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JP2555231B2 - 窒化アルミニウム多層回路基板の製造方法 - Google Patents

窒化アルミニウム多層回路基板の製造方法

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JP2555231B2
JP2555231B2 JP3116110A JP11611091A JP2555231B2 JP 2555231 B2 JP2555231 B2 JP 2555231B2 JP 3116110 A JP3116110 A JP 3116110A JP 11611091 A JP11611091 A JP 11611091A JP 2555231 B2 JP2555231 B2 JP 2555231B2
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aln
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、窒化アルミニウム多層
回路基板の製造方法に関する。窒化アルミニウム（Ａｌ
Ｎ）は、放熱性に優れ且つ半導体装置のシリコン（Ｓ
ｉ）に熱膨張係数が近いことから、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ
3 ）に代わるパッケージや回路基板、特にシリコン半導
体装置を用いたＬＳＩ素子を搭載するセラミック多層回
路基板として非常に有用である。
【０００２】回路の配線を構成する導体としては、窒化
アルミニウムと一緒に高温で焼成するのに適したタング
ステン（Ｗ）が用いられる。
【０００３】
【従来の技術】導体としてタングステンを用いた窒化ア
ルミニウム多層回路基板は焼成により製造される。その
通常の手順は以下の通りである。窒化アルミニウム粉
末、焼結助剤、溶剤、および有機バインダーを混練した
スラリーから、ドクターブレード法によりグリーンシー
トを作製する。同様のグリーンシートを複数枚準備す
る。
【０００４】あるグリーンシートにはビアコンタクトホ
ールを形成し、導体ペースト（タングステンペースト）
でビアコンタクトホール内を充填する。また別のグリー
ンシートには導体ペースト（タングステンペースト）で
配線パターンをスクリーン印刷する。あるいは一枚のグ
リーンシートにビアコンタクトホール形成および充填後
に配線パターン印刷を行う。
【０００５】これらグリーンシートを所定枚数積層し、
加圧して一体化する。得られたグリーンシート積層体を
乾燥、加熱脱脂（バインダー抜き）の後に焼成して窒化
アルミニウム多層回路基板とする。焼成の際にはグリー
ンシート積層体を収容する焼成容器等、焼成雰囲気内に
共存する容器材の材質について、次のような特別の配慮
をする必要がある。
【０００６】窒化アルミニウムは焼成温度が１６００℃
以上と高いので（例えば特開昭６０─２３９３６６号公
報、特開平２─２１２３６５号公報、特開平２─２４３
５７０号公報等）、焼成中にグリーンシート積層体を収
容するための焼成容器や荷重セッターは耐熱性の高い材
質でなければならない。このような高温に耐え得る材質
としては窒化硼素（ＢＮ）およびグラファイト（Ｃ）が
実用可能である。両者の内でグラファイトは比較的安価
なので生産コスト上は好ましいが、グラファイトを用い
ると、焼成中に生起される炭素雰囲気によって窒化アル
ミニウムが分解昇華するという問題がある。その対策と
して、グラファイト容器の内面を窒化硼素粉末でコーテ
ィングしたり、容器内のグリーンシート積層体の周りに
窒化アルミニウム粉末の詰め粉を充填したりして焼成を
行う方法が提案されている（特開平２─３４５６８）。
しかし、この方法ではグリーンシート積層体のセットの
仕方によって窒化アルミニウム基板内で焼成にむらがで
き易く、焼成前のグリーンシート積層体のセットに時間
を要し、窒化アルミニウム詰め粉を用いるためコストが
かかるという欠点がある。
【０００７】窒化硼素はこのようなグラファイトの欠点
を回避するために有効である。しかし、焼成容器の材質
として窒化硼素（ＢＮ）を用いると、ＢＮが導体配線の
Ｗ中に拡散して硼化タングステン（Ｗ2 Ｂ）を生成し導
体の抵抗を増加させるという問題があった（日本セラミ
ック協会、１９８９年秋期講演予稿集ｐ８２）。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来の
問題を解消し、焼成容器に窒化硼素を用いた際のタング
ステン配線の導体抵抗の増加を防止した窒化アルミニウ
ム多層回路基板の製造方法を提供することを目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明によ
れば、窒化アルミニウムグリーンシート上に、タングス
テンを導体成分とする導体ペーストで配線パターンを形
成した後に、窒化硼素製容器内で加圧窒素ガス雰囲気中
で焼成することを特徴とする窒化アルミニウム多層回路
基板の製造方法によって達成される。
【００１０】
【作用】タングステン配線の導体抵抗が増加する原因
は、焼成中に焼成容器から放出された窒化硼素が導体配
線中のタングステンと反応して硼化タングステン（Ｗ2
Ｂ）が形成されることである。本発明においては、焼成
雰囲気を加圧窒素雰囲気とすることにより、焼成容器か
らの窒化硼素の雰囲気中放出を抑制し、窒化硼素とタン
グステンとの反応を防止してタングステン導体の抵抗増
加を防止することができる。
【００１１】窒化硼素容器中での焼成を３気圧以上の加
圧窒素雰囲気中で行うと、タングステン導体抵抗の増加
はほぼ完全に防止することができる。加圧窒素雰囲気の
窒素圧の上限は特に限定する必要はないが、１０気圧を
超えて窒素圧を高くしても導体抵抗増加を防止する効果
はほとんど高まらず、却ってコスト的に不利になるの
で、実操業上は窒素圧の上限を１０気圧とすることが適
当である。
【００１２】本発明は、更に配慮を加えることにより、
従来の焼成に伴う窒化アルミニウム基板の反りおよびタ
ングステン導体配線の剥離をより効果的に防止すること
ができる。すなわち、従来、焼成後に焼結助剤と不純物
酸素を焼結体から除去する際の基板の反り発生を防止す
るために、グリーンシート積層体に荷重を負荷した状態
で保持して焼成する方法が採られている（例えば特開平
２─１２９０７６号公報）。しかし、この保持方法を用
いると、焼成中にグリーンシート積層体の導体配線が、
荷重負荷を行う荷重セッター側に転写したり、焼成中の
基板（グリーンシート積層体）の収縮率がばらつくとい
う問題があった。
【００１３】また、基板の窒化アルミニウムと導体配線
のタングステンとが焼結中の収縮率が異なるため、窒化
アルミニウム基板とタングステン導体配線との密着性が
悪く、導体配線の剥離を生じ易いという問題があった。
上記従来の問題に対処するために、本発明において、窒
化アルミニウム基板とタングステン導体配線との焼結収
縮差による基板の反りおよび配線の剥離を防止するに
は、タングステンを導体成分をする導体ペーストに１０
wt％以下の窒化アルミニウム粉末を添加したペーストを
用いることが有効である。特に基板の反り防止が重要で
ある場合には、窒化アルミニウム粉末添加量を３wt％以
上とすることが望ましい。
【００１４】焼成された窒化アルミニウム基板の高い熱
伝導度を確保するには、導体ペーストによる配線パター
ンを形成した窒化アルミニウムグリーンシートを１６０
０℃以上の高温で焼成する必要がある。通常この焼成
は、２時間程度行えば十分である。上記窒化硼素容器内
での１６００℃以上の高温焼成の後に、窒化硼素容器を
用いず炭素を含有しない非酸化性雰囲気中で１６００℃
未満の温度で更に低温焼成を行うことにより、高温焼成
中に形成されたＷ2 Ｂを熱分解させてＷに戻す処理を付
加すれば、高温焼成したままの状態に比べて導体抵抗を
低下させることができる。ここで、炭素を含有しない非
酸化性雰囲気を用いるのは、導体タングステンが雰囲気
中炭素と反応して高抵抗のＷ2 Ｃとなるのを防止すると
同時に、窒化アルミニウムが酸化してアルミナ（Ａｌ2
Ｏ3 ）になるのを防止するためである。炭素を含有しな
い非酸化性雰囲気としては、水素、窒素、アルゴン等の
ガスを用いることができる。
【００１５】以下に、添付図面を参照し、実施例によっ
て本発明を更に詳細に説明する。
【００１６】
【実施例】
〔実施例１〕含有酸素量１％のＡｌＮ粉末に焼結助剤と
してＹ2 Ｏ3 粉末を５wt％添加し、更に溶剤（ＭＥＫ）
および有機バインダー（ＰＭＭＡ）を加え、ボールミル
で混練してスラリーとする。このスラリーをドクターブ
レード法により展延させて厚さ３００μｍ、９０×９０
ｍｍのＡｌＮグリーンシートを作製した。
【００１７】Ｗ粉末に溶剤（ＭＥＫ，テレピネオール）
および有機バインダー（ＰＭＭＡ）を加え、ボールミル
で混練してスラリーとする。このスラリーをらいかい機
にかけてＭＥＫを飛散させた後、ロールミルにかけてＷ
ペーストとした。スクリーン印刷によりＡｌＮグリーン
シートにＷペーストの配線パターン（幅２００μｍ、長
さ４０ｍｍ、高さ２５μｍ）を印刷した。このＡｌＮグ
リーンシートを６０℃、５０ＭＰａの条件下で積層し、
８層の積層体とした。
【００１８】積層体を乾燥後、６００℃の窒素気流中で
４時間脱脂（バインダー抜き）した後、ＢＮ製の焼成容
器に入れ、温度１７００℃、圧力１〜１０気圧の加圧窒
素雰囲気中で９時間焼成し、窒化アルミニウム多層回路
基板とした。得られた窒化アルミニウム多層回路基板の
表面のＷ配線について、抵抗率の測定およびＸ線回折を
行った結果を表１に示す。
【００１９】なお、Ａ１Ｎグリーンシートにボール盤で
スルーホールを穴開けした後、このスルーホールにＷペ
ーストを充填してビアを形成し、更に、Ａ１Ｎグリーン
シートにスクリーン印刷によりＷペーストの配線パター
ンを形成し、これらのビアおよび配線パターンを有する
Ａ１Ｎグリーンシートを複数枚積層後、脱脂と焼成によ
りＡ１Ｎ多層回路基板とすることができる。
【００２０】
【表１】 表１から、加圧窒素雰囲気を用い、特に加圧を３気圧以
上とすることにより、Ｗ配線中のＷ2 Ｂ生成を効果的に
抑制してＷ配線の抵抗率の増加を抑制できることが分か
る。なお、同表中の抵抗率は、厚さ１ｍｉｌ（２５．４
μｍ）当たりの換算値で表示した。 〔実施例２〕含有酸素量１％のＡｌＮ粉末に焼結助剤と
してＹ2 Ｏ3 粉末を５wt％添加し、更に溶剤（ＭＥＫ）
および有機バインダー（ＰＭＭＡ）を加え、ボールミル
で混練してスラリーとする。このスラリーをドクターブ
レード法により展延させて厚さ３００μｍ、９０×９０
ｍｍのＡｌＮグリーンシートを作製した。
【００２１】Ｗ粉末にＡｌＮ粉末を１０wt％までの種々
の量で添加し、更に溶剤（ＭＥＫ，テレピネオール）お
よび有機バインダー（ＰＭＭＡ）を加え、ボールミルで
混練してスラリーとする。このスラリーをらいかい機に
かけてＭＥＫを飛散させた後、ロールミルにかけてＷペ
ーストとした。比較のため、ＡｌＮ粉末を添加しないＷ
ペーストも準備した。
【００２２】スクリーン印刷によりＡｌＮグリーンシー
トにＷペーストの配線パターン（幅２００μｍ、長さ４
０ｍｍ、高さ２５μｍ）を印刷し、「配線シート」とし
た。また、ＡｌＮグリーンシートにボール盤で直径２０
０μｍのスルーホールを開けた後、このスルーホールに
Ｗペーストを充填してビアを形成し、「ビアシート」と
した。
【００２３】配線シートとビアシートとを交互に積層
し、６層の積層体とした。積層体を乾燥後、６００℃の
窒素気流中で脱脂（バインダー抜き）した後、ＢＮ製の
焼成容器に入れ、温度１４００〜１９００℃、圧力１〜
９kg／cm2 の加圧窒素雰囲気中で焼成し、窒化アルミニ
ウム多層回路基板とした。得られた窒化アルミニウム多
層回路基板の表面のＷ配線について、抵抗率の測定およ
びＸ線回折を行った。
【００２４】また、窒化アルミニウムグリーンシート単
板も上記と同一条件で焼成を行い、窒化アルミニウムの
焼結密度および熱伝導率を測定した。以下に、上記各測
定の結果を説明する。焼成温度および焼成時間 図１に焼成温度とＡｌＮ基板の焼結密度との関係、図２
に焼成温度と熱伝導率との関係をそれぞれ示す。図１か
ら分かるように、理論密度とほぼ同等の焼成密度を得る
には、焼成温度を１６００℃以上にする必要があり、特
に焼成温度１６５０℃以上では理論密度に対して１００
％近い焼結密度が得られる。また図２から、焼成温度を
１６００℃以上とすれば、熱伝導率も１８０W/mKと高い
値が得られることが分かる。
【００２５】図３に、焼成温度１８００℃における焼成
時間とＡｌＮ焼結密度および熱伝導率との関係を示す。
同図から分かるように、高い密度および熱伝導率を得る
ためには、焼成時間を２時間以上とすることが望まし
く、３時間以上とすることが更に望ましい。焼成圧力およびＷペーストへのＡｌＮ添加量 図４に、焼成時の加圧窒素雰囲気の圧力と得られたＷ導
体配線の電気抵抗率との関係を示す。１気圧の加圧でも
抵抗率の低下が明瞭に認められ、特に加圧を３気圧以上
とすることにより安定して低い抵抗率が確保できる。ま
た、ＡｌＮ粉末の添加量が多い程、抵抗率は大きくな
る。したがって、抵抗率をできるだけ低く抑える観点か
らは、ＡｌＮ添加量は必要最小限にすることが望まし
い。
【００２６】図５に、ＡｌＮ粉末添加量とＷ導体の収縮
率との関係を示す。ＡｌＮ添加量が０〜３wt％までの間
では、ＡｌＮ添加量を僅かに増加させても配線Ｗの収縮
率は基板ＡｌＮの収縮率に急速に近づいてゆき、３wt％
を超えると収縮率の接近は緩慢になり、１０wt％以上で
基板ＡｌＮの収縮率と同等になる。ＡｌＮ基板の反りお
よびＷ配線の剥離を防止するためには、配線Ｗの収縮率
を基板ＡｌＮの収縮率にできるだけ近づけることが望ま
しい。しかし、配線Ｗの収縮率を基板ＡｌＮの収縮率に
近づける効果は、ＷペーストへのＡｌＮ添加量１０wt％
以上では飽和する。したがって、できるだけ低い抵抗率
を確保するためにはＡｌＮの添加量はなるべく少ない方
が望ましいことを考慮すれば、ＡｌＮ添加量は１０wt％
以下とすべきである。
【００２７】ＡｌＮ添加量を１０wt％までの範囲で選択
し、多層回路基板の内層部分と外層部分とで使い分ける
こともできる。ＡｌＮ添加量が１０wt％を超えるＷペー
ストは、抵抗率が小さい必要がある導体配線用途には不
向きであるが、抵抗率が小さいことは要さず、強固な接
合のみを要する用途、例えばＡｌＮ多層回路基板を密閉
する金属シール材を接合するペーストとしては十分有用
である。
【００２８】図６に、従来の常圧焼成（１気圧）と本発
明の加圧焼成（３気圧）によって焼成したＷ配線のＸ線
回折パターンを示す。従来の常圧焼成によるＷ配線には
大きなＷ2 Ｂ回折ピークが多数認められるが、本発明の
加圧焼成によるＷ配線ではＷ 2 Ｂ回折ピークは僅かに小
さなものが認められるに過ぎず、Ｗ2 Ｂ生成が効果的に
抑制されていることが分かる。 〔実施例３〕実施例２と同様にＡｌＮグリーンシートお
よびＷペーストを準備した。ただし、ＷペーストへのＡ
ｌＮ粉末添加量を０．５、３、１０、および２０％と
し、比較のためにＡｌＮ無添加のＷペーストも準備し
た。
【００２９】ＡｌＮグリーンシートに上記Ｗペーストの
配線パターンを印刷する際に、２層目のグリーンシート
には配線パターンを、４層目のグリーンシートにはベタ
パターンを印刷した。これらグリーンシートを積層し
て、８層の積層体とした。焼成は、１７００℃、３気圧
の窒素気流中で９時間行った。焼成後の窒化アルミニウ
ム多層回路基板について、基板の反り、配線の密着強
度、および内層の配線抵抗率を測定した結果を表２に示
す
【００３０】
【表２】 表２から分かるように、基板の反りはＡｌＮ添加量が３
wt％以上になると明瞭に認められ、配線の密着強度はＡ
ｌＮ添加量０．５％でも向上効果が現れており、また内
層の配線抵抗率はＡｌＮ添加量１０wt％までは徐々に増
加するが１０wt％を超えると急激に増加する。そして、
各特性を総合的に考慮すると、Ｗペーストに１０wt％ま
での量でＡｌＮ粉末を添加することが望ましい。
【００３１】実施例２および３で説明した望ましい態様
によれば、従来使用されているＢＮ製焼成容器を用いて
もＷ2 Ｂの生成によるＷ配線の抵抗率増加を防止できる
だけでなく、従来のようにＡｌＮ基板の反りを防止する
ために荷重負荷を必要としないため、荷重セッターへ基
板表面の配線パターンが転写されたり、基板の収縮率が
負荷荷重によってばらついたりすることがない。 〔実施例４〕含有酸素量１％のＡｌＮ粉末に焼結助剤と
してＹ2 Ｏ3 粉末を５wt％添加し、更に溶剤（ＭＥＫ）
および有機バインダー（ＰＭＭＡ）を加え、ボールミル
で混練してスラリーとする。このスラリーをドクターブ
レード法により展延させて厚さ３００μｍ、９０×９０
ｍｍのＡｌＮグリーンシートを作製した。
【００３２】Ｗ粉末にＡｌＮ粉末を１０wt％までの種々
の量で添加し、更に溶剤（ＭＥＫ，テレピネオール）お
よび有機バインダー（ＰＭＭＡ）を加え、ボールミルで
混練してスラリーとする。このスラリーをらいかい機に
かけてＭＥＫを飛散させた後、ロールミルにかけてＷペ
ーストとした。比較のため、ＡｌＮ粉末を添加しないＷ
ペーストも準備した。
【００３３】スクリーン印刷によりＡｌＮグリーンシー
トにＷペーストの配線パターン（幅２００μｍ、長さ４
０ｍｍ、高さ２５μｍ）を印刷し、「配線シート」とし
た。また、ＡｌＮグリーンシートにボール盤で直径２０
０μｍのスルーホールを開けた後、このスルーホールに
Ｗペーストを充填してビアを形成し、「ビアシート」と
した。
【００３４】配線シートとビアシートとを交互に積層
し、８層の積層体とした。積層体を乾燥後、６００℃の
窒素気流中で脱脂（バインダー抜き）した後、ＢＮ製の
焼成容器に入れＢＮ製の基板セッターで荷重を掛けた状
態に保持し、温度１４００〜１９００℃、圧力１〜９kg
／cm2 の加圧窒素雰囲気中で３時間焼成した。本実施例
では便宜上これを１次焼成と呼ぶ。
【００３５】更に、上記焼成後の積層体を、１４００℃
で１時間焼成して窒化アルミニウム多層回路基板とし
た。本実施例では便宜上この焼成を２次焼成と呼ぶ。２
次焼成の雰囲気としてはカーボンを含有しない水素、窒
素、またはアルゴンを用いた。また、比較のためにカー
ボンを含有させた窒素雰囲気での２次焼成を行った。
【００３６】得られた窒化アルミニウム多層回路基板の
表面のＷ配線について、抵抗率の測定およびＸ線回折を
行った。図７に、ＡｌＮ粉末添加量とＷ導体配線の抵抗
率との関係を示す。ＡｌＮ粉末添加量が３wt％まではＷ
導体配線の抵抗率はほぼ一定で低い値であるが、ＡｌＮ
添加量が３wt％以上になると抵抗率が増大する。
【００３７】図８および図９に、それぞれ２次焼成雰囲
気にカーボンを含有しない場合および含有する場合につ
いて、１次焼成後と２次焼成後のＷ配線のＸ線回折パタ
ーンを対比して示す。表３には、それぞれの２次焼成雰
囲気について、１次焼成後および２次焼成後の抵抗率お
よびこれらの間での抵抗率減少（％）を示す。
【００３８】
【表３】 図８および表３から分かるように、焼成雰囲気としてカ
ーボンを含有しない非酸化性ガス（水素、窒素、または
アルゴン）を用いて２次焼成することにより、１次焼成
時に生成したＷ2 Ｂが熱分解してほぼＷ単体から成る導
体配線が得られ、導体配線の抵抗率を更に低下させるこ
とができる。
【００３９】一方、図９および表３から分かるように、
２次焼成雰囲気としてカーボンを含有する非酸化性ガス
（この場合は窒素ガス）を用いると、Ｗ導体配線の表面
にＷ 2 Ｃが生成するため、Ｗ2 Ｂが分解したことによる
導体抵抗の低減効果が十分に得られない。本実施例で説
明した本発明の望ましい態様によれば、Ｗペースト中へ
のＡｌＮ添加による基板反りおよび配線剥離を防止する
効果を得ると同時に、１次焼成中に生成したＷ2 Ｂを２
次焼成で熱分解させることにより、更に導体抵抗を小さ
くすることができる。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
焼成容器に窒化硼素を用いた際のタングステン配線の導
体抵抗の増加を防止して窒化アルミニウム多層回路基板
を製造することができる。また、導体配線を形成するＷ
ペースト中へのＡｌＮ添加により、上記導体抵抗増加を
防止する効果に加えて、従来のように荷重負荷を要せず
にＡｌＮ基板の反りおよび導体配線の剥離を効果的に防
止できる。
【００４１】更に、１次焼成中に生成したＷ2 Ｂを２次
焼成で熱分解させることにより、基板反りおよび配線剥
離防止効果を維持しながら、上記導体抵抗増加防止効果
を更に向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】焼成温度とＡｌＮ基板の焼結密度との関係を示
すグラフである。
【図２】焼成温度と熱伝導率との関係を示すグラフであ
る。
【図３】焼成温度１８００℃における焼成時間とＡｌＮ
焼結密度および熱伝導率との関係を示すグラフである。
【図４】焼成時の加圧窒素雰囲気の圧力と得られたＷ導
体配線の電気抵抗率との関係を示すグラフである。
【図５】ＡｌＮ粉末添加量とＷ導体の収縮率との関係を
示すグラフである。
【図６】従来の常圧焼成（１気圧）と本発明の加圧焼成
（３気圧）によって焼成したＷ配線のＸ線回折パターン
を示すグラフである。
【図７】ＡｌＮ粉末添加量とＷ導体配線の抵抗率との関
係を示すグラフである。
【図８】２次焼成雰囲気にカーボンを含有しない場合に
ついて、１次焼成後と２次焼成後のＷ配線のＸ線回折パ
ターンを対比して示すグラフである。
【図９】２次焼成雰囲気にカーボンを含有する場合につ
いて、１次焼成後と２次焼成後のＷ配線のＸ線回折パタ
ーンを対比して示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 塚田 峰春 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 窒化アルミニウムグリーンシート上に、
    タングステンを導体成分とする導体ペーストで配線パタ
    ーンを形成した後に、窒化硼素製容器内で加圧窒素ガス
    雰囲気中で焼成することを特徴とする窒化アルミニウム
    多層回路基板の製造方法。
  2. 【請求項２】 前記焼成を３気圧以上の加圧窒素雰囲気
    中で行うことを特徴とする請求項１に記載の窒化アルミ
    ニウム多層回路基板の製造方法。
  3. 【請求項３】 前記導体ペーストが１０wt％以下の窒化
    アルミニウム粉末を含有することを特徴とする請求項１
    または２に記載の窒化アルミニウム多層回路基板の製造
    方法。
  4. 【請求項４】 前記窒化アルミニウム粉末の添加量を３
    wt％以上とすることを特徴とする請求項３に記載の窒化
    アルミニウム多層回路基板の製造方法。
  5. 【請求項５】 前記焼成を１６００℃以上の温度で行う
    ことを特徴とする請求項１から４いずれか１項に記載の
    窒化アルミニウム多層回路基板の製造方法。
  6. 【請求項６】 前記窒化硼素容器内で行う１６００℃以
    上での焼成の後に、該窒化硼素容器を用いず炭素を含有
    しない非酸化性雰囲気中で１６００℃未満の温度で更に
    焼成を行うことを特徴とする請求項５に記載の窒化アル
    ミニウム多層回路基板の製造方法。
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