JP2785770B2 - 樹脂封止半導体装置の製造方法およびその製造装置 - Google Patents
樹脂封止半導体装置の製造方法およびその製造装置Info
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- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法およびその製造装置に関し、特に樹脂封止された半
導体装置の製造方法およびその製造装置に関するもので
ある。
方法およびその製造装置に関し、特に樹脂封止された半
導体装置の製造方法およびその製造装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子の多機能化、大規模化
および微細化の傾向により、ボンディングパッドのピッ
チの短縮と多ピン化が進められている。また、パッケー
ジも薄型化される傾向にあり、そのためリードフレーム
の薄型化と封止樹脂の薄型化が進められている。このよ
うに薄型化されたパッケージの樹脂封止工程では、キャ
ビティ内での流入樹脂の圧力が高くなり、ボンディング
ワイヤやダイパッドが移動するため（いわゆるワイヤ流
れ、ダイパッドシフト現象）、短絡事故、成形不良が発
生して歩留りおよび信頼性の低下を招く。
および微細化の傾向により、ボンディングパッドのピッ
チの短縮と多ピン化が進められている。また、パッケー
ジも薄型化される傾向にあり、そのためリードフレーム
の薄型化と封止樹脂の薄型化が進められている。このよ
うに薄型化されたパッケージの樹脂封止工程では、キャ
ビティ内での流入樹脂の圧力が高くなり、ボンディング
ワイヤやダイパッドが移動するため（いわゆるワイヤ流
れ、ダイパッドシフト現象）、短絡事故、成形不良が発
生して歩留りおよび信頼性の低下を招く。
【０００３】上述したボンディングパッドピッチの狭小
化と樹脂封止工程でのワイヤ流れに対処するものとし
て、ボンディングワイヤ法による接続方法に代えＴＡＢ
（TapeAutomated Bonding）方式を用いたＴＡＢリード
の接続が採用されるようになってきている。また、ダイ
パッドシフトを抑制する手段として、樹脂封止工程（ト
ランスファモールド工程）中に、ダイパッドを真空吸着
等により固定する方法が一般化してきている。
化と樹脂封止工程でのワイヤ流れに対処するものとし
て、ボンディングワイヤ法による接続方法に代えＴＡＢ
（TapeAutomated Bonding）方式を用いたＴＡＢリード
の接続が採用されるようになってきている。また、ダイ
パッドシフトを抑制する手段として、樹脂封止工程（ト
ランスファモールド工程）中に、ダイパッドを真空吸着
等により固定する方法が一般化してきている。
【０００４】図５は、ダイパッドを固定する従来のトラ
ンスファモールド方法を説明するための断面図であっ
て、半導体封止用成形金型は、上金型２と下金型１から
構成されており、上金型２と下金型１の間にキャビティ
５が設けられている。また、下金型１に半導体素子を固
定する排気孔６が設けられており、排気孔６のキャビテ
ィ側先端部にはリードフレームのダイパッドに当接する
排気管７が固着されている。上金型２が上方に待避して
いる状態で、下金型１上にリードフレーム４のダイパッ
ド上に半導体素子３が搭載されてなる半導体装置が搬送
されてくる。図示されてはいないが、半導体素子上のパ
ッドとリードフレーム４のインナーリード間はＴＡＢリ
ード等の導電体によって接続されている。
ンスファモールド方法を説明するための断面図であっ
て、半導体封止用成形金型は、上金型２と下金型１から
構成されており、上金型２と下金型１の間にキャビティ
５が設けられている。また、下金型１に半導体素子を固
定する排気孔６が設けられており、排気孔６のキャビテ
ィ側先端部にはリードフレームのダイパッドに当接する
排気管７が固着されている。上金型２が上方に待避して
いる状態で、下金型１上にリードフレーム４のダイパッ
ド上に半導体素子３が搭載されてなる半導体装置が搬送
されてくる。図示されてはいないが、半導体素子上のパ
ッドとリードフレーム４のインナーリード間はＴＡＢリ
ード等の導電体によって接続されている。
【０００５】半導体装置が下金型１の所定の位置に装着
された後、上金型２が降下して図示したように上下金型
間にリードフレーム４を挟み半導体装置を固定し、さら
に排気管７を介した真空吸着によりダイパッドを固定す
る。この後、図示されていないが金型に設けられたポッ
ト部から封入樹脂が射出され、その封止樹脂はランナー
ゲートを通ってキャビティ５に充填されることになる。
このとき、薄型化、高密度化の進んだパッケージでは、
キャビティ内の樹脂流路が狭く半導体素子およびダイパ
ッドは強い樹脂圧力を受けるが、ダイパッドは真空吸着
により固定されているため、半導体素子３は位置ずれを
起こすことなくキャビティ５内の所定の位置に封止され
る。
された後、上金型２が降下して図示したように上下金型
間にリードフレーム４を挟み半導体装置を固定し、さら
に排気管７を介した真空吸着によりダイパッドを固定す
る。この後、図示されていないが金型に設けられたポッ
ト部から封入樹脂が射出され、その封止樹脂はランナー
ゲートを通ってキャビティ５に充填されることになる。
このとき、薄型化、高密度化の進んだパッケージでは、
キャビティ内の樹脂流路が狭く半導体素子およびダイパ
ッドは強い樹脂圧力を受けるが、ダイパッドは真空吸着
により固定されているため、半導体素子３は位置ずれを
起こすことなくキャビティ５内の所定の位置に封止され
る。
【０００６】キャビティ内への樹脂充填が完了し所定の
封止樹脂の硬化時間を経過した後、上金型２と下金型の
間が開かれ、樹脂封止の完了した半導体素子３とリード
フレーム４を含む半導体装置が取り出されることで一連
の封止工程が完了する。このようにして形成された半導
体装置では、ダイパッドの裏面の排気管７が当接してい
た個所が封止されることなく露出されることになる。
封止樹脂の硬化時間を経過した後、上金型２と下金型の
間が開かれ、樹脂封止の完了した半導体素子３とリード
フレーム４を含む半導体装置が取り出されることで一連
の封止工程が完了する。このようにして形成された半導
体装置では、ダイパッドの裏面の排気管７が当接してい
た個所が封止されることなく露出されることになる。
【０００７】また、実公平２−７４６９号公報（実開昭
６１−３９９５０）には、ダイパッドと封止樹脂間に透
き間が生じることを防止するために、ダイパッド裏面を
ゴム状樹脂で封止することが提案されている。すなわ
ち、図６に示されるように、ダイパッド１１上に半導体
素子１２を搭載し、半導体素子１２上のボンディングパ
ッドと外部導出リード１４のインナーリード部とを金属
細線１３で接続した後、封止樹脂１５とゴム状樹脂１６
とによって封止を行う。ここで、ゴム状樹脂１６は、ダ
イパッド１１の部分を越え外部導出リード１４の内側部
分をも含む領域を封止している。
６１−３９９５０）には、ダイパッドと封止樹脂間に透
き間が生じることを防止するために、ダイパッド裏面を
ゴム状樹脂で封止することが提案されている。すなわ
ち、図６に示されるように、ダイパッド１１上に半導体
素子１２を搭載し、半導体素子１２上のボンディングパ
ッドと外部導出リード１４のインナーリード部とを金属
細線１３で接続した後、封止樹脂１５とゴム状樹脂１６
とによって封止を行う。ここで、ゴム状樹脂１６は、ダ
イパッド１１の部分を越え外部導出リード１４の内側部
分をも含む領域を封止している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図５に示した従来の成
形金型では、排気管７の当接部を除くキャビティ５への
封止樹脂が充填された後、ダイパッド下面の排気管当接
部分には樹脂を充填することができず、ダイパッドの下
面は露出したままとなる。そのため、この露出部を介し
てダイパッドと封止樹脂との界面に沿ってパッケージ内
に水分が侵入し易く、半導体素子３の浸食により電気的
特性不良を発生させることがある。この電気的特性不良
は製造工程完了後の初期の段階での発生は少なく、最終
製品に組み込まれた後、最終製品を湿度の高い環境等で
使用する際に発生する。この高湿度下での劣化を評価す
る試験項目としてＰＣＴ（Pressure Cooker Test；加圧
高温多湿環境下での耐久テスト）があるが、従来の製品
ではこの試験での合格率が低かった。
形金型では、排気管７の当接部を除くキャビティ５への
封止樹脂が充填された後、ダイパッド下面の排気管当接
部分には樹脂を充填することができず、ダイパッドの下
面は露出したままとなる。そのため、この露出部を介し
てダイパッドと封止樹脂との界面に沿ってパッケージ内
に水分が侵入し易く、半導体素子３の浸食により電気的
特性不良を発生させることがある。この電気的特性不良
は製造工程完了後の初期の段階での発生は少なく、最終
製品に組み込まれた後、最終製品を湿度の高い環境等で
使用する際に発生する。この高湿度下での劣化を評価す
る試験項目としてＰＣＴ（Pressure Cooker Test；加圧
高温多湿環境下での耐久テスト）があるが、従来の製品
ではこの試験での合格率が低かった。
【０００９】一方、図６に示した半導体装置では、封止
樹脂に耐湿性の低いゴム状樹脂を用いているため、しか
もダイパッド部分を越えた広い領域をこの樹脂で封止し
ているため、耐湿性が低くＰＣＴではやはり多くの不合
格品を生じさせるものであった。本発明は、このような
従来例の問題点に鑑みてなされたものであって、その目
的は、高密度化、薄型化された半導体装置において、高
い耐湿性が確保できるようにすることである。
樹脂に耐湿性の低いゴム状樹脂を用いているため、しか
もダイパッド部分を越えた広い領域をこの樹脂で封止し
ているため、耐湿性が低くＰＣＴではやはり多くの不合
格品を生じさせるものであった。本発明は、このような
従来例の問題点に鑑みてなされたものであって、その目
的は、高密度化、薄型化された半導体装置において、高
い耐湿性が確保できるようにすることである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明による樹脂封止半導体装置の製造方法は、ダ
イパッド上に半導体素子が搭載されたリードフレームを
キャビティ内に配置し、管状の吸着手段により前記ダイ
パッドを支持・固定する工程と、前記管状の吸着手段に
よるダイパッドの支持を維持しつつ該管状の吸着手段が
占める部分を除く全体を樹脂封止する第１の樹脂封止工
程と、前記管状の吸着手段によるダイパッドの支持を解
除する工程と、前記管状の吸着手段が占めていた部分の
封止を前記第１の樹脂封止工程において用いた樹脂と同
種の樹脂を用いて行う第２の樹脂封止工程と、を有する
ことを特徴としている。
めの本発明による樹脂封止半導体装置の製造方法は、ダ
イパッド上に半導体素子が搭載されたリードフレームを
キャビティ内に配置し、管状の吸着手段により前記ダイ
パッドを支持・固定する工程と、前記管状の吸着手段に
よるダイパッドの支持を維持しつつ該管状の吸着手段が
占める部分を除く全体を樹脂封止する第１の樹脂封止工
程と、前記管状の吸着手段によるダイパッドの支持を解
除する工程と、前記管状の吸着手段が占めていた部分の
封止を前記第１の樹脂封止工程において用いた樹脂と同
種の樹脂を用いて行う第２の樹脂封止工程と、を有する
ことを特徴としている。
【００１１】また、上記の目的を達成するための本発明
による半導体装置の製造装置は、 内部にリードフレームのダイパッドの裏面で開孔し
ている排気孔と、この排気孔に通じるプランジャー待避
所が設けられた第１の金型と、 前記第１の金型と合わさって半導体装置を収容する
キャビティを形成することができる第２の金型と、 前記第１の金型の前記排気孔のダイパッドの裏面に
開孔している開孔部に装着された、前記キャビティ内の
大部分を充填する主樹脂封止工程中においてはリードフ
レームのダイパッドの裏面に当接し、主樹脂封止工程の
終了後には前記第１の金型内に後退する排気管と、 前記主樹脂封止工程中においては前記プランジャー
待避所に待避し、該主樹脂封止工程の終了後にはその樹
脂封止により形成されたダイパッド裏面の開口部を埋め
るための樹脂を前記キャビティ内に供給するプランジャ
ーと、 前記プランジャー待避所に待避している前記プラン
ジャー上に樹脂タブレットを供給する樹脂供給手段と、
を有することを特徴としている。
による半導体装置の製造装置は、 内部にリードフレームのダイパッドの裏面で開孔し
ている排気孔と、この排気孔に通じるプランジャー待避
所が設けられた第１の金型と、 前記第１の金型と合わさって半導体装置を収容する
キャビティを形成することができる第２の金型と、 前記第１の金型の前記排気孔のダイパッドの裏面に
開孔している開孔部に装着された、前記キャビティ内の
大部分を充填する主樹脂封止工程中においてはリードフ
レームのダイパッドの裏面に当接し、主樹脂封止工程の
終了後には前記第１の金型内に後退する排気管と、 前記主樹脂封止工程中においては前記プランジャー
待避所に待避し、該主樹脂封止工程の終了後にはその樹
脂封止により形成されたダイパッド裏面の開口部を埋め
るための樹脂を前記キャビティ内に供給するプランジャ
ーと、 前記プランジャー待避所に待避している前記プラン
ジャー上に樹脂タブレットを供給する樹脂供給手段と、
を有することを特徴としている。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施の形態を説
明するための断面図である。同図に示されるように、リ
ードフレーム４のダイパッド上には半導体素子３が搭載
されている。図示させてはいないが、半導体素子３上の
パッドとリードフレームのインナーリードとの間は、例
えばＴＡＢリードにより接続されている。この半導体素
子は、エポキシ系樹脂等からなる主封止樹脂１０ａによ
って例えばＱＦＰ型パッケージに封止されるが、先に説
明したように、この封止樹脂にはダイパッドの裏面を露
出させる開口が開けられている。そこで、本発明におい
てはこの開口を主封止樹脂１０ａと同種の樹脂からなる
埋込封止樹脂１０ｂによって埋め込む。
明するための断面図である。同図に示されるように、リ
ードフレーム４のダイパッド上には半導体素子３が搭載
されている。図示させてはいないが、半導体素子３上の
パッドとリードフレームのインナーリードとの間は、例
えばＴＡＢリードにより接続されている。この半導体素
子は、エポキシ系樹脂等からなる主封止樹脂１０ａによ
って例えばＱＦＰ型パッケージに封止されるが、先に説
明したように、この封止樹脂にはダイパッドの裏面を露
出させる開口が開けられている。そこで、本発明におい
てはこの開口を主封止樹脂１０ａと同種の樹脂からなる
埋込封止樹脂１０ｂによって埋め込む。
【００１３】この埋込封止樹脂１０ｂは、主封止樹脂に
よる封止工程においては例えば封止用金型の排気孔に連
結したプランジャー待避所に待機しているプランジャー
を用いて主封止樹脂１０ａの開口部に充填される。この
とき、真空吸着を行ったことにより、この開口内は減圧
された状態に維持されているため、開口内をボイドの発
生を伴うことなく良好に埋め込むことができる。
よる封止工程においては例えば封止用金型の排気孔に連
結したプランジャー待避所に待機しているプランジャー
を用いて主封止樹脂１０ａの開口部に充填される。この
とき、真空吸着を行ったことにより、この開口内は減圧
された状態に維持されているため、開口内をボイドの発
生を伴うことなく良好に埋め込むことができる。
【００１４】このように形成されたパッケージでは、主
封止樹脂１０ａに形成された開口が同種の樹脂により埋
め込まれているため、開口を介して水分がパッケージ内
部に侵入することはなくなり、耐湿性は開口を有しない
樹脂パッケージと同等の特性を示す。
封止樹脂１０ａに形成された開口が同種の樹脂により埋
め込まれているため、開口を介して水分がパッケージ内
部に侵入することはなくなり、耐湿性は開口を有しない
樹脂パッケージと同等の特性を示す。
【００１５】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。 ［第１の実施例］図２は、本発明の第１の実施例を説明
するための成形金型の断面図であって、図２（ａ）は、
樹脂封止工程前の状態を、図２（ｂ）は主封止樹脂によ
る封止工程の終了した段階での状態を示している。図２
（ａ）に示されるように、下金型１には排気孔６が設け
られており、この排気孔に連なる開孔部にプランジャー
８が収容されている。排気孔６は、半導体素子３下に開
孔しており、この半導体素子下の排気孔の先端部には上
下動可能な排気管７が装着されている。
て説明する。 ［第１の実施例］図２は、本発明の第１の実施例を説明
するための成形金型の断面図であって、図２（ａ）は、
樹脂封止工程前の状態を、図２（ｂ）は主封止樹脂によ
る封止工程の終了した段階での状態を示している。図２
（ａ）に示されるように、下金型１には排気孔６が設け
られており、この排気孔に連なる開孔部にプランジャー
８が収容されている。排気孔６は、半導体素子３下に開
孔しており、この半導体素子下の排気孔の先端部には上
下動可能な排気管７が装着されている。
【００１６】樹脂封止工程において、リードフレーム４
上に半導体素子３を搭載してなる半導体装置を下金型１
上に載置した後、リードフレーム４を上金型２と下金型
１により挟み込み、半導体素子をキャビティ５内の所定
の位置に保持する。そして、排気孔６より真空ポンプ等
を用いて排気し、ダイパッドの下面と排気管７を密着さ
せる。この状態で溶融樹脂をキャビティ内に注入して封
止を行う。その後、プランジャー８上に樹脂供給手段
（図示なし）により樹脂タブレット９を供給する。主封
止樹脂１０ａによる封止が行われた後、図２（ｂ）に示
すように、排気管７を下金型１内へ収納し、リードフレ
ーム下面に空いた排気管７による開口部に下金型１内に
備えられたプランジャー８を用いて樹脂を注入する。こ
のとき、開口部は減圧状態に保たれたままであるため、
ボイド（未充填不良）を発生させることなく充填を行う
ことができる。その後、排気孔６内を常圧に戻し、上金
型２と下金型１を開いて半導体装置の取り出しを行う。
上に半導体素子３を搭載してなる半導体装置を下金型１
上に載置した後、リードフレーム４を上金型２と下金型
１により挟み込み、半導体素子をキャビティ５内の所定
の位置に保持する。そして、排気孔６より真空ポンプ等
を用いて排気し、ダイパッドの下面と排気管７を密着さ
せる。この状態で溶融樹脂をキャビティ内に注入して封
止を行う。その後、プランジャー８上に樹脂供給手段
（図示なし）により樹脂タブレット９を供給する。主封
止樹脂１０ａによる封止が行われた後、図２（ｂ）に示
すように、排気管７を下金型１内へ収納し、リードフレ
ーム下面に空いた排気管７による開口部に下金型１内に
備えられたプランジャー８を用いて樹脂を注入する。こ
のとき、開口部は減圧状態に保たれたままであるため、
ボイド（未充填不良）を発生させることなく充填を行う
ことができる。その後、排気孔６内を常圧に戻し、上金
型２と下金型１を開いて半導体装置の取り出しを行う。
【００１７】樹脂タブレット９は、下金型１の１部を金
型と断熱し、常温とした部分に収納しておき、主封止樹
脂による封止の終了後、収容されていたタブレットをプ
ランジャー８上に供給するようにすることができる。こ
の開口部を埋め込む樹脂を主封止樹脂１０ａと同種のも
のとすることにより、熱膨張係数の差による亀裂の発生
を防止して信頼性の高いパッケージを形成することがで
きる。
型と断熱し、常温とした部分に収納しておき、主封止樹
脂による封止の終了後、収容されていたタブレットをプ
ランジャー８上に供給するようにすることができる。こ
の開口部を埋め込む樹脂を主封止樹脂１０ａと同種のも
のとすることにより、熱膨張係数の差による亀裂の発生
を防止して信頼性の高いパッケージを形成することがで
きる。
【００１８】［第２の実施例］図３は、本発明の第２の
実施例を説明するための成形金型の断面図であって、図
３（ａ）は、樹脂封止工程前の状態を、図３（ｂ）は主
封止樹脂による封止工程の終了した段階での状態を示し
ている。本実施例においては、排気孔６をダイパッドの
下において複数に分岐し、その分岐された排気孔にそれ
ぞれ上下動可能な排気管７を装着した点が先の第１の実
施例とは異なっており、それ以外の点および封止方法は
先の実施例の場合と同様である。この実施例では、リー
ドフレームのダイパッドの下面と接する部分に複数本
（例えば４本）の排気管７が配置されており、大型の半
導体素子を吸着により安定に固定して封止を行うことが
できる。
実施例を説明するための成形金型の断面図であって、図
３（ａ）は、樹脂封止工程前の状態を、図３（ｂ）は主
封止樹脂による封止工程の終了した段階での状態を示し
ている。本実施例においては、排気孔６をダイパッドの
下において複数に分岐し、その分岐された排気孔にそれ
ぞれ上下動可能な排気管７を装着した点が先の第１の実
施例とは異なっており、それ以外の点および封止方法は
先の実施例の場合と同様である。この実施例では、リー
ドフレームのダイパッドの下面と接する部分に複数本
（例えば４本）の排気管７が配置されており、大型の半
導体素子を吸着により安定に固定して封止を行うことが
できる。
【００１９】［第３の実施例］図４は、本発明の第３の
実施例を説明するための成形金型の断面図であって、樹
脂封止工程前の状態が示されている。この実施例では、
リードフレーム４のダイパッドの下に上下動可能な複数
の排気管７を設け、それぞれの排気管毎に排気孔６を設
け、またプランジャー８も排気管毎に設けた点が先の実
施例と相違しており、それ以外の点は他の実施例の場合
と同様である。図３に示した第２の実施例では、複数の
排気管に均等に樹脂が供給されないことが起こりうる
が、本実施例のように各排気管毎にプランジャーを設け
ることによりそれぞれの開口部に安定して樹脂を注入す
ることができるようになる。
実施例を説明するための成形金型の断面図であって、樹
脂封止工程前の状態が示されている。この実施例では、
リードフレーム４のダイパッドの下に上下動可能な複数
の排気管７を設け、それぞれの排気管毎に排気孔６を設
け、またプランジャー８も排気管毎に設けた点が先の実
施例と相違しており、それ以外の点は他の実施例の場合
と同様である。図３に示した第２の実施例では、複数の
排気管に均等に樹脂が供給されないことが起こりうる
が、本実施例のように各排気管毎にプランジャーを設け
ることによりそれぞれの開口部に安定して樹脂を注入す
ることができるようになる。
【００２０】このようにして形成された樹脂封止半導体
装置では、主封止樹脂に形成された開口部から水分が侵
入することを防止することができるため、高温・多湿の
環境下での長期の使用においても劣化することがなく、
高い信頼性を確保することができる。表１に、このよう
にして形成された半導体装置と図５に示した従来の金型
により形成された半導体装置について、試料数各２０個
ずつで、５００時間のＰＣＴを行った結果を示す。
装置では、主封止樹脂に形成された開口部から水分が侵
入することを防止することができるため、高温・多湿の
環境下での長期の使用においても劣化することがなく、
高い信頼性を確保することができる。表１に、このよう
にして形成された半導体装置と図５に示した従来の金型
により形成された半導体装置について、試料数各２０個
ずつで、５００時間のＰＣＴを行った結果を示す。
【００２１】
【表１】
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による樹脂
封止半導体装置の製造方法は、樹脂封止工程時に生じる
ダイパッドシフトを防止するための真空吸着用の排気管
により生じる封止樹脂の開口部をその封止樹脂と同種の
材料により埋め込むものであるので、封止樹脂の開口部
を介して水分が侵入するのを防止することができ、半導
体素子の浸食による電気的特性劣化を抑制することがで
きる。
封止半導体装置の製造方法は、樹脂封止工程時に生じる
ダイパッドシフトを防止するための真空吸着用の排気管
により生じる封止樹脂の開口部をその封止樹脂と同種の
材料により埋め込むものであるので、封止樹脂の開口部
を介して水分が侵入するのを防止することができ、半導
体素子の浸食による電気的特性劣化を抑制することがで
きる。
【００２３】また、本発明による製造装置によれば、主
封止樹脂に形成された開口部に樹脂を注入するプランジ
ャーが金型内に設けられ、このプランジャーによりダイ
パッド固定のための真空引きの状態で樹脂注入を行うこ
とができるので、ボイドのない樹脂埋め込みが可能にな
る。
封止樹脂に形成された開口部に樹脂を注入するプランジ
ャーが金型内に設けられ、このプランジャーによりダイ
パッド固定のための真空引きの状態で樹脂注入を行うこ
とができるので、ボイドのない樹脂埋め込みが可能にな
る。
【図１】 本発明の実施の形態を説明するための半導体
装置の断面図。
装置の断面図。
【図２】 本発明の第１の実施例を説明するための成形
金型の断面図。
金型の断面図。
【図３】 本発明の第２の実施例を説明するための成形
金型の断面図。
金型の断面図。
【図４】 本発明の第３の実施例を説明するための成形
金型の断面図。
金型の断面図。
【図５】 従来の成形用金型の断面図。
【図６】 他の従来例を説明するための断面図。
１ 下金型 ２ 上金型 ３ 半導体素子 ４ リードフレーム ５ キャビティ ６ 排気孔 ７ 排気管 ８ プランジャー ９ 樹脂タブレット １０ａ 主封止樹脂 １０ｂ 埋込封止樹脂 １１ ダイパッド １２ 半導体素子 １３ 金属細線 １４ 外部導出リード １５ 封止樹脂 １６ ゴム状樹脂
Claims (2)
- 【請求項１】 ダイパッド上に半導体素子が搭載された
リードフレームをキャビティ内に配置し、管状の吸着手
段により前記ダイパッドを支持・固定する工程と、前記
管状の吸着手段によるダイパッドの支持を維持しつつ該
管状の吸着手段が占める部分を除く全体を樹脂封止する
第１の樹脂封止工程と、前記管状の吸着手段によるダイ
パッドの支持を解除する工程と、前記管状の吸着手段が
占めていた部分の封止を前記第１の樹脂封止工程におい
て用いた樹脂と同種の樹脂を用いて行う第２の樹脂封止
工程と、を有することを特徴とする樹脂封止半導体装置
の製造方法。 - 【請求項２】 内部にリードフレームのダイパッドの裏
面で開孔している排気孔と、この排気孔に通じるプラン
ジャー待避所が設けられた第１の金型と、 前記第１の金型と合わさって半導体装置を収容するキャ
ビティを形成することができる第２の金型と、 前記第１の金型の前記排気孔のダイパッドの裏面に開孔
している開孔部に装着された、前記キャビティ内の大部
分を充填する主樹脂封止工程中においてはリードフレー
ムのダイパッドの裏面に当接し、主樹脂封止工程の終了
後には前記第１の金型内に後退する排気管と、 前記主樹脂封止工程中においては前記プランジャー待避
所に待避し、該主樹脂封止工程の終了後にはその樹脂封
止により形成されたダイパッド裏面の開口部を埋めるた
めの樹脂を前記キャビティ内に供給するプランジャー
と、 前記プランジャー待避所に待避している前記プランジャ
ー上に樹脂タブレットを供給する樹脂供給手段と、を有
することを特徴とする樹脂封止半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7294947A JP2785770B2 (ja) | 1995-10-19 | 1995-10-19 | 樹脂封止半導体装置の製造方法およびその製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7294947A JP2785770B2 (ja) | 1995-10-19 | 1995-10-19 | 樹脂封止半導体装置の製造方法およびその製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09116051A JPH09116051A (ja) | 1997-05-02 |
| JP2785770B2 true JP2785770B2 (ja) | 1998-08-13 |
Family
ID=17814349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7294947A Expired - Lifetime JP2785770B2 (ja) | 1995-10-19 | 1995-10-19 | 樹脂封止半導体装置の製造方法およびその製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2785770B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101078518B1 (ko) * | 2007-03-09 | 2011-10-31 | 오무론 가부시키가이샤 | 패키지의 제조 방법, 패키지, 광 모듈 및 일체 성형용 금형 |
| JP2010278138A (ja) * | 2009-05-27 | 2010-12-09 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
| DE102012215449A1 (de) * | 2012-08-31 | 2014-03-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Gehäuse für ein elektronisches bauelement, elektronische baugruppe, verfahren zum herstellen eines gehäuses für ein elektronisches bauelement und verfahren zum herstellen einer elektronischen baugruppe |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2988986B2 (ja) * | 1990-08-27 | 1999-12-13 | 宮崎沖電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JPH0582573A (ja) * | 1991-09-19 | 1993-04-02 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置用金型 |
| JPH05102217A (ja) * | 1991-10-02 | 1993-04-23 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法並びにそれに使用される成形装置 |
-
1995
- 1995-10-19 JP JP7294947A patent/JP2785770B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09116051A (ja) | 1997-05-02 |
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