the left and right of the actuator 37. Have been. These flanges 39, 40 are connected to the flanges 33, 34. A portion of the shaft 24 extending from the shaft 23 is covered with a bellows 41.

【0028】而して、アクチュエータ37を駆動してロ
ッド38…を同量だけ縮めると、軸23,24は互いに
逆方向に同量だけ移動し、これらに結着されたハンドリ
ングアーム27,28は図8に鎖線にて示すように開
き、ロッド38…を同量だけ伸ばすと、軸23,24は
逆方向に同量移動してこれらに結着されたハンドリング
アーム27,28が閉じ、これらハンドリングアーム2
7,28は図8に実線にて示すようにウエーハWをハン
ドリングしてこれを垂直に支持する。尚、ハンドリング
アーム27,28がウエーハWの外周に当接した後、軸
23,24がハンドリングアーム27,28を閉じる方
向に移動しても、この移動はスプリング35,36の圧
縮変形によって吸収されるため、ウエーハWが過大な力
を受けて破損することがない。又、ハンドリングアーム
27,28の閉じ量は、図9に示すストッパ43がフラ
ンジ39に当接することよって規制される。
When the actuators 37 are driven to contract the rods 38 by the same amount, the shafts 23 and 24 move in the opposite directions by the same amount, and the handling arms 27 and 28 attached thereto are moved. When the rods 38 are opened by the same amount as shown by the chain line in FIG. 8, the shafts 23 and 24 are moved in the opposite directions by the same amount, and the handling arms 27 and 28 attached thereto are closed. Arm 2
7 and 28 handle the wafer W and support it vertically as indicated by the solid line in FIG. After the handling arms 27 and 28 abut on the outer periphery of the wafer W, even if the shafts 23 and 24 move in the direction to close the handling arms 27 and 28, this movement is absorbed by the compression deformation of the springs 35 and 36. Therefore, the wafer W is not damaged by an excessive force. Further, the closing amount of the handling arms 27 and 28 is regulated by the stopper 43 shown in FIG.

【0029】以上のようにして搬送ロボット20によっ
てハンドリングされて予備洗浄槽Cに搬送されたウエー
ハWは、予備洗浄槽C内に収容された洗浄液中に浸漬さ
れてその背面に付着したワックスが除去される。尚、図
4に示すように、予備洗浄槽C内へは、不図示の精製装
置から洗浄液がライン44を経て供給される。
The wafer W handled by the transfer robot 20 and transferred to the pre-cleaning tank C as described above is immersed in the cleaning liquid contained in the pre-cleaning tank C to remove wax adhering to the back surface. Is done. As shown in FIG. 4, a cleaning liquid is supplied into the preliminary cleaning tank C from a purification device (not shown) via a line 44.

【0030】而して、予備洗浄槽Cにてワックスを除去
されたウエーハWは、搬送ロボット20によって再びハ
ンドリングされてブラシ洗浄槽Dに送られ、このブラシ
洗浄槽Dにてその両面を同時にブラシ洗浄される。
The wafer W from which the wax has been removed in the pre-cleaning tank C is again handled by the transfer robot 20 and sent to the brush cleaning tank D. In the brush cleaning tank D, both surfaces are simultaneously brushed. Washed.

【0031】ここで、ブラシ洗浄槽Dに設けられるブラ
シ洗浄装置50の構成を図10乃至図14に基づいて説
明する。尚、図10はブラシ洗浄装置50の破断側面
図、図11は図10の矢視d方向の図、図12は同ブラ
シ洗浄装置50の破断平面図、図13は図12のe−e
線断面図、図14は図12の矢視f方向の図である。
Here, the structure of the brush cleaning device 50 provided in the brush cleaning tank D will be described with reference to FIGS. 10 is a cutaway side view of the brush cleaning device 50, FIG. 11 is a view taken in the direction of arrow d in FIG. 10, FIG. 12 is a cutaway plan view of the brush cleaning device 50, and FIG.
14 is a view in the direction of arrow f in FIG. 12.

【0032】図10及び図11において、51は垂直に
回転自在に支承されたネジ軸であって、このネジ軸51
にはガイド52,52に沿って上下動するスライダ53
が螺合しており、このスライダ53にはベース部材54
が支持されている。そして、ネジ軸51の上端部にはギ
ヤ55が結着されており、該ギヤ55は駆動モータ56
の出力軸端に結着されたギヤ57に噛合している。
In FIGS. 10 and 11, reference numeral 51 denotes a screw shaft which is vertically rotatably supported.
A slider 53 that moves up and down along guides 52
The slider 53 has a base member 54
Is supported. A gear 55 is connected to the upper end of the screw shaft 51, and the gear 55 is
And the gear 57 connected to the end of the output shaft.

【0033】又、前記ベース部材54には、図12に示
すように、2本の回転軸58,59が水平、且つ回転自
在に支承されており、これらの回転軸58,59の先部
には駆動ローラ60,61が結着されている。そして、
回転軸58,59の先部に結着されたプレート62には
2つのガイドローラ63,64が回転自在に支承されて
おり、これらのガイドローラ63,64と前記駆動ロー
ラ60,61とは、図13に示すように、ウエーハWの
外周部を支持すべく円弧状に配されている。
As shown in FIG. 12, two rotating shafts 58, 59 are horizontally and rotatably supported on the base member 54. Are connected to drive rollers 60 and 61. And
Two guide rollers 63 and 64 are rotatably supported on a plate 62 attached to the front ends of the rotating shafts 58 and 59. These guide rollers 63 and 64 and the driving rollers 60 and 61 As shown in FIG. 13, the wafer W is arranged in an arc shape to support the outer peripheral portion of the wafer W.

【0034】更に、前記ベース部材54上には駆動モー
タ65が設置されており、図11に示すように、該駆動
モータ65の出力軸端に結着されたプーリ66と前記回
転軸58に結着されたプーリ67間にはベルト68が巻
装されている。又、回転軸58の中間部にはもう一方の
プーリ69が結着されており、該プーリ69と前記回転
軸59に結着されたプーリ70間にはベルト71が巻装
されている。尚、ベルト71には、図11に示すよう
に、軸72を中心に回動するテンションプーリ73によ
って所定の張力が付与されている。
A drive motor 65 is mounted on the base member 54. As shown in FIG. 11, a drive motor 65 is connected to a pulley 66 connected to an output shaft end of the drive motor 65 and the rotary shaft 58. A belt 68 is wound between the attached pulleys 67. Another pulley 69 is connected to an intermediate portion of the rotary shaft 58, and a belt 71 is wound between the pulley 69 and the pulley 70 connected to the rotary shaft 59. As shown in FIG. 11, a predetermined tension is applied to the belt 71 by a tension pulley 73 that rotates around a shaft 72.

【0035】一方、図12に示すように、前記回転軸5
8,59の軸方向と直交する方向には2本の回転ブラシ
74,75が回転自在に配されており、これらの回転ブ
ラシ74,75は回転軸58,59の軸方向(図12の
左右方向)に移動自在に支持されている。即ち、回転ブ
ラシ74,75を支持する回転軸76,77は、平行に
敷設されたガイドレール78,78に沿って移動自在な
軸受部材79,79,80,80によて回転自在に支承
されている。尚、回転軸76,77は、これらの外周に
縮装されたスプリング81,82によって一方向に付勢
されており、その一端にはプーリ83,84が各々結着
されている。
On the other hand, as shown in FIG.
Two rotating brushes 74, 75 are rotatably arranged in a direction orthogonal to the axial direction of the rotating shafts 8, 59, and these rotating brushes 74, 75 are arranged in the axial direction of the rotating shafts 58, 59 (the left and right in FIG. 12). Direction). That is, the rotating shafts 76, 77 supporting the rotating brushes 74, 75 are rotatably supported by bearing members 79, 79, 80, 80 which are movable along guide rails 78, 78 laid in parallel. ing. The rotation shafts 76 and 77 are urged in one direction by springs 81 and 82 compressed around their outer circumferences, and pulleys 83 and 84 are respectively connected to one ends thereof.

【0036】又、前記各一方の軸受部材79,80を支
持するベース部材85,86上には、駆動モータ87,
88が各々設置されており、これらの駆動モータ87,
88の各出力軸端にはプーリ89,90が結着されてい
る。そして、プーリ89とプーリ83間、プーリ90と
プーリ84間にはベルト91,92がそれぞれ巻装され
ている。
On the base members 85, 86 supporting the one bearing members 79, 80, drive motors 87, 86 are provided.
88 are provided respectively, and these drive motors 87,
Pulleys 89 and 90 are connected to the ends of the output shafts 88. Belts 91 and 92 are wound between the pulley 89 and the pulley 83 and between the pulley 90 and the pulley 84, respectively.

【0037】更に、図14に示すように、固定ベース9
3上にはアクチュエータ94が設置されており、該アク
チュエータ94の左右に延出するローラ95…にはジョ
イント96,96,97,97を介して前記ベース部材
85,86が連結されている。尚、各ベース部材85,
86は各ジョイント96,96と固定ベース93上に立
設されたリテーナ98,98間に介設されたスプリング
99,99によって互いに離反する方向に付勢されてい
る。又、固定ベース93上にはストッパ支持部材10
0,100が立設されており、これらの支持部材10
0,100にはベース部材85,86の移動量を規制す
るためのストッパ101,101が進退自在に螺合して
いる。
Further, as shown in FIG.
An actuator 94 is installed on the base 3, and the base members 85 and 86 are connected to rollers 95... Extending to the left and right of the actuator 94 via joints 96, 96, 97 and 97. In addition, each base member 85,
The springs 86 are urged away from each other by springs 99, 99 interposed between the joints 96, 96 and retainers 98, 98 erected on the fixed base 93. The stopper support member 10 is provided on the fixed base 93.
0, 100 are erected, and these support members 10
Stoppers 101, 101 for restricting the amount of movement of the base members 85, 86 are threadably engaged with the reference numerals 0, 100, respectively.

【0038】而して、図4に示すように、ブラシ洗浄槽
D内へは、ヒータ槽102で所定温度(例えば、40
℃)に加熱された薬液及び純水(HW)が供給され、ブ
ラシ洗浄槽DにおいてはウエーハWが図10乃至図14
に示したブラシ洗浄装置50によってその両面を同時に
ブラシ洗浄されてパーティクルが除去される。尚、ヒー
タ槽102にはライン103,104,105からそれ
ぞれ薬液、純水が供給され、ブラシ洗浄槽Dにはライン
106,107から薬液、純水がそれぞれ供給される。
そして、ブラシ洗浄槽Dで使用された薬液や純水は、ラ
イン108を経て排出される。
Then, as shown in FIG. 4, a predetermined temperature (for example, 40
° C) and a chemical solution and pure water (HW) are supplied to the brush cleaning tank D.
Are brush-cleaned on both sides thereof at the same time to remove particles. A chemical solution and pure water are supplied to the heater tank 102 from lines 103, 104, and 105, respectively, and a chemical solution and pure water are supplied to the brush cleaning tank D from lines 106 and 107, respectively.
Then, the chemical solution and pure water used in the brush cleaning tank D are discharged through the line 108.

【0039】ここで、ブラシ洗浄装置50の作用を図1
0乃至図14に従って説明する。
The operation of the brush cleaning device 50 will now be described with reference to FIG.
0 to FIG.

【0040】ブラシ洗浄装置50においては、ウエーハ
Wが投入される以前は図14に示すアクチュエータ94
のロッド95…はスプリング99,99の弾発力を受け
て伸長しており、従って回転ブラシ74,75は図10
に鎖線にて示すように互いに離間しており、両者の間に
は所定の隙間が形成されている。
In the brush cleaning device 50, before the wafer W is loaded, the actuator 94 shown in FIG.
Are extended by the resilience of the springs 99, 99, so that the rotating brushes 74, 75
Are separated from each other as shown by a chain line, and a predetermined gap is formed between the two.

【0041】而して、前記搬送ロボット20(図8参
照)によってハンドリングされたウエーハWは回転ブラ
シ74,75間の隙間に垂直に嵌め込まれ、その下半部
外周が前記駆動ローラ60,61及びガイドローラ6
3,64によって受けられる。
Thus, the wafer W handled by the transfer robot 20 (see FIG. 8) is vertically fitted into the gap between the rotating brushes 74 and 75, and the outer periphery of the lower half thereof is covered with the drive rollers 60 and 61 and the drive rollers 60 and 61. Guide roller 6
3,64.

【0042】その後、アクチュエータ94が駆動されて
ロッド95…が縮められると、回転ブラシ74,75は
互いに近づいてこれらの間でウエーハWを挟持する。
Thereafter, when the actuators 94 are driven and the rods 95 are contracted, the rotating brushes 74 and 75 approach each other and sandwich the wafer W between them.

【0043】上記状態において駆動モータ65を駆動す
れば(図11参照)、これの回転はプーリ66、ベルト
68及びプーリ67を経て回転軸58に伝達されるとと
もに、更にプーリ69、ベルト71及びプーリ70を経
て回転軸59に伝達され、これによって両回転軸58,
59が回転駆動され、これらに支持されたウエーハWが
所定の速度で回転駆動される。
When the drive motor 65 is driven in the above state (see FIG. 11), the rotation is transmitted to the rotary shaft 58 via the pulley 66, the belt 68 and the pulley 67, and further, the pulley 69, the belt 71 and the pulley 70 to the rotating shaft 59, whereby the two rotating shafts 58,
59 is driven to rotate, and the wafer W supported by them is driven to rotate at a predetermined speed.

【0044】又、図12において駆動モータ87,88
を駆動すれば、これらの回転はプーリ89,90、ベル
ト91,92及びプーリ83,84を経て回転軸76,
77に伝達され、該回転軸76,77及びこれらに各々
支持された回転ブラシ74,75が互いに逆方向(ウエ
ーハWを駆動ローラ60,61及びガイドローラ63,
64に押し付ける方向)に回転し、ウエーハWの両面は
回転ブラシ74,75によって洗浄されてパーティクル
が除去される。そして、このブラシ洗浄時においては、
駆動モータ56(図11参照)が周期的に正逆転駆動さ
れ、これの回転はギヤ57,55を経てネジ軸51に伝
達され、このネジ軸51の正逆の回転によってこれに螺
合するスライダ53がベース部材54と共に上下動する
ため、駆動ローラ60,61及びガイドローラ63,6
4とこれらに支持されたウエーハWも一体的に上下動
し、ウエーハWの中心部も回転ブラシ74,75によっ
てムラ無く洗浄される。
In FIG. 12, the driving motors 87, 88
, These rotations are transmitted through pulleys 89 and 90, belts 91 and 92, and pulleys 83 and 84 to rotate shafts 76 and 90.
The rotating shafts 76 and 77 and the rotating brushes 74 and 75 respectively supported by the rotating shafts 77 and 77 rotate the wafer W in opposite directions (the wafer W is driven by the driving rollers 60 and 61 and the guide rollers 63 and 75).
The wafer W is rotated in the direction of pressing against the wafer 64, and both surfaces of the wafer W are cleaned by the rotating brushes 74 and 75 to remove particles. And at the time of this brush cleaning,
A drive motor 56 (see FIG. 11) is periodically driven forward and reverse, and the rotation of the drive motor 56 is transmitted to the screw shaft 51 via gears 57 and 55, and the forward and reverse rotation of the screw shaft 51 causes the slider to be screwed thereto. Since the 53 moves up and down together with the base member 54, the driving rollers 60 and 61 and the guide rollers 63 and 6
4 and the wafer W supported thereon also move up and down as a unit, and the center of the wafer W is also cleaned by the rotating brushes 74 and 75 without unevenness.

【0045】以上のようにブラシ洗浄されたウエーハW
は、搬送ロボット20によってハンドリングされて次の
洗浄槽Eへ搬送されてここでリンス処理される。
The wafer W brush-washed as described above
Is handled by the transfer robot 20 and transferred to the next cleaning tank E where it is rinsed.

【0046】ここで、洗浄槽Eの構成を図15乃至図1
9に基づいて説明する。尚、図15は洗浄槽Eの破断正
面図、図16は同平面図、図17は同破断側面図、図1
8は図17のg部拡大詳細図、図19は図15の矢視h
方向の図である。
Here, the structure of the cleaning tank E is shown in FIGS.
9 will be described. FIG. 15 is a cutaway front view of the cleaning tank E, FIG. 16 is a plan view thereof, FIG. 17 is a cutaway side view thereof, and FIG.
8 is an enlarged detailed view of a part g in FIG. 17, and FIG. 19 is an arrow h in FIG.
FIG.

【0047】洗浄槽Eは偏平なタンク110を構成して
おり、該タンク110の長壁面にはオーバーフロータン
ク111が形成されており、該オーバーフロータンク1
11の底部にはオーバーフローパイプ112が接続され
ている。尚、オーバーフローパイプ112は図4に示す
排水ライン132に接続されている。
The washing tank E constitutes a flat tank 110, and an overflow tank 111 is formed on the long wall of the tank 110.
An overflow pipe 112 is connected to the bottom of the pipe 11. The overflow pipe 112 is connected to a drain line 132 shown in FIG.

【0048】又、タンク110の底部にはドレインパイ
プ113が接続されており、図15及び図19に示すよ
うに、タンク110の底面は長辺方向にはドレインパイ
プ113に向かって下方に傾斜し、短辺方向にも一方に
向かって下方に傾斜している。
A drain pipe 113 is connected to the bottom of the tank 110. As shown in FIGS. 15 and 19, the bottom of the tank 110 is inclined downward toward the drain pipe 113 in the long side direction. , Are also inclined downward toward one side in the short side direction.

【0049】更に、タンク110の上部には、長手方向
に長いカバー部材114によって区画されるチャンバー
Sが形成されており、該チャンバーSには図4に示す給
水ライン115の給水パイプ116が接続されている。
そして、図18に詳細に示すように、前記チャンバーS
はタンク110の壁に斜めに穿設された複数のノズル1
17…を介してタンク110内に連通している。
Further, a chamber S defined by a cover member 114 which is long in the longitudinal direction is formed on the upper part of the tank 110, and a water supply pipe 116 of a water supply line 115 shown in FIG. ing.
Then, as shown in detail in FIG.
Denotes a plurality of nozzles 1 obliquely formed in the wall of the tank 110
17 communicates with the inside of the tank 110.

【0050】又、タンク110の前記給水パイプ116
の下方には、同じく給水ライン115(図4参照)に接
続された給水パイプ118が接続されている。尚、図1
5において、119は薬液供給パイプである。
The water supply pipe 116 of the tank 110
Below, a water supply pipe 118 also connected to a water supply line 115 (see FIG. 4) is connected. FIG.
In 5, reference numeral 119 denotes a chemical supply pipe.

【0051】一方、タンク110内にはウエーハWを垂
直に対して若干傾いた状態で支持する矩形枠状のホルダ
ー120が収容されている。このホルダー120の下端
部の左右には、ウエーハWの外周を支持すべきローラ1
21,121が回転自在に軸支されており、該ホルダー
120は、図17に示すように、その上端部に形成され
た鍵部120aがタンク110の上端縁に引っ掛けられ
ることによって、タンク110内に垂直に支持されてい
る。
On the other hand, a rectangular frame-shaped holder 120 for supporting the wafer W in a slightly inclined state with respect to the vertical is accommodated in the tank 110. Rollers 1 to support the outer periphery of the wafer W are provided on the left and right of the lower end of the holder 120.
As shown in FIG. 17, the holder 120 has a key portion 120a formed on the upper end thereof hooked on the upper end edge of the tank 110, so that the holder 120 is rotatable. It is supported vertically.

【0052】ところで、図4に示すように、当該洗浄槽
E全体は、純水で満たされたタンク122内に浸漬され
ており、タンク122の下部には超音波発振器123が
取り付けられている。
As shown in FIG. 4, the entire cleaning tank E is immersed in a tank 122 filled with pure water, and an ultrasonic oscillator 123 is mounted below the tank 122.

【0053】而して、前記搬送ロボット20(図8及び
図9参照)に支持されたウエーハWは、図15に示すよ
うに、ホルダー120のローラ121,121にその外
周が支持された状態でタンク110内の純水中に浸漬さ
れており、これは前記複数のノズル117…(図18参
照)からタンク110内に噴出される水流をその上面に
受けて図17に示すように垂直に対して若干傾いた状態
でホルダー120に受けられ、その姿勢が安定に保たれ
ている。尚、純水は主に給水パイプ118からタンク1
10内に供給され、タンク110からオーバーフロータ
ンク111にオーバーフローした純水は、オーバーフロ
ーパイプ112から排出ライン132(図4参照)へと
排出される。
As shown in FIG. 15, the wafer W supported by the transfer robot 20 (see FIGS. 8 and 9) is held in a state where the outer periphery thereof is supported by the rollers 121 of the holder 120. It is immersed in pure water in a tank 110, which receives a stream of water jetted into the tank 110 from the plurality of nozzles 117 ... (see FIG. 18) on its upper surface, and as shown in FIG. It is received by the holder 120 in a slightly inclined state, and its posture is kept stable. The pure water is mainly supplied from the water supply pipe 118 to the tank 1.
Pure water supplied into the tank 10 and overflowing from the tank 110 to the overflow tank 111 is discharged from the overflow pipe 112 to a discharge line 132 (see FIG. 4).

【0054】上記状態において、洗浄槽E全体は前記超
音波発振器123による超音波振動を受け、該洗浄槽E
内ではホルダー120に支持されたウエーハWが純水に
よってリンス処理される。
In the above state, the entire cleaning tank E is subjected to ultrasonic vibration by the ultrasonic oscillator 123, and
Inside, the wafer W supported by the holder 120 is rinsed with pure water.

【0055】次に、前記洗浄槽Fについて述べるが、該
洗浄槽Fの構成は洗浄槽Eのそれと同じであって、図4
に示すように、該洗浄槽Fの下方にはタンク124が設
置されている。
Next, the cleaning tank F will be described. The configuration of the cleaning tank F is the same as that of the cleaning tank E.
As shown in the figure, a tank 124 is provided below the cleaning tank F.

【0056】而して、タンク124内には薬液がライン
125,126を経て供給され、薬液はポンプ127に
よって昇圧された後、ラインヒータ128によって所定
温度(約80℃)に加熱された後、フィルタ129を通
過して洗浄槽F内に供給される。
A chemical solution is supplied into the tank 124 through the lines 125 and 126, and after the chemical solution is pressurized by the pump 127 and heated to a predetermined temperature (about 80 ° C.) by the line heater 128, After passing through the filter 129, it is supplied into the cleaning tank F.

【0057】一方、前記洗浄槽Eでリンス処理されたウ
エーハWは、搬送ロボット20にハンドリングされて洗
浄槽Eから取り出された後、洗浄槽Fまで搬送され、図
15に示したと同じ状態で洗浄槽F中の薬液中に浸漬さ
れ、その表面に付着したパーティクルが除去される。
On the other hand, the wafer W rinsed in the cleaning tank E is handled by the transfer robot 20 and taken out of the cleaning tank E, then transferred to the cleaning tank F, and cleaned in the same state as shown in FIG. The particles immersed in the chemical solution in the tank F and attached to the surface thereof are removed.

【0058】尚、洗浄槽F中でパーティクルが除去され
たウエーハWは高温(約80℃)であって、これをその
まま引き上げると表面が乾燥して不具合が生ずるため、
洗浄槽F中の高温の薬液は図4に示すライン130から
タンク124内に戻され、これと同時に純水ライン11
5から洗浄槽F中に純水が供給され、この純水によって
ウエーハWが急冷されると同時にリンス処理される。そ
して、ウエーハWの冷却に供された純水は、ライン13
1から排水ライン132へと排出される。
Incidentally, the wafer W from which particles have been removed in the cleaning tank F is at a high temperature (about 80 ° C.).
The high temperature chemical in the cleaning tank F is returned to the tank 124 from the line 130 shown in FIG.
From 5, pure water is supplied into the cleaning tank F, and the wafer W is rapidly cooled by the pure water and simultaneously rinsed. The pure water used for cooling the wafer W is supplied to the line 13
1 to a drain line 132.

【0059】ところで、前記洗浄槽G,H,Iの構成も
前記洗浄槽E,Fのそれと同じであって、洗浄槽Hにて
洗浄されたウエーハWは、搬送ロボット20によって洗
浄槽G,H,Iに順次搬送され、該ウエーハWは洗浄槽
G,Iでは純水によってリンス処理され、洗浄槽Hでは
薬液によって洗浄されてその表面に付着したイオン性不
純物が除去される。
The cleaning tanks G, H and I have the same construction as that of the cleaning tanks E and F. The wafer W cleaned in the cleaning tank H is transferred by the transfer robot 20 to the cleaning tanks G and H. , I are sequentially conveyed, and the wafer W is rinsed with pure water in the cleaning tanks G and I, and washed with a chemical solution in the cleaning tank H to remove ionic impurities attached to the surface.

【0060】而して、予備洗浄槽C乃至洗浄槽Iによっ
て洗浄処理されたウエーハWは、搬送ロボット20によ
って前記乾燥槽Lに搬送され、ここで速成乾燥される。
The wafer W cleaned by the pre-cleaning tanks C to I is transported by the transport robot 20 to the drying tank L, where it is rapidly dried.

【0061】ここで、乾燥槽Lの構成の詳細を図20に
基づいて説明する。
Here, the configuration of the drying tank L will be described in detail with reference to FIG.

【0062】乾燥槽Lは断熱性の高いSUS製のケーシ
ング141を有し、該ケーシング141内の中央部には
石英製のビーカ142が立設されている。ビーカ142
の上部は開口しており、その上端部には純水を噴出すべ
きシャワー143が設けられており、下端部には不活性
ガス供給パイプ144及び純水ドレインパイプ145が
接続されている。
The drying tank L has a casing 141 made of SUS having high heat insulating properties, and a beaker 142 made of quartz stands upright in the center of the casing 141. Beaker 142
The upper part is open, the upper end thereof is provided with a shower 143 for ejecting pure water, and the lower end thereof is connected with an inert gas supply pipe 144 and a pure water drain pipe 145.

【0063】又、上記ビーカ142はその周囲を筒状の
遮蔽板146によって被われており、該遮蔽板146の
一方の内面には短波長赤外線ランプで構成される短波ラ
ジエータ147,147が上下2段に設けられ、同じく
遮蔽板146の内面の短波ラジエータ147,147に
対向する位置には中波長赤外線ランプで構成される中波
ラジエータ148,148が設けられている。
The beaker 142 is covered at its periphery by a cylindrical shielding plate 146, and short-wave radiators 147, 147 each composed of a short-wave infrared lamp are provided on one inner surface of the shielding plate 146. Medium-wave radiators 148, 148, each of which is constituted by a medium-wavelength infrared lamp, are provided on the inner surface of the shield plate 146 and at positions facing the short-wave radiators 147, 147.

【0064】ところで、ビーカ142の上面開口部は蓋
部材149によって閉塞されており、前記ケーシング1
41の上部には2台の冷却ファン150,150が設け
られている。
The upper opening of the beaker 142 is closed by a cover member 149, and the casing 1
Two cooling fans 150, 150 are provided in the upper part of 41.

【0065】而して、ビーカ142の内部はシャワー1
43から噴出される純水によって洗浄され、洗浄に共さ
れた純水は前記純水ドレインパイプ145からケーシン
グ141外へ排出される。その後、中波ラジエータ14
8,148と冷却ファン150,150がONされ、中
波ラジエータ148,148によってビーカ142が先
ず温められる。尚、中波ラジエータ148,148(8
00W×2)による中波長赤外線の照射時間と槽内温度
との関係を図21に示す。
The inside of the beaker 142 is the shower 1
The pure water ejected from the nozzle 43 is washed, and the pure water that has been washed is discharged from the pure water drain pipe 145 to the outside of the casing 141. Then, the medium wave radiator 14
8, 148 and cooling fans 150, 150 are turned on, and the beaker 142 is first warmed by the medium-wave radiators 148, 148. The medium wave radiators 148, 148 (8
FIG. 21 shows the relationship between the irradiation time of the middle-wavelength infrared ray (00W × 2) and the temperature in the bath.

【0066】次に、ビーカ142内にウエーハWがセッ
トされると、短波ラジエータ147,147がONされ
るとともに、ビーカ142内には不活性ガス供給パイプ
144から不活性ガス(N2 ,Arガス等)が封入さ
れ、ウエーハWは不活性ガス雰囲気中でその鏡面(研磨
面)を短波ラジエータ147,147によって短波長赤
外線の照射を受けて強制的に速成乾燥せしめられる。こ
こで、短波ラジエータ147,147(1.5KW×
2)による短波長赤外線の照射時間と槽内温度との関係
を図22に示すが、中波ラジエータ148,148によ
って中波長赤外線を30秒間照射すると槽内温度が約2
5℃となる(図21参照)のに対し、短波長ラジエータ
147,147によって短波長赤外線を同じ時間(30
秒間)だけ照射すると約70℃に急上昇することがわか
る。尚、短波ラジエータ147,147、中波ラジエー
タ148,148がONされると冷却ファン150,1
50が駆動され、これら短波ラジエータ147,147
及び中波ラジエータ148,148が冷却される。
Next, when the wafer W is set in the beaker 142, the short-wave radiators 147, 147 are turned on, and the inert gas (N2, Ar gas, etc.) is supplied from the inert gas supply pipe 144 into the beaker 142. ) Is sealed, and the mirror surface (polished surface) of the wafer W is irradiated with short-wavelength infrared rays by short-wave radiators 147 and 147 in an inert gas atmosphere to be forcibly dried quickly. Here, the short-wave radiators 147, 147 (1.5 KW ×
FIG. 22 shows the relationship between the irradiation time of the short-wavelength infrared ray according to 2) and the temperature in the chamber.
5 ° C. (see FIG. 21), while short-wavelength radiators 147 and 147 radiate short-wavelength infrared rays for the same time (30 seconds).
It can be seen that the temperature rises sharply to about 70 ° C. when the irradiation is performed for only (seconds). When the short-wave radiators 147 and 147 and the medium-wave radiators 148 and 148 are turned on, the cooling fans 150 and 1 are turned on.
50 are driven, and these short-wave radiators 147, 147
And the medium-wave radiators 148, 148 are cooled.

【0067】以上のように、赤外線によって乾燥された
ウエーハWは、搬送ロボット20によって乾燥槽Lから
取り出されてアンローダ部Mにセットされたウエーハカ
セット151(図4参照)内に1枚ずつ収納され、ここ
にウエーハWの洗浄が1枚ずつ連続的、且つ自動的にな
される。このように、本発明に係る自動洗浄装置は毎葉
式であって、ウエーハWは搬送ロボット20によって1
枚ずつ支持されて搬送され、且つ連続的に処理される
(即ち、一時的にストックされない)ため、従来用いら
れていたキャリアが不要となって所謂キャリアレスを実
現することができ、キャリアでの搬送に伴うウエーハW
の汚染の問題が解消され、ウエーハWの品質向上を図る
ことができる。又、特にウエーハWが大径であるために
重い場合であっても、ウエーハWは搬送ロボット20に
よって1枚ずつ自動搬送されるため、作業者に負担を強
いることがなく、省力化が図られる。
As described above, the wafers W dried by infrared rays are taken out of the drying tank L by the transfer robot 20 and stored one by one in the wafer cassette 151 (see FIG. 4) set in the unloader section M. Here, the cleaning of the wafer W is continuously and automatically performed one by one. As described above, the automatic cleaning apparatus according to the present invention is of a leaf-to-leaf type, and
Since the sheets are supported and conveyed one by one and are continuously processed (that is, they are not temporarily stocked), the so-called carrier-less can be realized by eliminating the conventionally used carrier, and the carrier can be used. Wafer W for transport
Is solved, and the quality of the wafer W can be improved. In addition, even if the wafer W is heavy due to its large diameter, the wafer W is automatically transferred one by one by the transfer robot 20, so that no burden is imposed on the worker and labor is saved. .

【0068】[0068]

【発明の効果】以上の説明で明らかな如く、本発明によ
れば、洗浄すべきウエーハを液中で1枚ずつ受け入れる
ローダ部と、受け入れられたウエーハを回転する一対の
回転ブラシ間に挟持してこれの両面を同時に洗浄するブ
ラシ洗浄槽と、洗浄液を収容する複数の洗浄槽と、洗浄
が終了したウエーハを乾燥させる乾燥槽と、乾燥された
ウエーハを収納するアンローダ部と、ウエーハを支持し
てこれを搬送する搬送手段を含んでウエーハの自動洗浄
装置を構成したため、従来用いられていたキャリアを廃
し(キャリアレスの実現)、省力化、品質向上等を図る
ことができるという効果が得られる。
As is apparent from the above description, according to the present invention, a loader unit for receiving wafers to be washed one by one in a liquid and a pair of rotating brushes for rotating the received wafers are held. A brush cleaning tank for simultaneously cleaning both sides of the wafer, a plurality of cleaning tanks for storing the cleaning liquid, a drying tank for drying the wafer after the cleaning, an unloader section for storing the dried wafer, and a wafer. Since an automatic wafer cleaning apparatus is configured to include a transport means for transporting the carrier, an effect that a conventionally used carrier is eliminated (realization of a carrier-less), labor saving and quality improvement can be achieved. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る自動洗浄装置の正面図である。FIG. 1 is a front view of an automatic cleaning device according to the present invention.

【図2】本発明に係る自動洗浄装置の平面図である。FIG. 2 is a plan view of the automatic cleaning device according to the present invention.

【図3】本発明に係る自動洗浄装置の側面図である。FIG. 3 is a side view of the automatic cleaning device according to the present invention.

【図4】本発明に係る自動洗浄装置のフロシートであ
る。
FIG. 4 is a flow sheet of the automatic cleaning device according to the present invention.

【図5】ウエーハ起立装置の平面図である。FIG. 5 is a plan view of the wafer standing device.

【図6】図5のa−a線断面図である。FIG. 6 is a sectional view taken along line aa of FIG. 5;

【図7】図5のb−b線断面図である。FIG. 7 is a sectional view taken along line bb of FIG. 5;

【図8】搬送ロボットのハンドリング部の側断面図であ
る。
FIG. 8 is a side sectional view of a handling unit of the transfer robot.

【図9】搬送ロボットのハンドリング部の平面図であ
る。
FIG. 9 is a plan view of a handling unit of the transfer robot.

【図10】ブラシ洗浄装置の破断側面図である。FIG. 10 is a cutaway side view of the brush cleaning device.

【図11】図10の矢視d方向の図である。11 is a view in the direction of arrow d in FIG. 10;

【図12】ブラシ洗浄装置の破断平面図である。FIG. 12 is a cutaway plan view of the brush cleaning device.

【図13】図12のe−e線断面図である。FIG. 13 is a sectional view taken along line ee of FIG. 12;

【図14】図12の矢視f方向の図である。14 is a view in the direction of arrow f in FIG.

【図15】洗浄槽の破断正面図である。FIG. 15 is a cutaway front view of the cleaning tank.

【図16】洗浄槽の平面図である。FIG. 16 is a plan view of a cleaning tank.

【図17】洗浄槽の破断側面図である。FIG. 17 is a cutaway side view of the cleaning tank.

【図18】図17のg部拡大詳細図である。18 is an enlarged detailed view of a part g in FIG. 17;

【図19】図15の矢視h方向の図である。19 is a view in the direction of arrow h in FIG.

【図20】乾燥槽の断面図である。FIG. 20 is a sectional view of a drying tank.

【図21】中波ラジエータによる中波長赤外線の照射時
間と槽内温度との関係を示す図である。
FIG. 21 is a diagram showing the relationship between the irradiation time of medium-wavelength infrared rays by the medium-wave radiator and the temperature in the bath.

【図22】短波ラジエータによる短波長赤外線の照射時
間と槽内温度との関係を示す図である。
FIG. 22 is a diagram showing the relationship between the irradiation time of short-wave infrared rays by a short-wave radiator and the temperature in a bath.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

A ローダ部 B ウエーハ受槽 C 予備洗浄槽 D ブラシ洗浄槽 E〜I 洗浄槽 L 乾燥槽 M アンローダ部 20 搬送ロボット(搬送手段) 50 ブラシ洗浄装置 74,75 回転ブラシ A Loader section B Wafer receiving tank C Pre-cleaning tank D Brush cleaning tank EI Cleaning tank L Drying tank M Unloader section 20 Transfer robot (transporting means) 50 Brush cleaning device 74, 75 Rotary brush

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木村 嘉晴 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150番地信越半導体株式会社 半導体白 河研究所内 (72)発明者 鈴木 盛江 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150番地信越半導体株式会社 半導体白 河研究所内 (56)参考文献 特開 平2−250324(JP,A) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Yoshiharu Kimura Fukushima Prefecture Nishishirakawa-gun Nishigo-mura Odakura-shi Ohira 150 Semiconductor-Shirakawa Research Laboratories Shin-Etsu Semiconductor Co., Ltd. Odakura Ohira 150 Address Shin-Etsu Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor Shirakawa Laboratory (56) References JP-A-2-250324 (JP, A)

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 洗浄すべきウエーハを液中で1枚ずつ受
け入れるローダ部と、受け入れられたウエーハを回転す
る一対の回転ブラシ間に挟持してこれの両面を同時に洗
浄するブラシ洗浄槽と、洗浄液を収容する複数の洗浄槽
と、洗浄が終了したウエーハを乾燥させる乾燥槽と、乾
燥されたウエーハを収納するアンローダ部と、ウエーハ
を支持してこれを搬送する搬送手段を含んで構成される
ことを特徴とするウエーハの自動洗浄装置。
1. A loader for receiving wafers to be cleaned one by one in a liquid, a brush cleaning tank for sandwiching the received wafer between a pair of rotating brushes for rotating and simultaneously cleaning both surfaces of the wafer, and a cleaning liquid. , A drying tank for drying the washed wafer, an unloader unit for storing the dried wafer, and a transport unit for supporting and transporting the wafer. Automatic wafer cleaning device characterized by the following.
【請求項2】 前記ローダ部はウエーハ起立装置を備
え、該ウエーハ起立装置は、流体中を流れに沿って水平
に移送されるウエーハを支持してこれを垂直に起立せし
める装置であって、吸着手段と位置決め手段を備える吸
着アームと、該吸着アームを水平軸回りに回動せしめる
駆動手段を含んで構成されることを特徴とする請求項1
記載のウエーハの自動洗浄装置。
2. The apparatus according to claim 1, wherein the loader unit includes a wafer erecting device. The wafer erecting device is a device for supporting a wafer conveyed horizontally along a flow in a fluid and erecting the wafer vertically. 2. A suction arm comprising means and a positioning means, and a driving means for rotating the suction arm about a horizontal axis.
The automatic wafer cleaning apparatus described in the above.
【請求項3】 前記ブラシ洗浄槽は、垂直に起立するウ
エーハを一対の回転ブラシ間に挟持してこれの両面を同
時にブラシ洗浄するブラシ洗浄装置を有し、該ブラシ洗
浄装置は、水平、且つ回転自在に配される一対の回転ブ
ラシと、該回転ブラシを回転駆動するブラシ駆動手段
と、ウエーハを支持してこれを回転駆動するウエーハ駆
動手段を含んで構成されることを特徴とする請求項1記
載のウエーハの自動洗浄装置。
3. The brush cleaning tank has a brush cleaning device that sandwiches a vertically standing wafer between a pair of rotating brushes and simultaneously brush-cleans both surfaces of the wafer, and the brush cleaning device is horizontal and The apparatus according to claim 1, further comprising a pair of rotatable brushes rotatably arranged, brush driving means for rotating and driving said rotating brushes, and wafer driving means for supporting and rotating said wafers. 2. The automatic cleaning apparatus for a wafer according to 1.
【請求項4】 前記ウエーハ洗浄槽は、ウエーハを洗浄
液中に1枚ずつ略垂直に浸漬してこれを洗浄するもので
あって、洗浄液を収容する偏平なタンクと、ウエーハを
タンク内で略垂直に支持するホルダーと、該ホルダーに
支持されたウエーハの上部面に向けて洗浄液を噴出する
噴射ノズルを含んで構成されることを特徴とする請求項
1記載のウエーハの自動洗浄装置。
4. The wafer cleaning tank is for immersing wafers in a cleaning liquid one by one substantially vertically and cleaning the wafers. The flat tank containing the cleaning liquid and the wafer are disposed substantially vertically in the tank. 2. The automatic wafer cleaning apparatus according to claim 1, further comprising: a holder for supporting the wafer, and a spray nozzle for spraying a cleaning liquid toward an upper surface of the wafer supported by the holder.
【請求項5】 前記乾燥槽は、中波長赤外線ランプから
成る中波ラジエータと短波長赤外線ランプから成る短波
ラジエータを含んで構成されることを特徴とする請求項
1記載のウエーハの自動洗浄装置。
5. The automatic wafer cleaning apparatus according to claim 1, wherein the drying tank includes a medium-wave radiator composed of a medium-wave infrared lamp and a short-wave radiator composed of a short-wave infrared lamp.
【請求項6】 前記搬送手段はウエーハハンドリング装
置を備え、該ウエーハハンドリング装置は、内外二重軸
構造を成す内、外軸を有し、外軸を水平動自在に支持
し、該外軸内に内軸を摺動自在に挿通せしめ、これら
内、外軸の各一端にハンドリングアームを結着し、内、
外軸を互いに逆方向に同量だけ移動せしめるアクチュエ
ータを設けて構成されることを特徴とする請求項1記載
のウエーハの自動洗浄装置。
6. The wafer handling device includes a wafer handling device, the wafer handling device having an inner shaft and an outer shaft having an inner / outer double shaft structure, and supporting the outer shaft so as to be horizontally movable. The inner shaft is slidably inserted into the shaft, and a handling arm is attached to each end of the inner and outer shafts.
2. The automatic wafer cleaning apparatus according to claim 1, further comprising an actuator for moving the outer shaft in opposite directions by the same amount.
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