JP2024140523A - 異物検査装置、露光装置、及び物品の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 異物検査の精度を向上させること。
【解決手段】 被検面上の異物を検査する異物検査装置であって、照明された前記異物からの反射光を受光する受光部と、前記被検面の表面に対して垂直な垂直方向における、前記被検面の位置に関する高さ情報を取得する取得部と、前記受光部で得られた計測結果に基づいて、前記被検面上の異物を検出する制御部と、を有し、前記制御部は、前記高さ情報に基づいて、前記計測結果を補正する。
【選択図】 図１０

Description

本発明は、異物検査装置、露光装置、及び物品の製造方法に関する。

半導体デバイスや液晶表示デバイスの製造工程の一つであるリソグラフィ工程では、露光装置を用いてマスクに形成された回路パターンを、投影光学系を介してレジストが塗布されたウェハやガラス基板に露光する処理が行われる。原版となるマスクに異物が付着していると、回路パターンと同時に異物の形状がウェハやガラス基板に露光されてしまうため、歩留まり低下の原因となる。そのため、露光装置に異物検査装置を搭載し、異物検査装置を用いて原版上における異物の有無を検査している。

異物検査装置は、被検面に投光部から検査光を投光し、被検面上の異物からの反射光を受光部で受光することにより異物を検出することができる。しかしながら、投光部の光軸と受光部の光軸との交点と、被検面との位置が一致しない場合には、受光部で検出される光量が低下してしまう。また、異物検査装置は、受光部で受光する光量に基づいて、被検面上の異物を判定する装置であるため、上記のような場合には異物検査が正しく行えなくなってしまうおそれがある。

特許文献１には、被検面の高さを測定したうえで投光部を駆動させ、被検面に対する検査光の高さ方向の照射位置を変更することができる異物検査装置について開示されている。これにより、異物検査の精度を向上させることができる。

特開２００７－１７８１５２号公報

しかしながら、特許文献１の手法では、投光部を駆動させる駆動機構が必要であるため、配置スペースの観点で不利になりうる。また、投光部を駆動させることによるスループット低下を招くおそれもある。

そこで、本発明は、異物検査の精度を向上させるうえで有利な異物検査装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一側面としての異物検査装置は、被検面上の異物を検査する異物検査装置であって、照明された前記異物からの反射光を受光する受光部と、前記被検面の表面に対して垂直な垂直方向における、前記被検面の位置に関する高さ情報を取得する取得部と、前記受光部で得られた計測結果に基づいて、前記被検面上の異物を検出する制御部と、を有し、前記制御部は、前記高さ情報に基づいて、前記計測結果を補正することを特徴とする。

本発明によれば、異物検査の精度を向上させるうえで有利な異物検査装置を提供することができる。

露光装置の構成を示す概略図である。 第１実施形態における異物検査装置の構成を示す概略図である。 複数の受光部を備えた異物検査装置を説明するための図である。 受光部で計測される１次元上の異物の分布である。 異物のマッピングデータを示す図である。 デフォーカスがある場合を説明するための図である。 デフォーカスがある場合に受光部で計測される１次元上の異物の分布である。 異物検査の処理のフローチャートである。 デフォーカス量と光量との関係を示すシミュレーション結果である。 マッピングデータの補正を説明するための図である。 距離センサをｘ方向に複数有している異物検査装置の概略図である。 物品の製造方法のフローチャートである。 物品の製造方法のフローチャートである。

以下に、本発明の好ましい実施形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。尚、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。

＜第１実施形態＞
まず、本実施形態に係る異物検査装置の構成について説明する。図１は、露光装置１００の構成の一部を示す図であり、本実施形態に係る異物検査装置を説明するための図である。異物検査装置は、パターンが形成されている原版７や、原版７のパターン面を保護する膜であるペリクルや、撓み補正部材上に付着した異物（塵、埃、キズ、欠陥等）の有無を検査することができる装置である。撓み補正部材についての詳細な説明については後述する。以下では、異物検査装置が露光装置に搭載されており、撓み補正部材６の上面（被検査面）上の異物の有無を検査する例について説明するが、撓み補正部材６が配置されない場合には、原版７に付着している異物を検査しても良い。すなわち、撓み補正部材６の配置の有無に応じて、原版７及び撓み補正部材６の少なくとも一方に付着している異物を検査すれば良い。本実施形態では、原版７が載置される面をｘｙ平面とし、ｘｙ平面に対して垂直な方向をｚ方向とする。

図１に示すように、露光装置１００は、照明光学系１と、撓み補正部材６と、露光用のパターンが描画された原版７を保持する原版ステージ８と、投影光学系９と、異物検査装置と、を有する。光源からの光は照明光学系１を介して原版７に照明され、原版７のパターンの像が投影光学系９を介して感光材が塗布された基板に転写される。露光装置１００は、原版ステージ８と基板とを同期させてＹ方向に駆動しながら上記の転写を行う、いわゆるステップアンドスキャン方式の露光装置でありうる。露光装置１００はこれに限らず、ステップアンドリピート方式の露光装置であっても良い。

撓み補正部材６は、原版７の上面側に配置されており、撓み補正部材６と原版７との間の気密室５（密閉空間）内の気圧を調整することができる。これにより、原版７の自重による撓み（自重撓み）を補正することができる。撓み補正部材６は、露光光を透過させるような透明の平板（ガラス平板）でありうる。

撓み補正部材６や原版７に異物が付着している場合には、露光装置１００の露光処理において、露光の解像不良が発生してしまうおそれがある。これは、光源から原版のパターン面に照明される照明光２３の一部が、異物によって遮光され、照度ムラが発生してしまうためである。

撓み補正部材６の近傍には、撓み補正部材６の上面に付着した異物を検査するための異物検査装置が配置されている。異物検査装置は、受光素子３とレンズ４とを含む受光部２０と、光電変換部２１と、制御部４０と、を有する。異物検査装置は、異物検査用の光源を独自に有していても良いし、異物検査をする光源として露光装置の露光光源を利用しても良い。また、基板に露光を行う露光処理と並行して異物検査を実行しても良いし、露光処理と異物検査とが異なるタイミングで実行されても良い。

異物検査装置がどのように異物検査を行うかについて説明する。光源から出射された検査光は、撓み補正部材６の検査領域を照明し、検査領域上にある異物を照明する。このとき、異物から生じる反射光は、受光部２に構成されるレンズ４を介して、受光素子３により受光（検出）される。上記の反射光は、異物からの散乱光でありうる。

光電変換部２１は、受光部２で受光された光を電気信号に変換する。光電変換部２１で生成された信号は、制御部４０に入力される。

制御部４０は、入力された信号（即ち、受光部２で受光された光量を示す信号）が許容値内であるか否かを判定し、許容値内である場合には検査領域上に異物があると判定する。具体的には、入力された信号から、検査領域上のどの領域に、どの程度の大きさの異物があるかを判定することができる。ここで、信号強度と異物の大きさとの関係は異物検査前に実測結果、またはシミュレーションにより制御部４０に記録しておくことができる。

制御部４０が異物を検出した場合には、露光処理の工程を中断し、異物を除去する工程に自動遷移しうる。あるいは、実行中の露光処理の工程を続け、露光された基板を次の工程へと搬送するタイミングで異物を除去する工程が実行されても良い。また、制御部４０が異物を検出した場合には、異物が検査領域上にあることをユーザに報知しても良い。

図１では、露光装置の原版ステージに原版が搭載された状態で異物検査を行う例について図示しているが、これに限らない。例えば、本実施形態における異物検査装置は、原版ステージに原版が搭載される前に、原版又は撓み補正部材上の異物を検査しても良い。例えば、複数の原版が収容されうるストッカから原版を取り出す際に、ストッカの搬出口付近に設けられた異物検査装置により異物検査を行っても良い。ストッカの搬出口付近は、スペースの観点から異物検査装置を構成する部材に駆動機構を設けることが困難でありうる。本実施形態では、後述するように、投光部、受光部、及び原版を保持するステージ等に駆動機構を設けることなく、異物検査装置の精度を向上させることができる。したがって、本実施形態は、上記のようなスペースが限られた箇所に異物検査装置を配置する場合に有利でありうる。

図２は、本実施形態における異物検査装置２００の概略図である。異物検査装置２００は、被検面１１に検査光を投光する投光部１０を更に有しうる。異物検査装置２００は、距離センサ３０（取得部）を更に有しうる。被検面１１は、原版の表面又は撓み補正部材の上面でありうる。

受光部２０は、投光部１０で検査光を投光する領域からの反射光を受光できるような角度で配置される。すなわち、投光部の光軸と受光部の光軸の交点と、被検面１１との交点とが大きくずれないように配置されうる。投光部１０からの検査光は、被検面１１に対して垂直な垂直方向に対して斜めに出射されうる。そして、被検面上の異物Ｐから反射または、散乱された光が受光部２０に入射する配置となっている。投光部１０は露光光と同じ波長を有するＬＥＤを用いることが望ましい。また、受光部２０はラインセンサを含みうる。また、投光部１０と受光部２０は１対１に配置されていなくとも良く、図３に示すように、投光部１０が１つに対して受光部２０が複数（例えば２つ）でも良い。

制御部４０は、上述したように受光部２０で得られた計測結果を異物に関する情報に変換する。例えば、受光部２０で計測された電圧値が小さい場合には小さい異物が存在すると判定し、受光部２０で計測された電圧値が大きい場合には大きい異物が存在すると判定する。また、制御部４０は、図４に示すように、受光部２０で計測された１次元上に存在する異物の個数と異物の大きさの分布を出力しうる。制御部４０は電圧値を、設定された複数の閾値に基づいて、異物のサイズを分類しうる。なお、図４の分布の一番左のピークは、異物ではないノイズ（暗ノイズ）である。また、図５に示すように、受光部２０で計測された結果に基づいて、被検面１１上の異物に関する情報を２次元にマッピングしたマッピングデータを出力しうる。ユーザは、マッピングデータを確認することで、被検面１１上の異物情報を把握することができる。

なお、制御部４０は、暗ノイズに関する電圧値（設計値）を記憶し、暗ノイズを判別しうる。これにより制御部４０は、受光部２０より得た電圧値の暗ノイズに対して、フィルタ補正を行うことで、暗ノイズの影響を抑制しうる。暗ノイズとは、被検面１１の検査対象領域外の電圧値である。例えば、撓み補正部材を保持するフレームや、原版を収納するトレイなど、検査対象物周辺の構造物により反射され、受光部で計測された計測結果である。

距離センサ３０は、被検面の表面に対して垂直な垂直方向（ｚ方向）における、距離センサ３０から被検面１１までの距離を測定し、ｚ方向における被検面１１の位置を測定（被検面１１の位置に関する高さ情報を取得）する。また、距離センサは、被検面の広範な領域の高さ情報を取得することにより、被検面１１の撓みの大きさを示す撓み情報を取得しうる。距離センサ３０は、投光部１０や受光部２０同一筐体に構成されうる。また、距離センサ３０は、投光部１０や受光部２０に対して固定して配置されており、上記の測定は、投光部１０から被検面１１までの距離や、受光部２０から被検面１１までの距離を測定することと同義である。

距離センサ３０は、被検面１１上を例えば、レーザーを用いた非接触方式で計測しうる。ここで、レーザーのスポット径は１～２ｍｍ程度であり、被検面上に存在する異物の径は最大で５００μｍ程度である。レーザーのスポット径が異物の径に対して大きいため、異物の有無により高さ情報の検出結果が大きな変化を受けることはなく、高さ情報を計測する上で大きな問題とはならない。

距離センサ３０で取得した高さ情報は、後述するように受光部２０での計測結果を補正するために用いるため、距離センサ３０と受光部２０は、同じタイミングで計測することが好ましい。距離センサ３０は、投光部１０の光軸と受光部２０の光軸とが交わる箇所、又はその近傍の位置を計測することが好ましい。すなわち、受光部２０で異物からの反射光を受光する被検面１１上の領域を少なくとも一部を含む領域の、ｚ方向の位置を計測することが好ましい。距離センサ３０と受光部２０が、異なるタイミングで計測した場合には計測精度の点で不利になるおそれがある。

距離センサ３０は、被検面１１上を例えば、接触方式で計測しても良い。ただし、接触方式を採用した場合には、距離センサ３０と受光部２０とを、同じタイミングで計測することが困難であり、先に距離センサ３０で計測した後に受光部２０で計測を行うといった処理が必要になる。そのため、計測精度の点では、非接触方式の方が有利でありうる。

図６のように、異物検査装置２００において、投光部１０の光軸と受光部２０の光軸との交点が、被検面１１に対してｚ方向にずれている場合（デフォーカス状態になっている場合）、受光部２０で検出される光量が低下する。このとき、デフォーカス量が大きくなるにつれて、検出される光量が低下していく。そのため、異物検査の誤判定の要因となりうる。図７は、デフォーカスがある状態で図４のように受光部２０で計測された一次元上に存在する異物の個数と異物の大きさの分布である。図７に示すように、デフォーカスがある状態の場合には、全体的に検出される電圧値が小さくなり、異物が小さく判定されてしまう。

また、被検面１１が撓んでいる場合には、被検面１１の第１領域におけるｚ方向の第１位置と、被検面１１の第２領域におけるｚ方向の第２位置と、でデフォーカス状態が異なる（ｚ方向における位置が異なる）ことになる。そのような場合には、第１領域と第２領域とで、受光部２０で得られる電圧値と異物のサイズとの関係が異なるため、正確な異物判定を行うことができない。また、デフォーカス状態になっている場合、実際に被検面上に異物が存在する位置と、マッピングデータにおいて電圧値がピークを有する位置とがずれてしまうおそれがある。

そこで、本実施形態では、距離センサ３０によって被検面１１の高さ情報を取得し、高さ情報に基づいて、受光部２０で得られた計測結果を補正する。これにより、投光部１０の光軸と受光部２０の光軸との交点が、被検面１１に対してｚ方向にずれている場合、或いは被検面１１が撓んでいる場合にも、異物判定の誤判定を低減させることができる。

比較例として、距離センサ３０によって被検面１１の高さ情報を取得した上で、被検面１１、投光部１０、受光部２０等を、例えばｚ方向に駆動させることで、デフォーカス状態が生じないようにする手法もある。しかしながら、比較例では、ｚ方向に駆動させるための駆動機構が必要になるため、スペース等の観点で不利でありうる。また、被検面１１が撓んでいる場合には、撓みに応じて駆動機構を高精度に制御しなければならず、高い計測精度で異物検査を行うことは困難でありうる。本実施形態では、駆動機構を用いることなく、比較例に対して計測精度を向上させることができうる。

本実施形態における制御部４０の処理について説明する。図８は、本実施形態における異物検査の処理のフローチャートである。ステップＳ１０１では、受光部２０が照明された異物からの反射光を受光し、受光部２０は制御部に計測結果を出力する。また、ステップＳ１０１では、距離センサ３０が高さ情報を取得し、距離センサ３０は制御部に高さ情報を出力する。

ステップＳ１０２では、ステップＳ１０１で取得した高さ情報に基づいて、デフォーカスがある状態かを判定する。制御部４０は、予め、基準値となる被検面１１の高さ位置について記憶しており、前記基準値と計測値と差分を計算する。そして、例えば、前記差分が所定の規格内である場合にはデフォーカスがないと判定し、ステップＳ１０４へと進む。所定の規格外である場合にはデフォーカスがあると判定し、ステップＳ１０３へと進む。なお、ステップＳ１０２を省略して、ステップＳ１０３の補正の段階で、デフォーカスがない場合には補正値を０として処理を行っても良い。

ステップＳ１０３では、距離センサ３０で計測された高さ情報に基づいて、受光部２０で計測された計測結果を補正する。補正の詳細については、後述する。ステップＳ１０４では、計測結果を２次元のマッピングデータとして出力する。或いは、異物検査の結果をユーザが把握できる形式（画像、音声、装置の停止等）で出力される。

なお、ステップＳ１０３では、高さ情報が、被検面１１の第１位置と第２位置とで高さが異なる、被検面１１の撓みに関する撓み情報であっても良い。距離センサ３０で計測された撓み情報に基づいて、受光部２０で計測された計測結果を補正しても良い。すなわち、第１領域のｚ方向における第１位置に関する第１高さ情報と、第２領域のｚ方向における第２位置に関する第２高さ情報と、をステップＳ１０１で取得しても良い。そして、第１位置における計測結果と、第２位置における前記計測結果と、を異なる補正量で補正しても良い。

次に、ステップＳ１０３の計測結果の補正について、詳細な説明をする。制御部４０は、予め、被検面のデフォーカス量と、受光部２０で得られる光量との関係を表すテーブルを保有している。前記テーブルは、事前のシミュレーションや実験等により得られる。図９は、事前のシミュレーションにより得られた、被検面のデフォーカス量と、受光部２０で得られる光量との関係を示すテーブルである。図９（ａ）は、２００μｍの異物が被検面上にある場合のテーブルであり、図９（ｂ）は、８０μｍの異物が被検面上にある場合のテーブルである。制御部は、図９のようなテーブルを予め保有しておくことにより、受光部２０の計測結果を正確に補正することができる。そして、制御部４０は、投光部１０の光軸と受光部２０の光軸との交点と、前記被検面の位置と、のｚ方向の差分（デフォーカス量）に基づいて、受光部２０の計測結果を補正する。

なお、ステップＳ１０３の前に、受光部２０の計測結果に基づいて、制御部４０は、被検面１１上の異物に関する情報を２次元にマッピングしたマッピングデータを出力しうる。そして、ステップＳ１０１で計測された高さ情報に基づいて、前記マッピングデータを補正しうる。図１０は、補正前のマッピングデータと補正後のマッピングデータとを示す図である。補正前のマッピングデータのピーク値は５であったが、補正後のマッピングデータのピーク値は８に補正されている。当該補正は、検出した異物の検査結果に対してパターンマッチングを実行して異物を検出し、検出された異物の像に高域強調フィルタなどのフィルタ処理を行うことにより生成されうる。

また、前記補正では、高さ情報に基づいて、マッピングデータのピーク値を含む分布を、図１０に示すように、急峻になるように前記分布を処理することを行いうる。「急峻になるような補正」とは、分布のピーク値を増加させる処理を行うこと、及び分布のピーク値の近傍の値を減少させること、の少なくとも一方を伴う処理でありうる。図１０の例では、ピーク値を５から８に増加させるとともに、ピーク値近傍（隣接する画素）の値を３から１に減少させている。

また、前記補正では、高さ情報に基づいて、マッピングデータのピーク値を含む分布を、前記ピーク値がシフトするように前記分布を処理することを行いうる。これは、デフォーカスにより異物の検出位置が騙されてシフトされてしまっているおそれがあるためである。制御部４０は、予めデフォーカスと光量のシフトとの関係を保有しておくことで、ステップＳ１０３で補正しうる。当該シフトするような補正は、上記の急峻になるようにする補正と組み合わせて実行されても良い。また、急峻になるような補正を行わなくても良い場合（例えば、異物のサイズが大きい場合）には、急峻になるような補正を行わず、シフトの補正のみ行っても良い。

本実施形態では、距離センサ３０を複数有していても良く、例えば、３点以上の領域のｚ方向における被検面１１の複数の位置を並行して計測しても良い。平行して計測とは、２以上の計測の少なくとも一部が重複した時間に実行されることを意味する。図１１は、距離センサ３０ａ～３０ｃをｘ方向に３つ配置している例を示す図である。

図１１（ａ）はｘ方向から見た正面図であり、図１１（ｂ）はｚ方向から見た上面図である。制御部４０は、距離センサ３０ａ～３０ｃが配置されている、複数の位置（ｚ位置）に基づいて、被検面１１のピッチ角又はロール角を算出し、前記ピッチ角又はロール角に基づいて、受光部２０の計測結果を補正しうる。距離センサ３０をｘ方向に複数並べることで、ｘ方向における高さ位置も考慮し、より高精度に計測結果の補正を行うことができる。

以上より、本実施形態では、投光部１０の光軸と受光部２０の光軸との交点が、被検面１１に対してｚ方向にずれている場合、或いは被検面１１が撓んでいる場合にも、精度よく異物判定を行うことができる。また、各ユニットを駆動させる駆動機構を設ける必要が無いため、配置スペースやコストの観点でも有利な異物検査装置を提供することができる。

＜第２実施形態＞
第１実施形態では、被検面１１の高さ情報を取得する取得部として、距離センサ３０が構成されている例について説明した。本実施形態では、距離センサ３０が構成されていない例について説明する。尚、取得部以外の異物検査装置の構成については、第１実施形態と同様であるため説明を省略する。また、本実施形態で言及しない事項については、第１実施形態に従う。

図１２は、本実施形態における異物検査装置２００´の構成を示す概略図である。異物検査装置２００´は、ｚ方向における被検面１１の位置に関する情報（高さ情報）を、異物検査装置２００´とは異なる装置から受信（取得）する受信部３０´（取得部）を有する。受信部３０´は、異物検査装置２００´とは異なる装置と、有線又は無線のネットワークで接続されうる。或いは、ユーザーインターフェース（例えば露光装置におけるコンソール）から入力された内容を取得するように構成されうる。受信部３０´は、制御部４０として一体に構成されていても良い。

受信部３０´による高さ情報の取得は、異物検査を実行する度に行っても良いし、特定の頻度で実行されても良い。例えば、被検面が毎回特定の撓みを有しているような場合には、高さ情報の取得は、頻繁に行われなくとも良い。

＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）、半導体デバイス、センサや光学素子などの物品を製造するのに好適である。図１３は、本実施形態の物品の製造方法のフローチャートである。本実施形態の物品の製造方法は、上記の実施形態の異物検査装置を用いて原版上の異物検査を実行する工程（検査工程、ステップＳ１１）を含む。また、かかる工程で、検査された原版の像を基板に転写（基板に塗布された感光材に潜像パターンを形成）し、露光基板を得る工程（露光工程、ステップＳ１２）を含む。また、かかる工程で露光された基板を現像し、現像基板を得る工程（現像工程、ステップＳ１３）を含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む（加工工程、ステップＳ１４）。本実施形態における物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。本発明が適用される範囲は、例えば、半導体製造装置（成膜装置、スパッタ装置、アニール装置、検査装置等）、有機ＥＬ蒸着装置、インプリント装置、平坦化装置等の基板処理装置の異物検査装置であっても良い。

本明細書の開示は、少なくとも以下の異物検査装置、露光装置、及び物品製造方法を含む。

（項目１）
被検面上の異物を検査する異物検査装置であって、
照明された前記異物からの反射光を受光する受光部と、
前記被検面の表面に対して垂直な垂直方向における、前記被検面の位置に関する高さ情報を取得する取得部と、
前記受光部で得られた計測結果に基づいて、前記被検面上の異物を検出する制御部と、を有し、
前記制御部は、前記高さ情報に基づいて、前記計測結果を補正することを特徴とする異物検査装置。

（項目２）
前記取得部は、前記垂直方向における前記被検面の位置を計測する距離センサであることを特徴とする項目１に記載の異物検査装置。

（項目３）
前記距離センサは、前記被検面上を非接触方式で計測することを特徴とする項目２に記載の異物検査装置。

（項目４）
前記距離センサは、前記受光部で前記異物からの前記反射光を受光する前記被検面上の領域を少なくとも一部を含む領域の、前記垂直方向の位置を計測することを特徴とする項目３に記載の異物検査装置。

（項目５）
前記距離センサは、前記被検面上を接触方式で計測することを特徴とする項目２に記載の異物検査装置。

（項目６）
前記取得部は、前記垂直方向における前記被検面の位置に関する情報を前記異物検査装置とは異なる装置から取得することを特徴とする項目１に記載の異物検査装置。

（項目７）
前記取得部は、前記被検面の撓みの大きさを示す撓み情報を取得し、
前記制御部は、前記撓み情報に基づいて、前記計測結果を補正することを特徴とする項目１乃至６のいずれか１項目に記載の異物検査装置。

（項目８）
前記取得部は、
前記被検面の第１領域の前記垂直方向における第１位置に関する第１高さ情報と、
前記被検面の第２領域の前記垂直方向における、前記第１位置とは異なる第２位置に関する第２高さ情報と、を取得し、
前記制御部は、前記第１位置における前記計測結果と、前記第２位置における前記計測結果と、を異なる補正量で補正することを特徴とする項目１乃至７のいずれか１項目に記載の異物検査装置。

（項目９）
前記制御部は、前記高さ情報と、前記受光部で受光する光量と、の関係を示すテーブルを記憶し、前記テーブルに基づいて前記計測結果を補正することを特徴とする項目１乃至８のいずれか１項目に記載の異物検査装置。

（項目１０）
前記制御部は、前記受光部で検出される暗ノイズの設計値を記憶し、前記暗ノイズを判別することを特徴とする項目１乃至９のいずれか１項目に記載の異物検査装置。

（項目１１）
前記異物に検査光を投光する投光部を更に有し、
前記制御部は、前記投光部の光軸と前記受光部の光軸との交点と、前記被検面の位置と、の差分に基づいて、前記計測結果を補正することを特徴とする項目１乃至１０のいずれか１項目に記載の異物検査装置。

（項目１２）
前記制御部は、前記計測結果に基づいて、前記被検面上の異物に関する情報を２次元にマッピングしたマッピングデータを出力することを特徴とする項目１乃至１１のいずれか１項目に記載の異物検査装置。

（項目１３）
前記制御部は、前記高さ情報に基づいて、前記マッピングデータを補正することを特徴とする項目１２に記載の異物検査装置。

（項目１４）
前記制御部は、前記高さ情報に基づいて、前記マッピングデータのピーク値を含む分布を、急峻になるように前記分布を補正することを特徴とする項目１３に記載の異物検査装置。

（項目１５）
前記制御部は、前記高さ情報に基づいて、前記マッピングデータのピーク値を含む分布を、前記ピーク値がシフトするように前記分布を補正することを特徴とする項目１３又は１４に記載の異物検査装置。

（項目１６）
前記制御部は、前記高さ情報に基づいて、前記マッピングデータに対してパターンマッチングを行い、前記パターンマッチングで検出された異物の像にフィルタ処理を行うことを特徴とする項目１２乃至１５のいずれか１項目に記載の異物検査装置。

（項目１７）
前記距離センサは、３点以上の領域の前記垂直方向における前記被検面の複数の位置を計測し、
前記制御部は、前記複数の位置に基づいて被検面のピッチ角又はロール角を算出し、前記ピッチ角又はロール角に基づいて、前記計測結果を補正することを特徴とする項目２に記載の異物検査装置。

（項目１８）
項目１乃至１７のいずれか１項目に記載の異物検査装置と、
原版のパターンの像を基板に投影する投影光学系と、を有し、
前記異物検査装置は前記原版上の異物を検査することを特徴とする露光装置。

（項目１９）
項目１８に記載の露光装置を用いて基板を露光し、露光基板を得る露光工程と、
前記露光基板を現像し、現像基板を得る現像工程と、を含み、
前記現像基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。

１１ 被検面
２０ 受光部
３０ 距離センサ（取得部）
３０´ 受信部（取得部）
４０ 制御部
２００ 異物検査装置
Ｐ 異物

Claims (19)

1. 被検面上の異物を検査する異物検査装置であって、
   照明された前記異物からの反射光を受光する受光部と、
   前記被検面の表面に対して垂直な垂直方向における、前記被検面の位置に関する高さ情報を取得する取得部と、
   前記受光部で得られた計測結果に基づいて、前記被検面上の異物を検出する制御部と、を有し、
   前記制御部は、前記高さ情報に基づいて、前記計測結果を補正することを特徴とする異物検査装置。
2. 前記取得部は、前記垂直方向における前記被検面の位置を計測する距離センサであることを特徴とする請求項１に記載の異物検査装置。
3. 前記距離センサは、前記被検面上を非接触方式で計測することを特徴とする請求項２に記載の異物検査装置。
4. 前記距離センサは、前記受光部で前記異物からの前記反射光を受光する前記被検面上の領域を少なくとも一部を含む領域の、前記垂直方向の位置を計測することを特徴とする請求項３に記載の異物検査装置。
5. 前記距離センサは、前記被検面上を接触方式で計測することを特徴とする請求項２に記載の異物検査装置。
6. 前記取得部は、前記垂直方向における前記被検面の位置に関する情報を前記異物検査装置とは異なる装置から取得することを特徴とする請求項１に記載の異物検査装置。
7. 前記取得部は、前記被検面の撓みの大きさを示す撓み情報を取得し、
   前記制御部は、前記撓み情報に基づいて、前記計測結果を補正することを特徴とする請求項１に記載の異物検査装置。
8. 前記取得部は、
   前記被検面の第１領域の前記垂直方向における第１位置に関する第１高さ情報と、
   前記被検面の第２領域の前記垂直方向における、前記第１位置とは異なる第２位置に関する第２高さ情報と、を取得し、
   前記制御部は、前記第１位置における前記計測結果と、前記第２位置における前記計測結果と、を異なる補正量で補正することを特徴とする請求項１に記載の異物検査装置。
9. 前記制御部は、前記高さ情報と、前記受光部で受光する光量と、の関係を示すテーブルを記憶し、前記テーブルに基づいて前記計測結果を補正することを特徴とする請求項１に記載の異物検査装置。
10. 前記制御部は、前記受光部で検出される暗ノイズの設計値を記憶し、前記暗ノイズを判別することを特徴とする請求項１に記載の異物検査装置。
11. 前記異物に検査光を投光する投光部を更に有し、
    前記制御部は、前記投光部の光軸と前記受光部の光軸との交点と、前記被検面の位置と、の差分に基づいて、前記計測結果を補正することを特徴とする請求項１に記載の異物検査装置。
12. 前記制御部は、前記計測結果に基づいて、前記被検面上の異物に関する情報を２次元にマッピングしたマッピングデータを出力することを特徴とする請求項１に記載の異物検査装置。
13. 前記制御部は、前記高さ情報に基づいて、前記マッピングデータを補正することを特徴とする請求項１２に記載の異物検査装置。
14. 前記制御部は、前記高さ情報に基づいて、前記マッピングデータのピーク値を含む分布を、急峻になるように前記分布を補正することを特徴とする請求項１３に記載の異物検査装置。
15. 前記制御部は、前記高さ情報に基づいて、前記マッピングデータのピーク値を含む分布を、前記ピーク値がシフトするように前記分布を補正することを特徴とする請求項１３に記載の異物検査装置。
16. 前記制御部は、前記高さ情報に基づいて、前記マッピングデータに対してパターンマッチングを行い、前記パターンマッチングで検出された異物の像にフィルタ処理を行うことを特徴とする請求項１２に記載の異物検査装置。
17. 前記距離センサは、３点以上の領域の前記垂直方向における前記被検面の複数の位置を計測し、
    前記制御部は、前記複数の位置に基づいて被検面のピッチ角又はロール角を算出し、前記ピッチ角又はロール角に基づいて、前記計測結果を補正することを特徴とする請求項２に記載の異物検査装置。
18. 請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の異物検査装置と、
    原版のパターンの像を基板に投影する投影光学系と、を有し、
    前記異物検査装置は前記原版上の異物を検査することを特徴とする露光装置。
19. 請求項１８に記載の露光装置を用いて基板を露光し、露光基板を得る露光工程と、
    前記露光基板を現像し、現像基板を得る現像工程と、を含み、
    前記現像基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。

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