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JP2023032391A - Substrate processing device and substrate processing method - Google Patents

Substrate processing device and substrate processing method Download PDF

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JP2023032391A JP2021138505A JP2021138505A JP2023032391A JP 2023032391 A JP2023032391 A JP 2023032391A JP 2021138505 A JP2021138505 A JP 2021138505A JP 2021138505 A JP2021138505 A JP 2021138505A JP 2023032391 A JP2023032391 A JP 2023032391A
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Abstract

To provide a transport control mode suitable for a substrate processing device with a lift mechanism provided in a processing unit for lifting a substrate from a processing location where the substrate is processed and a substrate processing method.SOLUTION: The substrate processing device includes a processing unit for processes a substrate, a lift mechanism for moving a substrate processed at a processing position in the processing unit to an upper position above the processing position, a conveyance mechanism for carrying out the substrate located at the upper portion from the processing unit, and a control unit for controlling the conveyance mechanism. The conveyance mechanism is capable of moving between a plurality of positions including a position for conveying a substrate out of the processing unit. The control unit determines when to start moving the conveyance mechanism to the position for carrying out on the basis of when the substrate being moved by the lift mechanism reaches the upper position and the position of the conveyance mechanism.SELECTED DRAWING: Figure 5

Description

この発明は、処理部で基板を処理し、処理後の基板を処理部から搬出する基板処理装置および基板処理方法に関するものである。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for processing a substrate in a processing section and unloading the processed substrate from the processing section.

例えば特許文献1に記載のように、液晶表示装置用ガラス基板(以下、基板と称する)等の各種基板に対して、基板の表面に例えばレジスト膜などの被膜を形成する処理を実行する装置が知られている。この基板処理装置においては、露光処理を行う前に基板の表面に良好なレジスト膜を形成するために、塗布部、減圧乾燥部およびプリベーク部が設けられている。塗布部はノズルの先端部に設けられた吐出口から基板の表面に向けて処理液としてレジスト液を吐出してレジスト液の塗膜を形成する。そして、減圧乾燥部は基板の表面に塗布された当該レジスト液の溶媒を減圧により蒸発させて、基板を乾燥させる。さらに、プリベーク部はホットプレートユニットにより基板を加熱処理し、基板の表面上のレジスト成分を固化させる。加熱後の基板はクールプレートユニットで冷却処理される。 For example, as described in Patent Document 1, there is an apparatus for forming a film such as a resist film on the surface of various substrates such as a glass substrate for a liquid crystal display device (hereinafter referred to as a substrate). Are known. This substrate processing apparatus is provided with a coating section, a reduced pressure drying section, and a pre-baking section in order to form a good resist film on the surface of the substrate before exposure processing. The coating section forms a coating film of the resist liquid by discharging the resist liquid as the processing liquid toward the surface of the substrate from the discharge port provided at the tip of the nozzle. Then, the reduced-pressure drying section evaporates the solvent of the resist liquid applied on the surface of the substrate by reducing the pressure, and dries the substrate. Further, the pre-baking section heats the substrate by a hot plate unit to solidify the resist component on the surface of the substrate. After heating, the substrate is cooled by a cool plate unit.

この種の基板処理装置では、多数の基板を並列処理するために、基板に対し塗布処理、加熱処理、冷却処理等の各種処理に特化された処理部が、それぞれ複数設けられるのが一般的である。このような場合、それぞれの処理部での処理に要する時間が必ずしも同じでないことから、処理部間での基板の受け渡しに際しては基板の滞留を生じさせないための工夫が必要とされる。例えば特許文献1に記載の装置においては、基板に対する熱処理時間を一定とするために、ホットプレートユニットおよびクールプレートユニットでの処理とそれらの間の基板搬送とが所定のタクトタイムで実行されるように処理シーケンスが構成されている。 In this type of substrate processing apparatus, in order to process a large number of substrates in parallel, it is common to provide a plurality of processing units specialized for various types of substrate processing such as coating processing, heating processing, and cooling processing. is. In such a case, since the time required for processing in each processing section is not always the same, it is necessary to devise ways to prevent substrates from stagnation when transferring substrates between processing sections. For example, in the apparatus disclosed in Patent Document 1, in order to keep the heat treatment time for the substrate constant, the processing in the hot plate unit and the cool plate unit and the substrate transfer between them are performed in a predetermined tact time. A processing sequence is configured in

特開2020-047895号公報JP 2020-047895 A

特許文献1には各処理部での処理やユニット間の基板搬送の詳細な内容については言及されていないが、上記目的からみて、加熱処理の終了後、遅滞なく基板を搬出する必要がある。このために、処理部間で基板を搬送する搬送機構は、加熱処理が終了した時点で基板を搬出可能な状態で待機しているものと考えられる。一方で、複数の処理部間で効率よく基板を搬送するためには、1回の基板搬送のために搬送機構が占用される時間をできるだけ短くしておく必要がある。 Although Patent Document 1 does not mention the details of the processing in each processing section and the substrate transfer between units, in view of the above purpose, it is necessary to unload the substrate without delay after the heating processing is completed. For this reason, it is considered that the transport mechanism that transports the substrate between the processing units is on standby in a state in which the substrate can be unloaded when the heat treatment is completed. On the other hand, in order to efficiently transport substrates between a plurality of processing units, it is necessary to minimize the time during which the transport mechanism is occupied for one substrate transport.

このように、搬送機構を占用する時間をできるだけ短くし、しかも搬送機構を確実なタイミングで所定の位置に位置決めしておくことができるような、搬送機構の制御方式が確立されることが望まれる。しかしながら、処理部の構成やその組み合わせとしては種々のものがあり得るため、普遍的な制御方式を確立することは困難である。このため、例えば処理部の構成に応じて、それに適した制御方式を構築してゆくことが有効と考えられる。 In this way, it is desirable to establish a control system for the transport mechanism that can shorten the time that the transport mechanism is occupied as much as possible and that can position the transport mechanism at a predetermined position at a reliable timing. . However, it is difficult to establish a universal control method because there are various configurations and combinations of processing units. For this reason, it is considered effective, for example, to construct a control method suitable for the configuration of the processing unit.

この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、基板が処理される処理位置から基板を上昇させるリフト機構が処理部に設けられた基板処理装置および基板処理方法に好適な搬送制御態様を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and provides a transfer control mode suitable for a substrate processing apparatus and a substrate processing method in which a lift mechanism for lifting a substrate from a processing position where the substrate is processed is provided in a processing section. for the purpose.

この発明に係る基板処理装置の一の態様は、基板を処理する処理部と、前記処理部内の処理位置で処理された前記基板を、前記処理位置より上方の上部位置へ移動させるリフト機構と、前記上部位置の前記基板を前記処理部から搬出する搬送機構と、前記搬送機構を制御する制御部とを備えている。ここで、前記搬送機構は、前記処理部から前記基板を搬出するための搬出用位置を含む複数の位置の間を移動可能であり、前記制御部は、前記リフト機構により移動される前記基板が前記上部位置に到達する時と、前記搬送機構の位置とに基づき、前記搬送機構の前記搬出用位置への移動開始タイミングを決定する。 One aspect of a substrate processing apparatus according to the present invention is a processing section for processing a substrate; a lift mechanism for moving the substrate processed at a processing position in the processing section to an upper position above the processing position; A transport mechanism for unloading the substrate at the upper position from the processing unit, and a control unit for controlling the transport mechanism are provided. Here, the transport mechanism is movable between a plurality of positions including an unloading position for unloading the substrate from the processing unit, and the control unit controls the position of the substrate moved by the lift mechanism. A movement start timing of the transport mechanism to the unloading position is determined based on the time when the transport mechanism reaches the upper position and the position of the transport mechanism.

また、この発明に係る基板処理方法の一の態様は、処理部内の処理位置で基板を処理する工程と、処理後の前記基板を、リフト機構により前記処理位置より上方の上部位置へ移動させる工程と、前記上部位置の前記基板を前記処理部から搬出する工程とを備えている。ここで、前記基板の搬出は、前記処理部から前記基板を搬出するための搬出用位置を含む複数の位置の間を移動可能な搬送機構を前記搬出用位置に位置決めして行う。そして、前記搬送機構の前記搬出用位置への移動開始タイミングは、前記リフト機構により移動される前記基板が前記上部位置に到達する時と、前記搬送機構の位置とに基づき決定される。 Further, one aspect of the substrate processing method according to the present invention includes a step of processing a substrate at a processing position in a processing section, and a step of moving the processed substrate to an upper position above the processing position by a lift mechanism. and carrying out the substrate at the upper position from the processing section. Here, the substrate is carried out by positioning a transport mechanism capable of moving between a plurality of positions including a carry-out position for carrying out the substrate from the processing section to the carry-out position. The timing at which the transport mechanism starts to move to the unloading position is determined based on the time when the substrate moved by the lift mechanism reaches the upper position and the position of the transport mechanism.

処理部内の処理位置で基板を処理した後、基板をリフト機構により上部位置へ移動させてから搬出する構成においては、基板へのダメージを防止するために、基板の上昇は比較的ゆっくりした速度で行われる。このため、処理位置から上部位置への基板の移動にはある程度の長い時間を要する。一方、複数位置の間を移動可能な搬送機構では、搬出用位置への移動を開始してから搬出用位置に到達するまでに要する時間は、搬送機構が移動開始時にどの位置にあったかにより異なる。 In a configuration in which the substrate is processed at the processing position in the processing section and then moved to the upper position by the lift mechanism before being unloaded, the substrate is lifted at a relatively slow speed in order to prevent damage to the substrate. done. Therefore, it takes a long time to move the substrate from the processing position to the upper position. On the other hand, in a transport mechanism that can move between a plurality of positions, the time required from the start of movement to the unloading position until reaching the unloading position varies depending on the position of the transport mechanism at the start of movement.

したがって、仮に搬送機構の移動開始タイミングを固定的に設定するとすれば、移動時間が最も長いケースでも基板を搬出すべき時刻に間に合うように、搬送機構の移動を早めに開始することになると考えられる。そうすると、場合によっては搬送機構が搬出用位置で待機する時間が長くなり、この間、搬送機構を他の基板の搬送に利用することができない。 Therefore, if the movement start timing of the transport mechanism is fixed, even in the case where the movement time is the longest, the movement of the transport mechanism will be started early so that the substrate can be unloaded in time. . As a result, the transport mechanism may wait at the unloading position for a long time, and the transport mechanism cannot be used to transport other substrates during this time.

そこで、本発明では、処理部においてリフト機構により移動される処理後の基板が上部位置に到達する時と、搬送機構の位置との関係性に基づき、搬送機構の搬出用位置への移動開始タイミングが決定される。このため、例えば搬送機構が搬出用位置に到達するまでに長い時間を要する位置にあるときには移動開始タイミングを早くする一方、逆に移動時間が短くて済むケースでは移動開始タイミングを遅らせることができる。これにより、搬送機構を占用する期間を最小限にしつつ、必要なタイミングに遅滞することなく搬出用位置に移動させることができる。 Therefore, in the present invention, the movement start timing of the transport mechanism to the unloading position is based on the relationship between the time when the substrate after processing that is moved by the lift mechanism in the processing section reaches the upper position and the position of the transport mechanism. is determined. Therefore, for example, when the transport mechanism is at a position where it takes a long time to reach the unloading position, the movement start timing can be advanced, and conversely, when the movement time can be short, the movement start timing can be delayed. As a result, while minimizing the period during which the transport mechanism is occupied, the sheet can be moved to the unloading position without delay at the required timing.

以上のように、本発明によれば、処理後の基板が上部位置に到達する時と搬送機構の位置との関係性に基づき搬送機構の移動開始タイミングが決定される。そのため、基板が処理される処理位置から基板を上昇させるリフト機構が処理部に設けられた基板処理装置および基板処理方法において、最適な搬送制御を実現することが可能になる。 As described above, according to the present invention, the movement start timing of the transport mechanism is determined based on the relationship between the time when the processed substrate reaches the upper position and the position of the transport mechanism. Therefore, in the substrate processing apparatus and the substrate processing method in which the processing section is provided with a lift mechanism for lifting the substrate from the processing position where the substrate is processed, it is possible to realize optimum transfer control.

本発明に係る基板処理装置の一実施形態の概略構成を示す上面図である。1 is a top view showing a schematic configuration of an embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention; FIG. プリベーク部の構成を概略的に示す図である。It is a figure which shows roughly the structure of a pre-baking part. ホットプレートユニットの内部構成を示す側面断面図である。FIG. 4 is a side cross-sectional view showing the internal configuration of the hot plate unit; リフト機構による基板の昇降動作を説明する図である。It is a figure explaining the raising-lowering operation|movement of a board|substrate by a lift mechanism. 移動開始タイミング決定処理の具体例を示すフローチャートである。9 is a flowchart showing a specific example of movement start timing determination processing; 熱処理における各部の動作を示すタイミングチャートである。4 is a timing chart showing the operation of each part in heat treatment;

図1は本発明に係る基板処理装置の一実施形態の概略構成を示す上面図である。基板処理装置1は、例えば液晶表示装置用ガラス基板のような平板状の基板に対してレジスト液の塗布(塗布処理)、減圧乾燥処理およびプリベーク処理を行う装置である。この基板処理装置1は上記3つの処理を行う専用装置として構成されてもよいし、適宜の前処理および/または後処理を行う装置と組み合わされる形で構成されてもよい。以下の各図における方向を統一的に示すために、図1に示すようにXYZ直交座標系を設定する。XY平面が水平面を表し、Z方向が鉛直方向を表す。より具体的には、(-Z)方向が鉛直下向き方向である。 FIG. 1 is a top view showing a schematic configuration of one embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention. The substrate processing apparatus 1 is an apparatus that applies a resist solution (coating process), a drying process under reduced pressure, and a pre-baking process to a flat substrate such as a glass substrate for a liquid crystal display device. The substrate processing apparatus 1 may be configured as a dedicated apparatus for performing the above three processes, or may be configured in combination with an apparatus for performing appropriate pre-processing and/or post-processing. An XYZ orthogonal coordinate system is set as shown in FIG. 1 in order to uniformly show the directions in the following figures. The XY plane represents the horizontal plane, and the Z direction represents the vertical direction. More specifically, the (-Z) direction is the vertically downward direction.

基板処理装置1は、塗布処理を行う塗布部10と、減圧乾燥処理を行う減圧乾燥部20と、プリベーク処理を行うプリベーク部30と、これら3つの処理部(塗布部10、減圧乾燥部20およびプリベーク部30)に取り囲まれるように配置された搬送ロボットTRとを備えている。搬送ロボットTRは、その周囲に配置された塗布部10、減圧乾燥部20およびプリベーク部30にアクセス可能に構成されており、それらの間で基板を搬送する。より具体的には、搬送ロボットTRは装置全体を制御する制御部40により制御され、次の基板搬送を行う。 The substrate processing apparatus 1 includes a coating section 10 that performs a coating process, a reduced pressure drying section 20 that performs a reduced pressure drying process, a prebaking section 30 that performs a prebaking process, and these three processing sections (the coating section 10, the reduced pressure drying section 20, and the and a transport robot TR arranged so as to be surrounded by the pre-baking section 30). The transport robot TR is configured to be able to access the coating unit 10, the reduced-pressure drying unit 20, and the pre-baking unit 30 arranged around it, and transports substrates therebetween. More specifically, the transport robot TR is controlled by a control unit 40 that controls the entire apparatus, and transports the next substrate.

すなわち、搬送ロボットTRは、図示を省略する基板洗浄部により微細なパーティクルをはじめ、有機汚染や金属汚染、油脂、自然酸化膜等が除去された清浄な基板を受け取ると、当該基板を塗布部10に搬送する。また、搬送ロボットTRは塗布部10により表面にレジスト液(処理液)の塗膜が形成された基板を受け取り、減圧乾燥部20に搬送する。さらに、搬送ロボットTRは減圧乾燥部20により減圧乾燥処理された基板を受け取り、プリベーク部30に搬送して当該基板を払い出す。なお、本実施形態では、清浄な基板の塗布部10への搬送が搬送ロボットTRにより行われるが、搬送ロボットTRと異なる搬送手段により塗布部10への基板の搬送を行うように構成してもよい。 That is, when the transfer robot TR receives a clean substrate from which fine particles, organic contamination, metal contamination, grease, natural oxide film, etc. have been removed by a substrate cleaning unit (not shown), the substrate is transferred to the coating unit 10 . transport to Further, the transport robot TR receives a substrate having a resist liquid (processing liquid) coating film formed on the surface thereof by the coating unit 10 and transports the substrate to the reduced pressure drying unit 20 . Further, the transport robot TR receives the substrate dried under reduced pressure by the reduced pressure drying section 20, transports it to the pre-baking section 30, and discharges the substrate. In this embodiment, the transport robot TR transports the clean substrate to the coating unit 10. However, the substrate may be transported to the coating unit 10 by transport means different from the transport robot TR. good.

制御部40は、図1に示されるように、例えば、CPU41、ROM42、RAM43、記憶装置44等が、バスライン45を介して相互接続された一般的なコンピューター装置によって構成される。ROM42は基本プログラム等を格納しており、RAM43はCPU41が所定の処理を行う際の作業領域として供される。記憶装置44は、フラッシュメモリ、あるいは、ハードディスク装置等の不揮発性の記憶装置によって構成される。 As shown in FIG. 1, the control unit 40 is composed of a general computer device in which, for example, a CPU 41, a ROM 42, a RAM 43, a storage device 44, etc. are interconnected via a bus line 45. FIG. The ROM 42 stores basic programs and the like, and the RAM 43 serves as a working area when the CPU 41 performs predetermined processing. The storage device 44 is composed of a flash memory or a non-volatile storage device such as a hard disk device.

また、制御部40では、入力部46、表示部47、通信部48もバスライン45に接続されている。入力部46は、各種スイッチ、タッチパネル等により構成されており、オペレーターから処理レシピ等の各種の入力設定指示を受ける。表示部47は、液晶表示装置、ランプ等により構成されており、CPU41による制御のもと各種の情報を表示する。通信部48は、LAN等を介したデータ通信機能を有する。 In the control unit 40 , an input unit 46 , a display unit 47 and a communication unit 48 are also connected to the bus line 45 . The input unit 46 includes various switches, a touch panel, and the like, and receives various input setting instructions such as processing recipes from an operator. The display unit 47 is composed of a liquid crystal display device, a lamp, etc., and displays various information under the control of the CPU 41 . The communication unit 48 has a data communication function via LAN or the like.

制御部40の記憶装置44には、基板処理装置1により基板を処理する処理プログラムが予め記憶されている。そして、CPU41が記憶装置44から処理プログラムを読み出し、処理プログラムを実行する。これによって、塗布部10による塗布処理および減圧乾燥部20による減圧乾燥処理を受けた基板は、搬送ロボットTRにより減圧乾燥部20から取り出され、プリベーク部30に払い出されて熱処理および冷却処理を受ける。 A processing program for processing substrates by the substrate processing apparatus 1 is stored in advance in the storage device 44 of the control unit 40 . Then, the CPU 41 reads the processing program from the storage device 44 and executes the processing program. As a result, the substrate that has undergone the coating process by the coating section 10 and the reduced pressure drying process by the reduced pressure drying section 20 is taken out from the reduced pressure drying section 20 by the transport robot TR, delivered to the pre-baking section 30, and subjected to the heat treatment and the cooling process. .

図2はプリベーク部の構成を概略的に示す図である。プリベーク部30は、図1および図2(a)に示すように、それぞれ処理ユニットが多段に積層された第1積層体31、第2積層体32、第3積層体33と、これらの間での基板搬送を担う搬送機構35とを備えている。第1積層体31は搬送ロボットTRの(+Y)側に隣接した位置に設けられており、搬送ロボットTRにより搬送されてくる基板を受け入れて一時的に保管する搬入側受渡部IPが多段に積み重ねられた構造を有している。 FIG. 2 is a diagram schematically showing the configuration of the prebake section. As shown in FIGS. 1 and 2(a), the pre-bake section 30 includes a first laminate 31, a second laminate 32, and a third laminate 33 in which processing units are laminated in multiple stages, and a and a transport mechanism 35 for transporting substrates. The first stacked body 31 is provided at a position adjacent to the (+Y) side of the transport robot TR, and the loading-side transfer part IP that receives and temporarily stores the substrates transported by the transport robot TR is stacked in multiple stages. It has a structured structure.

第1積層体31の(+Y)側、つまり第1積層体31を挟んで搬送ロボットTRと反対側には、搬送機構35が設けられている。搬送機構35は、後述する構成により、第1ないし第3積層体31~33の間での基板の受け渡しを行う。搬送機構35の(-X)側には第2積層体32が設けられている。第2積層体32には、基板に対し熱処理を施すホットプレートユニットHPが多段に積み重ねられている。 A transport mechanism 35 is provided on the (+Y) side of the first stacked body 31, that is, on the side opposite to the transport robot TR with the first stacked body 31 interposed therebetween. The transport mechanism 35 transfers the substrates among the first to third laminates 31 to 33 with a structure described later. A second laminate 32 is provided on the (−X) side of the transport mechanism 35 . In the second laminate 32, hot plate units HP for heat-treating substrates are stacked in multiple stages.

また、搬送機構35の(+Y)側には第3積層体33が設けられている。第3積層体33は、熱処理後の基板を冷却処理するクールプレートユニットCPと、冷却処理後の基板を受け入れて一時的に保管する搬出側受渡部OPとがそれぞれ多段に積層された構造を有している。 A third laminate 33 is provided on the (+Y) side of the transport mechanism 35 . The third laminate 33 has a structure in which a cool plate unit CP for cooling the substrate after heat treatment and an unloading-side transfer part OP for receiving and temporarily storing the substrate after the cooling treatment are stacked in multiple layers. are doing.

図2(b)に示すように、搬送機構35は、第1ないし第3積層体31~33に囲まれた位置、つまり図2(a)に点線で示した位置に設置される台座部351と、台座部351に対し鉛直軸まわりに回転自在に設けられた支柱352と、支柱352の延設方向、つまりZ方向に昇降自在に設けられた1対のハンド353,354とを備えている。ハンド353,354は図示しない昇降機構により一体的に昇降可能である一方、それぞれが個別に水平方向に伸縮自在となっている。ハンド353,354はそれぞれ櫛歯形状となっており、その上部に基板Sを水平姿勢で支持することができる。すなわち、搬送機構35は、最大2枚の基板Sを同時に保持することが可能である。 As shown in FIG. 2(b), the transport mechanism 35 has a pedestal 351 installed at a position surrounded by the first to third laminates 31 to 33, that is, at a position indicated by a dotted line in FIG. 2(a). , a support 352 provided rotatably around a vertical axis with respect to a pedestal 351, and a pair of hands 353 and 354 provided up and down in the extending direction of the support 352, that is, in the Z direction. . The hands 353 and 354 can be integrally raised and lowered by a lifting mechanism (not shown), while each of them can be individually extended and retracted in the horizontal direction. Each of the hands 353 and 354 has a comb-teeth shape, and can support the substrate S in a horizontal posture on the top thereof. That is, the transport mechanism 35 can hold a maximum of two substrates S at the same time.

支柱352の回転と、ハンド353,354の昇降および伸縮との組み合わせにより、搬送機構35は、プリベーク部30を構成する各処理ユニット、具体的には第1積層体31に設けられた搬入側受渡部IPの各々、第2積層体32に設けられたホットプレートユニットHPの各々、第3積層体33に設けられたクールプレートユニットCPの各々、および、第3積層体33に設けられた搬出側受渡部OPの各々に対し選択的にアクセスすることができる。このように、搬送機構35は、プリベーク部30を構成する各処理ユニットにアクセスして該処理ユニットに基板Sを搬入したり、処理ユニットから基板Sを搬出したりすることができる。 By a combination of the rotation of the column 352 and the elevating and contracting of the hands 353 and 354, the transport mechanism 35 moves each processing unit constituting the pre-bake section 30, specifically, the loading-side receiver provided in the first laminate 31. Each of the crossover IPs, each of the hot plate units HP provided in the second laminate 32, each of the cool plate units CP provided in the third laminate 33, and the unloading side provided in the third laminate 33 Each of the delivery units OP can be selectively accessed. In this manner, the transport mechanism 35 can access each processing unit constituting the prebaking section 30 to load the substrate S into the processing unit or unload the substrate S from the processing unit.

プリベーク部30における動作は概略以下の通りである。すなわち、搬送機構35は、前処理工程から払い出されて搬入側受渡部IPのいずれかに保管されている熱処理前の基板を取り出して、ホットプレートユニットHPの1つに搬入する。ホットプレートユニットHPは基板を加熱することで、基板に形成されたレジスト膜のプリベークを行う(熱処理)。熱処理後の基板については、搬送機構35がホットプレートユニットHPからこれを取り出し、クールプレートユニットCPに移送する。クールプレートユニットCPは、基板を冷却することで熱処理の進行を停止させる(冷却処理)。冷却処理後の基板は、搬送機構35により搬出側受渡部OPに移送され、一時的に保管される。このようにして、熱処理後の基板は図示しない後工程へと受け渡される。 The operation in the pre-bake section 30 is outlined below. That is, the transport mechanism 35 takes out the substrates before the heat treatment that have been taken out from the pretreatment process and stored in one of the loading-side transfer units IP, and carries them into one of the hot plate units HP. The hot plate unit HP heats the substrate to pre-bake the resist film formed on the substrate (heat treatment). After the heat treatment, the transport mechanism 35 takes out the substrate from the hot plate unit HP and transports it to the cool plate unit CP. The cool plate unit CP cools the substrate to stop the heat treatment (cooling process). The substrate after the cooling process is transferred to the unloading-side transfer section OP by the transfer mechanism 35 and is temporarily stored. In this way, the substrate after heat treatment is transferred to a post-process (not shown).

なお、ここでは搬送機構35を三方から取り囲むように第1ないし第3積層体31~33が配置され、第1積層体31には4段の搬入側受渡部IPが、第2積層体32には3段のホットプレートユニットHPが、第3積層体33には3段のクールプレートユニットCPと4段の搬出側受渡部OPとがそれぞれ設けられている。しかしながら、各処理ユニットの配設数やその配置はこれに限定されず任意である。例えば特許文献1に記載されたもと同様のユニット配置を採用することができる。 Here, the first to third stacks 31 to 33 are arranged so as to surround the conveying mechanism 35 from three sides. is provided with a three-stage hot plate unit HP, and the third laminate 33 is provided with a three-stage cool plate unit CP and a four-stage unloading-side transfer section OP. However, the number and arrangement of the processing units are not limited to this and are arbitrary. For example, a unit arrangement similar to that described in Patent Document 1 can be adopted.

これらの各処理ユニット(搬入側および搬出側受渡部IP,OP、ホットプレートユニットHP、クールプレートユニットCP)は、プリベーク部30にそれぞれ複数設けられている。このため、上記した1枚の基板についての一連の処理が、複数の基板に対して並列的に実行可能である。これを可能とするためには処理ユニット間での基板の受け渡しをスムーズに行う必要がある。このための基板搬送の制御シーケンスについては、例えば特許文献1にも記載されているように既に多くの提案がなされている。そのため、ここでは詳しい説明を省略する。 A plurality of these processing units (loading-side and unloading-side transfer units IP, OP, hot plate unit HP, cool plate unit CP) are provided in the pre-baking unit 30, respectively. Therefore, the series of processes for one substrate described above can be executed in parallel for a plurality of substrates. In order to make this possible, it is necessary to smoothly transfer substrates between processing units. Many proposals have already been made for the substrate transfer control sequence for this purpose, as described in Patent Document 1, for example. Therefore, detailed description is omitted here.

ただし、個々の処理ユニットの構成およびその動作内容にまで踏み込んで搬送制御を最適化することについては、これまで具体的な提案がなされていない。以下では、ホットプレートユニットHPを例として、その構成および動作を考慮して構築された搬送制御の事例を説明する。 However, no specific proposal has been made so far to optimize the transport control by going into the configuration and operation of each processing unit. In the following, an example of transport control constructed in consideration of the configuration and operation of the hot plate unit HP will be described.

図3はホットプレートユニットの内部構成を示す側面断面図である。前記したように、ホットプレートユニットHPは、基板の上面にレジスト液が塗布され乾燥されることにより形成されるレジスト膜を加熱する熱処理を実行して、当該レジスト膜を固化させるためのものである。 FIG. 3 is a side sectional view showing the internal structure of the hot plate unit. As described above, the hot plate unit HP is for performing heat treatment for heating a resist film formed by applying a resist solution to the upper surface of the substrate and drying the resist film, thereby solidifying the resist film. .

図3に示すように、ホットプレートユニットHPは基板Sを受け入れるチャンバー50を備えている。チャンバー50内で処理を行うことで、加熱処理によって揮発した気体成分が周囲へ飛散するのを防止するとともに、加熱される基板Sの周囲を覆うことで熱の放散を抑制しエネルギー効率を高めることができる。これらの目的のために、チャンバー50は天板51、側板52、底板53およびシャッター54を箱型に組み合わせた構造となっている。 As shown in FIG. 3, the hotplate unit HP includes a chamber 50 for receiving the substrate S. As shown in FIG. By performing the processing in the chamber 50, the gas component volatilized by the heat processing is prevented from scattering to the surroundings, and by covering the substrate S to be heated, the heat dissipation is suppressed and the energy efficiency is improved. can be done. For these purposes, the chamber 50 has a structure in which a top plate 51, a side plate 52, a bottom plate 53 and a shutter 54 are combined to form a box.

シャッター54は、チャンバー50の一方側面に設けられた開口55に対して開閉自在に取り付けられており、閉状態ではパッキン(図示省略)を介してチャンバー50の側面に押し付けられることで開口55を塞ぐ。一方、図3において点線で示すシャッター54の開状態では、開放された開口55を介して外部との間で基板Sのやり取りを行うことができる。すなわち、搬送機構35に保持される未処理の基板Sが、開口55を介してチャンバー50内に搬入される。またチャンバー50内の処理済みの基板Sが、搬送機構35によって外部へ搬出される。 The shutter 54 is attached to an opening 55 provided on one side surface of the chamber 50 so as to be able to open and close, and closes the opening 55 by being pressed against the side surface of the chamber 50 via a packing (not shown) in the closed state. . On the other hand, in the open state of the shutter 54 indicated by the dotted line in FIG. 3, the substrate S can be exchanged with the outside through the opened opening 55 . That is, the unprocessed substrate S held by the transport mechanism 35 is carried into the chamber 50 through the opening 55 . Also, the processed substrate S in the chamber 50 is carried out to the outside by the transport mechanism 35 .

チャンバー50の底部にはホットプレート56が設けられている。ホットプレート56の上面は略水平面となっており、水平姿勢の基板Sの下面に当接してこれを支持する。ホットプレート56の上面には、基板Sとの間に微小なギャップを設けるための突起、すなわちプロキシミティピンが配置されてもよい。 A hot plate 56 is provided at the bottom of the chamber 50 . The upper surface of the hot plate 56 is substantially horizontal, and contacts and supports the lower surface of the substrate S in a horizontal posture. Protrusions, ie, proximity pins, may be arranged on the upper surface of the hot plate 56 to form a minute gap with the substrate S. FIG.

ホットプレート56の内部にはヒーター57が内蔵されている。このヒーター57に対して装置全体を制御する制御部40から電力が供給されることでヒーター57が作動する。これによって、ホットプレート56の上面からの伝導熱および輻射熱によって基板Sが均一に加熱される。 A heater 57 is built inside the hot plate 56 . The heater 57 is operated by supplying electric power to the heater 57 from the control unit 40 that controls the entire apparatus. Thereby, the substrate S is uniformly heated by conductive heat and radiant heat from the upper surface of the hot plate 56 .

ホットプレートユニットHPには、ホットプレート56と搬送機構35との間での基板Sの受け渡しをスムーズに行うためにリフト機構6が設けられている。具体的には、チャンバー50の底板53およびホットプレート56を貫通して上下方向に延びる貫通孔57が複数設けられ、各貫通孔57に、リフト機構6のリフトピン61が挿通されている。 The hot plate unit HP is provided with a lift mechanism 6 for smoothly transferring the substrate S between the hot plate 56 and the transport mechanism 35 . Specifically, a plurality of through holes 57 extending vertically through the bottom plate 53 and the hot plate 56 of the chamber 50 are provided, and the lift pins 61 of the lift mechanism 6 are inserted through the respective through holes 57 .

これらのリフトピン61の下端は昇降部材63に固定されている。昇降部材63はリフトピン駆動部64により上下方向に昇降自在に支持されている。制御部40からの昇降指令に応じてリフトピン駆動部64が作動して昇降部材63を昇降させる。これによって複数のリフトピン61が一体的に昇降して、基板Sを上下方向に昇降させることが可能となっている。 Lower ends of these lift pins 61 are fixed to lifting members 63 . The elevating member 63 is supported by a lift pin driving portion 64 so as to be vertically movable. The lift pin drive unit 64 operates in response to a lift command from the control unit 40 to lift the lift member 63 . As a result, the plurality of lift pins 61 are integrally raised and lowered, and the substrate S can be raised and lowered in the vertical direction.

より具体的には、リフトピン61は、図3に実線で示されるように、基板Sがホットプレート56の上面に当接してまたは近接して支持されホットプレート56からの加熱を受ける処理位置と、点線で示されるように、基板Sがホットプレート56の上面から所定距離だけ上方に離間した状態で支持される上部位置との間で、基板Sを昇降させる。 More specifically, the lift pins 61 are, as indicated by solid lines in FIG. As indicated by the dotted line, the substrate S is raised and lowered between an upper position where the substrate S is supported while being spaced apart from the upper surface of the hot plate 56 by a predetermined distance.

図4はリフト機構による基板の昇降動作を説明する図である。図4(a)に示すように、リフトピン61がホットプレート56の上面から上方に大きく突出した状態で、搬送機構35のハンド353(354)が基板Sを水平姿勢で搬送してくる。このときに相互の干渉が生じないように、ハンド353(354)の櫛歯の形状とリフトピン61の配置とが定められている。 FIG. 4 is a diagram for explaining the lifting operation of the substrate by the lift mechanism. As shown in FIG. 4A, the hand 353 (354) of the transport mechanism 35 transports the substrate S in a horizontal posture while the lift pins 61 protrude greatly upward from the upper surface of the hot plate 56 . The shape of the comb teeth of the hand 353 (354) and the arrangement of the lift pins 61 are determined so that mutual interference does not occur at this time.

この状態からハンド353(354)が下降することで、図4(b)に示すように、基板Sはハンド353(354)からリフトピン61に受け渡される。このときの基板Sの位置が「上部位置」である。 By lowering the hand 353 (354) from this state, the substrate S is transferred from the hand 353 (354) to the lift pins 61 as shown in FIG. 4B. The position of the substrate S at this time is the "upper position".

ハンド353(354)が退避した後、図4(c)に示すように、リフトピン61が一体的に下降する。これにより、基板Sが水平姿勢を維持したまま下降し、最終的には図4(d)に示すようにホットプレート56の上面に当接する。これにより、基板Sの支持はリフトピン61からホットプレート56に受け渡される。このときの基板Sの位置が「処理位置」である。なお、ホットプレート56にプロキシミティピンが設けられている場合には、基板Sがホットプレート56の上面に対してプロキシミティピンの高さに対応する微小なギャップを隔てて対向するときの基板位置が「処理位置」となる。 After the hand 353 (354) is retracted, the lift pins 61 are integrally lowered as shown in FIG. 4(c). As a result, the substrate S descends while maintaining its horizontal posture, and finally comes into contact with the upper surface of the hot plate 56 as shown in FIG. 4(d). Thereby, the support of the substrate S is transferred from the lift pins 61 to the hot plate 56 . The position of the substrate S at this time is the "processing position". If the hot plate 56 is provided with proximity pins, the substrate position when the substrate S faces the upper surface of the hot plate 56 with a small gap corresponding to the height of the proximity pins. is the "processing position".

基板Sの搬出は上記とは逆の動きにより実現される。すなわち、図4(d)に示すように基板Sがホットプレート56に載置された状態から、図4(c)に示すようにリフトピン61が上昇することで、基板Sはホットプレート56からリフトピン61に受け渡される。基板Sが上部位置まで到達した後、図4(b)に示すように、ホットプレート56と基板Sとの隙間に進入したハンド353(354)が基板Sを受け取る。そして、図4(a)に示すように、ハンド353(354)が基板Sを外部へ搬出する。熱処理済みの基板Sが搬出されたホットプレート56は、新たな未処理基板を受け入れることが可能となる。 Carrying out of the substrate S is realized by a movement opposite to that described above. 4(d), the substrate S is lifted from the hot plate 56 by the lift pins 61 as shown in FIG. 4(c). 61. After the substrate S reaches the upper position, the hand 353 (354) enters the gap between the hot plate 56 and the substrate S to receive the substrate S as shown in FIG. 4(b). Then, as shown in FIG. 4A, the hand 353 (354) carries out the substrate S to the outside. The hot plate 56 from which the heat-treated substrate S has been unloaded can receive a new untreated substrate.

リフトピン61による基板Sの昇降は、基板Sへのダメージを防止するために、比較的ゆっくりとした速度で行われる。特に大判の基板Sをホットプレート56から引き離すときの上昇動作は、ホットプレート56と基板Sとの間に負圧が発生することによる基板Sの撓みを抑制するために低速で行う必要がある。例えば数cmの移動にかける時間を10秒程度とすることができる。 The lifting and lowering of the substrate S by the lift pins 61 is performed at a relatively slow speed in order to prevent the substrate S from being damaged. In particular, when the large-sized substrate S is pulled away from the hot plate 56, the lifting operation must be performed at a low speed in order to suppress the bending of the substrate S due to the negative pressure generated between the hot plate 56 and the substrate S. For example, the time taken to move several centimeters can be set to about 10 seconds.

基板Sに対する熱処理の結果を安定したものとするためには、基板Sに与える熱エネルギーを一定とする必要がある。この目的のためには、単に基板Sを加熱する際の温度および時間を一定とするだけでなく、加熱終了から冷却までの時間についても一定とする必要がある。したがって、ホットプレートユニットHPでの所定時間の加熱の後、基板SがホットプレートユニットHPから搬出されてクールプレートユニットCPに搬入されるまでの時間についても一定とする必要がある。 In order to stabilize the result of the heat treatment of the substrate S, the thermal energy given to the substrate S must be constant. For this purpose, it is necessary not only to keep the temperature and time when heating the substrate S constant, but also to keep the time from the end of heating to cooling constant. Therefore, it is also necessary to make the time from when the substrate S is unloaded from the hot plate unit HP to when it is loaded into the cool plate unit CP after being heated for a predetermined time in the hot plate unit HP.

複数の処理ユニットで複数の基板に対し並列処理を実行し、かつそれらの処理ユニット間での基板搬送に使用される搬送機構が共通である場合、一の処理ユニットから基板Sを搬出する必要が生じたタイミングで搬送機構が他の基板の搬送に使用されていることがあり得る。このような場合、当該搬送が済むまで処理済み基板Sの搬出は延期されることになるが、上記した通り、熱処理後の基板Sについてはこのような搬出の遅延は好ましくない。 When parallel processing is performed on a plurality of substrates by a plurality of processing units, and a common transport mechanism is used to transport the substrates between the processing units, it is necessary to unload the substrate S from one processing unit. It is possible that the transport mechanism is being used to transport another substrate at the timing of occurrence. In such a case, the unloading of the processed substrate S is postponed until the transport is completed, but as described above, such a delay in unloading is not preferable for the substrate S after the heat treatment.

このことから、1つのホットプレートユニットHPにおいて熱処理が終了すると、当該ユニットからの基板Sの搬出が遅滞なく行われる必要がある。そのために搬送機構35は、1つのホットプレートユニットHPにおける熱処理の終了後一定のタイミングで、当該ホットプレートユニットHPから基板Sを搬出することが可能な状態となっていなければならない。現実的には、熱処理が終了し基板Sが搬出可能となる時刻に先立つ所定の期間、搬送機構35は他の搬送を行わずに待機することになる。この待機の期間中、他の処理ユニット間での基板の搬送が行えず、このことが全体としての処理のスループット低下の原因となり得るため、待機期間はできるだけ短いことが望ましい。 For this reason, when heat treatment is completed in one hot plate unit HP, it is necessary to unload the substrate S from the unit without delay. Therefore, the transport mechanism 35 must be in a state capable of unloading the substrate S from the hot plate unit HP at a certain timing after the heat treatment in one hot plate unit HP is finished. In reality, the transport mechanism 35 waits without performing other transport for a predetermined period before the time when the heat treatment is completed and the substrate S can be unloaded. During this waiting period, substrates cannot be transferred between other processing units, which may cause a reduction in overall processing throughput, so it is desirable that the waiting period be as short as possible.

搬送機構35は、支柱352の回転およびハンド353,354の昇降により移動可能である。搬送機構35が、各処理ユニットに対応して予め設定された複数の停止位置の各々で停止することにより、対応する位置にある処理ユニットへのアクセス、具体的には基板の搬入および搬出を実行する。このときの搬送機構35の移動速度は機械的な条件により制約されるが、一般的には、上記したリフトピン61による基板Sの昇降動作よりは短い時間で移動が可能である。 The transport mechanism 35 can be moved by rotating the column 352 and raising and lowering the hands 353 and 354 . By stopping the transport mechanism 35 at each of a plurality of stop positions preset corresponding to each processing unit, access to the processing unit at the corresponding position, specifically, loading and unloading of the substrate is performed. do. Although the moving speed of the transport mechanism 35 at this time is restricted by mechanical conditions, generally, it is possible to move in a shorter time than the lifting operation of the substrate S by the lift pins 61 described above.

一方で、熱処理が終了したホットプレートユニットHPから基板Sを搬出するための位置である搬出用位置に搬送機構35(より具体的にはハンド353,354)が到達するための移動に要する時間は、移動開始前に搬送機構35がどの位置にあるかによって異なってくる。すなわち、ハンド353,354が予め搬出用位置に近い位置にあれば、短時間で搬出用位置に到達することが可能であり、搬出用位置から遠ければ移動にもより長い時間を要する。 On the other hand, the time required for the transport mechanism 35 (more specifically, the hands 353 and 354) to reach the unloading position, which is the position for unloading the substrate S from the hot plate unit HP that has undergone heat treatment, is , depending on the position of the transport mechanism 35 before the start of movement. That is, if the hands 353 and 354 are already at a position close to the carry-out position, they can reach the carry-out position in a short time.

このように、搬送機構35が搬出用位置に到達するまでの移動時間は初期位置によりまちまちである一方、搬出用位置に到達するべき時刻については、熱処理が終了する時刻との関係から特定される。言い換えれば、ある特定の時刻に搬出用位置に到達させるために必要な搬送機構35の移動開始タイミングについては、移動開始時に搬送機構35がどの位置にあるかによって異ならせることができる。こうすることで、ホットプレートユニットHPからの基板Sの搬出準備のために搬送機構35を占用する期間を最小限に抑えることが可能になる。 As described above, while the movement time required for the transport mechanism 35 to reach the unloading position varies depending on the initial position, the time at which the transport mechanism 35 should reach the unloading position is specified from the relationship with the time when the heat treatment is completed. . In other words, the movement start timing of the transport mechanism 35 required to reach the unloading position at a specific time can be varied depending on the position of the transport mechanism 35 at the start of movement. By doing so, it is possible to minimize the period during which the transport mechanism 35 is occupied for preparing to carry out the substrate S from the hot plate unit HP.

つまり、熱処理が終了し基板Sが搬出可能になる時刻と搬送機構35の現在位置とがわかれば、当該位置から搬送機構35の移動を開始させるタイミングを決定することができる。より具体的には、搬送機構35の現在位置から搬出用位置までに要する移動時間を見積もり、搬送機構35が搬出用位置に到達すべき時刻からこの移動所要時間分を遡った時刻を、搬送機構35の移動開始時とすればよい。 That is, if the time at which the heat treatment is completed and the substrate S can be unloaded and the current position of the transport mechanism 35 are known, the timing for starting the movement of the transport mechanism 35 from that position can be determined. More specifically, the time required for the transport mechanism 35 to move from the current position to the carry-out position is estimated, and the time obtained by going back from the time at which the transport mechanism 35 should reach the carry-out position by this required travel time is calculated as the transport mechanism. 35 should be the start of movement.

各処理ユニットからの基板の搬入・搬出のために搬送機構35が停止すべき複数の停止位置については、例えばティーチング作業等により予め設定されている。それらの停止位置間を移動するための移動時間についても、それらの位置関係と搬送機構35の機械的な動作速度との関係から予め見積もっておくことが可能である。このような移動所要時間に関する情報については、制御部40の記憶装置44に記憶させておくことができる。 A plurality of stop positions at which the transport mechanism 35 should stop for loading and unloading substrates from each processing unit are set in advance by teaching work or the like, for example. It is also possible to pre-estimate the movement time for moving between those stop positions from the relationship between their positional relationship and the mechanical operating speed of the transport mechanism 35 . Such information about the required travel time can be stored in the storage device 44 of the control unit 40 .

搬送機構35の位置については、例えば位置センサーにより随時検出するようにしてもよく、また例えば、過去の移動履歴を記録しておき、その記録から現在の位置を割り出すようにしてもよい。このように、搬送機構35の位置と、その位置から搬出用位置までの移動所要時間とから、搬送機構35の移動開始タイミングを決定することができる。 The position of the transport mechanism 35 may be detected at any time by, for example, a position sensor, or, for example, past movement history may be recorded and the current position may be determined from the record. In this manner, the movement start timing of the transport mechanism 35 can be determined from the position of the transport mechanism 35 and the time required for movement from that position to the unloading position.

図5は移動開始タイミング決定処理の具体例を示すフローチャートである。この処理は、制御部40のCPU41が、予め準備された処理プログラムを実行することにより実現される。一連の処理シーケンス実行中、1つのホットプレートユニットHPにおいて熱処理が終了したか否かが判断される(ステップS101)。 FIG. 5 is a flowchart showing a specific example of movement start timing determination processing. This processing is realized by the CPU 41 of the control unit 40 executing a processing program prepared in advance. During execution of a series of processing sequences, it is determined whether or not heat treatment has been completed in one hot plate unit HP (step S101).

ホットプレートユニットHPでは、基板Sが処理位置に位置決めされることで基板Sが加熱され、一定時間後に基板Sが処理位置から上部位置へ移動することにより、能動的な意味での熱処理が終了する。ただし、基板Sが温まった状態であるため、冷却処理が行われるまでの間も処理はある程度進行する。したがってどの時点をもって熱処理が終了するというかについてはいくつか考え方があり得るが、例えばリフトピン61が上昇を開始して基板Sがホットプレート56から離間する時を、「熱処理の終了」時と考えることができる。 In the hot plate unit HP, the substrate S is heated by being positioned at the processing position, and after a certain period of time, the substrate S is moved from the processing position to the upper position, thereby completing heat treatment in an active sense. . However, since the substrate S is in a warmed state, the processing proceeds to some extent until the cooling processing is performed. Therefore, there are several possible ways of thinking about when the heat treatment should be completed. can be done.

熱処理が終了したと判断されると(ステップS101においてYES)、その時点における搬送機構35の位置が取得される(ステップS102)。搬送機構35が基板を搬送するために移動中である場合には、例えば当該移動が終了した時点で搬送機構35がある位置を、現在位置とみなすことができる。 When it is determined that the heat treatment has ended (YES in step S101), the position of transport mechanism 35 at that time is acquired (step S102). When the transport mechanism 35 is moving to transport the substrate, for example, the position at which the transport mechanism 35 is when the movement ends can be regarded as the current position.

そして、現在の位置と搬出用位置との間の位置関係から、搬送機構35が搬出用位置に移動するまでの所要時間が導出される(ステップS103)。その結果と、ホットプレートユニットHPから基板Sが搬出可能となる時刻とに基づき、搬送機構35の移動開始タイミングが設定される(ステップS104)。ホットプレートユニットHPから基板Sが搬出可能となる時刻については、例えばリフトピン61の動作により基板Sが上部位置まで上昇する時刻とすることができる。 Then, from the positional relationship between the current position and the unloading position, the time required for the transport mechanism 35 to move to the unloading position is derived (step S103). Based on the result and the time when the substrate S can be unloaded from the hot plate unit HP, the movement start timing of the transport mechanism 35 is set (step S104). The time when the substrate S can be unloaded from the hot plate unit HP can be, for example, the time when the substrate S is lifted to the upper position by the operation of the lift pins 61 .

したがって、基板Sが上部位置に到達すると推定される時刻から、搬送機構35の移動所要時間の分だけ遡った時刻を、搬送機構35の移動開始時刻とすることができる。そして、設定された時刻が到来すると(ステップS105)、制御部40から搬送機構35に対し、搬出用位置への移動を開始させるためのコール命令が出力される(ステップS106)。これにより搬送機構35の搬出用位置へ向けた移動が開始される。 Therefore, the movement start time of the transport mechanism 35 can be set to the time before the time required for the movement of the transport mechanism 35 from the time when the substrate S is estimated to reach the upper position. Then, when the set time arrives (step S105), the controller 40 outputs a call instruction to the transport mechanism 35 to start moving to the unloading position (step S106). As a result, the transport mechanism 35 starts to move toward the unloading position.

基板Sが上部位置に到達する時刻には、搬送機構35も搬出用位置に到達している。そのため、熱処理後の基板Sを搬送機構35が遅滞なく搬出し、クールプレートユニットCPに移送することができる。そのため、基板Sに対する熱処理を所定の時間で停止させることが可能となり、形成されるレジスト膜の品質を安定したものとすることができる。 At the time when the substrate S reaches the upper position, the transport mechanism 35 also reaches the unloading position. Therefore, the substrate S after heat treatment can be unloaded without delay by the transport mechanism 35 and transferred to the cool plate unit CP. Therefore, the heat treatment of the substrate S can be stopped after a predetermined time, and the quality of the formed resist film can be stabilized.

図6は熱処理における各部の動作を示すタイミングチャートである。より具体的には、図6は、1枚の基板Sに対する熱処理を実行する際の、リフトピン61、シャッター54および搬送機構35の動作を示す図である。なお、図においてシャッター54の「閉」は、シャッター54が完全に閉じた状態を表す一方、「閉」は、シャッター54が完全に開いた状態の他、開状態から閉状態へ、また閉状態から開状態へ移行する途中においてシャッター54が部分的に開いた状態も含むものとする。 FIG. 6 is a timing chart showing the operation of each part in heat treatment. More specifically, FIG. 6 is a diagram showing operations of the lift pins 61, the shutter 54, and the transport mechanism 35 when heat-treating one substrate S. As shown in FIG. In the drawing, "closed" of the shutter 54 indicates a state in which the shutter 54 is completely closed. The state in which the shutter 54 is partially opened during the transition from the closed state to the open state is also included.

基板搬入前の時刻t0においては、リフトピン61は上部位置に対応する位置まで上昇しており、シャッター54は開かれている。また、搬送機構35は、処理対象の基板Sをハンド353(354)に保持した状態で、処理主体となるホットプレートユニットHP近傍の搬出用位置に位置している。ホットプレート56は予め所定温度に昇温制御されている。この状態から、搬送機構35のハンド353(354)がチャンバー50内に進入して基板Sを搬入し、リフトピン61に受け渡す。 At time t0 before the substrate is loaded, the lift pins 61 are raised to a position corresponding to the upper position, and the shutter 54 is open. Further, the transport mechanism 35 is positioned at a carry-out position near the hot plate unit HP, which is the subject of processing, while holding the substrate S to be processed by the hand 353 (354). The hot plate 56 is previously controlled to be heated to a predetermined temperature. From this state, the hand 353 ( 354 ) of the transport mechanism 35 enters the chamber 50 to load the substrate S and transfer it to the lift pins 61 .

その後、時刻t1においてリフトピン61が下降を開始し、これと前後してシャッター54が閉じられる。基板Sを受け渡した後の搬送機構35については、その位置は特に制限されず、例えば他の処理ユニット間の基板搬送のために移動しても構わない。基板Sが処理位置まで下降する時刻t3よりも早い時刻t2において、リフトピン61の下降は一時的に停止される。そのため、例えば図4(c)に示すように、基板Sはホットプレート56から僅かに上方へ離間した状態で保持されることになる。 After that, at time t1, the lift pin 61 starts to descend, and around this time, the shutter 54 is closed. The position of the transport mechanism 35 after transferring the substrate S is not particularly limited, and may be moved for substrate transport between other processing units, for example. At time t2 earlier than time t3 when the substrate S is lowered to the processing position, the lowering of the lift pins 61 is temporarily stopped. Therefore, as shown in FIG. 4(c), the substrate S is held slightly upward from the hot plate 56. As shown in FIG.

その結果、基板Sは、ホットプレート56からの輻射熱により予備的に温められることになり、基板Sが直接ホットプレート56に載置されて急激な温度変化が生じるのを回避することができる。この意味において、図6ではこの処理を「予熱処理」、このときの基板Sの位置を「予熱位置」と称している。なお、このような予熱処理は必須のものではない。 As a result, the substrate S is preliminarily warmed by the radiant heat from the hot plate 56, so that the substrate S can be prevented from being placed directly on the hot plate 56 and causing a rapid temperature change. In this sense, in FIG. 6, this treatment is called "preheating", and the position of the substrate S at this time is called "preheating position". Note that such preheating is not essential.

時刻t3において基板Sがホットプレート56に載置されることにより、基板Sが加熱されて熱処理が実行される。この状態が所定時間継続された後、時刻t4においてリフトピン61が上昇し基板Sをホットプレート56から離間させることで、ホットプレート56からの加熱が停止される。基板Sが上部位置に到達する時刻t5においてはシャッター54が開かれており、処理後の基板Sの搬出が可能な状態となっている。 By placing the substrate S on the hot plate 56 at time t3, the substrate S is heated and heat-treated. After this state continues for a predetermined time, the lift pins 61 rise at time t4 to separate the substrate S from the hot plate 56, thereby stopping the heating from the hot plate 56. FIG. At time t5 when the substrate S reaches the upper position, the shutter 54 is opened, and the substrate S after processing can be unloaded.

この時刻t5において搬送機構35が搬出用位置に到達しているように、移動開始タイミングが設定される。図6では、搬送機構35の停止位置として、搬出用開始位置以外に3箇所の停止位置Pa,Pb,Pcがある場合が示されている。各停止位置から搬出用位置までの移動に必要な時間に応じて移動開始タイミングが設定されており、それに応じたタイミングで搬送機構35の移動が開始される。 The movement start timing is set so that the transport mechanism 35 reaches the unloading position at this time t5. FIG. 6 shows a case where there are three stop positions Pa, Pb, and Pc as the stop positions of the transport mechanism 35 in addition to the unloading start position. The movement start timing is set according to the time required for movement from each stop position to the unloading position, and movement of the transport mechanism 35 is started at the timing corresponding to it.

例えば搬送機構35が停止位置Paにある場合、時刻taにおいて搬送機構35の移動が開始され、その結果、時刻t5には搬送機構35が搬出用位置に到達している。同様に、搬送機構35が停止位置Pb、停止位置Pcにあった場合には、それぞれ時刻tb、tcにおいて搬送機構35の移動が開始されることで、時刻t5における搬送機構35の搬出用位置への到達を実現することができる。このように、搬送機構35の位置によって移動開始タイミングは異なるが、いずれの場合でも最終的に、時刻t5において搬送機構35を搬出用位置に位置させることができる。 For example, when the transport mechanism 35 is at the stop position Pa, the transport mechanism 35 starts to move at time ta, and as a result, the transport mechanism 35 reaches the unloading position at time t5. Similarly, when the transport mechanism 35 is at the stop position Pb and the stop position Pc, the movement of the transport mechanism 35 is started at times tb and tc, respectively, so that the transport mechanism 35 reaches the unloading position at time t5. can be achieved. As described above, the movement start timing differs depending on the position of the transport mechanism 35, but in any case, the transport mechanism 35 can finally be positioned at the unloading position at time t5.

そのため、熱処理の終了とみなせる時刻t4から基板Sが搬出されるまでの時間は、事前に搬送機構35がどの位置にあったかに関わらず一定となる。これにより、熱処理の結果を安定したものとすることができる。また、これを実現するために搬送機構35を占用する期間を最小限に抑えることができるので、他の基板の搬送が必要以上に制限されることが回避される。 Therefore, the time from the time t4, which can be regarded as the end of the heat treatment, until the substrate S is unloaded is constant regardless of the position of the transport mechanism 35 in advance. Thereby, the result of the heat treatment can be stabilized. In addition, since the period during which the transport mechanism 35 is occupied in order to achieve this can be minimized, it is possible to avoid unnecessarily restricting the transport of other substrates.

熱処理後の基板Sが搬出されたホットプレートユニットHPは、処理開始前の時刻t0と同じ状態となっている。そのため、直ちに新たな基板を受け入れて熱処理を実行することが可能である。 The hot plate unit HP from which the substrate S after the heat treatment has been unloaded is in the same state as at time t0 before the start of the treatment. Therefore, it is possible to immediately receive a new substrate and perform heat treatment.

仮に、熱処理が終了した時点(時刻t4)で搬送機構35が搬出用位置に向け移動開始する制御とした場合、基板Sが搬出可能となる時刻t5に対し搬送機構35は十分に余裕を持って搬出用位置に到達することができる。そのため基板Sの搬出については遅滞なく行うことができる。その一方で、リフトピン61によりゆっくりと上昇する基板Sが上部位置に到達するまでの間、搬送機構35を搬出用位置で待機させることになる。この間、搬送機構35を他の基板の搬送に使用することができない。しかも、時刻t4の時点で搬送機構35が移動可能な状態となっていなければならないから、実質的には、時刻t4よりも前の段階から搬送機構35が拘束される。 If the transport mechanism 35 is controlled to start moving toward the unloading position at the time when the heat treatment is finished (time t4), the transport mechanism 35 is sufficiently controlled before the time t5 at which the substrate S can be unloaded. The unloading position can be reached. Therefore, the substrate S can be carried out without delay. On the other hand, the transport mechanism 35 is kept waiting at the unloading position until the substrate S, which is slowly lifted by the lift pins 61, reaches the upper position. During this time, the transport mechanism 35 cannot be used to transport other substrates. Moreover, since the transport mechanism 35 must be in a movable state at time t4, the transport mechanism 35 is substantially restrained from a stage before time t4.

したがって、装置全体として見ても搬送機構の動作シーケンスは制約を受けることになる。具体的には、搬送機構が基板搬送に使われない待機時間が増加し、これにより基板1枚当たりにおける処理開始から全ての処理が終了するまでの時間が長くなる。すなわち、処理のスループットが低下する。 Therefore, the operation sequence of the transport mechanism is restricted even when viewed as a whole apparatus. Specifically, the waiting time during which the transport mechanism is not used for transporting substrates increases, and this lengthens the time from the start of processing to the end of all processing per substrate. That is, the throughput of processing decreases.

上記実施形態では、ホットプレートユニットHPからの基板Sの搬出を遅滞なく行うために搬送機構35を占用する期間が最小限に抑えられる。このため、このような搬送に起因するスループットの低下を抑制することができる。 In the above embodiment, the period during which the transport mechanism 35 is occupied is minimized in order to unload the substrate S from the hot plate unit HP without delay. Therefore, it is possible to suppress a decrease in throughput due to such transportation.

以上のように、この実施形態の基板処理装置においては、ホットプレートユニットHPから基板Sを搬出するための搬送機構35の位置である搬出用位置への移動開始タイミングが、搬送機構35の位置に基づいて設定される。より具体的には、熱処理が終了し基板が搬出可能となる時刻と、搬送機構35の現在位置とに基づき、搬送機構35の移動開始タイミングが設定される。このため、搬送機構35を予め待機させておく必要がなく、基板搬出のために搬送機構35を占用する期間を最小限に抑えることができる。その一方で、基板が搬出可能となった時点で搬出機構35を搬出用位置に到達させておくことができるので、処理終了後に遅滞なく基板を搬出することができ、搬出の遅延に起因する処理品質の低下を防止することが可能である。 As described above, in the substrate processing apparatus of this embodiment, the movement start timing to the unloading position, which is the position of the transport mechanism 35 for unloading the substrate S from the hot plate unit HP, is the position of the transport mechanism 35. set based on More specifically, the movement start timing of the transport mechanism 35 is set based on the time when the heat treatment is finished and the substrate can be unloaded and the current position of the transport mechanism 35 . Therefore, there is no need to put the transport mechanism 35 on standby in advance, and the period during which the transport mechanism 35 is occupied for unloading the substrate can be minimized. On the other hand, the carry-out mechanism 35 can be made to reach the carry-out position when the substrate can be carried out. It is possible to prevent deterioration of quality.

特に、搬送機構の移動に比べ処理ユニット内で基板を昇降させるリフト機構の動作に時間がかかる場合において、上記実施形態の搬送方式は、複数の基板を並列処理する場合のスループット向上に寄与するという点において有効である。 In particular, when the operation of the lift mechanism that moves the substrate up and down within the processing unit takes longer than the movement of the transport mechanism, the transport method of the above embodiment contributes to an improvement in throughput when processing a plurality of substrates in parallel. It is valid at the point

なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上記実施形態は、処理終了後の基板搬出の遅滞が処理品質に与える影響が大きいホットプレートユニットHPを「処理部」として本発明を適用したものである。しかしながら、本発明に係る搬送機構の制御については、ホットプレートユニット以外の処理ユニットを本発明の「処理部」とした場合でも同様に適用可能である。 The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications other than those described above can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, in the above-described embodiment, the present invention is applied to the hot plate unit HP, in which the processing quality is greatly affected by the delay in unloading the substrate after the processing is completed, as the "processing unit". However, the control of the transport mechanism according to the present invention is similarly applicable even when a processing unit other than the hot plate unit is defined as the "processing section" of the present invention.

例えば、上記では説明を省略しているが、クールプレートCPもホットプレートユニットHPと同様に、基板を水平に支持するプレート部材であるクールプレートと、クールプレートに対し基板を昇降させるリフト機構とが設けられている。したがって、クールプレートユニットからの基板の搬出にも、上記制御態様を好適に適用することが可能である。この場合においても、クールプレートユニットが基板搬送のために搬送機構を占用する期間を最小限に抑え、この間に他の基板の搬送を可能とすることで、処理のスループット向上に寄与することが可能である。 For example, although not described above, the cool plate CP, like the hot plate unit HP, includes a cool plate, which is a plate member that horizontally supports the substrate, and a lift mechanism that moves the substrate up and down with respect to the cool plate. is provided. Therefore, it is possible to suitably apply the above-described control mode also to unloading of the substrate from the cool plate unit. Even in this case, the period during which the cool plate unit occupies the transport mechanism for transporting substrates can be minimized, and other substrates can be transported during this time, thereby contributing to the improvement of processing throughput. is.

また、上記実施形態では、ホットプレート56上で基板Sが上部位置まで上昇する時刻と、搬送機構35が搬出用位置に到達する時刻とが一致するように、搬送機構35の移動開始タイミングが設定されている。しかしながら、遅くとも基板が搬出可能となる時点で搬送機構が搬出用位置に到達している、という観点では、搬送機構が搬出用位置に到達する時刻が、基板が搬出可能となる時刻よりも少し早くなるようしてもよい。 In the above embodiment, the movement start timing of the transport mechanism 35 is set so that the time when the substrate S rises to the upper position on the hot plate 56 and the time when the transport mechanism 35 reaches the unloading position coincide. It is However, from the viewpoint that the transport mechanism reaches the unloading position at the latest when the substrate can be unloaded, the time at which the transport mechanism reaches the unloading position is slightly earlier than the time at which the substrate can be unloaded. You may do so.

また、上記実施形態では、搬送機構35の複数の停止位置間の移動における所要時間が予め見積もられ、その情報が記憶装置44に記憶されている。そして、搬送機構35の移動開始タイミングの設定に際してはこの情報が読み出されて利用される。この意味において、記憶装置44は本発明の「記憶部」に相当している。しかしながら、記憶部に記憶される情報の態様はこれに限定されるものではない。例えば、搬送機構の移動を一定量の上下動、回転等の複数の基本動作の組み合わせと考えて、基本動作ごとの動作時間を求めて記憶部に記憶させておいてもよい。そして、ある停止位置から搬出用位置への移動を考えるとき、それを実現するために組み合わされるべき基本動作の動作時間を積算することにより、全体としての移動所要時間を求めることが可能である。 Further, in the above embodiment, the time required for movement of the transport mechanism 35 between a plurality of stop positions is estimated in advance, and the information is stored in the storage device 44 . This information is read and used when setting the movement start timing of the transport mechanism 35 . In this sense, the storage device 44 corresponds to the "storage section" of the present invention. However, the mode of information stored in the storage unit is not limited to this. For example, the movement of the transport mechanism may be considered as a combination of a plurality of basic motions such as vertical movement and rotation of a certain amount, and the motion time for each basic motion may be obtained and stored in the storage unit. When considering the movement from a certain stop position to the unloading position, it is possible to obtain the overall movement time by accumulating the operation times of the basic movements that should be combined to realize the movement.

また、上記実施形態では、塗布処理が施された基板に対して減圧乾燥処理を施し、さらにプリベーク部で熱処理および冷却処理を実行しているが、本発明に係る基板の搬送制御の適用対象は、このような処理態様に限定されるものではない。すなわち、上記した基板処理装置1の処理ユニットの一部が省略されてもよく、また別の処理ユニットが加えられてもよい。 Further, in the above-described embodiment, the substrate subjected to the coating process is subjected to the reduced pressure drying process, and then the heat treatment and cooling process are performed in the pre-bake section. , is not limited to such a processing mode. That is, some of the processing units of the substrate processing apparatus 1 described above may be omitted, or another processing unit may be added.

さらに、基板は上記した液晶表示装置用ガラス基板に限定されるものではなく、有機EL表示装置用ガラス基板およびPDP用ガラス基板などのFPD用基板、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、カラーフィルター用基板、記録ディスク用基板、太陽電池用基板、電子ペーパー用基板等の精密電子装置用基板などが本発明の「基板」に含まれる。 Furthermore, the substrate is not limited to the glass substrate for the liquid crystal display device described above, and a glass substrate for an organic EL display device, a substrate for FPD such as a glass substrate for PDP, a semiconductor wafer, a glass substrate for a photomask, a glass substrate for a color filter. The "substrate" of the present invention includes substrates, substrates for recording disks, substrates for solar cells, substrates for precision electronic devices such as substrates for electronic paper, and the like.

以上、具体的な実施形態を例示して説明してきたように、この発明に係る基板処理装置において、処理部は、例えば基板に対し熱処理を行うものとすることができる。本発明に係る搬送機構の制御態様は、処理部での処理内容に関わらず有効である。ただし、特にそれが熱処理である場合、処理終了後における基板の搬出の遅延は処理品質に大きく影響するから、本発明により搬出の遅延を回避することで、処理品質を安定化させることが可能となる。 As described above by exemplifying specific embodiments, in the substrate processing apparatus according to the present invention, the processing section can perform heat treatment on the substrate, for example. The control mode of the transport mechanism according to the present invention is effective regardless of the processing contents of the processing section. However, especially in the case of heat treatment, the delay in unloading the substrate after the end of the treatment greatly affects the processing quality. Therefore, the present invention can avoid the unloading delay, thereby stabilizing the processing quality. Become.

また例えば、制御部は、搬送機構が搬出用位置に到達する時刻と、基板が上部位置に到達する時刻とが一致するタイミングで搬送機構の移動を開始させるように構成されてもよい。このような構成によれば、基板が上部位置に到達し搬出可能となった時に搬送機構も搬出用位置に到達しているので、処理後の基板を遅滞なく搬出することができる。そして、搬出が終了した後の搬送機構を、直ちに別の基板搬送に供することができる。 Further, for example, the control unit may be configured to start the movement of the transport mechanism at the timing when the transport mechanism reaches the unloading position and the substrate reaches the upper position. According to such a configuration, when the substrate reaches the upper position and can be unloaded, the transport mechanism also reaches the unloading position, so the processed substrate can be unloaded without delay. Then, the transport mechanism after the unloading is completed can be immediately used for transporting another substrate.

また例えば、制御部は、リフト機構が基板の移動を開始する時の搬送機構の位置に基づいて移動開始タイミングを決定するように構成されてもよい。このような構成によれば、リフト機構による基板の移動に比較的長い時間を要する場合でも、必要以上に搬送機構が占用されることが回避される。 Further, for example, the control unit may be configured to determine the movement start timing based on the position of the transport mechanism when the lift mechanism starts moving the substrate. According to such a configuration, even if it takes a relatively long time to move the substrate by the lift mechanism, it is possible to prevent the transport mechanism from being occupied more than necessary.

また例えば、本発明に係る基板処理装置は、搬出用位置を含む搬送機構の複数の停止位置の間における搬送機構の移動所要時間に関する情報を記憶する記憶部を備えてもよく、この場合、制御部は、搬送機構の位置に対応する情報を記憶部から読み出して移動開始タイミングを決定することができる。複数の停止位置間における搬送機構の移動所要時間については、搬送機構の機械的な仕様から予め見積もっておくことが可能である。このような情報を記憶しておくことで、移搬送機構が動開始する時の位置から搬出用位置へ移動するまでの所要時間を求めることが可能となる。 Further, for example, the substrate processing apparatus according to the present invention may include a storage unit that stores information about the time required to move the transport mechanism between a plurality of stop positions of the transport mechanism including the unloading position. The unit can read information corresponding to the position of the transport mechanism from the storage unit and determine the movement start timing. The time required to move the transport mechanism between a plurality of stop positions can be estimated in advance from the mechanical specifications of the transport mechanism. By storing such information, it is possible to determine the time required for the transport mechanism to move from the starting position to the unloading position.

また例えば、リフト機構は、水平姿勢の基板の下面に当接しながら昇降する複数のリフトピンを有するものとすることができる。リフトピンによる基板の支持では、リフトピンの基板への当接が局所的であることから基板の撓みが生じやすい。このため、基板の昇降速度を大きくすることが難しい。このような場合においても、本発明では、リフトピンによる基板の移動が完了するまで搬送機構を待機させておく必要がないため、搬送機構の占用期間を短くすることが可能である。 Further, for example, the lift mechanism may have a plurality of lift pins that move up and down while contacting the lower surface of the substrate in a horizontal posture. When the lift pins support the substrate, the substrate tends to bend because the lift pins contact the substrate only locally. For this reason, it is difficult to increase the lifting speed of the substrate. Even in such a case, according to the present invention, it is not necessary to keep the transport mechanism on standby until the substrate movement by the lift pins is completed, so the occupied period of the transport mechanism can be shortened.

また例えば、処理部は、上面に基板を水平姿勢で支持するプレート部材を有するものであってもよい。特にプレート部材がホットプレートであるときがこれに該当する。プレート部材により支持された基板をリフト機構で上昇させる場合、基板とプレート部材との間が一時的に負圧になり基板の損傷の原因となることがある。これを避けるため昇降速度が制限されるが、上記した通り、本発明ではこのことが搬送機構の占用期間を長くする原因とはならない。 Further, for example, the processing section may have a plate member that supports the substrate in a horizontal posture on its upper surface. This is especially the case when the plate member is a hot plate. When the substrate supported by the plate member is lifted by the lift mechanism, the pressure between the substrate and the plate member temporarily becomes negative, which may cause damage to the substrate. In order to avoid this, the lifting speed is limited, but as described above, in the present invention, this does not cause the length of the occupied period of the transport mechanism.

この発明は、各種の基板処理装置に適用することが可能でありその処理内容は限定されないが、特に処理部内で処理された基板を処理位置からリフト機構により上部位置まで移動させてから搬送機構により搬出する構成の装置に好適である。 The present invention can be applied to various types of substrate processing apparatuses, and the content of the processing is not limited. In particular, the substrate processed in the processing section is moved from the processing position to the upper position by the lift mechanism and then lifted by the transfer mechanism. It is suitable for a device configured to be carried out.

1 基板処理装置
6 リフト機構
30 プリベーク部
35 搬送機構
40 制御部
44 記憶装置(記憶部)
56 ホットプレート(プレート部材)
61 リフトピン
353,354 ハンド
HP ホットプレートユニット(処理部)
S 基板
Reference Signs List 1 substrate processing apparatus 6 lift mechanism 30 pre-bake section 35 transport mechanism 40 control section 44 storage device (storage section)
56 hot plate (plate member)
61 lift pin 353, 354 hand HP hot plate unit (processing section)
S substrate

Claims (9)

基板を処理する処理部と、
前記処理部内の処理位置で処理された前記基板を、前記処理位置より上方の上部位置へ移動させるリフト機構と、
前記上部位置の前記基板を前記処理部から搬出する搬送機構と、
前記搬送機構を制御する制御部と
を備え、
前記搬送機構は、前記処理部から前記基板を搬出するための搬出用位置を含む複数の位置の間を移動可能であり、
前記制御部は、前記リフト機構により移動される前記基板が前記上部位置に到達する時と、前記搬送機構の位置とに基づき、前記搬送機構の前記搬出用位置への移動開始タイミングを決定する、基板処理装置。
a processing unit that processes the substrate;
a lift mechanism for moving the substrate processed at a processing position in the processing section to an upper position above the processing position;
a transport mechanism for transporting the substrate at the upper position out of the processing unit;
A control unit that controls the transport mechanism,
The transport mechanism is movable between a plurality of positions including an unloading position for unloading the substrate from the processing unit,
The control unit determines a movement start timing of the transport mechanism to the carry-out position based on when the substrate moved by the lift mechanism reaches the upper position and the position of the transport mechanism. Substrate processing equipment.
前記処理部は前記基板に対し熱処理を行う、請求項1に記載の基板処理装置。 2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein said processing section heats said substrate. 前記制御部は、前記搬送機構が前記搬出用位置に到達する時刻と、前記基板が前記上部位置に到達する時刻とが一致するタイミングで前記搬送機構の移動を開始させる、請求項1または2に記載の基板処理装置。 3. The method according to claim 1, wherein the control unit causes the transport mechanism to start moving at a timing when the transport mechanism reaches the carry-out position and the substrate reaches the upper position. A substrate processing apparatus as described. 前記制御部は、前記リフト機構が前記基板の移動を開始する時の前記搬送機構の位置に基づいて前記移動開始タイミングを決定する、請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置。 4. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein said control unit determines said movement start timing based on a position of said transport mechanism when said lift mechanism starts movement of said substrate. 前記搬出用位置を含む前記搬送機構の複数の停止位置の間における前記搬送機構の移動所要時間に関する情報を記憶する記憶部を備え、
前記制御部は、前記搬送機構の位置に対応する前記情報を前記記憶部から読み出して前記移動開始タイミングを決定する、請求項1ないし4のいずれかに記載の基板処理装置。
a storage unit that stores information about the time required to move the transport mechanism between a plurality of stop positions of the transport mechanism including the unloading position;
5. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein said control unit reads out said information corresponding to the position of said transport mechanism from said storage unit and determines said movement start timing.
前記リフト機構は、水平姿勢の前記基板の下面に当接しながら昇降する複数のリフトピンを有する、請求項1ないし5のいずれかに記載の基板処理装置。 6. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein said lift mechanism has a plurality of lift pins that move up and down while contacting the lower surface of said substrate in a horizontal posture. 前記処理部は、上面に前記基板を水平姿勢で支持するプレート部材を有する、請求項1ないし6のいずれかに記載の基板処理装置。 7. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein said processing section has a plate member on its upper surface for supporting said substrate in a horizontal posture. 前記プレート部材がホットプレートである、請求項7に記載の基板処理装置。 8. The substrate processing apparatus according to claim 7, wherein said plate member is a hot plate. 処理部内の処理位置で基板を処理する工程と、
処理後の前記基板を、リフト機構により前記処理位置より上方の上部位置へ移動させる工程と、
前記上部位置の前記基板を前記処理部から搬出する工程と
を備え、
前記基板の搬出は、前記処理部から前記基板を搬出するための搬出用位置を含む複数の位置の間を移動可能な搬送機構を前記搬出用位置に位置決めして行い、
前記搬送機構の前記搬出用位置への移動開始タイミングが、前記リフト機構により移動される前記基板が前記上部位置に到達する時と、前記搬送機構の位置とに基づき決定される、基板処理方法。
processing the substrate at a processing position within the processing section;
moving the processed substrate to an upper position above the processing position by a lift mechanism;
and carrying out the substrate at the upper position from the processing unit,
unloading of the substrate is performed by positioning a transport mechanism capable of moving between a plurality of positions including an unloading position for unloading the substrate from the processing unit at the unloading position;
A substrate processing method according to claim 1, wherein a timing for starting movement of the transport mechanism to the unloading position is determined based on a time when the substrate moved by the lift mechanism reaches the upper position and a position of the transport mechanism.
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TW (1) TWI828196B (en)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001054187A1 (en) * 2000-01-17 2001-07-26 Ebara Corporation Wafer transfer control apparatus and method for transferring wafer
JP2006294860A (en) * 2005-04-11 2006-10-26 Nikon Corp Substrate treatment equipment and exposure device
WO2014168006A1 (en) * 2013-04-10 2014-10-16 株式会社日立国際電気 Substrate treatment device, recording medium, and semiconductor device manufacturing method
JP2015060966A (en) * 2013-09-19 2015-03-30 東京エレクトロン株式会社 Coating and developing apparatus, method of operating coating and developing apparatus, and storage medium
JP2019021934A (en) * 2013-11-21 2019-02-07 株式会社Screenホールディングス Substrate transfer method

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4876657B2 (en) * 2006-03-23 2012-02-15 パナソニック株式会社 Plasma processing method and apparatus
JP2009165942A (en) * 2008-01-15 2009-07-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing apparatus and method
JP2010093125A (en) * 2008-10-09 2010-04-22 Toray Eng Co Ltd Substrate processing system and substrate processing method
JP2012195426A (en) * 2011-03-16 2012-10-11 Ulvac Japan Ltd Control method of substrate processing apparatus
JP5767361B1 (en) * 2014-04-10 2015-08-19 中外炉工業株式会社 Substrate processing equipment
JP6964005B2 (en) * 2018-01-09 2021-11-10 東京エレクトロン株式会社 Heat treatment equipment, hot plate cooling method and computer-readable recording medium
JP6655689B1 (en) * 2018-09-21 2020-02-26 株式会社Screenホールディングス Substrate processing apparatus and substrate processing method

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001054187A1 (en) * 2000-01-17 2001-07-26 Ebara Corporation Wafer transfer control apparatus and method for transferring wafer
JP2006294860A (en) * 2005-04-11 2006-10-26 Nikon Corp Substrate treatment equipment and exposure device
WO2014168006A1 (en) * 2013-04-10 2014-10-16 株式会社日立国際電気 Substrate treatment device, recording medium, and semiconductor device manufacturing method
JP2015060966A (en) * 2013-09-19 2015-03-30 東京エレクトロン株式会社 Coating and developing apparatus, method of operating coating and developing apparatus, and storage medium
JP2019021934A (en) * 2013-11-21 2019-02-07 株式会社Screenホールディングス Substrate transfer method

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