JP2022145300A - 粘着テープ - Google Patents

Abstract

【課題】粘着テープに対して基板を貼付した状態で、基板を厚さ方向に切断することで個片化された部品を得た後に、個片化された部品をピックアップする際に、この部品から粘着テープが剥離されるときの部品に対する粘着テープの角度に変化が生じたとしても、部品から粘着テープを安定的に剥離させて、部品をピックアップすることができる粘着テープを提供すること。【解決手段】粘着テープ１００は、基材４と、粘着層２とを備え、粘着層２は、エネルギーの付与により粘着力が低下するものであり、シリコンウエハに、粘着テープを貼付し、次いでエネルギーの付与後において、粘着テープの一端を持ち、３０°の方向にて１０００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度をＢとし、１８０°の方向にて１０００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度をＤとしたとき、０≦｜Ｂ－Ｄ｜＜１１０なる関係を満足する。【選択図】図２

Description

本発明は、基板および部品を仮固定して用いられる粘着テープに関するものである。

近年の電子機器の高機能化とモバイル用途への拡大に対応して半導体装置の高密度化、高集積化の要求が強まり、ＩＣパッケージの大容量高密度化が進んでいる。

これらの半導体装置の製造方法としては、例えば、まず、基板としての半導体基板（半導体ウエハ）に粘着テープを貼付し、半導体基板の周囲をウエハリングで固定しながら、ダイシングソーを用いたダイシング工程で、半導体基板を厚さ方向に切断することで、半導体基板を個々の半導体素子（半導体チップ）に切断分離（個片化）する。次いで、ウエハリングを用いて粘着テープを放射状に伸ばすことで、隣接する半導体素子同士の間に間隙を形成するエキスパンディング工程の後、個片化した半導体素子を、ニードルを用いて突き上げた状態で、ピックアップするピックアップ工程を行う。次いで、このピックアップした半導体素子を金属リードフレームあるいは基板（例えばテープ基板、有機硬質基板等）に搭載するための搭載工程へ移送する。ピックアップされた半導体素子は、搭載工程で、例えば、アンダーフィル材を介してリードフレームあるいは基板に接着され、その後、リードフレームあるいは基板上で半導体素子を封止部により封止することで半導体装置が製造される。

このような半導体装置の製造に用いられる粘着テープ（ダイシングテープ）について、近年、種々の検討がなされている（例えば、特許文献１参照。）。

この粘着テープは、一般に、基材（フィルム基材）と、この基材上に形成された粘着層とを有するものであり、粘着層により半導体基板が固定される。また、半導体基板のダイシング工程後に半導体素子のピックアップが実現できるように、粘着層は、通常、粘着性を有するベース樹脂および光硬化性樹脂等を含有する樹脂組成物で構成されている。つまり、ダイシング工程後、粘着層にエネルギーが付与されると、樹脂組成物が硬化して粘着層の粘着性が低下し、そのため、ピックアップ工程において、半導体素子を、ニードルを用いて突き上げた際に、半導体素子から粘着テープを剥離させることができ、その結果、半導体素子のピックアップが実現できるようになっている。

ここで、半導体素子が、その平面視形状が矩形状をなす場合、一般的に、ニードルを用いた半導体素子の突き上げは、４つのニードルを用いて、半導体素子の４隅に、それぞれ、各ニードルが対応するように配置させた状態で、半導体素子の４隅をほぼ同時に突き上げることにより実施される。

そして、ＩＣパッケージの大容量高密度化に伴い、半導体素子の薄厚化が進んでいるため、この半導体素子の４隅をほぼ同時に４つのニードルで突き上げると、半導体素子は、その４隅を頂部とし、中央部を底部とした湾曲形状をなすものとなる。その後、この湾曲形状を半導体素子が維持した状態で、半導体素子の４隅近傍を起点として、半導体素子から粘着テープが剥離した後、この４隅から中央部に向かって粘着テープの剥離が進行し、中央部における粘着テープの剥離が完了することで、半導体素子からの粘着テープの剥離が終了する。このとき、半導体素子の湾曲形状は、粘着テープの剥離の進行にしたがって、継続的に緩和され、半導体素子は、最終的には平板形状をなすものとなる。

このように、半導体素子からの粘着テープの剥離の際に、半導体素子は、湾曲形状から平板形状まで変形する。そのため、このときの半導体素子に対する粘着テープの角度は、不可避的に変化することとなるが、このように、半導体素子からの粘着テープの剥離の際、すなわち、半導体素子のピックアップ時において、半導体素子に対する粘着テープの角度に変化が生じたとしても、半導体素子から粘着テープを安定的に剥離させて、半導体素子をピックアップし得ることが求められる。

また、このような問題は、基板としての半導体基板（半導体用ウエハ）を厚さ方向に切断することで、部品としての半導体素子を得る場合に限らず、ガラス基板、セラミック基板、樹脂材料基板および金属材料基板のような各種基板を厚さ方向に切断（個片化）して、個片化された部品を得る場合等においても同様に生じている。

特開２００９－２４５９８９号公報

本発明の目的は、粘着テープに対して基板を貼付した状態で、基板を厚さ方向に切断することで個片化された部品を得た後、個片化された部品をピックアップする際に、この部品から粘着テープが剥離されるときの部品に対する粘着テープの角度に変化が生じたとしても、部品から粘着テープを安定的に剥離させて、部品をピックアップすることができる粘着テープを提供することにある。

このような目的は、下記（１）～（１１）に記載の本発明により達成される。
（１） 樹脂材料を含有する基材と、該基材の一方の面に積層された粘着層と、を備える積層体により構成され、基板および部品のうちの少なくとも一方を仮固定して用いられる粘着テープであって、
前記粘着層は、粘着性を有するベース樹脂と、エネルギーの付与により硬化する硬化性樹脂とを含有し、前記エネルギーの付与により、前記粘着層上に積層された前記基板および部品に対する粘着力が低下するものであり、また、
当該粘着テープは、表面を＃２０００研磨した、直径６インチ、厚さ５００μｍのシリコンウエハの前記表面に、幅２０ｍｍの当該粘着テープを貼付し、次いで、２３℃・１時間の条件で保持した後に、前記エネルギーの付与後において、２３℃の環境下で、当該粘着テープの一端を持ち、３０°の方向にて１０００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度をＢ［ｃＮ／２０ｍｍ］とし、１８０°の方向にて１０００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定される前記引き剥がし強度をＤ［ｃＮ／２０ｍｍ］としたとき、０≦｜Ｂ－Ｄ｜＜１１０なる関係を満足することを特徴とする粘着テープ。

（２） ３０°の方向にて３００ｍｍ／分の速度で、当該粘着テープを引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度をＡ［ｃＮ／２０ｍｍ］とし、１８０°の方向にて３００ｍｍ／分の速度で、当該粘着テープを引き剥がしたときに測定される前記引き剥がし強度をＣ［ｃＮ／２０ｍｍ］としたとき、０≦｜Ａ－Ｃ｜＜６０なる関係を満足する上記（１）に記載の粘着テープ。

（３） 前記引き剥がし強度Ａは、６０ｃＮ／２０ｍｍ以上４００ｃＮ／２０ｍｍ以下である上記（２）に記載の粘着テープ。

（４） 前記粘着層は、前記エネルギーの付与後において、レオメーターを用いて、温度２３℃、歪量１ｍｒａｄ、周波数１Ｈｚで測定した複素粘度η^＊が１．０×１０^７ｍＰａ・ｓ以上６．０×１０^９ｍＰａ・ｓ以下である上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の粘着テープ。

（５） 前記ベース樹脂は、アクリル系樹脂である上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の粘着テープ。

（６） 前記硬化性樹脂は、ウレタンアクリレートおよびビスフェノールＡ系のエポキシアクリレートのうちの少なくとも１種である上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の粘着テープ。

（７） 前記粘着層は、さらに、可塑剤を含有する上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の粘着テープ。

（８） 当該粘着テープは、前記粘着層上に、前記基板を固定した状態で、前記基板から前記基材の厚さ方向の途中まで到達するように切断して、前記基板を個片化することで複数の前記部品を形成し、その後、当該粘着テープを面方向に伸長しつつ、前記部品を、前記基材側から突き上げた状態で、前記基材の反対側から引き抜くことで、前記粘着層から分離する際に用いられるものである上記（１）ないし（７）のいずれかに記載の粘着テープ。

（９） 前記粘着層は、その厚さが５μｍ以上５０μｍ以下である上記（１）ないし（８）のいずれかに記載の粘着テープ。

（１０） 前記基材は、前記粘着層側と反対側の表面における表面抵抗率が１．０×１０^１３（Ω／□）以下である上記（１）ないし（９）のいずれかに記載の粘着テープ。

（１１） 当該粘着テープを平面視で見たとき、前記基材と前記粘着層との界面に形成されている気泡は、面積が１００μｍ^２以上のものの数が、１５．０個／ｍｍ^２以下である上記（１）ないし（１０）のいずれかに記載の粘着テープ。

本発明によれば、表面を＃２０００研磨した、直径６インチ、厚さ５００μｍのシリコンウエハの前記表面に、幅２０ｍｍの当該粘着テープを貼付し、次いで、２３℃・１時間の条件で保持した後に、前記エネルギーの付与後において、２３℃の環境下で、当該粘着テープの一端を持ち、３０°の方向にて１０００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度をＢ［ｃＮ／２０ｍｍ］とし、１８０°の方向にて１０００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定される前記引き剥がし強度をＤ［ｃＮ／２０ｍｍ］としたとき、０≦｜Ｂ－Ｄ｜＜１１０なる関係を満足している。このように、３０°の方向（角度）で引き剥がしたときの引き剥がし強度Ｂと、１８０°の方向（角度）で引き剥がしたときの引き剥がし強度Ｄとが、０≦｜Ｂ－Ｄ｜＜１１０なる関係を満足しているため、個片化された部品をピックアップする際に、この部品から粘着テープが剥離されるときの部品に対する粘着テープの角度に変化が生じたとしても、部品から粘着テープを安定的に剥離させて、部品をピックアップすることができる。

本発明の粘着テープを用いて製造された半導体装置の一例を示す縦断面図である。 図１に示す半導体装置を、本発明の粘着テープを用いて製造する方法を説明するための縦断面図である。 図１に示す半導体装置を、本発明の粘着テープを用いて製造する方法を説明するための縦断面図である。 図２中の点線で囲まれた領域［Ａ］に位置するニードルの周辺を拡大した拡大図である。 図２中の点線で囲まれた領域［Ａ］に位置するニードルの周辺を拡大した拡大図である。 粘着テープの実施形態を示す縦断面図である。 図６に示す粘着テープを製造する方法を説明するための縦断面図である。

以下、本発明の粘着テープについて詳細に説明する。
まず、本発明の粘着テープを説明するのに先立って、本発明の粘着テープを用いて製造された半導体装置について説明する。

＜半導体装置＞
図１は、本発明の粘着テープを用いて製造された半導体装置の一例を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。また、本明細書で参照する各図面では、それぞれ、左右方向および／または厚さ方向の寸法を誇張して図示しており、実際の寸法とは大きく異なる。

図１に示す半導体装置１０は、半導体チップ（半導体素子）２０と、半導体チップ２０を支持するインターポーザー（基板）３０と、複数の導電性を有するバンプ（端子）７０と、半導体チップ２０を封止するモールド部（封止部）１７とを有している。

インターポーザー３０は、絶縁基板であり、例えばポリイミド・エポキシ・シアネート・ビスマレイミドトリアジン（ＢＴレジン）等の各種樹脂材料で構成されている。このインターポーザー３０の平面視形状は、通常、正方形、長方形等の四角形とされる。

インターポーザー３０の上面（一方の面）には、例えば、銅等の導電性金属材料で構成される端子４１が、所定形状で設けられている。

また、インターポーザー３０には、その厚さ方向に貫通して、図示しない複数のビア（スルーホール：貫通孔）が形成されている。

各バンプ７０は、それぞれ、各ビアを介して、一端（上端）が端子４１の一部に電気的に接続され、他端（下端）は、インターポーザー３０の下面（他方の面）から突出している。

バンプ７０のインターポーザー３０から突出する部分は、ほぼ球形状（Ｂａｌｌ状）をなしている。

このバンプ７０は、例えば、半田、銀ろう、銅ろう、燐銅ろうのようなろう材を主材料として構成されている。

また、インターポーザー３０上には、端子４１が形成されている。この端子４１に、接続部８１を介して、半導体チップ２０が有する端子２１が電気的に接続されている。

なお、本実施形態では、図１に示すように、端子２１は、半導体チップ２０に形成されている面側から突出する構成をなしており、端子４１も、インターポーザー３０から突出する構成をなしている。

また、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との間の間隙には、各種樹脂材料で構成されるアンダーフィル材が充填され、このアンダーフィル材の硬化物により、封止層８０が形成されている。この封止層８０は、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との接合強度を向上させる機能や、前記間隙への異物や水分等の浸入を防止する機能を有している。

さらに、インターポーザー３０の上側には、半導体チップ２０と、インターポーザー３０とを覆うように形成されたモールド部１７が半導体封止材料の硬化物（封止材）で構成されており、これにより、半導体装置１０内において半導体チップ２０が封止され、半導体チップ２０に対する異物や水分等の浸入が防止される。

半導体チップ２０（半導体素子）は、図１に示すように、半導体チップ本体部２３（半導体素子本体部）と、半導体チップ本体部２３の下面側から突出して設けられた端子２１とを有している。半導体チップ本体部２３は、その上面側に回路（図示せず）が作り込まれており、主としてＳｉ、ＳｉＣ、ＧａＮまたはＧａ_２Ｏ_３のような半導体材料で構成されている。

かかる構成の半導体装置１０および半導体チップ２０は、例えば、粘着テープを用いた半導体装置の製造方法により、以下のようにして製造される。

＜半導体装置の製造方法＞
図２、図３は、図１に示す半導体装置を、本発明の粘着テープを用いて製造する方法を説明するための縦断面図、図４、図５は、図２中の点線で囲まれた領域［Ａ］に位置するニードルの周辺を拡大した拡大図である。なお、以下の説明では、図２～図５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。また、図４、図５中では、左側に部分断面図を示し、右側に部分平面図を示す。さらに、本明細書で参照する各図面では、それぞれ、左右方向および／または厚さ方向の寸法を誇張して図示しており、実際の寸法とは大きく異なる。

［１Ａ］まず、基材４と、基材４の上面に積層された粘着層２とを有する積層体により構成された粘着テープ１００を用意し、図２（ａ）に示すように、その中心部１２２に半導体基板７（半導体用ウエハ）を、粘着層２の上に置き、軽く押圧し、半導体基板７を積層（貼付）する（貼付工程）。

この半導体基板７には、その上面に個片化することで形成される半導体チップ２０（半導体チップ本体部２３）が備える回路が予め形成され、また、下面には端子２１が予め形成されており、半導体基板７は、回路が形成されている側の上面を粘着層２側にして粘着テープ１００に貼付されている。そのため、粘着層２には、半導体基板７の回路が形成されている側の上面、すなわち凹凸が形成されている凹凸面が接合される。

［２Ａ］次に、図２（ｂ）に示すように、半導体基板７が積層された粘着テープ１００をダイサーテーブル２００の上に設置する。

［３Ａ］次に、粘着層２の外周部１２１をウエハリング９で固定し、その後、図示しない、ダイシングソー（ブレード）を用いて基板としての半導体基板７を切断（ダイシング）して半導体基板７を個片化することで粘着テープ１００上に部品としての半導体チップ２０を得る（個片化工程；図２（ｃ）参照）。

この際、粘着テープ１００は、緩衝作用を有しており、半導体基板７を切断する際の割れ、欠け等を防止する。

また、ブレードを用いた半導体基板７の切断は、図２（ｃ）に示すように、基材４の厚さ方向の途中まで到達するように実施する。これにより、半導体基板７の個片化を確実に実施することができる。

なお、この際、半導体基板７の切断時に生じる粉塵が飛散するのを防止すること、さらには、半導体基板７が不必要に加熱されるのを抑制することを目的に、半導体基板７には切削水を供給しつつ、半導体基板７が切断される。

［４Ａ］次に、ウエハリング９で固定した、半導体基板７を貼付した粘着テープ１００をダイシング装置（図示せず）からピックアップ装置（図示せず）に移し、粘着層２の外周部１２１においてウエハリング９により固定した状態で、テーブル３００の外周部３２０に対して、その中心部３１０を上方に突き上げることで、粘着テープ１００を放射状に伸ばし、これにより、個片化した半導体基板７すなわち部品としての半導体チップ２０同士の間に、一定の間隔を有する間隙を形成する（エキスパンディング工程；図２（ｄ）参照。）。

なお、次工程［５Ａ］に先立って、粘着層２に対してエネルギーを付与することで、半導体チップ２０に対する粘着力を低下させるが、この粘着層２に対するエネルギーの付与は、本工程［４Ａ］における、エキスパンディング工程の後であってもよいし、エキスパンディング工程に先立って実施してもよい。

［５Ａ］次に、前記工程［４Ａ］を経ることにより、間隙が形成された状態で、ステージ４００上において、半導体チップ２０を、真空コレットまたはエアピンセットによる吸着等によりピックアップする（ピックアップ工程；図２（ｅ）参照。）。

この半導体チップ２０のピックアップは、前記工程［４Ａ］における、粘着テープ１００を放射状に伸ばす前記エキスパンディング工程の後に、粘着層２にエネルギーを付与することで粘着層２を硬化させて、粘着層２の粘着力を低下させる。そして、ニードル４３０（図２においては図示せず）を、図４（ｃ）に示すように、エジェクターヘッド４１０から突出させる。すなわち、ニードル４３０を、厚さ方向に突出させる。その結果、粘着テープ１００に貼付された半導体チップ２０が、ニードル４３０を用いて突き上げられ、これにより、図５（ｃ）に示すように、粘着テープ１００から剥離させた状態として、半導体チップ２０がピックアップされる。

ここで、半導体チップ２０が、本実施形態のように、その平面視形状が矩形状をなす場合、図４、図５に示すように、一般的に、ニードル４３０を用いた半導体チップ２０の突き上げは、４つのニードル４３０を用いて、半導体チップ２０の４隅に、それぞれ、各ニードル４３０が対応するように配置させた状態で、半導体チップ２０の４隅をほぼ同時に突き上げることにより実施される。

なお、本実施形態では、以降「４隅をほぼ同時に４つのニードルで突き上げる」ことを中心に説明するが、一例であり半導体チップ２０のピックアップの方法はこれに限定されない。

そして、ＩＣパッケージの大容量高密度化に伴い、半導体チップ２０の薄厚化が進んでいる。そのため、ニードル４３０をエジェクターヘッド４１０から突出させることで、この半導体チップ２０の４隅をほぼ同時に４つのニードル４３０で突き上げると、半導体チップ２０は、その４隅を頂部とし、中央部を底部とした湾曲形状をなすものとなる（図４（ｃ）等参照）。その後、この湾曲形状を半導体チップ２０が維持した状態で、半導体チップ２０の４隅近傍を起点として、半導体チップ２０から粘着テープ１００が剥離する。すなわち、半導体チップ２０と粘着テープ１００とが接合した接合部１０１の一部が、半導体チップ２０の４隅近傍において、半導体チップ２０から粘着テープ１００が剥離した剥離部１０２を形成する。

その後、この４隅から中央部に向かって粘着テープ１００の剥離が進行し、すなわち、接合部１０１での剥離部１０２の形成が進行し（図４（ｂ）～図５（ｂ）参照）、中央部における粘着テープ１００の剥離が完了することで、半導体チップ２０からの粘着テープ１００の剥離が終了する。すなわち、全ての接合部１０１が剥離部１０２へと変換される（図５（ｃ）参照）ことで、半導体チップ２０から粘着テープ１００が剥離される。なお、このとき、半導体チップ２０の湾曲形状は、粘着テープ１００の剥離の進行にしたがって、継続的に緩和され、半導体チップ２０は、最終的には平板形状をなすものとなる。

この本工程［５Ａ］において、本発明の粘着テープ１００が用いられる。すなわち、本工程［５Ａ］における部品としての半導体チップ２０のピックアップにおいて、粘着テープ１００として、表面を＃２０００研磨した、直径６インチ、厚さ５００μｍのシリコンウエハの前記表面に、幅２０ｍｍの当該粘着テープを貼付し、次いで、２３℃・１時間の条件で保持した後に、前記エネルギーの付与後において、２３℃の環境下で、当該粘着テープの一端を持ち、３０°の方向にて１０００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度をＢ［ｃＮ／２０ｍｍ］とし、１８０°の方向にて１０００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定される前記引き剥がし強度をＤ［ｃＮ／２０ｍｍ］としたとき、０≦｜Ｂ－Ｄ｜＜１１０なる関係を満足している。このように、３０°の方向（角度）で引き剥がしたときの引き剥がし強度Ｂと、１８０°の方向（角度）で引き剥がしたときの引き剥がし強度Ｄとが、０≦｜Ｂ－Ｄ｜＜１１０なる関係を満足しているものが用いられる。

そのため、本工程［５Ａ］において、個片化された半導体チップ２０をピックアップする際に、この半導体チップ２０から粘着テープ１００が剥離されるときの半導体チップ２０と粘着テープ１００とがなす角度に変化が生じたとしても、半導体チップ２０から粘着テープ１００を安定的に剥離させて、半導体チップ２０をピックアップすることができるが、その詳細な説明は後に行うこととする。

以上のような工程［１Ａ］～工程［５Ａ］を経ることにより、粘着テープ１００を用いて、半導体基板７から半導体チップ２０が分離（個片化）される。すなわち、粘着テープ１００が備える粘着層２上に、半導体基板７を固定した状態で、半導体基板７から基材４の厚さ方向の途中まで到達するように切断して、半導体基板７を個片化することで複数の半導体チップ２０を形成する。その後、半導体チップ２０同士の間に一定間隔の間隙を形成した状態で、粘着層２にエネルギーを付与することで粘着層２を硬化させた後、さらに、基材４側から半導体チップ２０を突き上げた状態として、基材４の反対側から引き抜くことにより、半導体チップ２０が粘着層２から分離される。

［６Ａ］次に、ピックアップした半導体チップ２０を、真空コレットまたはエアピンセットから実装用プローブ等に受け渡して上下反転させた後、図３（ａ）に示すように、この半導体チップ２０が備える端子２１と、インターポーザー３０が備える端子４１とを、端子４１上に設けられた半田バンプ８５を介して対向させて、インターポーザー３０上に載置する。すなわち、半導体チップ２０の端子２１が形成された面を下側にして、半導体チップ２０（半導体素子）をインターポーザー３０（基板）上に載置する。

［７Ａ］次に、図３（ｂ）に示すように、端子２１と端子４１との間に介在した半田バンプ８５を加熱しつつ、インターポーザー３０と半導体チップ２０とを接近させる。

これにより、溶融した半田バンプ８５が端子２１および端子４１の双方に接触し、この状態で、冷却することで、接続部８１が形成され、その結果、接続部８１を介して、端子２１と端子４１とが電気的に接続される（搭載工程；図３（ｃ）参照。）。

［８Ａ］次に、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との間に形成された間隙に、各種樹脂材料で構成されるアンダーフィル材（封止材）を充填し、その後、このアンダーフィル材を硬化させることにより、アンダーフィル材の硬化物で構成された封止層８０を形成する（封止層形成工程；図３（ｄ）参照。）。

［９Ａ］次に、インターポーザー３０の上側に、半導体チップ２０と、インターポーザー３０とを覆うように、モールド部１７（封止部）を形成することで、半導体チップ２０をインターポーザー３０とモールド部１７とで封止するとともに、インターポーザー３０が備えるビアを介して端子４１の一部に電気的に接続された、バンプ７０をインターポーザー３０の下側から突出するように形成する（図３（ｅ）参照。）。

ここで、モールド部１７による封止は、例えば、形成すべきモールド部１７の形状に対応した内部空間を備える成形型を用意し、この内部空間内に配置された半導体チップ２０とインターポーザー３０とを覆うように、粉末状をなす半導体封止材料を内部空間に充填する。そして、この状態で、半導体封止材料を加熱することにより硬化させて、半導体封止材料の硬化物とすることにより行われる。

以上のような工程を有する半導体装置の製造方法により、半導体装置１０が得られる。より詳しくは、前記工程［１Ａ］～［９Ａ］を実施した後に、前記工程［４Ａ］～［９Ａ］を繰り返して実施することで、１つの半導体基板７から複数の半導体装置１０を一括して製造することができる。

以下、このような半導体装置１０の製造方法に用いられる、本発明の粘着テープ１００について説明する。

＜粘着テープ１００＞
図６は、粘着テープの実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

粘着テープ１００は、本発明では、基材４と、この基材４の上面（一方の面）に積層された粘着層２とを備える積層体により構成され、半導体基板７（基板）および半導体チップ２０（部品）を仮固定して用いられるものであり、前述したように、粘着層２は、粘着性を有するベース樹脂と、エネルギーの付与により硬化する硬化性樹脂とを含有し、エネルギーの付与により、粘着層２上に積層された半導体基板７および半導体チップ２０に対する粘着力が低下するものであり、また、表面を＃２０００研磨した、直径６インチ、厚さ５００μｍのシリコンウエハの前記表面に、幅２０ｍｍの当該粘着テープを貼付し、次いで、２３℃・１時間の条件で保持した後に、前記エネルギーの付与後において、２３℃の環境下で、当該粘着テープの一端を持ち、３０°の方向にて１０００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度をＢ［ｃＮ／２０ｍｍ］とし、１８０°の方向にて１０００ｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定される前記引き剥がし強度をＤ［ｃＮ／２０ｍｍ］としたとき、０≦｜Ｂ－Ｄ｜＜１１０なる関係を満足している。このように、３０°の方向（角度）で引き剥がしたときの引き剥がし強度Ｂと、１８０°の方向（角度）で引き剥がしたときの引き剥がし強度Ｄとが、０≦｜Ｂ－Ｄ｜＜１１０なる関係を満足するものである。

ここで、前記工程［５Ａ］において、個片化された半導体チップ２０を、４つのニードル４３０を用いてピックアップする際に、前述の通り、半導体チップ２０の４隅の４つのニードル４３０による突き上げにより、半導体チップ２０は、湾曲形状から平板形状まで変形することとなる（図４、図５参照）。

そのため、このときの半導体チップ２０に対する粘着テープ１００の角度は、不可避的に変化することとなるが、このように、半導体チップ２０からの粘着テープ１００の剥離の際、すなわち、半導体チップ２０のピックアップ時において、半導体チップ２０に対する粘着テープ１００の角度に変化が生じたとしても、半導体チップ２０から粘着テープ１００を安定的に剥離させて、半導体チップ２０をピックアップし得ることが求められる。

このように求められる粘着テープ１００の要求特性に対して、本発明では、上記の通り、粘着テープ１００は、３０°の方向にて１０００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度Ｂと、１８０°の方向にて１０００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度Ｄ［ｃＮ／２０ｍｍ］とが、０≦｜Ｂ－Ｄ｜＜１１０なる関係を満足している。

関係式｜Ｂ－Ｄ｜において、粘着テープ１００をシリコンウエハから引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度Ｂ、Ｄを測定する際に、粘着テープ１００（粘着層２）を引き剥がそうとする力が作用する方向および速さは、本発明者の検討により、前記工程［５Ａ］において、個片化された半導体チップ２０がピックアップされる際の条件に近似されている。

そして、３０°の方向（角度）で引き剥がしたときの前記引き剥がし強度Ｂと、１８０°の方向で引き剥がしたときの前記引き剥がし強度Ｄとのバラツキの程度が、本発明では、０≦｜Ｂ－Ｄ｜＜１１０のように、一定の範囲内に設定されている。

このように、本発明によれば、角度３０°および角度１８０°における前記引き剥がし強度Ｂ、Ｄのバラツキの程度が、一定の範囲内に設定されていることから、前記工程［５Ａ］において、個片化された半導体チップ２０をピックアップする際に、この半導体チップ２０をピックアップする際の角度に変化が生じたとしても、半導体チップ２０から粘着テープ１００を安定的に剥離させて、半導体チップ２０をピックアップすることができる。

以下、このような粘着テープ１００（ダイシングテープ）が有する、基材４および粘着層２について、詳述する。

＜基材４＞
基材４は、主として樹脂材料から成り、シート状をなしており、この基材４上に設けられた粘着層２を支持する機能を有している。また、前記工程［４Ａ］における、粘着テープ１００を面方向に対して伸長するエキスパンディング工程において、その伸長を実現させるためのものである。

かかる樹脂材料としては、特に限定されず、例えば、オレフィン系樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリブチレンナフタレート等のポリエステル系樹脂（エステル類高分子）、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリウレタン、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルエーテルケトンのようなポリエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ポリスチレン、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、セルロース系樹脂、スチレン系熱可塑性エラストマー（スチレン系高分子）、アクリル樹脂、ポリエステル系熱可塑性エラストマー、ポリビニルイソプレン、ポリカーボネート（カーボネート系高分子）等の熱可塑性樹脂や、これらの熱可塑性樹脂の混合物が用いられる。

これらの樹脂材料は、光（可視光線、近赤外線、紫外線）、Ｘ線、電子線等のエネルギー線を透過し得る材料であることから、エネルギー線を基材４側から基材４を透過させて粘着層２に照射する場合に好ましく用いることができる。そのため、エネルギー線を基材４側から粘着層２に照射することで、粘着層２の粘着性を低下させて半導体チップ２０を容易にピックアップすることができる。

特に、樹脂材料としては、オレフィン系樹脂を用いることが好ましい。オレフィン系樹脂を用いることで、前記エキスパンディング工程において、その伸長性（エキスパンド性）を基材４に確実に付与することができるとともに、前記工程［３Ａ］におけるダイシングの際に、基材４の切削屑により、粘着テープ１００が汚染されるのを的確に抑制または防止することができる。

かかるオレフィン系樹脂としては、特に限定されないが、例えば、直鎖状低密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレンのようなポリエチレン系樹脂、エチレン－酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、エチレン－メチルメタクリレート共重合体（ＥＭＭＡ）、エチレン－メタクリレート共重合体（ＥＭＡＡ）や、亜鉛イオン架橋体、ナトリウムイオン架橋体またはカリウムイオン架橋体としてのエチレン系アイオノマー等のアイオノマーのようなエチレン共重合体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、基材４は、導電性を有する導電性材料を含有することが好ましい。このような導電性材料が含まれることで、導電性材料に帯電防止剤としての機能を発揮させて、前記個片化工程［３Ａ］、および、前記ピックアップ工程［５Ａ］における、半導体チップ２０での静電気の発生を的確に抑制または防止することができる。

このように、基材４が導電性材料を含有する場合、基材４の粘着層２と反対側の表面における表面抵抗率は、１．０×１０^１３（Ω／□）以下に設定されていることが好ましく、１．０×１０^１１（Ω／□）以下に設定されていることがより好ましい。これにより、前記個片化工程［３Ａ］、および、前記ピックアップ工程［５Ａ］における、半導体チップ２０での静電気の発生をより的確に抑制または防止することができる。

この導電性材料としては、導電性を有するものであれば、特に限定されないが、例えば、界面活性剤、永久帯電防止高分子（ＩＤＰ）、金属材料、金属酸化物材料および炭素系材料等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

これらのうち界面活性剤としては、例えば、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、両イオン性界面活性剤等が挙げられる。

永久帯電防止高分子（ＩＤＰ）としては、例えば、ポリエーテルとポリオレフィンブロックポリマー系列、ポリエステルアミド系列、ポリエステルアミド、ポリエーテルエステルアミド、ポリウレタン系列等の全てのＩＤＰを用いることができる。

また、金属材料としては、金、銀、銅または銀コート銅、ニッケル等が挙げられ、これらの金属粉が好ましく用いられる。

金属酸化物材料としては、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、インジウムオキサイド（ＩＯ）、アンチモンティンオキサイド（ＡＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、等が挙げられ、これらの金属酸化物粉が好ましく用いられる。

さらに、炭素系材料としては、カーボンブラック、単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブのようなカーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、ＣＮナノチューブ、ＣＮナノファイバー、ＢＣＮナノチューブ、ＢＣＮナノファイバー、グラフェン等が挙げられる。

これらの中でも、導電性材料としては、界面活性剤、永久帯電防止高分子（ＩＤＰ）、金属酸化物材料およびカーボンブラックのうちの少なくとも１種であることが好ましい。これらのものは、抵抗率の温度依存性が小さいものであることから、前記工程［３Ａ］において、半導体基板７をダイシングする際に、基材４が加熱されたとしても、その表面抵抗率の変化量を小さくすることができる。

なお、基材４に導電性材料を含有させることなく、前記半導体チップ２０における静電気の発生を防止する場合には、導電性材料を含有する帯電防止層を、粘着層２と反対側の表面に形成してもよい。これにより、基材４に導電性材料を含有させた場合と同様の効果を得ることができる。

さらに、基材４は、鉱油のような軟化剤、炭酸カルシウム、シリカ、タルク、マイカ、クレーのような充填材、酸化防止剤、光安定剤、滑剤、分散剤、中和剤、着色剤等を含有するものであってもよい。

基材４の厚さは、例えば、３０μｍ以上１６０μｍ以下であるのが好ましく、８０μｍ以上１２０μｍ以下であるのがより好ましい。基材４の厚さがこの範囲内であると、基材４としての機能をより確実に発揮させて、前記工程［３Ａ］における半導体基板７のダイシングおよび前記工程［５Ａ］における半導体チップ２０のピックアップを、優れた作業性により実施することができる。

さらに、基材４は、その表面に、粘着層２に含まれる構成材料と反応性を有する、カルボキシル基、ヒドロキシル基、アミノ基のような官能基が露出していてもよい。

また、基材４は、異なる前記樹脂材料で構成される層を複数積層した積層体（多層体）で構成されるものであってもよい。

＜粘着層２＞
粘着層２は、前記工程［３Ａ］において、半導体基板７をダイシングする際に、半導体基板７を粘着して支持し、かつ、前記工程［４Ａ］において、粘着層２にエネルギーを付与して粘着層２が硬化することにより、半導体基板７を個片化して得られた半導体チップ２０を、前記工程［５Ａ］において、ピックアップし得る程度の粘着性を有するものである。また、この粘着層２を有する粘着テープ１００は、本発明では、表面を＃２０００研磨した、直径６インチ、厚さ５００μｍのシリコンウエハの前記表面に、幅２０ｍｍの当該粘着テープを貼付し、次いで、２３℃・１時間の条件で保持した後に、前記エネルギーの付与後において、２３℃の環境下で、当該粘着テープの一端を持ち、３０°の方向にて１０００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度をＢ［ｃＮ／２０ｍｍ］とし、１８０°の方向にて１０００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度をＤ［ｃＮ／２０ｍｍ］としたとき、０≦｜Ｂ－Ｄ｜＜１１０なる関係を満足している。このように、３０°の方向（角度）で引き剥がしたときの引き剥がし強度Ｂと、１８０°の方向（角度）で引き剥がしたときの引き剥がし強度Ｄとが、０≦｜Ｂ－Ｄ｜＜１１０なる関係を満足するものである。

このような粘着層２は、（１）粘着性を有するベース樹脂と、（２）粘着層２を硬化させる硬化性樹脂と、を主材料として含有する樹脂組成物で構成される。

以下、この樹脂組成物に含まれる各成分について、順次、詳述する。
（１）ベース樹脂
ベース樹脂は、粘着性を有し、半導体基板７に対する粘着性を粘着層２に付与するために、樹脂組成物中に含まれるものである。

このようなベース樹脂としては、アクリル系樹脂（粘着剤）、シリコーン系樹脂（粘着剤）、ポリエステル系樹脂（粘着剤）、ポリ酢酸ビニル系樹脂（粘着剤）、ポリビニルエーテル系樹脂（粘着剤）、スチレン系エラストマー樹脂（粘着剤）、ポリイソプレン系樹脂（粘着剤）、ポリイソブチレン系樹脂（粘着剤）またはウレタン系樹脂（粘着剤）のような粘着層成分として用いられる公知のものが挙げられるが、中でも、アクリル系樹脂を用いることが好ましい。ベース樹脂としてアクリル系樹脂を用いることにより、粘着テープ１００の前記引き剥がし強度の関係式である｜Ｂ－Ｄ｜の大きさを、比較的容易に前記範囲内に設定することができる。また、アクリル系樹脂は、耐熱性に優れ、また、比較的容易かつ安価に入手できることから、かかる観点からも、ベース樹脂として好ましく用いられる。

アクリル系樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルをモノマー主成分とするポリマー（ホモポリマーまたはコポリマー）をベースポリマーとするもののことを言う。

（メタ）アクリル酸エステルとしては、特に限定されないが、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｓ－ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ－ブチル、（メタ）アクリル酸ペンチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸ヘプチル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸２－エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸ノニル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸デシル、（メタ）アクリル酸イソデシル、（メタ）アクリル酸ウンデシル、（メタ）アクリル酸ドデシル、（メタ）アクリル酸トリデシル、（メタ）アクリル酸テトラデシル、（メタ）アクリル酸ペンタデシル、（メタ）アクリル酸ヘキサデシル、（メタ）アクリル酸ヘプタデシル、（メタ）アクリル酸オクタデシルのような（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸シクロヘキシルのような（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、（メタ）アクリル酸フェニルのような（メタ）アクリル酸アリールエステル等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸２－エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸オクチルのような（メタ）アクリル酸アルキルエステルであることが好ましい。（メタ）アクリル酸アルキルエステルは、特に、耐熱性に優れ、また、比較的容易かつ安価に入手できる。

なお、本明細書において、（メタ）アクリル酸エステルとは、アクリル酸エステルとメタクリル酸エステルとの双方を含む意味で用いることとする。

アクリル系樹脂は、凝集力、耐熱性等の改質等を目的として、必要に応じて、ポリマーを構成するモノマー成分として、官能基含有共重合性モノマーを含むものが用いられる。

このような官能基含有共重合性モノマーとしては、特に限定されないが、例えば、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４－ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６－ヒドロキシヘキシルのようなヒドロキシル基含有モノマー、（メタ）アクリル酸グリシジルのようなエポキシ基含有モノマー、（メタ）アクリル酸、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸、イソクロトン酸のようなカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸、無水イタコン酸のような酸無水物基含有モノマー、（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－ブチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－メチロール（メタ）アクリルアミド、Ｎ－メチロールプロパン（メタ）アクリルアミド、Ｎ－メトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－ブトキシメチル（メタ）アクリルアミドのようなアミド系モノマー、（メタ）アクリル酸アミノエチル、（メタ）アクリル酸Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチル、（メタ）アクリル酸ｔ－ブチルアミノエチルのようなアミノ基含有モノマー、（メタ）アクリロニトリルのようなシアノ基含有モノマー、エチレン、プロピレン、イソプレン、ブタジエン、イソブチレンのようなオレフィン系モノマー、スチレン、α－メチルスチレン、ビニルトルエンのようなスチレン系モノマー、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニルのようなビニルエステル系モノマー、メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテルのようなビニルエーテル系モノマー、塩化ビニル、塩化ビニリデンのようなハロゲン原子含有モノマー、（メタ）アクリル酸メトキシエチル、（メタ）アクリル酸エトキシエチルのようなアルコキシ基含有モノマー、Ｎ－ビニル－２－ピロリドン、Ｎ－メチルビニルピロリドン、Ｎ－ビニルピリジン、Ｎ－ビニルピペリドン、Ｎ－ビニルピリミジン、Ｎ－ビニルピペラジン、Ｎ－ビニルピラジン、Ｎ－ビニルピロール、Ｎ－ビニルイミダゾール、Ｎ－ビニルオキサゾール、Ｎ－ビニルモルホリン、Ｎ－ビニルカプロラクタム、Ｎ－（メタ）アクリロイルモルホリン等の窒素原子含有環を有するモノマー等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

これら官能基含有共重合性モノマーの含有量は、アクリル系樹脂を構成する全モノマー成分に対して、４０重量％以下であることが好ましく、１０重量％以下であることがより好ましい。

また、官能基含有共重合性モノマーは、アクリル系樹脂を構成するポリマーにおける主鎖の末端に含まれるものであってもよいし、その主鎖中に含まれるもの、さらには、主鎖の末端と主鎖中との双方に含まれるものであってもよい。

さらに、官能基含有共重合性モノマーには、ポリマー同士の架橋等を目的として、多官能性モノマーが含まれていてもよい。

多官能性モノマーとしては、例えば、１，６－ヘキサンジオール（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート、ジビニルベンゼン、ブチルジ（メタ）アクリレート、ヘキシルジ（メタ）アクリレート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、エチレン－酢酸ビニルコポリマーおよび酢酸ビニルポリマー等も、官能基含有共重合性モノマー成分として用いることができる。

なお、このようなアクリル系樹脂（ポリマー）は、単一のモノマー成分または２種以上のモノマー成分の混合物を重合させることにより生成させることができる。また、これらモノマー成分の重合は、例えば、溶液重合方法、乳化重合方法、塊状重合方法、懸濁重合方法等の重合方法を用いて実施することができる。

アクリル系樹脂は、前記工程［３Ａ］において、半導体基板７をダイシングする際に、アクリル系樹脂による半導体基板７等の汚染を防止するという観点から、低分子量物の含有量が少ないものであることが好ましい。この場合、アクリル系樹脂の重量平均分子量としては、好ましくは３０万以上５００万以下に設定され、より好ましくは４０万以上４００万以下に設定され、さらに好ましくは５０万以上１５０万以下に設定される。なお、アクリル系樹脂の重量平均分子量が、モノマー成分の種類等によっては、５０万未満であると、半導体基板７等に対する汚染防止性が低下し、その結果、半導体チップ２０を剥離させた際に糊残りが生じるおそれがある。

また、アクリル系樹脂は、そのガラス転移点が、好ましくは－１００℃以上５０℃以下、より好ましくは－５０℃以上０℃以下であるものが用いられる。ベース樹脂として、かかる範囲内のガラス転移点を有するアクリル系樹脂を用いることにより、粘着テープ１００の前記引き剥がし強度の関係式である｜Ｂ－Ｄ｜の大きさを、比較的容易に前記範囲内に設定することができる。

なお、アクリル系樹脂は、ヒドロキシル基やカルボキシル基（特に、ヒドロキシル基）のような、架橋剤や光重合開始剤に対して反応性を有する官能基（反応性官能基）を有していることが好ましい。これにより、架橋剤や光重合開始剤がポリマー成分であるアクリル系樹脂に連結するため、粘着層２からこれら架橋剤や光重合開始剤が漏出することを的確に抑制または防止することができる。その結果、前記工程［４Ａ］におけるエネルギー線照射時により、粘着層２の半導体基板７に対する粘着性が確実に低下される。

（２）硬化性樹脂
硬化性樹脂は、例えば、エネルギー線の照射により硬化する硬化性を備えるものである。この硬化によってベース樹脂が硬化性樹脂の架橋構造に取り込まれた結果、粘着層２の粘着力が低下する。

このような硬化性樹脂としては、例えば、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射によって三次元架橋可能な重合性炭素－炭素二重結合を、官能基として少なくとも２個以上分子内に有する低分子量化合物が用いられる。具体的には、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６－ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、１，４－ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレートのような（メタ）アクリル酸と多価アルコールとのエステル化物、エステルアクリレートオリゴマー、２－プロペニル－ジ－３－ブテニルシアヌレート等の炭素－炭素二重結合含有基を有しているシアヌレート系化合物、トリス（２－アクリロキシエチル）イソシアヌレート、トリス（２－メタクリロキシエチル）イソシアヌレート、２－ヒドロキシエチル ビス（２－アクリロキシエチル）イソシアヌレート、ビス（２－アクリロキシエチル）２－［（５－アクリロキシヘキシル）－オキシ］エチルイソシアヌレート、トリス（１，３－ジアクリロキシ－２－プロピル－オキシカルボニルアミノ－ｎ－ヘキシル）イソシアヌレート、トリス（１－アクリロキシエチル－３－メタクリロキシ－２－プロピル－オキシカルボニルアミノ－ｎ－ヘキシル）イソシアヌレート、トリス（４－アクリロキシ－ｎ－ブチル）イソシアヌレートのような炭素－炭素二重結合含有基を有しているイソシアヌレート系化合物、市販のオリゴエステルアクリレート、芳香族系、脂肪族系等のウレタンアクリレート、ビスフェノールＡ系のエポキシアクリレート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、ウレタンアクリレートおよびビスフェノールＡ系のエポキシアクリレートのうちの少なくとも１種が含まれることが好ましい。これにより、エネルギー線の照射により硬化性樹脂をより確実に硬化させることができる。また、粘着テープ１００の前記引き剥がし強度の関係式である｜Ｂ－Ｄ｜の大きさを、比較的容易に前記範囲内に設定することができる。

また、硬化性樹脂には、特に限定されないが、重量平均分子量の異なる２つ以上の硬化性樹脂が混合されているのが好ましい。このような硬化性樹脂を利用すれば、エネルギー線照射による樹脂の架橋度を容易に制御することができ、前記工程［５Ａ］における半導体チップ本体部２３（半導体チップ２０）のピックアップ性を向上させることができる。また、このような硬化性樹脂として、例えば、第１の硬化性樹脂と、第１の硬化性樹脂よりも重量平均分子量が大きい第２の硬化性樹脂との混合物等が用いられてもよい。

硬化性樹脂を、第１の硬化性樹脂と、第２の硬化性樹脂との混合物とする場合、第１の硬化性樹脂の重量平均分子量は、１００～１０００程度であることが好ましく、２００～５００程度であることがより好ましい。また、第２の硬化性樹脂の重量平均分子量は、１０００～３００００程度であることが好ましく、１０００～１００００程度であることがより好ましく、２０００～５０００程度であることがさらに好ましい。さらに、第１の硬化性樹脂の官能基数は、１～５官能基であることが好ましく、第２の硬化性樹脂の官能基数は、６官能基以上であることが好ましい。かかる関係を満足することにより、前記効果をより顕著に発揮させることができる。

硬化性樹脂は、ベース樹脂１００重量部に対して３０重量部以上２００重量部以下で配合されることが好ましく、５０重量部以上１４０重量部以下で配合されることがより好ましい。これにより、樹脂組成物中に、硬化性樹脂およびベース樹脂を、それぞれ添加することにより発揮される機能を、硬化性樹脂とベース樹脂との双方に確実に発揮させることができる。

なお、この硬化性樹脂は、前述したアクリル系樹脂として、二重結合導入型アクリル系樹脂を用いた場合、すなわち、炭素－炭素二重結合を、側鎖、主鎖中または主鎖の末端に有しているものを用いた場合には、その樹脂組成物中への添加を省略するようにしてもよい。これは、アクリル系樹脂が二重結合導入型アクリル系樹脂である場合には、エネルギー線の照射により、二重結合導入型アクリル系樹脂が備える炭素－炭素二重結合の機能によって、粘着層２が硬化し、これにより、粘着層２の粘着力が低下することによる。

（３）光重合開始剤
また、粘着層２は、エネルギー線の照射により半導体基板７に対する粘着性が低下するものであるが、エネルギー線として紫外線等を用いる場合には、粘着層２を構成する樹脂組成物には、硬化性樹脂の重合開始を容易とするために光重合開始剤を含有することが好ましい。

光重合開始剤としては、例えば、２，２－ジメトキシ－１，２－ジフェニルエタン－１－オン、１－［４－（２－ヒドロキシエトキシ）－フェニル］－２－ヒドロキシ－２－メチル－１－プロパン－１－オン、２－ヒドロキシ－１－｛４－［４－（２－ヒドロキシ－２－メチル－プロピオニル）－ベンジル］フェニル｝－２－メチル－プロパン－１－オン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、４－（２－ヒドロキシエトキシ）フェニル（２－ヒドロキシ－２－プロピル）ケトン、α－ヒドロキシ－α，α’－ジメチルアセトフェノン、２－メチル－２－ヒドロキシプロピオフェノン、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ミヒラーズケトン、アセトフェノン、メトキシアセトフェノン、２，２－ジメトキシ－２－フェニルアセトフェノン、２，２－ジエトキシアセトフェノン、２－メチル－１－［４－（メチルチオ）－フェニル］－２－モルホリノプロパン－１、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンジル、ベンゾイン、ジベンジル、α－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジメチルケタール、２－ヒドロキシメチルフェニルプロパン、２－ナフタレンスルホニルクロリド、１－フェノン－１，１－プロパンジオン－２－（ｏ－エトキシカルボニル）オキシム、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、４，４’－ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４’－ジエチルアミノベンゾフェノン、４，４’－ジクロロベンゾフェノン、３，３’－ジメチル－４－メトキシベンゾフェノン、ｏ－アクリルオキシベンゾフェノン、ｐ－アクリルオキシベンゾフェノン、ｏ－メタクリルオキシベンゾフェノン、ｐ－メタクリルオキシベンゾフェノン、ｐ－（メタ）アクリルオキシエトキシベンゾフェノン、１，４－ブタンジオールモノ（メタ）アクリラート、１，２－エタンジオールモノ（メタ）アクリラート、１，８－オクタンジオールモノ（メタ）アクリラートのようなアクリラートのベンゾフェノン－４－カルボン酸エステル、チオキサンソン、２－クロロチオキサンソン、２－メチルチオキサンソン、２，４－ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４－ジクロロチオキサンソン、２，４－ジエチルチオキサンソン、２，４－ジイソプロピルチオキサンソン、アゾビスイソブチロニトリル、β－クロールアンスラキノン、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド、アシルホスフォナート、ポリビニルベンゾフェノン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、２－エチルアントラキノン、ｔ－ブチルアントラキノン、２，４，５－トリアリールイミダゾール二量体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、これらの中でも、ベンゾフェノン誘導体およびアルキルフェノン誘導体であることが好ましい。これらの化合物は分子中に反応性官能基として水酸基を備えるものであり、この反応性官能基を介して、ベース樹脂や硬化性樹脂に連結することができ、光重合開始剤としての機能をより確実に発揮させることができる。

光重合開始剤は、ベース樹脂１００重量部に対して０．１重量部以上５０重量部以下で配合されることが好ましく、０．５重量部以上１０重量部以下で配合されることがより好ましい。上記のように光重合開始剤の配合量を調整することによって、樹脂組成物中に、光重合開始剤を添加することにより発揮される機能を、光重合開始剤に確実に発揮させることができる。

（４）架橋剤
さらに、粘着層２を構成する樹脂組成物には、架橋剤が含まれていてもよい。架橋剤が含まれることで、粘着層２を適度な硬さを有するものに調整することができる。また、粘着テープ１００の前記引き剥がし強度の関係式である｜Ｂ－Ｄ｜の大きさを、比較的容易に前記範囲内に設定することができる。

架橋剤としては、特に限定されないが、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、尿素樹脂系架橋剤、メチロール系架橋剤、キレート系架橋剤、アジリジン系架橋剤、メラミン系架橋剤、多価金属キレート系架橋剤、酸無水物系架橋剤、ポリアミン系架橋剤、カルボキシル基含有ポリマー系架橋剤等が挙げられる。これらの中でもイソシアネート系架橋剤が好ましい。

イソシアネート系架橋剤としては、特に限定されないが、例えば、多価イソシアネートのポリイソシアネート化合物およびポリイソシアネート化合物の三量体、ポリイソシアネート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネート化合物の三量体または末端イソシアネートウレタンプレポリマーをフェノール、オキシム類等で封鎖したブロック化ポリイソシアネート化合物等が挙げられる。

また、多価イソシアネートとして、例えば、２，４－トリレンジイソシアネート、２，６－トリレンジイソシアネート、１，３－キシリレンジイソシアネート、１，４－キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン－４，４’－ジイソシアネート、ジフェニルメタン－２，４’－ジイソシアネート、３－メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン－４，４’－ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン－２，４’－ジイソシアネート、４，４’－ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４’－〔２，２－ビス（４－フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネート、２，２，４－トリメチル－ヘキサメチレンジイソシアネート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも２，４－トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタン－４，４’－ジイソシアネートおよびヘキサメチレンジイソシアネートから成る群より選択される少なくとも１種の多価イソシアネートが好ましい。

架橋剤は、ベース樹脂１００重量部に対して０．０１重量部以上５０重量部以下で配合されることが好ましく、５重量部以上５０重量部以下で配合されることがより好ましい。上記のように架橋剤の配合量を調整することで、樹脂組成物中に、架橋剤を添加することにより発揮される機能を、架橋剤に確実に発揮させることができる。

（５）可塑剤
可塑剤は、粘着力がエネルギーの付与により低下する粘着層２において、その柔軟性を向上させることで、粘着テープ１００に対する半導体基板７の粘着力を優れたものとし、その結果、前記引き剥がし強度の関係式である｜Ｂ－Ｄ｜の大きさを、比較的容易に前記範囲内に設定することができるため、粘着層２、すなわち、樹脂組成物中に含まれることが好ましい。

この可塑剤としては、特に限定されないが、例えば、ＤＯＰ（ジオクチルフタレート）、ＤＢＰ（ジブチルフタレート）、ＤＩＢＰ（ジイソブチルフタレート）、ＤＨＰ（ジヘプチルフタレート）のようなフタル酸エステル系可塑剤、ＤＯＡ（ジ－２－エチルヘキシルアジペート）、ＤＩＤＡ（ジイソデシルアジペート）、ＤＯＳ（ジ－２－エチルヘキシルセバセート）のような脂肪族二塩基酸エステル系可塑剤、エチレングリコールのベンゾエート類のような芳香族カルボン酸エステル系可塑剤、およびＴＯＴＭ（トリオクチルトリメリテート）のようなトリメリット酸エステル系可塑剤、アジピン酸エステル系可塑剤等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

粘着層２すなわち樹脂組成物中における可塑剤の含有率は、特に限定されないが、例えば、ベース樹脂１００重量部に対して０．１重量部以上５．０重量部以下で配合されることが好ましく、０．５重量部以上３．０重量部以下で配合されることがより好ましい。これにより、粘着層２の柔軟性を確実に向上させることができるため、前記引き剥がし強度の関係式である｜Ｂ－Ｄ｜の大きさを、容易に前記範囲内に設定することができる。

（６）その他の成分
さらに、粘着層２を構成する樹脂組成物には、上述した各成分（１）～（５）の他に他の成分として、導電性材料、粘着付与剤、老化防止剤、粘着調整剤、充填材、着色剤、難燃剤、軟化剤、酸化防止剤、可塑剤、界面活性剤等のうちの少なくとも１種が含まれていてもよい。

なお、これらのうち導電性材料としては、導電性を有するものであれば、特に限定されないが、前記基材４に含まれる導電性材料として説明したのと、同様のものを用いることができる。

このような導電性材料が含まれることで、導電性材料に帯電防止剤としての機能を発揮させて、前記個片化工程［３Ａ］、および、前記ピックアップ工程［５Ａ］における、半導体チップ２０での静電気の発生が的確に抑制または防止される。

基材４および粘着層２のうちの一方に導電性材料を含有させる構成とする場合には、基材４に導電性材料を含有させることが好ましい。これにより、半導体チップ２０に導電性材料を確実に付着させることなく、半導体チップ２０での静電気の発生をより的確に抑制または防止することができる。

また、これらのうち粘着付与剤としては、特に限定されないが、例えば、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族共重合系石油樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

以上のような、粘着層２に含まれる、成分（１）、（２）を必須成分とする各成分（１）～（６）の種類、および含有量を適宜選択することにより、前記引き剥がし強度Ｂ、Ｄの関係式｜Ｂ－Ｄ｜を、０≦｜Ｂ－Ｄ｜＜１１０なる関係を満足するものとし得るが、前記関係式｜Ｂ－Ｄ｜は、０≦｜Ｂ－Ｄ｜＜９０なる関係を満足するのが好ましく、０≦｜Ｂ－Ｄ｜＜５０なる関係を満足するのがより好ましい。これにより、前記工程［５Ａ］において、個片化された半導体チップ２０をピックアップする際に、この半導体チップ２０から粘着テープ１００が剥離されるときの半導体チップ２０と粘着テープ１００とがなす角度に変化が生じたとしても、半導体チップ２０から粘着テープ１００を安定的に剥離させて、半導体チップ２０をピックアップすることができる。

さらに、２３℃の環境下で、粘着テープ１００を３０°の方向にて１０００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定される前記引き剥がし強度Ｂは、６０ｃＮ／２０ｍｍ以上４００ｃＮ／２０ｍｍ以下であることが好ましく、８０ｃＮ／２０ｍｍ以上１７０ｃＮ／２０ｍｍ以下であることがより好ましい。前記引き剥がし強度Ｂの大きさがかかる範囲内に設定されていることにより、前記工程［５Ａ］において、個片化された半導体チップ２０をピックアップする際に、半導体チップ２０と粘着テープ１００とがなす角度が低くなったときにおいても、半導体チップ２０から粘着テープ１００を安定的に剥離させて、半導体チップ２０をピックアップすることができる。

また、２３℃の環境下で、粘着テープ１００を１８０°の方向にて１０００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定される前記引き剥がし強度Ｄは、６０ｃＮ／２０ｍｍ以上４００ｃＮ／２０ｍｍ以下であることが好ましく、８０ｃＮ／２０ｍｍ以上１７０ｃＮ／２０ｍｍ以下であることがより好ましい。前記引き剥がし強度Ｄの大きさがかかる範囲内に設定されていることにより、前記工程［５Ａ］において、個片化された半導体チップ２０をピックアップする際に、半導体チップ２０と粘着テープ１００とがなす角度が高くなったときにおいても、半導体チップ２０から粘着テープ１００を安定的に剥離させて、半導体チップ２０をピックアップすることができる。

また、表面を＃２０００研磨した、シリコンウエハの前記表面に、幅２０ｍｍの粘着テープ１００を貼付し、次いで、２３℃・１時間の条件で保持した後に、粘着層２へのエネルギーの付与後において、２３℃の環境下で、粘着テープ１００の一端を持ち、３０°の方向にて３００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度をＡ［ｃＮ／２０ｍｍ］とし、１８０°の方向にて３００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度をＣ［ｃＮ／２０ｍｍ］としたとき、０≦｜Ａ－Ｃ｜＜６０なる関係を満足することが好ましく、０≦｜Ａ－Ｃ｜＜４０なる関係を満足するのがより好ましい。

ここで、前記工程［５Ａ］において、半導体チップ２０をピックアップする際のピックアップ速度、すなわち、半導体チップ２０から粘着テープ１００を剥離させる剥離速度（引き剥がし速度）が、半導体チップ２０の種類や大きさ等に応じて変化することがある。そのため、半導体チップ２０から粘着テープ１００を剥離させる剥離速度が１０００ｍｍ／分とは異なる３００ｍｍ／分における、引き剥がし強度Ａ、Ｃの関係式｜Ａ－Ｃ｜が前記範囲内に設定されることにより、前記工程［５Ａ］において、個片化された半導体チップ２０をピックアップする際に、この半導体チップ２０をピックアップする際の速度が比較的遅く設定されていたとしても、半導体チップ２０から粘着テープ１００をより安定的に剥離させて、半導体チップ２０をピックアップすることができる。

また、２３℃の環境下で、粘着テープ１００を３０°の方向にて３００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定される前記引き剥がし強度Ａは、６０ｃＮ／２０ｍｍ以上４００ｃＮ／２０ｍｍ以下であることが好ましく、８０ｃＮ／２０ｍｍ以上１７０ｃＮ／２０ｍｍ以下であることがより好ましい。前記引き剥がし強度Ａの大きさがかかる範囲内に設定されていることにより、前記工程［５Ａ］において、個片化された半導体チップ２０をピックアップする際に、半導体チップ２０と粘着テープ１００とがなす角度が低くなったときにおいても、半導体チップ２０から粘着テープ１００を安定的に剥離させて、半導体チップ２０をピックアップすることができる。

さらに、２３℃の環境下で、粘着テープ１００を１８０°の方向にて３００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定される前記引き剥がし強度Ｃは、６０ｃＮ／２０ｍｍ以上４００ｃＮ／２０ｍｍ以下であることが好ましく、８０ｃＮ／２０ｍｍ以上１７０ｃＮ／２０ｍｍ以下であることがより好ましい。前記引き剥がし強度Ｃの大きさがかかる範囲内に設定されていることにより、前記工程［５Ａ］において、個片化された半導体チップ２０をピックアップする際に、半導体チップ２０と粘着テープ１００とがなす角度が高くなったときにおいても、半導体チップ２０から粘着テープ１００を安定的に剥離させて、半導体チップ２０をピックアップすることができる。

また、半導体チップ２０から粘着テープ１００を剥離させる際の半導体チップ２０と粘着テープ１００とがなす角度が同一であるときに、半導体チップ２０から粘着テープ１００を剥離させる剥離速度（引き剥がし速度）ごとにおける引き剥がし強度のバラツキが、一定の範囲内に設定されていることが好ましい。これにより、個片化された半導体チップ２０をピックアップする際に、この半導体チップ２０をピックアップする際の速度に変化が生じたとしても、半導体チップ２０から粘着テープ１００を安定的に剥離させて、半導体チップ２０をピックアップすることができる。

そこで、本発明では、粘着テープ１００を３０°の方向にて３００ｍｍ／分または１０００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定される前記引き剥がし強度Ａ、Ｂのバラツキの程度を示す関係式Ｂ／Ａは、０．９０≦Ｂ／Ａ≦１．２０なる関係を満足するのが好ましく、１．００≦Ｂ／Ａ≦１．１０なる関係を満足するのがより好ましい。

また、粘着テープ１００を１８０°の方向にて３００ｍｍ／分または１０００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定される前記引き剥がし強度Ｃ、Ｄのバラツキの程度を示す関係式Ｄ／Ｃは、０．９０≦Ｄ／Ｃ≦１．２０なる関係を満足するのが好ましく、１．００≦Ｄ／Ｃ≦１．１０なる関係を満足するのがより好ましい。

関係式Ｂ／Ａおよび関係式Ｄ／Ｃの大きさを前記範囲内に設定することで、半導体チップ２０から粘着テープ１００を剥離させる剥離速度（引き剥がし速度）ごとにおける引き剥がし強度のバラツキが、一定の範囲内に設定されていると言うことができるため、半導体チップ２０をピックアップする際の速度に変化が生じたとしても、半導体チップ２０から粘着テープ１００をより安定的に剥離させて、半導体チップ２０をピックアップすることができる。

さらに、粘着層２は、エネルギーの付与後において、レオメーターを用いて、温度２３℃、歪量１ｍｒａｄ、周波数１Ｈｚで測定した複素粘度η^＊（付与後、２３℃）が１．０×１０^７ｍＰａ・ｓ以上６．０×１０^９ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましく、１．０×１０^８ｍＰａ・ｓ以上１．０×１０^９ｍＰａ・ｓ以下であることがより好ましい。これにより、前記引き剥がし強度Ａ、Ｃの関係式｜Ａ－Ｃ｜および前記引き剥がし強度Ｂ、Ｄの関係式｜Ｂ－Ｄ｜を、比較的容易に前記範囲内に設定することができる。さらに、前記工程［３Ａ］において、半導体チップ２０の側面に対して粘着層２の一部が付着する糊残りの発生を、的確に抑制または防止することができる。

また、粘着層２の厚さは、特に限定されないが、例えば、５μｍ以上５０μｍ以下であるのが好ましく、５μｍ以上１０μｍ以下であるのがより好ましい。粘着層２の厚さをかかる範囲内とすることで、粘着層２を、前記個片化工程［３Ａ］において、半導体基板７に対する良好な粘着力を発揮し、かつ、前記ピックアップ工程［５Ａ］において、粘着層２と半導体基板７との間において、良好な剥離性を発揮する程度の粘着性を備えるものとし得る。

なお、粘着層２は、異なる前記樹脂組成物で構成される層を複数積層した積層体（多層体）で構成されるものであってもよい。

さらに、基材４に粘着層２が積層された構成をなしている粘着テープ１００において、この粘着テープ１００を平面視で見たとき、基材４と粘着層２との界面に形成されている気泡は、面積が１００μｍ^２以上のものの数が、１５．０個／ｍｍ^２以下であることが好ましく、０．０１個／ｍｍ^２以上７．０個／ｍｍ^２以下であることがより好ましく、０．１個／ｍｍ^２以上２．０個／ｍｍ^２以下であることがさらに好ましい。基材４と粘着層２との界面に形成されている気泡の数をコントロールして、面積が１００μｍ^２以上のものの数を上記のように設定することで、前記工程［５Ａ］において、半導体チップ２０をピックアップして、半導体チップ２０から粘着テープ１００を剥離させる際に、半導体チップ２０に糊残りが生じるのをより的確に抑制または防止することができる。

次に、かかる構成の粘着テープ１００は、例えば、以下のようにして製造することができる。

＜粘着テープの製造方法＞
図７は、図６に示す粘着テープを製造する方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図７中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

［１Ｂ］まず、基材４を用意する（図７（ａ）参照。）。
基材４の製造方法としては、特に限定されないが、例えば、カレンダー法、インフレーション押出し法、Ｔダイ押出し法のような押出成形法、湿式キャスティング法等の一般的な成形方法が挙げられる。なお、基材４が積層体で構成される場合、かかる構成のその基材４の製造方法としては、例えば、共押出し法、ドライラミネート法等の成形方法が用いられる。

また、基材４は、無延伸で用いることができ、さらに、必要に応じて一軸または二軸の延伸処理を施したものを用いるようにしてもよい。

［２Ｂ］次に、基材４の上面に粘着層２を形成する（図７（ｂ）参照。）。
基材４の表面（上面）には、基材４と粘着層２との密着性を向上させることを目的に、コロナ処理、クロム酸処理、マット処理、オゾン暴露処理、火炎暴露処理、高圧電撃暴露処理、イオン化放射線処理、プライマー処理、アンカーコート処理のような表面処理が施されていてもよい。

また、粘着層２は、基材４上に、粘着層２の構成材料である樹脂組成物を溶剤に溶解してワニス状にした液状材料を、塗布または散布した後、溶剤を揮発させることにより得ることができる。

なお、溶剤としては、特に限定されないが、例えば、メチルエチルケトン、アセトン、トルエン、酢酸エチル、ジメチルホルムアルデヒド等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、基材４上への液状材料の塗布または散布は、例えば、ダイコート、カーテンダイコート、グラビアコート、コンマコート、バーコートおよびリップコート等の方法を用いて行うことができる。

［３Ｂ］次に、基材４上に形成された粘着層２に対して、中心側と外周側とが分離されるように、粘着層２の厚さ方向に基材４を残存させて円環状に粘着層２の一部を除去することにより、粘着層２を中心部１２２と外周部１２１とを備えるものとする（図７（ｃ）参照。）。

粘着層２の一部を円環状に除去する方法としては、例えば、除去すべき領域を取り囲むように打ち抜いた後、この打ち抜かれた領域に位置する粘着層２を除去する方法が挙げられる。

また、除去すべき領域に対する打ち抜きは、例えば、ロール状金型を用いる方法や、プレス金型を用いる方法を用いて行うことができる。中でも、連続的に粘着テープ１００を製造することができるロール状金型を用いる方法が好ましい。

なお、本工程では、粘着層２の一部をリング状（円形状）に打ち抜いて中心部１２２と外周部１２１とを形成したが、粘着層２の一部を打ち抜く形状は、前述した半導体装置の製造方法において、粘着層２の外周部１２１をウエハリングで固定できる形状となっていれば如何なる形状のものであってもよい。具体的には、打ち抜く形状としては、例えば、上述した円形状の他、楕円状、俵型状のような長円状や、四角形状、五角形状のような多角形状等が挙げられる。

［４Ｂ］次に、基材４上に形成された粘着層２に対して、セパレーター１を積層することにより、粘着層２がセパレーター１で被覆された粘着テープ１００を得る（図７（ｄ）参照。）。

粘着層２にセパレーター１を積層する方法としては、特に制限されないが、例えば、ロールを用いたラミネート方法、プレスを用いたラミネート方法を用いることができる。これらの中でも、連続的に生産できるという生産性の観点から、ロールを用いたラミネート方法が好ましい。

なお、セパレーター１としては、特に限定されないが、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタラートフィルム等が挙げられる。

また、セパレーター１は、粘着テープ１００の使用時に剥がされるために、表面を離型処理されたものを使用してもよい。離型処理としては離型剤をセパレーター１の表面にコーティングする処理や、セパレーター１の表面に細かい凹凸をつける処理等が挙げられる。なお、離型剤としては、シリコーン系、アルキッド系、フッ素系等のものが挙げられる。

以上のような工程を経て、セパレーター１で被覆された粘着テープ１００を形成することができる。

なお、本実施形態で製造されたセパレーター１で被覆された粘着テープ１００は、前述した粘着テープ１００を用いた半導体装置の製造方法において、粘着テープ１００をセパレーター１から剥離した後に使用される。

また、セパレーター１が被覆する粘着層２から、このセパレーター１を剥がす際には、粘着層２の面に対してセパレーター１を９０°以上１８０°以下の角度で剥離を行うことが好ましい。セパレーター１を剥離する角度を前記範囲とすることで、粘着層２とセパレーター１との界面以外での剥離を確実に防止することができる。

以上、本発明の粘着テープについて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。

例えば、本発明の粘着テープが備える各層には、同様の機能を発揮し得る、任意の成分が添加されていてもよく、あるいは、基材は、前記実施形態で説明したように、１層で構成されるものの他、複数の層で構成されるものであってもよく、例えば、前述した基材の粘着層とは反対側の面に、帯電防止層を備えるものであってもよい。

また、粘着テープが備える各層の構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することもできる。

さらに、粘着テープを用いて形成する半導体装置の構成によっては、半導体装置１０が備えるモールド部１７の形成を省略することもできる。

また、粘着テープが貼付された半導体基板を厚さ方向に切断（ダイシング）することで、切断片すなわち部品として半導体チップを得る場合に限らず、粘着テープ上に基板を仮固定した状態で、基板を厚さ方向に切断することで部品を得た後に、部品を粘着テープから剥離させる必要が生じる各種の基板加工用途にも、本発明の粘着テープを適用することができる。本発明の粘着テープにより貼付される基板としては、上述した半導体基板（半導体用ウエハ）の他に、例えば、ソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラスなどのガラス基板、アルミナ、窒化ケイ素、酸化チタンなどのセラミック基板、アクリル、ポリカーボネート、ゴムなどの樹脂材料基板、金属材料基板等が挙げられる。

次に、本発明の具体的実施例について説明する。
なお、本発明はこれらの実施例の記載に何ら限定されるものではない。

１．原材料の準備
まず、各実施例および各比較例の粘着テープの製造に用いた原材料を以下に示す。

（オレフィン系樹脂１）
オレフィン系樹脂１として、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ：住友化学社製、「スミカセンＦ２００－０」、比重：０．９２ｇ／ｃｍ^３）を用意した。

（帯電防止剤１）
帯電防止剤１として、ポリエーテル系帯電防止剤（三洋化成工業社製、「ペレクトロンＰＶＬ」）を用意した。

（ベース樹脂１～５）
ベース樹脂１～５として、アクリル酸ブチル、メタクリル酸ブチル、アクリル酸２－エチルヘキシル、アクリル酸、アクリル酸２－ヒドロキシエチル、Ｎ，Ｎ－ジメチルアクリルアミド、酢酸ビニルのうちの少なくとも２種を混合し、常法によりトルエン溶媒中にて溶液重合させて生成されたアクリル共重合体を用意した。

なお、ベース樹脂（アクリル共重合体）１～５におけるガラス転移点および重量平均分子量は、以下に示す通りであった。

ベース樹脂１（ガラス転移点：－１４℃、重量平均分子量：５０万）
ベース樹脂２（ガラス転移点：－３７℃、重量平均分子量：６０万）
ベース樹脂３（ガラス転移点：－４５℃、重量平均分子量：５０万）
ベース樹脂４（ガラス転移点：－１０℃、重量平均分子量：６５万）
ベース樹脂５（ガラス転移点：－６０℃、重量平均分子量：５０万）

（硬化性樹脂１）
硬化性樹脂１として、ウレタンアクリレート１（日本化薬社製、品番：ＵＸ－５０００）を用意した。

（硬化性樹脂２）
硬化性樹脂２として、ウレタンアクリレート２（Ｍｉｗｏｎ Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌ社製、品番：ＳＣ２１５２）を用意した。

（硬化性樹脂３）
硬化性樹脂３として、ビスＡ型エポキシアクリレート１（日本化薬社製、品番：Ｒ－１３０）を用意した。

（架橋剤１）
架橋剤１として、ポリイソシアネート（東ソー社製、品番：コロネートＬ）を用意した。

（光重合開始剤１）
光重合開始剤１として、ベンジルジメチルケタール（東京化成工業社製）を用意した。

（可塑剤１）
可塑剤１として、ポリエステル系可塑剤（ＤＩＣ社製、品番：Ｗ－２３０Ｈ）を用意した。

２．粘着テープの作製
［実施例１］
オレフィン系樹脂１を押出し機で押し出して、厚さ１００μｍの基材４を作製した。

次に、ベース樹脂１（１００重量部）、硬化性樹脂１（９２重量部）、架橋剤１（１０重量部）、光重合開始剤１（４重量部）および可塑剤１（２重量部）が配合された樹脂組成物を含有する液状材料を作製した。この液状材料を、乾燥後の粘着層２の厚さが２０μｍになるようにして基材４にバーコート塗工した後、８０℃で１分間乾燥させて、基材４の上面（一方の面）に、厚さ１０μｍの粘着層２を形成することで、実施例１の粘着テープ１００を得た。

なお、粘着テープ１００が備える粘着層２について、紫外線照度：５５Ｗ／ｃｍ^２、紫外線照射量：２００ｍｊ／ｃｍ^２の条件で粘着層２に紫外線を照射するエネルギーの付与後において、レオメーター（アントンパール社製、「ＭＣＲ１０２」）を用いて、温度２３℃、歪量１ｍｒａｄ、周波数１Ｈｚで複素粘度η^＊（付与後、２３℃）を測定したところ、７．５Ｅ＋０８ｍＰａ・ｓであった。

［実施例２～５、比較例１、２］
基材４の形成に用いた樹脂組成物中に含まれる各構成材料、および、粘着層２の形成に用いた樹脂組成物中に含まれる各構成材料として、表１に示すものを用い、さらに、各構成材料の含有量を表１に示すように変更して、表１に示す厚さの基材４および粘着層２を形成したこと以外は、前記実施例１と同様にして、実施例２～５、比較例１、２の粘着テープを作製した。

３．評価
得られた各実施例および各比較例の粘着テープを、以下の方法で評価した。

３－１．基材の抵抗率の評価
各実施例および各比較例の粘着テープについて、その基材４における粘着層２と反対側の表面抵抗率を、それぞれ、ＪＩＳ K ６９１１に従って、抵抗値測定装置（アドバンテスト社製、「Ｒ８３４０」）を用いて測定した。

３－２．シリコンウエハからの引き剥がし強度の測定
各実施例および各比較例の粘着テープについて、それぞれ、紫外線照度：５５Ｗ／ｃｍ^２、紫外線照射量：２００ｍｊ／ｃｍ^２の条件で粘着層２に紫外線を照射するエネルギーの付与後において、２３℃の環境下で、粘着テープの一端を持ち、３０°の方向にて１０００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度Ｂ（ピール強度Ｂ）を、前記剥離解析装置を用いて測定した。

さらに、各実施例および各比較例の粘着テープについて、それぞれ、紫外線照度：５５Ｗ／ｃｍ^２、紫外線照射量：２００ｍｊ／ｃｍ^２の条件で粘着層２に紫外線を照射するエネルギーの付与後において、２３℃の環境下で、粘着テープの一端を持ち、１８０°の方向にて１０００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度Ｄ（ピール強度Ｄ）を、前記剥離解析装置を用いて測定した。

そして、測定された引き剥がし強度Ｂおよび引き剥がし強度Ｄに基づいて、これらの差の絶対値の関係を示す関係式｜Ｂ－Ｄ｜を求めた。

また、各実施例および各比較例の幅を２０ｍｍとした粘着テープを、それぞれ、表面を＃２０００研磨した直径６インチ、厚さ５００μｍのシリコンウエハの前記表面に、貼付し、次いで、２３℃・１時間の条件で保持した後に、紫外線照度：５５Ｗ／ｃｍ^２、紫外線照射量：２００ｍｊ／ｃｍ^２の条件で粘着層２に紫外線を照射するエネルギーの付与後において、ＪＩＳ Ｇ ３４６９に準拠して、２３℃の環境下で、粘着テープの一端を持ち、３０°の方向にて３００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度Ａ（ピール強度Ａ）を、剥離解析装置（協和界面科学社製、「ＶＰＡ－Ｈ１００」）を用いて測定した。

また、各実施例および各比較例の粘着テープについて、それぞれ、紫外線照度：５５Ｗ／ｃｍ^２、紫外線照射量：２００ｍｊ／ｃｍ^２の条件で粘着層２に紫外線を照射するエネルギーの付与後において、２３℃の環境下で、粘着テープの一端を持ち、１８０°の方向にて３００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度Ｃ（ピール強度Ｃ）を、前記剥離解析装置を用いて測定した。

そして、測定された引き剥がし強度Ａおよび引き剥がし強度Ｃに基づいて、これらの差の絶対値の関係を示す関係式｜Ａ－Ｃ｜を求めた。

３－３．シリコンチップのピックアップ性および隣接するチップの剥離性の評価
＜１＞シリコンで構成されるシリコンウエハ（ＳＵＭＣＯ社製）を用意し、常法により削りして厚さ２３０μｍのこのシリコンウエハを得た後、厚さ２００μｍに＃２０００番ホイールにて研削した後の研削面に、各実施例および各比較例の粘着テープ１００を、粘着層２をシリコンウエハ側にして固定した。その後、シリコンウエハを厚さ方向に基材４の途中に到達するまで切断して個片化することで縦６ｍｍ×横６ｍｍの大きさの複数のシリコンチップを得た。その後、粘着層２に紫外線照度：５５Ｗ／ｃｍ^２、紫外線照射量：２００ｍｊ／ｃｍ^２の条件で紫外線を照射することでエネルギーを付与して粘着層２を硬化させた。

＜２＞次いで、シリコンチップを、先端直径が１００μｍの４つのニードルを用いて、ニードルの突き上げ量５００［μｍ］として、突き上げた。

＜３＞次いで、ニードルによるシリコンチップの突き上げを維持した状態で、真空コレットによる吸着により、シリコンチップをピックアップした。

以上のような工程＜１＞～＜３＞を経ることで、吸着によるシリコンチップのピックアップを、各実施例および各比較例の粘着テープについて、それぞれ、５０個ずつ繰り返して実施した。

なお、工程＜２＞における、ニードルによるシリコンチップの突き上げの際に、ニードルを突き上げる突き上げ速度を、３００ｍｍ／分～１０００ｍｍ／分の間で５段階に変化させ、各段階の速度において、１０個ずつシリコンチップのピックアップを実施した。

そして、各実施例および各比較例の粘着テープについて、それぞれ得られたシリコンチップについて、シリコンチップの吸着によるピックアップの成否（ピックアップ性）と、ピックアップしたシリコンチップに隣接するシリコンチップにおける粘着テープの剥離の有無（隣接チップの剥離性）とを観察し、これらを、以下の基準にしたがって評価した。

（ピックアップ性評価）
◎：５０個のシリコンチップについて、ピックアップすることができた
〇：４８個以上５０個未満のシリコンチップについて、
ピックアップすることができた
△：４０個以上４８個未満のシリコンチップについて、
ピックアップすることができた
×：４０個未満のシリコンチップについて、
ピックアップすることができた

（隣接チップの剥離性評価）
◎：ピックアップした５０個のシリコンチップについて、
隣接するシリコンチップにおいて剥離が認められなかった
〇：ピックアップした５０個のシリコンチップについて、
隣接するシリコンチップにおいて問題となる剥離が認められなかったが、
その一部において、チップ端部における部分的な軽微な剥離が認められた
△：ピックアップした４５個以上５０個未満のシリコンチップについて、
隣接するシリコンチップにおいて剥離が認められなかった
×：ピックアップした４５個未満のシリコンチップについて、
隣接するシリコンチップにおいて剥離が認められなかった

表１に示したように、各実施例の粘着テープでは、粘着テープ１００をシリコンウエハから引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度Ｂ、Ｄの関係式｜Ｂ－Ｄ｜が０≦｜Ｂ－Ｄ｜＜１１０なる関係を満足しており、シリコンチップから粘着テープが剥離されるときのシリコンチップと粘着テープとがなす角度に変化が生じたとしても、シリコンチップから粘着テープを安定的に剥離させて、シリコンチップをピックアップすることができる結果を示した。

これに対して、各比較例の粘着テープでは、前記関係式｜Ｂ－Ｄ｜が０≦｜Ｂ－Ｄ｜＜１１０なる関係を満足しておらず、これに起因して、シリコンチップをピックアップする際に、シリコンチップから粘着テープを安定的に剥離させることができない結果を示した。

１ セパレーター
２ 粘着層
４ 基材
７ 半導体基板
９ ウエハリング
１０ 半導体装置
１７ モールド部
２０ 半導体チップ
２１ 端子
２３ 半導体チップ本体部
３０ インターポーザー
４１ 端子
７０ バンプ
８０ 封止層
８１ 接続部
８５ 半田バンプ
１００ 粘着テープ
１０１ 接合部
１０２ 剥離部
１２１ 外周部
１２２ 中心部
２００ ダイサーテーブル
３００ テーブル
３１０ 中心部
３２０ 外周部
４００ ステージ
４１０ エジェクターヘッド
４３０ ニードル

Claims (11)

1. 樹脂材料を含有する基材と、該基材の一方の面に積層された粘着層と、を備える積層体により構成され、基板および部品のうちの少なくとも一方を仮固定して用いられる粘着テープであって、
   前記粘着層は、粘着性を有するベース樹脂と、エネルギーの付与により硬化する硬化性樹脂とを含有し、前記エネルギーの付与により、前記粘着層上に積層された前記基板および部品に対する粘着力が低下するものであり、また、
   当該粘着テープは、表面を＃２０００研磨した、直径６インチ、厚さ５００μｍのシリコンウエハの前記表面に、幅２０ｍｍの当該粘着テープを貼付し、次いで、２３℃・１時間の条件で保持した後に、前記エネルギーの付与後において、２３℃の環境下で、当該粘着テープの一端を持ち、３０°の方向にて１０００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度をＢ［ｃＮ／２０ｍｍ］とし、１８０°の方向にて１０００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定される前記引き剥がし強度をＤ［ｃＮ／２０ｍｍ］としたとき、０≦｜Ｂ－Ｄ｜＜１１０なる関係を満足することを特徴とする粘着テープ。
2. ３０°の方向にて３００ｍｍ／分の速度で、当該粘着テープを引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度をＡ［ｃＮ／２０ｍｍ］とし、１８０°の方向にて３００ｍｍ／分の速度で、当該粘着テープを引き剥がしたときに測定される前記引き剥がし強度をＣ［ｃＮ／２０ｍｍ］としたとき、０≦｜Ａ－Ｃ｜＜６０なる関係を満足する請求項１に記載の粘着テープ。
3. 前記引き剥がし強度Ａは、６０ｃＮ／２０ｍｍ以上４００ｃＮ／２０ｍｍ以下である請求項２に記載の粘着テープ。
4. 前記粘着層は、前記エネルギーの付与後において、レオメーターを用いて、温度２３℃、歪量１ｍｒａｄ、周波数１Ｈｚで測定した複素粘度η^＊が１．０×１０^７ｍＰａ・ｓ以上６．０×１０^９ｍＰａ・ｓ以下である請求項１ないし３のいずれか１項に記載の粘着テープ。
5. 前記ベース樹脂は、アクリル系樹脂である請求項１ないし４のいずれか１項に記載の粘着テープ。
6. 前記硬化性樹脂は、ウレタンアクリレートおよびビスフェノールＡ系のエポキシアクリレートのうちの少なくとも１種である請求項１ないし５のいずれか１項に記載の粘着テープ。
7. 前記粘着層は、さらに、可塑剤を含有する請求項１ないし６のいずれか１項に記載の粘着テープ。
8. 当該粘着テープは、前記粘着層上に、前記基板を固定した状態で、前記基板から前記基材の厚さ方向の途中まで到達するように切断して、前記基板を個片化することで複数の前記部品を形成し、その後、当該粘着テープを面方向に伸長しつつ、前記部品を、前記基材側から突き上げた状態で、前記基材の反対側から引き抜くことで、前記粘着層から分離する際に用いられるものである請求項１ないし７のいずれか１項に記載の粘着テープ。
9. 前記粘着層は、その厚さが５μｍ以上５０μｍ以下である請求項１ないし８のいずれか１項に記載の粘着テープ。
10. 前記基材は、前記粘着層側と反対側の表面における表面抵抗率が１．０×１０^１３（Ω／□）以下である請求項１ないし９のいずれか１項に記載の粘着テープ。
11. 当該粘着テープを平面視で見たとき、前記基材と前記粘着層との界面に形成されている気泡は、面積が１００μｍ^２以上のものの数が、１５．０個／ｍｍ^２以下である請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の粘着テープ。

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