JP2022031711A5 - 表示装置、電子機器 - Google Patents

Claims (5)

1. 基板上の第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上の第１のトランジスタおよび第２のトランジスタを有する駆動回路と、を有し、
   前記第１のトランジスタは、
   第１のゲート電極層と、
   前記第１のゲート電極層上の第２の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上の、前記第１のゲート電極層と重なる領域を有する第１の酸化物半導体層と、
   前記第１の酸化物半導体層の上面と接する領域を有する第１の電極層と、
   前記第１の酸化物半導体層の上面と接する領域を有する第２の電極層と、を有し、
   前記第２のトランジスタは、
   第２のゲート電極層と、
   前記第２のゲート電極層上の前記第２の絶縁層と、
   前記第２の絶縁層上の、前記第２のゲート電極層と重なる領域を有する第２の酸化物半導体層と、
   前記第２の酸化物半導体層の上面と接する領域を有する第３の電極層と、
   前記第２の酸化物半導体層の上面と接する領域を有する前記第２の電極層と、を有し、
   前記第２の電極層は、前記第１のゲート電極層と導通し、
   前記第１のトランジスタのチャネル長方向は、第１の方向に沿う方向であり、
   前記第２のトランジスタのチャネル長方向は、前記第１の方向に沿う方向であり、
   前記第１の電極層は、前記第１の方向に延伸する領域を有し、
   前記第２の電極層は、前記第１の方向に延伸する領域を有する、表示装置。
2. 請求項１において、
   前記第３の電極層は、前記第１の方向に延伸する領域を有する、表示装置。
3. 請求項１または２において、
   前記第２のトランジスタのＬ／Ｗ比（Ｌはチャネル長、Ｗはチャネル幅）は、前記第１のトランジスタのＬ／Ｗ比よりも大きい、表示装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記第１のトランジスタおよび前記第２のトランジスタの各々は、ノーマリーオンである、表示装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一に記載の表示装置を有する電子機器。