JP2021082648A - 半導体装置の製造方法、並びにダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ユーザーにとって使い勝手が良く且つ半導体装置を効率的に製造するのに有用なダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを提供する。【解決手段】本開示の一側面に係るダイシング・ダイボンディング一体型フィルムは、基材層と、接着剤層と、基材層と接着剤層の間に配置されており活性エネルギー線の照射によって接着剤層に対する粘着力が予め低下している第１の領域を有する粘着剤層とを備え、温度２３℃において剥離角度３０°及び剥離速度６０ｍｍ／分の条件で測定される、接着剤層に対する第１の領域の粘着力が６．０Ｎ／２５ｍｍ以上１２．５Ｎ／２５ｍｍ以下である。【選択図】図１

Description

本開示は、半導体装置の製造方法、並びにダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びその製造方法に関する。

半導体装置は以下の工程を経て製造される。まず、ウェハにダイシング用粘着フィルムを貼り付けた状態でダイシング工程を実施する。その後、エキスパンド工程、ピックアップ工程及びダイボンディング工程等が実施される。

半導体装置の製造プロセスにおいて、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムと称されるフィルムが使用されている。このフィルムは、基材層と粘着剤層と接着剤層がこの順序で積層された構造を有し、例えば、次のように使用される。まず、ウェハに対して接着剤層側の面を貼り付けるとともにダイシングリングでウェハを固定した状態でウェハをダイシングする。これにより、ウェハが多数のチップに個片化される。続いて、粘着剤層に対して紫外線を照射することによって接着剤層に対する粘着剤層の粘着力を弱めた後、接着剤層が個片化されてなる接着剤片とともにチップを粘着剤層からピックアップする。その後、接着剤片を介してチップを基板等にマウントする工程を経て半導体装置が製造される。なお、ダイシング工程を経て得られるチップと、これに付着した接着剤片とからなる積層体は接着剤片付きチップと称される。

上述のように、紫外線の照射によって粘着力が弱まる粘着剤層（ダイシングフィルム）はＵＶ硬化型と称される。これに対し、半導体装置の製造プロセスにおいて紫外線が照射されることなく、粘着力が一定のままの粘着剤層は感圧型と称される。感圧型の粘着剤層を備えるダイシング・ダイボンディング一体型フィルムは、ユーザー（主に半導体装置メーカー）にとって、紫外線を照射する工程を実施する必要がなく、また、このための設備が不要であるというメリットがある。特許文献１は、粘着剤層が紫外線によって硬化する成分を含有する点でＵＶ硬化型であると言える一方、粘着剤層の所定の部分のみに予め紫外線が照射されており、ユーザーは半導体装置の製造プロセスにおいて紫外線を照射する必要がない点で感圧型であるとも言えるダイシング・ダイボンドフィルムを開示する。

特許第４４４３９６２号公報

ダイシング・ダイボンド一体型フィルムの粘着剤層は、ダイシング工程において接着剤層及びダイシングリングに対する高い粘着力が求められる。粘着剤層の粘着力が不十分であると、ダイシングブレードの高速回転に伴って接着剤層と粘着剤層の間で剥離が生じるとともに接着剤層が破断し、接着剤層の切れ端が飛散する現象が生じる。この現象は「ＤＡＦ飛び」と称される。なお、ＤＡＦはＤｉｅ ａｔｔａｃｈ ｆｉｌｍを意味する。あるいは、切削水の水流によってダイシングリングが粘着剤層から剥離する現象（以下、この現象を「リング剥がれ」という。）が生じる。また近年、ウェハ薄化に伴い冷却エキスパンドによってウェハ及び接着剤層を個片化するプロセスが増えている。冷却エキスパンド工程においても粘着剤層の粘着力が不十分であると、エキスパンド時の衝撃及び応力により、ＤＡＦの外周部が破断し、切れ端が飛散する現象（ＤＡＦ飛び）が生じたり、接着剤片付きチップの端部と粘着剤層との剥離（チップエッジ剥離）が生じ、その後の工程に不具合が発生する場合がある。

ところで、ダイシング・ダイボンド一体型フィルムのユーザーは、なるべく一定の条件で活性化エネルギー線（例えば紫外線）の照射を実施したいというニーズを有している。そのため、例えば、ダイシング・ダイボンド一体型フィルムの処方の変更に伴って粘着剤層の粘着力が変わったとしても、ユーザーに対して活性化エネルギー線の照射条件を柔軟に調整することを要求することは難しい状況にある。

本開示は、ユーザーにとって使い勝手が良く且つ半導体装置を効率的に製造するのに有用なダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びその製造方法を提供する。また、本開示は、上記ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを用いた半導体装置の製造方法を提供する。

本開示の一側面は、半導体装置の製造方法に関する。この製造方法は以下の工程を含む。
（Ａ）基材層、粘着剤層及び接着剤層がこの順序で積層されており、粘着剤層が活性エネルギー線の照射によって接着剤層に対する粘着力が予め低下している第１の領域を有するダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを準備する工程
（Ｂ）ウェハに対してステルスダイシング、又はブレードによるハーフカットをする工程
（Ｃ）接着剤層における、第１の領域に対応する領域にウェハを貼る工程
（Ｄ）基材層を冷却条件下においてエキスパンドすることによって、ウェハ及び接着剤層が個片化されてなる接着剤片付きチップを得る工程
（Ｅ）粘着剤層に活性化エネルギー線を照射することによって、接着剤片付きチップに対する粘着剤層の粘着力を低下させる工程
（Ｆ）基材層をエキスパンドした状態で接着剤片付きチップを前記粘着剤層からピックアップする工程
（Ｇ）接着剤片付きチップを、基板又は他のチップ上にマウントする工程
そして、（Ａ）工程におけるダイシング・ダイボンディング一体型フィルムは、温度２３℃において剥離角度３０°及び剥離速度６０ｍｍ／分の条件で測定される、接着剤層に対する第１の領域の粘着力が６．０Ｎ／２５ｍｍ以上１２．５Ｎ／２５ｍｍ以下である。

上記製造方法によれば、活性エネルギー線の照射（一回目の照射）によって接着剤層に対する粘着剤層の粘着力が予め調整されたダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを使用し且つ（Ｅ）工程における活性化エネルギー線の照射（二回目の照射）によって接着剤片付きチップに対する粘着剤層の粘着力を低下させる。このため、（Ｄ）工程におけるＤＡＦ飛び又はチップエッジ剥離の発生を十分に抑制でき、且つ（Ｆ）工程において優れたピックアップ性を達成できる。

（Ｄ）工程で得られる接着剤片付きチップは、比較的サイズの大きなものであってもよい。すなわち、上記接着剤片付きチップは、平面視において、正方形又は長方形の形状を有し且つ６．０ｍｍ以上の辺を有するものであってもよい。比較的サイズの大きい接着剤片付きチップは反りが生じやすく、これに起因して（Ｄ）工程において接着剤片付きチップが剥離し、（Ｆ）工程においてチップが割れたり、ピックアップ不良が発生しやすい。本開示に係る製造方法によれば、（Ｆ）工程におけるこれらの不具合を十分に抑制できる。

粘着剤層は、接着剤層に対する粘着力が第１の領域よりも大きい第２の領域を有してもよい。この場合、（Ｃ）工程と同時又は（Ｄ）工程の前において、第２の領域にダイシングリングを貼り付けることができる。

本開示の一側面に係るダイシング・ダイボンディング一体型フィルムは、基材層と、接着剤層と、基材層と接着剤層の間に配置されており活性エネルギー線の照射によって接着剤層に対する粘着力が予め低下している第１の領域を有する粘着剤層とを備え、温度２３℃において剥離角度３０°及び剥離速度６０ｍｍ／分の条件で測定される、接着剤層に対する第１の領域の粘着力が６．０Ｎ／２５ｍｍ以上１２．５Ｎ／２５ｍｍ以下である。

このダイシング・ダイボンディング一体型フィルムは、接着剤層に対する粘着剤の粘着力が活性エネルギー線の照射によって予め調整されている。例えば、ダイシング・ダイボンド一体型フィルムの処方の変更に伴って粘着剤層の粘着力が変わったとしても、当該フィルムのメーカーがその粘着力を予め調整してユーザーに提供することで、ユーザーは活性化エネルギー線の照射条件を変更することなく、従前の条件のまま半導体装置の製造を継続し得る。

上記ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムは、優れたピックアップ性の観点から、第１の領域に対して１５０ｍＪ／ｃｍ^２の量の紫外線が照射された後、温度２３℃において剥離角度３０°及び剥離速度６０ｍｍ／分の条件で測定される、接着剤層に対する当該第１の領域の粘着力が１．２Ｎ／２５ｍｍ以下であることが好ましい。上記ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムは、ウェハを面積３０〜２５０ｍｍ^２の複数のチップに個片化する工程を含む半導体装置製造プロセスに適用することができる。

本開示の一側面は上記ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの製造方法に関する。この製造方法の第１の態様は、基材層の表面上に、活性エネルギー線が照射されることによって粘着力が低下する組成物からなる粘着剤層と、粘着剤層の表面上に形成された接着剤層とを含む積層体を作製する工程と、積層体に含まれる粘着剤層の第１の領域となる領域に活性エネルギー線を照射する工程とをこの順序で含む。他方、この製造方法の第２の態様は、基材層の表面上に、活性エネルギー線が照射されることによって粘着力が低下する組成物からなる粘着剤層を形成する工程と、粘着剤層の第１の領域となる領域に活性エネルギー線を照射する工程と、活性エネルギー線を照射した後の前記粘着剤層の表面上に接着剤層を積層する工程とをこの順序で含む。

本開示によれば、ユーザーにとって使い勝手が良く且つ半導体装置を効率的に製造するのに有用なダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びその製造方法が提供される。また、本開示によれば、上記ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを用いた半導体装置の製造方法が提供される。

図１（ａ）はダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの一実施形態を示す平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）に示すＢ−Ｂ線に沿った模式断面図である。 図２はダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの粘着剤層の周縁部にダイシングリングが貼り付けられるとともに、接着剤層の表面にウェハが貼り付けられた状態を示す模式図である。 図３は接着剤層に対する粘着剤層の３０°ピール強度を測定している様子を模式的に示す断面図である。 図４は半導体装置の一実施形態の模式断面図である。 図５（ａ）及び図５（ｂ）は、接着剤片付きチップを製造する過程を模式的に示す断面図である。 図６（ａ）〜図６（ｃ）は、接着剤片付きチップを製造する過程を模式的に示す断面図である。 図７（ａ）及び図７（ｂ）は図４に示す半導体装置を製造する過程を模式的に示す断面図である。

以下、図面を参照しながら本開示の実施形態について詳細に説明する。以下の説明では、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。本明細書において、（メタ）アクリルとは、アクリル又はメタクリルを意味する。

＜ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム＞
図１（ａ）は、本実施形態に係るダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを示す平面図であり、図１（ｂ）は、図１のＢ−Ｂ線に沿った模式断面図である。ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１０（以下、場合により、単に「フィルム１０」という。）は、基材層１と、基材層１と対面する第１の面Ｆ１及びその反対側の第２の面Ｆ２を有する粘着剤層３と、粘着剤層３の第２の面Ｆ２の中央部を覆うように設けられた接着剤層５とをこの順序で備える。本実施形態においては、正方形の基材層１の上に、粘着剤層３及び接着剤層５の積層体が一つ形成された態様を例示したが、基材層１が所定の長さ（例えば、１００ｍ以上）を有し、その長手方向に並ぶように、粘着剤層３及び接着剤層５の積層体が所定の間隔で配置された態様であってもよい。

（粘着剤層）
粘着剤層３は、接着剤層５におけるウェハＷの貼付け位置に対応する領域Ｒｗを少なくとも含む第１の領域３ａと、第１の領域３ａを囲むように位置する第２の領域３ｂとを有する。図１（ａ）及び図１（ｂ）における破線は第１の領域３ａと第２の領域３ｂの境界を示す。第１の領域３ａ及び第２の領域３ｂは、活性エネルギー線の照射前において同一の組成物からなる。第１の領域３ａは、紫外線等の活性エネルギー線が照射されることによって、第２の領域３ｂと比較して粘着力が低下した状態の領域である。第２の領域３ｂはダイシングリングＤＲが貼り付けられる領域である（図２参照）。第２の領域３ｂは活性エネルギー線が照射されていない領域であり、ダイシングリングＤＲに対する高い粘着力を有する。

接着剤層５に対する第１の領域３ａの粘着力は６．０Ｎ／２５ｍｍ以上１２．５Ｎ／２５ｍｍ以下である。この粘着力は、温度２３℃において剥離角度３０°及び剥離速度６０ｍｍ／分の条件で測定される３０°ピール強度である。図３は支持板８０に測定試料（幅２５ｍｍ×長さ１００ｍｍ）の接着剤層５を固定した状態で、粘着剤層３の３０°ピール強度を測定している様子を模式的に示す断面図である。接着剤層５に対する第１の領域３ａの粘着力（３０°ピール強度）を上記範囲とすることで、冷却エキスパンド時におけるＤＡＦ飛び又はチップエッジ剥離を十分に抑制できる。これにより、十分に高い歩留まりで半導体装置を製造することが可能となる。この粘着力の下限値は６．５Ｎ／２５ｍｍ又は７．０Ｎ／２５ｍｍであってもよく、上限値は１１．５Ｎ／２５ｍｍ又は１０．５Ｎ／２５ｍｍであってもよい。

接着剤層５に対する第１の領域３ａの粘着力は、第１の領域３ａに対して１５０ｍＪ／ｃｍ^２の量の紫外線（主波長：３６５ｎｍ）が照射された後において、１．２Ｎ／２５ｍｍ以下であることが好ましく、０．４Ｎ／２５ｍｍ以上１．２Ｎ／２５ｍｍ以下又は０．５Ｎ／２５ｍｍ以上１．１Ｎ／２５ｍｍ以下であってもよい。かかる粘着剤層３を備えるフィルム１０によれば、優れたピックアップ性を達成できる。なお、この粘着力は、上記と同様、温度２３℃において剥離角度３０°及び剥離速度６０ｍｍ／分の条件で測定される３０°ピール強度である（図３参照）。

第２の領域３ｂのステンレス基板に対する粘着力は０．２Ｎ／２５ｍｍ以上であることが好ましい。この粘着力は、温度２３℃において剥離角度９０°及び剥離速度５０ｍｍ／分の条件で測定される９０°ピール強度である。この粘着力が０．２Ｎ／２５ｍｍ以上であることで、ダイシング時におけるリング剥がれを十分に抑制することができる。この粘着力の下限値は０．３Ｎ／２５ｍｍ又は０．４Ｎ／２５ｍｍであってもよく、上限値は、例えば、２．０Ｎ／２５ｍｍであり、１．０Ｎ／２５ｍｍであってもよい。

活性エネルギー線照射前の粘着剤層は、例えば、（メタ）アクリル系樹脂と、光重合開始剤と、架橋剤とを含む粘着剤組成物からなる。活性エネルギー線が照射されない第２の領域３ｂは活性エネルギー線照射前の粘着剤層と同じ組成からなる。以下、粘着剤組成物の含有成分について詳細に説明する。

［（メタ）アクリル系樹脂］
粘着剤組成物は、連鎖重合可能な官能基を有する（メタ）アクリル系樹脂を含み、官能基がアクリロイル基及びメタクリロイル基から選ばれる少なくとも一種であることが好ましい。活性エネルギー線照射前の粘着剤層における上記官能基の含有量は、例えば、０．１〜１．２ｍｍｏｌ／ｇであり、０．３〜１．０ｍｍｏｌ／ｇ又は０．５〜０．８ｍｍｏｌ／ｇであってもよい。上記官能基の含有量が０．１ｍｍｏｌ／ｇ以上であることで、活性エネルギー線の照射によって粘着力が適度に低下した領域（第１の領域３ａ）を形成しやすく、他方、１．２ｍｍｏｌ／ｇ以下であることで、優れたピックアップ性を達成しやすい。

（メタ）アクリル系樹脂は、既知の方法で合成することで得ることができる。合成方法としては、例えば、溶液重合法、懸濁重合法、乳化重合法、塊状重合法、析出重合法、気相重合法、プラズマ重合法、超臨界重合法が挙げられる。また、重合反応の種類としては、ラジカル重合、カチオン重合、アニオン重合、リビングラジカル重合、リビングカチオン重合、リビングアニオン重合、配位重合、イモーダル重合等の他、ＡＴＲＰ（原子移動ラジカル重合）及びＲＡＦＴＰ（可逆的付加開裂連鎖移動重合）といった手法も挙げられる。この中でも、溶液重合法を用いてラジカル重合により合成することは、経済性の良さ、反応率の高さ、重合制御の容易さなどの他、重合で得られた樹脂溶液をそのまま用いて配合できる等の利点を有する。

ここで、溶液重合法を用いてラジカル重合によって、（メタ）アクリル系樹脂を得る方法を例に、（メタ）アクリル系樹脂の合成法について詳細に説明する。

（メタ）アクリル系樹脂を合成する際に用いられるモノマーとしては、一分子中に１個の（メタ）アクリロイル基を有するものであれば特に制限はない。その具体例としては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ−ブチル（メタ）アクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレート、イソアミル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、オクチルヘプチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート、テトラデシル（メタ）アクリレート、ペンタデシル（メタ）アクリレート、ヘキサデシル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、ベヘニル（メタ）アクリレート、メトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、モノ（２−（メタ）アクリロイロキシエチル）スクシネート等の脂肪族（メタ）アクリレート；シクロペンチル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、モノ（２−（メタ）アクリロイロキシエチル）テトラヒドロフタレート、モノ（２−（メタ）アクリロイロキシエチル）ヘキサヒドロフタレート等の脂環式（メタ）アクリレート；ベンジル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、ｏ−ビフェニル（メタ）アクリレート、１−ナフチル（メタ）アクリレート、２−ナフチル（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、ｐ−クミルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、ｏ−フェニルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、１−ナフトキシエチル（メタ）アクリレート、２−ナフトキシエチル（メタ）アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−（ｏ−フェニルフェノキシ）プロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−（１−ナフトキシ）プロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−（２−ナフトキシ）プロピル（メタ）アクリレート等の芳香族（メタ）アクリレート；２−テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、Ｎ−（メタ）アクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタルイミド、２−（メタ）アクリロイロキシエチル−Ｎ−カルバゾール等の複素環式（メタ）アクリレート、これらのカプロラクトン変性体、ω−カルボキシ−ポリカプロラクトンモノ（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、α−エチルグリシジル（メタ）アクリレート、α−プロピルグリシジル（メタ）アクリレート、α−ブチルグリシジル（メタ）アクリレート、２−メチルグリシジル（メタ）アクリレート、２−エチルグリシジル（メタ）アクリレート、２−プロピルグリシジル（メタ）アクリレート、３，４−エポキシブチル（メタ）アクリレート、３，４−エポキシヘプチル（メタ）アクリレート、α−エチル−６，７−エポキシヘプチル（メタ）アクリレート、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル（メタ）アクリレート、ｏ−ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｍ−ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｐ−ビニルベンジルグリシジルエーテル等のエチレン性不飽和基とエポキシ基を有する化合物；（２−エチル−２−オキセタニル）メチル（メタ）アクリレート、（２−メチル−２−オキセタニル）メチル（メタ）アクリレート、２−（２−エチル−２−オキセタニル）エチル（メタ）アクリレート、２−（２−メチル−２−オキセタニル）エチル（メタ）アクリレート、３−（２−エチル−２−オキセタニル）プロピル（メタ）アクリレート、３−（２−メチル−２−オキセタニル）プロピル（メタ）アクリレート等のエチレン性不飽和基とオキセタニル基を有する化合物；２−（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート等のエチレン性不飽和基とイソシアネート基を有する化合物；２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３−クロロ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等のエチレン性不飽和基とヒドロキシル基を有する化合物が挙げられ、これらを適宜組み合わせて目的とする（メタ）アクリル系樹脂を得ることができる。

（メタ）アクリル系樹脂は、後述する官能基導入化合物又は架橋剤との反応点として、水酸基、グリシジル基及びアミノ基等から選ばれる少なくとも一種の官能基を有することが好ましい。水酸基を有する（メタ）アクリル系樹脂を合成するためのモノマーとしては、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３−クロロ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等のエチレン性不飽和基とヒドロキシル基を有する化合物が挙げられ、これらは一種を単独で、あるいは、二種以上を併用することができる。

グリシジル基を有する（メタ）アクリル系樹脂を合成するためのモノマーとしては、グリシジル（メタ）アクリレート、α−エチルグリシジル（メタ）アクリレート、α−プロピルグリシジル（メタ）アクリレート、α−ブチルグリシジル（メタ）アクリレート、２−メチルグリシジル（メタ）アクリレート、２−エチルグリシジル（メタ）アクリレート、２−プロピルグリシジル（メタ）アクリレート、３，４−エポキシブチル（メタ）アクリレート、３，４−エポキシヘプチル（メタ）アクリレート、α−エチル−６，７−エポキシヘプチル（メタ）アクリレート、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル（メタ）アクリレート、ｏ−ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｍ−ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｐ−ビニルベンジルグリシジルエーテル等のエチレン性不飽和基とエポキシ基を有する化合物が挙げられ、これらは一種を単独で、あるいは、二種以上を併用することができる。

これらのモノマーから合成される（メタ）アクリル系樹脂は、連鎖重合可能な官能基を含むことが好ましい。連鎖重合可能な官能基は、例えば、アクリロイル基及びメタクリロイル基から選ばれる少なくとも一種である。連鎖重合可能な官能基は、例えば、上述のように合成された（メタ）アクリル系樹脂に以下の化合物（官能基導入化合物）を反応させることにより、当該（メタ）アクリル系樹脂中に導入することができる。官能基導入化合物の具体例として、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、メタ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート、メタクリロイルイソシアネート、アリルイソシアネート、１，１−（ビスアクリロイルオキシメチル）エチルイソシアネート；ジイソシアネート化合物またはポリイソシアネート化合物と、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートもしくは４−ヒドロキシブチルエチル（メタ）アクリレートとの反応により得られるアクリロイルモノイソシアネート化合物；ジイソシアネート化合物またはポリイソシアネート化合物と、ポリオール化合物と、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートとの反応により得られるアクリロイルモノイソシアネート化合物などが挙げられる。これらの中でも、特に２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートが好ましい。これらの化合物は、一種を単独で使用することもできるし、二種以上を組み合わせて使用することもできる。

［光重合開始剤］
光重合開始剤としては、活性エネルギー線（紫外線、電子線及び可視光線から選ばれる少なくとも一種）を照射することで連鎖重合可能な活性種を発生するものであれば、特に制限はなく、例えば、光ラジカル重合開始剤が挙げられる。ここで連鎖重合可能な活性種とは、連鎖重合可能な官能基と反応することで重合反応が開始されるものを意味する。

光ラジカル重合開始剤としては、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン等のベンゾインケタール；１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン等のα−ヒドロキシケトン；２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタン−１−オン、１，２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン等のα−アミノケトン；１−［４−（フェニルチオ）フェニル］−１，２−オクタジオン−２−（ベンゾイル）オキシム等のオキシムエステル；ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキシド、ビス（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリメチルペンチルホスフィンオキシド、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド等のホスフィンオキシド；２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジ（メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２−（ｏ−フルオロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｐ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体等の２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体；ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ´−テトラメチル−４，４´−ジアミノベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ´−テトラエチル−４，４´−ジアミノベンゾフェノン、４−メトキシ−４´−ジメチルアミノベンゾフェノン等のベンゾフェノン化合物；２−エチルアントラキノン、フェナントレンキノン、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、１，２−ベンズアントラキノン、２，３−ベンズアントラキノン、２−フェニルアントラキノン、２，３−ジフェニルアントラキノン、１−クロロアントラキノン、２−メチルアントラキノン、１，４−ナフトキノン、９，１０−フェナントラキノン、２−メチル−１，４−ナフトキノン、２，３−ジメチルアントラキノン等のキノン化合物；ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル；ベンゾイン、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイン化合物；ベンジルジメチルケタール等のベンジル化合物；９−フェニルアクリジン、１，７−ビス（９、９´−アクリジニルヘプタン）等のアクリジン化合物：Ｎ−フェニルグリシン、クマリンが挙げられる。

粘着剤組成物における光重合開始剤の含有量は、（メタ）アクリル系樹脂の含有量１００質量部に対し、例えば、０．１〜３０質量部であり、０．３〜１０質量部であることが好ましく、０．５〜５質量部であることがより好ましい。光重合開始剤の含有量が０．１質量部未満であると粘着剤層が活性エネルギー線照射後に硬化不足となり、ピックアップ不良が起こりやすい。光重合開始剤の含有量が３０質量部を超えると接着剤層への汚染（光重合開始剤の接着剤層への転写）が生じやすい。

［架橋剤］
架橋剤は、例えば、粘着剤層の弾性率及び／又は粘着性の制御を目的に用いられる。架橋剤は、上記（メタ）アクリル系樹脂が有する水酸基、グリシジル基及びアミノ基等から選ばれる少なくとも一種の官能基と反応し得る官能基を一分子中に二つ以上有する化合物であればよい。架橋剤と（メタ）アクリル系樹脂との反応によって形成される結合としては、エステル結合、エーテル結合、アミド結合、イミド結合、ウレタン結合、ウレア結合等が挙げられる。

本実施形態においては、架橋剤として、一分子中に二つ以上のイソシアネート基を有する化合物を採用することが好ましい。このような化合物を用いると、上記（メタ）アクリル系樹脂が有する水酸基、グリシジル基及びアミノ基等と容易に反応し、強固な架橋構造を形成することができる。

一分子中に二つ以上のイソシアネート基を有する化合物としては、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４´−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−２，４´−ジイソシアネート、３−メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−４，４´−ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−２，４´−ジイソシアネート、リジンイソシアネート等のイソシアネート化合物が挙げられる。

架橋剤として、上述のイソシアネート化合物と、一分子中に二つ以上のＯＨ基を有する多価アルコールの反応物（イソシアネート基含有オリゴマー）を採用してもよい。一分子中に二つ以上のＯＨ基を有する多価アルコールの例としては、エチレングリコール、プロピレングリコール、ブチレングリコール、１，６−ヘキサンジオール、１，８−オクタンジオール、１，９−ノナンジオール、１，１０−デカンジオール、１，１１−ウンデカンジオール、１，１２−ドデカンジオール、グリセリン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、１，４−シクロヘキサンジオール、１，３−シクロヘキサンジオールが挙げられる。

これらの中でも、架橋剤として、一分子中に二つ以上のイソシアネート基を有する多官能イソシアネートと、一分子中に三つ以上のＯＨ基を有する多価アルコールの反応物（イソシアネート基含有オリゴマー）であることが更に望ましい。このようなイソシアネート基含有オリゴマーを架橋剤として用いることで、粘着剤層３が緻密な架橋構造を形成し、これにより、ピックアップ工程において接着剤層５に粘着剤が付着することを十分に抑制できる。

粘着剤組成物における架橋剤の含有量は、粘着剤層に対して求められる凝集力及び破断伸び率、並びに、接着剤層５との密着性等に応じて適宜設定すればよい。具体的には、架橋剤の含有量は、（メタ）アクリル系樹脂の含有量１００質量部に対し、例えば、３〜３０質量部であり、４〜１５質量部であることが好ましく、７〜１０質量部であることがより好ましい。架橋剤の含有量を上記範囲とすることで、ダイシング工程において粘着剤層に求められる特性と、ダイボンディング工程において粘着剤層３に求められる特性とをバランスよく両立することが可能であるとともに、優れたピックアップ性も達成し得る。

架橋剤の含有量が（メタ）アクリル系樹脂の含有量１００質量部に対して３質量部未満であると、架橋構造の形成が不十分となりやすく、これに起因して、ピックアップ工程において、接着剤層５との界面密着力が十分に低下せずにピックアップ時に不良が発生しやすい。他方、架橋剤の含有量が（メタ）アクリル系樹脂の含有量１００質量部に対して３０質量部を超えると、粘着剤層３が過度に硬くなりやすく、これに起因して、エキスパンド工程において半導体チップが剥離しやすい。

粘着剤組成物の全質量に対する架橋剤の含有量は、例えば、０．１〜２０質量％であり、３〜１７質量％又は５〜１５質量％であってもよい。架橋剤の含有量が０．１質量％以上であることで、活性エネルギー線の照射によって粘着力が適度に低下した領域（第１の領域３ａ）を形成しやすく、他方、１５質量％以下であることで、優れたピックアップ性を達成しやすい。

粘着剤層３の厚さは、エキスパンド工程の条件（温度及び張力等）に応じて適宜設定すればよく、例えば、１〜２００μｍであり、５〜５０μｍであることが好ましく、１０〜２０μｍであることがより好ましい。粘着剤層３の厚さが１μｍ未満であると粘着性が不十分となりやすく、２００μｍを超えると、エキスパンド時にカーフ幅が狭く（ピン突き上げ時に応力を緩和してしまい）ピックアップが不十分になりやすい。

粘着剤層３は基材層１上に形成されている。粘着剤層３の形成方法としては、既知の手法を採用できる。例えば、基材層１と粘着剤層３との積層体を二層押し出し法で形成してもよいし、粘着剤層３の形成用ワニスを調製し、これを基材層１の表面に塗工する、あるいは、離型処理されたフィルム上に粘着剤層３を形成し、これを基材層１に転写してもよい。

粘着剤層３の形成用ワニスは、（メタ）アクリル系樹脂、光重合開始剤及び架橋剤を溶解し得る有機溶剤であって加熱により揮発するものを使用して調製することが好ましい。有機溶剤の具体例としては、トルエン、キシレン、メシチレン、クメン、ｐ−シメン等の芳香族炭化水素；テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン等の環状エーテル；メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール等のアルコール；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン等のケトン；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、γ−ブチロラクトン等のエステル；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等の炭酸エステル；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル等の多価アルコールアルキルエーテル；エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等の多価アルコールアルキルエーテルアセテート；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミドが挙げられる。

これらの中で、溶解性及び沸点の観点から、例えば、トルエン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドであることが好ましい。これらの有機溶剤は、一種を単独で用いてもよく、二種以上を併用してもよい。ワニスの固形分濃度は、通常１０〜６０質量％であることが好ましい。

（基材層）
基材層１としては、既知のポリマーシート又はフィルムを用いることができ、低温条件下において、エキスパンド工程を実施可能なものであれば、特に制限はない。具体的には、基材層１として、結晶性ポリプロピレン、非晶性ポリプロピレン、高密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、低密度直鎖ポリエチレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、又は、これらに可塑剤を混合した混合物、あるいは、電子線照射により架橋を施した硬化物が挙げられる。

基材層１は、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレン−ポリプロピレンランダム共重合体、ポリエチレン−ポリプロピレンブロック共重合体から選ばれる少なくとも一種の樹脂を主成分とする表面を有し、この表面と粘着剤層３が接していることが好ましい。これらの樹脂は、ヤング率、応力緩和性及び融点等の特性、並びに、価格面、使用後の廃材リサイクル等の観点からも良好な基材である。基材層１は、単層でも構わないが、必要に応じて異なる材質からなる層が積層された多層構造を有していてもよい。粘着剤層３との密着性を制御するため、基材層１の表面に対して、マット処理、コロナ処理等の表面粗化処理を施してもよい。

（接着剤層）
接着剤層５には、既知のダイボンディングフィルムを構成する接着剤組成物を適用できる。具体的には、接着剤層５を構成する接着剤組成物は、エポキシ基含有アクリル共重合体、エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤を含有することが好ましい。これらの成分を含む接着剤層５によれば、チップ／基板間、チップ／チップ間の接着性に優れ、また電極埋め込み性及びワイヤ埋め込み性等も付与可能で、かつダイボンディング工程では低温で接着でき、短時間で優れた硬化が得られる、封止剤でモールド後は優れた信頼性を有する等の特徴があり好ましい。

エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールのジグリシジリエーテル化物、ナフタレンジオールのジグリシジリエーテル化物、フェノール類のジグリシジリエーテル化物、アルコール類のジグリシジルエーテル化物、及びこれらのアルキル置換体、ハロゲン化物、水素添加物等の二官能エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂が挙げられる。また、多官能エポキシ樹脂及び複素環含有エポキシ樹脂等、一般に知られているその他のエポキシ樹脂を適用してもよい。これらは単独で又は二種以上を組み合わせて使用することができる。なお、特性を損なわない範囲でエポキシ樹脂以外の成分が不純物として含まれていてもよい。

エポキシ樹脂硬化剤としては、例えば、フェノール化合物と二価の連結基であるキシリレン化合物を、無触媒又は酸触媒の存在下に反応させて得ることができるフェノール樹脂のようなものが挙げられる。フェノール樹脂の製造に用いられるフェノール化合物としては、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール、ｏ−ｎ−プロピルフェノール、ｍ−ｎ−プロピルフェノール、ｐ−ｎ−プロピルフェノール、ｏ−イソプロピルフェノール、ｍ−イソプロピルフェノール、ｐ−イソプロピルフェノール、ｏ−ｎ−ブチルフェノール、ｍ−ｎ−ブチルフェノール、ｐ−ｎ−ブチルフェノール、ｏ−イソブチルフェノール、ｍ−イソブチルフェノール、ｐ−イソブチルフェノール、オクチルフェノール、ノニルフェノール、２，４−キシレノール、２，６−キシレノール、３，５−キシレノール、２，４，６−トリメチルフェノール、レゾルシン、カテコール、ハイドロキノン、４−メトキシフェノール、ｏ−フェニルフェノール、ｍ−フェニルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、ｐ−シクロヘキシルフェノール、ｏ−アリルフェノール、ｐ−アリルフェノール、ｏ−ベンジルフェノール、ｐ−ベンジルフェノール、ｏ−クロロフェノール、ｐ−クロロフェノール、ｏ−ブロモフェノール、ｐ−ブロモフェノール、ｏ−ヨードフェノール、ｐ−ヨードフェノール、ｏ−フルオロフェノール、ｍ−フルオロフェノール、ｐ−フルオロフェノール等が例示される。これらのフェノール化合物は、単独で用いてもよく、二種以上を混合して用いてもよい。フェノール樹脂の製造に用いられる二価の連結基であるキシリレン化合物としては、次に示すキシリレンジハライド、キシリレンジグリコール及びその誘導体が用いることができる。すなわち、α，α´−ジクロロ−ｐ−キシレン、α，α´−ジクロロ−ｍ−キシレン、α，α´−ジクロロ−ｏ−キシレン、α，α´−ジブロモ−ｐ−キシレン、α，α´−ジブロモ−ｍ−キシレン、α，α´−ジブロモ−ｏ−キシレン、α，α´−ジヨード−ｐ−キシレン、α，α´−ジヨード−ｍ−キシレン、α，α´−ジヨード−ｏ−キシレン、α，α´−ジヒドロキシ−ｐ−キシレン、α，α´−ジヒドロキシ−ｍ−キシレン、α，α´−ジヒドロキシ−ｏ−キシレン、α，α´−ジメトキシ−ｐ−キシレン、α，α´−ジメトキシ−ｍ−キシレン、α，α´−ジメトキシ−ｏ−キシレン、α，α´−ジエトキシ−ｐ−キシレン、α，α´−ジエトキシ−ｍ−キシレン、α，α´−ジエトキシ−ｏ−キシレン、α，α´−ジ−ｎ−プロポキシ−ｐ−キシレン、α，α´−ジ−ｎ−プロポキシ−ｍ−キシレン、α，α´−ジ−ｎ−プロポキシ−ｏ−キシレン、α，α´−ジ−イソプロポキシ−ｐ−キシレン、α，α´−ジイソプロポキシ−ｍ−キシレン、α，α´−ジイソプロポキシ−ｏ−キシレン、α，α´−ジ−ｎ−ブトキシ−ｐ−キシレン、α，α´−ジ−ｎ−ブトキシ−ｍ−キシレン、α，α´−ジ−ｎ−ブトキシ−ｏ−キシレン、α，α´−ジイソブトキシ−ｐ−キシレン、α，α´−ジイソブトキシ−ｍ−キシレン、α，α´−ジイソブトキシ−ｏ−キシレン、α，α´−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｐ−キシレン、α，α´−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｍ−キシレン、α，α´−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｏ−キシレンを挙げることができる。これらは単独で又は二種以上を組み合わせて使用することができる。

上記したフェノール化合物とキシリレン化合物を反応させる際には、塩酸、硫酸、リン酸、ポリリン酸等の鉱酸類；ジメチル硫酸、ジエチル硫酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸等の有機カルボン酸類；トリフロロメタンスルホン酸等の超強酸類；アルカンスルホン酸型イオン交換樹脂のような、強酸性イオン交換樹脂類；パーフルオロアルカンスルホン酸型イオン交換樹脂の様な、超強酸性イオン交換樹脂類（商品名：ナフィオン、Ｎａｆｉｏｎ、Ｄｕ Ｐｏｎｔ社製、「ナフィオン」は登録商標）；天然及び合成ゼオライト類；活性白土（酸性白土）類等の酸性触媒を用い、５０〜２５０℃において実質的に原料であるキシリレン化合物が消失し、且つ反応組成が一定になるまで反応させて得られる。反応時間は原料及び反応温度にもよるが、おおむね１時間〜１５時間程度であり、実際には、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）等により反応組成を追跡しながら決定すればよい。

エポキシ基含有アクリル共重合体は、原料としてグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートを、得られる共重合体に対し０．５〜６質量％となる量用いて得られた共重合体であることが好ましい。この量が０．５質量％以上であることで高い接着力を得やすく、他方、６質量％以下であることでゲル化を抑制できる。その残部はメチルアクリレート、メチルメタクリレート等の炭素数１〜８のアルキル基を有するアルキルアクリレート、アルキルメタクリレート、及びスチレン、アクリロニトリル等の混合物を用いることができる。これらの中でもエチル（メタ）アクリレート及び／又はブチル（メタ）アクリレートが特に好ましい。混合比率は、共重合体のＴｇを考慮して調整することが好ましい。Ｔｇが−１０℃未満であるとＢステージ状態での接着剤層５のタック性が大きくなる傾向があり、取り扱い性が悪化する傾向にある。なお、エポキシ基含有アクリル共重合体のガラス転移点（Ｔｇ）の上限値は、例えば、３０℃である。重合方法は特に制限がなく、例えば、パール重合、溶液重合が挙げられる。市販のエポキシ基含有アクリル共重合体としては、例えば、ＨＴＲ−８６０Ｐ−３（商品名、ナガセケムテックス株式会社製）が挙げられる。

エポキシ基含有アクリル共重合体の重量平均分子量は１０万以上であり、この範囲であると接着性及び耐熱性が高く、３０万〜３００万であることが好ましく、５０万〜２００万であることがより好ましい。重量平均分子量が３００万以下であると、半導体チップと、これを支持する基板との間の充填性が低下することを抑制できる。重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。

接着剤層５は、必要に応じて、第三級アミン、イミダゾール類、第四級アンモニウム塩類等の硬化促進剤を更に含有してもよい。硬化促進剤の具体例としては、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテートが挙げられる。これらは一種を単独で使用してもよく、二種以上を併用してもよい。

接着剤層５は、必要に応じて、無機フィラーを更に含有してもよい。無機フィラーの具体例としては、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ほう素、結晶質シリカ、非晶質シリカが挙げられる。これらは一種を単独で使用してもよく、二種以上を併用してもよい。

接着剤層５の厚さは、例えば、１〜３００μｍであり、５〜１５０μｍであることが好ましく、１０〜１００μｍであることがより好ましい。接着剤層５の厚さが１μｍ未満であると接着性が不十分となりやすく、他方、３００μｍを超えるとエキスパンド時の分断性及びピックアップ性が不十分となりやすい。

なお、接着剤層５は熱硬化性樹脂を含まない態様であってもよい。例えば、接着剤層５が反応性基含有（メタ）アクリル共重合体を含む場合、接着剤層５は、反応性基含有（メタ）アクリル共重合体と、硬化促進剤と、フィラーとを含むものであればよい。

＜ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの製造方法＞
フィルム１０の製造方法は、基材層１の表面上に、活性エネルギー線が照射されることによって粘着力が低下する粘着剤組成物からなる粘着剤層と、粘着剤層の表面上に形成された接着剤層５とを含む積層体を作製する工程と、積層体に含まれる粘着剤層の第１の領域３ａとなる領域に活性エネルギー線を照射する工程とをこの順序で含む。第１の領域３ａとなる領域に対する活性エネルギー線の照射量は、例えば、１０〜１０００ｍＪ／ｃｍ^２であり、１００〜７００ｍＪ／ｃｍ^２又は２００〜５００ｍＪ／ｃｍ^２であってもよい。

上記製造方法は、粘着剤層と接着剤層５の積層体を先に作製し、その後、粘着剤層の特定の領域に活性エネルギー線を照射するものである。以下のとおり、接着剤層５と貼り合わせる前の粘着剤層に対して活性エネルギー線を照射して第１の領域３ａを形成してもよい。すなわち、フィルム１０の製造方法は、基材層１の表面上に、活性エネルギー線が照射されることによって粘着力が低下する組成物からなる粘着剤層を形成する工程と、粘着剤層の第１の領域３ａとなる領域に活性エネルギー線を照射する工程と、活性エネルギー線を照射した後の粘着剤層３の表面上に接着剤層５を積層する工程とをこの順序で含むものであってよい。

＜半導体装置及びその製造方法＞
図４は本実施形態に係る半導体装置を模式的に示す断面図である。この図に示す半導体装置１００は、基板７０と、基板７０の表面上に積層された四つのチップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４と、基板７０の表面上の電極（不図示）と四つのチップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４とを電気的に接続するワイヤＷ１，Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４と、これらを封止している封止層５０とを備える。

基板７０は、例えば、有機基板であり、リードフレーム等の金属基板であってもよい。半導体装置１００の反りを抑制する観点から、基板７０の厚さは、例えば、７０〜１４０μｍであり、８０〜１００μｍであってもよい。

四つのチップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４は、接着剤片５Ｐの硬化物５Ｃを介して積層されている。平面視におけるチップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４の形状は、例えば正方形又は長方形である。チップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４の面積は３０〜２５０ｍｍ^２であり、４０〜２００ｍｍ^２又は５０〜１５０ｍｍ^２であってもよい。チップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４の一辺の長さは、例えば、６．０ｍｍ以上であり、７．０〜１８ｍｍ又８．０〜１５ｍｍであってもよい。チップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４の厚さは、例えば、１０〜１５０μｍであり、２０〜８０μｍであってもよい。なお、四つのチップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４の一辺の長さは同じであっても、互いに異なっていてもよく、厚さについても同様である。また、四つのチップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４は比較的サイズが小さいものであってもよい。すなわち、チップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４の面積は、３０ｍｍ^２未満であってもよく、例えば、０．１〜２０ｍｍ^２又は１〜１５ｍｍ^２であってもよい。

半導体装置１００の製造方法は、以下の工程を含む。
（Ａ）フィルム１０を準備する工程
（Ｂ）ウェハＷに対してステルスダイシング、又はブレードによるハーフカットをする工程
（Ｃ）接着剤層５における、第１の領域に対応する領域ＲｗにウェハＷを貼る工程
（Ｄ）基材層１を冷却条件下においてエキスパンドすることによって、ウェハＷ及び接着剤層５が個片化されてなる接着剤片付きチップ８を得る工程
（Ｅ）粘着剤層３に活性化エネルギー線を照射することによって、接着剤片付きチップ８に対する粘着剤層３の粘着力を低下させる工程
（Ｆ）基材層１をエキスパンドした状態で接着剤片付きチップ８を粘着剤層３からピックアップする工程
（Ｇ）接着剤片付きチップ８を、基板又は他のチップ上にマウントする工程

半導体装置１００の製造方法の一例について具体的に説明する。まず、ウェハＷの回路面Ｗａに保護フィルム（ＢＧテープとも称される）を貼り付ける。ウェハＷにレーザを照射して複数本の切断予定ラインＬを形成する（ステルスダイシング）。その後、必要に応じて、ウェハＷに対してバックグラインディング及びポリッシングの処理をする。なお、ここではレーザによるステルスダイシングを例示したが、これの代わりに、ブレードによってウェハＷをハーフカットしてもよい。ハーフカットは、ウェハＷを切断するのではなく、ウェハＷの切断予定ラインＬに対応した切込みを形成することを意味する。

次いで、図５（ａ）に示すように、ウェハＷの裏面Ｗｂに接着剤層５が接するようにフィルム１０を貼り付ける。また、粘着剤層３の第２の領域３ｂに対してダイシングリングＤＲを貼り付ける。その後、０〜−１５℃の温度条件下での冷却エキスパンドによって、ウェハＷ及び接着剤層５を個片化する。すなわち、図５（ｂ）に示すように、基材層１におけるダイシングリングＤＲの内側領域１ａをリングＲａで突き上げることによって基材層１に張力を付与する。これにより、ウェハＷが切断予定ラインＬに沿って分断されるとともに、これに伴って接着剤層５は接着剤片５Ｐに分断され、粘着剤層３の表面上に複数の接着剤片付きチップ８が得られる。接着剤片付きチップ８は、チップＳと、接着剤片５Ｐとによって構成される。

基材層１におけるダイシングリングＤＲの内側領域１ａを加熱することによって内側領域１ａを収縮させる。図６（ａ）は、ヒータＨのブローによって内側領域１ａを加熱している様子を模式的に示す断面図である。内側領域１ａを環状に収縮させて基材層１に張力を付与することで、隣接する接着剤片付きチップ８の間隔を広げることができる。これにより、ピックアップエラーの発生をより一層抑制できるとともに、ピックアップ工程における接着剤片付きチップ８の視認性を向上させることができる。

次いで、図６（ｂ）に示すように、活性化エネルギー（例えば、紫外線ＵＶ）の照射によって粘着剤層３の粘着力を低下させる。粘着剤層３に対する活性エネルギー線の照射量は、例えば、１０〜１０００ｍＪ／ｃｍ^２であり、１００〜７００ｍＪ／ｃｍ^２又は２００〜５００ｍＪ／ｃｍ^２であってもよい。その後、図６（ｃ）に示すにように、突き上げ冶具４２で接着剤片付きチップ８を突き上げることによって粘着剤層３から接着剤片付きチップ８をはく離させるとともに、接着剤片付きチップ８を吸引コレット４４で吸引してピックアップする。

接着剤片付きチップ８は、半導体装置の組立装置（不図示）に搬送され、回路基板等に圧着される。図７（ａ）に示すように、接着剤片５Ｐを介して一段目のチップＳ１（チップＳ）を基板７０の所定の位置に圧着する。次に、加熱によって接着剤片５Ｐを硬化させる。これにより、接着剤片５Ｐが硬化して硬化物５Ｃとなる。接着剤片５Ｐの硬化処理は、ボイドの低減の観点から、加圧雰囲気下で実施してもよい。

基板７０に対するチップＳ１のマウントと同様にして、チップＳ１の表面上に二段目のチップＳ２をマウントする。更に、三段目及び四段目のチップＳ３，Ｓ４をマウントすることによって図７（ｂ）に示す構造体６０が作製される。チップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４と基板７０とをワイヤＷ１，Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４で電気的に接続した後、封止層５０によって半導体素子及びワイヤを封止することによって図４に示す半導体装置１００が完成する。

以下、本開示について、実施例に基づいて更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、特に記述がない限り、薬品は全て試薬を使用した。

＜実施例１＞
［アクリル樹脂の合成］
粘着剤層に配合するアクリル樹脂を次のようにして合成した。すなわち、スリーワンモータ、撹拌翼、窒素導入管が備え付けられた容量２０００ｍｌのフラスコに以下の成分を入れた。
・酢酸エチル（溶剤）：６３５ｇ
・２−エチルヘキシルアクリレート：３９５ｇ
・２−ヒドロキシエチルアクリレート：１００ｇ
・メタクリル酸：５ｇ
・アゾビスイソブチロニトリル：０．２ｇ

十分に均一になるまで内容物を撹拌した後、流量５００ｍｌ／分にて６０分間バブリングを実施し、系中の溶存酸素を脱気した。１時間かけて７８℃まで昇温し、昇温後６時間重合させた。次に、スリーワンモータ、撹拌翼、窒素導入管が備え付けられた容量２０００ｍｌの加圧釜に反応溶液を移し、１２０℃、０．２８ＭＰａにて４．５時間加温後、室温（２５℃、以下同様）に冷却した。

次に酢酸エチルを４９０ｇ加えて撹拌し希釈した。これに重合禁止剤としてメトキノンを０．０２５ｇ、ウレタン化触媒として、ジオクチルスズジラウレートを０．１０ｇ添加した後、２−メタクリロキシエチルイソシアネート（昭和電工株式会社製、カレンズＭＯＩ（商品名））を８１ｇ加え、７０℃で６時間反応させたのち室温に冷却した。その後、酢酸エチルを加え、アクリル樹脂溶液中の不揮発分含有量が３５質量％となるよう調整し、連鎖重合可能な官能基を有する（Ａ）アクリル樹脂溶液を得た。

上記のようにして得た（Ａ）アクリル樹脂を含む溶液を６０℃で一晩真空乾燥した。これによって得られた固形分を全自動元素分析装置（エレメンタール社製、商品名：ｖａｒｉｏＥＬ）にて元素分析し、導入された２−メタクリロキシエチルイソシアネートの含有量を窒素含有量から算出したところ、０．８９ｍｍｏｌ／ｇであった。

また、以下の装置を使用して（Ａ）アクリル樹脂のポリスチレン換算重量平均分子量を求めた。すなわち、東ソー株式会社製ＳＤ−８０２２／ＤＰ−８０２０／ＲＩ−８０２０を使用し、カラムには日立化成株式会社製Ｇｅｌｐａｃｋ ＧＬ−Ａ１５０−Ｓ／ＧＬ−Ａ１６０−Ｓを用い、溶離液にテトラヒドロフランを用いてＧＰＣ測定を行った。その結果、ポリスチレン換算重量平均分子量は３５万であった。

[ダイシングフィルムの作製]
以下の成分を混合することで、粘着剤層形成用のワニスを調製した。このワニスによって形成される粘着剤層は紫外線が照射されることによって硬化するものである。酢酸エチル（溶剤）の量は、ワニスの総固形分含有量が２５質量％となるように調整した。
・（Ａ）アクリル樹脂の溶液：１００質量部（固形分）、
・（Ｂ）光開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、チバスペシャリティケミカルズ株式会社製、イルガキュア１８４、「イルガキュア」は登録商標）：２．０質量部
・（Ｃ）架橋剤（多官能イソシアネート、日本ポリウレタン工業株式会社製、コロネートＬ、固形分７５％）：１．１質量部（固形分）
・酢酸エチル（溶剤）

一方の面に離型処理が施されたポリエチレンテレフタレートフィルム（幅４５０ｍｍ、長さ５００ｍｍ、厚さ３８μｍ）を準備した。剥離処理が施された面に、アプリケータを用いて粘着剤層形成用ワニスを塗布した後、８０℃で５分間乾燥した。これにより、ポリエチレンテレフタレートフィルムと、その上に形成された粘着剤層（厚さ１０μｍ）とからなる積層体（ダイシングフィルム）を得た。

一方の面にコロナ処理が施されたポリオレフィンフィルム（幅４５０ｍｍ、長さ５００ｍｍ、厚さ１００μｍ）を準備した。コロナ処理が施された面と、上記積層体の粘着剤層とを室温にて貼り合わせた。次いで、ゴムロールで押圧することで粘着剤層をポリオレフィンフィルム（カバーフィルム）に転写した。その後、室温で３日間放置することで粘着剤層を備えるダイシングフィルムを得た。

［ダイボンディングフィルムの作製]
以下の成分にシクロヘキサノンを加えて攪拌混合した後、ビーズミルを用いて９０分混練した。
・エポキシ樹脂（ＹＤＣＮ−７０３（商品名）、日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社製、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量２１０、分子量１２００、軟化点８０℃）：５５質量部
・フェノール樹脂（ミレックスＸＬＣ−ＬＬ（商品名）、三井化学株式会社製、水酸基当量１７５、吸水率１．８％、３５０℃における加熱重量減少率４％）：４５質量部
・シランカップリング剤１（ＮＵＣ Ａ−１８９（商品名）、日本ユニカー株式会社製、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン）：１．７質量部
・シランカップリング剤２（ＮＵＣＡ−１１６０（商品名）、日本ユニカー株式会社製、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン）３：．２質量部
・フィラー（アエロジルＲ９７２（商品名）、日本アエロジル株式会社製、シリカ、平均粒径０．０１６μｍ）：３２質量部
なお、「アエロジルＲ９７２」は有機基（例えば、メチル基）を表面に有するシリカ粒子であって、シリカ粒子の表面にジメチルジクロロシランを被覆し、４００℃の反応器中で加水分解させたものである。

上記成分の混合物に以下の成分を加え、攪拌混合した。その後、真空脱気することによって接着剤層形成用のワニスを得た。
・アクリルゴム（ＨＴＲ−８６０Ｐ−３（商品名）、ナガセケムテックス株式会社製、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートの含有量：３質量％、重量平均分子量８０万）：２８０質量部
・硬化促進剤（キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ（商品名）、「キュアゾール」は登録商標、四国化成工業株式会社製、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール）：０．５質量部

一方の面に離型処理が施されたポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ３５μｍ）を準備した。剥離処理が施された面に接着剤層形成用ワニスを塗布した後、１４０℃で５分間加熱乾燥した。これにより、ポリエチレンテレフタレートフィルム（キャリアフィルム）と、その上に形成されたＢステージ状態の接着剤層（厚さ１０μｍ）とからなる積層体（ダイボンディングフィルム）を得た。

[ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの作製]
上記のようにして得たダイボンディングフィルムをキャリアフィルムごと円形（直径：３１２ｍｍ）にカットした。これにカバーフィルムを剥離したダイシングテープを室温で貼り付け後、室温で１日放置した。その後、ダイシングテープを円形（直径：３７０ｍｍ）にカットした。このようにして得たダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの接着剤層におけるウェハの貼付け位置に対応する領域（粘着剤層の第１の領域）に対し、高圧水銀ランプを用いて以下の条件で紫外線を照射した。
・紫外線の主波長：３６５ｎｍ
・紫外線の照度：１３ｍＷ／ｃｍ^２
・紫外線の照射量：２０ｍＪ／ｃｍ^２
・粘着剤層の第１の領域：直径３０２ｍｍの円形

上記のようにして、本実施形態に係るダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを得た。なお、後述の種々の評価試験に供するための複数のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを作製した。

＜実施例２＞
紫外線の照射量を２０ｍＪ／ｃｍ^２とする代わりに、３０ｍＪ／ｃｍ^２としたことの他は、実施例１と同様にして、複数のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを得た。

＜実施例３＞
粘着剤層形成用のワニスを調製する際、架橋剤の量を１．１質量部とする代わりに０．４５質量部としたことの他は、実施例２と同様にして、複数のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを得た。

＜比較例１＞
粘着剤層形成用のワニスを調製する際、架橋剤の量を１．１質量部とする代わりに４．１質量部としたことの他は、実施例２と同様にして、複数のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを得た。

＜比較例２＞
紫外線の照射量を３０ｍＪ／ｃｍ^２とする代わりに、５０ｍＪ／ｃｍ^２としたことの他は、実施例２と同様にして、複数のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを得た。

＜比較例３＞
紫外線照射を行わなかったことの他は、実施例１と同様にして、複数のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを得た。

＜比較例４＞
紫外線照射を行わなかったことの他は、実施例３と同様にして、複数のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを得た。

［評価試験］
（１）粘着剤層の粘着力（３０°ピール強度）の測定（一回目の紫外線照射後）
実施例及び比較例に係るダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの接着剤層に対する粘着剤層の粘着力を３０°ピール強度を測定することによって評価した。すなわち、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムから幅２５ｍｍ及び長さ１００ｍｍの試料を切り出した。引張試験機を用いて接着剤層に対する粘着剤層のピール強度を測定した。測定条件は、剥離角度３０°、引張速度６０ｍｍ／分とした。なお、試料の保存及びピール強度の測定は、温度２３℃、相対湿度４０％の環境下で行った。実施例１〜３及び比較例１，２に係るダイシング・ダイボンディング一体型フィルムは一回の紫外照射を経たものである。表１及び表２に結果を示す。比較例３，４は、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムのプロセスにおいて紫外線が照射されていないものの、表２においては便宜上、「１回目の紫外線照射」の欄に結果を記載した。

（２）粘着剤層の粘着力（３０°ピール強度）の測定（二回目の紫外線照射後）
実施例１〜３及び比較例１，２に係るダイシング・ダイボンディング一体型フィルムに対し、接着剤片付きチップのピックアップ前に実施される二回目の紫外線照射に相当する以下の条件で二回目の紫外線を照射した。その後、上記と同じ条件で接着剤層に対する粘着剤層の粘着力を３０°ピール強度を測定した。表１及び表２に結果を示す。なお、比較例３，４は、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムのプロセスにおいて紫外線が照射されていないから、一回目の紫外線照射であるものの、表２においては便宜上、「２回目の紫外線照射」の欄に結果を記載した。
＜二回目の紫外線照射条件＞
・紫外線の主波長：３６５ｎｍ
・紫外線の照度：１００ｍＷ／ｃｍ^２
・紫外線の照射量：１５０ｍＪ／ｃｍ^２

（２）プロセス性評価
（ｉ）プロセス性評価用試料の作製
シリコンウェハ（直径：１２インチ、厚さ：７７５μｍ）の表面に保護テープ（ＢＧテープ）を貼り付けた。その後、シリコンウェハのステルスダイシングを行った。すなわち、ＢＧテープが貼り付けられた側と反対側のシリコンウェハの面（裏面）に対して以下条件でレーザ光を照射することによって、シリコンウェハ内部に改質層を形成した。
＜ステルスダイシング条件＞
・ステルスダイシング装置：ＤＦＬ７３６１（株式会社ディスコ製）
・レーザ発振器型式：半導体レーザ励起Ｑスイッチ固体レーザ
・波長：１３４２ｎｍ
・周波数：９０ｋＨｚ
・出力：１．７Ｗ
・パス数：２
・チップサイズ：１０ｍｍ×１０ｍｍ
・ダイシング速度：７００ｍｍ／秒

ステルスダイシング後のシリコンウェハを厚さ３０μｍになるまで研磨した。研磨にはグラインダポリッシャ装置（ＤＧＰ８７６１、株式会社ディスコ製）を使用した。研磨後のシリコンウェハ及びダイシングリングにダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを以下条件で貼り付けた。その後、シリコンウェハの表面からＢＧテープを剥離した。
＜貼付条件＞
・貼付装置：ＤＦＭ２８００（株式会社ディスコ製）
・貼付温度：７０℃
・貼付速度：１０ｍｍ／ｓ
・貼付テンションレベル：レベル６

次いで、ダイセパレータ（ＤＤＳ２３００、株式会社ディスコ製）を使用して以下条件で冷却エキスパンドした。その後、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの基材層（ポリエチレンテレフタレートフィルム）を以下の条件でヒートシュリンクさせた。これらの工程を経て、シリコンウェハ及び接着剤層を複数の接着剤片付きチップ（サイズ１０ｍｍ×１０ｍｍ）に個片化した。
＜冷却エキスパンド条件＞
・冷却温度：−１５℃
・冷却時間：１２０秒
・突上げ量：１２ｍｍ
・突上げ速度：２００ｍｍ／秒
・突上げ後の保持時間：３秒
＜ヒートシュリンク条件＞
・ヒータ温度：２２０℃
・ヒータ回転速度：５°／秒
・突上げ量：８ｍｍ
・テープ冷却待ち時間：１０秒

シリコンウェハ及び接着剤層を個片化した後、粘着剤層に対して以下の条件で紫外線照射を行った。これにより、粘着剤層を硬化させて接着剤層に対する粘着力を低下させた。
＜紫外線照射条件＞
・紫外線の照度：１００ｍＷ／ｃｍ^２
・紫外線の照射量：１５０ｍＪ／ｃｍ^２

（ｉｉ）各プロセス性の評価
（ＤＡＦ飛び）
冷却エキスパンド及びヒートシュリンク後に、ＤＡＦ飛びについて以下の基準で評価した。
Ａ：ＤＡＦ飛びが全く発生しなかった。
Ｂ：ＤＡＦ飛びには至らなかったが、接着剤層と粘着剤層との界面で剥離又は浮きが認められた。
Ｃ：ＤＡＦ飛びが少なくとも一箇所で発生した。

（チップエッジ剥離）
冷却エキスパンド及びヒートシュリンク後に、接着剤片付きチップのエッジ部における接着剤層と粘着剤層の剥離について以下の基準で評価した。
Ａ：エッジ部において剥離が全く見られなかった。
Ｂ：エッジ部から１ｍｍ以上２ｍｍ未満の長さで剥離が見られた。
Ｃ：エッジ部から２ｍｍ以上３ｍｍ未満の剥離が見られた。
Ｄ：エッジ部から３ｍｍ以上の剥離が見られた。

（接着剤層の分断性）
冷却エキスパンド及びヒートシュリンク後のシリコンウェハの全面に顕微鏡で観察し、接着剤層の分断性を以下の基準で評価した。
Ａ：接着剤層が完全に分断されていた。
Ｄ：接着剤層の少なくとも一箇所に分断されていない部分があった。

（カーフ幅）
個片化後の接着剤層付きチップの間隔（カーフ幅）を顕微鏡を用いて測長した。シリコンウェハ外周部（上下左右）の二箇所ずつと、中央部の一箇所についてＭＤ／ＴＤ方向のカーフ幅をそれぞれ測長（計１８点）し、平均値を求めた。以下の基準で評価した。
Ｓ：カーフ幅の平均値が１００μｍ以上１５０μｍ未満であった。
Ａ：カーフ幅の平均値が７０μｍ以上１００μｍ未満であった。
Ｂ：カーフ幅の平均値が５０μｍ以上７０μｍ未満であった。

（ピックアップ性）
上記の評価を実施した後、以下の条件で１００個の接着剤片付きチップをピックアップした。
＜ピックアップ条件＞
・ダイボンダ装置：ＤＢ−８３０Ｐ（ファスフォードテクノロジ株式会社製）
・突上げピン：ＥＪＥＣＴＯＲ ＮＥＥＤＬＥ ＳＥＮ２−８３−０５（直径：０．７ｍｍ、先端形状：半径３５０μｍの半球、マイクロメカニクス社製）
・突き上げ高さ：２５０μｍ
・突き上げ速度：１ｍｍ／秒
・突上げピン数：９本
＜評価基準＞
Ａ：ピックアップの成功率が１００％であった。
Ｂ：ピックアップの成功率が８０％以上１００％未満であった。
Ｃ：ピックアップの成功率が６０％以上８０％未満であった。

実施例１〜３に係るフィルムはプロセス性評価の結果がいずれも良好であった。特に、実施例１，２はカーフ幅の評価が「Ｓ」であった。実施例３はカーフ幅の評価が「Ａ」であり、比較例３と同じであるものの、比較例３よりもＭＤ／ＴＤバランスが良好であった。カーフ幅は、優れたピックアップ性を達成する観点から、ステルスダイシングのプロセスにおいて重要視される項目の一つである。

１…基材層、３…粘着剤層、３ａ…第１の領域、３ｂ…第２の領域、５…接着剤層、８…接着剤片付きチップ、１０…ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、Ｗ…ウェハ

Claims (9)

1. （Ａ）基材層、粘着剤層及び接着剤層がこの順序で積層されており、前記粘着剤層が活性エネルギー線の照射によって前記接着剤層に対する粘着力が予め低下している第１の領域を有するダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを準備する工程と、
   （Ｂ）ウェハに対してステルスダイシング、又はブレードによるハーフカットをする工程と、
   （Ｃ）前記接着剤層における、前記第１の領域に対応する領域に前記ウェハを貼る工程と、
   （Ｄ）前記基材層を冷却条件下においてエキスパンドすることによって、前記ウェハ及び前記接着剤層が個片化されてなる接着剤片付きチップを得る工程と、
   （Ｅ）前記粘着剤層に活性化エネルギー線を照射することによって、前記接着剤片付きチップに対する前記粘着剤層の粘着力を低下させる工程と、
   （Ｆ）前記基材層をエキスパンドした状態で前記接着剤片付きチップを前記粘着剤層からピックアップする工程と、
   （Ｇ）前記接着剤片付きチップを、基板又は他のチップ上にマウントする工程と、
   を含み、
   （Ａ）工程における前記ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムは、温度２３℃において剥離角度３０°及び剥離速度６０ｍｍ／分の条件で測定される、前記接着剤層に対する前記第１の領域の粘着力が６．０Ｎ／２５ｍｍ以上１２．５Ｎ／２５ｍｍ以下である、半導体装置の製造方法。
2. （Ｄ）工程で得られる前記接着剤片付きチップは、平面視において、正方形又は長方形の形状を有し且つ６．０ｍｍ以上の辺を有する、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記粘着剤層は、前記接着剤層に対する粘着力が前記第１の領域よりも大きい第２の領域を有し、
   （Ｃ）工程と同時又は（Ｄ）工程の前において、前記第２の領域にダイシングリングが貼り付けられる、請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 基材層と、
   接着剤層と、
   前記基材層と前記接着剤層の間に配置されており、活性エネルギー線の照射によって前記接着剤層に対する粘着力が予め低下している第１の領域を有する粘着剤層と、
   を備え、
   温度２３℃において剥離角度３０°及び剥離速度６０ｍｍ／分の条件で測定される、前記接着剤層に対する前記第１の領域の粘着力が６．０Ｎ／２５ｍｍ以上１２．５Ｎ／２５ｍｍ以下である、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム。
5. 前記第１の領域に対して１５０ｍＪ／ｃｍ^２の量の紫外線が照射された後、温度２３℃において剥離角度３０°及び剥離速度６０ｍｍ／分の条件で測定される、前記接着剤層に対する当該第１の領域の粘着力が１．２Ｎ／２５ｍｍ以下である、請求項４に記載のダイシング・ダイボンディング一体型フィルム。
6. ウェハを面積３０〜２５０ｍｍ^２の複数のチップに個片化する工程を含む半導体装置製造プロセスに適用される、請求項４又は５に記載のダイシング・ダイボンディング一体型フィルム。
7. 前記粘着剤層は、前記接着剤層に対する粘着力が前記第１の領域よりも大きい第２の領域を有する、請求項４〜６のいずれか一項に記載のダイシング・ダイボンディング一体型フィルム。
8. 請求項４〜７のいずれか一項に記載のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの製造方法であって、
   基材層の表面上に、活性エネルギー線が照射されることによって粘着力が低下する組成物からなる粘着剤層と、前記粘着剤層の表面上に形成された前記接着剤層とを含む積層体を作製する工程と、
   前記積層体に含まれる前記粘着剤層の前記第１の領域となる領域に活性エネルギー線を照射する工程と、
   をこの順序で含む、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの製造方法。
9. 請求項４〜７のいずれか一項に記載のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの製造方法であって、
   基材層の表面上に、活性エネルギー線が照射されることによって粘着力が低下する組成物からなる粘着剤層を形成する工程と、
   前記粘着剤層の前記第１の領域となる領域に活性エネルギー線を照射する工程と、
   前記活性エネルギー線を照射した後の前記粘着剤層の表面上に前記接着剤層を積層する工程と、
   をこの順序で含む、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの製造方法。

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