JP2021500752A - 接続性を改善した多層電子デバイス、およびそれを作製する方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、2017年10月23日の出願日を有する米国仮特許出願第62/575,626号の出願利益を主張するものであり、これは、参照により全体として本明細書に組み込まれる。
本発明の一実施形態によれば、多層電子デバイスを作製する方法が開示されている。この方法は、支持材の層上にスクリーン印刷用マスクを配置するステップと、スクリーン印刷用マスクを用いて支持材の層上に導体パターンを印刷するステップと、を含むことができる。導体パターンは、中央拡大部分をそれぞれ含む複数の電極形状を含むことができる。方法は、複数の電極形状のうちの少なくとも1つが切断幅に沿って一対の電極に分割されるように、中央拡大部分に交差する複数の切断線に沿って支持材の層および導体パターンを切断するステップを含むことができる。切断幅は、切断線のうちの少なくとも1つに関連した切断精度を示すことができる。
当業者に向けられた本発明の最良の形態を含む本発明の十分かつ授権的な(enabling)開示は、本明細書に記載されており、この本明細書は、下記添付図面の参照を行う。
本説明は、例示的な実施形態の説明にすぎず、本発明のより幅広い態様を限定するものとして意図されておらず、そのより幅広い態様は例示的な構造に具体化されることを当業者により理解されたい。
Claims (18)
- 多層電子デバイスを作製する方法であって、
支持材の層上にスクリーン印刷用マスクを配置するステップと、
前記スクリーン印刷用マスクを用いて支持材の層上に、中央拡大部分をそれぞれ含む複数の電極形状を含む導体パターンを印刷するステップと、
前記複数の電極形状のうちの少なくとも1つが切断幅に沿って一対の電極に分割されるように、前記中央拡大部分に交差する複数の切断線に沿って前記支持材の層および導体パターンを切断するステップと、を含み、前記複数の電極形状のうちの前記少なくとも1つの前記切断幅は、前記切断線のうちの少なくとも1つに関連した切断精度を示す、方法。 - 前記導体パターンを印刷するステップは、前記スクリーン印刷用マスク内の複数の開口部を通じて電極材を施すことを含み、前記複数の開口部は、それぞれの中央拡大セクションを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記導体パターンを印刷するステップは、前記複数の電極形状が縦方向に延びるそれぞれの長さを有するように前記複数の電極形状を形成することを含み、
前記支持材の層および導体パターンを切断するステップは、前記縦方向に直交するほぼ横方向に延びる前記複数の切断線に沿って切断することを含む、
請求項1に記載の方法。 - 前記複数の電極形状のうちの前記少なくとも1つの前記切断幅を測定するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記複数の電極形状のうちの前記少なくとも1つの前記切断幅に基づいて前記切断精度を決定するステップをさらに含み、前記切断精度は、前記切断線のうちの前記少なくとも1つと所望の切断位置との間の縦オフセットである、請求項4に記載の方法。
- 前記切断精度を決定するステップは、前記切断線のうちの前記少なくとも1つと前記所望の切断位置との間の前記縦オフセットに前記切断幅を関係付ける幅プロファイルを参照することを含む、請求項5に記載の方法。
- 前記導体パターンを印刷するステップは、前記中央拡大部分が、縦方向に対して0度よりも大きくおよび90度よりも小さい角度で前記複数の電極形状のうちの前記少なくとも1つの中心線に向かって傾斜するそれぞれの縁部を含むように、前記複数の電極形状の前記中央拡大部分を形成することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記複数の切断線に沿って前記支持材の層を切断するステップは、前記中央拡大部分の横方向中心線にほぼ沿って前記複数の電極形状の前記少なくとも1つを切断することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記一対の電極の露出部分の全部未満で前記多層電子デバイスに非電導性コーティングを施すステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記一対の電極の一方に電気的に接続された第1の端子と、前記一対の電極の他方に電気的に接続された第2の端子とを形成するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 複数の層を備える多層電子デバイスであって、前記複数の層は複数の電極を備え、前記複数の電極のうちの少なくとも1つは、
縦方向に延び、前記縦方向に直交する横方向に主幅を有する主部分と、
前記主幅よりも大きい最大基部幅を有し、前記縦方向に幅プロファイルを有する基部部分と、を備え、前記幅プロファイルの少なくとも一部は、前記縦方向に対して0度よりも大きくおよび90度よりも小さい角度で傾斜している、多層電子デバイス。 - 前記幅プロファイルは、前記縦方向に平行に延びる平坦領域を含む、請求項11に記載の多層電子デバイス。
- 前記幅プロファイルの平坦領域は、前記最大基部幅を有し、前記複数の電極のうちの前記少なくとも1つの端部に隣接して位置する、請求項11に記載の多層電子デバイス。
- 平坦領域は、200μm未満である前記縦方向の長さを有する、請求項11に記載の多層電子デバイス。
- 平坦領域は前記縦方向に長さを有し、前記多層電子デバイスは前記縦方向に全長を有し、多層電子デバイスの前記全長の長さと前記平坦領域の長さとの比は、約5よりも大きい、請求項11に記載の多層電子デバイス。
- 前記基部部分は、約300μm未満である前記縦方向の長さを有する、請求項11に記載の多層電子デバイス。
- 前記多層電子デバイスは前記縦方向に全長を有し、前記基部部分は前記縦方向に長さを有し、多層電子デバイスの前記全長の長さと前記基部部分の長さとの比は、約5よりも大きい、請求項11に記載の多層電子デバイス。
- 傾斜している前記幅プロファイルの前記一部は、約200μm未満である前記縦方向の長さを有する、請求項11に記載の多層電子デバイス。
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JP2023551326A (ja) * | 2020-11-30 | 2023-12-07 | キョーセラ・エイブイエックス・コンポーネンツ・コーポレーション | 積層セラミックコンデンサ |
CN116130259B (zh) * | 2022-11-22 | 2024-09-27 | 广东风华特种元器件股份有限公司 | 一种多层陶瓷电容器的印刷丝网设备及其制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH043407A (ja) * | 1990-04-20 | 1992-01-08 | Nippon Steel Corp | 電子部品ならびにその製造方法 |
JPH06140277A (ja) * | 1992-10-23 | 1994-05-20 | Tokin Corp | 積層セラミックコンデンサ |
JPH09270360A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Hitachi Aic Inc | 積層セラミックコンデンサ |
US20120151763A1 (en) * | 2010-12-21 | 2012-06-21 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Method of manufacturing multilayer ceramic electronic component and multilayer ceramic electronic component using the same |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4831494A (en) | 1988-06-27 | 1989-05-16 | International Business Machines Corporation | Multilayer capacitor |
JP2534976B2 (ja) * | 1991-11-22 | 1996-09-18 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックチップの製造方法 |
JPH07201641A (ja) * | 1993-12-29 | 1995-08-04 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミック電子部品の製造方法 |
JPH09260207A (ja) * | 1996-03-22 | 1997-10-03 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層コンデンサの製造方法 |
US5880925A (en) | 1997-06-27 | 1999-03-09 | Avx Corporation | Surface mount multilayer capacitor |
DE69942902D1 (de) | 1998-03-31 | 2010-12-16 | Tdk Corp | Elektronisches Bauelement in Chipbauweise und Verfahren zu seiner Herstellung |
JP2000195754A (ja) | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Tdk Corp | 積層セラミックチップコンデンサアレイ及びその製造方法 |
US7576968B2 (en) | 2002-04-15 | 2009-08-18 | Avx Corporation | Plated terminations and method of forming using electrolytic plating |
US7177137B2 (en) | 2002-04-15 | 2007-02-13 | Avx Corporation | Plated terminations |
US7463474B2 (en) | 2002-04-15 | 2008-12-09 | Avx Corporation | System and method of plating ball grid array and isolation features for electronic components |
WO2004025673A1 (ja) * | 2002-09-10 | 2004-03-25 | Tdk Corporation | 積層コンデンサ |
JP2005285801A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-13 | Kyocera Corp | 積層型電子部品の製法 |
KR100587006B1 (ko) * | 2004-12-23 | 2006-06-08 | 삼성전기주식회사 | 적층형 칩 커패시터 및 그 제조 방법 |
US7329976B2 (en) * | 2005-04-27 | 2008-02-12 | Kyocera Corporation | Laminated electronic component |
US7414857B2 (en) | 2005-10-31 | 2008-08-19 | Avx Corporation | Multilayer ceramic capacitor with internal current cancellation and bottom terminals |
JP4385385B2 (ja) | 2006-12-14 | 2009-12-16 | Tdk株式会社 | 積層コンデンサ |
US20080165468A1 (en) * | 2007-01-05 | 2008-07-10 | Avx Corporation | Very low profile multilayer components |
CN101303935A (zh) * | 2007-01-05 | 2008-11-12 | 阿维科斯公司 | 多层电子器件及其制备方法、低电感可控esr多层电容 |
US8238116B2 (en) * | 2007-04-13 | 2012-08-07 | Avx Corporation | Land grid feedthrough low ESL technology |
JP2009200168A (ja) * | 2008-02-20 | 2009-09-03 | Tdk Corp | セラミック電子部品、セラミック電子部品の製造方法、及びセラミック電子部品の梱包方法 |
KR20090099275A (ko) * | 2008-03-17 | 2009-09-22 | 삼성전기주식회사 | 적층형 전자부품용 그린시트 및 이를 이용한 그린칩의제조방법 |
US8446705B2 (en) | 2008-08-18 | 2013-05-21 | Avx Corporation | Ultra broadband capacitor |
JP4835686B2 (ja) * | 2008-12-22 | 2011-12-14 | Tdk株式会社 | 積層コンデンサ |
US20100188799A1 (en) | 2009-01-28 | 2010-07-29 | Avx Corporation | Controlled esr low inductance capacitor |
JP5404312B2 (ja) * | 2009-07-29 | 2014-01-29 | 京セラ株式会社 | 電子装置 |
JP5062237B2 (ja) | 2009-11-05 | 2012-10-31 | Tdk株式会社 | 積層コンデンサ、その実装構造、及びその製造方法 |
JP5532027B2 (ja) * | 2010-09-28 | 2014-06-25 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品およびその製造方法 |
KR101843190B1 (ko) * | 2011-08-31 | 2018-03-28 | 삼성전기주식회사 | 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법 |
JP2013089870A (ja) * | 2011-10-20 | 2013-05-13 | Sony Corp | 静電容量素子の製造方法 |
KR101872524B1 (ko) * | 2011-11-14 | 2018-06-28 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 및 그 제조방법 |
KR101971912B1 (ko) * | 2012-03-05 | 2019-04-25 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 및 그 제조방법 |
KR101452070B1 (ko) * | 2012-12-20 | 2014-10-16 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조 방법 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH043407A (ja) * | 1990-04-20 | 1992-01-08 | Nippon Steel Corp | 電子部品ならびにその製造方法 |
JPH06140277A (ja) * | 1992-10-23 | 1994-05-20 | Tokin Corp | 積層セラミックコンデンサ |
JPH09270360A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Hitachi Aic Inc | 積層セラミックコンデンサ |
US20120151763A1 (en) * | 2010-12-21 | 2012-06-21 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Method of manufacturing multilayer ceramic electronic component and multilayer ceramic electronic component using the same |
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