[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP2598359B2 - Substrate cleaning equipment - Google Patents

Substrate cleaning equipment

Info

Publication number
JP2598359B2
JP2598359B2 JP4341185A JP34118592A JP2598359B2 JP 2598359 B2 JP2598359 B2 JP 2598359B2 JP 4341185 A JP4341185 A JP 4341185A JP 34118592 A JP34118592 A JP 34118592A JP 2598359 B2 JP2598359 B2 JP 2598359B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
substrate
cleaning
substrates
cleaning liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP4341185A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH06163500A (en
Inventor
哲雄 小柳
弘 山口
勉 上田
Original Assignee
株式会社スガイ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社スガイ filed Critical 株式会社スガイ
Priority to JP4341185A priority Critical patent/JP2598359B2/en
Publication of JPH06163500A publication Critical patent/JPH06163500A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2598359B2 publication Critical patent/JP2598359B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Cleaning In General (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は基板の洗浄装置に関
、さらに詳細には、半導体基板や液晶ガラス基板等の
薄板状の基板を複数枚まとめて洗浄液に浸漬する技術に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate cleaning apparatus.
And, more particularly, to a technique of immersing the thin plate-like substrate such as a semiconductor substrate or a liquid crystal glass substrate on a plurality collectively cleaning liquid.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体装置の性能や信頼性を高く保持す
るためには、半導体基板(以下、ウェハと称する)の表
面の汚染物質を極力低減させて高い清浄度を保つことが
必須であり、この目的から、従来種々のウェハ洗浄処理
技術が開発されており、その一例としてフッ酸(HF)
処理の場合を図12から図14に示す。
2. Description of the Related Art In order to maintain the performance and reliability of a semiconductor device at a high level, it is essential to maintain a high cleanliness by minimizing contaminants on the surface of a semiconductor substrate (hereinafter referred to as a wafer). For this purpose, various wafer cleaning techniques have been developed in the past, such as hydrofluoric acid (HF).
The case of the processing is shown in FIGS.

【0003】ここに示されるHF処理装置は、複数枚の
ウェハW,W,…をまとめて処理(バッチ処理)するた
めのもので、図12に示すように、石英ガラスやフッ素
樹脂等の耐腐食性を有する材料からなり、HFと純水の
混合液(洗浄液)Cが満たされている洗浄槽aと、この
洗浄槽aからオーバフローする洗浄液Cを集める外槽b
とを備えている。
The HF processing apparatus shown here is for processing a plurality of wafers W, W,... Collectively (batch processing), and as shown in FIG. A cleaning tank a made of a corrosive material and filled with a mixed liquid (cleaning liquid) C of HF and pure water, and an outer tank b for collecting the cleaning liquid C overflowing from the cleaning tank a
And

【0004】上記洗浄槽aの底部には、2本の給液パイ
プd,dが設けられるとともに、これら給液パイプd,
dの上側には、複数枚のウェハW,W,…を保持するウ
ェハ保持部eが設けられている。
At the bottom of the washing tank a, two liquid supply pipes d, d are provided, and these liquid supply pipes d, d are provided.
Above d, a wafer holder e for holding a plurality of wafers W, W,... is provided.

【0005】そして、洗浄槽a内に満たされた洗浄液C
中に、複数枚のウェハW,W,…をウェハ保持部eに載
置保持して浸漬し、循環ポンプPにより濾過フィルタF
を介して洗浄液Cを循環させる。つまり、この洗浄液C
は、上記給液パイプd,dから洗浄槽a内へ供給され、
この供給量に対応した量の洗浄液Cが洗浄槽aの上部開
口を乗り越えオーバフローして、外槽bへ流れ込む。
The cleaning liquid C filled in the cleaning tank a
Are placed and held in the wafer holding unit e, and immersed therein.
The cleaning liquid C is circulated through the. That is, the cleaning liquid C
Is supplied from the supply pipes d, d into the washing tank a,
An amount of the cleaning liquid C corresponding to this supply amount passes over the upper opening of the cleaning tank a, overflows, and flows into the outer tank b.

【0006】この時、洗浄槽a内には洗浄液Cの上昇流
(アップフロー)が生じ、この上昇流は、図13に示す
ように各ウェハW,W間を流れて、各ウェハWの表面
(鏡面)Waと裏面Wbに付着したダスト(塵埃)p,
p,…を剥離して、オーバフローする洗浄液Cと共に洗
浄槽aの外へ運び出し、このダストp,p,…を濾過フ
ィルタFで除去した後、再び洗浄液Cのみが洗浄槽a内
へ戻る。
At this time, an upward flow (upflow) of the cleaning liquid C is generated in the cleaning tank a, and this upward flow flows between the wafers W as shown in FIG. (Mirror surface) Dust adhering to Wa and back surface Wb (dust) p,
are removed and carried out of the cleaning tank a together with the overflowing cleaning liquid C. After the dusts p, p,... are removed by the filter F, only the cleaning liquid C returns to the cleaning tank a again.

【0007】以上のように洗浄液Cが所定時間循環され
ることにより、各ウェハWの表裏面Wa,Wbが清浄化
されることとなる。
By circulating the cleaning liquid C for a predetermined time as described above, the front and back surfaces Wa and Wb of each wafer W are cleaned.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】ところで、近時は半導
体装置もサブミクロン時代を迎え、このような装置構造
の微細化、高集積化に伴って、ウェハWの表面Waにも
非常に高い清浄度が要求されている。
In recent years, semiconductor devices have entered the submicron era, and with the miniaturization and high integration of such device structures, the surface Wa of the wafer W has very high cleanliness. Degree is required.

【0009】しかしながら、上記のような従来の洗浄方
法では、洗浄液Cの上昇流に乱雑な流れを生じる部分な
どがあって、特にウェハWの裏面Wbから剥離した裏面
ダストp,p,…が表面Waに再付着し、表面Waに所
期の清浄度が得られず、これがため歩留りを大幅に低下
させるという問題が生じていた。
However, in the conventional cleaning method as described above, there is a portion where the upward flow of the cleaning liquid C causes a random flow, and particularly, the back surface dusts p, p,... It reattached to Wa, and the desired cleanliness could not be obtained on the surface Wa, which caused a problem that the yield was greatly reduced.

【0010】この点に関して、本発明者は、上記洗浄液
Cの上昇流における乱雑な流れの原因を追求すべく種々
の試験研究を行った結果、その主因が洗浄槽aの底部に
設けられた2本の給液パイプd,dにあることを突き止
めた。
[0010] In this regard, the present inventor conducted various tests and researches in pursuit of the cause of the turbulent flow in the upward flow of the cleaning liquid C. As a result, the main cause was that the cleaning liquid C was provided at the bottom of the cleaning tank a. The liquid supply pipes d, d were located.

【0011】すなわち、これら給液パイプd,dには、
図14に示すように、多数(例えば60個程度)の流出
穴f,g,h,…が設けられているが、これらの流出穴
のうち、ウェハW,W,…間に向けて設けられた流出穴
fはほんの3〜5個程度(図示のものにおいては3個)
で、残りの流出穴g,h,…はすべて、ウェハW,W,
…と直接対向しない方向へそれぞれ向けられている(図
12(a) および図14(b) 参照)。
That is, these liquid supply pipes d, d
As shown in FIG. 14, a large number (for example, about 60) of outflow holes f, g, h,... Are provided, and among these outflow holes, the outflow holes f, g, h,. Only about 3 to 5 outflow holes f (three in the illustration)
, And the remaining outflow holes g, h,.
.. Are not directly opposed to each other (see FIG. 12 (a) and FIG. 14 (b)).

【0012】これは、ウェハW,W,…に直接強い洗浄
液流を当てるとエッチングむらを起こす可能性があるこ
とを考慮したものであって、ウェハ向きの流出穴fを極
力少なくする一方、残りの多数の流出穴g,h,…から
流出する洗浄液Cによって、攪拌された洗浄液の流れを
起こして、その溜まりを少なくしているのである。
This takes into account that direct application of a strong cleaning liquid flow to the wafers W, W,... May cause uneven etching. Are caused by the cleaning liquid C flowing out from the large number of outflow holes g, h,... To reduce the pool.

【0013】ところが、実際には、このような流出穴配
設構造での洗浄液の流れは、均一な層流状態ではなく、
複雑かつ乱雑な流れとなってしまう。一方、ウェハWの
裏面Wbには、前工程からの持込みダスト(特にステッ
パーやインプラなどのチャッキングによるダスト)p,
p,…が多く付着している。そして、これらの裏面ダス
トp,p,…は洗浄液Cにより剥離された後、その乱雑
な流れによりオーバフローすることなくまき散らされ
て、ウェハWの表面Wa側へ流れて再付着してしまうの
である。
However, in actuality, the flow of the cleaning liquid in such an outflow hole arrangement structure is not a uniform laminar flow state.
It becomes a complicated and messy flow. On the other hand, on the back surface Wb of the wafer W, dust brought in from the previous process (particularly dust by chucking such as a stepper or an implanter) p,
Many p, ... are attached. .. Are separated by the cleaning liquid C, are scattered without overflowing, flow to the front surface Wa side of the wafer W, and adhere again. .

【0014】特に裏面ダストp,p,…の再付着が激し
いのは、洗浄液がフッ酸(HF)の場合である。つま
り、ウェハWの裏面Wb上の酸化膜がHFによりエッチ
ングされて、この酸化膜上に付着していた裏面ダストが
剥離する一方、ウェハWの表面Wa側もエッチングによ
りシリコン(Si)表面が露出し、ダストが付着しやす
い状態にあり、これがため、上記剥離した裏面ダストが
表面Waに多く再付着されてしまう。
The reattachment of the back surface dusts p, p,... Is particularly severe when the cleaning liquid is hydrofluoric acid (HF). In other words, the oxide film on the back surface Wb of the wafer W is etched by HF, and the back surface dust attached on the oxide film is peeled off, and the silicon (Si) surface is also exposed on the front surface Wa side of the wafer W by etching. However, the dust is easily adhered to the surface, so that the separated back surface dust is re-adhered to the front surface Wa in a large amount.

【0015】本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてな
されたものであって、その目的とするところは、ウェハ
の裏面から剥離した裏面ダストの表面への再付着を防止
して、半導体装置構造の微細化、高集積化に応じた高い
清浄度を得ることができる基板の洗浄装置を提供するこ
とにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to prevent a back surface dust separated from a back surface of a wafer from re-adhering to the front surface, thereby providing a semiconductor device. Provided is a substrate cleaning apparatus capable of obtaining high cleanliness in accordance with miniaturization and high integration of a structure .
And there.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の基板の洗浄装置は、基板の洗浄を複数枚ま
とめて行うバッチ式洗浄装置であって、基板の搬入出部
に、複数枚の基板を収納するウェハ置台と、このウェハ
置台上の複数枚の基板から、一枚置きの基板の組をその
配列方向と垂直方向へ離脱させるウェハ離脱手段と、こ
れらウェハ離脱手段とウェハ置台を、基板の配列方向中
心軸まわりに相対的に回転させる回転手段とを備え、一
方、基板の洗浄部に、上記ウェハ置台上の複数枚の基板
をまとめてチャッキングして搬送処理するウェハ搬送手
段と、このウェハ搬送手段により搬送される基板を浸漬
する洗浄液が満たされ、この洗浄液に層流状態の上昇流
を生じさせる構造を備えた洗浄液槽手段とを備えてな
り、上記洗浄液槽手段は、洗浄液が満たされる洗浄槽
と、この洗浄槽からオーバフローする洗浄液を集める外
槽とを備え、上記洗浄槽の底部に、洗浄液を供給する給
液ボックスが配置され、この給液ボックスの上面に、多
数の流出穴からなる洗浄液供給部が複数列配設され、こ
れら洗浄液供給部は、その配列ピッチが上記ウェハ搬送
装置により浸漬される基板間ピッチと同一とされるとと
もに、これら基板間に配置されていることを特徴とす
る。
In order to achieve the above object, a substrate cleaning apparatus of the present invention performs a plurality of substrate cleanings.
This is a batch type cleaning device that stops and carries out the substrate loading / unloading section.
A wafer table for storing a plurality of substrates,
From the multiple substrates on the table,
A wafer detaching means for detaching in a direction perpendicular to the arrangement direction;
Place the wafer release means and the wafer stage in the
Rotating means for relatively rotating around the axis,
On the other hand, a plurality of substrates on the wafer table
Wafer transporter that chucks and transports all together
Step and immerse the substrate transferred by this wafer transfer means
Washing liquid is filled, and the washing liquid
Cleaning liquid tank means having a structure for generating
The cleaning liquid tank means is a cleaning tank filled with a cleaning liquid.
And the outside of collecting the overflowing cleaning liquid from this cleaning tank.
A supply tank for supplying a cleaning liquid to the bottom of the cleaning tank.
A liquid box is arranged.
A plurality of cleaning liquid supply units consisting of
These cleaning liquid supply units have an arrangement pitch
If the pitch between substrates immersed in the device is the same
In addition, it is characterized by being arranged between these substrates.
You.

【0017】[0017]

【0018】[0018]

【作用】本発明においては、同一方向へ向けて配列され
た複数枚の基板を、隣接する基板同士の表面と表面、裏
面と裏面をそれぞれ対向させて再配列させた後、この再
配列した複数枚の基板を、層流状態の上昇流を生じさせ
た洗浄液に浸漬することにより、各基板の裏面から剥離
した裏面ダストの表面への再付着を防止する。
In the present invention, a plurality of substrates arranged in the same direction are rearranged so that the front and back surfaces of the adjacent substrates are opposed to each other, and the back and back surfaces are respectively opposed to each other. By immersing the substrates in a cleaning liquid having a laminar ascending flow, reattachment of the back surface dust separated from the back surface of each substrate to the surface is prevented.

【0019】さらに、洗浄槽内特に各基板間における洗
浄液の上昇流の均一な層流状態を確保する構造として、
一旦基板裏面から剥離した裏面ダストを、基板表面側へ
流れることなく確実に洗浄槽外へオーバフローさせるこ
とにより、上記基板の配列方向と相まって、基板表面へ
の再付着防止をより確実にする。
Further, a structure for ensuring a uniform laminar flow state of the upward flow of the cleaning liquid in the cleaning tank, especially between the substrates,
The back surface dust once peeled off from the back surface of the substrate is surely overflowed to the outside of the cleaning tank without flowing to the front surface side of the substrate, so that the re-adhesion to the front surface of the substrate is more reliably prevented in combination with the arrangement direction of the substrates.

【0020】[0020]

【実施例】以下、本発明の実施例を、図面に基づいて詳
細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0021】本発明に係る基板洗浄装置の主要部である
洗浄液槽装置を図1および図2に示す。この基板洗浄装
置は、具体的には、半導体基板(ウェハ)Wの洗浄を複
数枚まとめて行うバッチ式のもので、その洗浄液槽装置
(洗浄槽手段)1には、洗浄液Cとして、フッ酸(H
F)と純水との混合液つまり希フッ酸が満たされ、この
洗浄液C中に、ウェハW,W,…が複数枚(図示例にお
いては25枚)まとめて浸漬される構成とされている。
FIGS. 1 and 2 show a cleaning liquid tank device which is a main part of a substrate cleaning device according to the present invention. Specifically, the substrate cleaning apparatus is of a batch type in which a plurality of semiconductor substrates (wafers) W are cleaned at a time, and a cleaning liquid tank apparatus (cleaning tank means) 1 includes hydrofluoric acid as a cleaning liquid C. (H
F) and pure water, that is, dilute hydrofluoric acid, is filled, and a plurality of wafers (25 in the illustrated example) are immersed in the cleaning liquid C collectively. .

【0022】また、これらウェハW,W,…の配列ピッ
チ(基板間ピッチ)Pは、本装置の処理工程の全工程に
わたって同一ピッチとされ、図示例においては6.35
mm)に設定されている。また、ウェハW,W,…の配
列は、図3に示すように、隣接するウェハW,Wの表面
Wa,Wa同士、および裏面Wb,Wb同士がそれぞれ
対向するようにされている。
The arrangement pitch (inter-substrate pitch) P of these wafers W, W,... Is the same throughout the processing steps of the present apparatus, and is 6.35 in the illustrated example.
mm). The arrangement of the wafers W, W,... Is such that the front surfaces Wa, Wa and the back surfaces Wb, Wb of the adjacent wafers W, W face each other, as shown in FIG.

【0023】これに関連して、基板洗浄装置の基板搬入
部と基板搬出部には、後述するウェハ反転装置が設けら
れるとともに(図5〜図8参照)、このウェハ反転装置
と上記洗浄液槽装置1との間に、ウェハW,W,…を搬
送処理するウェハ搬送装置(ウェハ搬送手段)2が設け
られている。
In connection with this, a wafer reversing device, which will be described later, is provided at the substrate carrying-in portion and the substrate carrying-out portion of the substrate cleaning device (see FIGS. 5 to 8). A wafer transfer device (wafer transfer means) 2 for transferring wafers W, W,...

【0024】洗浄液槽装置1は、上記ウェハ搬送装置2
と共に基板洗浄部を構成するもので、洗浄液Cが満たさ
れる洗浄槽3と、この洗浄槽3からオーバフローする洗
浄液Cを集める外槽4とを備えてなり、これらの槽3,
4は石英ガラスやフッ素樹脂等の耐腐食性を有する材料
からなる。
The cleaning liquid tank device 1 includes the wafer transfer device 2
And a cleaning tank 3 filled with the cleaning liquid C, and an outer tank 4 for collecting the cleaning liquid C overflowing from the cleaning tank 3.
Reference numeral 4 is made of a material having corrosion resistance such as quartz glass or fluororesin.

【0025】洗浄槽3は、その上部開口5がオーバフロ
ー部とされるとともに、その底部に給液ボックス6が配
置されている。この給液ボックス6の給液回路7は、そ
の上流端が外槽4の底部に連通されるとともに、洗浄液
Cを循環させる循環ポンプ8と濾過フィルタ9を備えて
いる。50は洗浄槽3の底部と図示しない排液回路とを
連通する排液プラグである。
The cleaning tank 3 has an upper opening 5 serving as an overflow section, and a liquid supply box 6 disposed at the bottom. The liquid supply circuit 7 of the liquid supply box 6 has an upstream end connected to the bottom of the outer tank 4 and includes a circulation pump 8 for circulating the cleaning liquid C and a filtration filter 9. Reference numeral 50 denotes a drain plug for communicating the bottom of the cleaning tank 3 with a drain circuit (not shown).

【0026】給液ボックス6は、図4に示すように、そ
の内部に給液回路7の洗浄液供給ノズル10,10が臨
んで設けられるとともに、その上面6aに洗浄液供給部
11が複数列配設されている。
As shown in FIG. 4, the cleaning liquid supply nozzles 10 of the liquid supply circuit 7 are provided inside the liquid supply box 6, and a plurality of cleaning liquid supply sections 11 are arranged on the upper surface 6a. Have been.

【0027】各洗浄液供給部11は、直線上に配設され
た多数の流出穴11a,11a,…からなり、これら洗
浄液供給部11,11,…の配列ピッチP1 (図4(a)
参照)は、ウェハW,W,…の基板間ピッチPと同一の
6.35mmとされている。流出穴11aの軸線は上下
方向へ延びるように設定されている。
Each of the cleaning liquid supply sections 11 is composed of a large number of outflow holes 11a, 11a,... Arranged in a straight line, and the arrangement pitch P 1 of these cleaning liquid supply sections 11, 11,.
.) Is 6.35 mm, which is the same as the pitch P between the substrates of the wafers W, W,. The axis of the outflow hole 11a is set to extend in the up-down direction.

【0028】また、給液ボックス6の上側には、左右一
対のウェハ保持部12,12が設けられている。これら
ウェハ保持部12,12には、上下2列の保持溝群13
a,13bを備え、これら13a,13bにウェハW,
W,…の下部両側縁部が支持される。保持溝群13a,
13bの溝ピッチは上記基板間ピッチPに設定されてい
る。
On the upper side of the liquid supply box 6, a pair of left and right wafer holding parts 12, 12 are provided. The upper and lower holding groove groups 13 are provided in the wafer holding portions 12 and 12, respectively.
a, 13b, and wafers W,
The lower side edges of W,... Are supported. Holding groove group 13a,
The groove pitch of 13b is set to the above-mentioned substrate pitch P.

【0029】これに関連して、給液ボックス6の上面6
aは、上記ウェハ保持部12,12に保持されたウェハ
W,W,…の底部円弧部に沿った円弧面に形成されると
ともに、上記洗浄液供給部11,11,…は、それぞれ
ウェハW,W間に配置されている。これにより、各洗浄
液供給部11の流出穴11a,11a,…は、各ウェハ
W,W間において、ウェハWの底部に近接してこのウェ
ハWとほぼ同心状に位置されている。また、ウェハ保持
部12の上下保持溝群13a,13b間には、洗浄液C
の通過穴15,15,…が設けられており、洗浄液Cの
上昇流を阻害しない構造とされている。
In connection with this, the upper surface 6 of the liquid supply box 6
a are formed on an arc surface along the bottom arc portion of the wafers W, W,... held by the wafer holding units 12, 12, and the cleaning liquid supply units 11, 11,. It is arranged between W. Thus, the outflow holes 11a, 11a,... Of each of the cleaning liquid supply units 11 are positioned between the wafers W, W, in the vicinity of the bottom of the wafer W and substantially concentrically with the wafer W. The cleaning liquid C is provided between the upper and lower holding groove groups 13a and 13b of the wafer holding unit 12.
Are provided so as not to hinder the upward flow of the cleaning liquid C.

【0030】また、ウェハ保持部12,12の左右外側
には、2本の補助給液パイプ16,16が配設されてい
る。この給液パイプ16は、洗浄槽3の左右両側部分に
おける洗浄液Cの澱みを防止するためのものである。給
液パイプ16は、上記給液回路7に連通されるとともに
(図示省略)、その上面部に多数の流出穴16a,16
a,…が上向きに設けられて、この部位に洗浄液Cの上
方への流れを形成するようにされている。
Two auxiliary liquid supply pipes 16, 16 are arranged on the left and right outer sides of the wafer holding parts 12, 12, respectively. The liquid supply pipe 16 is for preventing stagnation of the cleaning liquid C on both left and right portions of the cleaning tank 3. The liquid supply pipe 16 communicates with the liquid supply circuit 7 (not shown), and has a number of outflow holes 16a, 16
are provided upward so as to form an upward flow of the cleaning liquid C in this portion.

【0031】外槽4は、洗浄槽3のオーバフロー部5を
全周にわたって取り囲むように設けられており、その底
部が給液回路7に連通されている。この給液回路7の中
途箇所は、切換弁51を介して前述の排液回路に連通さ
れており、洗浄液Cが汚れてきたら、この排液回路を介
して、上記両槽3,4内の洗浄液Cが全て排液される。
The outer tank 4 is provided so as to surround the overflow section 5 of the washing tank 3 over the entire circumference, and the bottom thereof is connected to the liquid supply circuit 7. An intermediate portion of the liquid supply circuit 7 is connected to the above-mentioned drain circuit via a switching valve 51. When the cleaning liquid C becomes dirty, the cleaning liquid C in the two tanks 3 and 4 is passed through the drain circuit. All of the cleaning liquid C is drained.

【0032】また、基板搬入部と搬出部にそれぞれ設け
られる前記ウェハ反転装置は、前工程から搬入されるウ
ェハW,W,…、または洗浄工程を終了したウェハW,
W,…を反転操作するもので、図5から図8に示すよう
に、ウェハ移替え装置20、ウェハ置台21、ウェハ離
脱装置(ウェハ離脱手段)22、および置台回転装置
(回転手段)23を主要部として備えてなる。
The wafer reversing devices provided at the substrate carry-in portion and the carry-out portion respectively include the wafers W, W,...
W,... Are reversed, and as shown in FIGS. 5 to 8, a wafer transfer device 20, a wafer mounting table 21, a wafer separating device (wafer separating device) 22, and a mounting table rotating device (rotating device) 23 are connected. Provided as the main part.

【0033】ウェハ移替え装置20は、基板搬入出部に
おいて、ウェハW,W,…をキャリアカセット(図示省
略)とウェハ置台21との間で移し替えるもので、これ
らの間で移動可能とされるとともに、左右一対のチャッ
キングアーム24を備える。これらチャッキングアーム
24,24は、図示しない駆動源により開閉可能とされ
るとともに、その下端部内側には、図10に示すような
上下二段のチャック溝24a,24b,…を備える。
The wafer transfer device 20 transfers wafers W, W,... Between a carrier cassette (not shown) and the wafer table 21 at the substrate loading / unloading section, and can be moved between them. And a pair of left and right chucking arms 24. These chucking arms 24, 24 can be opened and closed by a drive source (not shown), and have two upper and lower chuck grooves 24a, 24b,... As shown in FIG.

【0034】これらチャック溝24a,24b,…はそ
れぞれ25個設けられており、その配設間隔は、上記基
板間ピッチPと同一寸法とされている。そして、チャッ
キングアーム24,24の閉止状態において、上記チャ
ック溝24a,24bによりウェハWの下部両側端縁が
支持される構造とされている。
Each of the chuck grooves 24a, 24b,... Is provided with twenty-five, and the interval between the chuck grooves 24a, 24b,. When the chucking arms 24 are closed, the lower edges of the wafer W are supported by the chuck grooves 24a and 24b.

【0035】ウェハ置台21は複数枚のウェハW,W,
…を収納するもので、図示例のものは25枚のウェハ
W,W,…を上記基板間ピッチPで配列する配列溝(図
示省略)を備えている。このウェハ置台21は、支持枠
体25上に回転可能に支持されている。60はウェハ置
台21上のウェハW,W,…の有無を検出するウェハ検
出用ホトセンサである。
The wafer mounting table 21 includes a plurality of wafers W, W,
Are provided with arrangement grooves (not shown) for arranging 25 wafers W, W,... At a pitch P between the substrates. The wafer table 21 is rotatably supported on a support frame 25. Reference numeral 60 denotes a wafer detection photosensor for detecting the presence or absence of wafers W, W,.

【0036】ウェハ離脱装置22は、上記ウェハ置台2
1上に配列された25枚のウェハW,W,…から、一枚
置きのウェハW,W,…の組を離脱させるもので、具体
的には、上記ウェハ置台21の上側に昇降可能に設けら
れており、図示しない昇降シリンダに連結されている。
また、このウェハ離脱装置22は図9に示すような左右
一対のウェハ保持部22a,22aを備え、これらウェ
ハ保持部には、ウェハ保持溝26aとウェハ通過溝26
bが交互にそれぞれ設けられている。
The wafer detaching device 22 is provided with the wafer table 2
Are detached from the 25 wafers W, W,... Arranged on the first wafer W. Specifically, the set of wafers W, W,. And is connected to a lifting cylinder (not shown).
The wafer release device 22 includes a pair of left and right wafer holding portions 22a, 22a as shown in FIG. 9, and these wafer holding portions have a wafer holding groove 26a and a wafer passage groove 26a.
b are provided alternately.

【0037】各ウェハ保持部22aにおける両溝26
a,26bの配設間隔は、上記基板間ピッチPに等しく
6.35mmに設定されており、換言すれば、ウェハ保
持溝26aは、上記ウェハ置台21のウェハ配列ピッチ
Pの2倍のピッチで配されている。
Both grooves 26 in each wafer holding portion 22a
The arrangement interval of the a and 26b is set to 6.35 mm, which is equal to the inter-substrate pitch P. In other words, the wafer holding groove 26a has a pitch twice as large as the wafer arrangement pitch P of the wafer mounting table 21. Are arranged.

【0038】また、左右両ウェハ保持部22a,22a
双方の構造的関係において、相互に対向するウェハ保持
溝26a,26a間の距離はウェハWの直径よりも小さ
く設定されて、ここにウェハWの下部両側縁部が支持さ
れる一方、ウェハ通過溝26b,26bの溝底間距離は
ウェハWの直径よりも大きく設定されて、ウェハWが上
下方向へ通過可能とされている。
The left and right wafer holding portions 22a, 22a
In both structural relationships, the distance between the wafer holding grooves 26a, 26a facing each other is set smaller than the diameter of the wafer W, where the lower side edges of the wafer W are supported, while the wafer passage grooves are provided. The distance between the groove bottoms of 26b, 26b is set to be larger than the diameter of the wafer W, so that the wafer W can pass in the vertical direction.

【0039】置台回転装置23は、これらウェハ離脱装
置22とウェハ置台21をその中心軸まわりに相対的に
回転させるためのもので、図示例においては、ウェハ置
台21のみを回転駆動させる構造とされている。
The stage rotating device 23 is for rotating the wafer detaching device 22 and the wafer stage 21 relatively around their central axes. In the illustrated example, the wafer rotating device 23 is configured to rotate only the wafer stage 21. ing.

【0040】この置台回転装置23は、具体的には駆動
源としてサーボモータ30を備え、このサーボモータ3
0の駆動軸30aに、ウェハ置台21の中心つまりウェ
ハ配列方向中心が連結されている。そして、サーボモー
タ30の回転駆動により、ウェハ置台21が、その中心
軸まわりに正逆方向へ180°回転される。
The table rotating device 23 has a servomotor 30 as a drive source.
The center of the wafer mounting table 21, that is, the center in the wafer arrangement direction, is connected to the 0 drive shaft 30a. Then, the rotation of the servo motor 30 causes the wafer table 21 to rotate 180 ° in the forward and reverse directions about its central axis.

【0041】また、前記ウェハ搬送装置2は、上記ウェ
ハ置台21上からウェハW,W,…をまとめてチャッキ
ングして搬送処理するもので、前述したウェハ移替え装
置20とほぼ同様の基本構造(図10参照)を備えてお
り、詳細な構造説明は省略する。
The wafer transfer apparatus 2 chucks and transfers wafers W, W,... From the wafer mounting table 21 collectively, and has the same basic structure as the wafer transfer apparatus 20 described above. (See FIG. 10), and a detailed description of the structure is omitted.

【0042】次に、以上のように構成された基板洗浄装
置におけるウェハW,W,…の洗浄方法について説明す
る。
Next, a method of cleaning the wafers W, W,... In the substrate cleaning apparatus configured as described above will be described.

【0043】A.ウェハW,W,…の搬入:前工程の終
了したウェハW,W,…は、そのすべてが同一方向へ向
けて配列された状態でキャリアカセットに収納されたま
ま、基板洗浄装置の基板搬入部に搬入される(図示省
略)。
A. Loading of the wafers W, W,...: The wafer loading sections of the substrate cleaning apparatus are stored in the carrier cassette while all the wafers W, W,. (Not shown).

【0044】B.ウェハW,W,…の反転:ウェハ反転
装置により、上記ウェハW,W,…の配列状態が以下の
手順で再配列される。
B. .. Inversion of the wafers W, W,...: The arrangement state of the wafers W, W,.

【0045】 上記キャリアカセットの位置におい
て、ウェハ移替え装置20は、そのチャッキングアーム
24,24を縮閉して、上記キャリアカセット内の25
枚のウェハW,W,…をまとめてチャッキング支持しな
がら上昇し、これらウェハW,W,…をキャリアカセッ
トから取り出す。さらに、ウェハ移替え装置20はウェ
ハ置台21まで移動して下降し、チャッキングアーム2
4,24を拡開して、ウェハ置台21上にウェハW,
W,…を移し替える(図5(a) 参照)。
At the position of the carrier cassette, the wafer transfer device 20 closes the chucking arms 24, 24 and closes the chucking arms 24, 24 in the carrier cassette.
.. Are lifted while chucking and supporting the wafers W, W,... Collectively, and the wafers W, W,. Further, the wafer transfer device 20 moves to the wafer table 21 and descends, and the chucking arm 2
The wafers W,
W,... Are transferred (see FIG. 5A).

【0046】このときのウェハW,W,…の配列状態
は、図5(b) に示すように、そのすべてが同一方向へ向
けて配列されている。
The arrangement state of the wafers W, W,... At this time is, as shown in FIG. 5B, all of them arranged in the same direction.

【0047】 ウェハ置台21上にウェハW,W,…
が載置された状態において、ウェハ離脱装置22が上昇
する。すると、ウェハ置台21上のウェハW,W,…の
うち、一枚置き(2ピッチ毎)のウェハW´,W´,…
の組のみ(例えば12枚)が、ウェハ保持溝26a,2
6a,…に保持されたまま上方へ持ち上げられて、ウェ
ハ置台21上のウェハW,W,…(例えば13枚)から
離脱される(図6(a)(b) 参照)。
The wafers W, W,...
Is mounted, the wafer detachment device 22 is raised. Then, of the wafers W, W,... On the wafer table 21, every other (every two pitches) wafers W ′, W ′,.
Of the wafer holding grooves 26a, 2 (for example, 12)
.. (For example, 13 wafers) on the wafer mounting table 21 (see FIGS. 6A and 6B).

【0048】 この状態において、置台回転装置23
が作動して、ウェハ置台21が180°回転される(図
7(a) 参照)。これにより、ウェハ置台21上のウェハ
W,W,…は、図7(b) に示すように、ウェハ離脱装置
22上のウェハW´,W´,…に対して反対方向を向く
ことになる。
In this state, the table rotating device 23
Operates to rotate the wafer table 21 by 180 ° (see FIG. 7A). Thus, the wafers W, W,... On the wafer mounting table 21 face in the opposite direction to the wafers W ′, W ′,... On the wafer detachment device 22, as shown in FIG. .

【0049】 ウェハ離脱装置22が再び下降して元
の位置へ復帰し、離脱されていたウェハW´,W´,…
が、再びウェハ置台21上のウェハW,W,…に合体さ
れて、各ウェハW,W間にそれぞれ位置される(図8
(a) 参照)。これにより、隣接するウェハW,W同士の
表面Waと表面Wa、裏面Wbと裏面Wbがそれぞれ対
向して再配列される。
The wafer detachment device 22 descends again and returns to the original position, and the detached wafers W ′, W ′,.
Are combined again with the wafers W, W,... On the wafer mounting table 21 and are respectively positioned between the wafers W, W (FIG. 8).
(a)). As a result, the front surface Wa and the front surface Wa of the adjacent wafers W, W, and the rear surface Wb and the rear surface Wb are rearranged to face each other.

【0050】C.ウェハW,W,…の洗浄:洗浄部のウ
ェハ搬送装置2が作動して、上記ウェハ置台21上の2
5枚のウェハW,W,…が全部取り出されるとともに、
洗浄液槽装置1の洗浄槽3の上方まで搬送された後、洗
浄槽3内のウェハ保持部12上に載置される(図1およ
び図2参照)。
C. Cleaning of the wafers W, W,...
All five wafers W, W,... Are taken out,
After being transported to above the cleaning tank 3 of the cleaning liquid tank device 1, it is placed on the wafer holding unit 12 in the cleaning tank 3 (see FIGS. 1 and 2).

【0051】この時、洗浄槽3内には洗浄液Cが満たさ
れているとともに、循環ポンプ8により、給液ボックス
6と補助給液パイプ16,16を介して、濾過フィルタ
9により濾過された洗浄液Cが給液回路7から供給され
る。これにより、洗浄液Cは、給液ボックス6からの流
出量に対応した量が洗浄槽3のオーバフロー部5から外
槽4へオーバフローして、再び給液回路7へ流れる。
At this time, the cleaning tank 3 is filled with the cleaning liquid C, and the cleaning liquid filtered by the filtration filter 9 by the circulation pump 8 through the liquid supply box 6 and the auxiliary liquid supply pipes 16, 16. C is supplied from the liquid supply circuit 7. As a result, an amount of the cleaning liquid C corresponding to the outflow amount from the liquid supply box 6 overflows from the overflow section 5 of the cleaning tank 3 to the outer tank 4 and flows to the liquid supply circuit 7 again.

【0052】以上のようにして、洗浄液Cが給液回路7
と洗浄槽3の閉回路内で循環されることにより、洗浄槽
3内には洗浄液Cの上昇流が生じる(図1および図2の
矢符参照)。この上昇流は、図3に示すように各ウェハ
W,W間を流れて、各ウェハWの表面(鏡面)Waと裏
面Wbに付着したダスト(塵埃)p,p,…を剥離し
て、オーバフローする洗浄液Cと共に洗浄槽3外へ運び
出す。このダストp,p,…は給液回路7の濾過フィル
タ9で除去された後、再び洗浄液Cのみが洗浄槽3内へ
還流される。
As described above, the cleaning liquid C is supplied to the liquid supply circuit 7.
The cleaning liquid C is circulated in the closed circuit of the cleaning tank 3 to generate an upward flow of the cleaning liquid C in the cleaning tank 3 (see arrows in FIGS. 1 and 2). This ascending flow flows between the wafers W, W as shown in FIG. 3, and separates the dust (dust) p, p,... Adhered to the front (mirror) Wa and the back Wb of each wafer W. It is carried out of the cleaning tank 3 together with the overflowing cleaning liquid C. After the dusts p, p,... Are removed by the filtration filter 9 of the liquid supply circuit 7, only the cleaning liquid C is returned to the cleaning tank 3 again.

【0053】以上のように洗浄液Cが所定時間循環され
ることにより、各ウェハWの表裏面Wa,Wbが清浄化
されることとなる。
As described above, by circulating the cleaning liquid C for a predetermined time, the front and back surfaces Wa and Wb of each wafer W are cleaned.

【0054】特にこの場合、隣接するウェハW,W,…
の表面Wa,Wa同士、および裏面Wb,Wb同士がそ
れぞれ対向して配列されている。しかも、給液ボックス
6の洗浄液供給部11(流出穴11a,11a,…)
は、それぞれウェハW,W間において、ウェハWの底部
に近接して位置して、各ウェハW,W間における洗浄液
Cの均一な層流状態での上昇流が確保されている。
Particularly, in this case, adjacent wafers W, W,.
Are arranged so as to face each other, and the back surfaces Wb and Wb are opposed to each other. Moreover, the cleaning liquid supply section 11 of the liquid supply box 6 (outflow holes 11a, 11a, ...).
Is located between the wafers W and W in close proximity to the bottom of the wafer W, so that a uniform upward flow of the cleaning liquid C between the wafers W and W is ensured.

【0055】したがって、一旦ウェハWの裏面Wbから
剥離した裏面ダストp,p,…は、表面Wa側へ回り込
むことなく確実に洗浄槽3外へ排出されるため、表面W
aに再付着するおそれはほとんどない。
Therefore, the back surface dusts p, p,... Once peeled off from the back surface Wb of the wafer W are surely discharged to the outside of the cleaning tank 3 without going to the front surface Wa side.
There is almost no risk of redeposition on a.

【0056】D.ウェハW,W,…の反転:上記洗浄液
槽装置1による洗浄が終了したウェハW,W,…は、再
びウェハ搬送装置2により、洗浄槽3から取り出され
て、基板搬出部に待機するウェハ反転装置のウェハ置台
21上に載置された後、上記Bの反転工程〜が逆の
手順で行われる。これにより、ウェハ置台21上のウェ
ハW,W,…の配列状態は、図5(b) に示すように、そ
のすべてが同一方向へ向けて再配列されることとなる。
D. , Which has been cleaned by the above-mentioned cleaning liquid tank device 1, is again taken out of the cleaning tank 3 by the wafer transfer device 2, and is then placed on standby at the substrate unloading section. After the wafer is placed on the wafer mounting table 21 of the apparatus, the above-described reversing step B is performed in reverse order. .. On the wafer mounting table 21, all of them are rearranged in the same direction as shown in FIG. 5 (b).

【0057】E.ウェハW,W,…の搬出:洗浄工程が
すべて完了したウェハW,W,…は、ウェハ移替え装置
20により、ウェハ置台21からキャリアカセットに移
し替えられた後、次工程に向けて搬出される(図示省
略)。
E. Unloading of wafers W, W,...: Wafers W, W,... For which all the cleaning steps have been completed are transferred from wafer mounting table 21 to a carrier cassette by wafer transfer device 20, and then unloaded to the next step. (Not shown).

【0058】しかして、以上のように構成された本発明
装置による裏面ダストpの付着防止効果を確認するため
に以下の試験を行った。
The following test was conducted in order to confirm the effect of the apparatus of the present invention configured as described above to prevent the back surface dust p from adhering.

【0059】この試験においては、図示例の洗浄液槽装
置1を使用して、ウェハW,W,…の表面Wa,Wa同
士および裏面Wb,Wb同士を相互に対向させた場合
(本発明方法)、上記洗浄液槽装置1内にウェハW,
W,…を同一方向へ配列した場合(比較例1)、図12
に示す従来の洗浄液槽装置を使用して、ウェハW,W,
…の表面Wa,Wa同士および裏面Wb,Wb同士を相
互に対向させた場合(比較例2)、および、図12に示
す従来の洗浄液槽装置を使用して、ウェハW,W,…を
同一方向へ配列した場合(比較例3:従来方法)の4つ
の場合について、同一条件のもと一連の洗浄工程を行っ
て、ウェハWの表面Waへの裏面ダストp,p,…の影
響を調べてみた。
In this test, the front surface Wa of the wafers W, and the back surfaces Wb, Wb of the wafers W, W,... , The wafer W,
When W,... Are arranged in the same direction (Comparative Example 1), FIG.
The wafer W, W, W,
The front wafers Wa, and the back Wb, Wb are opposed to each other (Comparative Example 2), and the wafers W, W,. A series of cleaning steps are performed under the same conditions for the four cases where the wafers are arranged in the direction (Comparative Example 3: Conventional method), and the influence of the back surface dust p, p,. I tried.

【0060】この試験結果から、本発明方法→比較例1
→比較例2→比較例3(従来方法)の順序でウェハWの
表面Waのダストpの付着数が増加することが判明し
た。つまり、本発明装置を用いて本発明方法を実施した
場合(本発明方法)が最も裏面ダストpの再付着量が少
なく、続いて、従来装置を用いて本発明方法を実施した
場合(比較例1)、本発明装置を用いて従来方法を実施
した場合(比較例2)の順で多くなり、従来装置を用い
て従来方法を実施した場合(比較例3:従来方法)が最
も裏面ダストpの再付着量が多いことが判明した。
From the test results, the method of the present invention → Comparative Example 1
→ Comparative Example 2 → Comparative Example 3 (conventional method) was found to increase the number of adhered dust p on the surface Wa of the wafer W. That is, when the method of the present invention is performed using the apparatus of the present invention (the method of the present invention), the amount of redeposition of the back surface dust p is the smallest, and subsequently, the method of the present invention is performed using the conventional apparatus (Comparative Example). 1) In the case where the conventional method is performed using the apparatus of the present invention (Comparative Example 2), the number increases in the order, and the case where the conventional method is performed using the conventional apparatus (Comparative Example 3: Conventional method) has the largest back surface dust p. It was found that the amount of redeposition was large.

【0061】以上より、本発明方法によれば、従来方法
に比較して、ウェハWの裏面Wbから剥離した裏面ダス
トpの表面(鏡面)Wa側へ回り込み、さらには再付着
の問題がはるかに少ないことが確認された。
As described above, according to the method of the present invention, the problem of the back surface dust p peeled off from the back surface Wb of the wafer W to the surface (mirror surface) Wa side and further reattachment is much more compared with the conventional method. It was confirmed that there were few.

【0062】なお、上述した実施例はあくまでも本発明
の好適な具体例を示すものであって、本発明はこれに限
定して解釈されるべきでなく、本発明の要旨の範囲内で
種々設計変更可能である。
It should be noted that the above-described embodiments merely show preferred specific examples of the present invention, and the present invention should not be construed as being limited thereto, and various designs may be made within the scope of the present invention. Can be changed.

【0063】例えば、基板洗浄装置の各構成装置の構造
は図示例に限定されず、他の構成とすることも可能であ
る。その一例として、置台回転装置23に替えて、ウェ
ハ離脱装置22を回転させる回転手段を採用してもよ
い。
For example, the structure of each constituent device of the substrate cleaning apparatus is not limited to the illustrated example, but may be another structure. As an example, a rotating unit for rotating the wafer detaching device 22 may be employed instead of the table rotating device 23.

【0064】また、ウェハ搬送装置2は、ウェハ置台2
1の2台分つまり50枚のウェハW,W,…をまとめて
搬送処理する構成としてもよい。すなわち、一対のチャ
ッキングアーム24,24のチャック溝24a,24
b,…が、図11に示すように、それぞれ50個(ウェ
ハ置台21のウェハ配列数の2倍)設けられる構造とさ
れるとともに、図示しないが、ウェハ置台21をウェハ
W,W,…の配列方向へ2台近接して並列配置する手段
が追加的に設けられ、さらに、これに対応して洗浄液槽
装置1の構造も改変される。このような構成とすること
により、より効率的な洗浄処理が可能となる。
Further, the wafer transfer device 2 includes a wafer table 2
.., 50 wafers W, W,... May be collectively transferred. That is, the chuck grooves 24a, 24 of the pair of chucking arms 24, 24 are provided.
.. have a structure in which 50 wafers (two times the number of wafers arranged on the wafer mounting table 21) are provided, as shown in FIG. Means for arranging two units in parallel in the arrangement direction are additionally provided, and the structure of the cleaning liquid tank apparatus 1 is correspondingly modified. With such a configuration, a more efficient cleaning process can be performed.

【0065】[0065]

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
隣接する基板同士の表面と表面、裏面と裏面をそれぞれ
対向させた状態で、層流状態の上昇流を生じさせた洗浄
液に浸漬するから、各基板の裏面から剥離した裏面ダス
トの表面への再付着を防止する。
As described in detail above, according to the present invention,
Since the substrate is immersed in a cleaning liquid that has caused a laminar upflow in a state where the front and back surfaces of the adjacent substrates are opposed to each other, and the back surface and back surface are opposed to each other, the back surface dust separated from the back surface of each substrate must be reapplied to the surface Prevents adhesion.

【0066】さらに、洗浄槽内特に各基板間における洗
浄液の上昇流の均一な層流状態が確保されるから、一旦
基板裏面から剥離した裏面ダストは、基板表面側へ流れ
ることなく確実に洗浄槽外へオーバフローされて、上記
の基板表面への再付着防止効果がより高められる。
Further, since a uniform laminar state of the upward flow of the cleaning liquid in the cleaning tank, particularly between the substrates, is ensured, the back surface dust once peeled off from the back surface of the substrate does not flow to the front surface side of the substrate without fail. As a result, the effect of preventing re-adhesion to the surface of the substrate is further enhanced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る一実施例である基板洗浄装置の主
要部である洗浄液槽装置を示す正面断面図である。
FIG. 1 is a front sectional view showing a cleaning liquid tank device as a main part of a substrate cleaning device according to one embodiment of the present invention.

【図2】同洗浄液槽装置を示す図1におけるII-II 線に
沿った側面断面図である。
FIG. 2 is a side sectional view taken along the line II-II in FIG. 1 showing the cleaning liquid tank device.

【図3】同洗浄液槽装置における基板の配列状態と洗浄
液の流れとの関係を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a relationship between an arrangement state of substrates and a flow of a cleaning liquid in the cleaning liquid tank device.

【図4】同洗浄液槽装置のおける給液ボックスを示す図
で、図4(a) は平面図、図4(b) は図4(a) におけるIV
-IV 線に沿った断面図である。
4 (a) is a plan view, and FIG. 4 (b) is a view showing a liquid supply box in the cleaning liquid tank device. FIG.
FIG. 4 is a sectional view taken along line -IV.

【図5】同基板洗浄装置におけるウェハ反転装置の動作
を説明する図で、図5(a) はウェハをウェハ移替え装置
によりウェハ置台上へ移し替える状態を示し、図5(b)
はその時のウェハ配列状態を示す。
5A and 5B are diagrams for explaining the operation of the wafer reversing device in the substrate cleaning apparatus. FIG. 5A shows a state in which a wafer is transferred onto a wafer mounting table by a wafer transfer device, and FIG.
Indicates the wafer arrangement state at that time.

【図6】同基板洗浄装置におけるウェハ反転装置の動作
を説明する図で、図6(a) は一枚置きのウェハをウェハ
離脱装置によりウェハ置台から持ち上げる状態を示し、
図6(b) はその時のウェハ配列状態を示す。
FIG. 6 is a view for explaining the operation of the wafer reversing device in the same substrate cleaning apparatus.
FIG. 6B shows the wafer arrangement state at that time.

【図7】同基板洗浄装置におけるウェハ反転装置の動作
を説明する図で、図7(a) はウェハ置台を置台回転装置
により回転させる状態を示し、図7(b) はその時のウェ
ハ配列状態を示す。
7A and 7B are diagrams for explaining the operation of the wafer reversing device in the substrate cleaning apparatus. FIG. 7A shows a state in which a wafer stage is rotated by a stage rotating device, and FIG. 7B shows a wafer arrangement state at that time. Is shown.

【図8】同基板洗浄装置におけるウェハ反転装置の動作
を説明する図で、図8(a) は一枚置きのウェハをウェハ
離脱装置によりウェハ置台上へ戻す状態を示し、図8
(b) はその時のウェハ配列状態を示す。
8A and 8B are diagrams for explaining the operation of the wafer reversing device in the substrate cleaning apparatus, and FIG. 8A shows a state in which every other wafer is returned to the wafer mounting table by the wafer removing device;
(b) shows the wafer arrangement state at that time.

【図9】同ウェハ反転装置のウェハ離脱装置の要部を示
す平面図である。
FIG. 9 is a plan view showing a main part of a wafer detaching device of the wafer reversing device.

【図10】同基板洗浄装置のウェハ搬送装置およびウェ
ハ移替え装置におけるチャッキングアーム要部を示す平
面断面図で、ウェハをチャッキング支持している状態を
示している。
FIG. 10 is a plan sectional view showing a main part of a chucking arm in the wafer transfer device and the wafer transfer device of the substrate cleaning apparatus, and shows a state where the wafer is chucked and supported.

【図11】同チャッキングアーム要部の改変例を示す図
10に対応した平面断面図である。
FIG. 11 is a plan sectional view corresponding to FIG. 10 and showing a modification of the main part of the chucking arm.

【図12】従来の洗浄液槽装置の構成を示す図で、図1
2(a) は正面断面図、図12(b)は図12(a) におけるX
II-XII 線に沿った側面断面図である。
FIG. 12 is a diagram showing a configuration of a conventional cleaning liquid tank device, and FIG.
2 (a) is a front sectional view, and FIG. 12 (b) is a cross-sectional view of FIG.
FIG. 2 is a side sectional view taken along the line II-XII.

【図13】同従来の洗浄液槽装置における基板の配列状
態と洗浄液の流れとの関係を示す図である。
FIG. 13 is a diagram showing a relationship between an arrangement state of substrates and a flow of a cleaning liquid in the conventional cleaning liquid tank apparatus.

【図14】同従来の洗浄液槽装置における給液パイプを
示す図で、図14(a) は平面図、図14(b) は図14
(a) におけるXIV-XIV 線に沿った断面図である。
14 (a) is a plan view, and FIG. 14 (b) is a view showing a liquid supply pipe in the conventional cleaning liquid tank device.
FIG. 4A is a sectional view taken along line XIV-XIV in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 洗浄液槽装置 2 ウェハ搬送装置(ウェハ搬送手段) 3 洗浄槽 4 外槽 6 給液ボックス 6a 給液ボックスの上面 11 洗浄液供給部 11a 洗浄液供給部の流出穴 12 ウェハ保持部 13a,13b 保持溝群 20 ウェハ移替え装置 21 ウェハ置台 22 ウェハ離脱装置(ウェハ離脱手段) 22a ウェハ離脱装置のウェハ保持部 23 置台回転装置(回転手段) 24 チャッキングアーム 24a,24b チャッキングアームのチャック溝 26a ウェハ離脱装置のウェハ保持溝 26b ウェハ離脱装置のウェハウェハ通過
溝 30 置台回転装置のサーボモータ W 半導体基板(ウェハ) Wa ウェハの表面 Wb ウェハの裏面 p ダスト C 洗浄液 P ウェハの基板間ピッチ P1 洗浄液供給部の配列ピッチ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Cleaning liquid tank apparatus 2 Wafer transfer apparatus (wafer transfer means) 3 Cleaning tank 4 Outer tank 6 Liquid supply box 6a Upper surface of liquid supply box 11 Cleaning liquid supply part 11a Outflow hole of cleaning liquid supply part 12 Wafer holding parts 13a, 13b Holding groove group DESCRIPTION OF SYMBOLS 20 Wafer transfer apparatus 21 Wafer mounting table 22 Wafer removing apparatus (wafer releasing means) 22a Wafer holding part of wafer removing apparatus 23 Mounting table rotating apparatus (rotating means) 24 Chucking arms 24a, 24b Chucking groove of chucking arm 26a Wafer removing apparatus Wafer holding groove 26b Wafer wafer passage groove of wafer removal device 30 Servo motor of mounting table rotating device W Semiconductor substrate (wafer) Wa Wafer surface Wb Wafer back surface p Dust C Cleaning liquid P Wafer inter-substrate pitch P 1 Arrangement of cleaning liquid supply unit pitch

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−181833(JP,A) 特開 平2−1143(JP,A) 特開 平2−90522(JP,A) 実開 平1−104034(JP,U)Continuation of the front page (56) References JP-A-4-181833 (JP, A) JP-A-2-1143 (JP, A) JP-A-2-90522 (JP, A) JP-A-1-104034 (JP) , U)

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 基板の洗浄を複数枚まとめて行うバッチ
式洗浄装置であって、 基板の搬入出部に、複数枚の基板を収納するウェハ置台
と、このウェハ置台上の複数枚の基板から、一枚置きの
基板の組をその配列方向と垂直方向へ離脱させるウェハ
離脱手段と、これらウェハ離脱手段とウェハ置台を、基
板の配列方向中心軸まわりに相対的に回転させる回転手
段とを備え、 一方、基板の洗浄部に、上記ウェハ置台上の複数枚の基
板をまとめてチャッキングして搬送処理するウェハ搬送
手段と、このウェハ搬送手段により搬送される基板を浸
漬する洗浄液が満たされ、この洗浄液に層流状態の上昇
流を生じさせる構造を備えた洗浄液槽手段とを備えてな
り、 上記洗浄液槽手段は、洗浄液が満たされる洗浄槽と、こ
の洗浄槽からオーバフローする洗浄液を集める外槽とを
備え、 上記洗浄槽の底部に、洗浄液を供給する給液ボックスが
配置され、 この給液ボックスの上面に、多数の流出穴からなる洗浄
液供給部が複数列配設され、 これら洗浄液供給部は、その配列ピッチが上記ウェハ搬
送装置により浸漬される基板間ピッチと同一とされると
ともに、これら基板間に配置されている ことを特徴とする基板の洗浄装置。
1. A batch type cleaning apparatus for cleaning a plurality of substrates collectively, comprising: a wafer mounting table for storing a plurality of substrates in a substrate loading / unloading section; and a plurality of substrates on the wafer mounting table. A wafer detaching means for detaching a set of every other substrate in the direction perpendicular to the arrangement direction thereof, and a rotating means for relatively rotating the wafer detaching means and the wafer mounting table around a central axis in the arrangement direction of the substrates. On the other hand, the substrate cleaning section is filled with a wafer transporting means for chucking and transporting a plurality of substrates on the wafer mounting table collectively, and a cleaning liquid for immersing the substrate transported by the wafer transporting means, I and a cleaning liquid tank means having a structure that causes the upward flow of laminar flow in the washing liquid
Ri, the washing liquid tank means includes a cleaning tank cleaning liquid is filled, this
And an outer tank that collects the cleaning solution overflowing from the washing tank.
A supply box for supplying a cleaning liquid is provided at the bottom of the cleaning tank.
The washing that consists of a large number of outflow holes
Liquid supply portion is a plurality of rows arranged, these cleaning liquid supply section, the arrangement pitch of the wafer transportable
If the pitch between substrates immersed by the feeder is the same
A cleaning apparatus for a substrate, wherein the apparatus is disposed between the substrates.
【請求項2】 上記ウェハ離脱手段は、上記基板の下部
両側縁部を支持する一対のウエハ保持部を備えてなり、
このウェハ保持部は、上記ウェハ置台の基板配列ピッチ
の2倍のピッチで配された複数のウェハ保持溝を有して
いる請求項1に記載の基板の洗浄装置。
2. The wafer detaching means includes a pair of wafer holding portions that support lower side edges of the substrate.
2. The substrate cleaning apparatus according to claim 1 , wherein the wafer holding unit has a plurality of wafer holding grooves arranged at a pitch twice as large as a substrate arrangement pitch of the wafer mounting table .
【請求項3】 上記ウェハ搬送装置は、上記基板の下部
両側縁部を把持する開閉可能な一対のチャッキングアー
ムを備え、 このチャッキングアームが、上記ウェハ置台の基板配列
ピッチで配された、ウェハ置台基板配列数の2倍の数の
基板把持溝を有し、 さらに、上記ウェハ置台を基板の配列方向へ2台近接し
て並列配置する手段を備える請求項1に記載の基板の洗
浄装置。
3. The wafer transfer apparatus includes a pair of openable and closable chucking arms for gripping lower side edges of the substrate, wherein the chucking arms are arranged at a substrate arrangement pitch of the wafer mounting table. 2. The substrate washing apparatus according to claim 1 , further comprising: means for arranging the substrate holding grooves twice as many as the number of wafer mounting table substrates arranged, and further comprising means for arranging two wafer mounting tables in parallel in the arrangement direction of the substrates.
Purification equipment.
【請求項4】 上記給液ボックスの上面が、浸潰される
基板の底部円弧部に沿った円弧面とされるとともに、こ
の円弧面が上記基板の底部円弧部に近接して設けられて
いる請求項1に記載の基板の洗浄装置。
Wherein the top surface of the liquid supply box, while being an arc surface along the bottom arcuate portion of the substrate to be crushed immersion, claims the arcuate surface is provided near to the bottom arc portion of the substrate Item 2. A substrate cleaning apparatus according to Item 1.
JP4341185A 1992-11-26 1992-11-26 Substrate cleaning equipment Expired - Fee Related JP2598359B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4341185A JP2598359B2 (en) 1992-11-26 1992-11-26 Substrate cleaning equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4341185A JP2598359B2 (en) 1992-11-26 1992-11-26 Substrate cleaning equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06163500A JPH06163500A (en) 1994-06-10
JP2598359B2 true JP2598359B2 (en) 1997-04-09

Family

ID=18344020

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4341185A Expired - Fee Related JP2598359B2 (en) 1992-11-26 1992-11-26 Substrate cleaning equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2598359B2 (en)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5849104A (en) * 1996-09-19 1998-12-15 Yieldup International Method and apparatus for cleaning wafers using multiple tanks
US5772784A (en) * 1994-11-14 1998-06-30 Yieldup International Ultra-low particle semiconductor cleaner
US5958146A (en) * 1994-11-14 1999-09-28 Yieldup International Ultra-low particle semiconductor cleaner using heated fluids
US5634978A (en) * 1994-11-14 1997-06-03 Yieldup International Ultra-low particle semiconductor method
US5571337A (en) * 1994-11-14 1996-11-05 Yieldup International Method for cleaning and drying a semiconductor wafer
JP3328481B2 (en) * 1995-10-13 2002-09-24 東京エレクトロン株式会社 Processing method and apparatus
JP3510463B2 (en) 1997-11-10 2004-03-29 東京エレクトロン株式会社 Substrate alignment apparatus and alignment method
US6368040B1 (en) 1998-02-18 2002-04-09 Tokyo Electron Limited Apparatus for and method of transporting substrates to be processed
US6047717A (en) * 1998-04-29 2000-04-11 Scd Mountain View, Inc. Mandrel device and method for hard disks
JP4007766B2 (en) 2000-02-29 2007-11-14 東京エレクトロン株式会社 Liquid processing apparatus and liquid processing method
CN110441996B (en) * 2019-08-13 2023-09-12 大同新成新材料股份有限公司 Immersion lithography machine for semiconductor chip production and method thereof
CN111640692B (en) * 2020-04-26 2023-10-10 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 Cleaning auxiliary device and cleaning device for wafer

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0225236Y2 (en) * 1987-12-28 1990-07-11
JPH0646647B2 (en) * 1988-03-11 1994-06-15 株式会社東芝 Semiconductor wafer pitch switching device
JPH0290522A (en) * 1988-09-28 1990-03-30 Toshiba Corp Wafer handling equipment for wafer cleaning
JPH04151833A (en) * 1990-10-16 1992-05-25 Nippon Steel Corp Silicon wafer cleaning method

Also Published As

Publication number Publication date
JPH06163500A (en) 1994-06-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH11145249A (en) Wafer aligning apparatus
JP2598359B2 (en) Substrate cleaning equipment
JP4136830B2 (en) Plating equipment
CN110571165B (en) Cleaning device, cleaning method, semiconductor processing machine table and wafer processing method
JP2598360B2 (en) Substrate cleaning equipment
JP2920165B2 (en) Overflow tank for single wafer cleaning
JPH05102121A (en) Method and apparatus for cleaning of sheet type
JP3243708B2 (en) Processing method and processing apparatus
JP2840799B2 (en) Single wafer cleaning method and apparatus
JP2003100687A (en) Substrate treating device and its cleaning method
KR100459335B1 (en) Method and system for wafer array
KR100466296B1 (en) Transfer robot and wafer array system using this robot
JPH08195372A (en) Cleaning device and its method
JP3212508B2 (en) Cleaning equipment
JP3197304B2 (en) Substrate liquid processing apparatus and substrate liquid processing method
JPH08316183A (en) Washing method and apparatus
JPH08195374A (en) Cleaning device and its method
JP3333664B2 (en) Cleaning method and cleaning device
JPH0917762A (en) Treatment apparatus
JP2002329703A (en) Substrate cleansing device and method
JP2000150438A (en) Substrate processing device
JP2003190901A (en) Substrate washing apparatus and substrate washing tool
JPS6347258B2 (en)
JPH0974078A (en) Cleaner
JPH07321079A (en) Carrier for cleaning substrate and substrate cleaning method

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19961008

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090109

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090109

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100109

Year of fee payment: 13

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees