JP2023097762A - 銅合金異形条材、電子・電気機器用部品、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板 - Google Patents
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Abstract
【課題】高い導電率と優れた耐熱性とを有する銅合金異形条材を提供する。【解決手段】長手方向に直交する断面において互い厚さの異なる厚部と薄部とを備えた銅合金異形条材であって、Ｍｇの含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ超え１．２ｍａｓｓ％未満の範囲内、Ｐの含有量が０ｍａｓｓｐｐｍ以上２００ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内、残部がＣｕ及び不可避不純物とした組成を有し、導電率が４８％ＩＡＣＳ以上、前記厚部の耐熱温度Ｔ１が２６０℃以上、前記薄部の耐熱温度Ｔ２が２４０℃以上、０．９＜Ｔ１／Ｔ２＜１．２５とされ、前記厚部の小傾角粒界割合Ｂ１が８０％以下、前記薄部の小傾角粒界割合Ｂ２が８０％以下、かつ、０．８＜Ｂ１／Ｂ２＜１．２とされ、Ｇｏｓｓ方位｛０１１｝＜１００＞に対して１０°以内の結晶方位を有する結晶の面積割合が、前記厚部および前記薄部でそれぞれ１％以上である。【選択図】なし
Description
本発明は、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品に適した銅合金異形条材、この銅合金異形条材からなる電子・電気機器用部品、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板に関するものである。
従来、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品には、導電性の高い銅又は銅合金が用いられている。
ここで、電子機器や電気機器等の大電流化にともない、電流密度の低減およびジュール発熱による熱の拡散のために、これら電子機器や電気機器等に使用される電子・電気機器用部品の大型化、厚肉化も図られている。
ここで、電子機器や電気機器等の大電流化にともない、電流密度の低減およびジュール発熱による熱の拡散のために、これら電子機器や電気機器等に使用される電子・電気機器用部品の大型化、厚肉化も図られている。
ここで、大電流に対応するために、上述の電子・電気機器用部品には、導電率に優れた無酸素銅等の純銅材が適用される。しかしながら、通電時の発熱や使用環境の高温化に伴い、銅材には高温での硬度低下のしにくさを表す耐熱性に優れた銅材が求められているが、純銅材は、これらの特性に劣っており、高温環境下での使用ができないといった問題があった。
そこで、特許文献１には、Ｍｇを０．００５ｍａｓｓ％以上０．１ｍａｓｓ％未満の範囲で含む銅圧延板が開示されている。
そこで、特許文献１には、Ｍｇを０．００５ｍａｓｓ％以上０．１ｍａｓｓ％未満の範囲で含む銅圧延板が開示されている。
特許文献１に記載された銅圧延板においては、Ｍｇを０．００５ｍａｓｓ％以上０．１ｍａｓｓ％未満の範囲で含み、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる組成を有しているので、Ｍｇを銅の母相中に固溶させることで、導電率を大きく低下させることなく、強度、耐熱性を向上させることが可能であった。
また、上述の電子・電気機器用部品の素材として、例えば特許文献２，３に開示されているように、長手方向に直交する断面において互い厚さの異なる厚部と薄部とを備えた銅合金異形条材が用いられている。
ここで、これらの材料は耐熱特性を溶質元素の添加により改善させているが、互い厚さの異なる厚部と薄部とを備えた銅合金異形条材においては、材料組織が厚部と薄部とでは組織構造が異なり易く、厚部と薄部とで強度や耐熱性等の特性に差が生じやすく、高温環境下で安定して使用することができないおそれがあった。
この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、厚部と薄部とで強度や耐熱性等の特性に差が生じにくく、高温環境下で安定して使用することが可能な銅合金異形条材、および、この銅合金異形条材からなる電子・電子機器用部品、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板を提供することを目的とする。
この課題を解決するために、本発明の銅合金異形条材は、長手方向に直交する断面において互い厚さの異なる厚部と薄部とを備えた銅合金異形条材であって、Ｍｇの含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ超え１．２ｍａｓｓ％未満の範囲内、Ｐの含有量が０ｍａｓｓｐｐｍ以上２００ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内、残部がＣｕ及び不可避不純物とした組成を有し、導電率が４８％ＩＡＣＳ以上とされ、前記厚部の耐熱温度Ｔ１が２６０℃以上、前記薄部の耐熱温度Ｔ２が２４０℃以上、かつ、０．９＜Ｔ１／Ｔ２＜１．２５とされ、ＥＢＳＤ法により、圧延面、すなわちＮＤ面(Ｎｏｒｍａｌ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）において１００００μｍ２以上の測定面積を、０．２５μｍの測定間隔のステップでＣＩ値が０．１以下である測定点を除いて、各結晶粒の方位差の解析を行い、隣接する測定点間の方位差が１５°以上となる測定点間を結晶粒界とし、Ａｒｅａ Ｆｒａｃｔｉｏｎにより平均粒径Ａを求め、平均粒径Ａの１０分の１以下となる測定間隔のステップで測定して、総数１０００個以上の結晶粒が含まれるように、複数視野で１００００μｍ２以上となる測定面積で、データ解析ソフトＯＩＭにより解析されたＣＩ値が０．１以下である測定点を除いて解析し、隣接する測定点間の方位差が２°以上１５°以下となる測定点間である小傾角粒界およびサブグレインバウンダリーの長さをＬＬＢ、隣接する測定点間の方位差が１５°を超える測定点間である大傾角粒界の長さをＬＨＢとし、小傾角粒界割合Ｂ＝ＬＬＢ／（ＬＬＢ＋ＬＨＢ）としたとき、前記厚部の小傾角粒界割合Ｂ１が８０％以下、前記薄部の小傾角粒界割合Ｂ２が８０％以下、かつ、０．８＜Ｂ１／Ｂ２＜１．２とされ、Ｇｏｓｓ方位｛０１１｝＜１００＞に対して１０°以内の結晶方位を有する結晶の面積割合が、前記厚部および前記薄部でそれぞれ１％以上であることを特徴としている。
この構成の銅合金異形条材によれば、Ｍｇの含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ超え１．２ｍａｓｓ％未満の範囲内、Ｐの含有量が０ｍａｓｓｐｐｍ以上２００ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内とされているので、Ｍｇが銅の母相中に固溶することにより、耐熱性を十分に向上させることができる。
また、導電率が４８％ＩＡＣＳ以上とされているので、通電時の発熱を抑えることができ、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品の素材として適している。
さらに、前記厚部の耐熱温度Ｔ１が２６０℃以上、前記薄部の耐熱温度Ｔ２が２４０℃以上、かつ、０．９＜Ｔ１／Ｔ２＜１．２５とされているので、十分に耐熱性に優れるとともに、厚部と薄部との耐熱性の差が小さく、銅合金異形条材全体で安定して耐熱性が向上されている。
そして、前記厚部および前記薄部の小傾角粒界割合およびＧｏｓｓ方位の結晶の面積割合が、上述の範囲内となるように結晶組織を制御しているので、転位の移動による回復や再結晶が起こりにくく、前記厚部および前記薄部において、耐熱性を十分に向上させることが可能となる。
また、導電率が４８％ＩＡＣＳ以上とされているので、通電時の発熱を抑えることができ、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品の素材として適している。
さらに、前記厚部の耐熱温度Ｔ１が２６０℃以上、前記薄部の耐熱温度Ｔ２が２４０℃以上、かつ、０．９＜Ｔ１／Ｔ２＜１．２５とされているので、十分に耐熱性に優れるとともに、厚部と薄部との耐熱性の差が小さく、銅合金異形条材全体で安定して耐熱性が向上されている。
そして、前記厚部および前記薄部の小傾角粒界割合およびＧｏｓｓ方位の結晶の面積割合が、上述の範囲内となるように結晶組織を制御しているので、転位の移動による回復や再結晶が起こりにくく、前記厚部および前記薄部において、耐熱性を十分に向上させることが可能となる。
ここで、本発明の銅合金異形条材においては、前記不可避不純物のうち、Ｓの含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｅの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｔｅの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｂの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｂｉの含有量が５ｍａｓｐｐｍ以下、Ａｓの含有量が５ｍａｓｐｐｍ以下とされるとともに、ＳとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量が２４ｍａｓｓｐｐｍ以下とされていることが好ましい。
この場合、Ｍｇと化合物を生成する元素であるＳ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ａｓの含有量が上述のように規定されているので、Ｍｇを確実に固溶させることができ、耐熱性をさらに確実に向上させることが可能となる。
この場合、Ｍｇと化合物を生成する元素であるＳ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ａｓの含有量が上述のように規定されているので、Ｍｇを確実に固溶させることができ、耐熱性をさらに確実に向上させることが可能となる。
また、本発明の銅合金異形条材においては、Ａｇの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内とされていることが好ましい。
この場合、Ａｇを上述の範囲で含有しているので、Ａｇが粒界近傍に偏析し、粒界拡散が抑制され、耐熱性をさらに向上させることが可能となる。
この場合、Ａｇを上述の範囲で含有しているので、Ａｇが粒界近傍に偏析し、粒界拡散が抑制され、耐熱性をさらに向上させることが可能となる。
また、本発明の銅合金異形条材においては、前記厚部のビッカース硬さＨ１が７０Ｈｖ以上、前記薄部のビッカース硬さＨ２が７５Ｈｖ以上、かつ、０．７＜Ｈ１／Ｈ２＜１．２とされていることが好ましい。
この場合、前記厚部のビッカース硬さＨ１が７０Ｈｖ以上および前記薄部のビッカース硬さＨ２が７５Ｈｖ以上とされるとともに、ビッカース硬さの比Ｈ１／Ｈ２が０．７＜Ｈ１／Ｈ２＜１．２とされているので、強度に優れるとともに、厚部１１と薄部１２とで強度の差異が小さく、安定して使用することができる。
この場合、前記厚部のビッカース硬さＨ１が７０Ｈｖ以上および前記薄部のビッカース硬さＨ２が７５Ｈｖ以上とされるとともに、ビッカース硬さの比Ｈ１／Ｈ２が０．７＜Ｈ１／Ｈ２＜１．２とされているので、強度に優れるとともに、厚部１１と薄部１２とで強度の差異が小さく、安定して使用することができる。
また、本発明の銅合金異形条材においては、表面に金属めっき層を有することが好ましい。
この場合、表面に金属めっき層を有しているので、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品の素材として特に適している。
この場合、表面に金属めっき層を有しているので、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品の素材として特に適している。
本発明の電子・電気機器用部品は、上述の銅合金異形条材からなることを特徴としている。なお、本発明における電子・電気機器用部品とは、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等を含むものである。
この構成の電子・電気機器用部品は、上述の銅合金異形条材を用いて製造されているので、高温環境下においても優れた特性を発揮することができる。
この構成の電子・電気機器用部品は、上述の銅合金異形条材を用いて製造されているので、高温環境下においても優れた特性を発揮することができる。
本発明の端子は、上述の銅合金異形条材からなることを特徴としている。
この構成の端子は、上述の銅合金異形条材を用いて製造されているので、高温環境下においても優れた特性を発揮することができる。
この構成の端子は、上述の銅合金異形条材を用いて製造されているので、高温環境下においても優れた特性を発揮することができる。
本発明のバスバーは、上述の銅合金異形条材からなることを特徴としている。
この構成のバスバーは、上述の銅合金異形条材を用いて製造されているので、高温環境下においても優れた特性を発揮することができる。
この構成のバスバーは、上述の銅合金異形条材を用いて製造されているので、高温環境下においても優れた特性を発揮することができる。
本発明のリードフレームは、上述の銅合金異形条材からなることを特徴としている。
この構成のリードフレームは、上述の銅合金異形条材を用いて製造されているので、高温環境下においても優れた特性を発揮することができる。
この構成のリードフレームは、上述の銅合金異形条材を用いて製造されているので、高温環境下においても優れた特性を発揮することができる。
本発明の放熱基板は、上述の銅合金異形条材からなることを特徴としている。
この構成の放熱基板は、上述の銅合金異形条材を用いて製造されているので、高温環境下においても優れた特性を発揮することができる。
この構成の放熱基板は、上述の銅合金異形条材を用いて製造されているので、高温環境下においても優れた特性を発揮することができる。
本発明によれば、厚部と薄部とで強度や耐熱性等の特性に差が生じにくく、高温環境下で安定して使用することが可能な銅合金異形条材、および、この銅合金異形条材からなる電子・電子機器用部品、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板を提供することが可能となる。
以下に、本発明の一実施形態である銅合金異形条材について、添付した図面を参照して説明する。
本実施形態である銅合金異形条材は、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品の素材として最適に用いられるものである。
本実施形態である銅合金異形条材は、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品の素材として最適に用いられるものである。
本実施形態である銅合金異形条材１０は、図１に示すように、長手方向に直交する断面において互い厚さの異なる厚部１１と薄部１２とを備えている。
また、厚部１１の厚さｔ１と薄部１２の厚さｔ２との比ｔ１／ｔ２は８以下であることが好ましく、６以下であることが好ましい。
また、厚部１１の厚さｔ１と薄部１２の厚さｔ２との比ｔ１／ｔ２は８以下であることが好ましく、６以下であることが好ましい。
本実施形態である銅合金異形条材１０は、Ｍｇの含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ超え１．２ｍａｓｓ％未満の範囲内、Ｐの含有量が０ｍａｓｓｐｐｍ以上２００ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内、残部がＣｕ及び不可避不純物とした組成を有している。
本実施形態である銅合金異形条材１０においては、前記不可避不純物のうち、Ｓの含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｅの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｔｅの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｂの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｂｉの含有量が５ｍａｓｐｐｍ以下、Ａｓの含有量が５ｍａｓｐｐｍ以下とされるとともに、ＳとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量が２４ｍａｓｓｐｐｍ以下とされていることが好ましい。
また、本実施形態である銅合金異形条材１０においては、Ａｇの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内であってもよい。
本実施形態である銅合金異形条材１０においては、前記不可避不純物のうち、Ｓの含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｅの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｔｅの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｂの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｂｉの含有量が５ｍａｓｐｐｍ以下、Ａｓの含有量が５ｍａｓｐｐｍ以下とされるとともに、ＳとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量が２４ｍａｓｓｐｐｍ以下とされていることが好ましい。
また、本実施形態である銅合金異形条材１０においては、Ａｇの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内であってもよい。
また、本実施形態である銅合金異形条材１０においては、導電率が４８％ＩＡＣＳ以上とされている。
さらに、本実施形態である銅合金異形条材１０においては、厚部１１の耐熱温度Ｔ１が２６０℃以上、薄部１２の耐熱温度Ｔ２が２４０℃以上、かつ、０．９＜Ｔ１／Ｔ２＜１．２５とされている。
さらに、本実施形態である銅合金異形条材１０においては、厚部１１の耐熱温度Ｔ１が２６０℃以上、薄部１２の耐熱温度Ｔ２が２４０℃以上、かつ、０．９＜Ｔ１／Ｔ２＜１．２５とされている。
そして、本実施形態である銅合金異形条材１０においては、ＥＢＳＤ法により、圧延面、すなわちＮＤ面(Ｎｏｒｍａｌ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）において１００００μｍ２以上の測定面積を、０．２５μｍの測定間隔のステップでＣＩ値が０．１以下である測定点を除いて、各結晶粒の方位差の解析を行い、隣接する測定点間の方位差が１５°以上となる測定点間を結晶粒界とし、Ａｒｅａ Ｆｒａｃｔｉｏｎにより平均粒径Ａを求め、平均粒径Ａの１０分の１以下となる測定間隔のステップで測定して、総数１０００個以上の結晶粒が含まれるように、複数視野で１００００μｍ２以上となる測定面積で、データ解析ソフトＯＩＭにより解析されたＣＩ値が０．１以下である測定点を除いて解析し、隣接する測定点間の方位差が２°以上１５°以下となる測定点間である小傾角粒界およびサブグレインバウンダリーの長さをＬＬＢ、隣接する測定点間の方位差が１５°を超える測定点間である大傾角粒界の長さをＬＨＢとし、小傾角粒界割合Ｂ＝ＬＬＢ／（ＬＬＢ＋ＬＨＢ）としたとき、厚部１１の小傾角粒界割合Ｂ１が８０％以下、薄部１２の小傾角粒界割合Ｂ２が８０％以下、かつ、０．８＜Ｂ１／Ｂ２＜１．２とされている。
また、本実施形態である銅合金異形条材１０においては、Ｇｏｓｓ方位｛０１１｝＜１００＞に対して１０°以内の結晶方位を有する結晶の面積割合が、厚部１１および薄部１２でそれぞれ１％以上とされている。
また、本実施形態である銅合金異形条材１０においては、Ｇｏｓｓ方位｛０１１｝＜１００＞に対して１０°以内の結晶方位を有する結晶の面積割合が、厚部１１および薄部１２でそれぞれ１％以上とされている。
さらに、本実施形態である銅合金異形条材１０においては、厚部１１のビッカース硬さＨ１が７０Ｈｖ以上、薄部１２のビッカース硬さＨ２が７５Ｈｖ以上、かつ、０．７＜Ｈ１／Ｈ２＜１．２とされていることが好ましい。
ここで、本実施形態の銅合金異形条材１０において、ここで、上述のように成分組成、各種特性、結晶組織を規定した理由について以下に説明する。
（Ｍｇ）
Ｍｇは、銅の母相中に固溶することで、導電率を大きく低下させることなく、強度及び耐熱温度性を向上させる作用効果を有する元素である。
ここで、Ｍｇの含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下の場合には、その作用効果を十分に奏功せしめることができなくなるおそれがある。一方、Ｍｇの含有量が１．２ｍａｓｓ％以上の場合には、導電率が低くなり、電子・電気機器用部品の素材として安定して使用することができないおそれがある。
以上のことから、本実施形態では、Ｍｇの含有量を１０ｍａｓｓｐｐｍ超え１．２ｍａｓｓ％未満の範囲内に設定している。
Ｍｇは、銅の母相中に固溶することで、導電率を大きく低下させることなく、強度及び耐熱温度性を向上させる作用効果を有する元素である。
ここで、Ｍｇの含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下の場合には、その作用効果を十分に奏功せしめることができなくなるおそれがある。一方、Ｍｇの含有量が１．２ｍａｓｓ％以上の場合には、導電率が低くなり、電子・電気機器用部品の素材として安定して使用することができないおそれがある。
以上のことから、本実施形態では、Ｍｇの含有量を１０ｍａｓｓｐｐｍ超え１．２ｍａｓｓ％未満の範囲内に設定している。
ここで、耐熱温度をさらに向上させるためには、Ｍｇの含有量の下限を２０ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることが好ましく、３０ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることがさらに好ましく、４０ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることがより好ましい。
また、導電率の低下をさらに抑制するためには、Ｍｇの含有量の上限を１．０ｍａｓｓ％以下とすることが好ましく、０．８ｍａｓｓ％以下とすることがさらに好ましく、０．６ｍａｓｓ％以下とすることがより好ましく、０．４ｍａｓｓ％以下とすることがより一層好ましい。
また、導電率の低下をさらに抑制するためには、Ｍｇの含有量の上限を１．０ｍａｓｓ％以下とすることが好ましく、０．８ｍａｓｓ％以下とすることがさらに好ましく、０．６ｍａｓｓ％以下とすることがより好ましく、０．４ｍａｓｓ％以下とすることがより一層好ましい。
（Ｐ）
Ｐは、鋳造性を向上させる作用効果を有する元素であり、生産性を向上させるために添加してもよい。一方、過剰に添加すると、Ｍｇと反応して化合物を形成し、Ｍｇ固溶の効果が低下するおそれがある。
以上のことから、本実施形態では、Ｐの含有量を０ｍａｓｓｐｐｍ以上２００ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内に設定している。
ここで、Ｍｇ固溶の効果をさらに確実に奏功せしめるためには、Ｐの含有量の上限を１６０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましく、１２０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることがさらに好ましく、８０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることがより好ましく、６０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることがより一層好ましい。
Ｐは、鋳造性を向上させる作用効果を有する元素であり、生産性を向上させるために添加してもよい。一方、過剰に添加すると、Ｍｇと反応して化合物を形成し、Ｍｇ固溶の効果が低下するおそれがある。
以上のことから、本実施形態では、Ｐの含有量を０ｍａｓｓｐｐｍ以上２００ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内に設定している。
ここで、Ｍｇ固溶の効果をさらに確実に奏功せしめるためには、Ｐの含有量の上限を１６０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましく、１２０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることがさらに好ましく、８０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることがより好ましく、６０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることがより一層好ましい。
（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ａｓ）
上述のＳ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ａｓといった元素は、一般的に銅合金に混入しやすい元素である。そして、これらの元素は、Ｍｇと反応し化合物を形成しやすく、微量添加したＭｇの固溶効果を低減するおそれがある。このため、これらの元素の含有量は厳しく制御する必要がある。
そこで、本実施形態においては、Ｓの含有量を１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｅの含有量を５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｔｅの含有量を５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｂの含有量を５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｂｉの含有量を５ｍａｓｐｐｍ以下、Ａｓの含有量を５ｍａｓｐｐｍ以下に制限することが好ましい。
さらに、ＳとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量を２４ｍａｓｓｐｐｍ以下に制限することが好ましい。
上述のＳ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ａｓといった元素は、一般的に銅合金に混入しやすい元素である。そして、これらの元素は、Ｍｇと反応し化合物を形成しやすく、微量添加したＭｇの固溶効果を低減するおそれがある。このため、これらの元素の含有量は厳しく制御する必要がある。
そこで、本実施形態においては、Ｓの含有量を１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｅの含有量を５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｔｅの含有量を５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｂの含有量を５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｂｉの含有量を５ｍａｓｐｐｍ以下、Ａｓの含有量を５ｍａｓｐｐｍ以下に制限することが好ましい。
さらに、ＳとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量を２４ｍａｓｓｐｐｍ以下に制限することが好ましい。
なお、Ｓの含有量は、９ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがより好ましく、８ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
Ｓｅの含有量は、４ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがより好ましく、２ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
Ｔｅの含有量は、４ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがより好ましく、２ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
Ｓｂの含有量は、４ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがより好ましく、２ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
Ｂｉの含有量は、４ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがより好ましく、２ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
Ａｓの含有量は、４ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがより好ましく、２ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
さらに、ＳとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量は、２０ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがより好ましく、１６ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
Ｓｅの含有量は、４ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがより好ましく、２ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
Ｔｅの含有量は、４ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがより好ましく、２ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
Ｓｂの含有量は、４ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがより好ましく、２ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
Ｂｉの含有量は、４ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがより好ましく、２ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
Ａｓの含有量は、４ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがより好ましく、２ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
さらに、ＳとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量は、２０ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがより好ましく、１６ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
（Ａｇ：５ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下）
Ａｇは、２５０℃以下の通常の電子・電気機器の使用温度範囲ではほとんどＣｕの母相中に固溶することができない。このため、銅中に微量に添加されたＡｇは、粒界近傍に偏析することとなる。これにより粒界での原子の移動は妨げられ、粒界拡散が抑制されるため、耐熱性が向上することになる。
ここで、Ａｇの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以上の場合には、その作用効果を十分に奏功せしめることが可能となる。一方、Ａｇの含有量が２０ｍａｓｓｐｐｍ以下である場合には、導電率が確保されるとともに製造コストの増加を抑制することができる。
以上のことから、本実施形態では、Ａｇの含有量を５ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内に設定している。
Ａｇは、２５０℃以下の通常の電子・電気機器の使用温度範囲ではほとんどＣｕの母相中に固溶することができない。このため、銅中に微量に添加されたＡｇは、粒界近傍に偏析することとなる。これにより粒界での原子の移動は妨げられ、粒界拡散が抑制されるため、耐熱性が向上することになる。
ここで、Ａｇの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以上の場合には、その作用効果を十分に奏功せしめることが可能となる。一方、Ａｇの含有量が２０ｍａｓｓｐｐｍ以下である場合には、導電率が確保されるとともに製造コストの増加を抑制することができる。
以上のことから、本実施形態では、Ａｇの含有量を５ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内に設定している。
ここで、耐熱性をさらに向上させるためには、Ａｇの含有量の下限を６ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることが好ましく、７ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることがより好ましく、８ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることがさらに好ましい。また、導電率の低下およびコストの増加を確実に抑制するためには、Ａｇの含有量の上限を１８ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましく、１６ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることがより好ましく、１４ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることがさらに好ましい。
なお、Ａｇを意図して添加しない場合には、Ａｇの含有量が５ｍａｓｓ％未満であってもよい。
なお、Ａｇを意図して添加しない場合には、Ａｇの含有量が５ｍａｓｓ％未満であってもよい。
（その他の不可避不純物）
上述した元素以外のその他の不可避的不純物としては、Ａｌ，Ｂ，Ｂａ，Ｂｅ，Ｃａ，Ｃｄ，Ｃｒ，Ｓｃ，希土類元素，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｗ，Ｍｎ，Ｒｅ，Ｒｕ，Ｓｒ，Ｔｉ，Ｏｓ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｐｂ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｈｇ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｇｅ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎ，Ｓｉ，Ｓｎ，Ｌｉ等が挙げられる。これらの不可避不純物は、特性に影響を与えない範囲で含有されていてもよい。
ここで、これらの不可避不純物は、導電率を低下させるおそれがあることから、総量で０．１ｍａｓｓ％以下とすることが好ましく、０．０５ｍａｓｓ％以下とすることがより好ましく、０．０３ｍａｓｓ％以下とすることがさらに好ましく、０．０１ｍａｓｓ％以下とすることがより一層好ましい。
また、これらの不可避不純物のそれぞれの含有量の上限は、１０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましく、５ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることがより好ましく、２ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることがさらに好ましい。
上述した元素以外のその他の不可避的不純物としては、Ａｌ，Ｂ，Ｂａ，Ｂｅ，Ｃａ，Ｃｄ，Ｃｒ，Ｓｃ，希土類元素，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｗ，Ｍｎ，Ｒｅ，Ｒｕ，Ｓｒ，Ｔｉ，Ｏｓ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｐｂ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｈｇ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｇｅ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎ，Ｓｉ，Ｓｎ，Ｌｉ等が挙げられる。これらの不可避不純物は、特性に影響を与えない範囲で含有されていてもよい。
ここで、これらの不可避不純物は、導電率を低下させるおそれがあることから、総量で０．１ｍａｓｓ％以下とすることが好ましく、０．０５ｍａｓｓ％以下とすることがより好ましく、０．０３ｍａｓｓ％以下とすることがさらに好ましく、０．０１ｍａｓｓ％以下とすることがより一層好ましい。
また、これらの不可避不純物のそれぞれの含有量の上限は、１０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましく、５ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることがより好ましく、２ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることがさらに好ましい。
（小傾角粒界割合）
粒界において、小傾角粒界およびサブグレインバウンダリーは加工時に導入された転位の密度が高い領域であるため、小傾角粒界およびサブグレインバウンダリー長さ比率である小傾角粒界割合Ｂ＝ＬＬＢ／（ＬＬＢ＋ＬＨＢ）が高すぎると、転位を経路とした原子の高速拡散が起こりやすくなり、高温環境下での再結晶とそれに伴う軟化が起こりやすくなるため、耐熱性は損なわれるおそれがある。また、厚部１１および薄部１２は、同様の温度環境で使用されるため、厚部１１と薄部１２とで耐熱性に大きな差異が無いことが求められる。
そこで、本実施形態では、厚部１１の小傾角粒界割合Ｂ１を８０％以下、薄部１２の小傾角粒界割合Ｂ２を８０％以下に設定している。
また、厚部１１の小傾角粒界割合Ｂ１と薄部１２の小傾角粒界割合Ｂ２との比Ｂ１／Ｂ２を、０．８＜Ｂ１／Ｂ２＜１．２としている。
粒界において、小傾角粒界およびサブグレインバウンダリーは加工時に導入された転位の密度が高い領域であるため、小傾角粒界およびサブグレインバウンダリー長さ比率である小傾角粒界割合Ｂ＝ＬＬＢ／（ＬＬＢ＋ＬＨＢ）が高すぎると、転位を経路とした原子の高速拡散が起こりやすくなり、高温環境下での再結晶とそれに伴う軟化が起こりやすくなるため、耐熱性は損なわれるおそれがある。また、厚部１１および薄部１２は、同様の温度環境で使用されるため、厚部１１と薄部１２とで耐熱性に大きな差異が無いことが求められる。
そこで、本実施形態では、厚部１１の小傾角粒界割合Ｂ１を８０％以下、薄部１２の小傾角粒界割合Ｂ２を８０％以下に設定している。
また、厚部１１の小傾角粒界割合Ｂ１と薄部１２の小傾角粒界割合Ｂ２との比Ｂ１／Ｂ２を、０．８＜Ｂ１／Ｂ２＜１．２としている。
ここで、厚部１１の小傾角粒界割合Ｂ１は７６％以下であることがより好ましく、７２％以下であることがさらに好ましい。
また、薄部１２の小傾角粒界割合Ｂ１は７６％以下であることがより好ましく、７２％以下であることがさらに好ましい。
さらに、小傾角粒界割合の比Ｂ１／Ｂ２は、０．８５＜Ｔ１／Ｔ２＜１．１５の範囲内であることが好ましく、０．９０＜Ｔ１／Ｔ２＜１．１０の範囲内であることがより好ましい。
また、薄部１２の小傾角粒界割合Ｂ１は７６％以下であることがより好ましく、７２％以下であることがさらに好ましい。
さらに、小傾角粒界割合の比Ｂ１／Ｂ２は、０．８５＜Ｔ１／Ｔ２＜１．１５の範囲内であることが好ましく、０．９０＜Ｔ１／Ｔ２＜１．１０の範囲内であることがより好ましい。
（Ｇｏｓｓ方位｛０１１｝＜１００＞に対して１０°以内の結晶方位を有する結晶の面積割合）
Ｇｏｓｓ方位｛０１１｝〈１００〉を有する結晶は比較的転位が溜まりにくいため、高温環境下での転位の移動によっておこる原子の拡散とそれによる回復を抑制することが可能となり、耐熱性を向上させる。また、厚部１１および薄部１２は、同様の温度環境で使用されるため、厚部１１と薄部１２とで耐熱性に大きな差異が無いことが求められる。
なお、上述のＧｏｓｓ方位｛０１１｝〈１００〉は、銅材料においては、一般的な圧延や熱処理では発生せず、異形加工とその後の加工および熱処理によって形成することが可能となる。
Ｇｏｓｓ方位｛０１１｝〈１００〉を有する結晶は比較的転位が溜まりにくいため、高温環境下での転位の移動によっておこる原子の拡散とそれによる回復を抑制することが可能となり、耐熱性を向上させる。また、厚部１１および薄部１２は、同様の温度環境で使用されるため、厚部１１と薄部１２とで耐熱性に大きな差異が無いことが求められる。
なお、上述のＧｏｓｓ方位｛０１１｝〈１００〉は、銅材料においては、一般的な圧延や熱処理では発生せず、異形加工とその後の加工および熱処理によって形成することが可能となる。
本実施形態では、Ｇｏｓｓ方位｛０１１｝＜１００＞に対して１０°以内の結晶方位を有する結晶の面積割合を、厚部１１および薄部１２でそれぞれ１％以上となるように設定している。
なお、厚部１１および薄部１２におけるＧｏｓｓ方位｛０１１｝＜１００＞に対して１０°以内の結晶方位を有する結晶の面積割合は、１．４％以上であることが好ましく、１．８％以上とすることがより好ましく、２．２％以上とすることがさらに好ましい。
なお、厚部１１および薄部１２におけるＧｏｓｓ方位｛０１１｝＜１００＞に対して１０°以内の結晶方位を有する結晶の面積割合は、１．４％以上であることが好ましく、１．８％以上とすることがより好ましく、２．２％以上とすることがさらに好ましい。
（導電率）
本実施形態である銅合金異形条材１０においては、導電率が４８％ＩＡＣＳ以上とされている。導電率を４８％ＩＡＣＳ以上とすることにより、通電時の発熱を抑えて、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品として良好に使用することが可能となる。
ここで、導電率は５３％ＩＡＣＳ以上であることが好ましく、５８％ＩＡＣＳ以上であることがより好ましく、６３％ＩＡＣＳ以上であることがさらに好ましく、７５％ＩＡＣＳ以上であることがより一層好ましい。
本実施形態である銅合金異形条材１０においては、導電率が４８％ＩＡＣＳ以上とされている。導電率を４８％ＩＡＣＳ以上とすることにより、通電時の発熱を抑えて、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品として良好に使用することが可能となる。
ここで、導電率は５３％ＩＡＣＳ以上であることが好ましく、５８％ＩＡＣＳ以上であることがより好ましく、６３％ＩＡＣＳ以上であることがさらに好ましく、７５％ＩＡＣＳ以上であることがより一層好ましい。
（耐熱温度）
本実施形態である銅合金異形条材１０においては、厚部１１の耐熱温度Ｔ１が２６０℃以上、薄部１２の耐熱温度Ｔ２が２４０℃以上であることが好ましい。耐熱温度を上述のように構成することで、耐熱性を十分に確保することができる。
また、銅合金異形条材１０においては、厚部１１、薄部１２ともに等しい温度環境で使用されることが多い。そのため、厚部１１の耐熱温度Ｔ１と薄部１２の耐熱温度Ｔ２は近い値であることが好ましく、厚部１１の耐熱温度Ｔ１と薄部１２の耐熱温度Ｔ２との比Ｔ１／Ｔ２が、０．９＜Ｔ１／Ｔ２＜１．２５とされていることが好ましい。
ここで、厚部１１の耐熱温度Ｔ１は２８０℃以上であることがより好ましく、３００℃以上であることがさらに好ましく、３２０℃以上であることがより一層好ましい。
また、薄部１２の耐熱温度Ｔ２は２６０℃以上であることがより好ましく、２８０℃以上であることがさらに好ましく、３００℃以上であることがより一層好ましい。
さらに、耐熱温度の比Ｔ１／Ｔ２は、０．９２＜Ｔ１／Ｔ２＜１．２０の範囲内であることがより好ましい。
本実施形態である銅合金異形条材１０においては、厚部１１の耐熱温度Ｔ１が２６０℃以上、薄部１２の耐熱温度Ｔ２が２４０℃以上であることが好ましい。耐熱温度を上述のように構成することで、耐熱性を十分に確保することができる。
また、銅合金異形条材１０においては、厚部１１、薄部１２ともに等しい温度環境で使用されることが多い。そのため、厚部１１の耐熱温度Ｔ１と薄部１２の耐熱温度Ｔ２は近い値であることが好ましく、厚部１１の耐熱温度Ｔ１と薄部１２の耐熱温度Ｔ２との比Ｔ１／Ｔ２が、０．９＜Ｔ１／Ｔ２＜１．２５とされていることが好ましい。
ここで、厚部１１の耐熱温度Ｔ１は２８０℃以上であることがより好ましく、３００℃以上であることがさらに好ましく、３２０℃以上であることがより一層好ましい。
また、薄部１２の耐熱温度Ｔ２は２６０℃以上であることがより好ましく、２８０℃以上であることがさらに好ましく、３００℃以上であることがより一層好ましい。
さらに、耐熱温度の比Ｔ１／Ｔ２は、０．９２＜Ｔ１／Ｔ２＜１．２０の範囲内であることがより好ましい。
（ビッカース硬さ）
本実施形態である銅合金異形条材１０においては、厚部１１のビッカース硬さＨ１が７０Ｈｖ以上、薄部１２のビッカース硬さＨ２が７５Ｈｖ以上とされている場合には、強度が確保され、電気・電子部品の素材として特に適している。
また、厚部１１と薄部１２での硬度差が大きい場合、電子・電気機器用部品、特に端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板を製造する際のプレス加工で材料のゆがみが発生する可能性がある。そのため、厚部１１の硬度Ｈ１と薄部１２の硬度Ｈ２は近い値であることが好ましく、厚部１１のビッカース硬さＨ１と薄部１２のビッカース硬さＨ２との比Ｈ１／Ｈ２が、０．７＜Ｈ１／Ｈ２＜１．２とされていることが好ましい。
ここで、厚部１１のビッカース硬さＨ１は７２Ｈｖ以上であることがより好ましく、７４Ｈｖ以上であることがさらに好ましい。
また、薄部１２のビッカース硬さＨ２は７７Ｈｖ以上であることがより好ましく、７９Ｈｖ以上であることがさらに好ましい。
さらに、ビッカース硬さの比Ｈ１／Ｈ２は、０．８＜Ｈ１／Ｈ２＜１．１の範囲内であることがより好ましい。
本実施形態である銅合金異形条材１０においては、厚部１１のビッカース硬さＨ１が７０Ｈｖ以上、薄部１２のビッカース硬さＨ２が７５Ｈｖ以上とされている場合には、強度が確保され、電気・電子部品の素材として特に適している。
また、厚部１１と薄部１２での硬度差が大きい場合、電子・電気機器用部品、特に端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板を製造する際のプレス加工で材料のゆがみが発生する可能性がある。そのため、厚部１１の硬度Ｈ１と薄部１２の硬度Ｈ２は近い値であることが好ましく、厚部１１のビッカース硬さＨ１と薄部１２のビッカース硬さＨ２との比Ｈ１／Ｈ２が、０．７＜Ｈ１／Ｈ２＜１．２とされていることが好ましい。
ここで、厚部１１のビッカース硬さＨ１は７２Ｈｖ以上であることがより好ましく、７４Ｈｖ以上であることがさらに好ましい。
また、薄部１２のビッカース硬さＨ２は７７Ｈｖ以上であることがより好ましく、７９Ｈｖ以上であることがさらに好ましい。
さらに、ビッカース硬さの比Ｈ１／Ｈ２は、０．８＜Ｈ１／Ｈ２＜１．１の範囲内であることがより好ましい。
次に、このような構成とされた本実施形態である銅合金異形条材１０の製造方法について、図２に示すフロー図を参照して説明する。
（溶解・鋳造工程Ｓ０１）
まず、銅原料を溶解して得られた銅溶湯に、前述の元素を添加して成分調整を行い、銅合金溶湯を製出する。なお、各種元素の添加には、元素単体や母合金等を用いることができる。また、上述の元素を含む原料を銅原料とともに溶解してもよい。また、本合金のリサイクル材およびスクラップ材を用いてもよい。
ここで、銅原料は、純度が９９．９９ｍａｓｓ％以上とされたいわゆる４ＮＣｕ、あるいは９９．９９９ｍａｓｓ％以上とされたいわゆる５ＮＣｕとすることが好ましい。
溶解時においては、Ｍｇの酸化を抑制するため、また水素濃度低減のため、Ｈ２Ｏの蒸気圧が低い不活性ガス雰囲気（例えばＡｒガス）による雰囲気溶解を行い、溶解時の保持時間は最小限に留めることが好ましい。
そして、成分調整された銅合金溶湯を鋳型に注入して鋳塊を製出する。なお、量産を考慮した場合には、連続鋳造法または半連続鋳造法を用いることが好ましい。
まず、銅原料を溶解して得られた銅溶湯に、前述の元素を添加して成分調整を行い、銅合金溶湯を製出する。なお、各種元素の添加には、元素単体や母合金等を用いることができる。また、上述の元素を含む原料を銅原料とともに溶解してもよい。また、本合金のリサイクル材およびスクラップ材を用いてもよい。
ここで、銅原料は、純度が９９．９９ｍａｓｓ％以上とされたいわゆる４ＮＣｕ、あるいは９９．９９９ｍａｓｓ％以上とされたいわゆる５ＮＣｕとすることが好ましい。
溶解時においては、Ｍｇの酸化を抑制するため、また水素濃度低減のため、Ｈ２Ｏの蒸気圧が低い不活性ガス雰囲気（例えばＡｒガス）による雰囲気溶解を行い、溶解時の保持時間は最小限に留めることが好ましい。
そして、成分調整された銅合金溶湯を鋳型に注入して鋳塊を製出する。なお、量産を考慮した場合には、連続鋳造法または半連続鋳造法を用いることが好ましい。
（均質化／溶体化工程Ｓ０２）
次に、得られた鋳塊の均質化および溶体化のために加熱処理を行う。鋳塊の内部には、凝固の過程においてＭｇが偏析で濃縮することにより発生したＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物等が存在することがある。そこで、これらの偏析および金属間化合物等を消失または低減させるために、鋳塊を３００℃以上１０８０℃以下にまで加熱する加熱処理を行うことで、鋳塊内において、Ｍｇを均質に拡散させたり、Ｍｇを母相中に固溶させたりする。なお、この均質化／溶体化工程Ｓ０２は、非酸化性または還元性雰囲気中で実施することが好ましい。
次に、得られた鋳塊の均質化および溶体化のために加熱処理を行う。鋳塊の内部には、凝固の過程においてＭｇが偏析で濃縮することにより発生したＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物等が存在することがある。そこで、これらの偏析および金属間化合物等を消失または低減させるために、鋳塊を３００℃以上１０８０℃以下にまで加熱する加熱処理を行うことで、鋳塊内において、Ｍｇを均質に拡散させたり、Ｍｇを母相中に固溶させたりする。なお、この均質化／溶体化工程Ｓ０２は、非酸化性または還元性雰囲気中で実施することが好ましい。
ここで、加熱温度が３００℃未満では、溶体化が不完全となり、母相中にＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物が多く残存するおそれがある。一方、加熱温度が１０８０℃を超えると、銅素材の一部が液相となり、組織や表面状態が不均一となるおそれがある。よって、加熱温度を３００℃以上１０８０℃以下の範囲に設定している。
なお、後述する粗圧延の効率化と組織の均一化のために、前述の均質化／溶体化工程Ｓ０２の後に熱間加工を実施してもよい。この場合、加工方法に特に限定はなく、例えば圧延、引抜、押出、溝圧延、鍛造、プレス等を採用することができる。また、熱間加工温度は、３００℃以上１０８０℃以下の範囲内とすることが好ましい。
なお、後述する粗圧延の効率化と組織の均一化のために、前述の均質化／溶体化工程Ｓ０２の後に熱間加工を実施してもよい。この場合、加工方法に特に限定はなく、例えば圧延、引抜、押出、溝圧延、鍛造、プレス等を採用することができる。また、熱間加工温度は、３００℃以上１０８０℃以下の範囲内とすることが好ましい。
（粗加工工程Ｓ０３）
所定の形状に加工するために、粗加工を行う。なお、この粗加工工程Ｓ０３における温度条件は特に限定はないが、再結晶を抑制するために、あるいは寸法精度の向上のため、冷間または温間圧延となる－２００℃から２００℃の範囲内とすることが好ましく、特に常温が好ましい。加工率については、２０％以上が好ましく、３０％以上がさらに好ましい。また、加工方法については、特に限定はなく、例えば圧延、引抜、押出、溝圧延、鍛造、プレス等を採用することができる。
なお、粗加工工程Ｓ０３と後述する中間熱処理工程Ｓ０４を繰り返し実施してもよい。
所定の形状に加工するために、粗加工を行う。なお、この粗加工工程Ｓ０３における温度条件は特に限定はないが、再結晶を抑制するために、あるいは寸法精度の向上のため、冷間または温間圧延となる－２００℃から２００℃の範囲内とすることが好ましく、特に常温が好ましい。加工率については、２０％以上が好ましく、３０％以上がさらに好ましい。また、加工方法については、特に限定はなく、例えば圧延、引抜、押出、溝圧延、鍛造、プレス等を採用することができる。
なお、粗加工工程Ｓ０３と後述する中間熱処理工程Ｓ０４を繰り返し実施してもよい。
（中間熱処理工程Ｓ０４）
粗加工工程Ｓ０３後に、加工性向上のための軟化、または再結晶組織にするために熱処理を実施する。
この際、連続焼鈍炉による短時間の熱処理が好ましく、Ａｇが添加された場合には、Ａｇの粒界への偏析の局在化を防ぐことができる。
この熱処理条件については特に限定しないが、一般的には２００℃から１０００℃の範囲で行う。
粗加工工程Ｓ０３後に、加工性向上のための軟化、または再結晶組織にするために熱処理を実施する。
この際、連続焼鈍炉による短時間の熱処理が好ましく、Ａｇが添加された場合には、Ａｇの粒界への偏析の局在化を防ぐことができる。
この熱処理条件については特に限定しないが、一般的には２００℃から１０００℃の範囲で行う。
（機械的表面処理工程Ｓ０５）
中間熱処理工程Ｓ０４後に、機械的表面処理を行う。機械的表面処理は、表面近傍に圧縮応力を与える処理であり、後述の上前熱処理工程Ｓ０７と組み合わせることＧｏｓｓ方位｛０１１｝〈１００〉が高まり、耐熱性を向上させることができる。
機械的表面処理は、ショットピーニング処理、ブラスト処理、ラッピング処理、ポリッシング処理、バフ研磨、グラインダー研磨、サンドペーパー研磨、テンションレベラー処理、１パス当りの圧下率が低い軽圧延（１パス当たりの圧下率１％以上１０％以下とし、３回以上繰り返す）など一般的に使用される種々の方法が使用できる。
中間熱処理工程Ｓ０４後に、機械的表面処理を行う。機械的表面処理は、表面近傍に圧縮応力を与える処理であり、後述の上前熱処理工程Ｓ０７と組み合わせることＧｏｓｓ方位｛０１１｝〈１００〉が高まり、耐熱性を向上させることができる。
機械的表面処理は、ショットピーニング処理、ブラスト処理、ラッピング処理、ポリッシング処理、バフ研磨、グラインダー研磨、サンドペーパー研磨、テンションレベラー処理、１パス当りの圧下率が低い軽圧延（１パス当たりの圧下率１％以上１０％以下とし、３回以上繰り返す）など一般的に使用される種々の方法が使用できる。
（異形圧延加工工程Ｓ０６）
異形圧延加工では、凹凸面を有する平板状のダイと、このダイの成形面に対向して成形面に沿って往復移動される圧延ロールとにより、機械的表面処理工程Ｓ０５後の材料を、冷間にて異形圧延加工して、粗厚部と粗薄部とが幅方向に並んだ粗異形条材を得る。
なお、加工の減面率を５％以上９０％以下の範囲内とすることで、上前熱処理工程Ｓ０７においてＧｏｓｓ方位が形成されやすくなる。加工の減面率は、１０％以上８５％以下の範囲内とすることがさらに好ましく、１５％以上８０％以下の範囲内とすることがさらに好ましい。
また、粗厚部の厚さと粗薄部の厚さの比を６以下とすることで、上前熱処理工程Ｓ０７において、厚部１１および薄部１２における小傾角粒界割合Ｂ＝ＬＬＢ／（ＬＬＢ＋ＬＨＢ）の比Ｂ１／Ｂ２を０．８＜Ｂ１／Ｂ２＜１．２とすることができ、厚部１１および薄部１２におけるビッカース硬さの比Ｈ１／Ｈ２を０．７＜Ｈ１／Ｈ２＜１．２とすることができる。なお、粗厚部の厚さと粗薄部の厚さの比は５以下とすることがさらに好ましい。
異形圧延加工では、凹凸面を有する平板状のダイと、このダイの成形面に対向して成形面に沿って往復移動される圧延ロールとにより、機械的表面処理工程Ｓ０５後の材料を、冷間にて異形圧延加工して、粗厚部と粗薄部とが幅方向に並んだ粗異形条材を得る。
なお、加工の減面率を５％以上９０％以下の範囲内とすることで、上前熱処理工程Ｓ０７においてＧｏｓｓ方位が形成されやすくなる。加工の減面率は、１０％以上８５％以下の範囲内とすることがさらに好ましく、１５％以上８０％以下の範囲内とすることがさらに好ましい。
また、粗厚部の厚さと粗薄部の厚さの比を６以下とすることで、上前熱処理工程Ｓ０７において、厚部１１および薄部１２における小傾角粒界割合Ｂ＝ＬＬＢ／（ＬＬＢ＋ＬＨＢ）の比Ｂ１／Ｂ２を０．８＜Ｂ１／Ｂ２＜１．２とすることができ、厚部１１および薄部１２におけるビッカース硬さの比Ｈ１／Ｈ２を０．７＜Ｈ１／Ｈ２＜１．２とすることができる。なお、粗厚部の厚さと粗薄部の厚さの比は５以下とすることがさらに好ましい。
（上前熱処理工程Ｓ０７）
次に、異形圧延加工工程Ｓ０６の後に熱処理することで再結晶組織とし、Ｇｏｓｓ方位を形成させる。また、再結晶によって小傾角粒界割合Ｂを低下させる。さらに、厚部１１と薄部１２の組織を近いものとする。
この上前熱処理工程Ｓ０７では、異形圧延加工工程Ｓ０６によって導入された厚部と薄部でのひずみ差をなくし、再結晶とその後の粒成長による均一な組織形成をおこなうために、一定以下の昇温速度と十分長い熱処理時間が必要となる。そのため、バッチ焼鈍による熱処理が好ましい。熱処理条件は、熱処理温度が２５０℃以上６５０℃以下の範囲内、昇温速度が５００℃/ｈ以下、熱処理時間が１時間以上１００時間以下であることが好ましい。
次に、異形圧延加工工程Ｓ０６の後に熱処理することで再結晶組織とし、Ｇｏｓｓ方位を形成させる。また、再結晶によって小傾角粒界割合Ｂを低下させる。さらに、厚部１１と薄部１２の組織を近いものとする。
この上前熱処理工程Ｓ０７では、異形圧延加工工程Ｓ０６によって導入された厚部と薄部でのひずみ差をなくし、再結晶とその後の粒成長による均一な組織形成をおこなうために、一定以下の昇温速度と十分長い熱処理時間が必要となる。そのため、バッチ焼鈍による熱処理が好ましい。熱処理条件は、熱処理温度が２５０℃以上６５０℃以下の範囲内、昇温速度が５００℃/ｈ以下、熱処理時間が１時間以上１００時間以下であることが好ましい。
（仕上加工工程Ｓ０８）
上前熱処理工程Ｓ０７後に、冷間加工を行う。段付きロールと平ロールとからなる圧延ロールによる冷間加工にて実施する。
なお、厚部１１のビッカース硬さＨ１を７０Ｈｖ，薄部１２のＨ２を７５Ｈｖ以上とするためには、加工率は５％以上とすることが好ましく、８％以上とすることがより好ましい。
一方、加工率が高すぎると、小傾角粒界割合Ｂ１，Ｂ２が高くなり、再結晶組織であるＧｏｓｓ方位の面積割合も低下するため、加工率は５０％以下とすることが好ましく、４５％以下とすることがより好ましい。
上前熱処理工程Ｓ０７後に、冷間加工を行う。段付きロールと平ロールとからなる圧延ロールによる冷間加工にて実施する。
なお、厚部１１のビッカース硬さＨ１を７０Ｈｖ，薄部１２のＨ２を７５Ｈｖ以上とするためには、加工率は５％以上とすることが好ましく、８％以上とすることがより好ましい。
一方、加工率が高すぎると、小傾角粒界割合Ｂ１，Ｂ２が高くなり、再結晶組織であるＧｏｓｓ方位の面積割合も低下するため、加工率は５０％以下とすることが好ましく、４５％以下とすることがより好ましい。
（低温焼鈍工程Ｓ０９）
仕上加工工程Ｓ０８後には、必要に応じて、低温焼鈍を行う。この低温焼鈍工程Ｓ０９によって、残留応力の除去、回復による小傾角粒界割合の低下の効果が得られる。
この低温焼鈍工程Ｓ０９においては、焼鈍温度を１００℃以上６００℃以下の範囲内、焼鈍温度での保持時間を０．１秒以上２４時間以下の範囲内とすることが好ましい。なお、熱処理温度が低い場合には長時間、熱処理温度が高い場合には短時間の熱処理をすればよい。
低温焼鈍工程Ｓ０９での焼鈍温度が１００℃未満、または焼鈍温度での保持時間が０．１秒未満では、十分なひずみ取りの効果が得られなくなるおそれがあり、一方、焼鈍温度が６００℃を超える場合は再結晶のおそれがあり、さらに焼鈍温度での保持時間が２４時間を超えることは、コスト上昇を招くだけである。
仕上加工工程Ｓ０８後には、必要に応じて、低温焼鈍を行う。この低温焼鈍工程Ｓ０９によって、残留応力の除去、回復による小傾角粒界割合の低下の効果が得られる。
この低温焼鈍工程Ｓ０９においては、焼鈍温度を１００℃以上６００℃以下の範囲内、焼鈍温度での保持時間を０．１秒以上２４時間以下の範囲内とすることが好ましい。なお、熱処理温度が低い場合には長時間、熱処理温度が高い場合には短時間の熱処理をすればよい。
低温焼鈍工程Ｓ０９での焼鈍温度が１００℃未満、または焼鈍温度での保持時間が０．１秒未満では、十分なひずみ取りの効果が得られなくなるおそれがあり、一方、焼鈍温度が６００℃を超える場合は再結晶のおそれがあり、さらに焼鈍温度での保持時間が２４時間を超えることは、コスト上昇を招くだけである。
なお、本実施形態においては、低温焼鈍工程Ｓ０９の後にテンションレベラー等による矯正工程を加えてもよい。
さらに、本実施形態の銅合金異形条材１０においては、表面に金属めっき層を形成してもよい。なお、金属めっき層としては、例えば、Ｓｎめっき、Ａｇめっき、Ｎｉめっき、Ａｕめっき、Ｐｄめっき、Ｒｈめっき等を適用することができる。
さらに、本実施形態の銅合金異形条材１０においては、表面に金属めっき層を形成してもよい。なお、金属めっき層としては、例えば、Ｓｎめっき、Ａｇめっき、Ｎｉめっき、Ａｕめっき、Ｐｄめっき、Ｒｈめっき等を適用することができる。
以上の工程により、本実施形態である銅合金異形条材１０が製造される。
以上のような構成とされた本実施形態である銅合金異形条材１０においては、Ｍｇの含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ超え１．２ｍａｓｓ％未満の範囲内、Ｐの含有量が０ｍａｓｓｐｐｍ以上２００ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内とされているので、Ｍｇが銅の母相中に固溶することにより、耐熱性を十分に向上させることができる。
また、導電率が４８％ＩＡＣＳ以上とされているので、通電時の発熱を抑えることができ、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品の素材として適している。
さらに、厚部１１の耐熱温度Ｔ１が２６０℃以上、薄部１２の耐熱温度Ｔ２が２４０℃以上、かつ、０．９＜Ｔ１／Ｔ２＜１．２５とされているので、十分に耐熱性に優れるとともに、厚部１１と薄部１２との耐熱性の差が小さく、高温環境下であっても安定して使用することができる。
また、導電率が４８％ＩＡＣＳ以上とされているので、通電時の発熱を抑えることができ、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品の素材として適している。
さらに、厚部１１の耐熱温度Ｔ１が２６０℃以上、薄部１２の耐熱温度Ｔ２が２４０℃以上、かつ、０．９＜Ｔ１／Ｔ２＜１．２５とされているので、十分に耐熱性に優れるとともに、厚部１１と薄部１２との耐熱性の差が小さく、高温環境下であっても安定して使用することができる。
そして、厚部１１および薄部１２の小傾角粒界割合Ｂ１，Ｂ２がそれぞれ８０％以下、かつ、小傾角粒界割合の比Ｂ１／Ｂ２が０．８＜Ｂ１／Ｂ２＜１．２とされ、Ｇｏｓｓ方位｛０１１｝＜１００＞に対して１０°以内の結晶方位を有する結晶の面積割合が、前記厚部および前記薄部でそれぞれ１％以上となるように結晶組織が制御されているので、転位の移動による回復や再結晶が起こりにくく、厚部１１および薄部１２において、耐熱性を十分に向上させることが可能となる。
本実施形態の銅合金異形条材１０において、不可避不純物のうち、Ｓの含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｅの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｔｅの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｂの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｂｉの含有量が５ｍａｓｐｐｍ以下、Ａｓの含有量が５ｍａｓｐｐｍ以下とされるとともに、ＳとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量が２４ｍａｓｓｐｐｍ以下とされている場合には、Ｍｇと化合物を生成する元素であるＳ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ａｓの含有量が低く抑えられているので、Ｍｇを確実に固溶させることができ、耐熱性をさらに確実に向上させることが可能となる。
さらに、本実施形態の銅合金異形条材１０において、Ａｇの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内とされている場合には、Ａｇが粒界近傍に偏析することになり、このＡｇによって粒界拡散が抑制され、耐熱温度をさらに確実に向上させることが可能となる。
また、本実施形態の銅合金異形条材１０において、厚部１１のビッカース硬さＨ１が７０Ｈｖ以上、薄部１２のビッカース硬さＨ２が７５Ｈｖ以上、かつ、０．７＜Ｈ１／Ｈ２＜１．２とされているである場合には、強度に優れるとともに、厚部１１と薄部１２とで強度の差異が小さく、安定して使用することができる。
さらに、本実施形態である銅合金異形条材１０の表面に、金属めっき層を形成した場合には、表面に様々な特性を付与することができ、端子、バスバー、放熱基板等の電子・電気機器用部品の素材として特に適している。
さらに、本実施形態である電子・電気機器用部品（端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等）は、上述の銅合金異形条材１０で構成されているので、高温環境下においても、優れた特性を発揮することができる。
以上、本発明の実施形態である銅合金異形条材１０、電子・電気機器用部品（端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等）について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
例えば、上述の実施形態では、銅合金異形条材１０の製造方法の一例について説明したが、銅合金異形条材１０の製造方法は、実施形態に記載したものに限定されることはなく、既存の製造方法を適宜選択して製造してもよい。
また、本実施形態では、図１に示す形状の異形条を例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、他の断面形状の異形条であってもよい。
例えば、上述の実施形態では、銅合金異形条材１０の製造方法の一例について説明したが、銅合金異形条材１０の製造方法は、実施形態に記載したものに限定されることはなく、既存の製造方法を適宜選択して製造してもよい。
また、本実施形態では、図１に示す形状の異形条を例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、他の断面形状の異形条であってもよい。
以下に、本発明の効果を確認すべく行った確認実験の結果について説明する。
帯溶融精製法により、純度９９．９９９ｍａｓｓ％以上の純銅からなる原料を高純度グラファイト坩堝内に装入して、Ａｒガス雰囲気とされた雰囲気炉内において高周波溶解した。
得られた銅溶湯内に、６Ｎ（純度９９．９９９９ｍａｓｓ％）以上の高純度銅と２Ｎ（純度９９ｍａｓｓ％）以上の純度を有する純金属を用いて作製した各種０．１ｍａｓｓ％母合金を用いて表１，２に示すに示す成分組成に調製し、断熱材（イソウール）鋳型に注湯して、鋳塊を製出した。なお、鋳塊の大きさは、厚さ約３０ｍｍ×幅約６０ｍｍ×長さ約１５０～２００ｍｍとした。
帯溶融精製法により、純度９９．９９９ｍａｓｓ％以上の純銅からなる原料を高純度グラファイト坩堝内に装入して、Ａｒガス雰囲気とされた雰囲気炉内において高周波溶解した。
得られた銅溶湯内に、６Ｎ（純度９９．９９９９ｍａｓｓ％）以上の高純度銅と２Ｎ（純度９９ｍａｓｓ％）以上の純度を有する純金属を用いて作製した各種０．１ｍａｓｓ％母合金を用いて表１，２に示すに示す成分組成に調製し、断熱材（イソウール）鋳型に注湯して、鋳塊を製出した。なお、鋳塊の大きさは、厚さ約３０ｍｍ×幅約６０ｍｍ×長さ約１５０～２００ｍｍとした。
得られた鋳塊に対して、Ａｒガス雰囲気中において、各種温度条件で１時間の加熱を行い、酸化被膜を除去するために表面研削を実施し、所定の大きさに切断を行った。
その後、適宜最終厚みになる様に厚みを調整して切断を行った。切断されたそれぞれの試料について、室温にて、表３，４に示す加工率で粗圧延を行った後、表３，４に記載された熱処理条件にて中間熱処理を実施した。
その後、適宜最終厚みになる様に厚みを調整して切断を行った。切断されたそれぞれの試料について、室温にて、表３，４に示す加工率で粗圧延を行った後、表３，４に記載された熱処理条件にて中間熱処理を実施した。
次に、これらの試料に表３，４に記載された手法で機械的表面処理工程を施した。
なお、バフ研磨は♯１０００の研磨紙を用いて行った。
テンションレベラーはφ１６ｍｍのロールを複数備えたテンションレベラーを用い、ラインテンション１００Ｎ／ｍｍ２にて実施した。
軽圧延（１パス当りの圧下率が低い圧延）は、最終３パスを１パス当たりの圧下率を４％として実施した。
なお、バフ研磨は♯１０００の研磨紙を用いて行った。
テンションレベラーはφ１６ｍｍのロールを複数備えたテンションレベラーを用い、ラインテンション１００Ｎ／ｍｍ２にて実施した。
軽圧延（１パス当りの圧下率が低い圧延）は、最終３パスを１パス当たりの圧下率を４％として実施した。
そして、厚部と薄部の厚さがそれぞれ表３，４に記載された値となるように、平板状のダイと、このダイの成形面に対向して成形面に沿って往復移動される圧延ロールとにより段付き異形加工を実施した。
そして、表３，４に記載された条件で上前熱処理を実施した。
その後、表３，４に記載の条件で仕上加工を行い、一部の試料を除いて低温焼鈍を行うことで、表３，４に示す厚さで幅が約６０ｍｍの特性評価用条材を製出した。
そして、表３，４に記載された条件で上前熱処理を実施した。
その後、表３，４に記載の条件で仕上加工を行い、一部の試料を除いて低温焼鈍を行うことで、表３，４に示す厚さで幅が約６０ｍｍの特性評価用条材を製出した。
得られた特性評価用条材に対して、以下のようにして評価を実施した。
（組成分析）
得られた鋳塊から測定試料を採取し、Ｍｇは誘導結合プラズマ発光分光分析法で、その他の元素はグロー放電質量分析装置（ＧＤ－ＭＳ）を用いて測定した。
なお、測定は試料中央部と幅方向端部の２カ所で測定を行い、含有量の多い方をそのサンプルの含有量とした。その結果、表１，２に示す成分組成であることを確認した。
得られた鋳塊から測定試料を採取し、Ｍｇは誘導結合プラズマ発光分光分析法で、その他の元素はグロー放電質量分析装置（ＧＤ－ＭＳ）を用いて測定した。
なお、測定は試料中央部と幅方向端部の２カ所で測定を行い、含有量の多い方をそのサンプルの含有量とした。その結果、表１，２に示す成分組成であることを確認した。
（小傾角粒界割合）
圧延面、すなわちＮＤ面(Ｎｏｒｍａｌ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）を観察面として、ＥＢＳＤ測定装置及びＯＩＭ解析ソフトによって、次のように、厚部および薄部における小傾角粒界割合Ｂ１，Ｂ２を求めた。
耐水研磨紙、ダイヤモンド砥粒を用いて機械研磨を行った後、コロイダルシリカ溶液を用いて仕上げ研磨を行った。そして、ＥＢＳＤ測定装置（ＦＥＩ社製Ｑｕａｎｔａ ＦＥＧ ４５０，ＥＤＡＸ／ＴＳＬ社製（現 ＡＭＥＴＥＫ社） ＯＩＭ Ｄａｔａ Ｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎ）と、解析ソフト（ＥＤＡＸ／ＴＳＬ社製（現 ＡＭＥＴＥＫ社）ＯＩＭ
Ｄａｔａ Ａｎａｌｙｓｉｓ ｖｅｒ．７．３．１）によって、電子線の加速電圧１５ｋＶ、１００００μｍ２以上の測定面積を、０．２５μｍの測定間隔のステップでＣＩ値が０．１以下である測定点を除いて、各結晶粒の方位差の解析を行い、隣接する測定点間の方位差が１５°以上となる測定点間を結晶粒界とし、データ解析ソフトＯＩＭを用いてＡｒｅａ Ｆｒａｃｔｉｏｎによる平均粒径Ａを求めた。その後、平均粒径Ａの１０分の１以下となる測定間隔のステップで測定して、総数１０００個以上の結晶粒が含まれるように、複数視野で１００００μｍ２以上となる測定面積で、データ解析ソフトＯＩＭにより解析されたＣＩ値が０．１以下である測定点を除いて解析し、隣接する測定点間の方位差が２°以上１５°以下となる測定点間を小傾角粒界およびサブグレインバウンダリーとし、その長さをＬＬＢ、１５°を超える測定点間を大傾角粒界としその長さをＬＨＢとすることで、全粒界における小傾角粒界およびサブグレインバウンダリー長さ比率として小傾角粒界割合Ｂ＝ＬＬＢ／（ＬＬＢ＋ＬＨＢ）を求めた。
圧延面、すなわちＮＤ面(Ｎｏｒｍａｌ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）を観察面として、ＥＢＳＤ測定装置及びＯＩＭ解析ソフトによって、次のように、厚部および薄部における小傾角粒界割合Ｂ１，Ｂ２を求めた。
耐水研磨紙、ダイヤモンド砥粒を用いて機械研磨を行った後、コロイダルシリカ溶液を用いて仕上げ研磨を行った。そして、ＥＢＳＤ測定装置（ＦＥＩ社製Ｑｕａｎｔａ ＦＥＧ ４５０，ＥＤＡＸ／ＴＳＬ社製（現 ＡＭＥＴＥＫ社） ＯＩＭ Ｄａｔａ Ｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎ）と、解析ソフト（ＥＤＡＸ／ＴＳＬ社製（現 ＡＭＥＴＥＫ社）ＯＩＭ
Ｄａｔａ Ａｎａｌｙｓｉｓ ｖｅｒ．７．３．１）によって、電子線の加速電圧１５ｋＶ、１００００μｍ２以上の測定面積を、０．２５μｍの測定間隔のステップでＣＩ値が０．１以下である測定点を除いて、各結晶粒の方位差の解析を行い、隣接する測定点間の方位差が１５°以上となる測定点間を結晶粒界とし、データ解析ソフトＯＩＭを用いてＡｒｅａ Ｆｒａｃｔｉｏｎによる平均粒径Ａを求めた。その後、平均粒径Ａの１０分の１以下となる測定間隔のステップで測定して、総数１０００個以上の結晶粒が含まれるように、複数視野で１００００μｍ２以上となる測定面積で、データ解析ソフトＯＩＭにより解析されたＣＩ値が０．１以下である測定点を除いて解析し、隣接する測定点間の方位差が２°以上１５°以下となる測定点間を小傾角粒界およびサブグレインバウンダリーとし、その長さをＬＬＢ、１５°を超える測定点間を大傾角粒界としその長さをＬＨＢとすることで、全粒界における小傾角粒界およびサブグレインバウンダリー長さ比率として小傾角粒界割合Ｂ＝ＬＬＢ／（ＬＬＢ＋ＬＨＢ）を求めた。
（Ｇｏｓｓ方位）
上記の小傾角粒界およびサブグレインバウンダリー長さ比率測定の際、各結晶粒の方位の解析もあわせて行い、各解析点が、対象とするＧｏｓｓ方位（理想方位から１０°以内）か否かを判定し、測定領域におけるＧｏｓｓ方位割合（結晶方位の面積率）を求めた。
上記の小傾角粒界およびサブグレインバウンダリー長さ比率測定の際、各結晶粒の方位の解析もあわせて行い、各解析点が、対象とするＧｏｓｓ方位（理想方位から１０°以内）か否かを判定し、測定領域におけるＧｏｓｓ方位割合（結晶方位の面積率）を求めた。
（耐熱温度）
耐熱温度は日本伸銅協会のＪＣＢＡ Ｔ３２５：２０１３に準拠し、１時間の熱処理でのビッカース硬度による等時軟化曲線を取得し、熱処理前の硬度の８０％の硬度となる加熱温度を求めることで評価した。なお、ビッカース硬度の測定面は圧延面とした。評価結果を表５，６に示す。
耐熱温度は日本伸銅協会のＪＣＢＡ Ｔ３２５：２０１３に準拠し、１時間の熱処理でのビッカース硬度による等時軟化曲線を取得し、熱処理前の硬度の８０％の硬度となる加熱温度を求めることで評価した。なお、ビッカース硬度の測定面は圧延面とした。評価結果を表５，６に示す。
（ビッカース硬さ）
ＪＩＳ－Ｚ２２４４に規定されているマイクロビッカース硬さ試験方法に準拠し、特性評価用条材の表面すなわちＮＤ面（Ｎｏｒｍａｌ Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）で試験加重０．９８Ｎでビッカース硬度を測定した。評価結果を表３，４に示す。
ＪＩＳ－Ｚ２２４４に規定されているマイクロビッカース硬さ試験方法に準拠し、特性評価用条材の表面すなわちＮＤ面（Ｎｏｒｍａｌ Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）で試験加重０．９８Ｎでビッカース硬度を測定した。評価結果を表３，４に示す。
（導電率）
特性評価用条材から幅１０ｍｍ×長さ６０ｍｍの試験片を採取し、４端子法によって電気抵抗を求めた。また、マイクロメータを用いて試験片の寸法測定を行い、試験片の体積を算出した。そして、測定した電気抵抗値と体積とから、導電率を算出した。なお、試験片は、その長手方向が特性評価用条材の圧延方向に対して平行になるように採取した。評価結果を表５，６に示す。
特性評価用条材から幅１０ｍｍ×長さ６０ｍｍの試験片を採取し、４端子法によって電気抵抗を求めた。また、マイクロメータを用いて試験片の寸法測定を行い、試験片の体積を算出した。そして、測定した電気抵抗値と体積とから、導電率を算出した。なお、試験片は、その長手方向が特性評価用条材の圧延方向に対して平行になるように採取した。評価結果を表５，６に示す。
比較例１は、Ｍｇの含有量が本発明の範囲よりも少ないため、耐熱温度が低く、耐熱性が不十分であった。
比較例２は、Ｍｇの含有量が本発明の範囲を超えており、導電率が低くなった。
比較例３は、Ｐの含有量が２００ｍａｓｓｐｐｍを超えており、耐熱温度が低く、耐熱性が不十分であった。
比較例４は、小傾角粒界割合が８０％を超えており、耐熱温度が低く、耐熱性が不十分であった。
比較例５は、Ｇｏｓｓ方位の面積割合が１％未満であり、耐熱温度が低く、耐熱性が不十分であった。
比較例６は、厚部の小傾角粒界割合Ｂ１と薄部の小傾角粒界割合Ｂ２との比Ｂ１／Ｂ２が本発明の範囲外となり、厚部の耐熱温度Ｔ１と薄部の耐熱温度Ｔ２との比Ｔ１／Ｔ２が本発明の範囲外となり、耐熱性にばらつきが生じた。
比較例２は、Ｍｇの含有量が本発明の範囲を超えており、導電率が低くなった。
比較例３は、Ｐの含有量が２００ｍａｓｓｐｐｍを超えており、耐熱温度が低く、耐熱性が不十分であった。
比較例４は、小傾角粒界割合が８０％を超えており、耐熱温度が低く、耐熱性が不十分であった。
比較例５は、Ｇｏｓｓ方位の面積割合が１％未満であり、耐熱温度が低く、耐熱性が不十分であった。
比較例６は、厚部の小傾角粒界割合Ｂ１と薄部の小傾角粒界割合Ｂ２との比Ｂ１／Ｂ２が本発明の範囲外となり、厚部の耐熱温度Ｔ１と薄部の耐熱温度Ｔ２との比Ｔ１／Ｔ２が本発明の範囲外となり、耐熱性にばらつきが生じた。
これに対して、本発明例１～３０においては、厚部と薄部とで耐熱性がバランス良く向上されていることが確認された。
以上のことから、本発明例によれば、厚部と薄部とで強度や耐熱性等の特性に差が生じにくく、高温環境下で安定して使用することが可能な銅合金異形条材を提供可能であることが確認された。
以上のことから、本発明例によれば、厚部と薄部とで強度や耐熱性等の特性に差が生じにくく、高温環境下で安定して使用することが可能な銅合金異形条材を提供可能であることが確認された。
Claims (10)
- 長手方向に直交する断面において互い厚さの異なる厚部と薄部とを備えた銅合金異形条材であって、
Ｍｇの含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ超え１．２ｍａｓｓ％未満の範囲内、Ｐの含有量が０ｍａｓｓｐｐｍ以上２００ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内、残部がＣｕ及び不可避不純物とした組成を有し、
導電率が４８％ＩＡＣＳ以上とされ、
前記厚部の耐熱温度Ｔ１が２６０℃以上、前記薄部の耐熱温度Ｔ２が２４０℃以上、かつ、０．９＜Ｔ１／Ｔ２＜１．２５とされ、
ＥＢＳＤ法により、圧延面において１００００μｍ２以上の測定面積を、０．２５μｍの測定間隔のステップでＣＩ値が０．１以下である測定点を除いて、各結晶粒の方位差の解析を行い、隣接する測定点間の方位差が１５°以上となる測定点間を結晶粒界とし、Ａｒｅａ Ｆｒａｃｔｉｏｎにより平均粒径Ａを求め、平均粒径Ａの１０分の１以下となる測定間隔のステップで測定して、総数１０００個以上の結晶粒が含まれるように、複数視野で１００００μｍ２以上となる測定面積で、データ解析ソフトＯＩＭにより解析されたＣＩ値が０．１以下である測定点を除いて解析し、隣接する測定点間の方位差が２°以上１５°以下となる測定点間である小傾角粒界およびサブグレインバウンダリーの長さをＬＬＢ、隣接する測定点間の方位差が１５°を超える測定点間である大傾角粒界の長さをＬＨＢとし、小傾角粒界割合Ｂ＝ＬＬＢ／（ＬＬＢ＋ＬＨＢ）としたとき、前記厚部の小傾角粒界割合Ｂ１が８０％以下、前記薄部の小傾角粒界割合Ｂ２が８０％以下、かつ、０．８＜Ｂ１／Ｂ２＜１．２とされ、
Ｇｏｓｓ方位｛０１１｝＜１００＞に対して１０°以内の結晶方位を有する結晶の面積割合が、前記厚部および前記薄部でそれぞれ１％以上であることを特徴とする銅合金異形条材。 - 前記不可避不純物のうち、Ｓの含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｅの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｔｅの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｂの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｂｉの含有量が５ｍａｓｐｐｍ以下、Ａｓの含有量が５ｍａｓｐｐｍ以下とされるとともに、ＳとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量が２４ｍａｓｓｐｐｍ以下とされていることを特徴とする請求項１に記載の銅合金異形条材。
- Ａｇの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の銅合金異形条材。
- 前記厚部のビッカース硬さＨ１が７０Ｈｖ以上、前記薄部のビッカース硬さＨ２が７５Ｈｖ以上、かつ、０．７＜Ｈ１／Ｈ２＜１．２とされていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の銅合金異形条材。
- 表面に金属めっき層を有することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の銅合金異形条材。
- 請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の銅合金異形条材からなることを特徴とする電子・電気機器用部品。
- 請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の銅合金異形条材からなることを特徴とする端子。
- 請求項１から請求項５のいずれか一項に記載された銅合金異形条材からなることを特徴とするバスバー。
- 請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の銅合金異形条材からなることを特徴とするリードフレーム。
- 請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の銅合金異形条材からなることを特徴とする放熱基板。
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| JP2021214036A JP2023097762A (ja) | 2021-12-28 | 2021-12-28 | 銅合金異形条材、電子・電気機器用部品、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板 |
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