[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP2021034571A - キャリア板の除去方法 - Google Patents

キャリア板の除去方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2021034571A
JP2021034571A JP2019153397A JP2019153397A JP2021034571A JP 2021034571 A JP2021034571 A JP 2021034571A JP 2019153397 A JP2019153397 A JP 2019153397A JP 2019153397 A JP2019153397 A JP 2019153397A JP 2021034571 A JP2021034571 A JP 2021034571A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
carrier plate
work
outer peripheral
starting point
holding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2019153397A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7262903B2 (ja
Inventor
鈴木 克彦
Katsuhiko Suzuki
克彦 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2019153397A priority Critical patent/JP7262903B2/ja
Priority to KR1020200086675A priority patent/KR20210024960A/ko
Priority to SG10202007436PA priority patent/SG10202007436PA/en
Priority to CN202010841870.7A priority patent/CN112435951A/zh
Priority to US17/001,142 priority patent/US11222808B2/en
Priority to TW109128868A priority patent/TWI845749B/zh
Priority to DE102020210751.3A priority patent/DE102020210751B4/de
Publication of JP2021034571A publication Critical patent/JP2021034571A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7262903B2 publication Critical patent/JP7262903B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B43/00Operations specially adapted for layered products and not otherwise provided for, e.g. repairing; Apparatus therefor
    • B32B43/006Delaminating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/568Temporary substrate used as encapsulation process aid
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00Electrical equipment
    • B32B2457/14Semiconductor wafers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/12Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by using adhesives
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B38/10Removing layers, or parts of layers, mechanically or chemically
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/561Batch processing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386Separation by peeling
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1111Using solvent during delaminating [e.g., water dissolving adhesive at bonding face during delamination, etc.]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1121Using vibration during delaminating
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1126Using direct fluid current against work during delaminating
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1168Gripping and pulling work apart during delaminating
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1168Gripping and pulling work apart during delaminating
    • Y10T156/1179Gripping and pulling work apart during delaminating with poking during delaminating [e.g., jabbing, etc.]
    • Y10T156/1184Piercing layer during delaminating [e.g., cutting, etc.]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19Delaminating means
    • Y10T156/1922Vibrating delaminating means
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19Delaminating means
    • Y10T156/1928Differential fluid pressure delaminating means
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19Delaminating means
    • Y10T156/1928Differential fluid pressure delaminating means
    • Y10T156/1933Spraying delaminating means [e.g., atomizer, etc.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

【課題】ワークからキャリア板を容易に除去できるキャリア板の除去方法を提供する。【解決手段】キャリア板の表面に仮接着層を介してワークが設けられた円盤状の複合基板のワークからキャリア板を剥離して除去する際に用いられるキャリア板の除去方法であって、ワークの外周部、仮接着層の外周部、及びキャリア板の表面側の外周部を除去して、キャリア板の表面側に比べてキャリア板の裏面側が側方に突出した段差部を形成する段差部形成工程と、ワークからキャリア板を剥離する際の起点となる起点領域を形成する起点領域形成工程と、段差部と起点領域とを形成した後、ワークを上方から保持ユニットで保持する保持工程と、ワークを保持ユニットで保持した後、段差部に下向きの力を加えてキャリア板をワークから離れる方向に移動させることでワークからキャリア板を剥離して除去するキャリア板除去工程と、を含む。【選択図】図3

Description

本発明は、仮接着層を介してキャリア板の表面に設けられたワークからキャリア板を除去する際に用いられるキャリア板の除去方法に関する。
携帯電話機やパーソナルコンピュータに代表される電子機器では、電子回路等のデバイスを備えるデバイスチップが必須の構成要素になっている。デバイスチップは、例えば、シリコン等の半導体材料でなるウェーハの表面を分割予定ライン(ストリート)で複数の領域に区画し、各領域にデバイスを形成した後、この分割予定ラインに沿ってウェーハを分割することにより得られる。
上述のような方法で得られたデバイスチップは、例えば、CSP(Chip Size Package)用のマザー基板に固定され、ワイヤボンディング等の方法でこのマザー基板の端子等に電気的に接続された後に、モールド樹脂で封止される。このように、モールド樹脂によってデバイスチップを封止してパッケージデバイスを形成することで、衝撃、光、熱、水等の外的な要因からデバイスチップを保護できるようになる。
近年では、ウェーハレベルの再配線技術を用いてデバイスチップの領域外にパッケージ端子を形成するFOWLP(Fan-Out Wafer Level Package)と呼ばれるパッケージ技術が採用され始めている(例えば、特許文献1参照)。また、ウェーハよりサイズの大きいパネル(代表的には、液晶パネルの製造に用いられるガラス基板)のレベルでパッケージデバイスを一括して製造するFOPLP(Fan-Out Panel Level Packaging)と呼ばれるパッケージ技術も提案されている。
FOPLPでは、例えば、仮の基板となるキャリア板の表面に仮接着層を介して配線層(RDL:Redistribution Layer)を形成し、この配線層にデバイスチップを接合する。次に、デバイスチップをモールド樹脂で封止して、パッケージパネルを得る。その後、パッケージパネルを研削等の方法によって薄くした上で、このパッケージパネルを分割することにより、パッケージデバイスが完成する。
特開2016−201519号公報
上述したFOPLPでは、例えば、パッケージパネルをパッケージデバイスへと分割した後に、このパッケージデバイスからキャリア板が除去される。具体的には、キャリア板から各パッケージデバイスをピックアップする。ところが、パッケージデバイスのサイズが小さいと、このパッケージデバイスをキャリア板からピックアップするのは難しい。
一方で、パッケージパネルをパッケージデバイスへと分割する前に、パッケージパネルからキャリア板を剥離し、除去することも考えられる。しかしながら、仮接着層の接着力はある程度に強いので、パッケージパネルやキャリア板を損傷させることなくキャリア板をパッケージパネルから剥離するのが難しかった。
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、パッケージパネル等のワークからキャリア板を容易に除去できるキャリア板の除去方法を提供することである。
本発明の一態様によれば、キャリア板の表面に仮接着層を介してワークが設けられた円盤状の複合基板の該ワークから該キャリア板を剥離して除去する際に用いられるキャリア板の除去方法であって、該ワークの外周部、該仮接着層の外周部、及び該キャリア板の該表面側の外周部を除去して、該キャリア板の該表面側に比べて該キャリア板の裏面側が側方に突出した段差部を形成する段差部形成工程と、該ワークの該外周部に隣接する該ワークの一部の領域を除去して、該ワークから該キャリア板を剥離する際の起点となる起点領域を形成する起点領域形成工程と、該段差部と該起点領域とを形成した後、該キャリア板の上方に該ワークが位置付けられた状態で該ワークを上方から保持ユニットで保持する保持工程と、該ワークを該保持ユニットで保持した後、プッシュ部材で該段差部に下向きの力を加えて該キャリア板を該ワークから離れる方向に移動させることで該ワークから該キャリア板を剥離して除去するキャリア板除去工程と、を含むキャリア板の除去方法が提供される。
本発明の一態様において、該キャリア板除去工程では、該ワークと該キャリア板との間で露出する該仮接着層に流体を吹き付けた後に、又は該ワークと該キャリア板との間で露出する該仮接着層に流体を吹き付けながら、該段差部に下向きの力を加えて該ワークから該キャリア板を剥離して除去することがある。
また、本発明の一態様において、該キャリア板除去工程では、該ワークと該キャリア板とを液体に沈めた状態で、該段差部に下向きの力を加えても良い。また、該液体には、界面活性剤を含ませても良い。
また、本発明の一態様において、該キャリア板除去工程では、該ワークと該キャリア板とを該液体に沈めた状態で、該プッシュ部材に振動を付与しながら該段差部に下向きの力を加えても良い。
また、本発明の一態様において、該キャリア板除去工程では、該ワークと該キャリア板とを該液体に沈めた状態で、該液体に振動を付与しながら該段差部に下向きの力を加えても良い。
本発明の一態様にかかるキャリア板の除去方法では、ワークの外周部、仮接着層の外周部、及びキャリア板の表面側の外周部を除去して、キャリア板の表面側に比べてキャリア板の裏面側が側方に突出した段差部を形成し、また、ワークの外周部に隣接するワークの一部の領域を除去して、ワークからキャリア板を剥離する際の起点となる起点領域を形成する。よって、ワークを上方から保持ユニットで保持して、段差部に下向きの力を加えることで、この起点領域を起点にワークからキャリア板を容易に剥離して除去できる。また、段差部に加える下向きの力とともに、キャリア板に作用する重力を利用できるので、ワークからキャリア板を除去する際に大きな力を必要としない。
キャリア板とワークとを含む円盤状の複合基板の構成例を示す斜視図である。 図2(A)は、複合基板の構成例を示す断面図であり、図2(B)は、図2(A)の一部を拡大して示す断面図である。 図3(A)は、複合基板のキャリア板側が保持される様子を示す断面図であり、図3(B)は、キャリア板に段差部が形成される様子を示す断面図である。 図4(A)は、キャリア板の外周部の全体に段差部が形成された状態を示す平面図であり、図4(B)は、キャリア板の外周部の全体に段差部が形成された状態を示す断面図である。 ワークに起点領域が形成された状態を示す平面図である。 図6(A)は、ワークが上方から保持される様子を示す断面図であり、図6(B)は、段差部に下向きの力が加えられる様子を示す断面図であり、図6(C)は、ワークからキャリア板が剥離された状態を示す断面図である。 第1変形例にかかるキャリア板の除去方法で形成される起点領域を示す平面図である。 図8(A)は、第2変形例にかかるキャリア板の除去方法でワークからキャリア板が剥離される様子を示す断面図であり、図8(B)は、第3変形例にかかるキャリア板の除去方法でワークからキャリア板が剥離される様子を示す断面図である。
添付図面を参照して、本発明の一態様にかかる実施形態について説明する。図1は、本実施形態にかかるキャリア板の除去方法で使用される円盤状の複合基板1の構成例を示す斜視図であり、図2(A)は、複合基板1の構成例を示す断面図であり、図2(B)は、図2(A)の一部を拡大して示す断面図である。
複合基板1は、例えば、ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス等の絶縁体材料で形成されたキャリア板3を含んでいる。このキャリア板3は、概ね平坦な第1面(表面)3aと、第1面3aとは反対側の第2面(裏面)3bとを有し、第1面3a側又は第2面3b側から見た形状が円形の円盤状に構成されている。キャリア板3の厚みは、例えば、2mm以下、代表的には、1.1mmである。
なお、本実施形態では、ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス等の絶縁体材料でなるキャリア板3を用いるが、キャリア板3の材質、構造、大きさ等に特段の制限はない。例えば、半導体、セラミックス、樹脂、金属等の材料でなる板をキャリア板3として用いることもできる。
キャリア板3の第1面3a側には、仮接着層5を介してワーク7が設けられている。仮接着層5は、例えば、金属膜や絶縁体膜等を重ねることによって第1面3aの概ね全体に形成され、キャリア板3とワーク7とを接着する機能を持つ。また、仮接着層5は、接着剤として機能する樹脂膜等によって構成されることもある。
仮接着層5の厚みは、例えば、20μm以下、代表的には、5μmである。この仮接着層5は、キャリア板3とワーク7とを接着する中央部5aと、キャリア板3の外周縁の第1面3a側を被覆する外周部5bと、を含む。なお、仮接着層5の外周部5bは、キャリア板3に固着しており、容易には剥がれない。
ワーク7からキャリア板3を剥離して除去する際には、仮接着層5の中央部5aが、キャリア板3側に密着した第1部分5c(図6(C)参照)と、ワーク7側に密着した第2部分5d(図6(C)参照)と、に分離される。ワーク7からキャリア板3を剥離する前には、この中央部5aが適切に分離されるように、キャリア板3に固着している外周部5bを除去しておくことが望ましい。
ワーク7は、例えば、パッケージパネルやパッケージウェーハ等とも呼ばれ、仮接着層5の中央部5aに接する配線層(RDL)(不図示)と、配線層に接合された複数のデバイスチップ9と、各デバイスチップ9を封止するモールド樹脂層11と、を含む。このワーク7は、例えば、キャリア板3と同様の円盤状に構成されている。また、ワーク7の厚みは、例えば、1.5mm以下、代表的には、0.6mmである。
なお、ワーク7の第1面(表面)7a側(仮接着層5とは反対側)は、研削等の方法で加工されても良い。また、ワーク7内で隣接するデバイスチップ9の間の領域には、分割予定ラインが設定される。例えば、任意の分割予定ラインに沿ってワーク7を切断することで、ワーク7は、それぞれ1又は複数のデバイスチップ9を含む複数のワーク片に分割される。
そして、全ての分割予定ラインに沿ってワーク7(又はワーク片)を切断すれば、各デバイスチップ9に対応する複数のパッケージデバイスが得られる。ただし、ワーク7の材質、構造、大きさ等に特段の制限はない。例えば、ワーク7は、主に配線層で構成され、デバイスチップ9やモールド樹脂層11等を含まないこともある。
本実施形態にかかるキャリア板の除去方法では、まず、ワーク7の外周部及び仮接着層5の外周部5bとともに、キャリア板3の第1面3a側の外周部を除去して、キャリア板3の外周部に段差部を形成する(段差部形成工程)。図3(A)は、複合基板1のキャリア板3側が保持される様子を示す断面図であり、図3(B)は、キャリア板3に段差部が形成される様子を示す断面図である。
キャリア板3の外周部に段差部を形成する際には、図3(A)及び図3(B)に示す切削装置2が用いられる。切削装置2は、複合基板1を保持するためのチャックテーブル4を備えている。チャックテーブル4は、例えば、ステンレスに代表される金属材料でなる円筒状の枠体6と、多孔質材料でなり枠体6の上部に配置される保持板8とを含む。
保持板8の上面は、複合基板1のキャリア板3を吸引し、保持するための保持面8aとなっている。この保持板8の下面側は、枠体6の内部に設けられた流路6aやバルブ10等を介して吸引源12に接続されている。そのため、バルブ10を開けば、吸引源12の負圧を保持面8aに作用させることができる。
チャックテーブル4(枠体6)は、モータ等の回転駆動源(不図示)に連結されており、この回転駆動源が生じる力によって、上述した保持面8aに対して概ね垂直な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル4(枠体6)は、加工送り機構(不図示)によって支持されており、上述した保持面8aに対して概ね平行な加工送り方向に移動する。
図3(B)に示すように、チャックテーブル4の上方には、切削ユニット14が配置されている。切削ユニット14は、保持面8aに対して概ね平行な回転軸となるスピンドル16を備えている。スピンドル16の一端側には、結合剤に砥粒が分散されてなる環状の切削ブレード18が装着されている。
スピンドル16の他端側には、モータ等の回転駆動源(不図示)が連結されており、スピンドル16の一端側に装着された切削ブレード18は、この回転駆動源が生じる力によって回転する。切削ユニット14は、例えば、昇降機構(不図示)と割り出し送り機構(不図示)とによって支持されており、保持面8aに対して概ね垂直な鉛直方向と、鉛直方向及び加工送り方向に対して概ね垂直な割り出し送り方向とに移動する。
キャリア板3の外周部に段差部を形成する際には、まず、複合基板1のキャリア板3を保持してワーク7を上方に露出させる。すなわち、図3(A)に示すように、キャリア板3の第2面3bをチャックテーブル4の保持面8aに接触させた上で、バルブ10を開いて、吸引源12の負圧を保持面8aに作用させる。これにより、複合基板1のキャリア板3がチャックテーブル4によって保持され、ワーク7が上方に露出する。
次に、複合基板1の外周部に切削ブレード18を切り込ませて、ワーク7の外周部、仮接着層5の外周部5b、及びキャリア板3の第1面3a側の外周部を除去する。具体的には、図3(B)に示すように、チャックテーブル4と切削ユニット14との相対的な位置を調整し、回転させた切削ブレード18を複合基板1の外周部に切り込ませる。そして、チャックテーブル4を回転させる。
本実施形態では、切削ブレード18の下端が、キャリア板3の第1面3aより低く、第2面3bより高い位置に位置付けられるように、チャックテーブル4と切削ユニット14との相対的な位置を調整する。また、本実施形態では、チャックテーブル4の回転量を1周以上に設定する。
これにより、ワーク7の外周部、仮接着層5の外周部5b、及びキャリア板3の第1面3a側の外周部が、それぞれ複合基板1の全周に渡って除去される。そして、キャリア板3の外周部には、第1面3a側に比べて第2面3b側が側方(キャリア板3の径方向で外向き)に突出した階段状の段差部3c(図4(A)、図4(B)等参照)が形成される。
なお、本実施形態では、切削ブレード18を切り込ませる方法で、キャリア板3に段差部3cを形成したが、他の方法で段差部3cを形成しても良い。例えば、ワーク7に吸収される波長のレーザービームを用いるレーザーアブレーション加工によって、キャリア板3に段差部3cを形成することもできる。この場合には、切削装置2(切削ユニット14)の代わりに、キャリア板3等に吸収される波長のレーザービームを照射できるレーザー加工装置(レーザー加工ユニット)が使用される。
図4(A)は、キャリア板3の外周部の全体に段差部3cが形成された状態を示す平面図であり、図4(B)は、キャリア板3の外周部の全体に段差部3cが形成された状態を示す断面図である。なお、本実施形態では、キャリア板3の外周部の全体に段差部3cを形成しているが、本発明の段差部は、少なくともキャリア板の外周部の一部に形成されていれば良い。
この段差部3cの幅(キャリア板3と切削ブレード18との重なりの幅)は、例えば、ワーク7から切り出されるパッケージデバイス等に影響の出ない範囲内で任意に設定される。キャリア板3の除去し易さ等を考慮すると、段差部3cの幅は、例えば、0.2mm以上5mm以下に設定されることが好ましい。
キャリア板3の外周部に段差部3cを形成した後には、ワーク7の新たな外周縁に接する一部の領域(つまり、段差部3cを形成する際に除去されたワーク7の外周部に隣接するワーク7の一部の領域)を更に除去して、ワーク7からキャリア板3を剥離する際の起点となる起点領域を形成する(起点領域形成工程)。図5は、ワーク7に起点領域7bが形成された状態を示す平面図である。
ワーク7に起点領域7bを形成する際には、例えば、上述の切削装置2が用いられる。具体的には、まず、複合基板1のワーク7側が上方に露出するように、キャリア板3側をチャックテーブル4で保持する。そして、回転させた切削ブレード18をワーク7(及び仮接着層5)に切り込ませながら、チャックテーブル4と切削ユニット14とを相対的に移動させる。
これにより、ワーク7の一部の領域を更に除去して、ワーク7からキャリア板3を剥離する際の起点となる起点領域7bを形成できる。本実施形態では、図5に示すように、ワーク7の輪郭を構成する円の弦に相当する位置でワーク7を直線状に切断し、両端部に角のある起点領域7bを形成している。
この場合には、キャリア板3を剥離する際の力が起点領域7bの角に集中するので、ワーク7からキャリア板3を剥離し易くなる。つまり、起点領域7bを形成しない場合のように、キャリア板3を剥離する際の力がワーク7の曲線状(円弧状)の外周縁で分散されて適切に作用しなくなることがない。
なお、本実施形態では、ワーク7に切削ブレード18を切り込ませる方法で起点領域7bを形成しているが、他の方法で起点領域7bを形成しても良い。例えば、ワーク7に吸収される波長のレーザービームを用いるレーザーアブレーション加工によって起点領域7bを形成することもできる。
起点領域7bを形成した後には、複合基板1のワーク7を上方から保持する(保持工程)。図6(A)は、ワーク7が上方から保持される様子を示す断面図である。ワーク7を上方から保持する際には、図6(A)等に示す剥離装置22が用いられる。剥離装置22は、複合基板1のワーク7を上方から保持するための保持ユニット24を備えている。
保持ユニット24の下部には、ワーク7の第1面7aと同程度の大きさを持つ保持面24aが形成されている。この保持面24aには、流路(不図示)やバルブ(不図示)等を介して吸引源(不図示)が接続されている。そのため、バルブを開けば、保持面24aに吸引源の負圧が作用する。また、保持ユニット24は、昇降機構(不図示)によって支持されており、鉛直方向に移動する。
ワーク7を上方から保持する際には、図6(A)に示すように、例えば、キャリア板3の上方にワーク7が位置付けられた状態で、このワーク7の第1面7aに保持ユニット24の保持面24aを接触させる。そして、バルブを開いて、吸引源の負圧を保持面24aに作用させる。これにより、複合基板1のワーク7が上方から保持ユニット24によって保持される。
なお、本実施形態では、ワーク7の第1面7aを保持ユニット24の保持面24aに対して直に接触させているが、ワーク7の第1面7aと保持ユニット24の保持面24aとの間にポーラスシート等を介在させても良い。これにより、保持面24aとの接触に起因するワーク7の損傷や汚染等を防止できるようになる。
また、複合基板1には、起点領域7bを形成する際にワーク7から除去された端材が残留している。そのため、ワーク7を保持ユニット24で保持する際には、ワーク7の端材を除いた部分を保持すると良い。もちろん、端材を含むワーク7の全体を保持ユニット24で保持することもできる。
ワーク7を上方から保持した後には、段差部3cに下向きの力を加えることで、ワーク7からキャリア板3を剥離して除去する(キャリア板除去工程)。図6(B)は、段差部3cに下向きの力が加えられる様子を示す断面図であり、図6(C)は、ワーク7からキャリア板3が剥離された状態を示す断面図である。ワーク7からキャリア板3を剥離する際には、引き続き剥離装置22が用いられる。
図6(B)に示すように、保持ユニット24の側方には、この保持ユニット24によって保持される複合基板1の段差部3cに相当する位置に、棒状のプッシュ部材26が配置されている。プッシュ部材26は、例えば、保持ユニット24を移動させる昇降機構とは別の昇降機構(不図示)によって支持されており、保持ユニット24から独立して鉛直方向に移動する。
ワーク7からキャリア板3を除去する際には、まず、保持ユニット24とプッシュ部材26とをともに上方に移動させて、保持ユニット24に保持されている複合基板1を持ち上げる。すなわち、キャリア板3の第2面3b側を下方に露出させる。次に、保持ユニット24の位置を保ったままプッシュ部材26を下方に移動させ、このプッシュ部材26の下端を段差部3cに接触させる。すなわち、プッシュ部材26によってキャリア板3の段差部3cに下向きの力を加える。
上述のように、複合基板1のワーク7は、保持ユニット24によって上方から保持されている。そのため、プッシュ部材26でキャリア板3の段差部3cに下向きの力を加えると、キャリア板3は仮接着層5を境にワーク7から剥離し、落下する。すなわち、キャリア板3は、ワーク7から離れる方向に移動する。本実施形態では、段差部3cを形成する際に、キャリア板3に固着した仮接着層5の外周部5bを除去しているので、ワーク7からキャリア板3を容易に剥離して除去できる。
また、本実施形態では、角を持つ起点領域7bをワーク7に形成しているので、キャリア板3を剥離する際の力が起点領域7bの角に集中する。よって、ワーク7からキャリア板3を容易に剥離できる。なお、キャリア板3を剥離する際の力を起点領域7bの角により強く作用させるためには、段差部3cの起点領域7bに隣接する部分(径方向で起点領域7bの外側に位置する部分)にプッシュ部材26で下向きの力を加えると良い。これにより、ワーク7からキャリア板3をより容易に剥離できるようになる。
以上のように、本実施形態にかかるキャリア板の除去方法では、ワーク7の外周部、仮接着層5の外周部5b、及びキャリア板3の第1面(表面)3a側の外周部を除去して、キャリア板3の第1面3a側に比べてキャリア板3の第2面3b側が側方に突出した段差部3cを形成し、また、ワーク7の新たな外周縁に接する一部の領域(つまり、段差部3cを形成する際に除去されたワーク7の外周部に隣接するワーク7の一部の領域)を除去して、ワーク7からキャリア板3を剥離する際の起点となる起点領域7bを形成する。
よって、ワーク7を上方から保持ユニット24で保持して、段差部3cに下向きの力を加えることで、この起点領域7bを起点にワーク7からキャリア板3を容易に剥離して除去できる。また、段差部3cに加える下向きの力とともに、キャリア板3に作用する重力を利用できるので、ワーク7からキャリア板3を除去する際に大きな力を必要としない。
なお、本発明は、上述した実施形態の記載に制限されず種々変更して実施可能である。例えば、上述した実施形態では、キャリア板3の外周部に段差部3cを形成してから、ワーク7に起点領域7bを形成しているが、ワーク7に起点領域7bを形成してから、キャリア板3の外周部に段差部3cを形成することもできる。この場合には、段差部3cを形成する際に除去されることになるワーク7の外周部に隣接するワーク7の一部の領域を除去して、起点領域7bを形成する。
また、上述した実施形態では、ワーク7の輪郭を構成する円の弦に相当する位置でワーク7を直線状に切断し、角を持つ起点領域7bを形成しているが、本発明にかかる起点領域の形状等は、キャリア板を剥離する際の力が適切に作用する範囲内で変更できる。図7は、第1変形例にかかるキャリア板の除去方法で形成される起点領域7cを示す平面図である。
なお、第1変形例にかかるキャリア板の除去方法の手順等は、起点領域7cの形成にかかる手順等を除いて、上述した実施形態にかかるキャリア板の除去方法と同様である。よって、以下では、起点領域7cの形成にかかる手順等について主に説明し、他の手順等の詳細な説明を省略する。
図7に示す起点領域7cは、例えば、ワーク7に吸収される波長のレーザービームを用いるレーザーアブレーション加工によって形成される。すなわち、段差部3cを形成する際に除去されたワーク7の外周部(又は、段差部3cを形成する際に除去されることになるワーク7の外周部)に隣接するワーク7の一部の領域をワーク7から切断するように、ワーク7にレーザービームを照射する。
これにより、ワーク7の一部の領域を除去して、ワーク7からキャリア板3を剥離する際の起点となる起点領域7cを形成できる。第1変形例では、図7に示すように、半円状の領域がワーク7から除去されるようにワーク7を切断し、角を持つ起点領域7cを形成している。なお、この第1変形例では、レーザービームを用いるレーザーアブレーション加工によって起点領域7cを形成したが、他の方法で起点領域7cを形成しても良い。
その他にも、例えば、ワーク7の外周部に隣接するワーク7の一部の領域に溝を形成してこの領域を除去することにより、角を持つ起点領域を形成することができる。溝を形成する方法に特段の制限はないが、例えば、切削ブレードを切り込ませる方法や、ワーク7に吸収される波長のレーザービームを用いるレーザーアブレーション加工等を用いると良い。
また、上述した実施形態のプッシュ部材26は、保持ユニット24から独立して鉛直方向に移動できるように構成されているが、このプッシュ部材26は、少なくとも保持ユニット24に対して相対的に移動できれば良い。
そのため、例えば、プッシュ部材26を剥離装置22の筐体(不図示)等に固定し、保持ユニット24のみを移動させることで、保持ユニット24に対してプッシュ部材26を相対的に移動させても良い。また、上述した実施形態では、1個のプッシュ部材26を使用しているが、複数のプッシュ部材26を使用することもできる。
また、ワーク7からキャリア板3を剥離して除去する際に、キャリア板3とワーク7との間で露出する仮接着層5に流体を吹き付けることもできる。図8(A)は、第2変形例にかかるキャリア板の除去方法でワーク7からキャリア板3が剥離される様子を示す断面図である。
なお、第2変形例にかかるキャリア板の除去方法の多くの部分は、上述した実施形態にかかるキャリア板の除去方法と共通している。よって、以下では、主に相違点について説明し、共通する部分の詳細な説明を省略する。図8(A)に示すように、この第2変形例で使用される剥離装置22の保持ユニット24の側方には、ノズル32が配置されている。ノズル32には、流路(不図示)やバルブ(不図示)等を介して流体34の供給源(不図示)が接続されている。
このノズル32から、キャリア板3とワーク7との間で露出する仮接着層5に流体34を吹き付けた後に、又は、キャリア板3とワーク7との間で露出する仮接着層5に流体34を吹き付けながら、プッシュ部材26で段差部3cに下向きの力を加えることで、ワーク7からキャリア板3をより容易に剥離できる。キャリア板3とワーク7との間に吹き付ける流体34としては、例えば、エアーや水等を用いることができる。ただし、流体34の種類等に特段の制限はない。
また、ワーク7からキャリア板3を剥離して除去する際に、キャリア板3とワーク7とを液体に沈めても良い。図8(B)は、第3変形例にかかるキャリア板の除去方法でワーク7からキャリア板3が剥離される様子を示す断面図である。なお、第3変形例にかかるキャリア板の除去方法の多くの部分は、上述した実施形態にかかるキャリア板の除去方法と共通している。よって、以下では、主に相違点について説明し、共通する部分の詳細な説明を省略する。
図8(B)に示すように、この第3変形例で使用される剥離装置22の保持ユニット24の下方には、キャリア板3とワーク7とを収容できる大きさの槽42が配置されている。槽42内には、水等の液体44がためられる。
槽42内の液体44にキャリア板3とワーク7とを沈めた状態で、プッシュ部材26で段差部3cに下向きの力を加え、ワーク7からキャリア板3を剥離すると、ワーク7から剥離されたキャリア板3は液体44中を落下する。その結果、キャリア板3を空気中で落下させる場合に比べて落下に伴う衝撃が小さくなり、キャリア板3の破損や、剥離装置22の振動等を防止できる。
なお、この液体44には界面活性剤を含ませても良い。液体44に含ませる界面活性剤としては、仮接着層5に侵入し易いアニオン界面活性剤やカチオン界面活性剤等を用いることができる。このように、仮接着層5に侵入し易い界面活性剤を液体44に含ませることで、界面活性剤が侵入した領域から仮接着層5が分離し易くなって、ワーク7からキャリア板3をより容易に剥離できる。
また、第3変形例では、キャリア板3とワーク7とを液体44に沈めた後、プッシュ部材26で段差部3cに下向きの力を加える際に、このプッシュ部材26に超音波等の振動を付与しても良い。具体的には、超音波等の振動をプッシュ部材26に付与しながら、このプッシュ部材26で段差部3cに下向きの力を加える。この場合には、プッシュ部材26から伝わる振動の作用により、ワーク7からキャリア板3をより容易に剥離できるようになる。
同様に、キャリア板3とワーク7とを液体44に沈めた後、プッシュ部材26で段差部3cに下向きの力を加える際に、液体44に超音波等の振動を付与しても良い。具体的には、超音波等の振動を液体44に付与しながら、プッシュ部材26で段差部3cに下向きの力を加える。この場合には、液体44から伝わる振動の作用により、ワーク7からキャリア板3をより容易に剥離できるようになる。
また、第3変形例に対して、更に第2変形例を組み合わせても良い。すなわち、キャリア板3とワーク7とを液体44に沈める前、又は沈めた後に、キャリア板3とワーク7との間で露出する仮接着層5に流体を吹き付けることもできる。この場合にも、ワーク7からキャリア板3をより容易に剥離できる。
その他、上述した実施形態にかかる構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
1 :複合基板
3 :キャリア板
3a :第1面(表面)
3b :第2面(裏面)
3c :段差部
5 :仮接着層
5a :中央部
5b :外周部
5c :第1部分
5d :第2部分
7 :ワーク
7a :第1面(表面)
7b :起点領域
7c :起点領域
9 :デバイスチップ
11 :モールド樹脂層
2 :切削装置
4 :チャックテーブル
6 :枠体
6a :流路
8 :保持板
8a :保持面
10 :バルブ
12 :吸引源
14 :切削ユニット
16 :スピンドル
18 :切削ブレード
22 :剥離装置
24 :保持ユニット
24a :保持面
26 :プッシュ部材
32 :ノズル
34 :流体
42 :槽
44 :液体

Claims (6)

  1. キャリア板の表面に仮接着層を介してワークが設けられた円盤状の複合基板の該ワークから該キャリア板を剥離して除去する際に用いられるキャリア板の除去方法であって、
    該ワークの外周部、該仮接着層の外周部、及び該キャリア板の該表面側の外周部を除去して、該キャリア板の該表面側に比べて該キャリア板の裏面側が側方に突出した段差部を形成する段差部形成工程と、
    該ワークの該外周部に隣接する該ワークの一部の領域を除去して、該ワークから該キャリア板を剥離する際の起点となる起点領域を形成する起点領域形成工程と、
    該段差部と該起点領域とを形成した後、該キャリア板の上方に該ワークが位置付けられた状態で該ワークを上方から保持ユニットで保持する保持工程と、
    該ワークを該保持ユニットで保持した後、プッシュ部材で該段差部に下向きの力を加えて該キャリア板を該ワークから離れる方向に移動させることで該ワークから該キャリア板を剥離して除去するキャリア板除去工程と、を含むことを特徴とするキャリア板の除去方法。
  2. 該キャリア板除去工程では、該ワークと該キャリア板との間で露出する該仮接着層に流体を吹き付けた後に、又は該ワークと該キャリア板との間で露出する該仮接着層に流体を吹き付けながら、該段差部に下向きの力を加えて該ワークから該キャリア板を剥離して除去することを特徴とする請求項1に記載のキャリア板の除去方法。
  3. 該キャリア板除去工程では、該ワークと該キャリア板とを液体に沈めた状態で、該段差部に下向きの力を加えることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のキャリア板の除去方法。
  4. 該液体には、界面活性剤を含ませたことを特徴とする請求項3に記載のキャリア板の除去方法。
  5. 該キャリア板除去工程では、該ワークと該キャリア板とを該液体に沈めた状態で、該プッシュ部材に振動を付与しながら該段差部に下向きの力を加えることを特徴とする請求項3又は請求項4に記載のキャリア板の除去方法。
  6. 該キャリア板除去工程では、該ワークと該キャリア板とを該液体に沈めた状態で、該液体に振動を付与しながら該段差部に下向きの力を加えることを特徴とする請求項3又は請求項4に記載のキャリア板の除去方法。
JP2019153397A 2019-08-26 2019-08-26 キャリア板の除去方法 Active JP7262903B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019153397A JP7262903B2 (ja) 2019-08-26 2019-08-26 キャリア板の除去方法
KR1020200086675A KR20210024960A (ko) 2019-08-26 2020-07-14 캐리어판의 제거 방법
SG10202007436PA SG10202007436PA (en) 2019-08-26 2020-08-04 Method of removing carrier plate
CN202010841870.7A CN112435951A (zh) 2019-08-26 2020-08-20 载体板的去除方法
US17/001,142 US11222808B2 (en) 2019-08-26 2020-08-24 Method of removing carrier plate
TW109128868A TWI845749B (zh) 2019-08-26 2020-08-25 載板之除去方法
DE102020210751.3A DE102020210751B4 (de) 2019-08-26 2020-08-25 Verfahren zum entfernen einer trägerplatte

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019153397A JP7262903B2 (ja) 2019-08-26 2019-08-26 キャリア板の除去方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021034571A true JP2021034571A (ja) 2021-03-01
JP7262903B2 JP7262903B2 (ja) 2023-04-24

Family

ID=74564709

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019153397A Active JP7262903B2 (ja) 2019-08-26 2019-08-26 キャリア板の除去方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11222808B2 (ja)
JP (1) JP7262903B2 (ja)
KR (1) KR20210024960A (ja)
CN (1) CN112435951A (ja)
DE (1) DE102020210751B4 (ja)
SG (1) SG10202007436PA (ja)
TW (1) TWI845749B (ja)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003338475A (ja) * 2002-05-22 2003-11-28 Lintec Corp 脆質材料の加工方法
JP2010283097A (ja) * 2009-06-04 2010-12-16 Lintec Corp 両面接着シート
JP2012004522A (ja) * 2010-06-21 2012-01-05 Brewer Science Inc 逆に装着されたデバイスウェーハーをキャリヤー基板から分離する方法および装置
JP2013503366A (ja) * 2009-08-27 2013-01-31 コーニング インコーポレイテッド 超音波を利用した担体からのガラス基板の剥離
JP2013089922A (ja) * 2011-10-21 2013-05-13 Tokyo Electron Ltd 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2013229610A (ja) * 2010-04-23 2013-11-07 Ev Group Gmbh キャリア基板から製品基板を分離する装置および方法
JP2017094484A (ja) * 2015-10-22 2017-06-01 浙江中▲納▼晶微▲電▼子科技有限公司Zhejiang Microtech Material Co., Ltd. ワークピースの加工手順およびその手順を実施するための剥離装置
WO2019124031A1 (ja) * 2017-12-19 2019-06-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0165467B1 (ko) * 1995-10-31 1999-02-01 김광호 웨이퍼 디본더 및 이를 이용한 웨이퍼 디본딩법
US6066229A (en) * 1997-07-10 2000-05-23 Sony Corporation Method of recycling disk recording medium and apparatus for recovering metal reflective film
JP2000223683A (ja) * 1999-02-02 2000-08-11 Canon Inc 複合部材及びその分離方法、貼り合わせ基板及びその分離方法、移設層の移設方法、並びにsoi基板の製造方法
TW558743B (en) * 2001-08-22 2003-10-21 Semiconductor Energy Lab Peeling method and method of manufacturing semiconductor device
US8950459B2 (en) * 2009-04-16 2015-02-10 Suss Microtec Lithography Gmbh Debonding temporarily bonded semiconductor wafers
KR102437483B1 (ko) * 2013-08-30 2022-08-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 적층의 가공 장치 및 가공 방법
WO2015170210A1 (en) * 2014-05-03 2015-11-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Separation apparatus for thin film stacked body
KR102305505B1 (ko) * 2014-09-29 2021-09-24 삼성전자주식회사 웨이퍼 서포팅 시스템 디본딩 이니시에이터 및 웨이퍼 서포팅 시스템 디본딩 방법
WO2016104122A1 (ja) * 2014-12-26 2016-06-30 旭硝子株式会社 積層体の剥離開始部作成方法、及び剥離開始部作成装置並びに電子デバイスの製造方法
JP6529321B2 (ja) 2015-04-14 2019-06-12 株式会社ディスコ デバイスパッケージの製造方法
US10155369B2 (en) * 2016-11-29 2018-12-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer debonding system and method
JP2018092963A (ja) * 2016-11-30 2018-06-14 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
US10211077B2 (en) * 2017-03-17 2019-02-19 Didrew Technology (Bvi) Limited Method for debonding temporarily adhesive-bonded carrier-workpiece pair by using high pressure solvent
JP7187112B2 (ja) * 2018-08-13 2022-12-12 株式会社ディスコ キャリア板の除去方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003338475A (ja) * 2002-05-22 2003-11-28 Lintec Corp 脆質材料の加工方法
JP2010283097A (ja) * 2009-06-04 2010-12-16 Lintec Corp 両面接着シート
JP2013503366A (ja) * 2009-08-27 2013-01-31 コーニング インコーポレイテッド 超音波を利用した担体からのガラス基板の剥離
JP2013229610A (ja) * 2010-04-23 2013-11-07 Ev Group Gmbh キャリア基板から製品基板を分離する装置および方法
JP2012004522A (ja) * 2010-06-21 2012-01-05 Brewer Science Inc 逆に装着されたデバイスウェーハーをキャリヤー基板から分離する方法および装置
JP2013089922A (ja) * 2011-10-21 2013-05-13 Tokyo Electron Ltd 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2017094484A (ja) * 2015-10-22 2017-06-01 浙江中▲納▼晶微▲電▼子科技有限公司Zhejiang Microtech Material Co., Ltd. ワークピースの加工手順およびその手順を実施するための剥離装置
WO2019124031A1 (ja) * 2017-12-19 2019-06-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体

Also Published As

Publication number Publication date
CN112435951A (zh) 2021-03-02
US11222808B2 (en) 2022-01-11
US20210066110A1 (en) 2021-03-04
SG10202007436PA (en) 2021-03-30
TWI845749B (zh) 2024-06-21
DE102020210751B4 (de) 2024-07-04
KR20210024960A (ko) 2021-03-08
TW202109641A (zh) 2021-03-01
DE102020210751A1 (de) 2021-03-04
JP7262903B2 (ja) 2023-04-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7187112B2 (ja) キャリア板の除去方法
KR102688210B1 (ko) 캐리어판의 제거 방법
JP7511980B2 (ja) キャリア板の除去方法
US11764066B2 (en) Peeling method for peeling off substrate from support plate
JP7262904B2 (ja) キャリア板の除去方法
JP7262903B2 (ja) キャリア板の除去方法
JP7511979B2 (ja) キャリア板の除去方法
JP2024117934A (ja) 積層体の加工方法及び積層体の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220617

TRDD Decision of grant or rejection written
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230410

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230411

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230411

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7262903

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150