JP2511810B2 - 処理方法 - Google Patents
処理方法Info
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- JP2511810B2 JP2511810B2 JP33504194A JP33504194A JP2511810B2 JP 2511810 B2 JP2511810 B2 JP 2511810B2 JP 33504194 A JP33504194 A JP 33504194A JP 33504194 A JP33504194 A JP 33504194A JP 2511810 B2 JP2511810 B2 JP 2511810B2
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- plasma
- etching
- gas
- photoresist
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板の処理表面内を同
一プラズマ発生装置内で発生せしめるプラズマを用いて
光処理表面の光プラズマエッチングおよび光化学反応を
用いた紫外光クリ−ニング（紫外光を用いるためUVクリ
−ニングまたはフォトクリ−ニングともいう）、光気相
反応またはプラズマ気相反応等の光処理を行う装置に関
する。さらに本発明は、半導体集積回路（以下LSI とい
う) の工程の自動化および簡略化を行わんとするもので
ある。
一プラズマ発生装置内で発生せしめるプラズマを用いて
光処理表面の光プラズマエッチングおよび光化学反応を
用いた紫外光クリ−ニング（紫外光を用いるためUVクリ
−ニングまたはフォトクリ−ニングともいう）、光気相
反応またはプラズマ気相反応等の光処理を行う装置に関
する。さらに本発明は、半導体集積回路（以下LSI とい
う) の工程の自動化および簡略化を行わんとするもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】気相反応処理装置として、プラズマエッ
チング方法、光エネルギにより反応性気体を活性にさせ
て行う光エッチング法が知られている。前者は処理速度
が速いという特徴を有するが、基板表面に損傷を与える
欠点がある。他方、後者は処理速度は遅いが、表面に損
傷を与えないという特長を有する。これらはそれぞれが
独立した別々の装置であり、それぞれの特徴を用いて相
乗効果を有せしめる試みおよびそれを成就した装置はな
かった。 さらに加えて、フォトレジストをマスクとし
て基板表面の異方性エッチをこれらの工程に先立ち同一
装置内で予め行うための装置もなかった。
チング方法、光エネルギにより反応性気体を活性にさせ
て行う光エッチング法が知られている。前者は処理速度
が速いという特徴を有するが、基板表面に損傷を与える
欠点がある。他方、後者は処理速度は遅いが、表面に損
傷を与えないという特長を有する。これらはそれぞれが
独立した別々の装置であり、それぞれの特徴を用いて相
乗効果を有せしめる試みおよびそれを成就した装置はな
かった。 さらに加えて、フォトレジストをマスクとし
て基板表面の異方性エッチをこれらの工程に先立ち同一
装置内で予め行うための装置もなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】さらにこれら光処理と
プラズマ処理とを一体化させんとする時、それぞれに個
々の部品を必要とし、低減化を図ることができなかっ
た。また、紫外光源に低圧水銀灯を用いる時、その発光
強度が十分でなく、結果として光処理速度が小さく問題
であった。このため強い紫外光を発生させる手段が求め
られていた。
プラズマ処理とを一体化させんとする時、それぞれに個
々の部品を必要とし、低減化を図ることができなかっ
た。また、紫外光源に低圧水銀灯を用いる時、その発光
強度が十分でなく、結果として光処理速度が小さく問題
であった。このため強い紫外光を発生させる手段が求め
られていた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、かかる要請に
答えるため、磁場および電場の相互作用を利用して、紫
外光を発生させる手段と、他の磁場および電場の相互作
用を用いてプラズマ化した反応性気体を生成せしめる手
段とを同一装置の特に同一フラズマ発生室を用いて配設
したものである。この装置を用いて本発明の磁場および
電場の相互作用を用いて処理用表面のプラズマエッチン
グ、特に処理用表面での異方性のプラズマエッチングお
よびフォトレジストのプラズマアッシングを行い、さら
にこの工程と同時またはその後の工程として、同じく磁
場および電場の相互作用を利用して発生させた紫外光を
用いて紫外光クリ−ニング（紫外光を用いたUVクリ−ニ
ング）またはUVエッチングまたはUVアッシング等の紫外
光処理を同一反応装置内で行わせることが可能となる。
答えるため、磁場および電場の相互作用を利用して、紫
外光を発生させる手段と、他の磁場および電場の相互作
用を用いてプラズマ化した反応性気体を生成せしめる手
段とを同一装置の特に同一フラズマ発生室を用いて配設
したものである。この装置を用いて本発明の磁場および
電場の相互作用を用いて処理用表面のプラズマエッチン
グ、特に処理用表面での異方性のプラズマエッチングお
よびフォトレジストのプラズマアッシングを行い、さら
にこの工程と同時またはその後の工程として、同じく磁
場および電場の相互作用を利用して発生させた紫外光を
用いて紫外光クリ−ニング（紫外光を用いたUVクリ−ニ
ング）またはUVエッチングまたはUVアッシング等の紫外
光処理を同一反応装置内で行わせることが可能となる。
【０００５】さらに本発明においては、磁場および電場
の相互作用を電子サイクロトロン共鳴(ECRともいう) 条
件を発生させ、この共鳴領域を利用して強紫外光源を生
成する。そしてこの発生した紫外光を用いて光クリ−ニ
ング、光エッチングまたは光アッシング等の光処理を行
い得る。このためECR 条件下での紫外光の発生用にはこ
のプラズマ空間内にアルゴン、重水素、クリプトンまた
は水銀の１つまたは複数種を導入し、これらの気体の共
鳴発光を用いて強い紫外光を生成せしめている。
の相互作用を電子サイクロトロン共鳴(ECRともいう) 条
件を発生させ、この共鳴領域を利用して強紫外光源を生
成する。そしてこの発生した紫外光を用いて光クリ−ニ
ング、光エッチングまたは光アッシング等の光処理を行
い得る。このためECR 条件下での紫外光の発生用にはこ
のプラズマ空間内にアルゴン、重水素、クリプトンまた
は水銀の１つまたは複数種を導入し、これらの気体の共
鳴発光を用いて強い紫外光を生成せしめている。
【０００６】『作用』するとこの電磁エネルギを利用し
た紫外光源の強光のため、被形成面上に形成されてしま
っているナチュラル・オキサイドを除去し、さらに真空
ポンプからのオイル蒸気の逆流によるハイドロカ−ボン
の被処理面への吸着を防ぐこともできる。加えて、この
紫外光クリ−ニングの際、基板の被形成面が酸素を特に
嫌う材料、例えばGaAs等３−５化合物にあっては、クリ
−ニング用反応性気体としてアンモニア、水素等還元雰
囲気用気体を用い、この気体に紫外光を照射して励起さ
せ、またはこれにECR エッチング用のマイクロ波励起を
併用して行う。また処理用被形成面がフォトレジスト等
の有機物の場合は、酸素を導入し、これを活性化して処
理表面でエッチング（アッシング）を行う。
た紫外光源の強光のため、被形成面上に形成されてしま
っているナチュラル・オキサイドを除去し、さらに真空
ポンプからのオイル蒸気の逆流によるハイドロカ−ボン
の被処理面への吸着を防ぐこともできる。加えて、この
紫外光クリ−ニングの際、基板の被形成面が酸素を特に
嫌う材料、例えばGaAs等３−５化合物にあっては、クリ
−ニング用反応性気体としてアンモニア、水素等還元雰
囲気用気体を用い、この気体に紫外光を照射して励起さ
せ、またはこれにECR エッチング用のマイクロ波励起を
併用して行う。また処理用被形成面がフォトレジスト等
の有機物の場合は、酸素を導入し、これを活性化して処
理表面でエッチング（アッシング）を行う。
【０００７】本発明においては紫外光源としてECR 条件
を利用した水銀の共鳴発光波長の185nm の光( 強度は好
ましくは10mW /cm2 以上) を放射せしめることにより、
励起した反応性気体の励起状態を持続できる。紫外光を
発生させる空間と処理面を有する基板を配設する反応空
間との間には、透光性の窓を必要に応じて設けることに
より、気体の紫外光発生と処理空間との交流がないよう
に遮蔽した。その結果、発生空間に水銀、重水素等が存
在しても、処理空間では任意の種類の気体雰囲気または
任意の圧力とすることができる。
を利用した水銀の共鳴発光波長の185nm の光( 強度は好
ましくは10mW /cm2 以上) を放射せしめることにより、
励起した反応性気体の励起状態を持続できる。紫外光を
発生させる空間と処理面を有する基板を配設する反応空
間との間には、透光性の窓を必要に応じて設けることに
より、気体の紫外光発生と処理空間との交流がないよう
に遮蔽した。その結果、発生空間に水銀、重水素等が存
在しても、処理空間では任意の種類の気体雰囲気または
任意の圧力とすることができる。
【０００８】プラズマエッチングに用いるサイクロトロ
ン共鳴下のプラズマ発生空間には、不活性気体または非
生成物気体( 分解または反応をしてもそれ自体は気体し
か生じない気体) を導入させる。不活性気体としてはア
ルゴンが代表的なものである。しかしヘリュ−ム、ネオ
ン、クリプトンを用いてもよい。非生成物気体として
は、酸化物気体の場合は酸素、酸化窒素 (N2O,NO, N
O2), 酸化炭素(CO,CO2), 水(H2O) 又窒化物気体として
窒素(N2), アンモニア(NH3),ヒドラジン(N2H4), 弗化炭
素(NF3, N2F6),塩化炭素(CCl4,H2CCl2) またはこれらに
キャリアガスを混合した気体が代表的なものである。
これらの非生成物気体をサイクロトロン共鳴させて活性
化せしめ、処理表面を有する基板上に磁場に従って導
く。かくして活性の非生成物気体により処理面をプラズ
マエッチングさせることができる。処理面で等方性エッ
チングを行わんとする場合には、プラズマエッチを行う
反応室の圧力を高くし、反応性気体の平均自由工程を小
さくさせればよい。そして処理表面の全面に均一な活性
気体を広げればよい。さらに室温〜500 ℃の温度で基板
を加熱することにより、この基板の被形成面上の不要物
のエッチングを助長させることができる。
ン共鳴下のプラズマ発生空間には、不活性気体または非
生成物気体( 分解または反応をしてもそれ自体は気体し
か生じない気体) を導入させる。不活性気体としてはア
ルゴンが代表的なものである。しかしヘリュ−ム、ネオ
ン、クリプトンを用いてもよい。非生成物気体として
は、酸化物気体の場合は酸素、酸化窒素 (N2O,NO, N
O2), 酸化炭素(CO,CO2), 水(H2O) 又窒化物気体として
窒素(N2), アンモニア(NH3),ヒドラジン(N2H4), 弗化炭
素(NF3, N2F6),塩化炭素(CCl4,H2CCl2) またはこれらに
キャリアガスを混合した気体が代表的なものである。
これらの非生成物気体をサイクロトロン共鳴させて活性
化せしめ、処理表面を有する基板上に磁場に従って導
く。かくして活性の非生成物気体により処理面をプラズ
マエッチングさせることができる。処理面で等方性エッ
チングを行わんとする場合には、プラズマエッチを行う
反応室の圧力を高くし、反応性気体の平均自由工程を小
さくさせればよい。そして処理表面の全面に均一な活性
気体を広げればよい。さらに室温〜500 ℃の温度で基板
を加熱することにより、この基板の被形成面上の不要物
のエッチングを助長させることができる。
【０００９】本発明はECR 条件下のみのプラズマエッチ
ングを行う場合は異方性エッチングを行い得る。またプ
ラズマ発生室で紫外光を発生させて、紫外光のみを用い
た光クリ−ニング、光エッチング、光アッシング等の光
処理工程においては、エッチング用活性気体がエッチン
グされる処理用表面を泳動( 表面泳動) し、等方性クリ
−ニング、アッシングまたはエッチングを助長する特性
を利用している。このため、例えばその３種類の処理の
ー例として、選択的に設けられたフォトレジストを用
い、基板の酸化珪素、半導体その他の被膜の異方性エッ
チングをECR エッチング( シァワ−エッチングともい
う）で実施する。その後、反応性気体の種類を変え、反
応室の圧力を高く(0.1〜10torr) してフォトレジストの
みを除去する。さらにフォトレジストの残存物、その他
の汚物を除去するためにプラズマ発生室にて紫外光を発
生せしめ、紫外光のみを照射し紫外光クリ−ニングまた
はアッシングを行う。かくして基板を選択的に異方性エ
ッチを行い、それに伴うフォトレジストの除去および表
面の清浄化を連続的に行うことができるようになった。
ングを行う場合は異方性エッチングを行い得る。またプ
ラズマ発生室で紫外光を発生させて、紫外光のみを用い
た光クリ−ニング、光エッチング、光アッシング等の光
処理工程においては、エッチング用活性気体がエッチン
グされる処理用表面を泳動( 表面泳動) し、等方性クリ
−ニング、アッシングまたはエッチングを助長する特性
を利用している。このため、例えばその３種類の処理の
ー例として、選択的に設けられたフォトレジストを用
い、基板の酸化珪素、半導体その他の被膜の異方性エッ
チングをECR エッチング( シァワ−エッチングともい
う）で実施する。その後、反応性気体の種類を変え、反
応室の圧力を高く(0.1〜10torr) してフォトレジストの
みを除去する。さらにフォトレジストの残存物、その他
の汚物を除去するためにプラズマ発生室にて紫外光を発
生せしめ、紫外光のみを照射し紫外光クリ−ニングまた
はアッシングを行う。かくして基板を選択的に異方性エ
ッチを行い、それに伴うフォトレジストの除去および表
面の清浄化を連続的に行うことができるようになった。
【００１０】以下に実施例に従い本発明を示す。
【実施例】図１は本発明の紫外光処理型マイクロ波励起
の装置の概要を示す。図面において、ステンレス容器
(1')内に反応空間(1) を構成させている。この容器は、
基板(10)の取り出し口(1'') を有し、下部に基板(10)を
基板ホルダ(10') に設け、その裏側にはハロゲンランプ
ヒ−タ(7) を設け加熱している。他方、容器(1')の上部
には、紫外光源を発生させる磁場(5),(5')および電場の
相互作用を用いるプラズマ発生室(2)(紫外光を発生させ
るためのプラズマ発生空間、即ち紫外光発生空間) を有
する。このプラズマ発生室(2) を用い導入する気体を換
えて、プラズマ処理用の気体の活性化を行う。このプラ
ズマ発生用空間にはマイクロ波電源(3) 、チュ−ニング
装置(4) 、石英窓(18)より電場エネルギを供給する。こ
の電場エネルギは窓(18)を経て空間(2')にも供給され
る。そして紫外光を発生させる場合には、ド−ピング系
(13)より水銀バブラ(11)をアルゴンでバブルさせ、水銀
蒸気およびアルゴンガスを例えば(24)より導入し紫外光
を発生させる。プラズマエッチ用の気体を発生させんと
する場合には、ド−ピング系(13)より(25)を経てアルゴ
ンまたは酸素( アッシング用) またはNF3(エッチング
用) 等を導入し、プラズマ化した反応性気体を発生させ
る。このプラズマエッチングにはド−ピング系(13)のエ
ッチングまたはアッシング用反応性気体を(26)より導入
し、(25)よりアルゴンを導入し、プラズマ化したアルゴ
ンにより反応性気体を活性化する方式を用いてもよい。
窓(19)は紫外光に対し透光性を有する。かくして紫外光
をECR プラズマを用いて窓(2) にて発生せしめ、これら
を用いて反応空間(1) に配設された基板の処理用表面で
光エッチングを行うことが可能となった。
の装置の概要を示す。図面において、ステンレス容器
(1')内に反応空間(1) を構成させている。この容器は、
基板(10)の取り出し口(1'') を有し、下部に基板(10)を
基板ホルダ(10') に設け、その裏側にはハロゲンランプ
ヒ−タ(7) を設け加熱している。他方、容器(1')の上部
には、紫外光源を発生させる磁場(5),(5')および電場の
相互作用を用いるプラズマ発生室(2)(紫外光を発生させ
るためのプラズマ発生空間、即ち紫外光発生空間) を有
する。このプラズマ発生室(2) を用い導入する気体を換
えて、プラズマ処理用の気体の活性化を行う。このプラ
ズマ発生用空間にはマイクロ波電源(3) 、チュ−ニング
装置(4) 、石英窓(18)より電場エネルギを供給する。こ
の電場エネルギは窓(18)を経て空間(2')にも供給され
る。そして紫外光を発生させる場合には、ド−ピング系
(13)より水銀バブラ(11)をアルゴンでバブルさせ、水銀
蒸気およびアルゴンガスを例えば(24)より導入し紫外光
を発生させる。プラズマエッチ用の気体を発生させんと
する場合には、ド−ピング系(13)より(25)を経てアルゴ
ンまたは酸素( アッシング用) またはNF3(エッチング
用) 等を導入し、プラズマ化した反応性気体を発生させ
る。このプラズマエッチングにはド−ピング系(13)のエ
ッチングまたはアッシング用反応性気体を(26)より導入
し、(25)よりアルゴンを導入し、プラズマ化したアルゴ
ンにより反応性気体を活性化する方式を用いてもよい。
窓(19)は紫外光に対し透光性を有する。かくして紫外光
をECR プラズマを用いて窓(2) にて発生せしめ、これら
を用いて反応空間(1) に配設された基板の処理用表面で
光エッチングを行うことが可能となった。
【００１１】〔実験例〕この実験例は実施例の装置を用
い、酸化珪素の異方性エッチおよびその上のフォトレジ
ストのエッチ、さらに表面の紫外光クリ−ニングを行っ
た応用例である。この処理工程の縦断面図群を図２に示
す。基板(10)のシリコン半導体上に酸化珪素(21)および
その上にフォトレジスト(22)が形成されたものを用い
た。このフォトレジストをマスクとして酸化珪素のECR
プラズマを用いて異方性エッチングを行い、図２(B) に
示す如く2500Å/ 分のエッチング速度で酸化珪素の異方
性エッチング(23)を行うことができた。即ち、マイクロ
波は(3) より2.45GHz の周波数を有し、30〜500Wの出
力、例えば200Wで供給した。紫外光透光性窓(19)は補助
室(19') 内に収められ、室(2) と反応室(1) とは開状態
であり、気体は自由に出入りできる。磁石(5),(5')の共
鳴磁場強度は875 ガウスとした。プラズマ発生空間(2)
および反応空間(1) の圧力は0.002torr、非生成物気体
として(25)よりアルゴンを50cc/ 分で供給した。加えて
弗化窒素(NF3) を(26)より20cc/ 分で供給した。
い、酸化珪素の異方性エッチおよびその上のフォトレジ
ストのエッチ、さらに表面の紫外光クリ−ニングを行っ
た応用例である。この処理工程の縦断面図群を図２に示
す。基板(10)のシリコン半導体上に酸化珪素(21)および
その上にフォトレジスト(22)が形成されたものを用い
た。このフォトレジストをマスクとして酸化珪素のECR
プラズマを用いて異方性エッチングを行い、図２(B) に
示す如く2500Å/ 分のエッチング速度で酸化珪素の異方
性エッチング(23)を行うことができた。即ち、マイクロ
波は(3) より2.45GHz の周波数を有し、30〜500Wの出
力、例えば200Wで供給した。紫外光透光性窓(19)は補助
室(19') 内に収められ、室(2) と反応室(1) とは開状態
であり、気体は自由に出入りできる。磁石(5),(5')の共
鳴磁場強度は875 ガウスとした。プラズマ発生空間(2)
および反応空間(1) の圧力は0.002torr、非生成物気体
として(25)よりアルゴンを50cc/ 分で供給した。加えて
弗化窒素(NF3) を(26)より20cc/ 分で供給した。
【００１２】さらに、酸素を(25)より導入した。すると
フォトレジスト(22)は図２(C) に示す如く、ECR プラズ
マエッチング、即ちのアッシングにより(27)の部分のレ
ジストが除去された。しかしフォトレジストが形成され
ていない面にも炭化水素(28)が付着しやすい。このた
め、この後紫外光クリ−ニングのみを行った。即ち、こ
のエッチングが完了した後、磁石(5),(5')により875 ガ
ウスの磁場を加え、窓(19)を閉とし、室(2) 、反応室
(1) とを透光性でかつ気体は互いに出入りのできない状
態とした。そして水銀およびアルゴンを(24)よりプラズ
マ発生空間(2) に加え、185 nmの強紫外光を発生させ
た。不要アルゴンはバルブ(14'),(15') より排気した。
フォトレジスト(22)は図２(C) に示す如く、ECR プラズ
マエッチング、即ちのアッシングにより(27)の部分のレ
ジストが除去された。しかしフォトレジストが形成され
ていない面にも炭化水素(28)が付着しやすい。このた
め、この後紫外光クリ−ニングのみを行った。即ち、こ
のエッチングが完了した後、磁石(5),(5')により875 ガ
ウスの磁場を加え、窓(19)を閉とし、室(2) 、反応室
(1) とを透光性でかつ気体は互いに出入りのできない状
態とした。そして水銀およびアルゴンを(24)よりプラズ
マ発生空間(2) に加え、185 nmの強紫外光を発生させ
た。不要アルゴンはバルブ(14'),(15') より排気した。
【００１３】この時反応室(1) 内の圧力は10〜100torr
として、オゾンまたは酸素ラジカルが残存する有機物(2
7)との反応を助長させた。かくして図２(D) に示す如
く、フォトレジストを完全に除去し、かつ選択エッチさ
れた酸化珪素は異方性エッチを連続的に実施することが
可能となった。このエッチングされる対象物は酸化珪素
のみならず、窒化珪素、シリコン半導体、金属珪化物、
合金その他エレクトロニクス応用機器、例えば半導体集
積回路の製造プロセスを必要とするすべてをエッチング
用の反応性機械を変えることにより実施することができ
る。
として、オゾンまたは酸素ラジカルが残存する有機物(2
7)との反応を助長させた。かくして図２(D) に示す如
く、フォトレジストを完全に除去し、かつ選択エッチさ
れた酸化珪素は異方性エッチを連続的に実施することが
可能となった。このエッチングされる対象物は酸化珪素
のみならず、窒化珪素、シリコン半導体、金属珪化物、
合金その他エレクトロニクス応用機器、例えば半導体集
積回路の製造プロセスを必要とするすべてをエッチング
用の反応性機械を変えることにより実施することができ
る。
【００１４】
【発明の効果】本発明は、以上の説明より明らかなごと
く、基板の処理表面の有機物のプラズマエッチング( ア
ッシング) およびその後の表面の紫外光クリ−ニングを
行ったものである。さらにフォトレジストをマスクとし
て行う基板の選択的異方性エッチングとこの異方性エッ
チングの手段に加えて紫外光を照射することにより等方
性プラズマエッチングを行うことを可とし、同じプラズ
マエッチング手段により異方性エッチングおよび等方性
エッチングを使い分けることが可能となった。
く、基板の処理表面の有機物のプラズマエッチング( ア
ッシング) およびその後の表面の紫外光クリ−ニングを
行ったものである。さらにフォトレジストをマスクとし
て行う基板の選択的異方性エッチングとこの異方性エッ
チングの手段に加えて紫外光を照射することにより等方
性プラズマエッチングを行うことを可とし、同じプラズ
マエッチング手段により異方性エッチングおよび等方性
エッチングを使い分けることが可能となった。
【００１５】本発明は紫外光発生用のプラズマ発生空間
とプラズマエッチング用のプラズマ発生空間とを同一化
して有し、ともに磁場と電場の相互作用を用いて行っ
た。このため、これまでの光処理装置の如く水銀灯を用
いないため、紫外光源が長期使用により劣化することが
なく、またその紫外光の強度も磁場の強度を変えること
により調整できるようになった。
とプラズマエッチング用のプラズマ発生空間とを同一化
して有し、ともに磁場と電場の相互作用を用いて行っ
た。このため、これまでの光処理装置の如く水銀灯を用
いないため、紫外光源が長期使用により劣化することが
なく、またその紫外光の強度も磁場の強度を変えること
により調整できるようになった。
【００１６】更に本発明は、予め付着または形成された
汚物、または被膜形成直後または反応炉内で新たに吸着
する汚物を紫外光クリ−ニングで除去させた。本発明の
図１は基板の上表面側にエッチング処理を行った。しか
しこの図面を上下逆とし、基板を下側または横（垂直方
向）とし、光源、共鳴装置を上側または横側に配設して
もよいことはいうまでもない。
汚物、または被膜形成直後または反応炉内で新たに吸着
する汚物を紫外光クリ−ニングで除去させた。本発明の
図１は基板の上表面側にエッチング処理を行った。しか
しこの図面を上下逆とし、基板を下側または横（垂直方
向）とし、光源、共鳴装置を上側または横側に配設して
もよいことはいうまでもない。
【００１７】本発明は紫外光およびECR のエッチング、
アッシングおよびクリ−ニングを例として示した。しか
し逆に紫外光を用いた被膜形成またはこれと同時または
その前またはその後にECR 条件を用いた被膜形成を行っ
てもよい。紫外光処理、プラズマ処理も有効である。ま
た本発明において反応空間と紫外光発生空間とが同一圧
力である場合、さらに紫外光発生用手段に用いる気体が
高価または有毒でない場合、または磁場のピンチングに
より紫外光発生用気体が反応空間に放出しにくい場合は
窓( 図１(19)) を除去してもよい。
アッシングおよびクリ−ニングを例として示した。しか
し逆に紫外光を用いた被膜形成またはこれと同時または
その前またはその後にECR 条件を用いた被膜形成を行っ
てもよい。紫外光処理、プラズマ処理も有効である。ま
た本発明において反応空間と紫外光発生空間とが同一圧
力である場合、さらに紫外光発生用手段に用いる気体が
高価または有毒でない場合、または磁場のピンチングに
より紫外光発生用気体が反応空間に放出しにくい場合は
窓( 図１(19)) を除去してもよい。
【図１】本発明の紫外光処理およびプラズマ処理式サイ
クロトロン共鳴型処理装置を示す。
クロトロン共鳴型処理装置を示す。
【図２】本発明を用いた工程の実施例を示す縦断面図群
である。
である。
１・・・・反応空間 ２・・・・紫外光発生用およびプラズマ発生用の空間 ３・・・・マイクロ波電源 ４・・・・チュ−ニング装置 5,5'・・・磁石 ９・・・・排気ポンプ 10,10'・・基板、基板ホルダ 11・・・・水銀バブラ 13・・・・ド−ピング系 14,15 ・・バルブ 14',15' ・バルブ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｎ
Claims (1)
- 【請求項１】 減圧状態に保持されるプラズマ発生室、
該発生室を囲んで設けられた磁場発生手段、前記プラズ
マ発生室にマイクロ波を供給する手段を有する処理装置
内の磁場および電場の共鳴相互作用により生じる共鳴領
域で、酸化物気体を導入することによって得られるプラ
ズマ化した酸化物気体を用いてフォトレジストを除去
し、その後紫外光を照射することにより、クリーニング
を行うことを特徴とする処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33504194A JP2511810B2 (ja) | 1994-12-19 | 1994-12-19 | 処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33504194A JP2511810B2 (ja) | 1994-12-19 | 1994-12-19 | 処理方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61266835A Division JP2535517B2 (ja) | 1986-11-10 | 1986-11-10 | 処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07288242A JPH07288242A (ja) | 1995-10-31 |
| JP2511810B2 true JP2511810B2 (ja) | 1996-07-03 |
Family
ID=18284089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33504194A Expired - Lifetime JP2511810B2 (ja) | 1994-12-19 | 1994-12-19 | 処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2511810B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100329787B1 (ko) * | 1999-12-30 | 2002-03-25 | 박종섭 | 반도체 소자의 감광막 제거방법 |
| JP5019913B2 (ja) * | 2007-03-06 | 2012-09-05 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体素子の製造方法 |
-
1994
- 1994-12-19 JP JP33504194A patent/JP2511810B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07288242A (ja) | 1995-10-31 |
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