JP2023160866A - ペリクルフレーム、ペリクル、ペリクル付フォトマスク、露光方法、半導体の製造方法及び液晶ディスプレイの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ＥＵＶ露光技術を使用して、フォトレジスト膜に１０ｎｍ以下の微細パターンを形成する場合において、ペリクル膜にシワが入ったり、ペリクルフレームからペリクル膜が剥がれたり、破れたり、割れてしまう事態を有効に防止することができ、そのうえ、軽量で破損する危険性の少ないペリクルフレーム及びそれを用いたペリクルを提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、線膨張係数が１０×１０-6（１／Ｋ）以下であり、且つ、密度が４．６ｇ／ｃｍ3以下の金属又は合金からなることを特徴とするペリクルフレーム、及び、該ペリクルフレームを構成要素として含むことを特徴とするペリクルを提供する。【選択図】図１

Description

本発明は、ＬＳＩ、超ＬＳＩなどの半導体デバイス、プリント基板、液晶ディスプレイ等を製造する際のゴミ除けとして使用されるリソグラフィー用ペリクルに関する。

ＬＳＩ、超ＬＳＩ等の半導体デバイスや液晶ディスプレイ等を製造する際、半導体ウェハー或いは液晶用原板に光を照射してパターンを作製するが、このときに用いるフォトマスク或いはレチクル（以下、これらを単に「フォトマスク」と記述する。）にゴミが付着していると、パターンのエッジががさついたものとなるほか、下地が黒く汚れたりするなど、得られる製品の寸法、品質、外観等が損なわれるという問題があった。

このため、パターンの作製作業は通常クリーンルーム内で行われているが、それでもフォトマスクを常に清浄に保つことは難しい。そこで、フォトマスク表面にゴミ除けとしてペリクルを貼り付けた後に露光が行われている。この場合、異物はフォトマスクの表面には直接付着せず、ペリクル膜上に付着するため、リソグラフィー時に焦点をフォトマスクのパターン上に合わせておけば、ペリクル膜上の異物は転写に無関係となる。

一般に、ペリクルは光を良く透過させるニトロセルロース、酢酸セルロース、フッ素樹脂等からなる透明なペリクル膜を、アルミニウム、ステンレス、ポリエチレン等からなるペリクルフレームの上端面にペリクル膜の良溶媒を塗布した後、風乾して接着するか（特許文献１参照）、アクリル樹脂やエポキシ樹脂等の接着剤で接着している（特許文献２，３参照）。さらに、ペリクルフレームの下端には、フォトマスクに貼り付けるための、ポリブテン樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂等からなる粘着剤層、及び粘着剤層の保護を目的とした離型層（セパレータ）が設けられている。

そして、このようなペリクルをフォトマスクの表面に取り付けて、フォトマスクを介して半導体ウエハー或いは液晶用原版に形成されたフォトレジスト膜を露光する場合には、ゴミなどの異物は、ペリクルの表面に付着しフォトマスクの表面には直接付着しないため、フォトマスクに形成されたパターン上に焦点が位置するように露光用の光を照射すれば、ゴミなどの異物の影響を回避することが可能になる。

ところで、近年では、半導体デバイス及び液晶ディスプレイは、ますます高集積化、微細化してきているのが実情である。現在では、３２ｎｍ程度の微細パターンをフォトレジスト膜に形成する技術も実用化されつつある。３２ｎｍ程度のパターンであれば、半導体ウエハー或いは液晶用原版と投影レンズとの間を超純水などの液体で満たし、フッ化アルゴン（ＡｒＦ）エキシマレーザーを用いて、フォトレジスト膜を露光する液浸露光技術や二重露光などの従来のエキシマレーザーを用いた改良技術によって対応可能である。

しかし、次世代の半導体デバイスや液晶ディスプレイにはさらに微細化した１０ｎｍ以下のパターン形成が要求されており、このような微細化した１０ｎｍ以下のパターン形成のためには、もはや、従来のエキシマレーザーを用いた露光技術の改良では対応することは不可能である。

そこで、１０ｎｍ以下のパターンを形成するための方法として、１３．５ｎｍを主波長とするＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）光を使用したＥＵＶ露光技術が本命視されている。このＥＵＶ露光技術を使用して、フォトレジスト膜に１０ｎｍ以下の微細なパターンを形成する場合には、どのような光源を用いるか、どのようなフォトレジストを用いるか、どのようなペリクルを用いるかなどの技術的課題を解決することが必要であり、これら技術的課題のうち、新たな光源と新たなフォトレジスト材料については、開発が進み、種々の提案がなされている。

半導体デバイス或いは液晶ディスプレイの歩留りを左右するペリクルについては、例えば、特許文献３には、ＥＵＶリソグラフィーに用いるペリクル膜として、透明で光学的歪みを生じない厚さ０．１～２．０μｍのシリコン製フィルムが記載されているものの、実際に適用するには未解決な問題も残っており、ＥＵＶ露光技術を実用化する上で大きな障害となっているのが実情である。

従来、ペリクルを構成するペリクルフレームの材質については、ｉ線（波長３６５ｎｍ）、フッ化クリプトン（ＫｒＦ）エキシマレーザー光（波長２４８ｎｍ）、フッ化アルゴン（ＡｒＦ）エキシマレーザー光（波長１９３ｎｍ）を用いた露光においては、その剛性と加工性のみを考慮して選択されており、通常、アルミニウム、ステンレス、ポリエチレンなどが使用されている。

一方、フォトマスクの材質については、通常、石英ガラスが使用されることが多く、また、ペリクル膜にはｉ線用、ＫｒＦ用、ＡｒＦ用であれば、ニトロセルロース、酢酸セルロース或いはフッ素樹脂など、ＥＵＶ用としては、シリコンなど、光源に応じた透明膜が使用される。

しかしながら、ＥＵＶ露光技術を使用して、フォトレジスト膜に１０ｎｍ以下の微細なパターンを形成する場合に、従来のペリクルを使用すると、ペリクル膜にシワが入ってしまったり、ペリクル用フレームからペリクル膜が剥がれてしまったり、破れてしまったり、割れてしまう。

特許文献４では、ペリクル膜の膜シワ発生や破損は、露光時の光エネルギーによる温度上昇によって生じ得るペリクルフレームの伸縮、歪みが原因であることを見出し、線膨張係数１０×１０^-6（１／Ｋ）以下の材質をフレームに使用することが提案されている。

しかしながら、熱膨張係数の低いＳｉ、ＳｉＯ₂、ＳｉＣ、ＳｉＮなどの材料は脆く加工が難しいという問題がある。特に、ＥＵＶペリクルは、ＥＵＶ露光装置内のペリクル配置スペースが小さいために高さを２．５ｍｍ以下にする必要がある。

また、通常、ペリクルのペリクルフレーム側面には、ハンドリングやペリクルをフォトマスクから剥離する際に用いられる治具穴や、ペリクル内外の圧力差を緩和するための通気部が設けられる。また、ＥＵＶリソグラフィーでは、露光装置内を真空にするため、ＥＵＶ用ペリクルは大気圧から真空への圧力変化に耐える必要があり、ＥＵＶペリクルの通気部は大面積であることが要求される。

例えば、ＥＵＶペリクルのペリクルフレームの厚みは２．５ｍｍよりも小さくなるが、Ｓｉ、ＳｉＯ₂、ＳｉＣ、ＳｉＮなどの材料から成るペリクルフレームの側面に直径１ｍｍの穴を設けようとした場合には、ペリクルフレームの穴近傍の厚みが小さくなることもあり、穴の加工時やペリクルの剥離時に、ペリクルフレームが破損する可能性が高い。通気部の大面積化が求められれば、さらに破損の可能性が高まることになる。

そこで、熱膨張係数の低い材料としてインバーのような金属を用いることも考えられる。金属や合金は加工が容易であり、ペリクルフレーム側面に穴を設けても破損しない。

ところで、ペリクルフレームの幅は露光領域を広くとるためになるべく小さい方が好ましく、従来は２ｍｍ程度であった。ところが、ＥＵＶペリクルの場合は、ペリクルフレームの幅がペリクル膜により制限されて、３～４ｍｍ程度と大きくする必要があることがわかった。

また、近年では、ＥＵＶ製造のスループット向上を目的として、マスクステージのより高速な移動が要求されており、ペリクルの総重量は１５ｇ以下であることが求められる。

ところが、幅が２ｍｍから４ｍｍになった場合、ペリクルフレームの体積は約２倍に、３ｍｍでも約１．５倍にもなる。そうすると、インバーで作製したペリクルフレームでは重くなりすぎてしまうことが判明した。

特開昭５８－２１９０２３号公報 米国特許第４８６１４０２号明細書 特公昭６３－２７７０７号公報 特開２０１６－２００６１６号公報

本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、ＥＵＶ露光技術を使用して、フォトレジスト膜に１０ｎｍ以下の微細パターンを形成する場合において、ペリクル膜にシワが入ったり、ペリクルフレームからペリクル膜が剥がれたり、破れたり、割れてしまう事態を有効に防止することができ、そのうえ、軽量で破損する危険性の少ないペリクルフレーム及びそれを用いたペリクルを提供することを目的とする。

本発明者は、ペリクル膜を設ける上端面とフォトマスクに面する下端面とを有する枠状のペリクルフレームとして、線膨張係数が１０×１０^-6（１／Ｋ）以下であり、且つ、密度が４．６ｇ／ｃｍ³以下の金属又は合金を用いることにより、ペリクル膜にシワや破損を発生させず、更に軽量であるため最新のＥＵＶ露光技術に最適であることを見出し、本発明をなすに至ったものである。

従って、本発明は、以下のペリクルフレーム及びペリクルを提供する。
１．線膨張係数が１０×１０^-6（１／Ｋ）以下であり、且つ、密度が４．６ｇ／ｃｍ³以下の金属又は合金からなることを特徴とするペリクルフレーム。
２．上記金属又は合金が、チタン又はチタン合金である１記載のペリクルフレーム。
３．厚みが２．５ｍｍ未満である１又は２記載のペリクルフレーム。
４．側面に１個又は複数個の穴が設けられている１～３のいずれかに記載のペリクルフレーム。
５．１～４のいずれかに記載のペリクルフレームを構成要素として含むことを特徴とするペリクル。

本発明のペリクルフレーム及びペリクルによれば、露光による光エネルギーによってペリクルフレームの温度が上昇しても、ペリクルフレームの伸縮、歪みを小さく抑えることができ、ペリクル膜にシワや破損を発生させないものである。また、本発明のペリクルフレーム及びペリクルは、加工性に優れるため歩留りの向上が見込め、通気部の面積を大きくとることもでき、更には、ペリクル剥離時などに破損する危険性も少なく、軽量であるため最新のＥＵＶ露光技術に適用可能である。

本発明のペリクルフレームの一実施形態を示す模式図（実施例）であり、（Ａ）は下端面側から見た図であり、（Ｂ）は長辺外側面側から見た図であり、（Ｃ）は短辺外側面側から見た図である。 本発明のペリクルフレームの他の実施形態を示す模式図であり、（Ａ）は下端面側から見た図であり、（Ｂ）は長辺外側面側から見た図であり、（Ｃ）は短辺外側面側から見た図である。

本発明のペリクルフレームは、通常、ペリクル膜を設ける上端面とフォトマスクに面する下端面とを有する。また、その形状はペリクルを装着するフォトマスクの形状に対応した枠状である。一般的には、四角形（長方形又は正方形）枠状である。

ペリクルフレームには、ペリクル膜を設けるための上端面と、フォトマスク装着時にフォトマスクに面する下端面があり、通常、上端面には、接着剤等を介してペリクル膜が設けられ、下端面には、ペリクルをフォトマスクに装着するための粘着剤等が設けられるが、この限りではない。

ペリクルフレームの寸法は、特に限定されないが、ＥＵＶ用ペリクルの高さは２．５ｍｍ以下に制限されることから、ＥＵＶ用のペリクルフレームの厚みはそれよりも小さくなり２．５ｍｍ未満である。実際には、ペリクル膜やマスク粘着剤等の厚みを勘案すると、２．０ｍｍ以下であることが好ましく、１．６ｍｍ以下であることがより好ましい。

また、ペリクルとしての機能を十分に発揮するためには、高さが１．５ｍｍ以上必要である。そうすると、ＥＵＶ用のペリクルフレームの厚みは、ペリクル膜やマスク粘着剤等の厚みを勘案すると、１．０ｍｍ以上であることが好ましい。

さらに、通常、ペリクルフレーム側面には、ハンドリングやペリクルをフォトマスクから剥離する際に用いられる治具穴や、ペリクル内外の圧力差を緩和するための通気部が設けられる。また、ＥＵＶリソグラフィーでは、露光装置内を真空にするため、ＥＵＶ用ペリクルは大気圧から真空への圧力変化に耐える必要があり、ＥＵＶペリクルの通気部はなるべく大面積であることが好ましい。

したがって、ペリクルフレームの側面には、穴が設けられることが好ましく、治具穴や通気孔の大きさはフレームの厚み方向の長さ（円形の場合は直径）が０．５～１．０ｍｍである。穴の形状に制限はなく、円形や矩形であっても構わない。また、通常、治具穴は外側面から内側面に貫通しない穴であり、通気孔は外側面から内側面に貫通する穴となっている。

ペリクルフレームの側面に穴を設ける場合、加工上の制約やフレームの強度を保つため、加工穴の周囲には少なくとも０．２ｍｍのマージンが必要である。大きさがフレームの厚み方向の長さで１．０ｍｍ以上の治具穴や通気孔を設けようとすれば、フレームの厚みは１．４ｍｍ以上であることが好ましい。

ＥＵＶペリクルフレームの寸法は、通常、外寸で長辺の長さが１４５～１５２ｍｍ、短辺の長さが１１３～１２０ｍｍ、厚みが１．０～２．０ｍｍであり、幅は３．０～４．０ｍｍである。また、ペリクルフレームの体積は３．２ｃｍ³以下であることが好ましく、２．６ｃｍ³以下であることがより好ましい。

本発明において、ペリクルフレームの材料は、線膨張係数が１０×１０^-6（１／Ｋ）以下、且つ、密度が５ｇ／ｃｍ³以下の金属又は合金を用いる。

本発明では、ペリクルフレームの材料として金属又は合金を用いることにより、０．２ｍｍのマージンでも側面に穴を設けることができる。例えば、厚み１．５ｍｍのペリクルフレームの側面に直径１．０ｍｍの穴を設けられる。このとき穴の上下のマージンは、０．２５ｍｍである。

なお、シリコン単結晶のような脆性材料からなるペリクルフレームに、穴を形成する場合には、穴の周囲に少なくとも０．５ｍｍのマージンが必要である。したがって、厚み１．５ｍｍのペリクルフレームの側面には、直径０．５ｍｍまでの穴しか形成できない。これでは、ＥＵＶペリクルとしては通気部の大きさが不十分となるおそれがある他、直径０．５ｍｍの治具穴で確実に保持や剥離するためには、穴の個数を増やす必要があり、歩留りも低下する。更に、マージンが０．５ｍｍあっても剥離時のように大きな力がかかる際は破損する可能性が高い。

本発明では、ペリクルフレームの材料の線膨張係数が１０×１０^-6（１／Ｋ）以下であり、この範囲内であれば、露光時の光エネルギーによる温度上昇によって生じ得るペリクルフレームの伸縮、歪みを十分に小さく抑えることができ、ペリクル膜にシワや破損を発生させずに済む。

また、本発明では、ペリクルフレーム材料である金属又は合金の密度は４．６ｇ／ｃｍ³以下である。この密度の範囲内であれば、体積が３．２ｃｍ³以下のペリクルフレームにおいて、重量を１５ｇ以下にすることが可能となる。但し、ペリクルフレームの体積が２．６ｃｍ³超える場合には、ペリクルフレーム以外のペリクル膜やマスク粘着剤の重量を３ｇ以下にする必要がある。したがって、ペリクルフレームの体積は２．６ｃｍ³以下とすることが好ましく、密度もより好ましくは４．５ｇ／ｃｍ³以下である。

このような金属又は合金としては、チタンやＴｉ－Ｖ－Ａｌ合金、Ｔｉ－Ｖ－Ｃｒ－Ｓｎ－Ａｌ合金等のチタン合金が挙げられ、これらを用いることが好ましい。

本発明のペリクルでは、上記のペリクルフレームの上端面に、粘着剤又は接着剤を介して、ペリクル膜が設けられる。粘着剤や接着剤の材料に制限はなく、公知のものを使用することができる。例えば、ペリクル膜の良溶媒を塗布した後、風乾して接着してもよいし、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂等の接着剤や粘着剤を用いてもよい。

また、ペリクル膜の材質に制限はないが、露光光源の波長における透過率が高く耐光性の高いものが好ましい。例えば、エキシマレーザー用としては非晶質フッ素ポリマー等を用いることができる。非晶質フッ素ポリマーの例としては、サイトップ［旭硝子株式会社製：商品名］、テフロン（登録商標）ＡＦ［デュポン株式会社製：商品名］等が挙げられる。

また、ＥＵＶ露光に対しては単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコンから構成される極薄シリコン膜や炭素膜等が用いられる。ペリクル膜には、ＳｉＣ、ＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＳｉＯＮ、Ｙ₂Ｏ₃、ＹＮ、Ｍｏ、Ｒｕ及びＲｈなどの保護膜を備えてもよい。

更にペリクルフレームの下端面には、フォトマスクに装着するための粘着剤が形成される。マスク粘着剤としては、公知のものを使用することができ、ポリブテン樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、ＳＥＢＳ（ポリ（スチレン－エチレン－ブタジエン－スチレン））樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂等からなる粘着剤を使用することができる。特にアクリル樹脂、シリコーン樹脂からなる粘着剤が好ましい。

ペリクル膜接着剤、及びマスク粘着剤の塗布は、例えば、ディップ、スプレー、刷毛塗り、ディスペンサーによる塗布装置等にて行うことができるが、ディスペンサーによる塗布装置を使用した塗布が、安定性、作業性、歩留り等の点から好ましい。

また、粘着剤や接着剤は、一般的にペリクルフレーム端面の周方向全周に亘って、ペリクルフレーム幅と同じ又はそれ以下の幅に形成される。

さらに、ペリクル膜接着剤、及びマスク粘着剤の粘度が高くて塗布装置による塗布が困難な場合には、必要に応じて、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤、ヘキサン、オクタン、イソオクタン、イソパラフィン等の脂肪族系溶剤、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶剤、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶剤、ジイソプルピルエーテル、１，４－ジオキサン等のエーテル系溶剤、又はこれらの混合溶剤を添加することができる。

マスク粘着剤の下端面には、粘着剤を保護するための離型層（セパレータ）が貼り付けられていてもよい。離型層の材質は、特に制限されないが、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリプロピレン（ＰＰ）等を使用することができる。また、必要に応じて、シリコーン系離型剤やフッ素系離型剤等の離型剤を離型層の表面に塗布してもよい。

ペリクルフレームに外側面から内側面に貫通する穴を設けた場合は、パーティクル除去の目的で除塵用フィルターが設けられてもよい。フィルターは穴の内部に設置されていてもよいし、穴の開口部を覆うように側面に設置されてもよい。

なお、ＥＵＶ用ペリクルフレームでは、通気孔の開口部の面積が合計で５ｍｍ²以上とすることが好ましく、１０ｍｍ²以上とすることがより好ましい。通気孔は、例えば、下端面に凹部ができるように外側面から内側面に向かって貫通させてもよい。

ここで、図１及び図２は、本発明のペリクルフレーム２を構成要素として含むペリクル１の一例を示す。ペリクルフレーム２の上端面には接着剤５によりペリクル膜３が接着，張設されている。また、ペリクルフレーム２の下端面には、フォトマスク（特に図示せず）に装着するための粘着剤４が設けられている。また、図中、符号６は通気孔であり、図２のペリクルフレームは、図１とは異なり通気孔が下端面に凹部６ができるように形成されている。なお、符号７は、通常、治具を使ってフォトマスクからペリクルを剥離するために形成される治具穴を示す。

以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。

［実施例１］
チタン（線膨張係数：８．４×１０^-6（１／Ｋ）、密度：４．５ｇ／ｃｍ³）製のペリクルフレーム（外寸１５０ｍｍ×１１８ｍｍ×１．５ｍｍ、フレーム幅３．０ｍｍ）を作製した。

ペリクルフレーム長辺の外側面に、辺中央からコーナー方向へ５２ｍｍ離れた２箇所に、直径１ｍｍ×奥行１．２ｍｍの治具穴を設けた。また、長辺中央からコーナー方向へ１０ｍｍ、３０ｍｍ、６５ｍｍ離れた６箇所と、短辺中央からコーナー方向へ１０ｍｍ、３０ｍｍ離れた４箇所に貫通孔を設けた。

このペリクルフレームを中性洗剤と純水により洗浄して乾燥させた後、フレーム上端面と下端面にシリコーン粘着剤（信越化学工業（株）製Ｘ－４０－３２６４）を全周に渡り塗布した。

その後、ペリクルフレームを９０℃で１２時間加熱して、上下端面の粘着剤を硬化させた。続いて、ペリクル膜として極薄シリコン膜を、フレーム上端面に形成した粘着剤に圧着させて、ペリクルを完成させた。

ここで、ペリクルフレームの体積は約２．４ｃｍ³であり、ペリクル膜と粘着剤の合計重量は約３．１ｇである。

［実施例２］
ペリクルフレームの材料として、チタンとアルミとバナジウムの合金であるＴｉ－Ａｌ６－Ｖ４チタン合金（線膨張係数：８．８×１０^-6（１／Ｋ）、密度：４．４ｇ／ｃｍ³）を用いた。それ以外は、実施例１と同様にペリクルを作製した。

［比較例１］
ペリクルフレームの材料として、石英ガラス（ＳｉＯ₂）（線膨張係数：０．５×１０^-6（１／Ｋ）、密度：２．２ｇ／ｃｍ³）を用いた。それ以外は、実施例１と同様にペリクルを作製した。

ここでは、ペリクルフレームに治具穴又は貫通孔を設ける際に、１０個中７個が破損してしまった。また、後述するヒートサイクル試験後に、剥離治具を用いて石英基板からペリクルを剥離しようとすると、治具穴が破損してしまった。

［比較例２］
ペリクルフレームの材料として、窒化ケイ素（Ｓｉ₃Ｎ₄）（線膨張係数：２．８×１０^-6（１／Ｋ）、密度：３．２ｇ／ｃｍ³）を用いた。それ以外は、実施例１と同様にペリクルを作製した。

ここでは、ペリクルフレームに治具穴又は貫通孔を設ける際に、１０個中９個が破損してしまった。また、後述するヒートサイクル試験後に、剥離治具を用いて石英基板からペリクルを剥離しようとすると、治具穴が破損してしまった。

［比較例３］
ペリクルフレームの材料として、インバー（Ｆｅ－Ｎｉ３６）（線膨張係数：１．５×１０^-6（１／Ｋ）、密度：８．１ｇ／ｃｍ³）を用いた。それ以外は、実施例１と同様にペリクルを作製した。

［比較例４］
ペリクルフレームの材料として、アルミ（Ａｌ）（線膨張係数：２３×１０^-6（１／Ｋ）、密度：２．７ｇ／ｃｍ³）を用いた。それ以外は、実施例１と同様にペリクルを作製した。

実施例１、２、比較例１～４で作製したペリクルについて、以下に示すヒートサイクル試験を実施した。表１には、各材料のペリクルフレームとしての加工性、ヒートサイクル試験結果、ペリクル重量、及び、各ペリクルの総合評価結果を示す。

［ヒートサイクル試験］
石英基板に貼り付けたペリクルを、オーブンで２００℃に加熱して２４時間静置した後、さらに室温で２４時間静置する、というサイクルを５回繰り返した。その後、ペリクルの状態を目視にて確認した。

表１の結果によれば、実施例１、２のペリクルは、ヒートサイクル試験結果、加工性ともに良好であり、ペリクル重量も１５ｇ以下に抑えることができた。
一方、比較例１、２のペリクルは、加工性に問題があり、側面部に穴を設けるのが困難であった。
比較例３のペリクルは、ヒートサイクル試験結果、加工性ともに良好であったが、ペリクル重量が１５ｇを超えてしまうため、ＥＵＶリソグラフィーに適用することができない。
比較例４のペリクルフレームは、ヒートサイクル試験によるペリクル用フレームの伸縮が大きく、ペリクル膜に割れが生じてしまった。

１ ペリクル
２ ペリクルフレーム
３ ペリクル膜
４ フォトマスク粘着剤
５ ペリクル膜接着剤
６ 通気孔
７ 治具穴

Claims (1)

1. 線膨張係数が１０×１０^-6（１／Ｋ）以下であり、且つ、密度が４．６ｇ／ｃｍ³以下の金属又は合金を材質とし、ＥＵＶ露光用であることを特徴とするペリクルフレーム。

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