[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP3451166B2 - Substrate heat treatment equipment - Google Patents

Substrate heat treatment equipment

Info

Publication number
JP3451166B2
JP3451166B2 JP17801096A JP17801096A JP3451166B2 JP 3451166 B2 JP3451166 B2 JP 3451166B2 JP 17801096 A JP17801096 A JP 17801096A JP 17801096 A JP17801096 A JP 17801096A JP 3451166 B2 JP3451166 B2 JP 3451166B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
heat treatment
setting means
temperature setting
treatment apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP17801096A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH1022189A (en
Inventor
章博 久井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd, Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Priority to JP17801096A priority Critical patent/JP3451166B2/en
Publication of JPH1022189A publication Critical patent/JPH1022189A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3451166B2 publication Critical patent/JP3451166B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基板に対して加熱
あるいは冷却処理を行う基板熱処理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate heat treatment apparatus for heating or cooling a substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】図10は、従来の基板熱処理装置の構成
を模式的に示した断面図である。図10においては、半
導体ウエハなどの基板に対して所定の温度下で加熱処理
を行う基板熱処理装置30aと、加熱された基板を所定
の温度にまで降温させるための基板熱処理装置30bと
を例示している。この加熱用の基板熱処理装置30aと
冷却用の基板熱処理装置30bとはそれぞれ独立して構
成されており、加熱用の基板熱処理装置30aの熱処理
空間34a内には、ヒータなどの加熱装置が埋め込まれ
たホットプレート31が設けられており、また冷却用の
基板熱処理装置30bの熱処理空間34b内には、冷却
管などの冷却装置が埋め込まれたクーリングプレート3
2が配置されている。
2. Description of the Related Art FIG. 10 is a sectional view schematically showing the structure of a conventional substrate heat treatment apparatus. FIG. 10 illustrates a substrate heat treatment apparatus 30a that heats a substrate such as a semiconductor wafer at a predetermined temperature, and a substrate heat treatment apparatus 30b that lowers the temperature of the heated substrate to a predetermined temperature. ing. The substrate heat treatment apparatus 30a for heating and the substrate heat treatment apparatus 30b for cooling are independently configured, and a heating device such as a heater is embedded in the heat treatment space 34a of the substrate heat treatment apparatus 30a for heating. A cooling plate 3 in which a cooling device such as a cooling pipe is embedded in the heat treatment space 34b of the substrate heat treatment device 30b for cooling.
2 are arranged.

【0003】例えば、レジストのベーク処理において
は、レジスト膜が形成された基板33を基板処理装置3
0aのホットプレート31によって所定の温度まで昇温
して熱処理を行い、その後、基板33を冷却用の基板熱
処理装置30bに搬送し、クーリングプレート32によ
って基板33の温度を所定の温度にまで降温する処理が
行われる。これにより、基板33上のレジストに対し、
処理温度および加熱処理時間に対応した所望の熱反応を
生じさせることができる。
For example, in the resist baking process, the substrate 33 having the resist film formed thereon is processed by the substrate processing apparatus 3.
Heat treatment is performed by raising the temperature to a predetermined temperature by the hot plate 31 of 0a, then the substrate 33 is conveyed to the substrate heat treatment apparatus 30b for cooling, and the temperature of the substrate 33 is lowered to the predetermined temperature by the cooling plate 32. Processing is performed. Thereby, with respect to the resist on the substrate 33,
A desired thermal reaction corresponding to the treatment temperature and the heat treatment time can be generated.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記の基板
熱処理装置30a,30bを用いた処理工程では、加熱
用の基板熱処理装置30aから冷却用の基板熱処理装置
30bへ基板33を搬送する過程での基板33の降温特
性、すなわち降温履歴を制御できないことが問題とな
る。
However, in the process using the substrate heat treatment apparatuses 30a and 30b, the substrate 33 is transferred from the substrate heat treatment apparatus 30a for heating to the substrate heat treatment apparatus 30b for cooling. The problem is that the temperature lowering characteristic of the substrate 33, that is, the temperature lowering history cannot be controlled.

【0005】すなわち、上述のように、基板33上のレ
ジストは、ホットプレート31によって所定の時間加熱
された後、速やかにクーリングプレート32によって冷
却することにより所定温度および所定時間の熱反応を生
じさせることが望まれる。
That is, as described above, the resist on the substrate 33 is heated by the hot plate 31 for a predetermined time and then immediately cooled by the cooling plate 32 to cause a thermal reaction at a predetermined temperature and for a predetermined time. Is desired.

【0006】しかしながら、基板33は、ホットプレー
ト31により一定時間加熱処理された後、加熱用の基板
熱処理装置30aから取り出され、搬送ロボットにより
冷却用の基板熱処理装置30bに搬送される。この搬送
過程では、基板33は搬送ロボットのアームに支持され
た状態で基板熱処理装置30a,30bが設置されたク
リーンルーム内の雰囲気下を移動する。基板の搬送路に
はクリーンルーム内のダウンフローがそのまま導入され
ている場合が多い。このために、基板33周辺の気流が
絶えず変動し、その影響を受けて基板33の温度が変動
する。また、基板33の搬送経路に沿って配置された種
々の装置から発熱があるような場合には、搬送経路の周
囲温度が変動し、基板33の温度がこれによっても変動
する。
However, after the substrate 33 is heat-treated by the hot plate 31 for a certain period of time, it is taken out of the substrate heat treatment apparatus 30a for heating and is transported to the substrate heat treatment apparatus 30b for cooling by the transport robot. In this transfer process, the substrate 33 is moved under the atmosphere in a clean room in which the substrate heat treatment apparatuses 30a and 30b are installed while being supported by the arm of the transfer robot. In many cases, the downflow in the clean room is directly introduced to the substrate transfer path. Therefore, the air flow around the substrate 33 constantly fluctuates, and the temperature of the substrate 33 fluctuates under the influence thereof. Further, when heat is generated from various devices arranged along the transfer path of the substrate 33, the ambient temperature of the transfer path changes, and the temperature of the substrate 33 also changes accordingly.

【0007】このように、基板33の搬送時には、周囲
の環境の影響を受けて基板の温度が不規則に変動するた
め、基板33の降温時の温度履歴を十分に制御すること
ができない。
As described above, when the substrate 33 is transferred, the temperature of the substrate fluctuates irregularly under the influence of the surrounding environment, so that the temperature history of the substrate 33 during the temperature reduction cannot be sufficiently controlled.

【0008】本発明の目的は、基板の加熱、冷却処理に
おいて基板の温度履歴の制御が可能な基板熱処理装置を
提供することである。
An object of the present invention is to provide a substrate heat treatment apparatus capable of controlling the temperature history of the substrate during the heating and cooling of the substrate.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段および発明の効果】第1の
発明に係る基板熱処理装置は、熱処理室の内部に基板を
保持し、基板に対して所定の熱処理を行う基板熱処理装
置において、基板を所定の温度に設定する第1の基板温
度設定手段と、基板を所定の温度と異なる温度に設定す
る第2の基板温度設定手段とを共通の熱処理室の内部に
設け、第1の基板温度設定手段の上方に第2の基板温度
設定手段を対向して配置し、第1の基板温度設定手段と
第2の基板温度設定手段との間の位置と、第1の基板温
度設定手段と第2の基板温度設定手段との間から退避し
た位置との間を移動自在に熱遮蔽部材を設けたものであ
る。
A substrate heat treatment apparatus according to the first invention is a substrate heat treatment apparatus for holding a substrate inside a heat treatment chamber and performing a predetermined heat treatment on the substrate. A first substrate temperature setting means for setting a predetermined temperature and a second substrate temperature setting means for setting a substrate at a temperature different from the predetermined temperature are provided inside a common heat treatment chamber to set the first substrate temperature setting. Second substrate temperature above the means
The setting means are arranged so as to face each other, and the first substrate temperature setting means and
The position between the second substrate temperature setting means and the first substrate temperature
Between the temperature setting means and the second substrate temperature setting means
The heat shield member is provided so as to be movable between the open position and the open position .

【0010】第2の発明に係る基板熱処理装置は、第1
の発明に係る基板熱処理装置の構成において、基板の下
面を支持して昇降し、基板を第1の基板温度設定手段の
表面に近接した位置と第2の基板温度設定手段の表面に
近接した位置との間を移動させる基板昇降手段をさらに
設けたものである。
The substrate heat treatment apparatus according to the second invention is the first
In the structure of the substrate heat treatment apparatus according to the invention,
The substrate is moved up and down while supporting the surface, and the substrate is moved to the first substrate temperature setting means.
At a position close to the surface and on the surface of the second substrate temperature setting means
Substrate raising and lowering means for moving between adjacent positions
It is provided.

【0011】第3の発明に係る基板熱処理装置は、第1
または第2の発明に係る基板熱処理装置の構成におい
て、基板昇降手段によって上昇された基板が第2の基板
温度設定手段に近接した状態で基板を保持する保持部材
をさらに設けたものである。
A substrate heat treatment apparatus according to a third invention is the first
Alternatively, in the configuration of the substrate heat treatment apparatus according to the second invention,
And the substrate raised by the substrate elevating means is the second substrate.
A holding member for holding the substrate in the vicinity of the temperature setting means
Is further provided.

【0012】第4の発明に係る基板熱処理装置は、熱処
理室の内部に基板を保持し、基板に対して所定の熱処理
を行う基板熱処理装置において、基板を所定の温度に設
定する第1の基板温度設定手段と、基板を所定の温度と
異なる温度に設定する第2の基板温度設定手段とを共通
の熱処理室の内部に設け、第1の基板温度設定手段の上
方に第2の基板温度設定手段を対向して配置し、基板の
下面を支持して昇降し、基板を第1の基板温度設定手段
の表面に近接した位置と第2の基板温度設定手段の表面
に近接した位置との間を移動させる基板昇降手段と、基
板昇降手段によって上昇された基板が第2の基板温度設
定手段に近接した状態で基板を保持する保持部材とを設
けたものである。
A substrate heat treatment apparatus according to a fourth aspect of the present invention is a heat treatment apparatus.
Hold the substrate inside the processing room and perform a predetermined heat treatment on the substrate.
In a substrate heat treatment apparatus that performs
A first substrate temperature setting means for setting the temperature of the substrate to a predetermined temperature.
Common with the second substrate temperature setting means for setting different temperatures
Is provided inside the heat treatment chamber of the first substrate temperature setting means.
The second substrate temperature setting means is arranged to face each other, and
First substrate temperature setting means for supporting the lower surface and moving up and down
Near the surface of the substrate and the surface of the second substrate temperature setting means
Substrate elevating means for moving between a position close to the
The substrate raised by the plate elevating means is set to the second substrate temperature setting.
A holding member for holding the substrate in the vicinity of the fixing means.
It is a digit.

【0013】第5の発明に係る基板熱処理装置は、第4
の発明に係る基板熱処理装置において、第1の基板温度
設定手段と第2の基板温度設定手段との間の位置と、第
1の基板温度設定手段と第2の基板温度設定手段との間
から退避した位置との間を移動自在に熱遮蔽部材を設け
たものである。
A substrate heat treatment apparatus according to a fifth aspect of the present invention is the fourth aspect.
In the substrate heat treatment apparatus according to the invention, the first substrate temperature
A position between the setting means and the second substrate temperature setting means,
Between the first substrate temperature setting means and the second substrate temperature setting means
A heat shield is provided so that it can move freely between the position retracted from
It is a thing.

【0014】第1〜第3の発明に係る基板熱処理装置に
おいては、共通の熱処理室の内部で第1の基板温度設定
手段による基板の熱処理と第2の基板温度設定手段によ
る熱処理とを行うことができるため、雰囲気状態が一定
した熱処理室の内部で第1の基板温度設定手段と第2の
基板温度設定手段との間を基板が搬送されることによ
り、基板の温度変化が一定の状態となるように制御する
ことができる。
In the substrate heat treatment apparatus according to the first to third inventions
In the common heat treatment chamber, the first substrate temperature is set.
The heat treatment of the substrate by the means and the second substrate temperature setting means.
Since the heat treatment can be performed, the atmospheric condition is constant.
Inside the heat treatment chamber, the first substrate temperature setting means and the second substrate temperature setting means
By transferring the substrate between the substrate temperature setting means and
Control so that the temperature change of the substrate is constant.
be able to.

【0015】また、第1の基板温度設定手段と第2の基
板温度設定手段とを上下方向に対向配置したことによ
り、基板の上下移動により速やかに基板の受渡しを行う
ことができる。これにより、基板の搬送時間を短縮し、
基板温度が周囲の雰囲気の影響を受ける時間が短縮化さ
れることによって基板の温度制御を正確に行うことがで
きる。
Further , the first substrate temperature setting means and the second substrate
By arranging the plate temperature setting means so as to face each other in the vertical direction,
The board can be quickly delivered by moving it up and down.
be able to. This shortens the substrate transfer time,
The time when the substrate temperature is affected by the surrounding atmosphere is shortened.
The temperature of the substrate can be controlled accurately by
Wear.

【0016】さらに、第1の基板温度設定手段と第2の
基板温度設定手段との間に熱遮蔽部材を設けることによ
り、互いの熱影響を相手側に及ぼすことが防止され、こ
れによって基板の温度制御をより正確に行うことができ
る。
Further, the first substrate temperature setting means and the second substrate temperature setting means
By providing a heat shield member between the substrate temperature setting means and
This prevents the other party from being affected by the heat of each other.
This allows for more accurate substrate temperature control.
It

【0017】特に、第2の発明に係る基板熱処理装置に
おいては、基板昇降手段を用いて基板を上下移動させる
ことにより、第1および第2の基板温度設定手段間の基
板の搬送時間を短縮することができる。
Particularly, in the substrate heat treatment apparatus according to the second invention.
In this case, the substrate is moved up and down by using the substrate elevating means.
As a result, the substrate between the first and second substrate temperature setting means is
It is possible to shorten the transportation time of the plate.

【0018】特に、第3の発明に係る基板熱処理装置に
おいては、第2の基板温度設定手段に近接配置された基
板を保持部材が保持する構成が付加されることにより、
2枚の基板に対してそれぞれ第1の基板温度設定手段に
よる熱処理と第2の基板温度設定手段による熱処理とを
同時に行うことが可能となり、基板の処理効率が向上す
る。
Particularly, in the substrate heat treatment apparatus according to the third invention.
In the above, the substrate placed close to the second substrate temperature setting means.
By adding the configuration that the plate is held by the holding member,
The first substrate temperature setting means for each of the two substrates
Heat treatment by the second substrate temperature setting means
It is possible to perform them simultaneously, improving the processing efficiency of the substrate.
It

【0019】第4および第5の発明に係る基板熱処理装
置においては、共通の熱処理室の内部で第1の基板温度
設定手段による基板の熱処理と第2の基板温度設定手段
による熱処理とを行うことができるため、雰囲気状態が
一定した熱処理室の内部で第1の基板温度設定手段と第
2の基板温度設定手段との間を基板が搬送されることに
より、基板の温度変化が一定の状態となるように制御す
ることができる。
A substrate heat treatment apparatus according to the fourth and fifth aspects of the invention.
The first substrate temperature inside the common heat treatment chamber.
Heat treatment of substrate by setting means and second substrate temperature setting means
Since the heat treatment can be performed by
Inside the constant heat treatment chamber, the first substrate temperature setting means and the first substrate temperature setting means
The substrate is transferred between the substrate temperature setting means 2 and
Control so that the temperature change of the substrate is constant.
You can

【0020】また、第2の基板温度設定手段に近接配置
された基板を保持部材が保持する構成が付加されること
により、2枚の基板に対してそれぞれ第1の基板温度設
定手段による熱処理と第2の基板温度設定手段による熱
処理とを同時に行うことが可能となり、基板の処理効率
が向上する。
Further , the second substrate temperature setting means is arranged close to
A structure in which the holding member holds the processed substrate is added.
This allows the first substrate temperature setting for each of the two substrates.
Heat treatment by the constant means and heat by the second substrate temperature setting means
It is possible to perform processing at the same time, and substrate processing efficiency
Is improved.

【0021】特に、第5の発明に係る基板熱処理装置に
おいては、第1の基板温度設定手段と第2の基板温度設
定手段との間に熱遮蔽部材を設けることにより、互いの
熱影響を相手側に及ぼすことが防止され、これによって
基板の温度制御をより正確に行うことができる。
Particularly, in the substrate heat treatment apparatus according to the fifth invention,
In the first substrate temperature setting means and the second substrate temperature setting means.
By providing a heat shield member between the fixing means,
This prevents heat from affecting the other party, which
The temperature of the substrate can be controlled more accurately.

【0022】[0022]

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】図1は、本発明の第1の実施例に
よる基板熱処理装置の模式的断面図である。図1の
(a)は、ホットプレート1による加熱処理状態を示
し、(b)はクーリングプレート2による冷却(降温)
処理状態を示している。
1 is a schematic sectional view of a substrate heat treatment apparatus according to a first embodiment of the present invention. 1A shows a heat treatment state by the hot plate 1, and FIG. 1B shows cooling by the cooling plate 2 (cooling).
The processing state is shown.

【0024】図1において、基板熱処理装置は1つの処
理空間3の内部に、ホットプレート1とクーリングプレ
ート2とを上下方向に対向して配置している。なお、図
1(a)中には処理空間3の内壁を点線で模式的に示し
ている。ホットプレート1は、処理空間3の下方に配置
されており、その内部にヒータあるいはペルチェ素子な
どの加熱装置が埋め込まれている。
In FIG. 1, in the substrate heat treatment apparatus, a hot plate 1 and a cooling plate 2 are vertically opposed to each other inside one processing space 3. In addition, in FIG. 1A, the inner wall of the processing space 3 is schematically shown by a dotted line. The hot plate 1 is arranged below the processing space 3, and a heating device such as a heater or a Peltier element is embedded in the hot plate 1.

【0025】また、ホットプレート1の下方には、ホッ
トプレート1の貫通孔6を通り、基板10の裏面を支持
する複数の昇降ピン4aを有する基板昇降部材4が配置
されている。基板昇降部材4はエアシリンダあるいはモ
ータなどからなる昇降駆動部5により上下方向に移動
し、基板10をホットプレート1の表面に近接した位置
からクーリングプレート2の表面に近接した位置まで移
動させる。
Below the hot plate 1, a substrate elevating member 4 having a plurality of elevating pins 4a for supporting the back surface of the substrate 10 through the through holes 6 of the hot plate 1 is arranged. The substrate elevating / lowering member 4 is vertically moved by an elevating / lowering drive unit 5 including an air cylinder or a motor, and moves the substrate 10 from a position close to the surface of the hot plate 1 to a position close to the surface of the cooling plate 2.

【0026】クーリングプレート2はホットプレート1
の上方に所定の空間を隔てて配置されている。クーリン
グプレート2の内部には冷却管あるいはペルチェ素子な
どの冷却装置が埋め込まれている。
The cooling plate 2 is the hot plate 1
Is disposed above and with a predetermined space. A cooling device such as a cooling pipe or a Peltier element is embedded inside the cooling plate 2.

【0027】上記のような構造を有する基板熱処理装置
は、共通の処理空間3の内部において基板10の加熱処
理と冷却処理とを連続して行うことができる。すなわ
ち、図1(a)に示すように、基板10の加熱処理時に
は、基板10はホットプレート1の上面に形成された球
状スペーサを介してホットプレート1の上面に近接して
保持され、ホットプレート1の内部に設けられた加熱装
置により所定の温度に加熱される。
The substrate heat treatment apparatus having the above structure can continuously perform the heating treatment and the cooling treatment of the substrate 10 inside the common processing space 3. That is, as shown in FIG. 1A, during the heat treatment of the substrate 10, the substrate 10 is held in proximity to the upper surface of the hot plate 1 via the spherical spacer formed on the upper surface of the hot plate 1, It is heated to a predetermined temperature by a heating device provided inside 1.

【0028】次に、図1(b)に示すように、一定時間
の加熱処理が終了すると、昇降駆動部5が基板昇降部材
4を上昇移動し、基板10が昇降ピン4aに支持された
状態でクーリングプレート2の下面に近接して保持され
る。これにより、基板10はクーリングプレート2の内
部に設けられた冷却装置により冷却されて所定の温度ま
で降温される。
Next, as shown in FIG. 1 (b), when the heat treatment for a certain period of time is completed, the elevating / lowering drive unit 5 moves the substrate elevating / lowering member 4 upward, and the substrate 10 is supported by the elevating / lowering pin 4a. Is held close to the lower surface of the cooling plate 2. As a result, the substrate 10 is cooled by the cooling device provided inside the cooling plate 2 and cooled to a predetermined temperature.

【0029】その後、降温された基板10は、基板熱処
理装置の外部に設けられた基板搬送装置により基板熱処
理装置の外部に排出される。このように、第1の実施例
による基板熱処理装置においては、共通の処理空間3内
において加熱および冷却処理が連続して行われるため、
基板熱処理装置の外部の影響を受けることがない。これ
によって基板10の温度履歴を所望の状態に制御するこ
とができる。
After that, the substrate 10 whose temperature has been lowered is discharged to the outside of the substrate heat treatment apparatus by the substrate transfer apparatus provided outside the substrate heat treatment apparatus. As described above, in the substrate heat treatment apparatus according to the first embodiment, since heating and cooling treatments are continuously performed in the common treatment space 3,
It is not affected by the outside of the substrate heat treatment apparatus. Thereby, the temperature history of the substrate 10 can be controlled to a desired state.

【0030】図2および図3は、本発明の第2の実施例
による基板熱処理装置の模式的断面図であり、図2は基
板の加熱処理状態を示し、図3は基板の降温処理状態を
示している。
2 and 3 are schematic cross-sectional views of the substrate heat treatment apparatus according to the second embodiment of the present invention. FIG. 2 shows the heat treatment state of the substrate, and FIG. 3 shows the temperature decrease treatment state of the substrate. Shows.

【0031】第2の実施例による基板熱処理装置は、第
1の実施例による基板熱処理装置の構成に対し、ホット
プレート1とクーリングプレート2との間に断熱プレー
ト(熱遮蔽部材)7を出し入れ可能に設けたものであ
る。
In the substrate heat treatment apparatus according to the second embodiment, a heat insulating plate (heat shield member) 7 can be put in and taken out between the hot plate 1 and the cooling plate 2 in addition to the structure of the substrate heat treatment apparatus according to the first embodiment. It was installed in.

【0032】図4は断熱プレート7の平面構造図であ
る。断熱プレート7は少なくともホットプレート1の加
熱面あるいはクーリングプレート2の冷却面を覆う平面
領域を有する平板形状に形成されている。そして、この
断熱プレート7は水平移動機構(図示省略)によりホッ
トプレート1とクーリングプレート2との間に介在する
位置と、ホットプレート1およびクーリングプレート2
の間から退避した位置との間を移動する。
FIG. 4 is a plan view of the heat insulating plate 7. The heat insulating plate 7 is formed in a flat plate shape having a flat area that covers at least the heating surface of the hot plate 1 or the cooling surface of the cooling plate 2. The heat insulating plate 7 is positioned between the hot plate 1 and the cooling plate 2 by a horizontal movement mechanism (not shown), and the hot plate 1 and the cooling plate 2
Move between the space and the retracted position.

【0033】まず、図2に示す加熱処理時には、断熱プ
レート7が基板10の上方に移動する。この場合、処理
空間3内では、ホットプレート1表面からの発熱により
加熱された気体がクーリングプレート2側に向かって対
流を生じる。しかし、断熱プレート7がこの熱対流を阻
止するため、断熱プレート7の上方の処理空間3内の温
度上昇が抑制される。このように、断熱プレート7を配
置させることにより、ホットプレート1の発熱による影
響がクーリングプレート2側に及ぶのを防止することが
できる。このため、クーリングプレート2はホットプレ
ート1からの影響を受けることなく所定の温度を維持す
ることができる。
First, during the heat treatment shown in FIG. 2, the heat insulating plate 7 moves above the substrate 10. In this case, in the processing space 3, the gas heated by the heat generated from the surface of the hot plate 1 causes convection toward the cooling plate 2 side. However, since the heat insulating plate 7 blocks this heat convection, the temperature rise in the processing space 3 above the heat insulating plate 7 is suppressed. By disposing the heat insulating plate 7 in this way, it is possible to prevent the influence of heat generation of the hot plate 1 from reaching the cooling plate 2. Therefore, the cooling plate 2 can maintain a predetermined temperature without being affected by the hot plate 1.

【0034】次に、図3に示す降温処理工程では、まず
断熱プレート7が退避し、基板昇降部材4の上昇によっ
て基板10がクーリングプレート2の表面に近接して保
持される。その後、再び断熱プレート7が基板10とホ
ットプレート1との間に挿入される。断熱プレートは、
切欠き部8(図4参照)により昇降ピン4aと干渉する
ことなく所定の位置に挿入される。
Next, in the temperature lowering process step shown in FIG. 3, the heat insulating plate 7 is first retracted, and the substrate 10 is held close to the surface of the cooling plate 2 by raising the substrate elevating member 4. Then, the heat insulating plate 7 is again inserted between the substrate 10 and the hot plate 1. Insulation plate
The notch portion 8 (see FIG. 4) is inserted into a predetermined position without interfering with the elevating pin 4a.

【0035】そして、この断熱プレート7の存在によ
り、ホットプレート1側からの熱の影響が基板10に及
ぶことが阻止される。また、断熱プレート7の上方の処
理空間3内では、基板10がクーリングプレート2から
の冷却作用により所定の温度にまで降温される。
The presence of the heat insulating plate 7 prevents the heat from the hot plate 1 side from affecting the substrate 10. In the processing space 3 above the heat insulating plate 7, the substrate 10 is cooled to a predetermined temperature by the cooling action from the cooling plate 2.

【0036】上記のように、断熱プレート7を設ける
と、ホットプレート1およびクーリングプレート2は互
いに相手側の熱影響を受けることなく加熱あるいは冷却
処理を行うことができる。このため、ホットプレート1
とクーリングプレート2との間隔をより狭めることが可
能となり、これにより基板熱処理装置の高さ方向の大き
さを減少させることができる。
As described above, when the heat insulating plate 7 is provided, the hot plate 1 and the cooling plate 2 can be heated or cooled without being affected by the heat of the other side. Therefore, hot plate 1
It is possible to further reduce the distance between the cooling plate 2 and the cooling plate 2, which can reduce the size of the substrate heat treatment apparatus in the height direction.

【0037】図5〜図7は、本発明の第3の実施例によ
る基板熱処理装置の模式的断面図であり、(a)〜
(f)は、基板の加熱および冷却工程の各動作状態を示
している。この第3の実施例による基板熱処理装置は、
第2の実施例による基板熱処理装置の構成に対し、加熱
処理後の基板をクーリングプレート2の近接位置に保持
して冷却処理を行うための受渡しピン9を設けたもので
ある。
5 to 7 are schematic cross-sectional views of a substrate heat treatment apparatus according to a third embodiment of the present invention.
(F) shows the respective operating states of the substrate heating and cooling steps. The substrate heat treatment apparatus according to the third embodiment is
In addition to the structure of the substrate heat treatment apparatus according to the second embodiment, a delivery pin 9 for holding the substrate after the heat treatment at a position close to the cooling plate 2 and performing the cooling treatment is provided.

【0038】例えば図5に示すように、受渡しピン9
は、処理空間3内のクーリングプレート2の外周に近接
する位置を支点として揺動可能に取り付けられたフック
状の部材からなり、基板10aの下面を支持するために
複数個設けられている。受渡しピン9は図示しない駆動
機構により、基板10aの上下移動を許容する位置と、
基板10aの下面を支持し、クーリングプレート2の表
面に近接保持する位置との間を移動する。
For example, as shown in FIG.
Is a hook-shaped member that is swingably attached to a position close to the outer periphery of the cooling plate 2 in the processing space 3, and a plurality of members are provided to support the lower surface of the substrate 10a. The delivery pin 9 has a position where the substrate 10a is allowed to move up and down by a drive mechanism (not shown),
The lower surface of the substrate 10a is supported, and the substrate 10a is moved to a position where it is held close to the surface of the cooling plate 2.

【0039】この第3の実施例による基板熱処理装置
は、同時に2枚の基板10a,10bに対してそれぞれ
加熱処理および冷却処理を行うことができる。以下、そ
の処理状態を図5〜図7を参照して説明する。
The substrate heat treatment apparatus according to the third embodiment can simultaneously perform heat treatment and cooling treatment on two substrates 10a and 10b, respectively. The processing state will be described below with reference to FIGS.

【0040】まず、図5(a)に示すように、1枚目の
基板10aをホットプレート1上に球状スペーサを介し
て近接配置し、所定温度での加熱処理を行う。次に、図
5(b)に示すように、基板昇降部材4を上昇し、加熱
処理後の基板10aをクーリングプレート2の近接位置
まで上昇して保持する。
First, as shown in FIG. 5A, the first substrate 10a is placed close to the hot plate 1 via a spherical spacer, and heat treatment is performed at a predetermined temperature. Next, as shown in FIG. 5B, the substrate elevating / lowering member 4 is raised, and the substrate 10 a after the heat treatment is raised and held to a position close to the cooling plate 2.

【0041】さらに、図6(c)に示すように、受渡し
ピン9を移動し、基板10aの下面を支持する。そし
て、基板支持部材4を下降し、次の加熱処理を行う基板
10bをホットプレート1上の所定位置に近接配置す
る。
Further, as shown in FIG. 6C, the transfer pin 9 is moved to support the lower surface of the substrate 10a. Then, the substrate support member 4 is moved down, and the substrate 10b to be subjected to the next heat treatment is placed close to a predetermined position on the hot plate 1.

【0042】さらに図6(d)に示すように、断熱プレ
ート7を2枚の基板10a,10bの間に移動させ、そ
れぞれ加熱および冷却処理を行わせる。さらに、図7
(e)に示すように、冷却処理が終了した基板10a
を、外部に配置された基板搬送装置に受渡し、受渡しピ
ン9を待機位置に移動させる。
Further, as shown in FIG. 6 (d), the heat insulating plate 7 is moved between the two substrates 10a and 10b to perform heating and cooling treatments, respectively. Furthermore, FIG.
As shown in (e), the substrate 10a on which the cooling process has been completed
Is transferred to the substrate transfer device arranged outside, and the transfer pin 9 is moved to the standby position.

【0043】さらに、図7(f)に示すように、基板昇
降部材4を上昇させ、加熱処理が終了した基板10bを
クーリングプレート2の近接位置に保持する。この後、
図6(c)に示すように、受渡しピン9により基板10
bを保持し、図6(c)以降の処理を繰り返す。
Further, as shown in FIG. 7F, the substrate elevating member 4 is raised to hold the substrate 10b, which has been subjected to the heat treatment, in the vicinity of the cooling plate 2. After this,
As shown in FIG. 6C, the substrate 10 is formed by the transfer pins 9.
b is held and the processing from FIG. 6C is repeated.

【0044】この第3の実施例による基板熱処理装置に
おいては、共通の処理空間3内において同時に2枚の基
板10a,10bに対してそれぞれ加熱および冷却処理
を施すことができるため、基板の熱処理作業の効率化を
図ることができる。
In the substrate heat treatment apparatus according to the third embodiment, since the two substrates 10a and 10b can be simultaneously heated and cooled in the common processing space 3, the substrate heat treatment work can be performed. The efficiency of can be improved.

【0045】図8は、本発明の第4の実施例による基板
熱処理装置の模式的断面図であり、図9は、第4の実施
例による基板熱処理装置の模式的平面図である。第4の
実施例による基板熱処理装置20は、共通の処理空間3
の内部にホットプレート21とクーリングプレート22
とを配置し、さらにこのホットプレート21とクーリン
グプレート22との間に基板10の受渡しロボット23
を配置したものである。
FIG. 8 is a schematic sectional view of a substrate heat treatment apparatus according to a fourth embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a schematic plan view of a substrate heat treatment apparatus according to the fourth embodiment. The substrate heat treatment apparatus 20 according to the fourth embodiment has a common processing space 3
Hot plate 21 and cooling plate 22 inside
And a transfer robot 23 for the substrate 10 between the hot plate 21 and the cooling plate 22.
Is arranged.

【0046】この基板熱処理装置20では、ホットプレ
ート21上で加熱処理された基板10は、受渡しロボッ
ト23により処理空間3内を水平方向に移動し、クーリ
ングプレート22上の所定位置に保持され、クーリング
プレート22により所定の温度まで降温処理がなされ
る。
In this substrate heat treatment apparatus 20, the substrate 10 heat-treated on the hot plate 21 is moved horizontally in the processing space 3 by the transfer robot 23 and is held at a predetermined position on the cooling plate 22 for cooling. The plate 22 performs a temperature lowering process to a predetermined temperature.

【0047】この場合においても、基板10は処理空間
3の外部に搬出されることなく加熱処理と冷却処理とが
連続して行われる。このために、基板10の温度履歴を
所望の状態に制御することができる。
Also in this case, the substrate 10 is not carried out of the processing space 3 and the heating process and the cooling process are continuously performed. Therefore, the temperature history of the substrate 10 can be controlled to a desired state.

【0048】また、上記第1〜第4の実施例による基板
熱処理装置においては、基板熱処理装置が配置される一
連の基板処理ライン中を基板がタクト搬送された場合で
あっても、基板の熱処理時間を所定の時間に設定するこ
とができる。すなわち、基板の処理ラインにおいては、
各処理装置間で基板を搬送する時間(タクトタイム)
が、複数の処理ユニットの中で一番処理時間が長いユニ
ットの処理時間に律速される。このため、例えば従来の
加熱用の基板熱処理装置では、タクトタイムに相当する
時間だけ基板がホットプレート上に保持されて熱処理が
行われる。ところが基板に対する所望の熱処理時間がタ
クトタイムより短い場合には、基板に対して必要以上に
熱処理が施されることになる。
Further, in the substrate heat treatment apparatus according to the first to fourth embodiments, even if the substrate is tact-transferred through a series of substrate processing lines in which the substrate heat treatment apparatus is arranged, the substrate heat treatment is performed. The time can be set to a predetermined time. That is, in the substrate processing line,
Time to transfer the substrate between each processing equipment (tact time)
However, the rate is limited by the processing time of the unit having the longest processing time among the plurality of processing units. Therefore, for example, in the conventional substrate heat treatment apparatus for heating, the substrate is held on the hot plate for the time corresponding to the tact time to perform the heat treatment. However, if the desired heat treatment time for the substrate is shorter than the takt time, the substrate is subjected to heat treatment more than necessary.

【0049】このために、従来では基板熱処理装置に基
板を投入するタイミングを調整(投入待機)したり、あ
るいはホットプレートの上方位置に基板を待機させて処
理時間を調整(ピンアップ待機)している。しかし、前
者の方法では、基板が基板熱処理装置の外部に待機され
ることにより、外部雰囲気の影響を受けて不規則な温度
変動が生じる。また後者の方法では、ホットプレートの
上方位置であっても加熱処理が行われていることに変わ
りがない。
For this reason, conventionally, the timing of loading the substrate into the substrate heat treatment apparatus is adjusted (waiting for loading), or the substrate is waited above the hot plate to adjust the processing time (waiting for pin-up). There is. However, in the former method, the substrate is kept outside of the substrate heat treatment apparatus, so that an irregular temperature fluctuation occurs due to the influence of the external atmosphere. In the latter method, the heat treatment is still performed even at the position above the hot plate.

【0050】これに対し、上記実施例による基板熱処理
装置では、所定の時間加熱処理が行われると、即座に基
板をクーリングプレート側に移動させて降温処理が行わ
れる。このため、タクトタイムに関わらず熱処理時間を
精度よく制御することができる。
On the other hand, in the substrate heat treatment apparatus according to the above-described embodiment, when the heat treatment is performed for the predetermined time, the substrate is immediately moved to the cooling plate side and the temperature lowering treatment is performed. Therefore, the heat treatment time can be accurately controlled regardless of the takt time.

【0051】また、上記第1〜第4の実施例では、ホッ
トプレートを下方に、クーリングプレートを上方に配置
した構成について説明したが、上下を逆に構成しても同
じ効果を奏することができる。
Further, in the above-mentioned first to fourth embodiments, the configuration in which the hot plate is arranged below and the cooling plate is arranged above is explained, but the same effect can be obtained even if the arrangement is upside down. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施例による基板熱処理装置の
模式的断面図であり、(a)は加熱処理時の断面構造
図、(b)は冷却処理時の断面構造図である。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a substrate heat treatment apparatus according to a first embodiment of the present invention, (a) is a cross-sectional structure diagram during a heat treatment, and (b) is a cross-sectional structure diagram during a cooling treatment.

【図2】本発明の第2の実施例による基板熱処理装置の
加熱処理時の模式的断面図である。
FIG. 2 is a schematic sectional view of the substrate heat treatment apparatus according to the second embodiment of the present invention during heat treatment.

【図3】本発明の第3の実施例による基板熱処理装置の
冷却処理時の模式的断面図である。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a substrate heat treatment apparatus according to a third embodiment of the present invention during a cooling process.

【図4】図2および図3に示す断熱プレートの平面構造
図である。
FIG. 4 is a plan view of the heat insulating plate shown in FIGS. 2 and 3.

【図5】本発明の第3の実施例による基板熱処理装置の
模式的断面図であり、(a)および(b)はそれぞれ各
処理状態を示す断面図である。
FIG. 5 is a schematic sectional view of a substrate heat treatment apparatus according to a third embodiment of the present invention, in which (a) and (b) are sectional views showing respective processing states.

【図6】本発明の第3の実施例による基板熱処理装置の
模式的断面図であり、(c)および(d)はそれぞれ各
処理状態を示す断面図である。
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of a substrate heat treatment apparatus according to a third embodiment of the present invention, in which (c) and (d) are cross-sectional views showing respective processing states.

【図7】本発明の第3の実施例による基板熱処理装置の
模式的断面図であり、(e)および(f)はそれぞれ各
処理工程の断面図である。
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of a substrate heat treatment apparatus according to a third embodiment of the present invention, in which (e) and (f) are cross-sectional views of respective processing steps.

【図8】本発明の第4の実施例による基板熱処理装置の
模式的断面図である。
FIG. 8 is a schematic sectional view of a substrate heat treatment apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.

【図9】図8に示す第4の実施例による基板熱処理装置
の模式的平面図である。
9 is a schematic plan view of a substrate heat treatment apparatus according to a fourth embodiment shown in FIG.

【図10】従来の基板熱処理装置の模式的断面図であ
る。
FIG. 10 is a schematic sectional view of a conventional substrate heat treatment apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ホットプレート 2 クーリングプレート 3 処理空間 4 基板昇降部材 4a 昇降ピン 5 昇降駆動部 7 断熱プレート 9 受渡しピン 10,10a,10b 基板 20 基板熱処理装置 23 受渡しロボット 1 hot plate 2 cooling plate 3 processing space 4 Board lifting member 4a Lifting pin 5 Lift drive 7 Insulation plate 9 Delivery pins 10, 10a, 10b substrate 20 Substrate heat treatment equipment 23 Delivery robot

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/027 Continuation of front page (58) Fields surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/027

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 熱処理室の内部に基板を保持し、前記基
板に対して所定の熱処理を行う基板熱処理装置におい
て、 前記基板を所定の温度に設定する第1の基板温度設定手
段と、前記基板を前記所定の温度と異なる温度に設定す
る第2の基板温度設定手段とを共通の前記熱処理室の内
部に設け 前記第1の基板温度設定手段の上方に前記第2の基板温
度設定手段を対向して配置し、 前記第1の基板温度設定手段と前記第2の基板温度設定
手段との間の位置と、前記第1の基板温度設定手段と前
記第2の基板温度設定手段との間から退避した位置との
間を移動自在に熱遮蔽部材を設けた ことを特徴とする基
板熱処理装置。
1. A substrate heat treatment apparatus for holding a substrate inside a heat treatment chamber and performing a predetermined heat treatment on the substrate, comprising: first substrate temperature setting means for setting the substrate to a predetermined temperature; and the substrate. the provided a second substrate temperature setting means for setting said predetermined temperature different to the interior of the common of the heat treatment chamber, above the second substrate temperature of the first substrate temperature setting means
And a second substrate temperature setting unit, the first substrate temperature setting unit and the second substrate temperature setting unit being arranged to face each other.
A position between the first substrate temperature setting means and the first substrate temperature setting means.
Note that the position retracted from the second substrate temperature setting means
A substrate heat treatment apparatus characterized in that a heat shield member is provided so as to be movable between them.
【請求項2】 前記基板の下面を支持して昇降し、前記
基板を前記第1の基板温度設定手段の表面に近接した位
置と前記第2の基板温度設定手段の表面に近接した位置
との間を移動させる基板昇降手段をさらに設けたことを
特徴とする請求項1記載の基板熱処理装置。
2. The lower surface of the substrate is supported to move up and down,
Place the substrate close to the surface of the first substrate temperature setting means.
And a position close to the surface of the second substrate temperature setting means.
The board raising and lowering means for moving between
The substrate heat treatment apparatus according to claim 1, which is characterized in that .
【請求項3】 前記基板昇降手段によって上昇された前
記基板が前記第2の基板温度設定手段に近接した状態で
前記基板を保持する保持手段をさらに設けたことを特徴
とする請求項1または2記載の基板熱処理装置。
3. Before being raised by the substrate elevating means
With the substrate close to the second substrate temperature setting means,
Holding means for holding the substrate is further provided
The substrate heat treatment apparatus according to claim 1 or 2 .
【請求項4】 熱処理室の内部に基板を保持し、前記基
板に対して所定の熱処理を行う基板熱処理装置におい
て、 前記基板を所定の温度に設定する第1の基板温度設定手
段と、前記基板を前記所定の温度と異なる温度に設定す
る第2の基板温度設定手段とを共通の前記熱処理室の内
部に設け、 前記第1の基板温度設定手段の上方に前記第2の基板温
度設定手段を対向して配置し、 前記基板の下面を支持して昇降し、前記基板を前記第1
の基板温度設定手段の表面に近接した位置と前記第2の
基板温度設定手段の表面に近接した位置との間を移動さ
せる基板昇降手段と、 前記基板昇降手段によって上昇された前記基板が前記第
2の基板温度設定手段 に近接した状態で前記基板を保持
する保持部材とを設けたことを特徴とする 基板熱処理装
置。
4. A substrate is held inside a heat treatment chamber,
In a substrate heat treatment device that performs a predetermined heat treatment on a plate
Te first substrate temperature setting hand for setting the substrate to a predetermined temperature
And the substrate is set to a temperature different from the predetermined temperature.
In the heat treatment chamber, which is common to the second substrate temperature setting means
And a second substrate temperature above the first substrate temperature setting means.
Degree setting means are arranged to face each other, and the lower surface of the substrate is supported to move up and down to move the substrate to the first
And a position close to the surface of the substrate temperature setting means of the second
Moved between the substrate temperature setting means and the position close to the surface.
The substrate raising and lowering means for causing the substrate to be raised by the substrate raising and lowering means .
Hold the substrate close to the second substrate temperature setting means
A substrate heat treatment apparatus, comprising:
【請求項5】 前記第1の基板温度設定手段と前記第2
の基板温度設定手段との間の位置と、前記第1の基板温
度設定手段と前記第2の基板温度設定手段との間から退
避した位置との間を移動自在に熱遮蔽部材を設けたこと
を特徴とする請求項4記載の基板熱処理装置。
5. The first substrate temperature setting means and the second substrate temperature setting means.
And the position of the first substrate temperature
Between the temperature setting means and the second substrate temperature setting means.
A heat shield is provided so that it can move freely between the retracted position
The substrate heat treatment device according to claim 4 .
JP17801096A 1996-07-08 1996-07-08 Substrate heat treatment equipment Expired - Fee Related JP3451166B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17801096A JP3451166B2 (en) 1996-07-08 1996-07-08 Substrate heat treatment equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17801096A JP3451166B2 (en) 1996-07-08 1996-07-08 Substrate heat treatment equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1022189A JPH1022189A (en) 1998-01-23
JP3451166B2 true JP3451166B2 (en) 2003-09-29

Family

ID=16040988

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP17801096A Expired - Fee Related JP3451166B2 (en) 1996-07-08 1996-07-08 Substrate heat treatment equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3451166B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8837924B2 (en) 2009-06-24 2014-09-16 Canon Anelva Corporation Vacuum heating/cooling apparatus and manufacturing method of magnetoresistance element

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4137750B2 (en) * 2003-09-17 2008-08-20 株式会社Sokudo Heat treatment apparatus, heat treatment method, and substrate processing apparatus
US7402778B2 (en) * 2005-04-29 2008-07-22 Asm Assembly Automation Ltd. Oven for controlled heating of compounds at varying temperatures
JP4670677B2 (en) * 2006-02-17 2011-04-13 東京エレクトロン株式会社 Heating device, heating method, coating device, and storage medium
JP4939850B2 (en) * 2006-06-16 2012-05-30 株式会社東芝 Substrate processing method
JP4499147B2 (en) * 2007-11-21 2010-07-07 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing equipment
JP5611152B2 (en) * 2011-08-29 2014-10-22 東京エレクトロン株式会社 Substrate heat treatment equipment
CN106628836A (en) * 2017-02-23 2017-05-10 重庆江东机械有限责任公司 Insulated conveying system, insulated method thereof and application

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8837924B2 (en) 2009-06-24 2014-09-16 Canon Anelva Corporation Vacuum heating/cooling apparatus and manufacturing method of magnetoresistance element

Also Published As

Publication number Publication date
JPH1022189A (en) 1998-01-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3693783B2 (en) Substrate processing equipment
JP3665826B2 (en) Substrate heat treatment equipment
US7371998B2 (en) Thermal wafer processor
JP2001526316A (en) Vacuum processing equipment with improved substrate heating and cooling
JPH10303113A (en) Heat-treating device
TWI449112B (en) Plate, apparatus for adjusting temperature of substrate having the plate and apparatus for processing substrate having the plate
JP3451166B2 (en) Substrate heat treatment equipment
JP3527868B2 (en) Heat treatment apparatus and heat treatment method for semiconductor substrate
JP3935303B2 (en) Heat treatment device
JP2004022805A (en) Heat treatment device and heat treatment method
JP3525022B2 (en) Substrate heating device
JP4334486B2 (en) Heat treatment equipment
KR20190042861A (en) Method and Apparatus for treating substrate
JP3274089B2 (en) Hybrid type heat treatment equipment
JP7116558B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing system
JPH10270307A (en) Substrate treating device
JP4164034B2 (en) Substrate processing equipment
JP4115641B2 (en) Heat treatment equipment
JP7200638B2 (en) Heat treatment apparatus and heat treatment method
JP2002203779A (en) Heat treatment equipment
JPH1197431A (en) Heat processing device for substrate
JP2662982B2 (en) Heating equipment
JP3621804B2 (en) Substrate heat treatment equipment
KR102245560B1 (en) Substrate baking apparatus
JPH10294275A (en) Heat treatment device and heat treatment method

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080711

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080711

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090711

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090711

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090711

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100711

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100711

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110711

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110711

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110711

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110711

Year of fee payment: 8

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees