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JP2586378B2 - Semiconductor device manufacturing equipment - Google Patents

Semiconductor device manufacturing equipment

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Publication number
JP2586378B2
JP2586378B2 JP14247393A JP14247393A JP2586378B2 JP 2586378 B2 JP2586378 B2 JP 2586378B2 JP 14247393 A JP14247393 A JP 14247393A JP 14247393 A JP14247393 A JP 14247393A JP 2586378 B2 JP2586378 B2 JP 2586378B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
groove
guide
semiconductor device
chemical solution
Prior art date
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JP14247393A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH076992A (en
Inventor
春人 濱野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造装置
に係わり、特に半導体基板(以下、ウェハと称す)を立
てた状態で保持するための溝を有する半導体装置の製造
装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to an apparatus for manufacturing a semiconductor device having a groove for holding a semiconductor substrate (hereinafter, referred to as a wafer) in an upright state.

【0002】[0002]

【従来の技術】図6は、ウェハを立てた状態で保持すた
めの溝を有する従来の半導体装置の製造装置の斜視図で
ある。
2. Description of the Related Art FIG. 6 is a perspective view of a conventional semiconductor device manufacturing apparatus having a groove for holding a wafer in an upright state.

【0003】チャック1に取付けられたチャック棒2に
は、複数のウェハを支持する溝が形成されており、ガイ
ド3に取付けられたガイド棒4にも、チャック棒2の溝
と等ピッチでウェハ5を支持する溝が形成されている。
ガイド3は、位置の微調整ができるように支持板6に取
付けられ、ガイド棒4は、処理槽7内に浸漬されてい
る。チャック1,ガイド3の材質は、剛性、耐薬品性、
耐熱性、純度の点で、最も優れている石英を使用してい
る。
A groove for supporting a plurality of wafers is formed in a chuck rod 2 mounted on the chuck 1, and a guide rod 4 mounted on a guide 3 is also provided with a wafer at the same pitch as the groove of the chuck rod 2. 5 are formed.
The guide 3 is attached to the support plate 6 so that the position can be finely adjusted, and the guide rod 4 is immersed in the processing tank 7. The materials of the chuck 1 and the guide 3 are rigidity, chemical resistance,
Quartz, which is the best in terms of heat resistance and purity, is used.

【0004】ウェハ5を処理槽7に入れる時、チャック
1はウェハをチャッキングしたまま処理槽7内に下降
し、ウェハをガイド3に移載し、移載されたウェハ5
は、ガイド棒4上に立設支持されるようになっている。
また、ウェハ5を処理槽7から取り出す時は、チャック
1が処理槽7内に下降し、チャック1がウェハ5をチャ
ッキングして槽から取出し、別の槽へ移送する。
When the wafer 5 is put into the processing tank 7, the chuck 1 descends into the processing tank 7 while chucking the wafer, and transfers the wafer to the guide 3, where the wafer 5 is transferred.
Are supported upright on the guide rod 4.
When the wafer 5 is taken out of the processing tank 7, the chuck 1 descends into the processing tank 7, the chuck 1 chucks the wafer 5, takes it out of the tank, and transfers it to another tank.

【0005】図8は、従来の半導体装置の製造装置の構
成図である。処理槽7のオーバフローした薬液をポンプ
8により、フィルター9を通過させ、給液パイプ10か
ら薬液を再び処理槽7内に噴流させることにより、循環
フィルタリングを行う構成となっている。
FIG. 8 is a configuration diagram of a conventional semiconductor device manufacturing apparatus. The chemical liquid overflowing from the processing tank 7 is passed through the filter 9 by the pump 8, and the chemical liquid is jetted from the liquid supply pipe 10 into the processing tank 7 again, thereby performing circulation filtering.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体装置
の製造装置では、チャック棒2とガイド棒4の溝に接触
するウェハ周辺部に傷が発生する問題を生じる。また溝
に接触するウェハ周辺部及びその上方部にパーティクル
が付着するという問題を生じる。
In this conventional semiconductor device manufacturing apparatus, there is a problem that a scratch is generated in a peripheral portion of the wafer which comes into contact with the grooves of the chuck rod 2 and the guide rod 4. In addition, there is a problem that particles adhere to the peripheral portion of the wafer and the upper portion thereof in contact with the groove.

【0007】ウェハ周辺部に傷が発生する原因を下記に
記す。
The cause of the occurrence of scratches on the periphery of the wafer is described below.

【0008】ウェハをガイド3に移載する時、すなわち
移し替える時においては、溝に接触するウェハ5周辺部
は、図7(B)に示すように溝側面11に接触しながら
移載される。単に接触しながら移載されるのみならず、
通常、ウェハ5が溝側面11に押さえつけられながら移
載されることが多い。その理由は、移載時においては、
チャック棒2とガイド棒4の合計7本の棒の溝内にウェ
ハ5が挿入されているので、7個の溝が同一面上にない
場合、ウェハ5周辺部が溝側面11に押さえつけられる
のである。
When the wafer is transferred to the guide 3, that is, when the wafer is transferred, the peripheral portion of the wafer 5 contacting the groove is transferred while contacting the groove side surface 11 as shown in FIG. 7B. . Not only are they transferred while touching,
Usually, the wafer 5 is often transferred while being pressed against the groove side surface 11. The reason is that at the time of transfer,
Since the wafer 5 is inserted into the grooves of the total of seven rods of the chuck rod 2 and the guide rod 4, when the seven grooves are not on the same surface, the peripheral portion of the wafer 5 is pressed against the groove side surface 11. is there.

【0009】ところで、溝の寸法は、図7(A)に示す
ように、寸法a=ウェハ厚さ+0.2mm程度、寸法b
=数mm、寸法c=数mmである。従って、7個の溝を
同一面上にそろえるためには、7個の溝の位置を±0.
1mm程度の範囲内に入れるように、チャック1とガイ
ド3の位置調整をしなければならないが、実際には、こ
の調整は非常に困難で、通常、位置がずれている。
As shown in FIG. 7A, the dimensions of the groove are as follows: dimension a = wafer thickness + about 0.2 mm, dimension b
= Several mm, dimension c = several mm. Therefore, in order to align the seven grooves on the same plane, the positions of the seven grooves are set to ± 0.
The position of the chuck 1 and the guide 3 must be adjusted so as to be within a range of about 1 mm. However, in practice, this adjustment is very difficult, and the positions are usually shifted.

【0010】なお、溝の幅寸法aやbを大きくすると、
ウェハ5が倒れて隣りのウェハに接触するため、上記し
た寸法が限界である。また、チャック1とガイド3の材
質を石英でなくテフロン系のものを使用すれば、傷は発
生しないと思われるが、テフロンは熱膨張するため70
℃以上の薬液の場合、溝のピッチがずれて、搬送信頼性
が低下するという問題がある。そのため、現状、材質と
しては石英が最も優れている。
When the widths a and b of the groove are increased,
Since the wafer 5 falls down and comes into contact with an adjacent wafer, the above dimensions are the limit. Also, if the material of the chuck 1 and the guide 3 is not quartz but Teflon-based, it is considered that no scratches will be generated.
In the case of a chemical solution at a temperature of not less than ° C., there is a problem that the pitch of the groove is shifted and the transport reliability is reduced. Therefore, at present, quartz is the most excellent material.

【0011】次にパーティクルが多発する原因として
は、第一にウェハ5の移載時にウェハ5周辺部に傷がつ
くことによって発生するパーティクル、第二にウェハ5
が溝側面11に接触することによって、ガイド棒4の溝
内に蓄積しているパーティクルがウェハ5に付着した
り、舞上ることによって、ウェハ5に付着するパーティ
クルという二つの原因がある。
The causes of the large number of particles are as follows: first, particles generated by scratching the periphery of the wafer 5 when the wafer 5 is transferred;
Particles that accumulate in the grooves of the guide rods 4 adhere to the wafer 5 when they come into contact with the groove side surfaces 11 or fly up, so that there are two causes: particles that adhere to the wafer 5.

【0012】以上、一個のチャックとガイドについて説
明をしたが、実際は、1台の装置で処理槽は複数個有
り、例えば、洗浄工程においては、1台の装置で数十回
処理される。従って、ウェハの移載回数は、半導体製品
が完成するまでに、数百回以上になり、ウェハが受ける
損傷は多大なものになる。
Although one chuck and guide have been described above, in actuality, one apparatus has a plurality of processing tanks. For example, in a cleaning step, processing is performed several tens of times by one apparatus. Therefore, the number of times the wafer is transferred becomes several hundred times or more before the semiconductor product is completed, and the damage to the wafer becomes enormous.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、部材の
溝に半導体基板を立てた状態で保持し、前記溝の側面及
び底面から液体を噴出して前記半導体基板を処理する
導体装置の製造装置において、前記溝を構成する前記部
材はポーラス石英から成り、このポーラス石英の小孔よ
り前記液体が噴出する半導体装置の製造装置にある。
Of the present invention SUMMARY OF THE INVENTION The features of the member
The semiconductor substrate is held upright in the groove, and the side surface of the groove and
In a semiconductor device manufacturing apparatus for processing the semiconductor substrate by ejecting a liquid from a bottom surface, the part constituting the groove is provided.
The material is made of porous quartz.
In the semiconductor device manufacturing apparatus from which the liquid is ejected.

【0014】[0014]

【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, the present invention will be described with reference to the drawings.

【0015】図1は本発明の第1の実施例の半導体装置
の製造装置を示す斜視図であり、図2はその断面図であ
る。
FIG. 1 is a perspective view showing an apparatus for manufacturing a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view thereof.

【0016】図1において切断線S−S,T−T,H−
HおよびG−Gで示した部分の断面がそれぞれ図2
(A)における断面S−S,断面T−T,断面H−Hお
よび断面G−Gである。また図2(A)のA−A部の断
面が図2(B)である。
In FIG. 1, the cutting lines SS, TT, H-
The cross sections of the portions indicated by H and GG are respectively shown in FIG.
3A is a cross section SS, a cross section TT, a cross section HH, and a cross section GG in FIG. FIG. 2B is a cross-sectional view taken along a line AA in FIG.

【0017】図2に示すように、薬液を流すための配管
14を刻設した石英棒12にポーラス石英棒13を溶接
して、ガイド棒を形成する(図2(B))。
As shown in FIG. 2, a porous quartz rod 13 is welded to a quartz rod 12 provided with a pipe 14 for flowing a chemical solution to form a guide rod (FIG. 2B).

【0018】ポーラス石英とは、流体が通過できる小孔
晶の石英である。そのガイド棒を薬液を流すための配管
14を刻設したガイド板15に配管14が連結するよう
に3本溶接によって取付ける。もう一方には、ガイド板
16を溶接する。以上のようにして製作されたガイドの
3本のガイド棒に同時に同一ピッチで溝を切削形成す
る。
[0018] Porous quartz is small pore quartz that can pass through a fluid. The guide rod is attached to the guide plate 15 provided with the pipe 14 for flowing the chemical solution by welding three pipes so that the pipe 14 is connected. A guide plate 16 is welded to the other. Grooves are simultaneously formed at the same pitch on the three guide rods of the guide manufactured as described above.

【0019】また、配管14に流入する薬液のオン/オ
フ及び流量調整ができるように、導入管17には、流量
調整ニードル付エアーオペレートバルブ18を取付け
る。
In addition, an air operation valve 18 with a flow rate adjusting needle is attached to the introduction pipe 17 so that the chemical solution flowing into the pipe 14 can be turned on / off and the flow rate can be adjusted.

【0020】薬液は、図3で示すように、フィルター9
の後から、処理槽7の給液パイプ10への配管を分岐し
て、導入管17に接続することにより配管14に供給さ
れる。
As shown in FIG.
Thereafter, the pipe to the liquid supply pipe 10 of the processing tank 7 is branched and connected to the introduction pipe 17 to be supplied to the pipe 14.

【0021】図4は、溝21からの薬液の噴出方向を矢
印で示した断面図である。薬液は、溝21の側面22及
び底面23と溝の形成されていない部分からも噴出され
る。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing the direction in which the chemical solution is ejected from the groove 21 by arrows. The chemical solution is also ejected from the side surface 22 and the bottom surface 23 of the groove 21 and the portion where the groove is not formed.

【0022】噴出のタイミングは、ウェハが無い時とウ
ェハ移載中である。ウェハの移載を完了した後に薬液を
噴出すると、ウェハが振動し、発塵の原因となるため、
ウェハがガイドに移載された後は、薬液の噴出を止め
る。ウェハが無い時に噴出させる理由は、パーティクル
が溝内に蓄積することを防止するためである。ウェハ移
載中に薬液を噴出させる理由は、薬液が潤滑剤の役目を
果し、ウェハが溝側面に接触する摩擦を緩和し、ウエハ
に傷がつくことを防止するためである。
The timing of the ejection is when there is no wafer and when the wafer is being transferred. If chemical solution is ejected after wafer transfer is completed, the wafer will vibrate and cause dust,
After the wafer is transferred to the guide, the ejection of the chemical solution is stopped. The reason for jetting when there is no wafer is to prevent particles from accumulating in the groove. The reason why the chemical solution is ejected during the transfer of the wafer is that the chemical solution serves as a lubricant, so as to reduce friction between the wafer and the side surface of the groove and to prevent the wafer from being damaged.

【0023】図5は、本発明の第2の実施例のガイドの
部分斜視図である。溝を刻設した石英棒20に配管14
に連結する穴19を溝の側面と底面に加工して開け、そ
の石英棒20を石英棒12に溶接によって取付け、ガイ
ド棒を形成する。
FIG. 5 is a partial perspective view of a guide according to a second embodiment of the present invention. Piping 14 on quartz rod 20 with grooves
The quartz bar 20 is attached to the quartz bar 12 by welding to form a guide bar.

【0024】第2の実施例では、第1の実施例と比較し
て、次に示す利点がある。
The second embodiment has the following advantages as compared with the first embodiment.

【0025】第一に、溝以外の部分からの薬液の噴出が
無いため、溝から噴出する薬液流量が増加して、ウェハ
と溝の摩擦緩和の効果が増大する。
First, since there is no ejection of the chemical solution from portions other than the groove, the flow rate of the chemical solution ejected from the groove increases, and the effect of alleviating the friction between the wafer and the groove increases.

【0026】第二に、第1の実施例の場合、ポーラス石
英に目づまりが生じ、薬液の噴出が減ることもあるが、
第2の実施例ではそのようなことは発生しない。
Secondly, in the case of the first embodiment, the porous quartz may be clogged and the ejection of the chemical solution may be reduced.
Such a situation does not occur in the second embodiment.

【0027】以上、薬液槽で実施例を記載したが、純水
水洗槽においても同様に適用できる。
Although the embodiment has been described above with the chemical solution tank, the present invention can be similarly applied to a pure water washing tank.

【0028】[0028]

【発明の効果】以上説明したように本発明は、ガイドの
溝から薬液または純水を噴出することにより、ウェハと
ガイド溝との接触摩擦の緩和を実現したので、ウェハ周
辺部の傷が激減し、ウェハに付着するパーティクルも低
減できるという効果を有する。
As described above, according to the present invention, the contact friction between the wafer and the guide groove is reduced by ejecting the chemical or pure water from the groove of the guide, so that the damage on the peripheral portion of the wafer is drastically reduced. In addition, there is an effect that particles adhering to the wafer can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施例を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1の実施例を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing a first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第1の実施例を示す構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram showing a first embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第1の実施例のガイドの溝から薬液の
噴出方向を拡大して示した断面図である。
FIG. 4 is an enlarged sectional view showing a direction in which a chemical solution is ejected from a groove of a guide according to the first embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第2の実施例のガイドの部分を示した
斜視図である。
FIG. 5 is a perspective view showing a guide portion according to a second embodiment of the present invention.

【図6】従来技術を示す斜視図である。FIG. 6 is a perspective view showing a conventional technique.

【図7】従来技術のガイドの溝を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing a groove of a conventional guide.

【図8】従来技術を示す構成図である。FIG. 8 is a configuration diagram showing a conventional technique.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 チャック 2 チャック棒 3 ガイド 4 ガイド棒 5 ウェハ 6 支持板 7 処理槽 8 ポンプ 9 フィルター 10 給液パイプ 11 溝側面 12 石英棒 13 ポーラス石英棒 14 配管 15 配管刻設ガイド板 16 ガイド板 17 導入管 18 流量調整ニードル付エアーオペレートバルブ 19 穴 20 溝刻設石英棒 21 溝 22 溝の側面 23 溝の底面 Reference Signs List 1 chuck 2 chuck rod 3 guide 4 guide rod 5 wafer 6 support plate 7 processing tank 8 pump 9 filter 10 liquid supply pipe 11 groove side surface 12 quartz rod 13 porous quartz rod 14 piping 15 piping engraving guide plate 16 guide plate 17 introduction pipe 18 Air operated valve with flow rate adjusting needle 19 Hole 20 Quartz rod with groove engraved 21 Groove 22 Side of groove 23 Bottom of groove

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 部材の溝に半導体基板を立てた状態で保
持し、前記溝の側面及び底面から液体を噴出して前記半
導体基板を処理する半導体装置の製造装置において、
記溝を構成する前記部材はポーラス石英から成り、この
ポーラス石英の小孔より前記液体が噴出することを特徴
とする半導体装置の製造装置。
A semiconductor substrate is held upright in a groove of a member.
And ejects liquid from the side and bottom surfaces of the groove to form the half
Apparatus for manufacturing a semiconductor device for processing a conductive substrate, before
The member constituting the groove is made of porous quartz.
An apparatus for manufacturing a semiconductor device, wherein the liquid is ejected from pores of porous quartz .
【請求項2】 前記液体は前記半導体基板を処理する薬
液であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置
の製造装置。
2. The apparatus according to claim 1, wherein the liquid is a chemical for treating the semiconductor substrate.
【請求項3】 前記液体は前記半導体基板を洗処理す
る純水であることを特徴とする請求項1に記載の半導体
装置の製造装置。
Wherein said liquid apparatus for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, characterized in that the pure water treatment washing the semiconductor substrate.
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