JP2580973B2 - 半導体封止用成形金型及び樹脂封止方法 - Google Patents
半導体封止用成形金型及び樹脂封止方法Info
- Publication number
- JP2580973B2 JP2580973B2 JP5230784A JP23078493A JP2580973B2 JP 2580973 B2 JP2580973 B2 JP 2580973B2 JP 5230784 A JP5230784 A JP 5230784A JP 23078493 A JP23078493 A JP 23078493A JP 2580973 B2 JP2580973 B2 JP 2580973B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- cavity
- mold
- semiconductor element
- support rod
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16245—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置を
樹脂封止するための金型と、この金型を用いて半導体装
置を樹脂封止するための方法に関する。
樹脂封止するための金型と、この金型を用いて半導体装
置を樹脂封止するための方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に樹脂封止型の半導体装置は、半導
体素子を金型のキャビティ内に保持した上で、このキャ
ビティ内に樹脂を充填して成形を行うことで半導体素子
を樹脂封止している。例えば、図５はこの樹脂封止を行
うための従来の成形金型の一部の断面図である。図示の
ように、互いに対向する上金型１と下金型２から構成さ
れており、上金型１と下金型２の間にキャビティ３が設
けられている。そして、被封入物である半導体素子１０
と、これを搭載したＴＡＢテープ１１を上金型１と下金
型２間に挟み込んでキャビティ３内に位置させる。その
後、図示していないが金型に別に設けられたポット部か
ら封止樹脂Ｒが射出され、その封止樹脂Ｒはゲート５を
通ってキャビティ３に充填されることになる。しかる上
で、所定の封止樹脂の硬化時間を経過した後、上金型１
と下金型２の間を開き、樹脂封止の完了した半導体素子
１０とＴＡＢテープ１１を含む半導体装置を取り出すこ
とで樹脂封止工程が完了する。
体素子を金型のキャビティ内に保持した上で、このキャ
ビティ内に樹脂を充填して成形を行うことで半導体素子
を樹脂封止している。例えば、図５はこの樹脂封止を行
うための従来の成形金型の一部の断面図である。図示の
ように、互いに対向する上金型１と下金型２から構成さ
れており、上金型１と下金型２の間にキャビティ３が設
けられている。そして、被封入物である半導体素子１０
と、これを搭載したＴＡＢテープ１１を上金型１と下金
型２間に挟み込んでキャビティ３内に位置させる。その
後、図示していないが金型に別に設けられたポット部か
ら封止樹脂Ｒが射出され、その封止樹脂Ｒはゲート５を
通ってキャビティ３に充填されることになる。しかる上
で、所定の封止樹脂の硬化時間を経過した後、上金型１
と下金型２の間を開き、樹脂封止の完了した半導体素子
１０とＴＡＢテープ１１を含む半導体装置を取り出すこ
とで樹脂封止工程が完了する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の成形金型で
は、図６に示すように、キャビティ３内へ封止樹脂Ｒが
充填される際に、その粘性によりキャビティ３内に保持
されている半導体素子１０とＴＡＢテープ１１を引きず
り、または押し動かすために、これらがキャビティ３内
の本来の位置からずれた位置へ移動してしまうことがあ
った。この変形が元に戻らない状態で樹脂の充填が完了
し、かつ樹脂が硬化されると、半導体素子１０とＴＡＢ
テープ１１が正しい位置に封止されなくなり、成形不良
が発生される。実際には、半導体素子１０やＴＡＢテー
プ１１にこのような変形や位置ずれが生じると、両者間
での断線が発生する等して半導体装置の信頼性が極端に
低下されることが判明している。
は、図６に示すように、キャビティ３内へ封止樹脂Ｒが
充填される際に、その粘性によりキャビティ３内に保持
されている半導体素子１０とＴＡＢテープ１１を引きず
り、または押し動かすために、これらがキャビティ３内
の本来の位置からずれた位置へ移動してしまうことがあ
った。この変形が元に戻らない状態で樹脂の充填が完了
し、かつ樹脂が硬化されると、半導体素子１０とＴＡＢ
テープ１１が正しい位置に封止されなくなり、成形不良
が発生される。実際には、半導体素子１０やＴＡＢテー
プ１１にこのような変形や位置ずれが生じると、両者間
での断線が発生する等して半導体装置の信頼性が極端に
低下されることが判明している。
【０００４】このようなことから、従来では図７の断面
図に示すように、上金型１と下金型２の両方からキャビ
ティ３内に進退可能な支持棒１４を設け、キャビティ３
内に保持される半導体素子１０とＴＡＢテープ１１をこ
れら支持棒１４により上下から挟んで定位置に保持し、
その上で樹脂を充填する構成がとられている。例えば、
特開平１−１６９９３６号公報に開示されている。しか
しながら、このように上下の各金型１，２のそれぞれに
進退可能な支持棒１４を設けることは、金型の構造を複
雑なものにしてしまうことになる。特に、金型は一方を
固定型、他方の可動型として構成することが多いが、可
動型にもこの種の支持棒を設けることは、支持棒を進退
移動させるための駆動機構も必要とされるために、その
構造が極めて複雑なものになる。
図に示すように、上金型１と下金型２の両方からキャビ
ティ３内に進退可能な支持棒１４を設け、キャビティ３
内に保持される半導体素子１０とＴＡＢテープ１１をこ
れら支持棒１４により上下から挟んで定位置に保持し、
その上で樹脂を充填する構成がとられている。例えば、
特開平１−１６９９３６号公報に開示されている。しか
しながら、このように上下の各金型１，２のそれぞれに
進退可能な支持棒１４を設けることは、金型の構造を複
雑なものにしてしまうことになる。特に、金型は一方を
固定型、他方の可動型として構成することが多いが、可
動型にもこの種の支持棒を設けることは、支持棒を進退
移動させるための駆動機構も必要とされるために、その
構造が極めて複雑なものになる。
【０００５】また、この金型では、キャビティ３内に充
填される樹脂が少なくとも半導体素子１０とＴＡＢテー
プ１１を包囲するまでは支持棒１４をキャビティ３内に
進出させておき、ある程度の充填が完了した後に支持棒
１４を退避させているが、この際に支持棒１４によって
キャビティ３内における封止樹脂Ｒの流動に乱れが発生
し易く、ボイドが発生し易くなる。これらの問題は近年
半導体装置の薄型化に伴って顕著となり、その対策が望
まれている。本発明の目的は、樹脂封止する半導体素子
等の位置ずれ等を防止するとともに、封止樹脂における
ボイドの発生を防止した半導体封止用成形金型を提供す
ることにある。また、本発明の他の目的は、半導体素子
等の位置ずれ等を防止し、かつボイドを発生することな
く樹脂封止を可能にした樹脂封止方法を提供することに
ある。
填される樹脂が少なくとも半導体素子１０とＴＡＢテー
プ１１を包囲するまでは支持棒１４をキャビティ３内に
進出させておき、ある程度の充填が完了した後に支持棒
１４を退避させているが、この際に支持棒１４によって
キャビティ３内における封止樹脂Ｒの流動に乱れが発生
し易く、ボイドが発生し易くなる。これらの問題は近年
半導体装置の薄型化に伴って顕著となり、その対策が望
まれている。本発明の目的は、樹脂封止する半導体素子
等の位置ずれ等を防止するとともに、封止樹脂における
ボイドの発生を防止した半導体封止用成形金型を提供す
ることにある。また、本発明の他の目的は、半導体素子
等の位置ずれ等を防止し、かつボイドを発生することな
く樹脂封止を可能にした樹脂封止方法を提供することに
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の成形金型は、半
導体素子等を樹脂封止成形するためのキャビティを構成
する一対の金型のいずれか一方に、キャビティ内に対し
て進退でき、かつ進出されたときに半導体素子等をキャ
ビティ内の所定位置に支持させる支持棒と、この一方の
金型のゲートを開閉させるゲートシャッタを設けてい
る。また、これらのゲートシャッタと支持棒をそれぞれ
独立に駆動させる駆動機構を有しており、ゲートシャッ
タを開く直前に支持棒を退避させるように構成する。更
に、半導体素子等に当接される支持棒の先端にクッショ
ンを設けることが好ましい。また、本発明の半導体の樹
脂封止方法は、一対の金型で構成されるキャビティ内に
半導体素子等を配置する工程と、一方の金型に設けた支
持棒の先端を半導体素子等に当接させてこの半導体素子
等を支持する工程と、他方の金型のゲートから該金型の
キャビティ内に樹脂を充填する工程と、支持棒をキャビ
ティから退避させるとともに、一方の金型のゲートシャ
ッタを開き、このゲートから該金型のキャビティ内に樹
脂を充填する工程とを備えている。例えば、半導体素子
及びこれを搭載したＴＡＢテープを樹脂封止する場合に
は、このＴＡＢテープの半導体素子の搭載面が他方の金
型に向けられるように一対の金型で構成されるキャビテ
ィ内に配置することが好ましい。
導体素子等を樹脂封止成形するためのキャビティを構成
する一対の金型のいずれか一方に、キャビティ内に対し
て進退でき、かつ進出されたときに半導体素子等をキャ
ビティ内の所定位置に支持させる支持棒と、この一方の
金型のゲートを開閉させるゲートシャッタを設けてい
る。また、これらのゲートシャッタと支持棒をそれぞれ
独立に駆動させる駆動機構を有しており、ゲートシャッ
タを開く直前に支持棒を退避させるように構成する。更
に、半導体素子等に当接される支持棒の先端にクッショ
ンを設けることが好ましい。また、本発明の半導体の樹
脂封止方法は、一対の金型で構成されるキャビティ内に
半導体素子等を配置する工程と、一方の金型に設けた支
持棒の先端を半導体素子等に当接させてこの半導体素子
等を支持する工程と、他方の金型のゲートから該金型の
キャビティ内に樹脂を充填する工程と、支持棒をキャビ
ティから退避させるとともに、一方の金型のゲートシャ
ッタを開き、このゲートから該金型のキャビティ内に樹
脂を充填する工程とを備えている。例えば、半導体素子
及びこれを搭載したＴＡＢテープを樹脂封止する場合に
は、このＴＡＢテープの半導体素子の搭載面が他方の金
型に向けられるように一対の金型で構成されるキャビテ
ィ内に配置することが好ましい。
【０００７】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の実施例１の成形金型の断面図であ
る。上金型１と下金型２とを相対移動可能に設け、両金
型１，２で樹脂成形する半導体装置のパッケージ形状に
等しい形状のキャビティ３を形成する。この実施例では
下金型２を固定金型として構成し、上金型１をこの下金
型２に対して上下移動できるように構成する。また、各
金型１，２にはそれぞれキャビティ３につながるゲート
４，５が開設されるが、一方の金型、この実施例では下
金型２には、自身のゲート５を開閉動作させるゲートシ
ャッタ６が設けられる。また、この下金型２の底面から
キャビティ３内に対して進退可能な複数本の支持棒７が
設けられる。なお、前記ゲートシャッタ６とこれら複数
本の支持棒７はそれぞれカム機構やリンク機構等により
構成される駆動機構８，９によって上下方向に進退動作
される。これらの駆動機構８，９は後述するように樹脂
成形の動作タイミングに同期して動作されるように構成
される。
る。図１は本発明の実施例１の成形金型の断面図であ
る。上金型１と下金型２とを相対移動可能に設け、両金
型１，２で樹脂成形する半導体装置のパッケージ形状に
等しい形状のキャビティ３を形成する。この実施例では
下金型２を固定金型として構成し、上金型１をこの下金
型２に対して上下移動できるように構成する。また、各
金型１，２にはそれぞれキャビティ３につながるゲート
４，５が開設されるが、一方の金型、この実施例では下
金型２には、自身のゲート５を開閉動作させるゲートシ
ャッタ６が設けられる。また、この下金型２の底面から
キャビティ３内に対して進退可能な複数本の支持棒７が
設けられる。なお、前記ゲートシャッタ６とこれら複数
本の支持棒７はそれぞれカム機構やリンク機構等により
構成される駆動機構８，９によって上下方向に進退動作
される。これらの駆動機構８，９は後述するように樹脂
成形の動作タイミングに同期して動作されるように構成
される。
【０００８】この成形金型を用いて半導体樹脂封止を行
う動作を図２に基づいて説明する。図２（ａ）のよう
に、上金型１が上動位置にあるときに下金型２上に樹脂
封止する半導体素子１０を搭載したＴＡＢテープ１１を
載置する。半導体素子１０は表面を上側に向け、その複
数箇所に設けたバンプ１２をＴＡＢテープ１１の下面に
形成した回路パターン（図示せず）にボンディングした
構成がとられている。そして、上金型１を下動させるこ
とで、両金型１，２間にＴＡＢテープ１１を挟持させ、
半導体素子１０及びＴＡＢテープ１１をキャビティ３内
の所定位置に保持させる。このとき、下金型２から複数
本の支持棒７が上方に進出されており、各支持棒７の先
端が半導体素子１０やＴＡＢテープ１１の下面に当接さ
れる。また、このとき、下金型２のゲートシャッタ６は
閉塞される。
う動作を図２に基づいて説明する。図２（ａ）のよう
に、上金型１が上動位置にあるときに下金型２上に樹脂
封止する半導体素子１０を搭載したＴＡＢテープ１１を
載置する。半導体素子１０は表面を上側に向け、その複
数箇所に設けたバンプ１２をＴＡＢテープ１１の下面に
形成した回路パターン（図示せず）にボンディングした
構成がとられている。そして、上金型１を下動させるこ
とで、両金型１，２間にＴＡＢテープ１１を挟持させ、
半導体素子１０及びＴＡＢテープ１１をキャビティ３内
の所定位置に保持させる。このとき、下金型２から複数
本の支持棒７が上方に進出されており、各支持棒７の先
端が半導体素子１０やＴＡＢテープ１１の下面に当接さ
れる。また、このとき、下金型２のゲートシャッタ６は
閉塞される。
【０００９】次いで、図２（ｂ）のように、開いている
上金型１のゲート４から封止樹脂Ｒ１を充填させる。封
止樹脂Ｒ１はその粘性によりＴＡＢテープ１１及び半導
体素子１０の上面に沿って流動され、キャビティ３の上
半部３ａ内に充填される。しかる後、図２（ｃ）のよう
に、図１に示した駆動機構８を動作させて下金型２のゲ
ートシャッタ６を開き、下金型２のゲート５からも封止
樹脂Ｒ２をキャビティ３内に充填させる。また、これと
同時に駆動機構９により各支持棒７をキャビティ３内か
ら退避させる。これにより、図２（ｄ）のように、封止
樹脂Ｒ２はキャビティ３の下半部３ｂ内にスムーズに流
動されながら充填される。封止樹脂Ｒ２をキャビティ３
内に充填した後、所定の時間が経過して樹脂Ｒ１，Ｒ２
が硬化した後、上金型１を上方に移動させ、成形された
樹脂封止半導体装置を下金型２から取り出すことで、半
導体装置の樹脂封止が完成される。
上金型１のゲート４から封止樹脂Ｒ１を充填させる。封
止樹脂Ｒ１はその粘性によりＴＡＢテープ１１及び半導
体素子１０の上面に沿って流動され、キャビティ３の上
半部３ａ内に充填される。しかる後、図２（ｃ）のよう
に、図１に示した駆動機構８を動作させて下金型２のゲ
ートシャッタ６を開き、下金型２のゲート５からも封止
樹脂Ｒ２をキャビティ３内に充填させる。また、これと
同時に駆動機構９により各支持棒７をキャビティ３内か
ら退避させる。これにより、図２（ｄ）のように、封止
樹脂Ｒ２はキャビティ３の下半部３ｂ内にスムーズに流
動されながら充填される。封止樹脂Ｒ２をキャビティ３
内に充填した後、所定の時間が経過して樹脂Ｒ１，Ｒ２
が硬化した後、上金型１を上方に移動させ、成形された
樹脂封止半導体装置を下金型２から取り出すことで、半
導体装置の樹脂封止が完成される。
【００１０】したがって、この実施例１においては、樹
脂封止する半導体素子１０とＴＡＢテープ１１の下側を
支持棒７により保持した状態で、キャビティ３の上半部
３ａに樹脂Ｒ１を充填するので、この樹脂Ｒ１の粘性に
よっても半導体素子１０の位置が移動されたり、ＴＡＢ
テープ１１が曲げられる等の不具合が生じることはな
い。そして、キャビティ３の上半部３ａに樹脂Ｒ１が充
填された後に、下半部３ｂに樹脂Ｒ２を充填するが、こ
のとき支持棒７をキャビティ３から退避させても、半導
体素子１０とＴＡＢテープ１１は、既にキャビティ３の
上半部３ａに充填されている樹脂Ｒ１によってその位置
ずれや曲げが防止されることになる。また、キャビティ
３の上半部３ａに樹脂Ｒ１を充填するときはもとよりの
こと、キャビティ３の下半部３ｂに樹脂Ｒ２を充填する
ときには、その前に複数本の支持棒７は下金型２に退避
されているため、封止樹脂の流動に乱れが生じることは
なく、ボイドが発生することはない。
脂封止する半導体素子１０とＴＡＢテープ１１の下側を
支持棒７により保持した状態で、キャビティ３の上半部
３ａに樹脂Ｒ１を充填するので、この樹脂Ｒ１の粘性に
よっても半導体素子１０の位置が移動されたり、ＴＡＢ
テープ１１が曲げられる等の不具合が生じることはな
い。そして、キャビティ３の上半部３ａに樹脂Ｒ１が充
填された後に、下半部３ｂに樹脂Ｒ２を充填するが、こ
のとき支持棒７をキャビティ３から退避させても、半導
体素子１０とＴＡＢテープ１１は、既にキャビティ３の
上半部３ａに充填されている樹脂Ｒ１によってその位置
ずれや曲げが防止されることになる。また、キャビティ
３の上半部３ａに樹脂Ｒ１を充填するときはもとよりの
こと、キャビティ３の下半部３ｂに樹脂Ｒ２を充填する
ときには、その前に複数本の支持棒７は下金型２に退避
されているため、封止樹脂の流動に乱れが生じることは
なく、ボイドが発生することはない。
【００１１】図３は本発明の実施例２の成形金型の断面
図である。この実施例では半導体素子１０とＴＡＢテー
プ１１を保持するためにキャビティ３内に進退可能な複
数本の支持棒７を上金型１に設けており、かつこれら支
持棒７の先端には半導体素子１０やＴＡＢテープ１１の
表面を保護するために緩衝用のクッション１３を設けて
ある。クッション１３の材質は耐熱製があるものでシリ
コンゴム等が使用できる。また、これに対応して、ここ
では上金型１のゲート４にゲートシャッタ６を設けて開
閉可能な構成としている。なお、ゲートシャッタ６や支
持棒７の駆動機構は図示を省略している。
図である。この実施例では半導体素子１０とＴＡＢテー
プ１１を保持するためにキャビティ３内に進退可能な複
数本の支持棒７を上金型１に設けており、かつこれら支
持棒７の先端には半導体素子１０やＴＡＢテープ１１の
表面を保護するために緩衝用のクッション１３を設けて
ある。クッション１３の材質は耐熱製があるものでシリ
コンゴム等が使用できる。また、これに対応して、ここ
では上金型１のゲート４にゲートシャッタ６を設けて開
閉可能な構成としている。なお、ゲートシャッタ６や支
持棒７の駆動機構は図示を省略している。
【００１２】この実施例においては、図４に示すよう
に、先にキャビティ３の下半部３ｂに樹脂Ｒ１を充填す
る。次いで、下半部３ｂに樹脂Ｒ１が充填された後に、
上金型１のゲートシャッタ６を開き、キャビティ３の上
半部３ａに樹脂Ｒ２を充填して樹脂成形を完了させる。
このとき、支持棒７を退避させることは実施例１と同じ
である。したがって、キャビティ３の下半部３ｂに樹脂
Ｒ１を充填する際には支持棒７により半導体素子１０の
位置ずれやＴＡＢテープ１１の曲げ等を防止し、しかる
上で今度は下半部３ｂに充填されている樹脂Ｒ１で位置
ずれや曲げ等を防止しながら上半部３ａに樹脂Ｒ２の充
填を行うことができる。また、上半部３ａへの樹脂Ｒ２
の充填に際しては、その直前に支持棒７を退避させるた
め、ボイドが発生しないことも同じである。
に、先にキャビティ３の下半部３ｂに樹脂Ｒ１を充填す
る。次いで、下半部３ｂに樹脂Ｒ１が充填された後に、
上金型１のゲートシャッタ６を開き、キャビティ３の上
半部３ａに樹脂Ｒ２を充填して樹脂成形を完了させる。
このとき、支持棒７を退避させることは実施例１と同じ
である。したがって、キャビティ３の下半部３ｂに樹脂
Ｒ１を充填する際には支持棒７により半導体素子１０の
位置ずれやＴＡＢテープ１１の曲げ等を防止し、しかる
上で今度は下半部３ｂに充填されている樹脂Ｒ１で位置
ずれや曲げ等を防止しながら上半部３ａに樹脂Ｒ２の充
填を行うことができる。また、上半部３ａへの樹脂Ｒ２
の充填に際しては、その直前に支持棒７を退避させるた
め、ボイドが発生しないことも同じである。
【００１３】なお、この実施例２は支持棒７を上金型１
に設けているため、上金型１を固定型とし、下金型２を
可動型とする場合に好ましい。また、図示のようにＴＡ
Ｂテープ１１の下面に半導体素子１０が搭載されている
ような場合は、下半部３ｂへの樹脂Ｒ１の充填に際して
は半導体素子１０の角部によって位置ずれや曲げ等が生
じ易いものとなるため、この際に支持棒７により支持を
行ないながら下半部３ｂに樹脂Ｒ１を充填するこの実施
例２の構成が好ましいものとなる。また、支持棒７の先
端にクッション１３を設けているため、半導体素子１０
やＴＡＢテープ１１に接触される際の衝撃を緩和でき、
半導体素子１０やＴＡＢテープ１１の破損を防止するこ
とも可能である。
に設けているため、上金型１を固定型とし、下金型２を
可動型とする場合に好ましい。また、図示のようにＴＡ
Ｂテープ１１の下面に半導体素子１０が搭載されている
ような場合は、下半部３ｂへの樹脂Ｒ１の充填に際して
は半導体素子１０の角部によって位置ずれや曲げ等が生
じ易いものとなるため、この際に支持棒７により支持を
行ないながら下半部３ｂに樹脂Ｒ１を充填するこの実施
例２の構成が好ましいものとなる。また、支持棒７の先
端にクッション１３を設けているため、半導体素子１０
やＴＡＢテープ１１に接触される際の衝撃を緩和でき、
半導体素子１０やＴＡＢテープ１１の破損を防止するこ
とも可能である。
【００１４】ここで、前記実施例１及び実施例２のいず
れにおいても、実際には最後に充填する樹脂Ｒ２の圧力
や粘性によって半導体素子１０やＴＡＢテープ１１に微
小な位置ずれや曲げが発生することは避けられないが、
実施例２では最後に上半部３ａに樹脂Ｒ２が充填される
ため、半導体素子１０の位置ずれやＴＡＢテープ１１の
曲げは主に設計値より下方向となる。このため、ＴＡＢ
テープ１１の下面に搭載した半導体素子１０の肩部とＴ
ＡＢリード１１の回路パターンとが直接に接触されてし
まうエッジタッチ発生率を低減することが可能となり、
半導体装置の信頼性が向上できる。
れにおいても、実際には最後に充填する樹脂Ｒ２の圧力
や粘性によって半導体素子１０やＴＡＢテープ１１に微
小な位置ずれや曲げが発生することは避けられないが、
実施例２では最後に上半部３ａに樹脂Ｒ２が充填される
ため、半導体素子１０の位置ずれやＴＡＢテープ１１の
曲げは主に設計値より下方向となる。このため、ＴＡＢ
テープ１１の下面に搭載した半導体素子１０の肩部とＴ
ＡＢリード１１の回路パターンとが直接に接触されてし
まうエッジタッチ発生率を低減することが可能となり、
半導体装置の信頼性が向上できる。
【００１５】表１は従来例と実施例を比較評価した結果
である。ｎ＝ 100個の平均値で半導体素子の変形（傾
き，上下位置ずれ）を示し、ｎ＝ 100個の外部ボイド発
生率及び半導体素子とＴＡＢテープ上リードのエッジタ
ッチ発生率を示す。
である。ｎ＝ 100個の平均値で半導体素子の変形（傾
き，上下位置ずれ）を示し、ｎ＝ 100個の外部ボイド発
生率及び半導体素子とＴＡＢテープ上リードのエッジタ
ッチ発生率を示す。
【表１】
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体素
子等を樹脂封止するためのキャビティを構成する一対の
金型のいずれか一方に、半導体素子等をキャビティ内の
所定位置に支持させる支持棒と、この一方の金型のゲー
トを開閉させるゲートシャッタを設けているので、キャ
ビティ内に樹脂を充填する際には支持棒で半導体素子等
を支持させることができ、半導体素子等の位置ずれや曲
がり等を防止し、樹脂封止の信頼性を高めることが可能
となる。また、ゲートシャッタと支持棒をそれぞれ駆動
機構により独立して動作させることができるので、ゲー
トシャッタを開く直前に支持棒を退避させることで、キ
ャビティに充填される樹脂の流動を乱すことがなく、ボ
イドの発生を防止することができる。更に、支持棒の先
端にクッションを設けることで、支持棒が半導体素子等
に当接される際の衝撃を緩和して半導体素子等の変形や
破損を防止する。
子等を樹脂封止するためのキャビティを構成する一対の
金型のいずれか一方に、半導体素子等をキャビティ内の
所定位置に支持させる支持棒と、この一方の金型のゲー
トを開閉させるゲートシャッタを設けているので、キャ
ビティ内に樹脂を充填する際には支持棒で半導体素子等
を支持させることができ、半導体素子等の位置ずれや曲
がり等を防止し、樹脂封止の信頼性を高めることが可能
となる。また、ゲートシャッタと支持棒をそれぞれ駆動
機構により独立して動作させることができるので、ゲー
トシャッタを開く直前に支持棒を退避させることで、キ
ャビティに充填される樹脂の流動を乱すことがなく、ボ
イドの発生を防止することができる。更に、支持棒の先
端にクッションを設けることで、支持棒が半導体素子等
に当接される際の衝撃を緩和して半導体素子等の変形や
破損を防止する。
【００１７】また、一方の金型に設けた支持棒により半
導体素子等を支持しながら、他方の金型のキャビティ内
に樹脂を充填し、その後に支持棒をキャビティから退避
させた上で一方の金型のキャビティ内に樹脂を充填して
いるので、先の樹脂充填時には支持棒により半導体素子
等の位置ずれや曲げを防止し、後の樹脂充填時には先に
充填された樹脂により半導体素子等の位置ずれや曲げを
抑制することができ、かつ支持棒を退避させることでボ
イドの発生を防止することが可能となる。更に、半導体
素子及びこれを搭載したＴＡＢテープを、このＴＡＢテ
ープの半導体素子の搭載面が他方の金型に向くようにキ
ャビティ内に配置することで、後の樹脂充填によって半
導体素子をＴＡＢテープから離れる方向に付勢でき、Ｔ
ＡＢテープと半導体素子のエッジタッチの発生を防止す
ることができる。
導体素子等を支持しながら、他方の金型のキャビティ内
に樹脂を充填し、その後に支持棒をキャビティから退避
させた上で一方の金型のキャビティ内に樹脂を充填して
いるので、先の樹脂充填時には支持棒により半導体素子
等の位置ずれや曲げを防止し、後の樹脂充填時には先に
充填された樹脂により半導体素子等の位置ずれや曲げを
抑制することができ、かつ支持棒を退避させることでボ
イドの発生を防止することが可能となる。更に、半導体
素子及びこれを搭載したＴＡＢテープを、このＴＡＢテ
ープの半導体素子の搭載面が他方の金型に向くようにキ
ャビティ内に配置することで、後の樹脂充填によって半
導体素子をＴＡＢテープから離れる方向に付勢でき、Ｔ
ＡＢテープと半導体素子のエッジタッチの発生を防止す
ることができる。
【図１】本発明の実施例１の成形金型の断面図である。
【図２】図１の成形金型による半導体装置の樹脂封止方
法を工程順に説明するための図である。
法を工程順に説明するための図である。
【図３】本発明の実施例２の成形金型の断面図である。
【図４】図３の成形金型による樹脂封止方法の工程一部
の断面図である。
の断面図である。
【図５】従来における樹脂封止の成形金型の断面図であ
る。
る。
【図６】従来の成形金型における問題点を説明するため
の断面図である。
の断面図である。
【図７】従来の改良された成形金型の断面図である。
１ 上金型 ２ 下金型 ３ キャビティ ４，５ ゲート ６ ゲートシャッタ ７ 支持棒 ８，９ 駆動機構 １０ 半導体素子 １１ ＴＡＢテープ １３ クッション
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｂ２９Ｌ 31:34
Claims (5)
- 【請求項１】 一対の金型でキャビティを構成し、これ
ら金型間に半導体素子等を挟持させ、各金型に設けたゲ
ートを通してキャビティ内に樹脂を充填して前記半導体
素子等を樹脂封止する半導体封止用成形金型において、
前記一対の金型のいずれか一方に、前記キャビティ内に
対して進退でき、かつ進出されたときに前記半導体素子
等をキャビティ内の所定位置に支持させる支持棒と、こ
の一方の金型のゲートを開閉させるゲートシャッタを設
けたことを特徴とする半導体封止用成形金型。 - 【請求項２】 ゲートシャッタと支持棒をそれぞれ独立
に駆動させる駆動機構を有し、ゲートシャッタを開く直
前に支持棒を退避させるように構成してなる請求項１の
半導体封止用成形金型。 - 【請求項３】 半導体素子等に当接される支持棒の先端
にクッションを設けてなる請求項１又は２の半導体封止
用成形金型。 - 【請求項４】 一対の金型で構成されるキャビティ内に
半導体素子等を配置する工程と、一方の金型に設けた支
持棒の先端を前記半導体素子等に当接させてこの半導体
素子等を支持する工程と、他方の金型のゲートから該金
型のキャビティ内に樹脂を充填する工程と、前記支持棒
を前記キャビティから退避させるとともに、前記一方の
金型のゲートシャッタを開き、このゲートから該金型の
キャビティ内に樹脂を充填する工程とを備えることを特
徴とする半導体の樹脂封止方法。 - 【請求項５】 半導体素子及びこれを搭載したＴＡＢテ
ープを、このＴＡＢテープの半導体素子の搭載面が前記
他方の金型に向くように前記一対の金型で構成されるキ
ャビティ内に配置する請求項４の半導体の樹脂封止方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5230784A JP2580973B2 (ja) | 1993-08-25 | 1993-08-25 | 半導体封止用成形金型及び樹脂封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5230784A JP2580973B2 (ja) | 1993-08-25 | 1993-08-25 | 半導体封止用成形金型及び樹脂封止方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0760782A JPH0760782A (ja) | 1995-03-07 |
| JP2580973B2 true JP2580973B2 (ja) | 1997-02-12 |
Family
ID=16913219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5230784A Expired - Lifetime JP2580973B2 (ja) | 1993-08-25 | 1993-08-25 | 半導体封止用成形金型及び樹脂封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2580973B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11274196A (ja) | 1998-03-26 | 1999-10-08 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法およびモールドシステム並びに半導体装置 |
| KR100566496B1 (ko) * | 2001-12-07 | 2006-03-31 | 야마하 가부시키가이샤 | 반도체 장치 제조 장치 |
| JP7259342B2 (ja) * | 2019-01-18 | 2023-04-18 | 住友ベークライト株式会社 | 車載用電子制御装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-08-25 JP JP5230784A patent/JP2580973B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0760782A (ja) | 1995-03-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2547894B2 (ja) | 半導体樹脂封止用金型機構 | |
| JPH11274196A (ja) | 半導体装置の製造方法およびモールドシステム並びに半導体装置 | |
| JP2580973B2 (ja) | 半導体封止用成形金型及び樹脂封止方法 | |
| JP2009152507A (ja) | 樹脂封止金型および半導体パッケージの樹脂封止成形方法 | |
| JPH06124971A (ja) | 樹脂封止金型 | |
| JPH0637130A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0825860A (ja) | 回路基板の一体成形方法 | |
| JP2621814B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2973901B2 (ja) | 半導体樹脂封止用金型 | |
| JP3105200B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS60257528A (ja) | 半導体封止用金型 | |
| JP2785770B2 (ja) | 樹脂封止半導体装置の製造方法およびその製造装置 | |
| JP3609821B1 (ja) | 半導体装置封止用金型およびそれを用いた半導体装置封止方法 | |
| JP3106946B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法およびその金型 | |
| JP2003174053A (ja) | 半導体素子の製造方法及び製造装置 | |
| JP2555931B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH065644A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の樹脂封止方法 | |
| JP2546777Y2 (ja) | 半導体装置用の樹脂封止金型 | |
| JP2757706B2 (ja) | 半導体装置用樹脂封入金型 | |
| JP3182302B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPH0629340A (ja) | 樹脂封止型半導体装置用成形金型及びそれに用いた半導体チップの樹脂封止方法 | |
| KR100451382B1 (ko) | 플라스틱패키지의성형방법및그를성형하기위한반도체성형금형 | |
| JP2002043344A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPH04361537A (ja) | 半導体装置の樹脂封止方法 | |
| JPH09260410A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法及び製造装置 |