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JP2570357B2 - 半導体発光装置 - Google Patents

半導体発光装置

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JP2570357B2
JP2570357B2 JP2227188A JP2227188A JP2570357B2 JP 2570357 B2 JP2570357 B2 JP 2570357B2 JP 2227188 A JP2227188 A JP 2227188A JP 2227188 A JP2227188 A JP 2227188A JP 2570357 B2 JP2570357 B2 JP 2570357B2
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JP
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light emitting
laser
layer
emitting device
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且裕 木原
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Fujitsu Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 半導体反抗装置に係り，特に面発光型の半導体レーザ
に関し， レーザ光の偏波面を安定ならしめることを目的とし， （１）面発光型の半導体レーザであって，楕円形の活性
層を有することを特徴とする半導体発光装置，または （２）面発光型の半導体レーザであって，円形の活性層
と該活性層の両側に形成された溝とを有することを特徴
とする半導体発光装置，をもって構成とする。
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体発光装置に係り，特に面発光型の半導
体レーザに関する。
コヒーレント光通信方式では，レーザ光の偏波面の安
定なレーザが要求されている。このため，かかるレーザ
を開発する必要がある。
〔従来の技術〕
コヒーレント光通信方式では高速変調時において単一
波長発振するレーザが望まれており，かかるレーザの一
つとして短共振器レーザがある。短共振器レーザの一つ
の構造として面発光型の半導体レーザがあり，第３図に
その構造を示す。
基板１の上に活性層2,埋込層3,電流阻止層4,クラッド
層５が形成されている。従来構造では活性層が円形であ
る。
かかる構造では屈折率分布が円対称で，レーザ光の偏
波面を安定に保つことができなかった。そのため送信側
のレーザ光の偏波面が安定せず，受信側では信号の検波
が不可能であった。
〔発明が解決しようとする課題〕
従って，レーザ光の偏波面を安定化させ，受信側での
検波を可能ならしめるという課題があり，本発明はかか
る課題に応えるものである。
〔課題を解決するための手段〕
（１）面発光型の半導体レーザであって，楕円形の活性
層を有することを特徴とする半導体発光装置，または （２）面発光型の半導体レーザであって，円形の活性層
と該活性層の両側に形成された溝とを有することを特徴
とする半導体発光装置 により，上記課題に応えることができる。
〔作用〕
面発光型の半導体レーザの活性層は埋込構造となって
おり，活性層に垂直にレーザ光が出て来るのであるが，
活性層を楕円形にすると活性層を含む面上において楕円
の長軸方向と短軸方向で屈折率分布が異なることから，
一度安定した偏波が生じるとその偏波面は安定に保たれ
る。
活性層の近くの両側に溝を形成しても同様の効果が得
られる。即ち光は活性層だけにとどまらず，その周囲に
いくらか染み出るので，その領域に溝を形成すると活性
層を含む面上において溝を結ぶ方向とそれに垂直な方向
で屈折率分布が異なり，一度安定した偏波を生じるとそ
の偏波面は安定に保たれる。
〔実施例〕
以下本発明の実施例について説明する。
第１図に実施例（１）を示す。ｎ−Inp基板１上にInG
aAsPの活性層2,p−InPの埋込層3,n−InPの電流阻止層4,
p−InPのクラッド層５を形成する。活性層２は楕円形に
パターニングする。基板とクラッド層に電極6,7を取り
つける。発光領域（活性層）上の基板をほとんど発光領
域近くまで掘削する。
楕円形の発光領域から出て来るレーザ光は偏波面が安
定に保たれる。
第２図に実施例（２）を示す。ｎ−InP基板１上にInG
aAsPの活性層2,p−InPの埋込層3,n−InPの電流阻止層4,
p−InPのクラッド層５を形成する。活性層２は円形にパ
ターニングする。基板とクラッド層に電極6,7を取りつ
ける。発光領域（活性層）上の基板をほとんど発光領域
近くまで掘削する。
クラッド層側から活性層の両側に溝を堀り，二つの溝
が活性層を挟む深さまで堀り下げる。
レーザ光は活性層から周囲に染み出して溝の影響を受
け，屈折率分布が円対称からずれて，偏波面が安定に保
たれる。
〔発明の効果〕
以上説明した様に，本発明によれば，偏波面を安定に
保つ面発光レーザが実現でき，コヒーレント光通信方式
の発展に寄与する。
【図面の簡単な説明】
第１図は実施例（１）， 第２図は実施例（２）， 第３図は従来の面発光レーザ である。図において， １は基板， ２は活性層， ３は埋込層， ４は電流阻止層， ５はクラッド層， 6,7は電極， ８は溝 を表す。

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】面発光型の半導体レーザであって，楕円形
    の活性層（２）を有することを特徴とする半導体発光装
    置。
  2. 【請求項２】面発光型の半導体レーザであって，円形の
    活性層（２）と該活性層の両側に形成された溝（８）と
    を有することを特徴とする半導体発光装置。
JP2227188A 1988-02-02 1988-02-02 半導体発光装置 Expired - Lifetime JP2570357B2 (ja)

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JPH01196884A JPH01196884A (ja) 1989-08-08
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