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JP2021163791A - 光ファイバ増幅システムおよび光通信システム - Google Patents

光ファイバ増幅システムおよび光通信システム Download PDF

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JP2021163791A
JP2021163791A JP2020061523A JP2020061523A JP2021163791A JP 2021163791 A JP2021163791 A JP 2021163791A JP 2020061523 A JP2020061523 A JP 2020061523A JP 2020061523 A JP2020061523 A JP 2020061523A JP 2021163791 A JP2021163791 A JP 2021163791A
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繁弘 高坂
Shigehiro Kosaka
幸一 前田
Koichi Maeda
隆一 杉崎
Ryuichi Sugizaki
剛宏 釣谷
Takehiro Tsuritani
英憲 高橋
Hidenori Takahashi
逸郎 森田
Itsuro Morita
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Furukawa Electric Co Ltd
KDDI Corp
Original Assignee
Furukawa Electric Co Ltd
KDDI Corp
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Abstract

【課題】消費電力が削減された光ファイバ増幅システムを提供すること。【解決手段】光ファイバ増幅システムは、第1希土類元素を添加したコア部を備え、クラッド励起型の構造を有する第1光増幅ファイバと、第1光増幅ファイバのコア部に入力される第1信号光を受付ける第1入力部と、第1希土類元素を光励起する励起光を出力する励起光源と、第1光増幅ファイバに励起光を入力させる励起光結合器と、第1光増幅ファイバから出力された残留励起光を回収する残留励起光回収器と、を備える第1光ファイバ増幅器と、残留励起光で光励起される第2希土類元素を添加したコア部を備え、クラッド励起型の構造を有する第2光増幅ファイバと、第2光増幅ファイバのコア部に入力される第2信号光を受付ける第2入力部と、第2光増幅ファイバに、残留励起光回収器が回収した残留励起光を入力させる残留励起光結合器と、を備える第2光ファイバ増幅器と、を備える。【選択図】図1

Description

本発明は、光ファイバ増幅システムおよび光通信システムに関するものである。
例えば、海底光通信等の用途において、光増幅器としてマルチコアEDFA(Erbium-Doped optical Fiber Amplifier)を用いることによって、光増幅器の消費電力が削減されることが期待されている。
マルチコアEDFAについては、マルチコア光増幅ファイバとしてダブルクラッド型のマルチコアEDFを用いて、クラッド励起方式によってコア部に含まれる希土類元素であるエルビウム(Er)を光励起する構成が知られている(非特許文献1、2参照)。
Kazi S Abedin et al, "Multimode Erbium Doped Fiber Amplifiers for Space Division Multiplexing Systems", JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY,VOL.32,NO.16,AUGUST 15,2014 pp.2800-2808. Kazi S Abedin et al, "Cladding-pumped erbium-doped multicore fiber amplifier", OPTICS EXPRESS Vol.20,No.18 27 August 2012 pp.20191-20200.
通信トラフィックは常に増加しているので、通信容量の増量のためにも、マルチコア光ファイバ増幅器の特性にはさらに好適なものが求められている。たとえば、マルチコア光ファイバ増幅器の消費電力を削減できることが望まれている。また、マルチコア光ファイバ増幅器に限らず、シングルコア光増幅器においても、消費電力を削減できることが望ましい。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって消費電力が削減された光ファイバ増幅システムおよび光通信システムを提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の一態様は、第1希土類元素を添加したコア部を備え、クラッド励起型の構造を有する第1光増幅ファイバと、前記第1光増幅ファイバのコア部に入力される第1信号光を受付ける第1入力部と、前記第1希土類元素を光励起する励起光を出力する励起光源と、前記第1光増幅ファイバに前記励起光を入力させる励起光結合器と、前記第1光増幅ファイバから出力された、前記励起光の一部である残留励起光を回収する残留励起光回収器と、を備える第1光ファイバ増幅器と、前記残留励起光で光励起される第2希土類元素を添加したコア部を備え、クラッド励起型の構造を有する第2光増幅ファイバと、前記第2光増幅ファイバのコア部に入力される第2信号光を受付ける第2入力部と、前記第2光増幅ファイバに、前記残留励起光回収器が回収した前記残留励起光を入力させる残留励起光結合器と、を備える第2光ファイバ増幅器と、を備える光ファイバ増幅システムである。
前記励起光結合器、前記残留励起光回収器または前記残留励起光結合器は光ファイバ型結合器であるものでもよい。
前記光ファイバ型結合器は側方結合型結合器であるものでもよい。
前記励起光結合器、前記残留励起光回収器または前記残留励起光結合器は空間光学系型結合器であるものでもよい。
前記第1光ファイバ増幅器は、1525nm以上1580nm以下の波長帯のうち少なくとも連続した25nmの帯域幅を有する第1波長帯域に含まれる波長の前記第1信号光を光増幅するように構成されているものでもよい。
前記第2光ファイバ増幅器は、1565nm以上1625nm以下の波長帯のうち少なくとも連続した30nmの帯域幅を有する第2波長帯域に含まれる波長の前記第2信号光を光増幅するように構成されているものでもよい。
複数の前記第2光ファイバ増幅器を備え、前記残留励起光回収器は、前記複数の第2光ファイバ増幅器のそれぞれの前記残留励起光結合器に、回収した前記残留励起光を分配するものでもよい。
前記第1光ファイバ増幅器の前記第1信号光に対する利得と、前記第2光ファイバ増幅器の前記第2信号光に対する利得とが±1dBの範囲内であるものでもよい。
前記第1光増幅ファイバまたは前記第2光増幅ファイバは、複数の前記コア部を備えるものでもよい。
前記第2光増幅ファイバが備える前記コア部の数が、前記第1光増幅ファイバが備える前記コア部の数よりも少ないものでもよい。
前記第2光増幅ファイバが備える内側クラッド部のクラッド径が、前記第1光増幅ファイバが備える内側クラッド部のクラッド径よりも小さいものでもよい。
前記第1希土類元素および前記第2希土類元素の少なくとも一方はエルビウムを含むものでもよい。
前記第1希土類元素および前記第2希土類元素の少なくとも一方はイッテルビウムを含むものでもよい。
前記第1希土類元素および前記第2希土類元素の少なくとも一方はエルビウムおよびイッテルビウムを含むものでもよい。
前記残留励起光回収器と前記残留励起光結合器とが一体に構成されているものでもよい。
本発明の一態様は、前記光ファイバ増幅システムを備える光通信システムである。
本発明によれば、消費電力が削減された光ファイバ増幅システムを実現できる。
図1は、実施形態1に係る光ファイバ増幅システムの模式的な構成図である。 図2Aは、図1に示す光増幅ファイバの模式的な断面図である。 図2Bは、図1に示す励起光結合器の一例の模式的な構成図である。 図3は、実施形態2に係る光ファイバ増幅システムの模式的な構成図である。 図4は、実施形態3に係る光ファイバ増幅システムの模式的な構成図である。 図5は、実施形態4に係る光ファイバ増幅システムの模式的な構成図である。 図6は、実施形態5に係る光ファイバ増幅システムの模式的な構成図である。 図7は、実施形態6に係る光ファイバ増幅システムの模式的な構成図である。 図8は、実施形態7に係る光通信システムの構成を示す模式図である。
以下に、図面を参照して実施形態について説明する。なお、この実施形態によりこの発明が限定されるものではない。また、図面の記載において、同一または対応する要素には適宜同一の符号を付している。また、図面は模式的なものであり、各要素の寸法の関係、各要素の比率などは、現実と異なる場合があることに留意する必要がある。図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。また、本明細書において、特に定義しない用語については、ITU−T(国際電気通信連合)G.650.1およびG.650.2における定義、測定方法に適宜従うものとする。
(実施形態1)
図1は、実施形態1に係る光ファイバ増幅システムの構成を示す模式図である。光ファイバ増幅システム1000は、光増幅器100Aと、光増幅器100Bと、を備えている。
<第1光ファイバ増幅器の構成>
第1光ファイバ増幅器である光増幅器100Aは、7個の光アイソレータ1A、第1入力部である光ファイバファンイン(FAN IN)2A、励起光源である半導体レーザ3Aa、3Ab、励起光結合器4A、第1光増幅ファイバである光増幅ファイバ5A、残留励起光回収器6A、ポンプストリッパ7A、光ファイバファンアウト(FAN OUT)8A、および7個の光アイソレータ9A、を構成要素として備えている。
光増幅器100Aの各構成要素は、たとえば、1525nm以上1580nm以下の波長帯のうち少なくとも連続した25nmの帯域幅を有する第1波長帯域に含まれる波長の第1信号を所望の光増幅特性で光増幅するように構成されている。1525nm以上1580nm以下の波長帯は、Cバンド(たとえば1530nm〜1565nm)と呼ばれる波長帯域を含む。このような第1信号光は、たとえばWDM(Wavelength Division-Multiplexing)信号光でもよい。
まず、光増幅ファイバ5Aから説明する。図2Aは、光増幅ファイバの模式的な断面図である。光増幅ファイバ5Aは、三角格子状に配置された7個のコア部5Aaと、コア部5Aaの外周に形成されコア部5Aaよりも屈折率が低い内側クラッド部5Abとを備える。なお、内側クラッド部の外周には、形成され内側クラッド部よりも屈折率が低い外側クラッド部が形成されている。光増幅ファイバ5Aは、コア部5Aaに第1希土類元素であるエルビウム(Er)が添加されてErイオンを含む、公知の7コア型かつクラッド励起型の構造を有する光増幅ファイバである。7個のコア部5Aaは複数のコア部の一例である。
図1に戻って、光ファイバファンイン2Aは、7本のシングルモード光ファイバ2Aaと、7個のコア部を有する1本のマルチコアファイバ2Abと、本体部2Acとを備えている。光ファイバファンイン2Aは、本体部2Acにおいて、7本のシングルモード光ファイバ2Aaは束ねられ、各コア部がマルチコアファイバ2Abの各コア部に光学結合するように構成されている。光ファイバファンイン2Aは、7本のシングルモード光ファイバ2Aaのそれぞれに入力された第1信号光を受付ける。なお、7本のシングルモード光ファイバ2Aaは、たとえばITU−TG.652に定義される標準のシングルモード光ファイバであり、それぞれ光アイソレータ1Aが設けられている。
光アイソレータ1A、9Aは矢印が示す方向に光を通過させ、逆方向への光の通過を遮断する。光ファイバファンイン2Aのマルチコアファイバ2Abは励起光結合器4Aに接続されている。なお、束ねられた7本のシングルモード光ファイバ2Aaおよびマルチコアファイバ2Abの光学結合する端面は、反射抑制のため光軸に対して斜めに加工されているが、光軸に対して垂直であってもよい。なお、7個の光アイソレータ1A、9Aに換えて、複数(本実施形態では7本)のシングルモード光ファイバが集積された構成の光アイソレータを用いてもよい。
光ファイバファンイン2Aのマルチコアファイバ2Abは、三角格子状に配置された7個のコア部と、各コア部の外周に位置し、各コア部の最大屈折率よりも屈折率が低いクラッド部とを備えている。光ファイバファンイン2Aの各シングルモード光ファイバ2Aaに第1信号光を入力すると、各光アイソレータ1Aは各第1信号光を通過させ、マルチコアファイバ2Abの各コア部は各信号光を伝搬する。
半導体レーザ3Aa、3Abは、横マルチモード半導体レーザであり、励起光を出力する。励起光の波長は、たとえばErの900nm波長帯における吸収ピークの波長と略同一な976nmである。これにより、励起光はErイオンを光励起できる。半導体レーザ3Aa、3Abは、マルチモード光ファイバから励起光を出力する。このマルチモード光ファイバは、コア径/クラッド径が例えば105μm/125μmのステップインデックス型であり、NAが例えば0.16や0.22である。
励起光結合器4Aは、励起光供給用光ファイバ4Aa、4Abと、主光ファイバ4Ac、4Adと、本体部4Aeとを備えている。主光ファイバ4Ac、4Adは、光ファイバファンイン2Aのマルチコアファイバ2Abのコア部と同様に三角格子状に配置された7個のコア部と、内側クラッド部と、外側クラッド部とを備えるダブルクラッド型の光ファイバである。コア部と内側クラッド部とは石英系ガラスからなり、外側クラッド部は樹脂からなる。主光ファイバ4Ac、4Adは本体部4Aeにて互いに接続されている。
励起光供給用光ファイバ4Aa、4Abは、それぞれ、一端が半導体レーザ3Aa、3Abのそれぞれのマルチモード光ファイバと接続された同種のマルチモード光ファイバであり、コア径/クラッド径が例えば105μm/125μmのステップインデックス型であり、NAが例えば0.16や0.22である。励起光供給用光ファイバ4Aa、4Abは、励起光が半導体レーザ3Aa、3Abから入力され、この励起光を主光ファイバ4Adに供給する。主光ファイバ4Adの内側クラッド部は励起光を伝搬し、光増幅ファイバ5Aに励起光を入力させる。
励起光結合器4Aの主光ファイバ4Acは、一端が光ファイバファンイン2Aのマルチコアファイバ2Abに接続されている。マルチコアファイバ2Abの各コア部は主光ファイバ4Acの各コア部に接続されている。したがって、マルチコアファイバ2Abの各コア部を伝搬した各第1信号光は、主光ファイバ4Acに入力すると、各コア部に光学結合する。各コア部は各第1信号光を伝搬する。励起光と第1信号光とは、主光ファイバ4Adから光増幅ファイバ5Aへと出力される。
なお、励起光結合器4Aは、光ファイバ型結合器または空間光学系型結合器である。
励起光結合器4Aが光ファイバ型結合器の場合、励起光は、励起光供給用光ファイバ4Aa、4Abと主光ファイバ4Adとが本体部4Aeにて近接または接触して光学結合されていることによって主光ファイバ4Adに導光される。励起光結合器4Aが光ファイバ型結合器であって側方結合型結合器の場合を図2Bに示す。主光ファイバ4Adはコア部Ada、内側クラッド部4Adb、および外側クラッド部4Adcを備え、外側クラッド部4Adcの一部は除去されて内側クラッド部4Adbが露出している。励起光供給用光ファイバ4Aa、4Abは、図示するように先端に向かって外径が細くなるテーパ部を有してもよいが、有していなくてもよい。半導体レーザ3Aa、3Abからの励起光P01、P02は、励起光供給用光ファイバ4Aa、4Abの端部の所定長さの部分が本体部4Aeにて主光ファイバ4Adの露出した内側クラッド部4Adbに沿って延在することによって光学結合がなされ、内側クラッド部4Adbを励起光Pとして伝搬する。各第1信号は、マルチコアファイバ2Abと主光ファイバ4Acとが本体部4Aeにて近接または接触して光学結合されていることによって主光ファイバ4Acに導光される。なお、励起光供給用光ファイバ4Aa、4Abの平均屈折率(コア部とクラッド部との屈折率の平均)は主光ファイバ4Adの内側クラッド部4Adbの屈折率より大きいことが好ましい。たとえば、内側クラッド部4Adbに対する励起光供給用光ファイバ4Aa、4Abの平均屈折率の比屈折率差Δが0.1%以上であれば励起光の結合効率の観点から有効である。また、比屈折率差Δが4%以下であれば励起光供給用光ファイバ4Aa、4Abの製造上好ましい。
また、励起光結合器4Aが空間光学系型結合器の場合、励起光は、本体部4Aeにて励起光供給用光ファイバ4Aa、4Abと主光ファイバ4Adとの間に介在するレンズなどの空間光学系によって主光ファイバ4Adに導光される。各第1信号は、本体部4Aeにてマルチコアファイバ2Abと主光ファイバ4Acとの間に介在するレンズなどの空間光学系によって主光ファイバ4Acに導光される。
光増幅ファイバ5Aは、一端が励起光結合器4Aの主光ファイバ4Adに接続されている。光増幅ファイバ5Aの各コア部は主光ファイバ4Adの各コア部に接続されている。また、光増幅ファイバ5Aの内側クラッド部5Abは主光ファイバ4Adの内側クラッド部に接続されている。したがって、主光ファイバ4Adを伝搬した各第1信号光および励起光は、光増幅ファイバ5Aに入力すると、それぞれ各コア部5Aaと内側クラッド部5Abを同一方向に伝搬する。すなわち光増幅器100Aは前方励起型の光増幅器である。励起光は内側クラッド部5Abを伝搬しながら各コア部5Aa内のErイオンを光励起する。各コア部5Aaを伝搬する各第1信号光はErイオンの誘導放出の作用により光増幅される。光増幅ファイバ5Aは、光増幅された各第1信号光と、励起光の一部であり、光増幅に寄与しなかった残留励起光とを出力する。
光増幅ファイバ5Aの長さや各コア部5AaにおけるErの添加濃度などの特性は、第1信号光を適正に光増幅できるように設定されている。たとえば、光増幅ファイバ5Aは、光増幅帯における吸収スペクトルのピーク波長における吸収条長積が適正になるように設定されている。
残留励起光回収器6Aは、励起光回収用光ファイバ6Aa、6Abと、主光ファイバ6Ac、6Adと、本体部6Aeとを備えている。残留励起光回収器6Aは、本実施形態では励起光結合器4Aと同じ構成を有している。励起光回収用光ファイバ6Aa、6Ab、主光ファイバ6Ac、6Ad、本体部6Aeは、それぞれ励起光供給用光ファイバ4Aa、4Ab、主光ファイバ4Ac、4Ad、本体部4Aeに対応する構造を有する。残留励起光回収器6Aは、光ファイバ型結合器または空間光学系型結合器もよいし、側方結合型結合器でもよい。残留励起光回収器6Aが側方結合型結合器の場合は、図2Bに示すような構成を有してもよい。なお、励起光回収用光ファイバ6Aa、6Abの平均屈折率は主光ファイバ6Ac、6Adの内側クラッド部の屈折率より大きいことが好ましい。たとえば、内側クラッド部に対する励起光回収用光ファイバ6Aa、6Abの平均屈折率の比屈折率差Δが0.1%以上であれば励起光の回収効率の観点から有効である。また、比屈折率差Δが4%以下であれば励起光回収用光ファイバ6Aa、6Abの製造上好ましい。
残留励起光回収器6Aは、主光ファイバ6Adが光増幅ファイバ5Aに接続されている。主光ファイバ6Ac、6Adの各コア部は、光増幅ファイバ5Aの各コア部5Aaから出力された増幅された各第1信号光を伝搬させる。主光ファイバ6Ac、6Adの内側クラッド部は、光増幅ファイバ5Aから出力された残留励起光を伝搬する。残留励起光の一部は励起光回収用光ファイバ6Aa、6Abによって回収され、励起光回収用光ファイバ6Aa、6Abを残留励起光P1、P2として伝搬する。主光ファイバ6Acはポンプストリッパ7Aに接続されている。
ポンプストリッパ7Aは、残留励起光を排除する公知のデバイスである。ポンプストリッパ7Aは、残留励起光回収器6Aによって回収されなかった残留励起光を排除するために設けられている。ポンプストリッパ7Aは、例えば、7個のコアを有するダブルクラッド型マルチコアファイバの外側クラッドの一部が除去されており、除去された部分の内側クラッド部の表面から励起光を取り出して放熱板などに照射し、吸収させて励起光のエネルギーを熱エネルギーに変換して放熱する構成を有する。ポンプストリッパ7Aはマルチコアファイバによって各信号光を伝搬させるとともに、残留励起光を、光増幅器100Aから出力されても問題の無い程度のパワーまで低減させる。
光ファイバファンアウト8Aは、光ファイバファンイン2Aと同様に、7個のコア部を有する1本のマルチコアファイバ8Aaと、7本のシングルモード光ファイバ8Abと、本体部8Acとを備えている。光ファイバファンアウト8Aは、本体部8Acにおいて7本のシングルモード光ファイバ8Abの各コア部がマルチコアファイバ8Aaの各コア部に光学結合するように構成されている。各シングルモード光ファイバ8Abには、それぞれ光アイソレータ9Aが設けられている。マルチコアファイバ8Aaはポンプストリッパ7Aに接続されている。なお、本体部8Acにおいて束ねられた7本のシングルモード光ファイバ8Abおよびマルチコアファイバ8Aaの光学結合する端面は、反射抑制のため光軸に対して斜めに加工されているが、光軸に対して垂直であってもよい。
ポンプストリッパ7Aのマルチコアファイバの各コア部から光ファイバファンアウト8Aの各コア部に信号光が入力すると、各信号光は各シングルモード光ファイバ8Abの各コア部を伝搬し、光アイソレータ9Aを通って出力する。
<第2光ファイバ増幅器の構成>
第2光ファイバ増幅器である光増幅器100Bは、7個の光アイソレータ1B、第2入力部である光ファイバファンイン2B、残留励起光結合器4B、クラッド励起型の構造を有する第2光増幅ファイバである光増幅ファイバ5B、ポンプストリッパ7B、光ファイバファンアウト8B、および7個の光アイソレータ9B、を備えている。
光増幅器100Bの各構成要素は、光増幅器100Aにおける対応する構成要素と同様の構成を有する。すなわち、光アイソレータ1Bは光アイソレータ1Aと同様の構成を有する。光ファイバファンイン2Bは7本のシングルモード光ファイバ2Baと、7個のコア部を有する1本のマルチコアファイバ2Bbと、本体部2Bcとを備え、光ファイバファンイン2Aと同様の構成を有する。光増幅ファイバ5Bは光増幅ファイバ5Aと同様の構成を有する。ポンプストリッパ7Bはポンプストリッパ7Aと同様の構成を有する。光ファイバファンアウト8Bは7個のコア部を有する1本のマルチコアファイバ8Baと、7本のシングルモード光ファイバ8Bbと、本体部8Bcとを備え、光ファイバファンアウト8Aと同様の構成を有する。光アイソレータ9Bは光アイソレータ9Aと同様の構成を有する。したがって、これらの構成要素については、適宜説明を省略する。
なお、光増幅器100Bの各構成要素は、たとえば、1565nm以上1625nm以下の波長帯のうち少なくとも連続した30nmの帯域幅を有する第2波長帯域に含まれる波長の第2信号を所望の光増幅特性で光増幅するように構成されている。1565nm以上1625nm以下の波長帯は、Lバンド(たとえば1565nm〜1625nm)と呼ばれる波長帯域を含む。このような第2信号光は、たとえばWDM信号光でもよい。したがって、たとえば光増幅ファイバ5Bは、第2希土類元素としてErを含むが、光増幅ファイバ5AよりもErに関する吸収条長積が長くなるように設定されている。
光ファイバファンイン2Bは、光アイソレータ1Bを経由して入力された7つの第2信号光を受付け、残留励起光結合器4Bに出力する。
残留励起光結合器4Bは、残留励起光供給用光ファイバ4Ba、4Bbと、主光ファイバ4Bc、4Bdと、本体部4Beとを備えている。主光ファイバ4Bc、4Bdは、光ファイバファンイン2Bのマルチコアファイバ2Bbのコア部と同様に三角格子状に配置された7個のコア部と、内側クラッド部と、外側クラッド部とを備えるダブルクラッド型の光ファイバである。コア部と内側クラッド部とは石英系ガラスからなり、外側クラッド部は樹脂からなる。主光ファイバ4Bc、4Bdは本体部4Beにて互いに接続されている。
残留励起光供給用光ファイバ4Ba、4Bbは、それぞれ、一端が、光増幅器100Aの残留励起光回収器6Aの励起光回収用光ファイバ6Aa、6Abのそれぞれと接続された同種のマルチモード光ファイバであり、コア径/クラッド径が例えば105μm/125μmのステップインデックス型であり、NAが例えば0.16や0.22である。残留励起光供給用光ファイバ4Ba、4Bbは、残留励起光P1、P2がそれぞれ励起光回収用光ファイバ6Aa、6Abから入力され、残留励起光P1、P2を主光ファイバ4Bdに供給する。主光ファイバ4Bdの内側クラッド部は残留励起光P1、P2を伝搬し、光増幅ファイバ5Bに入力させる。
残留励起光結合器4Bの主光ファイバ4Bcは、一端が光ファイバファンイン2Bのマルチコアファイバ2Bbに接続されている。マルチコアファイバ2Bbの各コア部は主光ファイバ4Bcの各コア部に接続されている。したがって、マルチコアファイバ2Bbの各コア部を伝搬した各第2信号光は、主光ファイバ4Bcに入力すると、各コア部に光学結合する。各コア部は各第2信号光を伝搬する。第2信号光は、主光ファイバ4Bdから光増幅ファイバ5Bへと出力される。
なお、残留励起光結合器4Bは、励起光結合器4Aと同様に、光ファイバ型結合器または空間光学系型結合器でもよいし、側方結合型結合器でもよい。
光増幅ファイバ5Bは、一端が残留励起光結合器4Bの主光ファイバ4Bdに接続されている。光増幅ファイバ5Bの各コア部は主光ファイバ4Bdの各コア部に接続されている。また、光増幅ファイバ5Bの内側クラッド部は主光ファイバ4Bdの内側クラッド部に接続されている。したがって、主光ファイバ4Bdを伝搬した各信号光および励起光は、光増幅ファイバ5Bに入力すると、それぞれ各コア部と内側クラッド部とを同一方向に伝搬する。すなわち光増幅器100Bは前方励起型の光増幅器である。励起光は内側クラッド部を伝搬しながら各コア部内のErイオンを光励起する。各コア部を伝搬する各第2信号光はErイオンの誘導放出の作用により光増幅される。光増幅ファイバ5Bは、光増幅された各第2信号光と、光増幅に寄与しなかった残留励起光とを出力する。各第2信号はポンプストリッパ7B、光ファイバファンアウト8B、および光アイソレータ9Bを経由して光増幅器100Bから出力される。残留励起光はポンプストリッパ7Bによって排除される。
以上のように構成された光ファイバ増幅システム1000では、光増幅器100Aの残留励起光回収器6Aが、光増幅器100Aにおける残留励起光の一部を回収し、光増幅器100Bの残留励起光結合器4Bが、回収された残留励起光を光増幅ファイバ5Bに入力させ、光増幅ファイバ5Bが残留励起光を光増幅に利用するので、消費電力の削減が実現される。
また、光ファイバ増幅システム1000では、光増幅器100Aは第1信号光を光増幅し、光増幅器100Bは第2光信号を光増幅する。一般的に、第1信号光のように、1525nm以上1580nm以下の第1波長帯域に含まれる波長の信号光を適正に増幅するように構成された光増幅器は、1565nm以上1625nm以下の第2波長帯域に含まれる波長の信号光を適正に増幅するように構成された光増幅器よりも、光増幅ファイバから出力される残留励起光のパワーが比較的高く、たとえば2倍以上である。したがって、光ファイバ増幅システム1000では、比較的パワーの高い光増幅器100Aの残留励起光を回収して光増幅器100Bの光増幅に利用するので、消費電力の削減がより効果的に実現される。
また、光ファイバ増幅システム1000では、光増幅器100A、100Bはそれぞれ複数のコア部を含む光増幅ファイバ5A、5Bを備えているので、より空間密度の高い光増幅が実現される。
(実施例)
実施例として、図1に示す構成の光ファイバ増幅システムを作製した。そして、第1光ファイバ増幅器における光増幅ファイバの中心に位置するコア部に、Cバンドに含まれる波長であり、パワーが−5dBmの信号光を入力させて光増幅させた。なお、半導体レーザから第1光ファイバ増幅器に供給する励起光は、波長が976nmであり、パワーを34.8W(45.4dBm)または44.2W(46.5dBm)とした。これらの励起光パワーに設定した時の、第1光ファイバ増幅器における光増幅ファイバの中心に位置するコア部から出力された信号光のパワーは、それぞれ、15.9dBmと17.0dBmであった。
一方、第2光ファイバ増幅器には、Lバンドに含まれる1595nmの波長であり、パワーが−5dBmまたは0dBmである信号光を、第2光ファイバ増幅器における光増幅ファイバの中心に位置するコア部を含む3つのコア部に入力させて光増幅させた。なお、第2光ファイバ増幅器における光増幅ファイバは、増幅帯における吸収スペクトルのピーク波長における吸収条長積を、第1光ファイバ増幅器における光増幅ファイバよりも長くした。そして、第2光ファイバ増幅器の光増幅特性を測定した。
表1、表2は、第2光ファイバ増幅器の光増幅特性である出力(パワー)、Gain、NF(Noise Figure)を示す。表中、「1Core」は第2光ファイバ増幅器における光増幅ファイバの中心に位置するコア部に関する項目であり、「2Core」、「3Core」は中心以外に位置する2つのコア部のそれぞれに関する項目である。
表1に示すように、信号光のパワーが−5dBmの場合、いずれの励起光のパワーにおいても、各コア部において18dB程度以上のGainが得られ、コア部の間でのGain差も2dB以内であった。また、表2に示すように、信号光のパワーが0dBmの場合、いずれの励起光のパワーにおいても、各コア部において14dBm程度以上の出力が得られ、コア部の間での出力差も2dB以内であった。
Figure 2021163791
Figure 2021163791
(実施形態2)
図3は、実施形態2に係る光ファイバ増幅システムの構成を示す模式図である。光ファイバ増幅システム2000は、光増幅器100Aと、光増幅器200Bと、を備えている。
光増幅器100Aは、図1に示す光ファイバ増幅システム1000の光増幅器100Aと同じものなので、説明を省略する。
光増幅器200Bは、図1に示す光増幅器100Bにおいて、残留励起光結合器4Bとポンプストリッパ7Bとの位置を光増幅ファイバ5Bに対して入れ替えた構成を有する。
光増幅器200Bでは、光ファイバファンイン2Bが、光アイソレータ1Bを経由して入力された7つの第2信号光を受付け、ポンプストリッパ7Bを経由して光増幅ファイバ5Bに出力する。
残留励起光結合器4Bは、残留励起光供給用光ファイバ4Ba、4Bbに、残留励起光P1、P2がそれぞれ励起光回収用光ファイバ6Aa、6Abから入力され、残留励起光P1、P2を主光ファイバ4Bdに供給する。主光ファイバ4Bdの内側クラッド部は残留励起光P1、P2を伝搬し、光増幅ファイバ5Bに入力させる。
光増幅ファイバ5Bでは、残留励起光結合器4Bから入力された残留励起光P1、P2と、ポンプストリッパ7Bから入力された各第2信号光とは、反対方向に伝搬する。すなわち光増幅器200Bは後方励起型の光増幅器である。光増幅ファイバ5Bは、光増幅された各第2信号光を残留励起光結合器4Bに出力し、光増幅に寄与しなかった残留励起光をポンプストリッパ7Bに出力する。各第2信号は残留励起光結合器4B、光ファイバファンアウト8B、および光アイソレータ9Bを経由して光増幅器200Bから出力される。残留励起光はポンプストリッパ7Bによって排除される。
以上のように構成された光ファイバ増幅システム2000では、光ファイバ増幅システム1000と同様に、消費電力が削減された、より空間密度の高い光増幅が実現される。また、このように、光増幅器100Aの残留励起光回収器6Aで回収された残留励起光は、光増幅器200Bにて後方励起に用いてもよい。
(実施形態3)
図4は、実施形態3に係る光ファイバ増幅システムの構成を示す模式図である。光ファイバ増幅システム3000は、光増幅器100Aと、光増幅器300Bと、を備えている。
光増幅器100Aは、図1に示す光ファイバ増幅システム1000の光増幅器100Aと同じものなので、説明を省略する。
光増幅器300Bは、図1に示す光増幅器100Bにおいて、残留励起光結合器4Bをポンプストリッパ11Bと残留励起光結合器12Bとに置き換え、ポンプストリッパ7Bを残留励起光結合器13Bとポンプストリッパ14Bに置き換えた構成を有する。
光増幅器300Bでは、光ファイバファンイン2Bが、光アイソレータ1Bを経由して入力された7つの第2信号光を受付け、ポンプストリッパ11B、残留励起光結合器12Bを経由して光増幅ファイバ5Bに出力する。
ポンプストリッパ11B、14Bは、いずれもポンプストリッパ7Bと同様の構成を有する。
残留励起光結合器12Bは、残留励起光供給用光ファイバ12Baと、主光ファイバ12Bc、12Bdと、本体部12Beとを備えている。残留励起光結合器12Bは、残留励起光結合器4Bから残留励起光供給用光ファイバ4Bbを削除したような構成を有する。
残留励起光結合器12Bは、残留励起光供給用光ファイバ12Baに、残留励起光P1が励起光回収用光ファイバ6Aaから入力され、残留励起光P1を主光ファイバ12Bdに供給する。主光ファイバ12Bdの内側クラッド部は残留励起光P1を伝搬し、光増幅ファイバ5Bに入力させる。
残留励起光結合器13Bは、残留励起光供給用光ファイバ13Baと、主光ファイバ13Bc、13Bdと、本体部13Beとを備えている。残留励起光結合器13Bは、残留励起光結合器4Bから残留励起光供給用光ファイバ4Bbを削除したような構成を有する。
残留励起光結合器13Bは、残留励起光供給用光ファイバ13Baに、残留励起光P2が励起光回収用光ファイバ6Abから入力され、残留励起光P2を主光ファイバ13Bdに供給する。主光ファイバ13Bdの内側クラッド部は残留励起光P2を伝搬し、光増幅ファイバ5Bに入力させる。
光増幅ファイバ5Bでは、残留励起光結合器12Bから入力された残留励起光P1と各第2信号光とは同一方向に伝搬する。一方、残留励起光結合器13Bから入力された残留励起光P2と各第2信号光とは、反対方向に伝搬する。すなわち光増幅器300Bは双方向励起型の光増幅器である。光増幅ファイバ5Bは、光増幅された各第2信号光を残留励起光結合器13Bに出力し、光増幅に寄与しなかった残留励起光を残留励起光結合器12B、13Bに出力する。各第2信号は残留励起光結合器13B、ポンプストリッパ14B、光ファイバファンアウト8B、および光アイソレータ9Bを経由して光増幅器300Bから出力される。残留励起光は残留励起光結合器12B、13Bのそれぞれを経由してポンプストリッパ11B、14Bにそれぞれ到達し、排除される。
以上のように構成された光ファイバ増幅システム3000では、光ファイバ増幅システム1000と同様に、消費電力が削減された、より空間密度の高い光増幅が実現される。このように、光増幅器100Aの残留励起光回収器6Aで回収された残留励起光は、光増幅器300Bにて双方向励起に用いてもよい。
(実施形態4)
図5は、実施形態3に係る光ファイバ増幅システムの構成を示す模式図である。光ファイバ増幅システム4000は、光増幅器400Aと、光増幅器400Bと、を備えている。
<第1光ファイバ増幅器の構成>
第1光ファイバ増幅器である光増幅器400Aは、図1に示す光ファイバ増幅システム1000の光増幅器100Aに、残留励起光回収器21Aを追加した構成を有する。残留励起光回収器21Aは残留励起光回収器6Aとポンプストリッパ7Aとの間に設けられている。
残留励起光回収器21Aは、残留励起光回収用光ファイバ21Aa、21Abと、主光ファイバ21Ac、21Adと、本体部21Aeとを備えている。残留励起光回収器21Aの各構成要素は、残留励起光回収器6Aにおける対応する構成要素と同様の構成を有する。主光ファイバ21Acはポンプストリッパ7Aに接続されており、主光ファイバ21Adは残留励起光回収器6Aの主光ファイバ6Acに接続されている。
残留励起光回収器21Aは、残留励起光回収器6Aによって回収されなかった残留励起光の一部を、残留励起光回収用光ファイバ21Aa、21Abによって回収する。回収された残留励起光P3、P4は残留励起光回収用光ファイバ21Aa、21Abをそれぞれ伝搬する。また、残留励起光回収器21Aは、残留励起光回収器6Aから出力された、増幅された各第1信号光を伝搬して光ファイバファンアウト8Aに出力する。
<第2光ファイバ増幅器の構成>
第2光ファイバ増幅器である光増幅器400Bは、図4に示す光増幅器300Bの残留励起光結合器12Bを図1に示す残留励起光結合器4Bに置き換え、残留励起光結合器13Bを残留励起光結合器22Bに置き換えた構成を有する。
残留励起光結合器22Bは、残留励起光供給用光ファイバ22Ba、22Bbと、主光ファイバ22Bc、22Bdと、本体部22Beとを備えている。残留励起光結合器22Bは、図3に示す残留励起光結合器4Bと同様に構成され、配置されている。
残留励起光結合器4Bの残留励起光供給用光ファイバ4Ba、4Bbは、残留励起光P1、P2がそれぞれ励起光回収用光ファイバ6Aa、6Abから入力され、残留励起光P1、P2を光増幅ファイバ5Bに入力させる。一方、残留励起光結合器22Bの残留励起光供給用光ファイバ22Ba、22Bbは、残留励起光P3、P4がそれぞれ残留励起光回収用光ファイバ21Aa、21Abから入力され、残留励起光P3、P4を光増幅ファイバ5Bに入力させる。光増幅ファイバ5Bは、残留励起光P1、P2により前方励起され、残留励起光P3、P4により後方励起されることによって、双方向励起される。
以上のように構成された光ファイバ増幅システム4000では、カスケード接続された残留励起光回収器6A、21Aによって、より多くの残留励起光を回収し、光増幅器400Bの光増幅に利用するので、光ファイバ増幅システム1000と同様に、より空間密度の高い光増幅が実現されるとともに、さらなる消費電力の削減が実現される。
(実施形態5)
図6は、実施形態5に係る光ファイバ増幅システムの構成を示す模式図である。光ファイバ増幅システム5000は、光ファイバ増幅システム4000と同様に、光増幅器400Aと、光増幅器400Bと、を備えている。
ただし、光ファイバ増幅システム5000は、光ファイバ増幅システム4000とは異なり、残留励起光結合器4Bの残留励起光供給用光ファイバ4Ba、4Bbは、残留励起光P3、P4がそれぞれ残留励起光回収用光ファイバ21Aa、21Abから入力され、残留励起光P3、P4を光増幅ファイバ5Bに入力させる。一方、残留励起光結合器22Bの残留励起光供給用光ファイバ22Ba、22Bbは、残留励起光P1、P2がそれぞれ励起光回収用光ファイバ6Aa、6Abから入力され、残留励起光P1、P2を光増幅ファイバ5Bに入力させる。これにより、光増幅ファイバ5Bは、残留励起光P3、P4により前方励起され、残留励起光P1、P2により後方励起されることによって、双方向励起される。
以上のように構成された光ファイバ増幅システム5000では、光ファイバ増幅システム4000と同様に、より空間密度の高い光増幅が実現されるとともに、さらなる消費電力の削減が実現される。また、このように、光増幅器400Aの残留励起光回収器6A、21Aで回収された残留励起光は、どちらを光増幅器400Bの前方励起に用いてもよい。
(実施形態6)
図7は、実施形態5に係る光ファイバ増幅システムの構成を示す模式図である。光ファイバ増幅システム6000は、増幅器600Aと、増幅器600Bと、を備えている。
増幅器600Aは、図1に示す光増幅器100Aにおいて、残留励起光回収器6Aを残留励起光回収結合器31に置き換えた構成を有する。増幅器600Bは、図1に示す光増幅器100Bにおいて、残留励起光結合器4Bを残留励起光回収結合器31に置き換えた構成を有する。残留励起光回収結合器31は、後述するように残留励起光回収器と残留励起光結合器とが一体に構成されたものとして機能する。
残留励起光回収結合器31は、入出力光ファイバポート31a、31b、31c、31dと、本体部31eとを有する。入出力光ファイバポート31a、31bは一体の第1マルチコアファイバで構成されている。入出力光ファイバポート31c、31dは一体の第2マルチコアファイバで構成されている。第1および第2マルチコアファイバは、いずれも光ファイバファンイン2Aのマルチコアファイバ2Abと同様に三角格子状に配置された7個のコア部とクラッド部とを備えている。第1および第2マルチコアファイバは、本体部31eにおいて近接して配置され、方向性結合部を構成している。
入出力光ファイバポート31a、31bは、それぞれ、増幅器600Aにおける光増幅ファイバ5Aおよびポンプストリッパ7Aのそれぞれに接続されている。入出力光ファイバポート31c、31dは、それぞれ、増幅器600Bにおける光ファイバファンイン2Bのマルチコアファイバ2Bbおよび光増幅ファイバ5Bのそれぞれに接続されている。
この光ファイバ増幅システム6000では、光増幅ファイバ5Aから出力された残留励起光は、残留励起光回収結合器31の入出力光ファイバポート31aに入力すると、その一部が方向性結合部において第2マルチコアファイバに結合して入出力光ファイバポート31dから出力し、残部は入出力光ファイバポート31bから出力する。すなわち、光増幅ファイバ5Aから出力された残留励起光の一部は回収され、入出力光ファイバポート31dを残留励起光P5として伝搬する。このように残留励起光回収結合器31は残留励起光回収器として機能する。
なお、光増幅ファイバ5Aの各コア部5Aaから出力され、入出力光ファイバポート31aに入力された、増幅された各第1信号光は、各コア部を伝搬し、入出力光ファイバポート31bからポンプストリッパ7A、光ファイバファンアウト8A、光アイソレータ9Aを経由して増幅器600Aから出力される。入出力光ファイバポート31bから出力した残留励起光の残部はポンプストリッパ7Aにて排除される。
また、残留励起光回収結合器31は、残留励起光P5を入出力光ファイバポート31dから光増幅ファイバ5Bに入力させる。光増幅ファイバ5Bは、光アイソレータ1B、光ファイバファンイン2B、残留励起光回収結合器31を経由して入力された各第2信号光を、残留励起光P5の作用によって光増幅する。すなわち残留励起光回収結合器31は残留励起光結合器としても機能する。増幅された各第2信号光は、ポンプストリッパ7B、光ファイバファンアウト8B、光アイソレータ9Bを経由して増幅器600Bから出力される。光増幅ファイバ5Bから出力した残留励起光はポンプストリッパ7Bにて排除される。
以上のように構成された光ファイバ増幅システム6000では、光ファイバ増幅システム1000と同様に、消費電力が削減された、より空間密度の高い光増幅が実現される。また、残留励起光回収器と残留励起光結合器とが一体に構成されているので、部品点数が削減されるとともに、残留励起光回収器と残留励起光結合器との間の接続損失を低減できる、または、なくすることができる。
(実施形態8)
図8は、実施形態7に係る光通信システムの構成を示す模式図である。光通信システム10000は、光送信装置1010と、光受信装置1020と、実施形態1に係る光ファイバ増幅システム1000と、光伝送ファイバ1031、1032、1041、1042と、を備えている。光伝送ファイバ1031、1032、1041、1042はいずれも7個のコア部を備えるマルチコアファイバである。
光送信装置1010は、送信器1011、1012を備えている。送信器1011は、7つの第1信号光を送信する。送信器1012は、7つの第2信号光を送信する。
光伝送ファイバ1031は、送信器1011から出力された各第1信号光を各コア部で伝送し、ファイバ増幅システム1000の光増幅器100Aに入力させる。光伝送ファイバ1032は、送信器1012から出力された各第2信号光を各コア部で伝送し、光ファイバ増幅システム1000の光増幅器100Bに入力させる。
光増幅器100Aは、入力された7つの第1信号光を一括して光増幅し、光伝送ファイバ1041に出力する。光増幅器100Bは、入力された7つの第2信号光を一括して光増幅し、光伝送ファイバ1042に出力する。
光伝送ファイバ1041は、増幅された各第1信号光を伝送し、光受信装置1020に入力させる。光伝送ファイバ1042は、増幅された各第2信号光を伝送し、光受信装置1020に入力させる。
光受信装置1020は、受信器1021、1022を備えている。受信器1021は、光伝送ファイバ1041が伝送した、増幅された各第1信号光を受信し、電気信号に変換する。受信器1022は、光伝送ファイバ1042が伝送した、増幅された各第2信号光を受信し、電気信号に変換する。
光通信システム10000では、消費電力が削減された光ファイバ増幅システム1000を用いているので、消費電力が削減された光通信を実現できる。
光通信システム10000が長距離通信システムなどであれば、光ファイバ増幅システム1000をリピータアンプ、プリアンプ、またはブースターアンプとして利用できる。光通信システム10000がROADM(Reconfigurable Optical Add/Drop Multiplexer)を用いたネットワークシステムなどであれば、光ファイバ増幅システム1000を損失補償に利用できる。なお、光ファイバ増幅システム1000を光ファイバ増幅システム2000〜6000のいずれかに置き換えることもできる。
なお、上記実施形態では、光増幅ファイバのコア部は希土類元素としてErのみを含むが、Er以外の希土類元素、たとえばイッテルビウム(Yb)のみを含んでいてもよいし、Er、Ybの両方を含んでいてもよい。また、光増幅ファイバのコア部に含まれる希土類元素は、第1光ファイバ増幅器と第2光ファイバ増幅器とで異なっていてもよい。たとえば、第1光ファイバ増幅器では第1光増幅ファイバがコア部にErが含んでいてEDFを構成しており、第2光ファイバ増幅器では第2光増幅ファイバがコア部にErとYbとを含んでいてEYDFを構成してもよい。EYDFの方が少ない残留励起光をより効率的に使える場合があるので、残留励起光を利用する第2光増幅ファイバとして適する場合がある。
また、上記実施形態では、光増幅ファイバにおけるコア部は三角格子状に配置されているが、正方格子状に配置されていてもよい。光増幅ファイバにおけるコア部の数も特に限定されず、1個でも2個以上でもよい。
また、第1光増幅ファイバと第2光増幅ファイバとが含むコア部は、同数でなくてもよい。たとえば、第2光増幅ファイバが備えるコア部の数が、第1光増幅ファイバが備えるコア部の数よりも少なくてもよい。これにより、比較的少ない残留励起光に応じた数のコア部を光増幅できる。
また、第1光増幅ファイバと第2光増幅ファイバとで、内部クラッド部のクラッド径が同じでなくてもよい。たとえば、第2光増幅ファイバの内側クラッド部のクラッド径が、第2光増幅ファイバの内側クラッド部のクラッド径よりも小さくてもよい。これにより、比較的少ない残留励起光でも、第2光増幅ファイバにおける励起光の光パワー密度を高めることができる。
また、第2光ファイバ増幅器が第1信号光を光増幅するように設定され、第1光ファイバ増幅器が第2信号光を光増幅するように設定されてもよい。また、第1光ファイバ増幅器と第2光ファイバ増幅器の両方が、第1信号光を光増幅したり、または第2信号光を光増幅したりするように設定されてもよい。
また、第2光ファイバ増幅器が励起光源を備えていてもよい。
また、第1光ファイバ増幅器の第1信号光に対する利得と、第2光ファイバ増幅器の第2信号光に対する利得とが±1dBの範囲内であることが好ましい。
また、残留励起光回収器において、励起光回収用光ファイバは何本あってもよく、残留励起光結合器において残留励起光供給用光ファイバは何本あってもよい。
また、光増幅システムは、複数の第2光ファイバ増幅器を備え、第1光ファイバ増幅器の残留励起光回収器が、複数の第2光ファイバ増幅器のそれぞれの残留励起光結合器に、回収した残留励起光を分配してもよい。すなわち、たとえば実施形態1に係る光ファイバ増幅システム1000において、光増幅器100Bが2つあり、光増幅器100Aの残留励起光回収器6Aの励起光回収用光ファイバ6Aa、6Abのうち一方が、光増幅器100Bの一方における残留励起光結合器4Bの残留励起光供給用光ファイバ4Baに接続されており、他方が、光増幅器100Bの他方における残留励起光結合器4Bの残留励起光供給用光ファイバ4Baに接続されていてもよい。これにより、残留励起光P1を一方の残留励起光結合器4Bに、残留励起光P2を他方の残留励起光結合器4Bに分配できる。
また、上記実施形態により本発明が限定されるものではない。上述した各構成要素を適宜組み合わせて構成したものも本発明に含まれる。また、さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。よって、本発明のより広範な態様は、上記の実施形態に限定されるものではなく、様々な変更が可能である。
1A、1B、9A、9B 光アイソレータ
2A、2B 光ファイバファンイン
2Aa、2Ba、8Aa、8Ba シングルモード光ファイバ
2Ab、2Bb、8Ab、8Bb マルチコアファイバ
2Ac、2Bc、4Ae、4Be、6Ae、8Ac、8Bc、12Be、13Be、21Ae、22Be、31e 本体部
3Aa、3Ab 半導体レーザ
4A 励起光結合器
4Aa、4Ab 励起光供給用光ファイバ
4Ac、4Ad、4Bc、4Bd、6Ac、6Ad、12Bc、12Bd、13Bc、13Bd、21Ac、21Ad、22Bc、22Bd 主光ファイバ
4Ada、5Aa コア部
4Adb、5Ab 内側クラッド部
4Adc 外側クラッド部
4B、12B、13B、22B 残留励起光結合器
4Ba、4Bb、12Ba、13Ba、22Ba、22Bb 残留励起光供給用光ファイバ
5A、5B 光増幅ファイバ
6A、21A 残留励起光回収器
6Aa、6Ab、21Aa、21Ab 励起光回収用光ファイバ
7A、7B、11B、14B ポンプストリッパ
8A、8B 光ファイバファンアウト
31 残留励起光回収結合器
31a、31b、31c、31d 入出力光ファイバポート
100A、100B、200B、300B、400A、400B、600A、600B 光増幅器
1000、2000、3000、4000、5000、6000 光ファイバ増幅システム
1010 光送信装置
1011、1012 送信器
1020 光受信装置
1021、1022 受信器
1031、1032、1041、1042 光伝送ファイバ
10000 光通信システム
P、P01、P02 励起光
P1、P2、P3、P4、P5 残留励起光

Claims (16)

  1. 第1希土類元素を添加したコア部を備え、クラッド励起型の構造を有する第1光増幅ファイバと、
    前記第1光増幅ファイバのコア部に入力される第1信号光を受付ける第1入力部と、
    前記第1希土類元素を光励起する励起光を出力する励起光源と、
    前記第1光増幅ファイバに前記励起光を入力させる励起光結合器と、
    前記第1光増幅ファイバから出力された、前記励起光の一部である残留励起光を回収する残留励起光回収器と、
    を備える第1光ファイバ増幅器と、
    前記残留励起光で光励起される第2希土類元素を添加したコア部を備え、クラッド励起型の構造を有する第2光増幅ファイバと、
    前記第2光増幅ファイバのコア部に入力される第2信号光を受付ける第2入力部と、
    前記第2光増幅ファイバに、前記残留励起光回収器が回収した前記残留励起光を入力させる残留励起光結合器と、
    を備える第2光ファイバ増幅器と、
    を備える
    光ファイバ増幅システム。
  2. 前記励起光結合器、前記残留励起光回収器または前記残留励起光結合器は光ファイバ型結合器である
    請求項1に記載の光ファイバ増幅システム。
  3. 前記光ファイバ型結合器は側方結合型結合器である
    請求項2に記載の光ファイバ増幅システム。
  4. 前記励起光結合器、前記残留励起光回収器または前記残留励起光結合器は空間光学系型結合器である
    請求項1に記載の光ファイバ増幅システム。
  5. 前記第1光ファイバ増幅器は、1525nm以上1580nm以下の波長帯のうち少なくとも連続した25nmの帯域幅を有する第1波長帯域に含まれる波長の前記第1信号光を光増幅するように構成されている
    請求項1〜4のいずれか一つに記載の光ファイバ増幅システム。
  6. 前記第2光ファイバ増幅器は、1565nm以上1625nm以下の波長帯のうち少なくとも連続した30nmの帯域幅を有する第2波長帯域に含まれる波長の前記第2信号光を光増幅するように構成されている
    請求項1〜5のいずれか一つに記載の光ファイバ増幅システム。
  7. 複数の前記第2光ファイバ増幅器を備え、
    前記残留励起光回収器は、前記複数の第2光ファイバ増幅器のそれぞれの前記残留励起光結合器に、回収した前記残留励起光を分配する
    請求項1〜6のいずれか一つに記載の光ファイバ増幅システム。
  8. 前記第1光ファイバ増幅器の前記第1信号光に対する利得と、前記第2光ファイバ増幅器の前記第2信号光に対する利得とが±1dBの範囲内である
    請求項1〜7のいずれか一つに記載の光ファイバ増幅システム。
  9. 前記第1光増幅ファイバまたは前記第2光増幅ファイバは、複数の前記コア部を備える
    請求項1〜8のいずれか一つに記載の光ファイバ増幅システム。
  10. 前記第2光増幅ファイバが備える前記コア部の数が、前記第1光増幅ファイバが備える前記コア部の数よりも少ない
    請求項1〜9のいずれか一つに記載の光ファイバ増幅システム。
  11. 前記第2光増幅ファイバが備える内側クラッド部のクラッド径が、前記第1光増幅ファイバが備える内側クラッド部のクラッド径よりも小さい
    請求項1〜10のいずれか一つに記載の光ファイバ増幅システム。
  12. 前記第1希土類元素および前記第2希土類元素の少なくとも一方はエルビウムを含む
    請求項1〜11のいずれか一つに記載の光ファイバ増幅システム。
  13. 前記第1希土類元素および前記第2希土類元素の少なくとも一方はイッテルビウムを含む
    請求項1〜11のいずれか一つに記載の光ファイバ増幅システム。
  14. 前記第1希土類元素および前記第2希土類元素の少なくとも一方はエルビウムおよびイッテルビウムを含む
    請求項1〜11のいずれか一つに記載の光ファイバ増幅システム。
  15. 前記残留励起光回収器と前記残留励起光結合器とが一体に構成されている
    請求項1〜14のいずれか一つに記載の光ファイバ増幅システム。
  16. 請求項1〜15のいずれか一つに記載の光ファイバ増幅システムを備える
    光通信システム。
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