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JP2024117945A - Electro-optic device and electronic apparatus - Google Patents

Electro-optic device and electronic apparatus Download PDF

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JP2024117945A
JP2024117945A JP2023024061A JP2023024061A JP2024117945A JP 2024117945 A JP2024117945 A JP 2024117945A JP 2023024061 A JP2023024061 A JP 2023024061A JP 2023024061 A JP2023024061 A JP 2023024061A JP 2024117945 A JP2024117945 A JP 2024117945A
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potential
period
electro
level
data line
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Application number
JP2023024061A
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Japanese (ja)
Inventor
岳彦 窪田
Takehiko Kubota
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce power consumed by parasitic capacitance of a data line in an electro-optic device.
SOLUTION: A pixel circuit 110 includes an OLED that emits light with luminance corresponding to a current flowing from an anode to a cathode and a transistor that allows a current corresponding to a voltage between a gate node and a source node to flow to the OLED. A control circuit 30 supplies a potential corresponding to a gradation level to the gate node via a data line 14 in a writing period and performs first operation and second operation according to the gradation level in a first initialization period before the writing period. The first operation is the operation of supplying a potential Vorst via the data line 14, and the second operation is the operation of setting the potential of the data line 14 and the potential of the anode to a second potential between a potential Vel and the potential Vorst.
SELECTED DRAWING: Figure 2
COPYRIGHT: (C)2024,JPO&INPIT

Description

本発明は、電気光学装置および電子機器に関する。 The present invention relates to an electro-optical device and an electronic device.

近年、有機発光ダイオード(Organic Light Emitting Diode、以下「OLED」という)素子などの発光素子を用いた電気光学装置(表示装置)が各種提案されている。電気光学装置では、走査線とデータ線との交差に対応して、上記発光素子や駆動トランジスターなどを含む画素回路が、表示すべき画像の画素に対応して設けられる構成が一般的である。 In recent years, various electro-optical devices (display devices) using light-emitting elements such as organic light-emitting diodes (OLEDs) have been proposed. In electro-optical devices, pixel circuits including the light-emitting elements and driving transistors are typically provided at intersections between scanning lines and data lines, corresponding to the pixels of the image to be displayed.

このような構成において、画素の階調レベルに応じた電位のデータ信号が駆動トランジスターのゲートノードに供給されると、当該駆動トランジスターは、ゲートノードおよびソースノードの間の電圧に応じた電流を発光素子に供給する。これにより、当該発光素子は、階調レベルに応じた輝度で発光する。
画素回路としては、駆動トランジスターを含めて4つのトランジスターを有する構成が知られている(例えば特許文献1参照)。
In such a configuration, when a data signal having a potential corresponding to the grayscale level of a pixel is supplied to the gate node of the driving transistor, the driving transistor supplies a current corresponding to the voltage between the gate node and the source node to the light-emitting element, causing the light-emitting element to emit light with a brightness corresponding to the grayscale level.
A pixel circuit having four transistors including a drive transistor is known (see, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-233663).

特開2021-179628号公報JP 2021-179628 A

電気光学装置では、小型化されて携帯機器に適用求される場合、電池等の関係で低消費電力化が強く要求される。しかしながら、上記構成では、低消費電力化が十分でない、という課題がある。 When electro-optical devices are miniaturized and applied to portable devices, there is a strong demand for low power consumption due to battery and other factors. However, the above configuration has the problem that it does not achieve sufficient low power consumption.

上記課題を解決するために、本開示の一態様に係る電気光学装置は、データ線と走査線とに対応して設けられる画素回路と、前記画素回路を制御する制御回路と、を含み、前記画素回路は、二つの電極を有し、前記二つの電極の間に流れる電流に応じた輝度で発光する発光素子と、ゲートノードの電位およびソースノードの電位の間の電圧に応じた電流を前記発光素子に流す駆動トランジスターと、を含み、前記制御回路は、書込期間において、前記ゲートノードに階調レベルに応じた電位を、前記データ線を介して供給し、前記書込期間よりも前の第1初期化期間において、第1動作または第2動作を前記階調レベルに応じて実行し、前記第1動作は、前記二つの電極の一方の電極に、前記階調レベルに応じた電位とは異なる第1電位を、前記データ線を介して供給する動作であり、前記第2動作は、前記データ線の電位と前記一方の電極における電位とを、前記第1電位と前記駆動トランジスターをオフ状態にさせるオフ電位との間の第2電位にさせる動作である。 In order to solve the above problem, an electro-optical device according to one embodiment of the present disclosure includes a pixel circuit provided in correspondence with a data line and a scanning line, and a control circuit that controls the pixel circuit, the pixel circuit includes a light-emitting element having two electrodes and emitting light with a luminance corresponding to a current flowing between the two electrodes, and a drive transistor that flows a current corresponding to a voltage between a gate node potential and a source node potential to the light-emitting element, the control circuit supplies a potential corresponding to a gradation level to the gate node via the data line during a writing period, and executes a first operation or a second operation according to the gradation level during a first initialization period prior to the writing period, the first operation being an operation of supplying a first potential different from the potential corresponding to the gradation level to one of the two electrodes via the data line, and the second operation being an operation of setting the potential of the data line and the potential of the one electrode to a second potential between the first potential and an off potential that turns the drive transistor into an off state.

第1実施形態に係る電気光学装置の斜視図である。1 is a perspective view of an electro-optical device according to a first embodiment. 電気光学装置の電気的な構成を示すブロック図である。FIG. 2 is a block diagram showing an electrical configuration of the electro-optical device. 電気光学装置の画素回路を示す図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a pixel circuit of the electro-optical device. 電気光学装置の動作を示すタイミングチャートである。4 is a timing chart showing the operation of the electro-optical device. 電気光学装置の動作を示す図である。5A to 5C are diagrams illustrating the operation of the electro-optical device. 電気光学装置の動作を示す図である。5A to 5C are diagrams illustrating the operation of the electro-optical device. 電気光学装置の動作を示す図である。5A to 5C are diagrams illustrating the operation of the electro-optical device. 電気光学装置の動作を示す図である。5A to 5C are diagrams illustrating the operation of the electro-optical device. 電気光学装置の動作を示す図である。5A to 5C are diagrams illustrating the operation of the electro-optical device. 電気光学装置の動作を示す図である。5A to 5C are diagrams illustrating the operation of the electro-optical device. 電気光学装置の動作を示す図である。5A to 5C are diagrams illustrating the operation of the electro-optical device. 電気光学装置の優位性を示すための表示画面の一例である。1 is an example of a display screen for illustrating the advantages of an electro-optical device. 第2実施形態に係る電気光学装置の電気的な構成を示すブロック図である。FIG. 11 is a block diagram showing an electrical configuration of an electro-optical device according to a second embodiment. 電気光学装置の動作を示すタイミングチャートである。4 is a timing chart showing the operation of the electro-optical device. 電気光学装置の動作を示す図である。5A to 5C are diagrams illustrating the operation of the electro-optical device. 電気光学装置を用いたヘッドマウントディスプレイを示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a head mounted display using an electro-optical device. ヘッドマウントディスプレイの光学構成を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing an optical configuration of a head mounted display.

以下、実施形態に係る電気光学装置について図面を参照して説明する。なお、各図において、各部の寸法および縮尺は、実際のものと適宜に異ならせてある。また、以下に述べる実施の形態は、好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本開示の範囲は、以下の説明において特に本開示を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。 The electro-optical device according to the embodiment will be described below with reference to the drawings. Note that in each drawing, the dimensions and scale of each part are appropriately different from the actual ones. In addition, the embodiments described below are preferred examples, and therefore various technically preferable limitations are applied, but the scope of the present disclosure is not limited to these forms unless otherwise specified in the following description to the effect that the present disclosure is limited.

図1は、第1実施形態に係る電気光学装置10を示す斜視図である。電気光学装置10は、例えばヘッドマウントディスプレイなどにおいて画像を表示するマイクロ・ディスプレイ・パネルである。電気光学装置10は、OLEDを含む画素回路や、当該画素回路を駆動する駆動回路などを含む。画素回路や駆動回路等は半導体基板に集積化される。半導体基板は、典型的にはシリコン基板であるが、他の半導体基板であってもよい。 FIG. 1 is a perspective view showing an electro-optical device 10 according to a first embodiment. The electro-optical device 10 is a micro display panel that displays an image, for example, in a head-mounted display. The electro-optical device 10 includes a pixel circuit including an OLED, a drive circuit that drives the pixel circuit, and the like. The pixel circuit, the drive circuit, and the like are integrated on a semiconductor substrate. The semiconductor substrate is typically a silicon substrate, but may be another type of semiconductor substrate.

電気光学装置10は、表示領域100で開口する枠状のケース192に収納される。電気光学装置10は、FPC基板194の一端に接続される。なお、FPCとは、Flexible Printed Circuitsの略称である。FPC基板194の他端には、図示省略されたホスト装置に接続される複数の端子196が設けられる。複数の端子196がホスト装置に接続されると、電気光学装置10には、当該ホスト装置からFPC基板194を介して映像データや同期信号などが供給される。 The electro-optical device 10 is housed in a frame-shaped case 192 that opens in the display area 100. The electro-optical device 10 is connected to one end of an FPC board 194. FPC is an abbreviation for Flexible Printed Circuits. The other end of the FPC board 194 is provided with a plurality of terminals 196 that are connected to a host device (not shown). When the plurality of terminals 196 are connected to the host device, video data, synchronization signals, and the like are supplied to the electro-optical device 10 from the host device via the FPC board 194.

なお、図において、X方向は、電気光学装置10における走査線の延在方向を示し、Y方向は、データ線の延在方向を示す。X方向およびY方向で定まる二次元平面が半導体基板の基板面である。Z方向は、X方向およびY方向に垂直であって、OLEDから発せられる光の出射方向である。 In the figure, the X direction indicates the extension direction of the scanning lines in the electro-optical device 10, and the Y direction indicates the extension direction of the data lines. The two-dimensional plane determined by the X and Y directions is the substrate surface of the semiconductor substrate. The Z direction is perpendicular to the X and Y directions and is the emission direction of the light emitted from the OLED.

図2は、電気光学装置10の電気的な構成を示すブロック図である。図に示されるように、電気光学装置10は、制御回路30、データ信号出力回路50、補助回路60、n個の容量素子70、初期化回路80、表示領域100および走査線駆動回路120を含む。
表示領域100では、m行の走査線12が図においてX方向に沿って設けられ、n列のデータ線14が、Y方向に沿って、かつ、各走査線12と互いに電気的に絶縁を保つように設けられる。なお、m、nは、2以上の整数である。
2 is a block diagram showing an electrical configuration of the electro-optical device 10. As shown in the figure, the electro-optical device 10 includes a control circuit 30, a data signal output circuit 50, an auxiliary circuit 60, n capacitive elements 70, an initialization circuit 80, a display area 100, and a scanning line driving circuit 120.
In the display region 100, m rows of scanning lines 12 are provided along the X direction in the drawing, and n columns of data lines 14 are provided along the Y direction and are electrically insulated from each other of the scanning lines 12. Note that m and n are integers of 2 or more.

表示領域100には、画素回路110が、m行の走査線12とn列のデータ線14との交差に対応して設けられる。このため、画素回路110は、縦m行×横n列でマトリクス状に配列する。マトリクス配列のうち、行(ロウ)を区別するために、図において上から順に1、2、3、…、(m-1)、m行目と呼ぶことがある。同様にマトリクスの列(カラム)を区別するために、図において左から順に1、2、3、…、(n-1)、n列目と呼ぶことがある。
走査線12を一般化して説明するために、1以上m以下の整数iが用いられる。同様に、データ線14を一般化して説明するために、1以上n以下の整数jが用いられる。
In the display region 100, pixel circuits 110 are provided corresponding to the intersections of m rows of scanning lines 12 and n columns of data lines 14. Therefore, the pixel circuits 110 are arranged in a matrix of m rows and n columns. In order to distinguish the rows of the matrix arrangement, they may be referred to as 1, 2, 3, ..., (m-1), mth row from the top in the figure. Similarly, in order to distinguish the columns of the matrix, they may be referred to as 1, 2, 3, ..., (n-1), nth column from the left in the figure.
An integer i between 1 and m inclusive is used to generally describe the scan lines 12. Similarly, an integer j between 1 and n inclusive is used to generally describe the data lines 14.

制御回路30は、上位のホスト装置から供給される映像データVidや同期信号Syncに基づいて各部を制御する。映像データVidは、表示すべき画像における画素の階調レベルを例えば8ビットで指定する。
同期信号Syncには、映像データVidの垂直走査開始を指示する垂直同期信号や、水平走査開始を指示する水平同期信号、および、映像データの1画素分のタイミングを示すドットクロック信号が含まれる。
The control circuit 30 controls each section based on video data Vid and a synchronous signal Sync supplied from a host device. The video data Vid specifies the gradation level of a pixel in an image to be displayed, for example, in 8 bits.
The synchronization signal Sync includes a vertical synchronization signal that instructs the start of vertical scanning of the video data Vid, a horizontal synchronization signal that instructs the start of horizontal scanning, and a dot clock signal that indicates the timing of one pixel of the video data.

本実施形態において表示すべき画像の画素と表示領域100における画素回路110とは一対一に対応する。
ホスト装置から供給される映像データVidにおいて階調レベルで示される明るさの特性と、画素回路110に含まれるOLEDの輝度の特性とは、必ずしも一致しない。そこで、制御回路30は、映像データVidで指定される階調レベルに対応した輝度でOLEDを発光させるために、映像データVidの8ビットを、本実施形態では例えば10ビットにアップコンバージョンして、映像データVdataとして出力する。このため、10ビットの映像データVdataについても、階調レベルを指定することになる。すなわち、映像データVdataは、映像データVidで指定される階調レベルを変換した階調レベルを指定することになる。
In this embodiment, the pixels of an image to be displayed and the pixel circuits 110 in the display area 100 correspond one-to-one.
The brightness characteristics indicated by the gradation level in the video data Vid supplied from the host device do not necessarily match the luminance characteristics of the OLED included in the pixel circuit 110. Therefore, in order to cause the OLED to emit light at a luminance corresponding to the gradation level specified by the video data Vid, the control circuit 30 up-converts the 8 bits of the video data Vid to, for example, 10 bits in this embodiment and outputs the up-converted data as the video data Vdata. Therefore, the gradation level is also specified for the 10-bit video data Vdata. In other words, the video data Vdata specifies the gradation level obtained by converting the gradation level specified by the video data Vid.

なお、アップコンバージョンには、入力である映像データVidの8ビットと、出力である映像データVdataの10ビットとの対応関係を予め記憶したルックアップテーブルが用いられる。また、制御回路30は、各部を制御するために各種の制御信号を生成するが、詳細については後述する。 For up-conversion, a look-up table is used that stores in advance the correspondence between the 8 bits of input video data Vid and the 10 bits of output video data Vdata. The control circuit 30 also generates various control signals to control each section, as will be described in detail later.

走査線駆動回路120は、各種の信号を出力して、制御回路30による制御にしたがって、m行n列で配列する画素回路110を1行毎に駆動するための回路である。例えば、走査線駆動回路120は、1、2、3、…、(m-1)、m行目の走査線12に、順に走査信号/Gwr(1)、/Gwr(2)、…、/Gwr(m-1)、/Gwr(m)を供給する。一般的には、i行目の走査線12に供給される走査信号が/Gwr(i)と表記される。走査線駆動回路120は、走査信号/Gwr(1)~/Gwr(m)の他にも各種の制御信号を出力するが、詳細については後述する。 The scanning line driving circuit 120 is a circuit that outputs various signals to drive the pixel circuits 110 arranged in m rows and n columns, row by row, according to the control of the control circuit 30. For example, the scanning line driving circuit 120 supplies scanning signals /Gwr(1), /Gwr(2), ..., /Gwr(m-1), /Gwr(m) to the 1st, 2nd, 3rd, ..., (m-1), mth scanning lines 12 in order. In general, the scanning signal supplied to the ith scanning line 12 is represented as /Gwr(i). The scanning line driving circuit 120 outputs various control signals in addition to the scanning signals /Gwr(1) to /Gwr(m), but details will be described later.

データ信号出力回路50は、走査線駆動回路120によって選択された行に位置する画素回路110に向けて、輝度に応じた電圧信号を出力する回路である。詳細には、データ信号出力回路50は、選択回路群52、第1ラッチ回路群54、第2ラッチ回路群56、n個のDA変換回路500およびn個の判定回路510を含む。
選択回路群52は、n列と一対一に対応した選択回路520を含み、第1ラッチ回路群54は、n列と一対一に対応した第1ラッチ回路L1を含み、第2ラッチ回路群56は、n列と一対一に対応した第2ラッチ回路L2を含む。また、n個のDA変換回路500およびn個の判定回路510は、n列に一対一に対応する。
The data signal output circuit 50 is a circuit that outputs a voltage signal according to the luminance to the pixel circuits 110 located in the row selected by the scanning line driving circuit 120. In detail, the data signal output circuit 50 includes a selection circuit group 52, a first latch circuit group 54, a second latch circuit group 56, n DA conversion circuits 500, and n determination circuits 510.
The selection circuit group 52 includes a selection circuit 520 having a one-to-one correspondence with the n columns, the first latch circuit group 54 includes a first latch circuit L1 having a one-to-one correspondence with the n columns, and the second latch circuit group 56 includes a second latch circuit L2 having a one-to-one correspondence with the n columns. In addition, the n DA conversion circuits 500 and the n determination circuits 510 have a one-to-one correspondence with the n columns.

すなわち、各例に対応して、選択回路520、第1ラッチ回路L1、第2ラッチ回路L2、DA変換回路500および判定回路510の組が設けられる。ここで、j列目の選択回路520は、制御回路30から出力される映像データVdataのうち、j列目の映像データの選択をj列目の第1ラッチ回路L1に指示し、j列目の第1ラッチ回路L1は、当該指示にしたがって映像データVdataをラッチする。j列目の第2ラッチ回路L2は、j列目の第1ラッチ回路L1によりラッチされた映像データVdataを、制御回路30による制御にしたがって、後述する書込期間(C)においてj列目のDA変換回路500に出力し、初期化期間(A2)においてj列目の判定回路510に出力する。 That is, a set of a selection circuit 520, a first latch circuit L1, a second latch circuit L2, a DA conversion circuit 500, and a judgment circuit 510 is provided corresponding to each example. Here, the jth column selection circuit 520 instructs the jth column first latch circuit L1 to select the jth column video data from the video data Vdata output from the control circuit 30, and the jth column first latch circuit L1 latches the video data Vdata according to the instruction. The jth column second latch circuit L2 outputs the video data Vdata latched by the jth column first latch circuit L1 to the jth column DA conversion circuit 500 in a writing period (C) described later, according to the control of the control circuit 30, and outputs it to the jth column judgment circuit 510 in an initialization period (A2).

j列目のDA変換回路500は、j列目の第2ラッチ回路L2から出力された10ビットの映像データVdataをアナログの信号に変換し、j列目のデータ信号出力線14cに出力する。換言すれば、データ信号出力線14cはデータ線14と一対一に対応して設けられ、j列目のDA変換回路500における出力端は、j列目のデータ信号出力線14cに接続される。 The jth column DA conversion circuit 500 converts the 10-bit video data Vdata output from the jth column second latch circuit L2 into an analog signal and outputs it to the jth column data signal output line 14c. In other words, the data signal output line 14c is provided in one-to-one correspondence with the data line 14, and the output terminal of the jth column DA conversion circuit 500 is connected to the jth column data signal output line 14c.

j列目の判定回路510は、j列目の第2ラッチ回路L2から出力された映像データVdataで指定される階調レベルを判定して、当該判定結果に応じた制御信号/Yr(j)を出力する。なお、制御信号/Yr(j)とは、1、2、…、(n-1)、n列目に対応して順に供給される制御信号/Yr(1)、/Yr(2)、…、/Yr(n-1)、/Yr(n)を一般化して表記したものである。
j列目の判定回路510は、階調レベルが最高階調の白レベル(最も明るいレベル)であれば、制御信号/Yr(j)を、後述する水平走査期間(H)の全域においてHレベルで出力する。また、j列目の判定回路510は、階調レベルが白レベル以外であれば、制御信号/Yr(j)を、水平走査期間(H)のうち、初期化期間(A2)においてLレベルで出力し、他の期間においてHレベルで出力する。
The j-th column determination circuit 510 determines the gradation level specified by the video data Vdata output from the j-th column second latch circuit L2, and outputs a control signal /Yr(j) according to the determination result. Note that the control signal /Yr(j) is a generalized representation of the control signals /Yr(1), /Yr(2), ..., /Yr(n-1), /Yr(n) that are supplied in order corresponding to the 1st, 2nd, ..., (n-1), nth columns.
If the grayscale level is the highest grayscale white level (brightest level), the jth column decision circuit 510 outputs the control signal /Yr(j) at H level throughout the entire horizontal scanning period (H) described below. If the grayscale level is other than the white level, the jth column decision circuit 510 outputs the control signal /Yr(j) at L level during the initialization period (A2) of the horizontal scanning period (H) and at H level during the other periods.

補助回路60は、データ信号出力線14cと一対一に対応して設けられたトランジスター62の集合体である。j列目に対応するトランジスター62のソースノードは電位Vrefの給電線に接続され、トランジスター62のドレインノードは当該j列目のデータ信号出力線14cに接続される。また、各列におけるトランジスター62のゲートノードには、制御回路30から出力される制御信号/Grefが共通に供給される。 The auxiliary circuit 60 is a collection of transistors 62 arranged in one-to-one correspondence with the data signal output lines 14c. The source node of the transistor 62 corresponding to the jth column is connected to a power supply line of potential Vref, and the drain node of the transistor 62 is connected to the data signal output line 14c of the jth column. In addition, a control signal /Gref output from the control circuit 30 is commonly supplied to the gate nodes of the transistors 62 in each column.

n個の容量素子70は、データ信号出力線14cおよびデータ線14の組と一対一に対応して設けられる。詳細には、j列目の容量素子70の一端はj列目のデータ信号出力線14cに接続され、j列目の容量素子70の他端はj列目のデータ線14に接続される。
なお、映像データVdataは、映像データVidで指定される階調レベルに対応し、DA変換回路500は、当該映像データVdataをアナログ信号に変換し、当該アナログ信号が容量素子70を介してデータ信号としてデータ線14に供給される。このため、データ線14に供給されるデータ信号の電位は、映像データVidおよび映像データVdataで指定される階調レベルに対応することになる。
The n capacitance elements 70 are provided in one-to-one correspondence with pairs of data signal output lines 14c and data lines 14. In detail, one end of the capacitance element 70 in the jth column is connected to the data signal output line 14c in the jth column, and the other end of the capacitance element 70 in the jth column is connected to the data line 14 in the jth column.
The video data Vdata corresponds to a gradation level specified by the video data Vid, and the DA conversion circuit 500 converts the video data Vdata into an analog signal, which is supplied as a data signal to the data line 14 via the capacitive element 70. Therefore, the potential of the data signal supplied to the data line 14 corresponds to the video data Vid and the gradation level specified by the video data Vdata.

初期化回路80は、データ線14に一対一に対応して設けられた、トランジスター82、84および86の組の集合体である。
j列目に対応するトランジスター82のソースノードは電位Velの給電線に接続され、トランジスター82のドレインノードは当該j列目のデータ線14に接続される。また、各列におけるトランジスター82のゲートノードには、制御回路30から出力される制御信号/Drstが共通に供給される。電位Velは、電源電圧の高位電位として用いられる。
The initialization circuit 80 is a collection of pairs of transistors 82 , 84 and 86 provided in one-to-one correspondence with the data lines 14 .
A source node of the transistor 82 corresponding to the jth column is connected to a power supply line of potential Vel, and a drain node of the transistor 82 is connected to the jth column data line 14. A control signal /Drst output from the control circuit 30 is commonly supplied to the gate nodes of the transistors 82 in each column. The potential Vel is used as a high-level potential of the power supply voltage.

j列目に対応するトランジスター84のソースノードは電位Viniの給電線に接続され、トランジスター84のドレインノードは当該j列目のデータ線14に接続される。また、各列におけるトランジスター84のゲートノードには、制御回路30から出力される制御信号/Giniが共通に供給される。 The source node of the transistor 84 corresponding to the jth column is connected to a power supply line of potential Vini, and the drain node of the transistor 84 is connected to the data line 14 of the jth column. In addition, the control signal /Gini output from the control circuit 30 is commonly supplied to the gate nodes of the transistors 84 in each column.

j列目に対応するトランジスター86のソースノードは電位Vorstの給電線に接続され、トランジスター86のドレインノードは当該j列目のデータ線14に接続される。また、j列目におけるトランジスター86のゲートノードには、j列目の判定回路510からの制御信号/Yr(j)が供給される。電位Vorstは、例えば電位Gnd、または、当該電位Gndに近い低位の電位である。具体的には、電位Vorstは、仮にOLEDのアノードに給電された場合に、当該OLEDに電流が流れない程度の電位である。 The source node of the transistor 86 corresponding to the jth column is connected to the power supply line of potential Vorst, and the drain node of the transistor 86 is connected to the data line 14 of the jth column. A control signal /Yr(j) from the decision circuit 510 of the jth column is supplied to the gate node of the transistor 86 in the jth column. The potential Vorst is, for example, the potential Gnd or a low potential close to the potential Gnd. Specifically, the potential Vorst is a potential at which no current flows through the OLED if power is supplied to the anode of the OLED.

各列のデータ線14にはそれぞれ容量成分が寄生する。図では、当該容量成分が寄生容量72として表記されている。すなわち、当該寄生容量72は、電気的にみれば一端がデータ線14に接続され、他端が電位一定の給電線に接続された容量素子として表されている。
また、図において1、2、…、(n-1)、n列目におけるデータ線14の電位が、順にVd(1)、Vd(2)、…、Vd(n-1)、Vd(n)と表記される。一般的には、j列目におけるデータ線14の電位はVd(j)と表記される。
A capacitance component parasitic on each data line 14 in each column. In the figure, the capacitance component is represented as a parasitic capacitance 72. That is, the parasitic capacitance 72 is represented electrically as a capacitance element having one end connected to the data line 14 and the other end connected to a power supply line having a constant potential.
In addition, in the figure, the potentials of the data lines 14 in the 1st, 2nd, ..., (n-1), and nth columns are represented as Vd(1), Vd(2), ..., Vd(n-1), and Vd(n), respectively. In general, the potential of the data line 14 in the jth column is represented as Vd(j).

図3は、画素回路110を示す回路図である。m行n列で配列する画素回路110は電気的にみれば互いに同一である。このため、画素回路110については、i行j列に位置する画素回路110で代表させて説明する。 Figure 3 is a circuit diagram showing a pixel circuit 110. The pixel circuits 110 arranged in m rows and n columns are electrically identical to each other. For this reason, the pixel circuits 110 will be described by taking the pixel circuit 110 located in the i row and j column as a representative.

図に示されるように、画素回路110は、OLED130と、p型のトランジスター121~124と、容量素子140とを含む。トランジスター121~124は、例えばMOS型である。なお、MOSとは、Metal-Oxide-Semiconductor field-effect transistorの略称である。
また、i行目の画素回路110には、走査信号/Gwr(i)のほか、制御信号/Gel(i)、/Gcmp(i)が、走査線駆動回路120から供給される。
As shown in the figure, the pixel circuit 110 includes an OLED 130, p-type transistors 121 to 124, and a capacitance element 140. The transistors 121 to 124 are, for example, MOS type. Note that MOS is an abbreviation for Metal-Oxide-Semiconductor field-effect transistor.
In addition to the scanning signal /Gwr(i), control signals /Gel(i) and /Gcmp(i) are supplied to the pixel circuits 110 in the i-th row from the scanning line driving circuit 120.

制御信号/Gel(i)とは、1、2、…、(m-1)、m行目に対応して順に供給される制御信号/Gel(1)、/Gel(2)、…、/Gel(m-1)、/Gel(m)を一般化して表記したものである。同様に、制御信号/Gcmp(i)は、1、2、…、(m-1)、m行目に対応して順に供給される制御信号/Gcmp(1)、/Gcmp(2)、…、/Gcmp(m-1)、/Gcmp(m)を一般化して表記したものである。 Control signal /Gel(i) is a generalized notation of the control signals /Gel(1), /Gel(2), ..., /Gel(m-1), /Gel(m) that are supplied in sequence corresponding to the 1st, 2nd, ..., (m-1), mth rows. Similarly, control signal /Gcmp(i) is a generalized notation of the control signals /Gcmp(1), /Gcmp(2), ..., /Gcmp(m-1), /Gcmp(m) that are supplied in sequence corresponding to the 1st, 2nd, ..., (m-1), mth rows.

OLED130は、画素電極131と共通電極133とで発光機能層132を挟持した発光素子である。画素電極131はアノードとして機能し、共通電極133はカソードとして機能する。共通電極133は光透過性を有する。
OLED130において、アノードからカソードに向かって電流が流れると、アノードから注入された正孔とカソードから注入された電子とが発光機能層132で再結合して励起子が生成され、白色光が発生する。
The OLED 130 is a light-emitting element in which a light-emitting functional layer 132 is sandwiched between a pixel electrode 131 and a common electrode 133. The pixel electrode 131 functions as an anode, and the common electrode 133 functions as a cathode. The common electrode 133 is light-transmitting.
In the OLED 130, when a current flows from the anode to the cathode, holes injected from the anode and electrons injected from the cathode recombine in the light-emitting functional layer 132 to generate excitons, thereby generating white light.

カラー表示とする場合、発生した白色光が、例えば図示省略された反射層と半反射半透過層とで構成された光共振器にて共振し、R(赤)、G(緑)、B(青)のいずれかの色に対応して設定された共振波長で出射する。光共振器から光の出射側には当該色に対応したカラーフィルターが設けられる。したがって、OLED130からの出射光は、光共振器およびカラーフィルターによる着色を順に経て、観察者に視認される。なお、光共振器は図示省略されている。また、電気光学装置10が単に明暗のみの単色画像を表示する場合には、上記カラーフィルターが省略される。 When a color display is desired, the generated white light resonates in an optical resonator composed of, for example, a reflective layer and a semi-reflective semi-transmissive layer (not shown), and is emitted at a resonant wavelength set corresponding to one of the colors R (red), G (green), or B (blue). A color filter corresponding to the color is provided on the light emission side of the optical resonator. Therefore, the light emitted from the OLED 130 is colored by the optical resonator and the color filter in order, and is then visible to the observer. Note that the optical resonator is not shown. Furthermore, when the electro-optical device 10 simply displays a monochromatic image of light and dark, the color filter is omitted.

i行j列における画素回路110のトランジスター121にあっては、ゲートノードgがトランジスター122のドレインノードに接続され、ソースノードsが、電位Velが供給される給電線116に接続され、ドレインノードdがトランジスター123のソースノードおよびトランジスター124のソースノードに接続される。容量素子140にあっては、一端がトランジスター121のゲートノードgに接続され、他端が給電線116に接続される。このため、容量素子140は、トランジスター121におけるゲートノードgおよびソースノードsの間の電圧を保持する。
なお、容量素子140の他端は、電位がほぼ一定に保たれていればよいので、電位Velの給電線以外の、他の電位の給電線に接続されてもよい。
In the transistor 121 of the pixel circuit 110 in the i-th row and j-th column, the gate node g is connected to the drain node of the transistor 122, the source node s is connected to the power supply line 116 to which the potential Vel is supplied, and the drain node d is connected to the source node of the transistor 123 and the source node of the transistor 124. In the capacitance element 140, one end is connected to the gate node g of the transistor 121, and the other end is connected to the power supply line 116. Therefore, the capacitance element 140 holds the voltage between the gate node g and source node s of the transistor 121.
The other end of the capacitance element 140 may be connected to a power supply line of a potential other than the power supply line of the potential Vel, as long as the potential is kept substantially constant.

本実施形態において、容量素子140として、例えば、トランジスターの半導体層(下部電極)とゲート電極層(上部電極)とでトランジスターのゲート絶縁層を挟持することによって形成される、いわゆるMOS容量が用いられる。なお、容量素子140としては、トランジスター121のゲートノードgの寄生容量を用いてもよいし、半導体基板において互いに異なる導電層で絶縁層を挟持することによって形成される、いわゆるメタル容量を用いてもよい。 In this embodiment, the capacitance element 140 is, for example, a so-called MOS capacitance formed by sandwiching a gate insulating layer of a transistor between a semiconductor layer (lower electrode) and a gate electrode layer (upper electrode) of the transistor. Note that the capacitance element 140 may be a parasitic capacitance of the gate node g of the transistor 121, or a so-called metal capacitance formed by sandwiching an insulating layer between different conductive layers in a semiconductor substrate.

i行j列における画素回路110のトランジスター122にあっては、ゲートノードがi行目の走査線12に接続され、ソースノードが当該j列目のデータ線14に接続される。i行j列における画素回路110のトランジスター123にあっては、ゲートノードに制御信号/Gcmp(i)が供給され、ドレインノードが当該j列目のデータ線14に接続される。i行j列における画素回路110のトランジスター124にあっては、ゲートノードに制御信号/Gel(i)が供給され、ドレインノードがOLED130のアノードである画素電極131に接続される。
OLED130のカソードとして機能する共通電極133には、電位Vctが給電される。なお、電位Vctは、例えば電位Gnd、または、当該電位Gndに近い低位の電位である。
In the transistor 122 of the pixel circuit 110 in the i-th row and j-th column, a gate node is connected to the i-th row scanning line 12, and a source node is connected to the j-th column data line 14. In the transistor 123 of the pixel circuit 110 in the i-th row and j-th column, a control signal /Gcmp(i) is supplied to a gate node, and a drain node is connected to the j-th column data line 14. In the transistor 124 of the pixel circuit 110 in the i-th row and j-th column, a control signal /Gel(i) is supplied to a gate node, and a drain node is connected to the pixel electrode 131 which is the anode of the OLED 130.
A potential Vct is supplied to the common electrode 133 which functions as the cathode of the OLED 130. Note that the potential Vct is, for example, the potential Gnd or a low potential close to the potential Gnd.

本説明において「電気的に接続され」または単に「接続され」とは、2以上の要素間の直接的または間接的な接続または結合を意味し、例えば半導体基板において2以上の要素間が直接的ではなくても、異なる配線層およびコンタクトホールを介して結合されることも含む。 In this description, "electrically connected" or simply "connected" means a direct or indirect connection or coupling between two or more elements, and includes, for example, coupling between two or more elements in a semiconductor substrate through different wiring layers and contact holes, even if the elements are not directly connected to each other.

また、制御回路30は、データ信号出力回路50、補助回路60、初期化回路80および走査線駆動回路120を介して画素回路110の駆動を制御する。このため、制御回路30、データ信号出力回路50、補助回路60、初期化回路80および走査線駆動回路120を含めて広義の制御回路と呼ぶことがある。 The control circuit 30 also controls the driving of the pixel circuits 110 via the data signal output circuit 50, the auxiliary circuit 60, the initialization circuit 80, and the scanning line drive circuit 120. For this reason, the control circuit 30, the data signal output circuit 50, the auxiliary circuit 60, the initialization circuit 80, and the scanning line drive circuit 120 are sometimes referred to as a control circuit in a broad sense.

次に、電気光学装置10における動作について説明する。 Next, the operation of the electro-optical device 10 will be described.

図4は、電気光学装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。電気光学装置10では、m行の走査線12がフレーム(V)の期間に1、2、3、…、m行目という順番で1行ずつ水平走査される。
なお、本説明において1フレーム(V)の期間とは、映像データVidで指定される画像の1コマを表示するのに要する期間をいう。1フレームの期間の長さは、垂直同期期間と同じ場合、例えば同期信号Syncに含まれる垂直同期信号の周波数が60Hzであれば、当該垂直同期信号の1周期分に相当する16.7ミリ秒である。また、1行分の水平走査に要する期間が水平走査期間(H)である。
4 is a timing chart for explaining the operation of the electro-optical device 10. In the electro-optical device 10, m scanning lines 12 are horizontally scanned one by one during a frame (V) period in the order of 1st, 2nd, 3rd, . . . , mth rows.
In this description, the period of one frame (V) refers to the period required to display one frame of an image specified by the video data Vid. If the length of the period of one frame is the same as the vertical synchronization period, for example, if the frequency of the vertical synchronization signal included in the synchronization signal Sync is 60 Hz, the period is 16.7 milliseconds, which corresponds to one cycle of the vertical synchronization signal. Also, the period required for horizontal scanning of one row is the horizontal scanning period (H).

各行における水平走査期間(H)の動作は、画素回路110において共通である。また、ある水平走査期間(H)において走査される行の1~n列目の画素回路110の動作についても、ほぼ共通である。そこで以下については、i行j列における画素回路110について着目して説明する。 The operation of the pixel circuits 110 in each row during the horizontal scanning period (H) is common to all the pixel circuits 110. Furthermore, the operation of the pixel circuits 110 in columns 1 to n of a row scanned during a horizontal scanning period (H) is also almost common. Therefore, the following description focuses on the pixel circuit 110 in row i and column j.

電気光学装置10において、水平走査期間(H)は、時間の順で、初期化期間(A)、補償期間(B)および書込期間(C)に分けられる。このうち、初期化期間(A)は、さらに3つの初期化期間(A1)、(A2)および(A3)に分けられる。また、画素回路110の動作としては、初期化期間(A)、補償期間(B)および書込期間(C)とは別に、さらに発光期間(D)が加わる。 In the electro-optical device 10, the horizontal scanning period (H) is divided, in chronological order, into an initialization period (A), a compensation period (B), and a writing period (C). Of these, the initialization period (A) is further divided into three initialization periods (A1), (A2), and (A3). In addition to the initialization period (A), compensation period (B), and writing period (C), the operation of the pixel circuit 110 further includes a light emission period (D).

初期化期間(A1)は、トランジスター121をオフ状態に設定するための期間である。初期化期間(A2)は、特定OLED130以外のOLED130におけるアノード電位をリセットするための期間である。なお、特定OLED130とは、階調レベルが最高の白レベルに相当する輝度で発光させるOLEDをいう。初期化期間(A3)は、トランジスター121をオン状態にさせるための電位Viniを、ゲートノードgに供給するための期間である。
補償期間(B)は、トランジスター121のゲートノードgを、当該トランジスター121の閾値電圧に応じた電位に収束させるための期間である。
書込期間(C)は、トランジスター121のゲートノードgに、階調レベルに応じた電位を保持させる(書き込む)期間であり、詳細には、当該トランジスター121のゲートノードgを、閾値電圧に対応した電位からOLED130に流す電流に応じた電圧分だけ変化させるための期間である。
発光期間(D)は、書込期間(C)に保持されたゲートノードgの電位に応じた電流をOLED130に流して発光させるための期間である。
The initialization period (A1) is a period for setting the transistor 121 to an off state. The initialization period (A2) is a period for resetting the anode potential of the OLEDs 130 other than the specific OLED 130. The specific OLED 130 refers to an OLED that emits light with a luminance equivalent to the highest white level in the gradation level. The initialization period (A3) is a period for supplying a potential Vini for turning the transistor 121 to an on state to the gate node g.
The compensation period (B) is a period for causing the gate node g of the transistor 121 to converge to a potential corresponding to the threshold voltage of the transistor 121 .
The write period (C) is a period in which a potential corresponding to the gradation level is held (written) at the gate node g of the transistor 121, and more specifically, is a period in which the gate node g of the transistor 121 is changed from a potential corresponding to the threshold voltage by an amount corresponding to a voltage corresponding to the current flowing through the OLED 130.
The light emitting period (D) is a period for causing a current corresponding to the potential of the gate node g held in the writing period (C) to flow through the OLED 130 to emit light.

各水平走査期間(H)の初期化期間(A1)では、制御信号/DrstがLレベルであり、制御信号/GiniがHレベルであり、制御信号/GrefがLレベルである。このため、各列のトランジスター82がオン状態になり、各列のトランジスター84がオフ状態になり、各列のトランジスター62がオン状態になる。
初期化期間(A1)では、制御信号Yr(j)がHレベルである。図4では、j列目の制御信号Yr(j)が示されているが、初期化期間(A1)では、階調レベルに関係なく、制御信号Yr(1)~Yr(j)がHレベルになる。このため、各列のトランジスター86がオフ状態になる。
In the initialization period (A1) of each horizontal scanning period (H), the control signal /Drst is at L level, the control signal /Gini is at H level, and the control signal /Gref is at L level. Therefore, the transistors 82 in each column are turned on, the transistors 84 in each column are turned off, and the transistors 62 in each column are turned on.
In the initialization period (A1), the control signal Yr(j) is at H level. In FIG. 4, the control signal Yr(j) for the jth column is shown, and in the initialization period (A1), the control signals Yr(1) to Yr(j) are at H level regardless of the grayscale level. As a result, the transistors 86 in each column are turned off.

また、i行目における水平走査期間(H)の初期化期間(A1)では、走査信号/Gwr(i)がLレベルであり、制御信号/Gcmp(i)がHレベルであり、制御信号/Gel(i)がHレベルである。このため、初期化期間(A1)では、i行j列の画素回路110においてトランジスター122がオン状態であり、トランジスター123がオフ状態であり、トランジスター124がオフ状態である。 In addition, during the initialization period (A1) of the horizontal scanning period (H) in the i-th row, the scanning signal /Gwr(i) is at the L level, the control signal /Gcmp(i) is at the H level, and the control signal /Gel(i) is at the H level. Therefore, during the initialization period (A1), in the pixel circuit 110 in the i-th row and j-th column, the transistor 122 is in the ON state, the transistor 123 is in the OFF state, and the transistor 124 is in the OFF state.

したがって、初期化期間(A1)では、図5に示されるように、i行j列の画素回路110では、電位Velが、トランジスター82、j列目のデータ線14およびトランジスター122を順に介して、容量素子140の一端、および、トランジスター121のゲートノードgに供給される。ゲートノードgが電位Velになると、ゲートノードgおよびソースノードsの間の電圧がゼロになるので、トランジスター121は強制的にオフ状態になる。 Therefore, in the initialization period (A1), as shown in FIG. 5, in the pixel circuit 110 in the i-th row and j-th column, the potential Vel is supplied to one end of the capacitance element 140 and to the gate node g of the transistor 121 via the transistor 82, the j-th column data line 14, and the transistor 122 in that order. When the gate node g reaches the potential Vel, the voltage between the gate node g and the source node s becomes zero, and the transistor 121 is forced to be in the off state.

なお、初期化期間(A1)において、j列目のデータ信号出力線14cは、トランジスター62のオン状態によって電位Vrefになる。
また、j列目のデータ線14が電位Velになるので、容量素子70の両端電圧は|Vel-Vref|になり、寄生容量72の一端は電位Velに保持される。電位Velは電源電圧の高位であるので、j列目における容量素子70および寄生容量72は、充電されることになる。
In addition, during the initialization period (A1), the data signal output line 14c in the jth column is set to the potential Vref because the transistor 62 is in the on state.
In addition, since the data line 14 in the jth column is at the potential Vel, the voltage across the capacitive element 70 is |Vel-Vref|, and one end of the parasitic capacitance 72 is held at the potential Vel. Since the potential Vel is the higher level of the power supply voltage, the capacitive element 70 and the parasitic capacitance 72 in the jth column are charged.

各水平走査期間(H)において初期化期間(A2)では、制御信号/DrstがHレベルに変化し、制御信号/GiniがHレベルを維持し、制御信号/GrefがLレベルを維持する。このため、各列のトランジスター82がオフ状態に変化し、各列のトランジスター84がオフ状態を維持し、各列のトランジスター62がオン状態を維持する。
初期化期間(A2)において、制御信号Yr(j)のレベルはj列目の判定回路510の判定結果によって変化する。詳細には、i行目の初期化期間(A2)において、j列目の判定回路510は、i行j列の階調レベルが白レベル以外であれば、図4において(Nw)で示されるように、制御信号/Yr(j)をLレベルとし、当該階調レベルが白レベルであれば、図4において(W)で示されるように、制御信号/Yr(j)をHレベルとする。
In the initialization period (A2) of each horizontal scanning period (H), the control signal /Drst changes to H level, the control signal /Gini maintains H level, and the control signal /Gref maintains L level. As a result, the transistors 82 in each column change to the OFF state, the transistors 84 in each column maintain the OFF state, and the transistors 62 in each column maintain the ON state.
In the initialization period (A2), the level of the control signal Yr(j) changes depending on the judgment result of the j-th column judgment circuit 510. In detail, in the initialization period (A2) of the i-th row, if the gradation level of the i-th row and j-th column is other than the white level, the j-th column judgment circuit 510 sets the control signal /Yr(j) to the L level as shown by (Nw) in Fig. 4, and if the gradation level is the white level, sets the control signal /Yr(j) to the H level as shown by (W) in Fig. 4.

また、i行目における水平走査期間(H)の初期化期間(A2)では、走査信号/Gwr(i)がHレベルに変化し、制御信号/Gcmp(i)がLレベルに変化し、制御信号/Gel(i)がLレベルに変化する。このため、i行j列の画素回路110においてトランジスター122がオフ状態に変化し、トランジスター123がオン状態に変化し、トランジスター124がオン状態に変化する。 In addition, during the initialization period (A2) of the horizontal scanning period (H) in the i-th row, the scanning signal /Gwr(i) changes to the H level, the control signal /Gcmp(i) changes to the L level, and the control signal /Gel(i) changes to the L level. As a result, in the pixel circuit 110 in the i-th row and j-th column, the transistor 122 changes to the OFF state, the transistor 123 changes to the ON state, and the transistor 124 changes to the ON state.

初期化期間(A2)において制御信号/Yr(j)がLレベルであれば、トランジスター86がオン状態に変化するので、j列目のデータ線14が電位Vorstになる。したがって、i行j列の階調レベルが白レベル以外であれば、図6に示されるように、当該i行j列の画素回路110におけるOLED130のアノードが、トランジスター124、123、j列目のデータ線14およびトランジスター86を順に介して第1電位である電位Vorstにリセットされる動作、すなわちリセット動作が行われる。 If the control signal /Yr(j) is at the L level during the initialization period (A2), the transistor 86 changes to the ON state, and the jth column data line 14 becomes the potential Vorst. Therefore, if the gradation level of the ith row and jth column is other than the white level, as shown in FIG. 6, the anode of the OLED 130 in the ith row and jth column pixel circuit 110 is reset to the first potential, Vorst, via the transistors 124, 123, the jth column data line 14, and the transistor 86 in that order, i.e., a reset operation is performed.

なお、初期化期間(A2)において、j列目のデータ信号出力線14cは、トランジスター62のオン状態が維持されることによって初期化期間(A1)から引き続いて電位Vrefである。
また、j列目のデータ線14が電位Vorstになるので、容量素子70の両端電圧は|Vorst-Vref|になり、寄生容量72の一端は電位Vorstに保持される。電位VelおよびVorstは、
Vel>Vorst
という関係にあるので、j列目における容量素子70および寄生容量72は放電されることになる。
In addition, during the initialization period (A2), the jth column data signal output line 14c continues to be at the potential Vref from the initialization period (A1) because the transistor 62 is maintained in the on state.
In addition, since the j-th data line 14 is at the potential Vorst, the voltage across the capacitive element 70 is |Vorst-Vref|, and one end of the parasitic capacitance 72 is held at the potential Vorst. The potentials Vel and Vorst are expressed as follows:
Vel>Vorst
Since this relationship holds, the capacitive element 70 and the parasitic capacitance 72 in the jth column are discharged.

一方、初期化期間(A2)において制御信号/Yr(j)がHレベルであれば、トランジスター86がオフ状態を維持する。直前の初期化期間(A1)では、データ線14が電位Velであり、当該電位Velは容量素子70の他端および寄生容量72の一端に保持されている。このため、i行j列の階調レベルが白レベルであれば、i行j列の画素回路110におけるOLED130には、図7に示されるように、容量素子70および寄生容量72から電荷が流出して、データ線14、トランジスター123、124を順に介してOLED130に向かう非リセット動作が行われる。 On the other hand, if the control signal /Yr(j) is at H level during the initialization period (A2), the transistor 86 remains in the off state. During the immediately preceding initialization period (A1), the data line 14 is at potential Vel, and this potential Vel is held at the other end of the capacitance element 70 and one end of the parasitic capacitance 72. For this reason, if the gradation level of row i, column j is the white level, as shown in FIG. 7, in the OLED 130 in the pixel circuit 110 of row i, column j, charge flows out of the capacitance element 70 and parasitic capacitance 72, and a non-reset operation is performed toward the OLED 130 via the data line 14, transistors 123, 124 in that order.

容量素子70および寄生容量72から流出した電荷によって、OLED130の寄生容量が満充電になると、電荷が溢れてOLED130(の発光機能層132)に流れるので、当該OLED130が発光することがある。ただし、i行j列の階調レベルは最高階調の白レベルが指定されているので、想定期間外、すなわち発光期間(D)以外の初期化期間(A2)における発光の影響は無視することができる。 When the parasitic capacitance of the OLED 130 becomes fully charged due to the charge flowing out from the capacitive element 70 and the parasitic capacitance 72, the charge overflows and flows into the OLED 130 (the light-emitting functional layer 132), which may cause the OLED 130 to emit light. However, since the gradation level of row i and column j is set to the highest gradation, white level, the effect of light emission outside the expected period, i.e., during the initialization period (A2) other than the light-emitting period (D), can be ignored.

なお、電荷の流出によってj列目における容量素子70および寄生容量72は放電になるので、データ線14は電位Velから低下する。なお、この放電は、j列目のデータ線14を介してOLED130の寄生容量に電荷を分配する程度であり、微量である。
このため、i行目の水平走査期間のうち、初期化期間(A2)においてi行j列の階調レベルが白レベルであれば、j列目のデータ線14およびi行j列におけるアノードは、電位Vorstおよび電位Velの間の電位、すなわち第2電位になるが、ほぼ電位Velであるといって差し支えない。
すなわち、階調レベルが白レベルである場合に行われる非リセット動作において、j列目の容量素子70および寄生容量72の放電による影響は、階調レベルが白レベル以外である場合のリセット動作と比較して無視することができる。なお、本実施形態では、初期化期間(A1)においてトランジスター121をオフ状態に設定するが、これに限らず、初期化期間(A1)がなくてもよい。すなわち、初期化期間(A1)においてトランジスター121をオフ状態に設定せずに、初期化期間(A2)において、OLED130におけるアノード電位をリセットしてもよい。この場合、トランジスター122をオフ状態としてOLED130におけるアノード電位をリセットしてもよい。
Since the charge outflow causes the capacitive element 70 and the parasitic capacitance 72 in the jth column to discharge, the data line 14 drops from the potential Vel. This discharge is only a small amount, and is only sufficient to distribute the charge to the parasitic capacitance of the OLED 130 via the jth data line 14.
For this reason, during the horizontal scanning period of the i-th row, if the gradation level of the i-th row and j-th column is the white level in the initialization period (A2), the j-th data line 14 and the anode in the i-th row and j-th column will be at a potential between the potential Vorst and the potential Vel, i.e., the second potential, but it is safe to say that they are approximately at the potential Vel.
That is, in the non-reset operation performed when the gradation level is the white level, the influence of the discharge of the capacitive element 70 and the parasitic capacitance 72 in the jth column can be ignored compared to the reset operation when the gradation level is a level other than the white level. In this embodiment, the transistor 121 is set to the off state in the initialization period (A1), but this is not limited, and the initialization period (A1) may not be necessary. That is, the anode potential in the OLED 130 may be reset in the initialization period (A2) without setting the transistor 121 to the off state in the initialization period (A1). In this case, the anode potential in the OLED 130 may be reset by turning off the transistor 122.

各水平走査期間(H)において初期化期間(A3)では、制御信号/DrstがHレベルを維持し、制御信号/GiniがLレベルに変化し、制御信号/GrefがLレベルを維持する。このため、各列のトランジスター82がオフ状態を維持し、各列のトランジスター84がオン状態に変化し、各列のトランジスター62がオン状態を維持する。
初期化期間(A3)では、制御信号Yr(j)がHレベルである。なお、ここではj列目の制御信号Yr(j)で説明しているが、初期化期間(A3)以降では、階調レベルに関係なく、制御信号Yr(1)~Yr(j)がHレベルである。このため、各列のトランジスター86がオフ状態になる。
In the initialization period (A3) of each horizontal scanning period (H), the control signal /Drst maintains the H level, the control signal /Gini changes to the L level, and the control signal /Gref maintains the L level. As a result, the transistors 82 in each column maintain the OFF state, the transistors 84 in each column change to the ON state, and the transistors 62 in each column maintain the ON state.
In the initialization period (A3), the control signal Yr(j) is at H level. Note that, although the control signal Yr(j) for the jth column is described here, after the initialization period (A3), the control signals Yr(1) to Yr(j) are at H level regardless of the gradation level. As a result, the transistors 86 in each column are turned off.

また、i行目における水平走査期間(H)の初期化期間(A3)では、走査信号/Gwr(i)がLレベルに変化し、制御信号/Gcmp(i)がHレベルに変化し、制御信号/Gel(i)がHレベルに変化する。このため、i行j列の画素回路110においてトランジスター122がオン状態に変化し、トランジスター123がオフ状態に変化し、トランジスター124がオフ状態に変化する。 In addition, during the initialization period (A3) of the horizontal scanning period (H) in the i-th row, the scanning signal /Gwr(i) changes to the L level, the control signal /Gcmp(i) changes to the H level, and the control signal /Gel(i) changes to the H level. As a result, in the pixel circuit 110 in the i-th row and j-th column, the transistor 122 changes to the ON state, the transistor 123 changes to the OFF state, and the transistor 124 changes to the OFF state.

したがって、初期化期間(A3)では、図8に示されるように、i行j列の画素回路110において、電位Viniが、トランジスター84、j列目のデータ線14およびトランジスター122を順に介して、容量素子140の一端、および、トランジスター121のゲートノードgに供給される。 Therefore, in the initialization period (A3), as shown in FIG. 8, in the pixel circuit 110 in the i-th row and j-th column, the potential Vini is supplied to one end of the capacitance element 140 and to the gate node g of the transistor 121 via the transistor 84, the j-th column data line 14, and the transistor 122 in that order.

なお、初期化期間(A3)において、j列目のデータ信号出力線14cは、トランジスター62のオン状態が維持されることによって初期化期間(A1)から引き続いて電位Vrefである。
また、j列目のデータ線14が電位Viniになるので、容量素子70の両端電圧は|Vini-Vref|になり、寄生容量72の一端は電位Viniに保持される。電位ViniおよびVorstは、
(Vel>)Vini>Vorst
という関係にある。
このため、容量素子70および寄生容量72は、初期化期間(A2)においてデータ線14が電位Vorstであったならば、充電されることになる。また、初期化期間(A2)において、データ線14が電位Velからほとんど変化しなかったのであれば、放電されることになる。
なお、図8では、容量素子70および寄生容量72が充電される場合を示している。
In addition, during the initialization period (A3), the data signal output line 14c in the jth column continues to be at the potential Vref from the initialization period (A1) because the transistor 62 is maintained in the on state.
In addition, since the j-th data line 14 is at the potential Vini, the voltage across the capacitive element 70 is |Vini-Vref|, and one end of the parasitic capacitance 72 is held at the potential Vini. The potentials Vini and Vorst are expressed as follows:
(Vel>)Vini>Vorst
This is the relationship.
Therefore, if the data line 14 is at the potential Vorst during the initialization period (A2), the capacitive element 70 and the parasitic capacitance 72 are charged, and if the data line 14 has hardly changed from the potential Vel during the initialization period (A2), the capacitive element 70 and the parasitic capacitance 72 are discharged.
FIG. 8 shows a case where the capacitive element 70 and the parasitic capacitance 72 are charged.

初期化期間(A3)が終了すると補償期間(B)になる。各水平走査期間(H)において補償期間(B)では、制御信号/DrstがHレベルを維持し、制御信号/GiniがHレベルに変化し、制御信号/GrefがLレベルを維持する。このため、各列のトランジスター82がオフ状態を維持し、各列のトランジスター84がオフ状態に変化し、各列のトランジスター62がオン状態を維持する。
図4では、制御信号/Yr(j)のみが示されているが、補償期間(B)では上述したように、制御信号/Yr(1)~/Yr(j)がHレベルである。このため、各列のトランジスター86がオフ状態を維持する。
When the initialization period (A3) ends, the compensation period (B) begins. In the compensation period (B) of each horizontal scanning period (H), the control signal /Drst maintains the H level, the control signal /Gini changes to the H level, and the control signal /Gref maintains the L level. Therefore, the transistors 82 in each column maintain the OFF state, the transistors 84 in each column change to the OFF state, and the transistors 62 in each column maintain the ON state.
4, only the control signal /Yr(j) is shown, but as described above, during the compensation period (B), the control signals /Yr(1) to /Yr(j) are at H level, so that the transistors 86 in each column are maintained in the off state.

また、i行目の水平走査期間(H)の補償期間(B)では、走査信号/Gwr(i)がLレベルを維持し、制御信号/Gcmp(i)がLレベルに変化し、制御信号/Gel(i)がHレベルを維持する。このため、i行j列の画素回路110においてトランジスター122がオン状態を維持し、トランジスター123がオン状態に変化し、トランジスター124がオフ状態を維持する。 In addition, during the compensation period (B) of the horizontal scanning period (H) of the i-th row, the scanning signal /Gwr(i) maintains the L level, the control signal /Gcmp(i) changes to the L level, and the control signal /Gel(i) maintains the H level. As a result, in the pixel circuit 110 of the i-th row and j-th column, the transistor 122 maintains the ON state, the transistor 123 changes to the ON state, and the transistor 124 maintains the OFF state.

補償期間(B)の始期においてi行目の画素回路110では、容量素子140によってトランジスター121のゲートノードgが電位Viniに保持されている。ゲートノードgが電位Viniになっているときに、トランジスター123がオン状態になると、トランジスター121がダイオード接続になる。 At the start of the compensation period (B), in the pixel circuit 110 in the i-th row, the gate node g of the transistor 121 is held at the potential Vini by the capacitance element 140. When the gate node g is at the potential Vini and the transistor 123 is turned on, the transistor 121 becomes diode-connected.

したがって、補償期間(B)では、図9に示されるように、当該トランジスター121におけるゲートノードgおよびソースノードsの間の電圧は、当該トランジスター121の閾値電圧Vth(に近い電圧)に収束する。すなわち、トランジスター121におけるゲートノードgおよびデータ線14の電位は閾値相当電位(Vel-Vth)に収束する。 Therefore, in the compensation period (B), as shown in FIG. 9, the voltage between the gate node g and the source node s of the transistor 121 converges to (a voltage close to) the threshold voltage Vth of the transistor 121. In other words, the potentials of the gate node g of the transistor 121 and the data line 14 converge to a potential equivalent to the threshold (Vel-Vth).

i行目の補償期間(B)では、各列のトランジスター62がオン状態を維持するので、各列のデータ信号出力線14cが電位Vrefに保たれる。
また、データ線14が閾値相当電位(Vel-Vth)に収束するので、容量素子70の両端電圧は|Vel-Vth-Vref|になり、寄生容量72の一端は閾値相当電位(Vel-Vth)に保持される。
During the compensation period (B) of the i-th row, the transistor 62 of each column maintains the on state, so that the data signal output line 14c of each column is maintained at the potential Vref.
Furthermore, since the data line 14 converges to the potential equivalent to the threshold voltage (Vel-Vth), the voltage across the capacitive element 70 becomes |Vel-Vth-Vref|, and one end of the parasitic capacitance 72 is held at the potential equivalent to the threshold voltage (Vel-Vth).

補償期間(B)が終了すると書込期間(C)になる。各水平走査期間(H)において書込期間(C)では、制御信号/DrstがHレベルを維持し、制御信号/GiniがHレベルを維持し、制御信号/GrefがHレベルに変化する。このため、各列のトランジスター82がオフ状態を維持し、各列のトランジスター84がオフ状態を維持し、各列のトランジスター62がオフ状態に変化する。
図4では、制御信号/Yr(j)が示されているが、書込期間(C)では上述したように、制御信号/Yr(1)~/Yr(j)がHレベルである。このため、各列のトランジスター86がオフ状態になる。
When the compensation period (B) ends, the writing period (C) begins. In the writing period (C) of each horizontal scanning period (H), the control signal /Drst maintains the H level, the control signal /Gini maintains the H level, and the control signal /Gref changes to the H level. Therefore, the transistors 82 in each column maintain the off state, the transistors 84 in each column maintain the off state, and the transistors 62 in each column change to the off state.
4, the control signal /Yr(j) is shown, but as described above, in the writing period (C), the control signals /Yr(1) to /Yr(j) are at H level, so that the transistors 86 in each column are turned off.

また、i行目の水平走査期間(H)の書込期間(C)では、走査信号/Gwr(i)がLレベルを維持し、制御信号/Gcmp(i)がHレベルに変化し、制御信号/Gel(i)がHレベルを維持する。このため、i行j列の画素回路110においてトランジスター122がオン状態を維持し、トランジスター123がオフ状態に変化し、トランジスター124がオフ状態を維持する。 In addition, during the writing period (C) of the horizontal scanning period (H) of the i-th row, the scanning signal /Gwr(i) maintains the L level, the control signal /Gcmp(i) changes to the H level, and the control signal /Gel(i) maintains the H level. As a result, in the pixel circuit 110 of the i-th row and j-th column, the transistor 122 maintains the ON state, the transistor 123 changes to the OFF state, and the transistor 124 maintains the OFF state.

書込期間(C)において、各列のトランジスター62がオフ状態に変化する。また、各列のDA変換回路500には、i行目であって、列に対応する10ビットの映像データVdataが供給される。このため、j列目のDA変換回路500は、i行j列の階調レベルに応じた電位のデータ信号をデータ信号出力線14cに出力する。 During the write period (C), the transistors 62 in each column are turned off. In addition, the DA conversion circuit 500 in each column is supplied with 10-bit video data Vdata corresponding to the i-th row and column. Therefore, the DA conversion circuit 500 in the j-th column outputs a data signal with a potential corresponding to the gradation level of the i-th row and j-th column to the data signal output line 14c.

したがって、書込期間(C)では、図10に示されるように、j列目の容量素子70の一端は、電位Vrefから、i行j列に対応した階調レベルの電位に上昇する。この電位上昇は、当該容量素子70、データ線14およびトランジスター122を順に介してトランジスター121のゲートノードgに到達する。 Therefore, during the write period (C), as shown in FIG. 10, one end of the capacitive element 70 in the jth column rises from potential Vref to a potential of the gradation level corresponding to row i and column j. This potential rise reaches the gate node g of transistor 121 via the capacitive element 70, data line 14, and transistor 122 in that order.

書込期間(C)におけるゲートノードgの電位変化分は、容量素子70の一端における電位上昇分に、「合成容量値」に対する容量素子70の容量値の比を、乗じた値である。ここでいう「合成容量値」とは、容量素子70、寄生容量72および容量素子140による合成容量の容量値である。なお、容量素子140の容量値は、他の容量値と比較して十分に小さい場合には、無視することができる。 The change in potential of the gate node g during the write period (C) is the increase in potential at one end of the capacitance element 70 multiplied by the ratio of the capacitance value of the capacitance element 70 to the "composite capacitance value." The "composite capacitance value" here refers to the capacitance value of the composite capacitance of the capacitance element 70, the parasitic capacitance 72, and the capacitance element 140. Note that the capacitance value of the capacitance element 140 can be ignored if it is sufficiently small compared to the other capacitance values.

走査信号/Gwr(i)がHレベルに変化したときに、i行目の書込期間(D)が終了する。走査信号/Gwr(i)がHレベルになると、i行j列の画素回路110ではトランジスター122がオフ状態になるが、ゲートノードgの電位と電位Velとの差の電圧は、容量素子140に保持される。 When the scanning signal /Gwr(i) changes to the H level, the writing period (D) of the i-th row ends. When the scanning signal /Gwr(i) becomes the H level, the transistor 122 in the pixel circuit 110 in the i-th row and j-th column is turned off, but the voltage difference between the potential of the gate node g and the potential Vel is held in the capacitance element 140.

書込期間(C)の終了後、発光期間(D)になる。
i行目の発光期間(E)に至ると、制御信号/Gel(i)がLレベルに反転するので、トランジスター124がオン状態になる。
したがって、発光期間(D)では、図11に示されるように、OLED130には、容量素子140による保持されたゲートノードgの電位に応じた電流Ielがトランジスター121によって流れる。このため、当該OLED130が、当該電流Ielに応じた輝度で発光する。
After the writing period (C) ends, a light emitting period (D) begins.
When the light emission period (E) of the i-th row is reached, the control signal /Gel(i) is inverted to the L level, so that the transistor 124 is turned on.
11 , in the light emission period (D), a current Iel according to the potential of the gate node g held by the capacitance element 140 flows through the OLED 130 by the transistor 121. Therefore, the OLED 130 emits light with a luminance according to the current Iel.

なお、図4は、i行目の書込期間(C)の終了後、直ちにi行目の発光期間(D)が開始する例であるが、i行目の書込期間(C)の終了後、例えば1水平走査期間(H)後に、i行目の発光期間(D)が開始してもよい。
また、図4は、発光期間(D)が連続した例であるが、制御信号/Gel(i)がLレベルになる期間は、間欠的であってもよいし、輝度の調整に応じて変化させてもよいし、環境光の輝度に応じて調整されてもよい。また、発光期間(D)における制御信号/Gel(i)のレベルについては、HレベルとLレベルとの中間的なレベルを用いてもよい。
Note that, although FIG. 4 shows an example in which the light emission period (D) of the i-th row starts immediately after the end of the writing period (C) of the i-th row, the light emission period (D) of the i-th row may start, for example, one horizontal scanning period (H) after the end of the writing period (C) of the i-th row.
4 shows an example in which the light emission period (D) is continuous, the period in which the control signal /Gel(i) is at the L level may be intermittent, may be changed in response to the adjustment of the luminance, or may be adjusted in response to the luminance of the ambient light. Also, the level of the control signal /Gel(i) in the light emission period (D) may be an intermediate level between the H level and the L level.

i行目の水平走査期間(H)において、1~n列の画素回路110について同様な動作が実行される。また、図4では、i行目の水平走査期間(H)について着目し、当該水平走査期間(H)の動作について説明したが、同様な動作は、1、2、3、…、m行目の水平走査期間(H)について順次実行される。 In the horizontal scanning period (H) of the i-th row, a similar operation is performed for the pixel circuits 110 in columns 1 to n. Also, in FIG. 4, attention is focused on the horizontal scanning period (H) of the i-th row, and the operation of that horizontal scanning period (H) is explained, but a similar operation is sequentially performed for the horizontal scanning periods (H) of the 1st, 2nd, 3rd, ..., mth rows.

i行j列の画素回路110にけるゲートノードgの電位は、補償期間(B)における閾値相当電位から、i行j列の階調レベルに応じて変化させた電位である。同様な動作が他の画素回路110でも実行されるので、実施形態では、m行n列のすべての画素回路110にわたってトランジスター121の閾値が補償された状態で、OLED130に階調レベルに応じた電流が流れることになる。したがって、本実施形態では、輝度のばらつきが小さくなる結果、高品位な表示が可能になる。 The potential of the gate node g in the pixel circuit 110 in the i row and j column is a potential that has been changed from the threshold equivalent potential in the compensation period (B) according to the gradation level of the i row and j column. Similar operations are performed in the other pixel circuits 110, so in this embodiment, a current according to the gradation level flows through the OLED 130 with the thresholds of the transistors 121 compensated across all pixel circuits 110 in the m rows and n columns. Therefore, in this embodiment, the variation in luminance is reduced, enabling a high-quality display.

OLED130のアノードを放電させるリセット動作が行われる理由は主に次の通りである。OLED130では、アノードである画素電極131とカソードである共通電極133とで発光機能層132が挟持されるので、当該OLED130には容量が寄生する。上述したように補償期間(B)においてトランジスター121のゲートノードgおよびドレインノードd(トランジスター124のソースノード)は、閾値相当電位になる。次に、書込期間(C)において、トランジスター121のゲートノードgに、階調レベルに応じた電位が供給される。 The main reason why a reset operation that discharges the anode of the OLED 130 is performed is as follows. In the OLED 130, the light-emitting functional layer 132 is sandwiched between the pixel electrode 131, which is the anode, and the common electrode 133, which is the cathode, so that the OLED 130 has a parasitic capacitance. As described above, in the compensation period (B), the gate node g and drain node d (the source node of the transistor 124) of the transistor 121 are at a potential equivalent to the threshold value. Next, in the writing period (C), a potential corresponding to the gradation level is supplied to the gate node g of the transistor 121.

仮に、最低階調の黒レベル(最も暗いレベル)がゲートノードgに供給された場合、当該ゲートノードgは、電位Velであることが理想であるが、実際には、電位Velよりも低い電位になる。このため、発光期間(D)においてトランジスター124がオン状態になると、トランジスター121ではソースノードsからドレインノードdに向かってリーク電流が流れる。OLED130の寄生容量に蓄積された電荷を予めリセットしておかないと、リーク電流によって、やがて当該寄生容量が満充電になり、OLED130に電流が流れ始めて、発光してしまう現象が発生する。この現象は、黒レベルが、すなわち発光しない輝度が指定されているにもかかわらず、わずかに発光して、あたかも黒が浮いたように視認されることから、黒浮きと呼ばれる。 If the lowest gradation black level (darkest level) is supplied to the gate node g, the gate node g should ideally be at potential Vel, but in reality, it is at a potential lower than potential Vel. For this reason, when the transistor 124 is turned on during the light emission period (D), a leakage current flows from the source node s to the drain node d in the transistor 121. If the charge stored in the parasitic capacitance of the OLED 130 is not reset in advance, the leakage current will eventually fully charge the parasitic capacitance, causing current to start flowing through the OLED 130 and emitting light. This phenomenon is called black floating, because even though the black level, i.e., a luminance that does not emit light, is specified, a slight amount of light is emitted, and it is perceived as if the black is floating.

そこで、発光期間(D)よりも前の初期化期間(A2)において、OLED130のアノードを電位Vorstにして、予めアノードを放電させ、当該OLED130の寄生容量に蓄積された電荷をリセットしている。これにより、発光期間(D)においてトランジスター121にリーク電流が流れても、当該リーク電流によってOLED130の寄生容量が満充電にならず、発光しないので、いわゆる黒浮きを抑えることできる。 Therefore, in the initialization period (A2) prior to the light emission period (D), the anode of OLED 130 is set to potential Vorst, the anode is discharged in advance, and the charge accumulated in the parasitic capacitance of the OLED 130 is reset. As a result, even if a leakage current flows through the transistor 121 during the light emission period (D), the leakage current does not fully charge the parasitic capacitance of the OLED 130, and light is not emitted, thereby suppressing the so-called black floating.

しかしながら、リセット動作が行われる構成は、低消費電力化を阻害する要因になり得る。これを説明するために、比較例について説明する。比較例は、構成でいえば、実施形態において、各列の判定回路510を有しない構成であり、初期化期間(A2)において階調レベルにかかわらず、OLED130のアノードが電位Vorstにリセットされて、リセット動作が行われる構成である。
この構成では、全列において容量素子70の他端および寄生容量72の一端が、初期化期間(A1)において電位Velになり、初期化期間(A2)において電位Vorstになり、初期化期間(A3)において電位Viniになる。
However, a configuration in which a reset operation is performed can be a factor that hinders low power consumption. To explain this, a comparative example will be described. In terms of configuration, the comparative example is a configuration in which the determination circuit 510 for each column is not included in the embodiment, and the anode of the OLED 130 is reset to the potential Vorst and the reset operation is performed regardless of the grayscale level in the initialization period (A2).
In this configuration, the other end of the capacitive element 70 and one end of the parasitic capacitance 72 in all columns are at the potential Vel in the initialization period (A1), at the potential Vorst in the initialization period (A2), and at the potential Vini in the initialization period (A3).

上述したように、電位Vel、Vorst、Viniは、
Vel>Vini>Vorst(≒Vct)
という関係にある。
このうち、電位Velは電源電圧の高位であり、電位Vorstは電源電圧の低位の電位Gndまたは電位Gndに近い電位である。このため、上記比較例では、容量素子70および寄生容量72が、初期化期間(A1)において充電され、初期化期間(A2)において放電され、初期化期間(A3)において充電される。このような容量素子70および寄生容量72における充電→放電→充電が、比較例では、一水平走査期間(H)毎に各列で行われるので、消費される電力が大きくなる。
As described above, the potentials Vel, Vorst, and Vini are expressed as follows:
Vel>Vini>Vorst (≒Vct)
This is the relationship.
Of these, the potential Vel is a high level of the power supply voltage, and the potential Vorst is a low level of the power supply voltage Gnd or a potential close to the potential Gnd. Therefore, in the above comparative example, the capacitive element 70 and the parasitic capacitance 72 are charged in the initialization period (A1), discharged in the initialization period (A2), and charged in the initialization period (A3). In the comparative example, such a charge-discharge-charge cycle of the capacitive element 70 and the parasitic capacitance 72 is performed for each column every horizontal scanning period (H), so that the power consumed is large.

本実施形態では、容量素子70の他端および寄生容量72の一端が、初期化期間(A1)において電位Velに充電される点において比較例と共通である。しかしながら、本実施形態では、階調レベルが白レベルである列では、初期化期間(A2)においてリセット動作ではなく、電荷を分配する非リセット動作が行われるので、当該列の容量素子70および寄生容量72の放電は、階調レベルが白レベル以外である場合と比較して無視することができる。さらに、本実施形態では、初期化期間(A3)において、容量素子70の他端および寄生容量72の一端が電位Viniになるが、階調レベルが白レベルである列では、電位Velからの放電になる。 This embodiment is the same as the comparative example in that the other end of the capacitance element 70 and one end of the parasitic capacitance 72 are charged to the potential Vel in the initialization period (A1). However, in this embodiment, in a column whose gradation level is the white level, a non-reset operation that distributes charge is performed in the initialization period (A2) instead of a reset operation, so that the discharge of the capacitance element 70 and the parasitic capacitance 72 in that column can be ignored compared to when the gradation level is other than the white level. Furthermore, in this embodiment, in the initialization period (A3), the other end of the capacitance element 70 and one end of the parasitic capacitance 72 become the potential Vini, but in a column whose gradation level is the white level, they are discharged from the potential Vel.

すなわち、容量素子70および寄生容量72が、比較例では、初期化期間(A1)→(A2)→(A3)において、全列において充電→放電→充電になるのに対し、本実施形態では、階調レベルが白レベル以外の列においては比較例と同様であるが、階調レベルが白レベルの列において充電→ほぼ変化なし→放電となる。 In other words, in the comparative example, the capacitive element 70 and the parasitic capacitance 72 go from charge to discharge to charge in all columns during the initialization period (A1) → (A2) → (A3), whereas in this embodiment, in columns with gradation levels other than the white level, they are the same as in the comparative example, but in columns with a gradation level of the white level, they go from charge to almost no change to discharge.

したがって、第1実施形態では、容量素子70および寄生容量72の充放電によって消費される電力を、階調レベルが白レベルである列が存在すれば、比較例と比べて低減することができる。 Therefore, in the first embodiment, if there is a column whose gradation level is the white level, the power consumed by charging and discharging the capacitive element 70 and the parasitic capacitance 72 can be reduced compared to the comparative example.

なお、階調レベルが最高階調の白レベルである列が存在する場合とは、具体的には、例えば図12に示されるような画面を表示する場合である。
この場合、データ線14Nwは、階調レベルが白レベル以外の列であるので、容量素子70および寄生容量72が、初期化期間(A1)において電位Velによって充電され、初期化期間(A2)において電位Vorstによって放電され、初期化期間(A3)において電位Viniによって再充電される。
一方、データ線14Wは、階調レベルが白レベルの列であるので、容量素子70および寄生容量72が、初期化期間(A1)において電位Velによって充電され、初期化期間(A2)においてほとんど放電されず、初期化期間(A3)において電位Viniによって放電される。
A case where there is a row in which the gradation level is the highest gradation level, that is, white level, is specifically a case where a screen such as that shown in FIG. 12 is displayed.
In this case, since the data line 14Nw is a column whose gradation level is other than the white level, the capacitive element 70 and the parasitic capacitance 72 are charged by the potential Vel in the initialization period (A1), discharged by the potential Vorst in the initialization period (A2), and recharged by the potential Vini in the initialization period (A3).
On the other hand, since data line 14W is a column whose gradation level is the white level, capacitive element 70 and parasitic capacitance 72 are charged by potential Vel during the initialization period (A1), are hardly discharged during the initialization period (A2), and are discharged by potential Vini during the initialization period (A3).

第1実施形態では、初期化期間(A2)において階調レベルが白レベルである列のトランジスター86をオフ状態として、リセット動作ではなく、非リセット動作を行う構成としたが、これ以外の構成でもよい。そこで、階調レベルが白レベルである列の非リセット動作を第1実施形態とは別の動作で行う第2実施形態について説明する。 In the first embodiment, the transistors 86 in the columns whose gradation level is the white level during the initialization period (A2) are turned off to perform a non-reset operation instead of a reset operation, but other configurations are also possible. Therefore, a second embodiment will be described in which the non-reset operation of the columns whose gradation level is the white level is performed by an operation different from that of the first embodiment.

図13は、第2実施形態に係る電気光学装置10の電気的な構成を示すブロック図であり、図14は、当該電気光学装置10の動作を示すタイミングチャートである。 Figure 13 is a block diagram showing the electrical configuration of the electro-optical device 10 according to the second embodiment, and Figure 14 is a timing chart showing the operation of the electro-optical device 10.

図13で示される第2実施形態が、図2で示される第1実施形態と相違する点は、判定回路510が制御信号/Yr(1)~/Yr(n)に加えて、制御信号/Yini(1)~/Yini(n)を順に1~n列に対応して出力する点、および、1~n列のトランジスター84のゲートノードに、順に制御信号/Yini(1)~/Yini(n)が供給される点である。なお、図13では、紙面の関係上、制御信号/Yini(3)および/Yini(n)のみが表記されている。 The second embodiment shown in FIG. 13 differs from the first embodiment shown in FIG. 2 in that the determination circuit 510 outputs control signals /Yini(1) to /Yini(n) corresponding to columns 1 to n in sequence in addition to control signals /Yr(1) to /Yr(n), and that the control signals /Yini(1) to /Yini(n) are supplied to the gate nodes of the transistors 84 in columns 1 to n in sequence. Note that, due to space limitations, only the control signals /Yini(3) and /Yini(n) are shown in FIG. 13.

第2実施形態では、初期化期間(A2)において、制御信号Yini(j)のレベルはj列目の判定回路510の判定結果によって変化する。詳細には、j列目の判定回路510は、i行目の初期化期間(A2)において、i行j列の階調レベルが最高の白レベルでなければ、図14で(Nw)で示されるように制御信号/Yini(j)をHレベルとし、当該階調レベルが白レベルであれば、(W)で示されるように制御信号/Yini(j)をLレベルとする。 In the second embodiment, during the initialization period (A2), the level of the control signal Yini(j) changes depending on the judgment result of the jth column judgment circuit 510. In detail, during the initialization period (A2) of the ith row, if the gradation level of the ith row and jth column is not the highest white level, the jth column judgment circuit 510 sets the control signal /Yini(j) to the H level as shown by (Nw) in FIG. 14, and if the gradation level is the white level, sets the control signal /Yini(j) to the L level as shown by (W).

また、j列目の判定回路510は、i行目の初期化期間(A3)において、i行j列の階調レベルとは関係なく、制御信号/Yini(j)をLレベルとする。
なお、j列目の判定回路510は、初期化期間(A2)および(A3)以外の期間において、制御信号/Yini(j)をHレベルとする。また、j列目の判定回路510は、第1実施形態と同様な制御信号/Yr(j)を出力する。
Furthermore, the decision circuit 510 in the jth column sets the control signal /Yini(j) to the L level during the initialization period (A3) of the i-th row, regardless of the grayscale level of the i-th row and j-th column.
In addition, the jth column decision circuit 510 sets the control signal /Yini(j) to the H level in periods other than the initialization periods (A2) and (A3). In addition, the jth column decision circuit 510 outputs the same control signal /Yr(j) as in the first embodiment.

第2実施形態に係る電気光学装置10では、i行目の水平走査期間(H)のうち、初期化期間(A2)においてi行j列の階調レベルが白レベルである場合の動作のみが、第1実施形態と異なる。
換言すれば、第2実施形態に係る電気光学装置10では、i行目の水平走査期間(H)のうち、初期化期間(A1)、i行j列の階調レベルが白レベルでない場合における初期化期間(A2)、初期化期間(A3)、補償期間(B)および書込期間(C)が第1実施形態と共通である。また、第2実施形態に係る電気光学装置10では、i行目の水平走査期間(H)以外の期間における発光期間(D)の動作についても、第1実施形態と共通である。
The electro-optical device 10 according to the second embodiment differs from the first embodiment only in the operation when the gradation level of the i-th row and j-th column is the white level in the initialization period (A2) during the horizontal scanning period (H) of the i-th row.
In other words, in the electro-optical device 10 according to the second embodiment, the initialization period (A1), the initialization period (A2) when the gradation level of the i-th row and j-th column is not the white level, the initialization period (A3), the compensation period (B), and the writing period (C) during the horizontal scanning period (H) of the i-th row are common to the first embodiment. Also, in the electro-optical device 10 according to the second embodiment, the operation of the light emission period (D) during periods other than the i-th row horizontal scanning period (H) is also common to the first embodiment.

図15は、i行目の水平走査期間(H)のうち、初期化期間(A2)においてi行j列の階調レベルが白レベルである場合の動作を示す図である。
各水平走査期間(H)において初期化期間(A2)では、制御信号/DrstがHレベルに変化し、制御信号/GrefがLレベルを維持する。このため、各列のトランジスター82がオフ状態に変化し、各列のトランジスター62がオン状態を維持する。
また、i行目における水平走査期間(H)の初期化期間(A2)では、走査信号/Gwr(i)がHレベルに変化し、制御信号/Gcmp(i)がLレベルに変化し、制御信号/Gel(i)がLレベルに変化する。このため、i行j列の画素回路110においてトランジスター122がオフ状態に変化し、トランジスター123がオン状態に変化し、トランジスター124がオン状態に変化する。
FIG. 15 is a diagram showing an operation when the grayscale level of the i-th row and j-th column is the white level in the initialization period (A2) of the horizontal scanning period (H) of the i-th row.
In the initialization period (A2) of each horizontal scanning period (H), the control signal /Drst changes to H level, and the control signal /Gref maintains L level. As a result, the transistors 82 in each column change to the OFF state, and the transistors 62 in each column maintain the ON state.
Furthermore, in the initialization period (A2) of the horizontal scanning period (H) in the i-th row, the scanning signal /Gwr(i) changes to H level, the control signal /Gcmp(i) changes to L level, and the control signal /Gel(i) changes to L level. As a result, in the pixel circuit 110 in the i-th row and j-th column, the transistor 122 changes to the OFF state, the transistor 123 changes to the ON state, and the transistor 124 changes to the ON state.

i行目の水平走査期間(H)において初期化期間(A2)では、i行j列の階調レベルが白レベルであれば、制御信号/Yini(j)がLレベルになり、制御信号/Yr(j)がHレベルになる。このため、j列目のトランジスター84がオン状態に変化し、j列目のトランジスター86がオン状態を維持するので、j列目のデータ線14は電位Viniにする非リセット動作が行われる。
したがって、電流が、図15に示されるように、当該j列目のデータ線14、トランジスター123、124を順に介してOLED130に向かうので、当該OLED130は、初期化期間(A2)において発光する。
ただし、電位VelおよびViniは、
Vel>Vini
という関係にあるので、OLED130が発光する輝度は、第1実施形態と比較して、低くなる。
In the initialization period (A2) in the horizontal scanning period (H) of the i-th row, if the gradation level of the i-th row and j-th column is the white level, the control signal /Yini(j) becomes the L level and the control signal /Yr(j) becomes the H level. As a result, the transistor 84 of the j-th column changes to the ON state and the transistor 86 of the j-th column maintains the ON state, so that a non-reset operation is performed to set the data line 14 of the j-th column to the potential Vini.
Therefore, as shown in FIG. 15, a current flows to the OLED 130 via the data line 14 in the jth column, the transistors 123 and 124 in this order, so that the OLED 130 emits light in the initialization period (A2).
However, the potentials Vel and Vini are
Vel>Vini
Because of this relationship, the luminance of light emitted by the OLED 130 is lower than that in the first embodiment.

なお、第2実施形態では、i行目の水平走査期間(H)のうち、初期化期間(A3)において、i行j列の階調レベルが白レベルであれば、トランジスター82がオフ状態を維持し、トランジスター84がオン状態であり、トランジスター86がオフ状態を維持し、トランジスター62がオン状態を維持する。また、画素回路110では、トランジスター122がオン状態になり、トランジスター123がオフ状態に変化し、トランジスター124がオフ状態に変化する。このため、容量素子140の他端およびトランジスター121のゲートノードgには、第1実施形態と同様に、j列目のデータ線14、トランジスター122を順に介して電位Viniが供給される。 In the second embodiment, during the initialization period (A3) of the horizontal scanning period (H) of the i-th row, if the gradation level of the i-th row and j-th column is the white level, the transistor 82 maintains the off state, the transistor 84 is on, the transistor 86 maintains the off state, and the transistor 62 maintains the on state. In the pixel circuit 110, the transistor 122 is turned on, the transistor 123 changes to the off state, and the transistor 124 changes to the off state. Therefore, the other end of the capacitance element 140 and the gate node g of the transistor 121 are supplied with the potential Vini via the j-th column data line 14 and the transistor 122 in that order, as in the first embodiment.

ただし、j列目の階調レベルが白レベルであれば、j列目のデータ線14は初期化期間(A2)における電位Viniから変化しない。このため、容量素子70および寄生容量72が、第2実施形態では、初期化期間(A1)→(A2)→(A3)において、階調レベルが白レベルの列では、充電→放電→変化なしになる。 However, if the gradation level of the jth column is the white level, the data line 14 of the jth column does not change from the potential Vini in the initialization period (A2). Therefore, in the second embodiment, the capacitive element 70 and the parasitic capacitance 72 are charged, discharged, and remain unchanged in the columns whose gradation level is the white level during the initialization period (A1) → (A2) → (A3).

したがって、第2実施形態では、容量素子70および寄生容量72の充放電によって消費される電力を、階調レベルが白レベルである列が存在すれば、上述した比較例と比べて、第1実施形態と同様に低減することができる。
また、第2実施形態では、階調レベルが白レベルである場合に、初期化期間(A2)におけるデータ線14が、電位Velよりも低い電位Viniであるので、想定期間外で発光する輝度を低く抑えることも期待できる。
Therefore, in the second embodiment, if there is a column whose gradation level is the white level, the power consumed by the charging and discharging of the capacitive element 70 and the parasitic capacitance 72 can be reduced in the same manner as in the first embodiment, compared to the comparative example described above.
In addition, in the second embodiment, when the gradation level is the white level, the data line 14 in the initialization period (A2) is at a potential Vini lower than the potential Vel, so that it is expected that the luminance emitted outside the expected period can be kept low.

上述した第1実施形態および第2実施形態(以下、実施形態等と呼ぶ)では、以下のように種々の変形または応用が可能である。 The above-described first and second embodiments (hereinafter referred to as "embodiments") can be modified or applied in various ways as follows.

実施形態等では、初期化期間(A2)において、階調レベルが白レベル以外であればリセット動作を行い、階調レベルが白レベルであれば非リセット動作を行う構成とした。
上述したように、リセット動作によってOLED130に蓄積された電荷をリセットする理由は、いわゆる黒浮きの発生を抑えるためである。黒浮きは、階調レベルが最低の黒レベルだけでなく、黒レベル近辺である場合、すなわち、階調レベルが閾値未満である場合に発生する。
そこで、階調レベルが閾値未満であれば、初期化期間(A2)においてOLED130のアノードを、図6に示されるように放電させるリセット動作を行い、階調レベルが閾値以上であれば、初期化期間(A2)においてアノードを、図7または図15に示されるように放電させない非リセット動作を行う構成としてもよい。
なお、実施形態等では、判定回路510が10ビットの映像データVdataで階調レベルを判定する。すなわち、階調レベルが閾値未満であるか、閾値以上であるかについては、映像データVidの8ビットを10ビットに変換した後の映像データVdataで判定される。
In the embodiment and the like, in the initialization period (A2), if the gradation level is other than the white level, the reset operation is performed, and if the gradation level is the white level, the non-reset operation is performed.
As described above, the reason why the charge accumulated in the OLED 130 is reset by the reset operation is to suppress the occurrence of so-called black floating. Black floating occurs not only when the gradation level is the lowest black level, but also when it is near the black level, that is, when the gradation level is below a threshold value.
Therefore, if the gradation level is less than a threshold value, a reset operation is performed in which the anode of OLED 130 is discharged in the initialization period (A2) as shown in FIG. 6, and if the gradation level is equal to or greater than the threshold value, a non-reset operation is performed in which the anode is not discharged in the initialization period (A2) as shown in FIG. 7 or FIG. 15.
In the embodiment, the determination circuit 510 determines the gradation level based on the 10-bit video data Vdata. That is, whether the gradation level is less than the threshold value or equal to or greater than the threshold value is determined based on the video data Vdata after converting the 8-bit video data Vid to 10-bit.

実施形態等において、発光素子の一例としてOLED130を例示して説明したが、他の発光素子を用いてもよい。例えば発光素子としてLEDを用いてもよいし、照明機構を併用した液晶素子であってもよい。すなわち、発光素子としては、データ線14の電圧に応じた光学状態になる電気光学素子であればよい。
実施形態等では、DA変換回路500として10ビットの変換例を示したが、これに限られない。
In the embodiment and the like, the OLED 130 has been described as an example of the light-emitting element, but other light-emitting elements may be used. For example, the light-emitting element may be an LED, or a liquid crystal element combined with an illumination mechanism. In other words, the light-emitting element may be an electro-optical element that changes its optical state according to the voltage of the data line 14.
In the embodiment and the like, a 10-bit conversion example is shown as the DA conversion circuit 500, but the present invention is not limited to this.

トランジスター64、82、84、86、121~124等のチャネル型は、実施形態等に限定されない。また、これらのトランジスター等は、適宜トランスミッションゲートに置き換えてもよい。 The channel types of transistors 64, 82, 84, 86, 121 to 124, etc. are not limited to those in the embodiments. In addition, these transistors, etc. may be replaced with transmission gates as appropriate.

次に、実施形態等に係る電気光学装置10を適用した電子機器について説明する。電気光学装置10は、画素が小サイズで高精細な表示な用途に向いている。そこで、電子機器として、ヘッドマウントディスプレイを例に挙げて説明する。 Next, an electronic device to which the electro-optical device 10 according to the embodiment is applied will be described. The electro-optical device 10 is suitable for applications requiring small-sized pixels and high-definition display. Therefore, a head-mounted display will be used as an example of an electronic device.

図16は、ヘッドマウントディスプレイの外観を示す図であり、図17は、その光学的な構成を示す図である。
まず、図16に示されるように、ヘッドマウントディスプレイ300は、外観的には、一般的な眼鏡と同様にテンプル310や、ブリッジ320、レンズ301L、301Rを有する。また、ヘッドマウントディスプレイ300は、図17に示されるように、ブリッジ320近傍であってレンズ301L、301Rの奥側(図において下側)には、左眼用の電気光学装置10Lと右眼用の電気光学装置10Rとが設けられる。
電気光学装置10Lの画像表示面は、図17において左になるように配置している。これによって電気光学装置10Lによる表示画像は、光学レンズ302Lを介して図において9時の方向に出射する。ハーフミラー303Lは、電気光学装置10Lによる表示画像を6時の方向に反射させる一方で、12時の方向から入射した光を透過させる。電気光学装置10Rの画像表示面は、電気光学装置10Lとは反対の右になるように配置している。これによって電気光学装置10Rによる表示画像は、光学レンズ302Rを介して図において3時の方向に出射する。ハーフミラー303Rは、電気光学装置10Rによる表示画像を6時方向に反射させる一方で、12時の方向から入射した光を透過させる。
FIG. 16 is a diagram showing the appearance of a head mounted display, and FIG. 17 is a diagram showing its optical configuration.
First, as shown in Fig. 16, the head mounted display 300 has temples 310, a bridge 320, and lenses 301L and 301R in appearance similar to general eyeglasses. In addition, as shown in Fig. 17, the head mounted display 300 has an electro-optical device 10L for the left eye and an electro-optical device 10R for the right eye provided near the bridge 320 and on the rear side of the lenses 301L and 301R (the lower side in the figure).
The image display surface of the electro-optical device 10L is disposed to the left in FIG. 17. As a result, the image displayed by the electro-optical device 10L is output in the 9 o'clock direction in the figure via the optical lens 302L. The half mirror 303L reflects the image displayed by the electro-optical device 10L in the 6 o'clock direction, while transmitting light incident from the 12 o'clock direction. The image display surface of the electro-optical device 10R is disposed to the right, opposite the electro-optical device 10L. As a result, the image displayed by the electro-optical device 10R is output in the 3 o'clock direction in the figure via the optical lens 302R. The half mirror 303R reflects the image displayed by the electro-optical device 10R in the 6 o'clock direction, while transmitting light incident from the 12 o'clock direction.

この構成において、ヘッドマウントディスプレイ300の装着者は、電気光学装置10L、10Rによる表示画像を、外の様子と重ね合わせたシースルー状態で観察することができる。
また、このヘッドマウントディスプレイ300において、視差を伴う両眼画像のうち、左眼用画像を電気光学装置10Lが表示し、右眼用画像を電気光学装置10Rが表示すると、装着者に、表示された画像があたかも奥行きや立体感を持つかのように知覚させることができる。
In this configuration, a person wearing the head mounted display 300 can observe images displayed by the electro-optical devices 10L and 10R in a see-through state in which the images are superimposed on the outside world.
Furthermore, in this head mounted display 300, when the electro-optical device 10L displays an image for the left eye and the electro-optical device 10R displays an image for the right eye among the binocular images with parallax, the wearer can perceive the displayed image as if it had depth and a three-dimensional effect.

なお、電気光学装置10を含む電子機器については、ヘッドマウントディスプレイ300のほかにも、ビデオカメラやレンズ交換式のデジタルカメラなどにおける電子式ビューファインダー、携帯情報端末、腕時計の表示部、投写式プロジェクターのライトバルブなどにも適用可能である。 In addition to the head-mounted display 300, electronic devices including the electro-optical device 10 can also be used in electronic viewfinders in video cameras and interchangeable lens digital cameras, portable information terminals, display units in wristwatches, and light bulbs in projection projectors.

以上に例示した形態から、例えば以下の態様が把握される。 From the above examples, the following aspects can be understood:

ひとつの態様(態様1)に係る電気光学装置は、データ線と走査線とに対応して設けられる画素回路と、前記画素回路を制御する制御回路と、を含み、前記画素回路は、二つの電極を有し、前記二つの電極の間に流れる電流に応じた輝度で発光する発光素子と、ゲートノードの電位およびソースノードの電位の間の電圧に応じた電流を前記発光素子に流す駆動トランジスターと、を含み、前記制御回路は、書込期間において、前記ゲートノードに階調レベルに応じた電位を、前記データ線を介して供給し、前記書込期間よりも前の第1初期化期間において、第1動作または第2動作を前記階調レベルに応じて実行し、前記第1動作は、前記二つの電極の一方の電極に、前記階調レベルに応じた電位とは異なる第1電位を、前記データ線を介して供給する動作であり、前記第2動作は、前記データ線の電位と前記一方の電極における電位とを、前記第1電位と前記駆動トランジスターをオフ状態にさせるオフ電位との間の第2電位にさせる動作である。 An electro-optical device according to one embodiment (embodiment 1) includes a pixel circuit provided in correspondence with a data line and a scanning line, and a control circuit for controlling the pixel circuit, the pixel circuit including a light-emitting element having two electrodes and emitting light with a luminance corresponding to a current flowing between the two electrodes, and a drive transistor for causing a current corresponding to a voltage between a gate node potential and a source node potential to flow through the light-emitting element, the control circuit supplying a potential corresponding to a gradation level to the gate node via the data line during a write period, and performing a first operation or a second operation according to the gradation level during a first initialization period prior to the write period, the first operation being an operation of supplying a first potential different from the potential corresponding to the gradation level to one of the two electrodes via the data line, and the second operation being an operation of causing the potential of the data line and the potential of the one electrode to become a second potential between the first potential and an off potential that turns the drive transistor into an off state.

態様1によれば、第1初期化期間では、階調レベルに応じて第1動作または第2動作が実行される。第1動作では、データ線が直前電位から第1電位になるので、放電量が多くなるのに対し、第2動作では、データ線が直前電位からオフ電位から第1電位とオフ電位との間の第2電位になるので、データ線の寄生容量における放電量が第1動作と比較して抑えられる。
なお、LED130が発光素子の一例であり、画素電極131が二つの電極のうちの一方の電極の一例であり、トランジスター121が駆動トランジスターの一例であり、電位Velがオフ電位の一例であり、電位Vorstが第1電位の一例である。また、電位Velよりも若干低位の電位が第2電位の一例である。具体的には、オフ電位に保持したデータ線の寄生容量に蓄積された電荷が発光素子における一方の電極に分配された後の電位も第2電位の一例である。初期化期間(A2)が第1初期化期間の一例である。
According to the first aspect, in the first initialization period, the first operation or the second operation is executed according to the grayscale level. In the first operation, the data line goes from the immediately preceding potential to the first potential, so that the amount of discharge is large, whereas in the second operation, the data line goes from the immediately preceding potential to the off potential to the second potential between the first potential and the off potential, so that the amount of discharge in the parasitic capacitance of the data line is suppressed compared to the first operation.
The LED 130 is an example of a light-emitting element, the pixel electrode 131 is an example of one of the two electrodes, the transistor 121 is an example of a drive transistor, the potential Vel is an example of an off potential, and the potential Vorst is an example of a first potential. A potential slightly lower than the potential Vel is an example of a second potential. Specifically, the potential after the charge accumulated in the parasitic capacitance of the data line held at the off potential is distributed to one electrode in the light-emitting element is also an example of the second potential. The initialization period (A2) is an example of a first initialization period.

態様1の具体的な態様2に係る電気光学装置は、一端および他端を有し、一端が前記データ線に電気的に接続され、他端が前記第1電位の給電線に電気的に接続された第1スイッチング素子を有し、前記制御回路は、前記第1初期化期間において、前記階調レベルに応じて前記第1スイッチング素子をオン状態またはオフ状態に制御する。
態様2によれば、第1初期化期間の第1動作において第1スイッチング素子がオン状態になることによってデータ線が第1電位になる。なお、トランジスター86が第1スイッチング素子の一例である。
An electro-optical device according to a specific aspect 2 of aspect 1 has a first switching element having one end and the other end, the one end being electrically connected to the data line and the other end being electrically connected to the power supply line of the first potential, and the control circuit controls the first switching element to an on or off state depending on the gradation level during the first initialization period.
According to the second aspect, in the first operation of the first initialization period, the first switching element is turned on, so that the data line has the first potential. The transistor 86 is an example of the first switching element.

態様2の具体的な態様3に係る電気光学装置は、前記制御回路は、前記第1初期化期間において、前記階調レベルが閾値以上であれば、前記第1スイッチング素子をオフ状態に制御する。
態様3によれば、階調レベルが閾値以上であれば、第1初期化期間において第1スイッチング素子がオフ状態に制御されて、第2動作が実行される。
In the electro-optical device according to a third specific example of the second example, the control circuit controls the first switching element to an off state during the first initialization period if the grayscale level is equal to or higher than a threshold value.
According to the third aspect, if the grayscale level is equal to or higher than the threshold value, the first switching element is controlled to the off state in the first initialization period, and the second operation is executed.

態様2の具体的な態様4に係る電気光学装置は、一端および他端を有し、一端が前記データ線に電気的に接続され、他端が前記第2電位を給電する給電線に電気的に接続された第2スイッチング素子を有し、前記制御回路は、前記第1初期化期間において、前記第1スイッチング素子をオフ状態に制御する場合に、前記第2スイッチング素子をオン状態に制御する。
態様4によれば、第1初期化期間の第2動作において、第1スイッチング素子がオフ状態および第2スイッチング素子のオン状態になることによって、データ線の電位と一方の電極における電位が、第2電位になる。
なお、トランジスター84が第2スイッチング素子の一例であり、電位Viniが第2電位の一例である。
An electro-optical device relating to a specific aspect 4 of aspect 2 has a second switching element having one end and the other end, one end electrically connected to the data line and the other end electrically connected to a power supply line that supplies the second potential, and when the control circuit controls the first switching element to an off state during the first initialization period, it controls the second switching element to an on state.
According to the fourth aspect, in the second operation of the first initialization period, the first switching element is turned off and the second switching element is turned on, so that the potential of the data line and the potential of the one electrode become the second potential.
The transistor 84 is an example of a second switching element, and the potential Vini is an example of a second potential.

態様4の具体的な態様5に係る電気光学装置において、前記第2電位は、前記ゲートノードに供給されれば、前記駆動トランジスターをオン状態にさせるオン電位である。
態様5によれば、駆動トランジスターをオン状態にさせるオン電位を第2電位として用いることができる。また、オン電位を第2電位として用いる構成では、第2初期化期間においてオフ電位に保持したデータ線の寄生容量に蓄積された電荷が発光素子における一方の電極に分配された後の電位を第2電位として用いる構成と比較して、発光素子の輝度を低く抑えることができる。
In the electro-optical device according to a fifth specific aspect of the fourth aspect, the second potential is an on potential that turns on the driving transistor when supplied to the gate node.
According to aspect 5, the on-potential that turns the driving transistor on can be used as the second potential. In addition, in the configuration in which the on-potential is used as the second potential, the luminance of the light-emitting element can be kept low, compared to a configuration in which the electric charge accumulated in the parasitic capacitance of the data line held at the off-potential in the second initialization period is distributed to one electrode of the light-emitting element and the second potential is used.

態様5の具体的な態様6に係る電気光学装置において、前記制御回路は、前記第1初期化期間よりも後であって、前記書込期間よりも前の第2初期化期間において、前記ゲートノードに前記第2電位を、前記データ線を介して供給し、前記第2初期化期間よりも後であって、前記書込期間よりも前の補償期間において、前記ゲートノードを前記駆動トランジスターの閾値に相当する電位に収束させる。
補償期間においてゲートノードを駆動トランジスターの閾値に相当する電位に収束させるためには、補償期間の前に、駆動トランジスターをオン状態とさせる必要がある。態様6によれば、オン状態にさせるためのオン電位を、第2電位として用いるので、構成の複雑化を抑えることができる。
なお、初期化期間(A2)が第1初期化期間の一例である。
In an electro-optical device relating to a specific aspect 6 of aspect 5, the control circuit supplies the second potential to the gate node via the data line in a second initialization period after the first initialization period and before the writing period, and converges the gate node to a potential corresponding to the threshold value of the driving transistor in a compensation period after the second initialization period and before the writing period.
In order to make the gate node converge to a potential corresponding to the threshold voltage of the driving transistor during the compensation period, it is necessary to turn the driving transistor on before the compensation period. According to aspect 6, the on potential for turning on the driving transistor is used as the second potential, so that the complexity of the configuration can be suppressed.
The initialization period (A2) is an example of a first initialization period.

態様1の別の具体的な態様7では、前記制御回路は、前記書込期間において、前記ゲートノードに階調レベルに応じた電位を、カップリング容量および前記データ線を介して供給する。
態様7によれば、データ線の寄生容量のみならず、カップリング容量の放電量についても抑えることができる。なお、容量素子70がカップリング容量の一例である。
態様1の別の具体的な態様8では、前記第1初期化期間よりも前の第3初期化期間において、前記ゲートノードに前記駆動トランジスターをオフ状態にさせるオフ電位を、前記データ線を介して供給する。なお、初期化期間(A1)が第3初期化期間の一例である。
In a seventh specific aspect of the first aspect, the control circuit supplies a potential according to a grayscale level to the gate node via a coupling capacitance and the data line during the writing period.
According to the seventh aspect, it is possible to suppress not only the parasitic capacitance of the data line but also the discharge amount of the coupling capacitance. Note that the capacitive element 70 is an example of a coupling capacitance.
In another specific aspect 8 of aspect 1, in a third initialization period before the first initialization period, an off potential for turning off the driving transistor is supplied to the gate node via the data line. Note that the initialization period (A1) is an example of the third initialization period.

態様9に係る電子機器では、態様1乃至8のいずれかに係る電気光学装置を含む。 The electronic device according to aspect 9 includes an electro-optical device according to any one of aspects 1 to 8.

10…電気光学装置、12…走査線、14…データ線、14c…データ信号出力線、30…制御回路、50…データ信号出力回路、60…補助回路、62…トランジスター、70…容量素子、72…寄生容量、80…初期化回路、82、84、86…トランジスター、110…画素回路、120…走査線駆動回路、121~124…トランジスター、130…OLED。 10... electro-optical device, 12... scanning line, 14... data line, 14c... data signal output line, 30... control circuit, 50... data signal output circuit, 60... auxiliary circuit, 62... transistor, 70... capacitance element, 72... parasitic capacitance, 80... initialization circuit, 82, 84, 86... transistor, 110... pixel circuit, 120... scanning line drive circuit, 121 to 124... transistor, 130... OLED.

Claims (9)

データ線と走査線とに対応して設けられる画素回路と、
前記画素回路を制御する制御回路と、
を含み、
前記画素回路は、
二つの電極を有し、前記二つの電極の間に流れる電流に応じた輝度で発光する発光素子と、
ゲートノードの電位およびソースノードの電位の間の電圧に応じた電流を前記発光素子に流す駆動トランジスターと、
を含み、
前記制御回路は、
書込期間において、
前記ゲートノードに階調レベルに応じた電位を、前記データ線を介して供給し、
前記書込期間よりも前の第1初期化期間において、
第1動作または第2動作を前記階調レベルに応じて実行し、
前記第1動作は、
前記二つの電極の一方の電極に、前記階調レベルに応じた電位とは異なる第1電位を、前記データ線を介して供給する動作であり、
前記第2動作は、
前記データ線の電位と前記一方の電極における電位とを、前記第1電位と前記駆動トランジスターをオフ状態にさせるオフ電位との間の第2電位にさせる動作である
ことを特徴とする電気光学装置。
a pixel circuit provided corresponding to the data line and the scanning line;
A control circuit for controlling the pixel circuit;
Including,
The pixel circuit includes:
A light-emitting element having two electrodes and emitting light with a luminance corresponding to a current flowing between the two electrodes;
a drive transistor that causes a current corresponding to a voltage between a potential of a gate node and a potential of a source node to flow through the light emitting element;
Including,
The control circuit includes:
During the writing period,
supplying a potential corresponding to a gray level to the gate node via the data line;
In a first initialization period before the writing period,
performing a first operation or a second operation in response to the gray level;
The first operation includes:
an operation of supplying a first potential different from a potential corresponding to the gradation level to one of the two electrodes via the data line;
The second operation includes:
an operation of setting the potential of the data line and the potential of the one electrode to a second potential between the first potential and an off potential that turns off the driving transistor, the electro-optical device comprising:
一端および他端を有し、一端が前記データ線に電気的に接続され、他端が前記第1電位の給電線に電気的に接続された第1スイッチング素子を有し、
前記制御回路は、
前記第1初期化期間において、
前記階調レベルに応じて前記第1スイッチング素子をオン状態またはオフ状態に制御する
請求項1に記載の電気光学装置。
a first switching element having one end and the other end, the one end being electrically connected to the data line and the other end being electrically connected to the power supply line of the first potential;
The control circuit includes:
In the first initialization period,
The electro-optical device according to claim 1 , wherein the first switching element is controlled to be in an on state or an off state in accordance with the grayscale level.
前記制御回路は、
前記第1初期化期間において、前記階調レベルが閾値以上であれば、前記第1スイッチング素子をオフ状態に制御する
請求項2に記載の電気光学装置。
The control circuit includes:
The electro-optical device according to claim 2 , wherein, in the first initialization period, if the grayscale level is equal to or higher than a threshold value, the first switching element is controlled to an off state.
一端および他端を有し、一端が前記データ線に電気的に接続され、他端が前記第2電位を給電する給電線に電気的に接続された第2スイッチング素子を有し、
前記制御回路は、
前記第1初期化期間において、
前記第1スイッチング素子をオフ状態に制御する場合に、前記第2スイッチング素子をオン状態に制御する
請求項2に記載の電気光学装置。
a second switching element having one end and the other end, the one end being electrically connected to the data line and the other end being electrically connected to a power supply line that supplies the second potential;
The control circuit includes:
In the first initialization period,
The electro-optical device according to claim 2 , wherein when the first switching element is controlled to be in an off state, the second switching element is controlled to be in an on state.
前記第2電位は、
前記ゲートノードに供給されれば、前記駆動トランジスターをオン状態にさせるオン電位である
請求項4に記載の電気光学装置。
The second potential is
The electro-optical device according to claim 4 , wherein the potential is an on potential that turns on the driving transistor when supplied to the gate node.
前記制御回路は、
前記第1初期化期間よりも後であって、前記書込期間よりも前の第2初期化期間において、
前記ゲートノードに前記第2電位を、前記データ線を介して供給し、
前記第2初期化期間よりも後であって、前記書込期間よりも前の補償期間において、
前記ゲートノードを前記駆動トランジスターの閾値に相当する電位に収束させる
請求項5に記載の電気光学装置。
The control circuit includes:
In a second initialization period after the first initialization period and before the writing period,
supplying the second potential to the gate node via the data line;
In a compensation period after the second initialization period and before the writing period,
The electro-optical device according to claim 5 , wherein the gate node is converged to a potential corresponding to a threshold value of the driving transistor.
前記制御回路は、
前記書込期間において、
前記ゲートノードに階調レベルに応じた電位を、カップリング容量および前記データ線を介して供給する
請求項1に記載の電気光学装置。
The control circuit includes:
During the writing period,
The electro-optical device according to claim 1 , wherein a potential according to a grayscale level is supplied to the gate node via a coupling capacitance and the data line.
前記第1初期化期間よりも前の第3初期化期間において、
前記ゲートノードに前記駆動トランジスターをオフ状態にさせるオフ電位を、前記データ線を介して供給する、
請求項1に記載の電気光学装置。
In a third initialization period prior to the first initialization period,
supplying an off potential to the gate node via the data line to turn off the driving transistor;
2. The electro-optical device according to claim 1.
請求項1乃至8のいずれかに記載の電気光学装置を有する電子機器。 An electronic device having an electro-optical device according to any one of claims 1 to 8.
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