JP2024069007A - 配線基板、配線基板の製造方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】金属層の除去に伴う損傷を抑えること。【解決手段】配線基板は、金属層と、樹脂層と、配線構造体とを有する。樹脂層は、金属層上に積層される。配線構造体は、樹脂層上に積層された配線層及び絶縁層を備え、配線層が樹脂層と接して位置する。【選択図】図２

Description

本発明は、配線基板、配線基板の製造方法及び半導体装置の製造方法に関する。

半導体チップが搭載され半導体装置となる配線基板は、半導体装置の薄型化に伴い、薄型化が促進されている。配線基板が薄型化されるほど、配線基板の剛性が低下する。

これに対し、剛性を確保する観点から、キャリア板（厚箔）上にキャリア板よりも厚みが薄い金属層（薄箔）が剥離可能に貼付されたキャリア付き金属箔における金属層上に配線構造体を積層した配線基板が提案されている（特許文献１参照）。

特開２０１６－３３９６７号公報

しかしながら、キャリア付き金属箔における金属層上に配線構造体を積層した配線基板においては、金属層の除去に伴う損傷を抑える点までは考慮されていない。

すなわち、キャリア付き金属箔における金属層上に配線構造体を積層した配線基板においては、半導体チップの搭載や封止樹脂の形成等の工程を経た後、キャリア板から金属層（薄箔）が剥離されることにより、配線構造体がキャリア板から分離される。配線構造体がキャリア板から分離されると、配線構造体の下面に金属層が残る。配線構造体の下面に残る金属層は、配線構造体の下面に位置する配線層を露出させるために、最終的にはエッチング液を用いるエッチングにより除去される。このとき、エッチング液が金属層とともに配線構造体の下面の配線層を溶解し、結果として、配線構造体が損傷する恐れがある。

開示の技術は、上記に鑑みてなされたものであって、金属層の除去に伴う損傷を抑えることができる配線基板、配線基板の製造方法及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

本願の開示する配線基板は、一つの態様において、金属層と、樹脂層と、配線構造体とを有する。樹脂層は、金属層上に積層される。配線構造体は、樹脂層上に積層された配線層及び絶縁層を備え、配線層が樹脂層と接して位置する。

本願の開示する配線基板一つの態様によれば、金属層の除去に伴う損傷を抑えることができる、という効果を奏する。

図１は、実施形態に係る配線基板の構成を示す平面図である。 図２は、実施形態に係る配線基板の構成を示す部分断面図である。 図３は、実施形態に係る配線基板の製造方法の流れの一例を示すフローチャートである。 図４は、支持体準備工程の具体例を示す図である。 図５は、配線層形成工程の具体例を示す図である。 図６は、絶縁層形成工程の具体例を示す図である。 図７は、開口部形成工程の具体例を示す図である。 図８は、シード層形成工程の具体例を示す図である。 図９は、レジスト層形成工程の具体例を示す図である。 図１０は、電解めっき工程の具体例を示す図である。 図１１は、レジスト層除去工程の具体例を示す図である。 図１２は、エッチング工程の具体例を示す図である。 図１３は、ソルダーレジスト層形成工程の具体例を示す図である。 図１４は、デパネルされた配線基板の具体例を示す図である。 図１５は、実施形態に係る半導体装置の製造方法の流れの一例を示すフローチャートである。 図１６は、半導体チップ搭載工程の具体例を示す図である。 図１７は、モールド工程の具体例を示す図である。 図１８は、金属層除去工程の具体例を示す図である。 図１９は、開口部形成工程の具体例を示す図である。 図２０は、半導体装置の構造を示す図である。 図２１は、樹脂層除去工程の具体例を示す図である。 図２２は、半導体装置の構造を示す図である。

以下に、本願の開示する配線基板、配線基板の製造方法及び半導体装置の製造方法の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施形態により開示技術が限定されるものではない。

図１は、実施形態に係る配線基板１００の構成を示す平面図である。図２は、実施形態に係る配線基板１００の構成を示す部分断面図である。図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線における部分断面を示している。

図１に示すように、配線基板１００は、破線Ｃによって囲まれた複数の領域を備えるシート状の配線基板である。配線基板１００は、例えば、半導体チップを搭載する半導体パッケージ（半導体装置）の基板として利用することが可能である。すなわち、配線基板１００は、半導体チップの搭載や封止樹脂等の工程を経た後、後述の金属層が除去され、最終的には、破線Ｃに沿って配線基板１００が切断されることによって、個片化された複数の半導体装置が得られる。なお、破線Ｃによって囲まれた複数の領域の数は、図１に示す数に限定されない。

図２に示すように、配線基板１００は、積層構造となっており、金属層１１０、樹脂層１２０及び配線構造体１３０を有する。以下においては、図２に示すように、配線構造体１３０の後述するソルダーレジスト層１３４が最上層であり、金属層１１０が最下層であるものとして説明するが、配線基板１００は、例えば上下反転して用いられても良く、任意の姿勢で用いられて良い。

金属層１１０は、例えば、銅又は銅合金を用いて形成される。金属層１１０は、配線構造体１３０を支持するとともに配線基板１００を補強する基層としての機能を有する。かかる金属層１１０は、配線構造体１３０の下面に位置する配線層を露出するために、最終的にはエッチング液を用いるエッチングにより除去される。金属層１１０の厚さは、例えば５～５０μｍ程度とすることができる。

樹脂層１２０は、金属層１１０上に積層される。樹脂層１２０は、金属層１１０の除去に用いられるエッチング液に対してエッチング耐性を有する絶縁性樹脂を用いて形成される。かかる絶縁性樹脂としては、例えばエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂等の熱硬化により硬化する絶縁性樹脂が用いられる。樹脂層１２０は、ガラス織布等の補強材を含まない絶縁性樹脂を用いて形成される。樹脂層１２０は、配線構造体１３０の絶縁層（後述する絶縁層１３２）と同一の絶縁性樹脂を用いて形成されてもよい。樹脂層１２０は、金属層１１０よりも厚さが薄い。樹脂層１２０の厚さは、例えば３～３０μｍ程度とすることができる。なお、樹脂層１２０は、後述する配線層１３１よりも厚さが薄くても良い。また、樹脂層１２０は、後述する絶縁層１３２やソルダーレジスト層１３４よりも厚さが薄くても良い。

配線構造体１３０は、絶縁性の絶縁層と導電性の配線層とが積層された多層配線構造体である。すなわち、配線構造体１３０は、配線層１３１、絶縁層１３２、配線層１３３及びソルダーレジスト層１３４を有する。

配線層１３１は、樹脂層１２０上に形成され、パッド及び配線パターンを有する層である。配線層１３１は、配線構造体１３０の下面に位置しており、配線構造体１３０の最下層を形成する。配線層１３１は、例えば、銅又は銅合金を用いて形成される。配線層１３１は、例えばサブトラクティブ法により樹脂層１２０上に形成される。配線層１３１の厚さは、例えば５～５０μｍ程度とすることができる。

絶縁層１３２は、樹脂層１２０上に配線層１３１を被覆するように形成される層である。絶縁層１３２は、例えばガラス織布等の補強材にエポキシ樹脂等の絶縁性樹脂を含浸させて形成される。補強材としては、ガラス織布の他にも、ガラス不織布、アラミド織布又はアラミド不織布等を用いることができる。また、絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂の他にも、ポリイミド樹脂等を用いることができる。配線層１３１上面から絶縁層１３２上面までの絶縁層１３２の厚さは、例えば１０～３０μｍ程度とすることができる。

配線層１３３は、絶縁層１３２上に形成され、パッド及び配線パターンを有する層である。配線層１３３の配線パターンは、必要に応じて、絶縁層１３２を貫通するビア１４１によって配線層１３１の配線パターンと電気的に接続される。ビア１４１が形成される位置において、配線層１３３は、金属箔層１３３ａと、金属箔層１３３ａ上に無電解めっきによって形成されるシード層１３３ｂと、シード層１３３ｂ上に電解めっきによって形成される電解めっき層１３３ｃとからなる。ビア１４１は、絶縁層１３２の開口部内においてシード層１３３ｂ上に電解めっきが充填されることにより形成される。配線層１３３及びビア１４１は、例えばセミアディティブ法により形成される。配線層１３３は、例えば、銅又は銅合金を用いて形成される。配線層１３３の厚さは、例えば３～５０μｍ程度とすることができる。

実施形態では、配線構造体１３０の最下層の配線層１３１が、金属層１１０上の樹脂層１２０と接して位置している。言い換えると、配線構造体１３０の下面に位置する配線層１３１と金属層１１０との間に樹脂層１２０が介在している。

このように、実施形態では、配線構造体１３０の最下層の配線層１３１が金属層１１０上の樹脂層１２０と接して位置することにより、配線層１３１の下面が樹脂層１２０によって保護される。配線層１３１の下面を保護する樹脂層１２０は、金属層１１０の除去に用いられるエッチング液に対してエッチング耐性を有する絶縁性樹脂を用いて形成される。これにより、金属層１１０が最終的にエッチング液を用いるエッチングにより除去される際に、配線層１３１の下面の樹脂層１２０がエッチング液に対する保護壁となる。したがって、実施形態によれば、エッチング液が配線層１３１を溶解することがなく、金属層１１０の除去に伴う配線構造体１３０の損傷を抑えることができる。

また、実施形態では、樹脂層１２０が補強材を含まない絶縁性樹脂を用いて形成されることにより、補強材を含む絶縁性樹脂を用いて形成される樹脂層と比べて、樹脂層１２０の厚みを薄くすることができる。したがって、実施形態によれば、配線基板１００の薄型化を促進することができる。

また、実施形態では、樹脂層１２０が配線構造体１３０の絶縁層（つまり、絶縁層１３２及びソルダーレジスト層１３４）と同じ絶縁性樹脂を用いて形成されることにより、樹脂層１２０の形成を容易化することができる。したがって、実施形態によれば、配線基板１００の製造コストを低減することができる。

また、実施形態では、樹脂層１２０が金属層１１０よりも厚さが薄いことにより、配線基板１００の剛性を確保しつつ、配線基板１００の薄型化をより促進することができる。

ソルダーレジスト層１３４は、配線構造体１３０の最上層の配線層１３３を被覆し、配線層１３３の配線パターンを保護する層である。ソルダーレジスト層１３４は、例えばアクリル樹脂及びポリイミド樹脂等の絶縁性の感光性樹脂からなる層であり、絶縁層の１つである。なお、ソルダーレジスト層１３４は、例えばエポキシ樹脂等の絶縁性の非感光性樹脂を用いて形成されてもよい。配線層１３３上面からソルダーレジスト層１３４上面までのソルダーレジスト層１３４の厚さは、例えば４～３０μｍ程度とすることができる。

配線基板１００のソルダーレジスト層１３４側は、例えば半導体チップなどの電子部品が搭載される面である。半導体チップが搭載される位置においては、ソルダーレジスト層１３４に開口部１５１が形成され、配線層１３３の上面が開口部１５１から露出する。ソルダーレジスト層１３４が感光性樹脂を用いて形成される場合には、露光・現像により開口部１５１を形成することが可能である。ソルダーレジスト層１３４が非感光性樹脂を用いて形成される場合には、レーザ加工により開口部１５１を形成することが可能である。開口部１５１から露出する配線層１３３には、半導体チップの電極を電気的に接続することができる。

次に、上記のように構成された配線基板１００の製造方法について、具体的に例を挙げながら、図３を参照して説明する。図３は、実施形態に係る配線基板１００の製造方法の流れの一例を示すフローチャートである。

まず、配線基板１００を製造するベースとなる支持体３００が準備される（ステップＳ１０１）。具体的には、例えば図４に示すように、板状の支持体３００の上面及び下面に、支持体３００側から順に、樹脂付き金属箔３２０及び金属箔１３１ａがそれぞれ積層される。図４は、支持体準備工程の具体例を示す図である。

支持体３００は、例えばガラス繊維やアラミド繊維等の織布や不織布等の補強材にエポキシ樹脂等の絶縁性樹脂を含侵させたプリプレグである。支持体３００は、上面が平坦な板状に形成される。

樹脂付き金属箔３２０は、下地層（薄箔）１１５と、下地層１１５上に剥離層（不図示）を介して剥離可能に貼付された金属層１１０と、金属層１１０上に積層された樹脂層１２０とからなる金属箔である。下地層１１５は、例えば銅又は銅合金を用いて形成される厚さ３～１８μｍ程度の層である。

金属箔１３１ａは、例えば、銅又は銅合金を用いて形成される。

支持体３００の上面及び下面にそれぞれ積層された樹脂付き金属箔３２０及び金属箔１３１ａは、真空ラミネート及びプレスによる真空加熱加圧接合により、支持体３００に密着する。また、樹脂付き金属箔３２０が真空加熱加圧接合される際に、加熱及び加圧によって支持体３００及び樹脂層１２０が硬化する。これにより、上面及び下面それぞれに、樹脂付き金属箔３２０及び金属箔１３１ａが順に積層された支持体３００が得られる。

支持体３００が準備されると、樹脂付き金属箔３２０における樹脂層１２０上に配線層及び絶縁層を積層して配線構造体１３０が形成される。以下のステップＳ１０２～Ｓ１１０は、配線構造体１３０の形成工程に相当する。まず、例えば図５に示すように、樹脂層１２０上に配線層１３１が形成される（ステップＳ１０２）。図５は、配線層形成工程の具体例を示す図である。配線層１３１は、樹脂層１２０上に積層された金属箔１３１ａから、例えばサブトラクティブ法により形成される。この場合、金属箔１３１ａ上にエッチングレジスト層が積層され、配線パターン形成位置に応じた露光及び現像が行われることにより、配線パターン形成位置を除く部分に開口を有するエッチングレジスト層が形成される。次いで、エッチングレジスト層の開口から露出する金属箔１３１ａをエッチングすることにより、配線層１３１を形成する。この後、エッチングレジスト層を除去することにより、所望の配線パターンを有する配線層１３１が形成される。

配線層１３１が形成されると、樹脂層１２０上に、配線層１３１を被覆する絶縁層１３２が形成されるとともに（ステップＳ１０３）、絶縁層１３２上に、金属箔層１３３ａが積層される。すなわち、例えば図６に示すように、樹脂層１２０上に、配線層１３１を被覆するように未硬化状態の絶縁層１３２及び金属箔層１３３ａがこの順に積層される。そして、積層された未硬化状態の絶縁層１３２を加圧しながら加熱して硬化させることにより、絶縁層１３２及び金属箔層１３３ａが樹脂層１２０に密着する。図６は、絶縁層形成工程の具体例を示す図である。

絶縁層１３２及び金属箔層１３３ａのビア１４１が形成される位置には、開口部が形成される（ステップＳ１０４）。すなわち、例えば図７に示すように、絶縁層１３２及び金属箔層１３３ａを貫通し、底面に配線層１３１を露出させる開口部１３２ａが形成される。図７は、開口部形成工程の具体例を示す図である。開口部１３２ａは、例えばＣＯ₂レーザ又はＵＶレーザ等を用いたレーザ加工により形成される。

絶縁層１３２及び金属箔層１３３ａに開口部１３２ａが形成されると、樹脂残渣を除去するためにデスミア処理が行われる。すなわち、例えば過マンガン酸カリウム溶液を用いて、開口部１３２ａ内及び周辺に残留する樹脂残渣が除去される。

そして、開口部１３２ａが形成されると、金属箔層１３３ａ上にシード層１３３ｂが形成される（ステップＳ１０５）。具体的には、例えば図８に示すように、金属箔層１３３ａの上面に無電解銅めっきが施されることにより、シード層１３３ｂが形成される。図８は、シード層形成工程の具体例を示す図である。シード層１３３ｂは、金属箔層１３３ａ上面と、開口部１３２ａ内壁面と、開口部１３２ａ底面に露出する配線層１３１上面とに連続的に形成される。

シード層１３３ｂが形成されると、シード層１３３ｂ上に、電解めっきのマスクとなるレジスト層が形成される（ステップＳ１０６）。すなわち、シード層１３３ｂ上にレジスト層が積層され、配線層１３３の位置に応じた露光及び現像が行われることにより、例えば図９に示すように、配線層１３３が形成される位置を除く部分のシード層１３３ｂ上にレジスト層３３０が形成される。図９は、レジスト層形成工程の具体例を示す図である。

そして、シード層１３３ｂを給電層として利用する電解めっきが施されることによって、シード層１３３ｂ上に電解めっき層１３３ｃが形成される（ステップＳ１０７）。具体的には、例えば硫酸銅めっき液を用いて電解銅めっきが施されることにより、レジスト層３３０が形成されていない部分に銅が析出し、例えば図１０に示すように、シード層１３３ｂ上に電解めっき層１３３ｃが形成される。この際、開口部１３２ａ内に電解めっきが充填されてビア１４１が形成される。図１０は、電解めっき工程の具体例を示す図である。

電解めっき層１３３ｃが形成されると、レジスト層３３０が除去される（ステップＳ１０８）。レジスト層３３０の除去には、例えば苛性ソーダやアミン系のアルカリ剥離液が用いられる。レジスト層３３０の除去により、例えば図１１に示すように、電解めっき層１３３ｃが絶縁層１３２及び金属箔層１３３ａから突出し、シード層１３３ｂを介して配線層１３１に接続する状態となる。図１１は、レジスト層除去工程の具体例を示す図である。図１１に示す状態では、シード層１３３ｂ及び金属箔層１３３ａが電解めっき層１３３ｃと他の電解めっき層との間に残存しており、電解めっき層１３３ｃが他の電解めっき層と短絡しているため、電解めっき層１３３ｃと重ならない不要部分のシード層１３３ｂ及び金属箔層１３３ａを除去する必要がある。

そこで、電解めっき層１３３ｃをマスクとしてシード層１３３ｂ及び金属箔層１３３ａのエッチングが行われる（ステップＳ１０９）。具体的には、金属箔層１３３ａ上に形成されたシード層１３３ｂが例えば銅を選択的に溶解するエッチング液に浸漬され、例えば図１２に示すように、電解めっき層１３３ｃと重ならない不要部分のシード層１３３ｂ及び金属箔層１３３ａが除去される。これにより、金属箔層１３３ａ、シード層１３３ｂ及び電解めっき層１３３ｃからなる配線層１３３が絶縁層１３２上に形成される。図１２は、エッチング工程の具体例を示す図である。

配線層１３３が形成されると、絶縁層１３２上に、配線層１３３を被覆するようにソルダーレジスト層１３４が形成されることにより（ステップＳ１１０）、配線構造体１３０が完成する。すなわち、例えば、絶縁層１３２上に形成された配線層１３３がソルダーレジスト層１３４によって被覆される。

そして、例えば図１３に示すように、ソルダーレジスト層１３４には、配線層１３３の上面を露出させる開口部１５１が形成される。図１３は、ソルダーレジスト層形成工程の具体例を示す図である。開口部１５１から露出する配線層１３３には、半導体チップの電極を機械的且つ電気的に接続することができる。ソルダーレジスト層１３４として感光性樹脂が用いられる場合には、露光・現像によって開口部１５１を形成することが可能である。また、ソルダーレジスト層１３４として非感光性樹脂が用いられる場合には、レーザ加工によって開口部１５１を形成することが可能である。

ここまでの工程により、例えば図１３に示すように、支持体３００の上面及び下面に金属層１１０、樹脂層１２０及び配線構造体１３０が形成された中間構造体が形成される。金属層１１０、樹脂層１２０及び配線構造体１３０は、配線基板１００を構成する。そこで、中間構造体から金属層１１０、樹脂層１２０及び配線構造体１３０がデパネルされることにより（ステップＳ１１１）、配線基板１００が得られる。具体的には、例えば図１４に示すように、中間構造体の下地層１１５から金属層１１０より上層が剥離されることにより、樹脂層１２０の配線構造体１３０が形成される面とは反対側の面（下面）に金属層１１０が残される。これにより、金属層１１０、樹脂層１２０及び配線構造体１３０を有する配線基板１００が完成する。図１４は、デパネルされた配線基板１００の具体例を示す図である。デパネルされた配線基板１００では、樹脂層１２０の下面に金属層１１０が残るため、配線基板１００の剛性が確保される。これにより、配線基板１００を用いた半導体装置の製造過程で配線基板１００が変形することを抑制することができ、配線基板１００のハンドリング性を改善することができる。

なお、図３に示す配線基板１００の製造方法において、ステップＳ１０９とステップＳ１１０との間で、ステップＳ１０３からステップＳ１０９までの工程と同様の工程を繰り返し、複数層の絶縁層と配線層とを積層しても良い。

次に、上述した配線基板１００を用いて構成される半導体装置の製造方法について、図１５を参照しながら具体的に説明する。図１５は、実施形態に係る半導体装置の製造方法の流れの一例を示すフローチャートである。

まず、配線基板１００の配線構造体１３０上に半導体チップが搭載され（ステップＳ１２１）、ソルダーレジスト層１３４の開口部１５１から露出する配線層１３３と半導体チップの電極とが機械的且つ電気的に接続される。図１６は、半導体チップ搭載工程の具体例を示す図である。具体的には、例えば図１６に示すように、半導体チップ５１０がソルダーレジスト層１３４の上方に搭載され、半導体チップ５１０の電極５１１が例えばはんだ５１２によって配線層１３３に接合される。

そして、配線基板１００に搭載された半導体チップ５１０を例えばエポキシ樹脂等の封止樹脂により封止するモールドが行われる（ステップＳ１２２）。具体的には、半導体チップ５１０を搭載した配線基板１００が金型に収容され、流動化した封止樹脂が金型内に注入される。そして、封止樹脂が所定の温度に加熱されて硬化することにより、例えば図１７に示すように、半導体チップ５１０の周囲の空間に封止樹脂５２０が充填され、配線基板１００に搭載された半導体チップ５１０を封止する封止樹脂５２０が形成される。図１７は、モールド工程の具体例を示す図である。

配線基板１００に搭載された半導体チップ５１０が封止樹脂５２０によって封止されると、樹脂層１２０の下面に残る金属層１１０が除去される（ステップＳ１２３）。具体的には、エッチング液を用いるエッチングにより、例えば図１８に示すように金属層１１０が除去され、樹脂層１２０の下面が露出する。図１８は、金属層除去工程の具体例を示す図である。銅又は銅合金等からなる金属層１１０の除去には、例えば過酸化水素／硫酸系水溶液、過硫酸ナトリウム又は過硫酸アンモニウム水溶液等のエッチング液が用いられる。

金属層１１０を除去するエッチングにおいては、金属層１１０の溶解に伴って樹脂層１２０の下面が露出し、かかる露出した樹脂層１２０の下面にエッチング液が到達する。しかし、樹脂層１２０は、金属層１１０の除去に用いられるエッチング液に対してエッチング耐性を有する絶縁性樹脂を用いて形成されているため、樹脂層１２０より上層側へのエッチング液の進入が阻害される。すなわち、樹脂層１２０と接して位置している最下層の配線層１３１が樹脂層１２０によってエッチング液から保護されるため、エッチング液が配線層１３１を溶解することがない。この結果、エッチング液による配線層１３１の損傷を抑えることができることから、金属層１１０の除去に伴う配線構造体１３０の損傷を抑えることができる。

金属層１１０が除去されて樹脂層１２０が露出すると、樹脂層１２０に開口部が形成される（ステップＳ１２４）。配線基板１００の樹脂層１２０側は、外部の部品や機器等に接続される面である。このため、外部の部品や機器と電気的に接続する外部接続端子が形成される位置においては、例えば図１９に示すように、樹脂層１２０に開口部１２１が形成され、開口部１２１から配線構造体１３０の最下層の配線層１３１が露出する。図１９は、開口部形成工程の具体例を示す図である。開口部１２１には、例えばはんだボール等の外部接続端子が形成されてもよい。樹脂層１２０が非感光性の熱硬化性樹脂を用いて形成される場合、レーザ加工により開口部１２１を形成することが可能である。

樹脂層１２０に開口部１２１が形成されると、図１９に示す破線Ｃの位置において、封止樹脂５２０及び配線基板１００が切断される。これにより、半導体装置が個片化され（ステップＳ１２５）、例えば図２０に示すように、配線基板１００を用いた半導体装置５００が完成する。かかる半導体装置５００においては、樹脂層１２０の開口部１２１から配線構造体１３０の最下層の配線層１３１が露出し、外部接続端子が形成されるパッドとなる。図２０は、半導体装置５００の構造を示す図である。

なお、図１５に示す半導体装置の製造方法においては、金属層１１０が除去されて樹脂層１２０が露出した後、樹脂層１２０に開口部１２１が形成される場合（ステップＳ１２４）を例示したが、開示の技術はこれに限られない。例えば、ステップＳ１２４の樹脂層１２０への開口部１２１の形成に代えて、配線基板１００から樹脂層１２０を除去してもよい。具体的には、例えばエキシマレーザを樹脂層１２０全体に照射することにより、例えば図２１に示すように樹脂層１２０が除去され、配線構造体１３０の下面において、絶縁層１３２の下面と配線層１３１の下面とが露出する。図２１は、樹脂層除去工程の具体例を示す図である。

樹脂層１２０が除去されると、図２１に示す破線Ｃの位置において、封止樹脂５２０及び配線基板１００が切断される。これにより、半導体装置が個片化され、例えば図２２に示すように、配線基板１００を用いた半導体装置５００Ａが完成する。かかる半導体装置５００Ａの下面においては、配線構造体１３０の最下層の配線層１３１が露出し、外部接続端子として機能する。図２２は、半導体装置５００Ａの構造を示す図である。

以上のように、実施形態に係る配線基板（例えば、配線基板１００）は、金属層（例えば、金属層１１０）と、樹脂層（例えば、樹脂層１２０）と、配線構造体（例えば、配線構造体１３０）とを有する。樹脂層は、金属層上に積層され、金属層の除去に用いられるエッチング液に対してエッチング耐性を有する絶縁性樹脂からなる。配線構造体は、樹脂層上に積層された配線層（例えば、配線層１３１）及び絶縁層（例えば、絶縁層１３２）を備え、配線層が樹脂層と接して位置する。これにより、実施形態に係る配線基板によれば、金属層の除去に伴う損傷を抑えることができる。

１００ 配線基板
１１０ 金属層
１１５ 下地層
１２０ 樹脂層
１２１ 開口部
１３０ 配線構造体
１３１ 配線層
１３１ａ 金属箔
１３２ 絶縁層
１３２ａ 開口部
１３３ 配線層
１３３ａ 金属箔層
１３３ｂ シード層
１３３ｃ 電解めっき層
１３４ ソルダーレジスト層
１４１ ビア
１５１ 開口部
３００ 支持体
３２０ 樹脂付き金属箔
３３０ レジスト層
５００、５００Ａ 半導体装置
５１０ 半導体チップ
５１１ 電極
５２０ 封止樹脂

Claims (8)

1. 金属層と、
   前記金属層上に積層された樹脂層と、
   前記樹脂層上に積層された配線層及び絶縁層を備え、前記配線層が前記樹脂層と接して位置する配線構造体と
   を有することを特徴とする配線基板。
2. 前記樹脂層は、
   前記金属層の除去に用いられるエッチング液に対してエッチング耐性を有する絶縁性樹脂からなることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
3. 前記樹脂層は、
   補強材を含まない絶縁性樹脂からなることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
4. 前記樹脂層は、
   前記配線構造体の絶縁層と同じ絶縁性樹脂からなることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
5. 前記樹脂層は、
   前記金属層よりも厚さが薄いことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
6. 支持体上に、下地層と、前記下地層上に剥離可能に貼付された金属層と、前記金属層上に積層された樹脂層とを有する樹脂付き金属箔を積層する工程と、
   前記支持体における前記樹脂層上に配線層及び絶縁層を積層して、前記配線層が前記樹脂層と接して位置する配線構造体を形成する工程と、
   前記金属層を前記下地層から剥離して、前記樹脂層の前記配線構造体が形成される面とは反対側の面に前記金属層を残す工程と
   を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
7. 前記樹脂層は、
   前記金属層の除去に用いられるエッチング液に対してエッチング耐性を有する絶縁性樹脂からなることを特徴とする請求項６に記載の配線基板の製造方法。
8. 請求項６に記載の配線基板の製造方法によって製造された配線基板の前記配線構造体上に半導体チップを搭載する工程と、
   前記半導体チップを封止樹脂によって封止する工程と、
   前記金属層を、エッチングにより除去する工程と、
   前記金属層の除去後の前記樹脂層に、前記配線構造体の下面に位置する配線層まで貫通する開口部を形成する工程と
   を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

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