JP2021051128A - 電気光学装置の駆動方法、電気光学装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】サブフィールド駆動の温度補償において階調表現の品質の低下を防止する。【解決手段】フレーム期間を複数のサブフィールドに分割するとともに、当該複数のサブフィールドのうち、２つ以上を温度補償用とし、他の２つ以上を階調制御用とし、電気光学素子を、階調制御用のサブフィールドの各々にて階調レベルに応じてオンまたはオフさせ、第１温度において電気光学素子を、温度補償用のサブフィールドの各々にて階調レベル毎にオンまたはオフさせ、第１温度とは異なる第２温度に変化した場合に、階調レベル毎の階調変化量が、温度補償用のサブフィールドの各々に対応付けられたしきい値以上であるか否か判定し、しきい値以上である階調レベルに対応したサブフィールドにおけるオンまたはオフを第１温度のオンまたはオフから変更する。【選択図】図４

Description

本発明は、電気光学装置の駆動方法、電気光学装置および電子機器に関する。

液晶素子や有機ＥＬ素子などの電気光学素子によって画像を表示する電気光学装置では、フレーム期間を分割した複数のサブフィールド毎に、画素に対応する電気光学素子をオンまたはオフのいずれかに駆動する技術が知られている。なお、ＥＬとは、Electro Luminescenceの略語である。
サブフィールド駆動において、中間階調は、フレーム期間においてオンまたはオフで駆動する時間の占める割合を変化させることによって表現される。なお、フレーム期間とは、上位装置からの映像データで指定される映像の１コマを表示するのに要する期間をいう。

電気光学素子の電気的な変化に対する光学的な応答特性は温度に依存して変化する。例えば電気光学素子が液晶素子であれば、温度に対して、液晶の粘性が変化するので、温度が異なれば、フレーム期間においてオンする時間の占める割合が同じでも、表現される階調が異なってしまう。
そこで、サブフィールド駆動において温度に起因して階調の変化を補償するために、階調制御用のサブフィールドとは別に、温度補償用のサブフィールドを設けて、当該温度補償用のサブフィールドにおける期間長を温度に応じて可変に制御する技術が提案されている（例えば特許文献１参照）。

特開２０１０−１７７０３０号公報

しかしながら、上記技術では、温度を補償する場合に、電気光学素子を階調レベルに依らずに一律にオンさせるので、階調表現の品質が低下しやすい、という課題がある。

上記課題の一つを解決するために、本開示の一態様に係る電気光学装置の駆動方法は、走査線とデータ線とに対応して設けられ、前記走査線の選択時に、オンまたはオフに対応するデータ信号に応じて駆動される電気光学素子を、指定された階調レベルに応じた明るさとなるように制御する電気光学装置の駆動方法であって、フレーム期間を複数のサブフィールドに分割するとともに、当該複数のサブフィールドのうち、２つ以上を温度補償用とし、他の２つ以上を階調制御用とし、前記電気光学素子を、前記階調制御用のサブフィールドの各々にて前記階調レベルに応じてオンまたはオフさせ、第１温度において前記電気光学素子を、前記温度補償用のサブフィールドの各々にて前記階調レベル毎にオンまたはオフさせ、前記第１温度とは異なる第２温度に変化した場合に、前記階調レベル毎の階調変化量が、前記温度補償用のサブフィールドの各々に対応付けられたしきい値以上であるか否か判定し、前記しきい値以上である階調レベルに対応したサブフィールドにおけるオンまたはオフを前記第１温度のオンまたはオフから変更する。
また、本開示については、電気光学装置の駆動方法だけでなく、電気光学装置としても表現可能である。

電気光学装置における液晶パネルの構成を示す図である。 液晶パネルを示す斜視図である。 液晶パネルの構造を示す断面図である。 電気光学装置な構成を示すブロック図である。 液晶パネルにおける画素の等価回路を示す図である。 サブフィールドを示す図である。 第１実施形態において階調レベルに対する液晶素子の透過率が温度によって変化する例を示す図である。 階調レベル毎の透過率変化量の例を示す図である。 温度補償用のサブフィールドに対応付けられるしきい値の例を示す図である。 階調レベルの変化に対する補償用のサブフィールドのコードを示す図である。 電気光学装置の温度補償の動作を示す図である。 電気光学装置において選択される走査線の時間的推移を示す図である。 第１実施形態において温度変化に対する改善の例を示す図である。 第２実施形態において階調レベルの変化に対する温度補償用のサブフィールドのコードを示す図である。 第３実施形態において階調レベルの変化に対する温度補償用のサブフィールドのコードを示す図である。 第３実施形態の温度補償用のサブフィールドに対応付けられるしきい値の例を示す図である。 電気光学装置を適用した液晶プロジェクターを示す図である。

以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。

図１は、実施形態に係る電気光学装置の液晶パネル１００の構成を示す図である。この液晶パネル１００は、透過型であり、例えば液晶プロジェクターのライトバルブとして用いられる。液晶パネル１００は、矩形状の表示領域で開口する枠状のケース７２に収納される。液晶パネル１００にはＦＰＣ基板７４の一端が接続されている。なお、ＦＰＣとは、Flexible Printed Circuitsの略語である。ＦＰＣ基板７４の他端には、複数の端子７６が設けられて、図１では省略された表示制御回路に接続される。ＦＰＣ基板７４には、当該表示制御回路から複数の端子７６を介してデータ信号や制御信号が供給される。

図２は、液晶パネル１００を示す斜視図であり、図３は、図２におけるＨ−ｈ線で破断した断面図である。
これらの図に示されるように、液晶パネル１００は、画素電極１１８が設けられた素子基板１００ａと、コモン電極１０８が設けられた対向基板１００ｂとが、図示省略のスペーサーを含むシール材９０によって一定の間隙を保ちつつ、互いに電極形成面が対向するように貼り合わせられ、この間隙に液晶１０５が封入された構造である。

素子基板１００ａおよび対向基板１００ｂとしては、それぞれガラスや石英などの光透過性を有する基板が用いられる。図２に示されるように、素子基板１００ａにおける一辺は、対向基板１００ｂから張り出している。この張り出した領域に、上記一辺に沿って複数の端子１０６が設けられている。複数の端子１０６には、ＦＰＣ基板７４の一端が接続される。ＦＰＣ基板７４の他端は、表示制御回路に接続されて、上述した各種の信号が供給される。

素子基板１００ａにおいて対向基板１００ｂに向かう面には、画素電極１１８が、例えばＩＴＯなどの透明性を有する導電層のパターニングによって形成される。なお、ＩＴＯは、Indium Tin Oxideの略語である。
なお、対向基板１００ｂに設けられるコモン電極１０８は、銀ペースト等などの導通材（図示省略）によって、素子基板１００ａに形成された複数の端子１０６のいずれかに電気的に接続されて、時間的にほぼ一定の電圧Ｖcomが印加される。
また、素子基板１００ａの対向面および対向基板１００ｂの対向面には、電極以外にも様々な要素が設けられるが、図では省略されている。

図４は、電気光学装置１の電気的な構成を示すブロック図であり、図５は、液晶パネル１００における画素回路Ｐの等価回路を示す図である。図４に示されるように、電気光学装置１は、表示制御回路３と温度検出部４０と液晶パネル１００とを含む。このうち、表示制御回路３は、処理回路３０と走査制御回路３５とを含む。
液晶パネル１００は、Ｘ方向に延在して形成されたｍ行の走査線１１２と、Ｙ方向に延在して形成されたｎ列のデータ線１１４と、ｍ行の走査線１１２およびｎ列のデータ線１１４との各交差に対応して形成された画素回路Ｐと、走査線駆動回路１３０と、データ線駆動回路１４０と、を含む。なお、ｍ、ｎはいずれも２以上の整数である。
温度検出部４０は、液晶パネル１００の温度を検出し、検出した温度の情報Ｔmpを処理回路３０に出力する。

表示制御回路３には、上位装置から映像データＶid-inおよび同期信号Ｓyncが供給される。映像データＶid-inは、液晶パネル１００で表示させる画像の階調レベルを画素毎に例えば１０ビットで指定する。また、同期信号Ｓyncには、画素の配列領域における走査開始を指示する垂直同期信号や、上記配列領域の水平走査の開始を指示する水平同期信号、および、映像データＶid-inの１画素分のタイミングを示すドットクロック信号が含まれる。

表示制御回路３において、走査制御回路３５は、同期信号Ｓyncに基づいて、走査線駆動回路１３０、データ線駆動回路１４０および処理回路３０を制御する。具体的には、走査制御回路３５は、同期信号Ｓyncに基づいて制御信号Ｘctr、Ｙctr、情報ＳfnおよびＳlnを生成し、このうち、情報ＳfnおよびＳlnを処理回路３０に供給して、当該処理回路３０を制御する。また、走査制御回路３５は、制御信号Ｙctrおよび情報Ｓlnによって走査線駆動回路１３０を制御し、制御信号Ｘctrによってデータ線駆動回路１４０を制御する。

なお、情報ＳfnおよびＳlnについては、詳述するが、情報Ｓlnは、走査線駆動回路１３０に選択させる走査線１１２を示す情報である。情報Ｓfnは、情報Ｓlnにしたがって走査線１１２が選択される場合に、どのサブフィールドに対応するコードを出力すべきかを示す情報である。ここで、サブフィールドに対応するコードとは、サブフィールド毎に、画素回路Ｐに含まれる液晶素子を「ＯＮ」または「ＯＦＦ」のいずれかで駆動すべきことを示す２値的な情報である。

処理回路３０は、テーブルＴ１、Ｔ２およびＴ３を含む。このうち、テーブルＴ１には、階調レベルの「０」から「１０２３」までに対応して階調制御用のサブフィールドにおけるコードが記憶される。テーブルＴ２には、階調レベルの「０」から「１０２３」までに対応して温度補償用のサブフィールドにおけるコードが記憶される。また、テーブルＴ３には、階調レベルの「０」から「１０２３」までに対応した透過率変化量が記憶されている。
処理回路３０は映像データＶid-inで指定される階調レベルを、テーブルＴ１を参照して階調制御用のサブフィールドコードに変換して、一旦記憶し、情報ＳfnよびＳlnに基づいてコードを読み出し、当該コードをデータ信号Ｖsfに変換して、データ線駆動回路１４０に供給する。

なお、本実施形態において、サブフィールドには、階調制御用とは別に、温度補償用のサブフィールドが設けられる。本実施形態では、温度補償用のサブフィールドにも液晶素子を「ＯＮ」または「ＯＦＦ」のいずれかで駆動すべきこと示すコードが割り当てられるが、温度の情報Ｔmpに応じて当該コードが変更される。この変更については後述する。

走査線駆動回路１３０は、走査制御回路３５から供給される制御信号Ｙctrおよび情報Ｓlnにしたがって走査線１１２を１行ずつ選択して、選択した走査線１１２にＨレベルの走査信号を供給し、選択していない走査線１１２にＬレベルの走査信号を供給する。なお、図４では、上から順に１行目、２行目、３行目、…、ｍ行目の走査線１１２に供給される走査信号をＹ１、Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙｍと表記している。
データ線駆動回路１４０は、処理回路３０から出力されたデータ信号Ｖsfを、走査制御回路３５から供給される制御信号Ｘctrにしたがって１行分ラッチし、走査線駆動回路１３０による走査線１１２の選択に合わせてデータ線１１４に出力する。なお、図４では、左から順に１列目、２列目、３列目、…、ｎ列目のデータ線１１４に供給されるデータ信号をＸ１、Ｘ２、Ｘ３、…、Ｘｎと表記している。

画素回路Ｐは、走査線１１２とデータ線１１４との交差に対応して設けられ、トランジスター１１６と液晶素子５とを含む。トランジスター１１６は、例えばＮチャネル型の薄膜トランジスターであり、ゲート電極が走査線１１２に接続され、ソース電極がデータ線１１４に接続され、ドレイン電極が画素電極１１８に接続される。
上述したように画素電極１１８は、電圧Ｖcomが印加されたコモン電極１０８と対向し、さらに、両電極間に液晶１０５が封入されるので、液晶素子５は、一端を画素電極１１８とし、他端をコモン電極１０８として液晶１０５を挟持した容量と等価になる。

このような構成において、ある１行の走査線１１２と、ある１列のデータ線１１４との交差に対応する画素回路Ｐにおいて、当該走査線１１２に供給される走査信号がＨレベルになると、当該画素回路Ｐでは、トランジスター１１６がオンする。このため、当該画素回路Ｐにおいて液晶素子５の画素電極１１８には、当該データ線１１４に供給されたデータ信号の電圧が印加される。
当該走査線１１２に供給される走査信号がＬレベルになると、トランジスター１１６がオフするが、液晶素子５は、トランジスター１１６がオンのときに画素電極１１８に印加された電圧とコモン電極１０８に印加された電圧Ｖcomとの差電圧が、その容量性により保持される。

素子基板１００ａおよび対向基板１００ｂの各対向面には、それぞれ液晶１０５における分子方向が所定方向に配向させる配向膜が設けられる一方、その各背面側には、吸収軸が配向方向に応じた方向になるように、偏光子がそれぞれ設けられている。
本実施形態において、液晶素子５をノーマリーブラックモードとした場合、画素回路Ｐでは、液晶素子５の保持電圧がゼロであれば、透過率が最小となる一方、保持電圧が高くなるにつれて、透過率が徐々に増加する。配向膜や偏光子などについては、本件とは直接関係しないので、その図示について省略されている。
なお、ここでは液晶パネル１００を透過型としているので、透過率としているが、反射型であれば、透過率を反射率として読み替えることができる。また、電気光学素子としてＯＬＥＤのような自発光型を用いるのであれば、明るさを示す比率に読み替えることができる。

ノーマリーブラックモードにおいて、最も暗い状態の透過率を０％とし、最も明るい状態の透過率を１００％として正規化したとき、液晶素子への印加電圧のうち、相対透過率が１０％となる電圧を光学的しきい値電圧といい、相対透過率が９０％となる電圧を光学的飽和電圧という。
電圧変調方式において、画素回路Ｐを中間階調とさせる場合であれば、液晶素子５には、光学的しきい値以上であって光学的飽和電圧以下の電圧が印加されるように設計される。このように設計されると、画素回路Ｐの透過率は、液晶素子への印加電圧に反映した値となる。

電圧変調方式に対して、本実施形態ではサブフィールド駆動方式であるから、液晶素子５への印加電圧を飽和電圧以上とするオン、または、しきい値電圧以下のオフのいずれか一方で駆動する構成となっている。この構成において、画素回路Ｐにおいて中間階調を表現するために、フレーム期間を複数に分割したサブフィールドを単位として液晶素子５をオンまたはオフで駆動して、フレーム期間にわたったオンまたはオフで駆動する期間の配分を制御する構成となっている。

図６は、本実施形態におけるサブフィールドの配列の一例を示す図である。この図に示されるように、フレーム期間１Ｆは、時間的な順序でみて、４個のグループＧ１〜Ｇ４に分割されるとともに、各グループではさらに５個のサブフィールドに分割される。したがって、フレーム期間１Ｆは、計２０個のサブフィールドに分割される。
４個のグループのうち、時間的に第１番目のグループＧ１は、サブフィールドＣ_Ｓf1およびＳf1〜Ｓf4を含み、第２番目のグループＧ２は、サブフィールドＣ_Ｓf2およびＳf5〜Ｓf8を含み、第３番目のグループＧ３は、サブフィールドＣ_Ｓf3およびＳf9〜Ｓf12を含み、第４番目のグループＧ４は、サブフィールドＣ_Ｓf4およびＳf13〜Ｓf16を含む。

なお、２０個のサブフィールドの期間長は、次のように設定されている。具体的には、グループＧ１でいえば、サブフィールドＣ_Ｓf1の期間長が最も短く、以下、サブフィールドＳf1、Ｓf2、Ｓf3およびＳf4の期間が、この順で長く設定される。同様に、グループＧ２においても、サブフィールドＣ_Ｓf2、Ｓf5、Ｓf6、Ｓf7、Ｓf8の順で期間長が長く設定される。グループＧ３においても、サブフィールドＣ_Ｓf3、Ｓf9、Ｓf10、Ｓf11、Ｓf12の順で期間長が長く設定され、グループＧ４においても、サブフィールドＣ_Ｓf4、Ｓf13、Ｓf14、Ｓf15、Ｓf16の順で期間長が長く設定される。

本実施形態では、映像データＶidで指定される階調レベルに応じて液晶素子５をオンするか、または、オフするかを指定するコードについて、次のような特性となるように、１６個のサブフィールドＳf1〜Ｓf16に割り当てられる。

図７は、階調レベルに対する液晶素子５の透過率の特性を示す図である。図において横軸は階調レベルである。本実施形態では、階調レベルが１０ビットであるから、十進値に換算した場合には「０」から「１０２３」までの整数となる。また、図において縦軸は正規化された透過率である。
基準温度（例えば６０℃）において階調レベルと透過率との関係は、太い実線で示されるように、リニアな特性ではなく、ヒトの被視感度を考慮して、ガンマ係数が「２．２」である弓なりの特性である。なお、この特性が目標とする特性である。
ある階調レベルにおいて液晶素子５を、サブフィールドＳf1〜Ｓf16の各々でオンまたはオフとするかについては、図７に示される特性において当該階調レベルに対応する透過率に近づけるように設定される。このような設定が階調レベルの１０２４通りのすべてに対応して実行されて、階調レベルの「０」から「１０２３」までの各々についてサブフィールドＳf1〜Ｓf16のコードが例えばテーブルＴ１（図４参照）として処理回路３０に記憶される。なお、具体的なテーブルの内容については図示を省略する。

階調レベルに対する透過率は、基準温度では、ほぼ図７における太い実線であるが、液晶パネル１００の温度が基準温度から上昇した場合に細い実線で示されるように変化し、逆に基準温度から低下した場合に破線で示されるように変化する。詳細には、液晶パネル１００の温度が上昇した場合、階調レベルＡ未満の低階調側では透過率が上昇し、階調レベルＡ以上の高階調側では透過率が低下するのに対して、液晶パネル１００の温度が低下した場合、低階調側では透過率が低下し、高階調側では透過率が上昇する。

なお、階調レベルＡは、液晶パネル１００によって異なるが、この説明では例えば十進値で「７６８」としている。
また、基準温度を例えば６０℃としている理由は、液晶パネル１００を液晶プロジェクターに用いた場合に、当該液晶プロジェクターを使用する場合、環境温度に比べて照明光により加温されて比較的高温になりやすいからである。

ここで、第１実施形態では説明を簡略化するため、液晶パネル１００が基準温度から低下する場合のみ、透過率特性の変化を補償する構成とする。
階調レベルＡは、サブフィールドＳf1〜Ｓf16の各期間長が固定であれば、図７に示されるように温度変化に対して変動しない。このため、温度補償をするためには基準温度から低下した場合に、透過率を、階調レベルＡ未満の低階調側では上昇させ、階調レベルＡ以上の高階調側では低下させればよい。
そこで、第１実施形態では、第１に、階調レベルを制御するためのサブフィールドＳf1〜Ｓf16とは別に、サブフィールドＣ_Ｓf1〜Ｃ_Ｓf4を設ける。第２に、温度が低下したときに、低階調側では透過率を上昇させるために、サブフィールドＣ_Ｓf1〜Ｃ_Ｓf4に対して基準温度では液晶素子５を「ＯＦＦ」させるコードを割り当て、高階調側では透過率を低下させるために、サブフィールドＣ_Ｓf1〜Ｃ_Ｓf4に対して基準温度では液晶素子５を「ＯＮ」させるコードを割り当てる。
なお、厳密にいえば基準温度において、低階調側では、サブフィールドＣ_Ｓf1〜Ｃ_Ｓf4に「ＯＦＦ」のコードが割り当てられ、高階調側では、サブフィールドＣ_Ｓf1〜Ｃ_Ｓf4に「ＯＮ」のコードが割り当てられるので、この割り当てを見越して、階調レベル毎にサブフィールドＳf1〜Ｓf16のコードが、目標とする透過率となるように設定される。

次に、温度が低下したときに、具体的に、サブフィールドＣ_Ｓf1〜Ｃ_Ｓf4のコードをどのように変更するかについて説明する。

図８は、液晶パネル１００の温度が基準温度から例えば５℃低下した場合に、階調レベルの「２５６」から「２６１」までにおいて、液晶素子５の透過率がどのように変化するのかを示す図である。なお、透過率変化量とは、階調レベルに換算されている。例えば、図において階調レベルの「２５６」における透過率変化量の「−１０．３３」とは、階調レベルが「２５６」から「１０．３３」だけ低下した階調レベルの「２４５．６７」に相当する透過率であることを意味する。
また、図８では、階調レベルの「２５６」から「２６１」までにおける透過率変化量を示しているが、実際には、階調レベルの「０」から「１０２３」までのすべてについて、透過率変化量が予め測定されて、テーブルＴ３（図４参照）として記憶される。
なお、階調レベルの「２５６」から「２６１」までは、いずれも階調レベルＡ未満であるから、温度が低下したときに、透過率が低下する。このため、図８において、透過率変化量は負の値で示されている。階調レベルＡ以上の階調レベルについては、温度が低下したときに、透過率が概ね上昇するので、特に図示しないが透過率変化量が正の値となる。

図８に示される透過率変化量は、概ね図７における破線で示される特性に沿っているが、階調レベル毎に差がある。このように階調レベル毎に透過率変化量に差がある状態で一律に補償をすると、ある階調レベルについては過補償となったり、別の階調レベルについては補償不足となったりしてしまう。
そこで、第１実施形態では、サブフィールドＣ_Ｓf1〜Ｃ_Ｓf4毎に、透過率変化量のしきい値を対応付け、液晶パネル１００の温度が基準温度から５℃低下した場合に、ある階調レベルの透過率変化量がサブフィールドＣ_Ｓf1〜Ｃ_Ｓf4に対応付けられたしきい値以上となったとき、当該階調レベルにおいて、当該サブフィールドのコードを変更する構成としている。

図９は、サブフィールドＣ_Ｓf1〜Ｃ_Ｓf4毎に対応付けられた透過率変化量のしきい値の一例を示す図である。
この図は、液晶パネル１００の温度が基準温度から５℃低下した場合に、サブフィールドＣ_Ｓf1〜Ｃ_Ｓf4のコードのうち、階調レベルＡ未満の階調レベルにおける透過率変化量が絶対値で見てしきい値以上となったとき、当該階調レベルに対応するサブフィールドのコードを「ＯＦＦ」から「ＯＮ」に変更されることを示している。
なお、図９の例では、透過率変化量が「３．５」ずつ低下するにつれて、サブフィールドＣ_Ｓf1、Ｃ_Ｓf3、Ｃ_Ｓf2、Ｓf4のコードが、この順で「ＯＮ」に変更されることを示している。

すなわち、第１実施形態では、ある階調レベルにおける透過率変化量が絶対値で見てサブフィールドＣ_Ｓf1に対応付けられたしきい値以上であれば、当該サブフィールドＣ_Ｓf1のコードが「ＯＮ」に変更される。
また、ある階調レベルにおける透過率変化量が絶対値で見てサブフィールドＣ_Ｓf3に対応付けられたしきい値以上であれば、サブフィールドＣ_Ｓf1およびＣ_Ｓf3のコードが「ＯＮ」に変更される。
同様に、ある階調レベルにおける透過率変化量が絶対値で見てサブフィールドＣ_Ｓf2に対応付けられたしきい値以上であれば、サブフィールドＣ_Ｓf1、Ｃ_Ｓf2およびＣ_Ｓf3のコードが「ＯＮ」に変更される。
そして、ある階調レベルにおける透過率変化量が絶対値で見てサブフィールドＣ_Ｓf4に対応付けられたしきい値以上であれば、サブフィールドＣ_Ｓf1、Ｃ_Ｓf2、Ｃ_Ｓf3およびＣ_Ｓf4のコードが「ＯＮ」に変更される。

具体的には、処理回路３０は、液晶パネル１００の温度が基準温度から５℃以上低下した場合に、階調レベルの「０」から「１０２３」までについて、温度補償用のサブフィールドＣ_Ｓf1〜Ｃ_Ｓf4のコードを変更して、テーブルＴ２を書き換える。

図１０は、階調レベルの「２５６」から「２６１」までにおけるサブフィールドＣ_Ｓf1〜Ｃ_Ｓf4のコードが、どのように変化するのかを示す図である。なお、階調レベルの「２５６」から「２６１」までは、いずれも階調レベルＡ未満である。このため、基準温度（補償前）におけるサブフィールドＣ_Ｓf1〜Ｃ_Ｓf4のコードは、いずれも「ＯＦＦ」である。
液晶パネル１００の温度が基準温度から５℃低下した場合に、階調レベルの「２５６」の透過率変化は図８または図１０に示されるように「−１０．３３」である。透過率変化の「−１０．３３」は、絶対値でみて図９におけるサブフィールドＣ_Ｓf3のしきい値以上であり、サブフィールドＣ_Ｓf2のしきい値未満である。この場合、処理回路３０は、サブフィールドＣ_Ｓf1、Ｃ_Ｓf3のコードを、図１０に示されるように、「ＯＦＦ」から「ＯＮ」に変更し、サブフィールドＣ_Ｓf2、Ｃ_Ｓf4のコードを「ＯＦＦ」に維持する。

また、階調レベルの「２５７」の透過率変化は「−１４．７１」である。透過率変化の「−１４．７１」は、絶対値でみて図９におけるサブフィールドＳf4のしきい値以上である。この場合、処理回路３０は、サブフィールドＣ_Ｓf1〜Ｃ_Ｓf4のコードを、すべて「ＯＦＦ」から「ＯＮ」に変更する。
液晶パネル１００の温度が基準温度から５℃低下した場合に、図１０における他の階調レベルの「２５８」から「２６１」までについても、同様にして、処理回路３０は、サブフィールドＣ_Ｓf1〜Ｃ_Ｓf4のコードのうち、透過率変化量がしきい値以上となるコードが変更される。なお、階調レベルＡ未満の他の階調レベルについても、特に図示しないが、同様にしてサブフィールドＣ_Ｓf1〜Ｃ_Ｓf4のコードが変更される。

一方、階調レベルＡ以上については、基準温度（補償前）におけるサブフィールドＣ_Ｓf1〜Ｃ_Ｓf4のコードは、いずれも「ＯＮ」である。このため、階調レベルＡ以上の階調レベルについては、液晶パネル１００の温度が基準温度から５℃低下した場合、処理回路３０は、透過率変化が絶対値でみてサブフィールドＣ_Ｓf1〜Ｃ_Ｓf4の各しきい値以上であるか否かを判定し、しきい値以上であるサブフィールドのコードを「ＯＦＦ」に変更する構成となる。

このような、温度に応じて温度補償用のサブフィールドＣ_Ｓf1〜Ｃ_Ｓf4におけるコードを変更する動作については、次のようなフローチャートでまとめられる。

図１１は、サブフィールドＣ_Ｓf1〜Ｃ_Ｓf4におけるコードの変更動作を示すフローチャートである。
まず、処理回路３０は、温度検出部４０から情報Ｔmpを取得して、液晶パネル１００の温度を把握する（ステップＳ１０）。
次に、処理回路３０は、液晶パネル１００の温度が所定範囲外であるか否かを判定する（ステップＳ１１）。第１実施形態において所定範囲外とは、液晶パネル１００の温度が基準温度から５℃以上低下した場合をいう。
したがって、処理回路３０は、液晶パネル１００の温度が所定範囲外でなければ（ステップＳ１１の判定結果が「Ｎｏ」であれば）、すなわち、液晶パネル１００の温度が５℃以上低下していなければ、サブフィールドＣ_Ｓf1〜Ｃ_Ｓf4におけるコードとして基準温度のコードを用いる（ステップＳ１２）。

なお、第１実施形態では、基準温度においてサブフィールドＣ_Ｓf1〜Ｃ_Ｓf4のコードは、階調レベルＡ未満であれば、いずれも「ＯＦＦ」であり、階調レベルＡ以上であれば、いずれも「ＯＮ」である。
この後、液晶パネル１００の温度変化に備えて、処理手順がステップＳ１０に戻る。

一方、処理回路３０は、液晶パネル１００の温度が所定範囲外であれば（ステップＳ１１の判定結果が「Ｙｅｓ」であれば）、すなわち、液晶パネル１００の温度が５℃以上低下したならば、テーブルＴ３から、階調レベルの「０」から「１０２３」までに対応した透過率変化量を読み出す（ステップＳ１３）。
次に、処理回路３０は、読み出した透過率変化量と、サブフィールドＣ_Ｓf1〜Ｃ_Ｓf4に対応付けられたしきい値とを比較する（ステップＳ１４）。
処理回路３０は、ある階調レベルの透過率変化量が絶対値でみてサブフィールドＣ_Ｓf1〜Ｃ_Ｓf4に対応付けられたしきい値以上であれば、しきい値以上であるサブフィールドのコードを基準温度のコードから変更する（ステップＳ１５）。

処理回路３０は、透過率変化量とサブフィールドＣ_Ｓf1〜Ｃ_Ｓf4に対応付けられたしきい値との比較、および、コードの変更を、階調レベルの「０」から「１０２３」までのすべてについて実行する。
また、以降において、サブフィールドＣ_Ｓf1〜Ｃ_Ｓf4については、変更したコードにしたがって液晶素子５がオンまたはオフに駆動される。
この後、液晶パネル１００の温度変化に備えて、処理手順がステップＳ１０に戻る。処理回路３０は、ステップＳ１０〜Ｓ１５の処理を所定期間（例えば３０秒）毎に繰り返し実行することで、液晶パネル１００が基準温度から低下したときでも、階調レベルに対する透過率特性を、目標特性に近くなるように補償することができる。

なお、階調レベルに応じた階調制御用のサブフィールドＳf1〜Ｓf16のコードは、温度によって変更されない。

本実施形態において、液晶パネル１００の温度に応じたサブフィールドＣ_Ｓf1〜Ｃ_Ｓf4およびＳf1〜Ｓf4のコードは、次のようにして画素回路Ｐの液晶素子５にデータ信号として書き込まれる。

図１２は、走査線１１２の行数である１行目からｍ行目までを縦軸にとり、経過時間を横軸とったときに、走査信号Ｙ１〜Ｙｍによって選択される走査線の時間的推移を示す図である。
走査線１１２の選択を仮に走査線毎の黒点で示したとき、走査線１１２は１行ずつ排他的に選択されるので、選択される走査線は、時間経過とともに順次１行目からｍ行目に移行する。このため、選択される走査線を示す黒点が、時間経過とともに、右下がりの連続点で示されることになり、図では、簡略的に表記するために右下がりの実線で示されている。

あるサブフィールドにおいて、ｉ行目の走査線１１２が選択されたとき、ｊ列目のデータ線１１４には、当該サブフィールドにおいて、ｉ行ｊ列の液晶素子５の「ＯＮ」または「ＯＦＦ」を指定するコードに対応したデータ信号が供給される。このため、当該サブフィールドにおいて、ｉ行ｊ列の液晶素子５は、指定されたオンまたはオフで駆動される。

図１３は、第１実施形態における階調レベルに対する透過率特性の改善を示す図である。詳細には、図１３において、実線の細線は、ガンマ係数が「２．２」の目標とすべき特性である。液晶パネル１００の温度が基準温度から５℃低下した場合、破線が補償なしの場合の特性であり、図７における破線と同一であるのに対し、本実施形態では、実線の太線に示されるように、目標の特性に近づけることができる。

サブフィールドＣ_Ｓf1〜Ｃ_Ｓf4を設けずに、サブフィールドＳf1〜Ｓf16のコードを、温度変化に応じて変更する構成においても、階調レベルに対する透過率特性を目標特性に維持することは可能である。しかしながら、このような構成では、基準温度とは別に、想定される変化温度に対応したサブフィールドＳf1〜Ｓf16のコードを定める必要がある。すなわち、透過率を測定する手間や、測定した透過率に対してどのようなコードをサブフィールドＳf1〜Ｓf16に割り当てるべきかを定める必要があり、非常に煩雑である。
これに対して、本実施形態では、温度補償用のサブフィールドＣ_Ｓf1〜Ｃ_Ｓf4を設けて、温度変化に対してサブフィールドＣ_Ｓf1〜Ｃ_Ｓf4のコードだけを変更し、サブフィールドＳf1〜Ｓf16のコードについては変更しないので、上記手間に伴う煩雑さを回避するこができる。

また、各サブフィールドの期間長やフレーム周波数等を温度変化に応じて変更して、階調レベルに対する透過率特性を目標特性に維持することは可能である。しかしながら、この構成では、温度に応じてクロック等を変更する必要があり、構成の複雑化が避けられない。これに対して、本実施形態では、各サブフィールドの期間長やフレーム周波数等を温度変化に応じて変更しないので、上記構成と比較して、構成の複雑化を回避するこができる。

上述した第１実施形態では、液晶パネル１００の温度が基準温度から５℃以上低下した場合を問題としたが、例えば半分の２．５℃低下した場合について検討する。２．５℃低下する場合においても、各階調レベルの透過率変化量を予め測定して、例えばテーブル化し、実際に液晶パネル１００の温度が２．５℃低下した場合には、５℃低下した場合と同様に、しきい値と比較して、サブフィールドＣ_Ｓf1〜Ｃ_Ｓf4のコードを変更する構成でも対応可能である。
ただし、液晶パネル１００の使用が想定される温度にわたって、各階調レベルの透過率変化量を予め求めて測定して、温度毎にテーブル化しておくのは、透過率の測定に手間がかかるだけでなく、構成も複雑化するので、現実的ではない。
一方、透過率変化量と温度とは、ほぼリニアな関係にある。

すなわち、液晶パネル１００の温度が２．５℃低下した場合における透過率変化量は、５℃低下した場合における透過率変化量の半分であると推定されるので、このことを利用した第２実施形態について説明する。

図１４は、液晶パネル１００の温度が基準温度から２．５℃低下した場合に、階調レベルの「２５６」から「２６１」までにおけるサブフィールドＣ_Ｓf1〜Ｃ_Ｓf4のコードが、どのように変化するのかを示す図である。図１４に示されるように、液晶パネル１００の温度が基準温度から２．５℃低下した場合の透過率変化量は、図１０に示される透過率変化量、すなわち５℃低下した場合における透過率変化量の１／２としている。
液晶パネル１００の温度が基準温度から２．５℃低下した場合に、階調レベルの「２５６」の透過率変化は図１４に示されるように「−５．１７」である。透過率変化の「−５．１７」は、絶対値でみて図９におけるサブフィールドＣ_Ｓf1のしきい値以上であって、サブフィールドＣ_Ｓf2〜Ｃ_Ｓf4のしきい値未満である。このため、処理回路３０は、液晶パネル１００の温度が基準温度から２．５℃低下した場合（補償後）に、サブフィールドＣ_Ｓf1のコードのみを、図１０に示されるように、「ＯＦＦ」から「ＯＮ」に変更する。

なお、他の階調レベルについても、同様にして、液晶パネル１００の温度が基準温度から２．５℃低下した場合に、サブフィールドＣ_Ｓf1〜Ｃ_Ｓf4のコードのうち、透過率変化量がしきい値以上となるコードが変更される。

第２実施形態によれば、液晶パネル１００の使用が想定される温度毎に、かつ、階調レベル毎に透過率変化量を測定する必要がない。

第２実施形態では、液晶パネル１００の温度が２．５℃低下した場合を想定したが、例えば７．５℃、１０℃、１２．５℃低下した場合を想定してもよい。液晶パネル１００の温度が７．５℃、１０℃、１２．５℃低下した場合における透過率変化量は、５℃低下した場合における透過率変化量のそれぞれ１．５倍、２倍、２．５倍とする。
具体的には、処理回路３０は、基準温度と、透過率変化量を測定した温度（基準温度から５℃低下させた温度）との差に対する、情報Ｔmpで示される温度と基準温度との差に対する比率を、透過率変化量に乗じて補正し、当該補正した透過率変化量と、サブフィールドＣ_Ｓf1〜Ｃ_Ｓf4に対応づけられたしきい値との大小関係を判定し、当該判定結果に応じてサブフィールドＣ_Ｓf1〜Ｃ_Ｓf4のコードを変更すればよい。

上述した第１実施形態および第２実施形態では、第１および第２の実施の形態では、液晶パネル１００の温度が基準温度よりも低下した場合についてのみ補償する構成とした。
この場合に限られず、液晶パネル１００の温度が基準温度よりも上昇した場合についても補償が可能である。
具体的には、液晶パネル１００の温度が基準温度よりも上昇した場合、透過率特性は、図７において細い実線で示される特性になる。このため、単純には、サブフィールドＣ_Ｓf1〜Ｃ_Ｓf4のコードを、低階調側では透過率変化量に応じて「ＯＦＦ」に、高階調側では透過率変化量に応じて「ＯＮ」に、変更する構成であればよい。
ただし、このような構成では、液晶パネル１００が基準温度である場合に温度上昇に備えて、低階調側ではサブフィールドＣ_Ｓf1〜Ｃ_Ｓf4のコードの一部または全部を「ＯＮ」に設定し、実際に温度上昇したときに、当該「ＯＮ」のコードを「ＯＦＦ」に変更する必要がある。このような設定では、階調レベルが最低の「０」であっても、サブフィールドＣ_Ｓf1〜Ｃ_Ｓf4のコードが「ＯＮ」となっているものがあるので、液晶素子５の透過率が上昇し、いわゆる黒浮きが発生する結果、コントラストの低下を招く。
そこで、コントラストの低下を抑えつつ、液晶パネル１００の温度が上昇した場合についても補償が可能な第３実施形態について説明する。

第３実施形態では、第１に、階調レベルＡよりも低階調側に階調レベルＢを設け、基準温度において、当該階調レベルＢよりも低階調側の階調レベルについてはサブフィールドＣ_Ｓf1〜Ｃ_Ｓf4のコードをすべて「ＯＦＦ」に設定する。なお、階調レベルＢは、例えば十進値で「６４」である。
第２に、基準温度において、階調レベルＢ以上であって階調レベルＡ未満の階調レベルについてはサブフィールドＣ_Ｓf1およびＣ_Ｓf3のコードを「ＯＦＦ」に、サブフィールドＣ_Ｓf2およびＣ_Ｓf4のコードを「ＯＮ」に、それぞれ設定する。
第３に、基準温度において、階調レベルＡ以上の階調レベルについてはサブフィールドＣ_Ｓf1およびＣ_Ｓf3のコードを「ＯＮ」に、サブフィールドＣ_Ｓf2およびＣ_Ｓf4のコードを「ＯＦＦ」に、それぞれ設定する。
第４に、サブフィールドＣ_Ｓf1〜Ｃ_Ｓf4毎に対応付けられた透過率変化量のしきい値を例えば図１５に示される内容とする。
なお、第３実施形態では、液晶パネル１００の温度が基準温度から低下のみならず、上昇する場合にも対処するので、しきい値については、低温用のしきい値と高温用のしきい値とが用意される。詳細には、原則的に、液晶パネル１００の温度が基準温度から低下した場合には、サブフィールドＣ_Ｓf1およびＣ_Ｓf3のコードを反転することで対処し、基準温度から上昇した場合には、サブフィールドＣ_Ｓf2およびＣ_Ｓf4のコードを反転することで対処する。

なお、第３施形態では、指定された階調レベルが階調レベルＢ以上であって階調レベルＡ未満である場合に、液晶パネル１００の温度が基準温度から５℃低下したとき、当該階調レベルにおける透過率変化量が絶対値で見てサブフィールドＣ_Ｓf1に対応付けられたしきい値以上であれば、サブフィールドＣ_Ｓf1のコードが「ＯＮ」に変更され、サブフィールドＣ_Ｓf3に対応付けられたしきい値以上であれば、サブフィールドＣ_Ｓf1およびＣ_Ｓf3のコードが「ＯＮ」に変更される。
また、この場合に、液晶パネル１００の温度が基準温度から５℃上昇したとき、当該階調レベルにおける透過率変化量が絶対値で見てサブフィールドＣ_Ｓf2に対応付けられたしきい値以上であれば、サブフィールドＣ_Ｓf2のコードが「ＯＦＦ」に変更され、サブフィールドＣ_Ｓf4に対応付けられたしきい値以上であれば、サブフィールドＣ_Ｓf2およびＣ_Ｓf4のコードが「ＯＦＦ」に変更される。

図１５は、液晶パネル１００の温度が基準温度から５℃低下した場合と、５℃上昇した場合とにおけるサブフィールドＣ_Ｓf1〜Ｃ_Ｓf4のコードが、どのように変化するのかを示す図である。
なお、図１５では、階調レベルＢ未満として階調レベルの「６１」から「６３」までを例示し、階調レベルＢ以上であって階調レベルＡ未満として階調レベルの「２５６」から「２６１」までを例示している。

第３実施形態では、基準温度（補償前）において、当該階調レベルＢよりも低階調側の階調レベルについてはサブフィールドＣ_Ｓf1〜Ｃ_Ｓf4のコードがすべて「ＯＦＦ」であるので、温度が上昇した場合に透過率を低下させる方向の補償をすることができない。
具体的には、図１５において、階調レベルの「６１」では高温側の透過率変化量は「２．５３」であり、この値は、絶対値でみて図１６におけるサブフィールドＣ_Ｓf2の高温側しきい値の「＋２．５」以上である。階調レベルの「６１」において基準温度（補償前）のサブフィールドＣ_Ｓf2のコードは「ＯＦＦ」であるので、原則に従えば、階調レベルの「６１」におけるサブフィールドＣ_Ｓf2のコードを「ＯＦＦ」から「ＯＮ」に変更すべきである。
ただし、階調レベルの「６１」におけるサブフィールドＣ_Ｓf2のコードを「ＯＦＦ」から「ＯＮ」に変更すると、透過率を上昇させる方向の補償になり、目的と合致しない。
このため、第３実施形態では、階調レベルＢよりも低階調側では、温度が上昇した場合に例外的に透過率の補償をしない構成としている。

なお、図１５において、階調レベルの「６２」では低温側の透過率変化量が「−７．３３３」であり、この値は、絶対値でみて図１６におけるサブフィールドＣ_Ｓf1の低温側しきい値の「−７．０」以上である。このため、液晶パネル１００の温度が基準温度から５℃低下した場合、階調レベルの「６２」におけるサブフィールドＣ_Ｓf1のコードが「ＯＦＦ」から「ＯＮ」に変更される。

また、階調レベルＢ以上であって階調レベルＡ未満の範囲における階調レベルでは、液晶パネル１００の温度が基準温度から変化した場合、上述したようにサブフィールドＣ_Ｓf1〜Ｃ_Ｓf4のコードが変更される。

例えば、当該範囲の階調レベルの「２５６」では、透過率変化量が低温側では「−１０．３３」であり、絶対値でみてサブフィールドＣ_Ｓf1における低温側しきい値の「−７．０」以上であって、サブフィールドＣ_Ｓf3における低温側しきい値の「−１４．０」未満である。このため、液晶パネル１００の温度が基準温度から５℃低下した場合、サブフィールドＣ_Ｓf1のコードが「ＯＮ」に変更され、サブフィールドＣ_Ｓf3のコードは「ＯＦＦ」に維持される。なお、この場合、サブフィールドＣ_Ｓf2およびＣ_Ｓf4のコードは変更の対象でないので、「ＯＮ」に維持される。

また、階調レベルの「２５６」では、透過率変化量が高温側では「＋４．６８」であり、絶対値でみてサブフィールドＣ_Ｓf2における低温側しきい値の「＋２．５」以上であって、サブフィールドＣ_Ｓf4における高温側しきい値の「＋５．０」未満である。このため、液晶パネル１００の温度が基準温度から５℃上昇した場合、サブフィールドＣ_Ｓf2のコードが「ＯＦＦ」に変更され、サブフィールドＣ_Ｓf4のコードは「ＯＮ」に維持される。なお、この場合、サブフィールドＣ_Ｓf1およびＣ_Ｓf3のコードは変更の対象でないので、「ＯＦＦ」に維持される。

なお、階調レベルＡ以上の階調レベルについては液晶パネル１００の温度が低下した場合には透過率を低下させ、上昇した場合には透過率を上昇させる必要がある。
このため、当該階調レベルについては、特に図示しないが、液晶パネル１００の温度が５℃低下した場合には、透過率変化量に応じてサブフィールドＣ_Ｓf1または／およびＣ_Ｓf3のコードが「ＯＦＦ」に変更され、温度が５℃上昇した場合には、透過率変化量に応じてサブフィールドＣ_Ｓf2または／およびＣ_Ｓf4のコードが「ＯＮ」に変更される。

また、第３実施形態では、第２実施形態のように透過率変化量に検出された温度の比率を乗じて、透過率変化量に補正する構成としてもよい。

このように第３実施形態によれば、コントラストの低下を抑えつつ、液晶パネル１００の温度が低下する場合のみならず、上昇する場合についても補償が可能となる。

なお、上述した各実施形態では、液晶素子５をノーマリーブラックモードとして説明したが、液晶素子５の保持電圧がゼロであれば、透過率が最大となる一方、保持電圧が高くなるにつれて、透過率が徐々に低下するノーマリーホワイトモードにも適用可能である。
各実施形態では、液晶パネル１００の温度が変化した場合に、処理回路３０においてテーブルＴ２を書き換えて、温度補償用のサブフィールドＣ_Ｓf1〜Ｃ_Ｓf4のコードを変更する構成としたが、温度別に温度補償用のサブフィールドＣ_Ｓf1〜Ｃ_Ｓf4のコードを記憶するテーブルを複数用意して、温度の情報Ｔmpに応じたテーブルを１つ選択する構成としてもよい。

また、温度補償用のサブフィールドおよび階調制御用のサブフィールドについての期間長、順番および個数については、図６に示される以外のものであってもよい。
例えば、温度補償用のサブフィールドの個数は「４」に限られず、「２」以上であればよい。また、温度補償用のサブフィールドの期間長は、同一である必要はなく、互いに異なっていてもよい。温度補償用のサブフィールドの期間長として、短および長の２種類をそれぞれ複数個設けてもよい。
走査線１１２の選択順序は、図１２に示される順番に限られず、複数行を飛び越して選択し、各行の液晶素子５において異なるサブフィールドの期間を表現する構成としてもよい。
また、本開示については、電気光学装置のみならず、電気光学装置の駆動方法としても表現可能である。

上述した各実施形態において、液晶素子５が電気光学素子の一例である。基準温度が第１温度の一例であり、当該基準温度から５℃低いまたは高い温度が第２温度の一例であり、透過率変化量が階調変化量の一例である。第１実施形態において階調レベルＡが所定のレベルの一例であり、第３実施形態において階調レベルＢが第１レベルの一例であり、階調レベルＡが第２レベルの一例である。
また、各実施形態においてサブフィールドＣ_Ｓf1が第１補償サブフィールドの一例であり、サブフィールドＣ_Ｓf2が第２補償サブフィールドの一例であり、サブフィールドＣ_Ｓf3が第３補償サブフィールドの一例であり、サブフィールドＣ_Ｓf4が第４補償サブフィールドの一例である。

次に、上述した電気光学装置１を用いた電子機器の一例について説明する。
図１７は、電気光学装置１の液晶パネル１００をライトバルブとして用いた３板式の液晶プロジェクターの構成を示す図である。図１７に示されるように、液晶プロジェクター２１００は、液晶パネル１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂを備える。液晶パネル１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂは、実施形態等における液晶パネル１００と同様であり、上位装置（図示省略）から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの各色に対応する映像データに基づいた透過像をそれぞれ生成する。

液晶プロジェクター２１００の内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット２１０２が設けられている。このランプユニット２１０２から射出された投射光は、内部に配置された３枚のミラー２１０６および２枚のダイクロイックミラー２１０８によって、赤、緑および青の３原色に分離される。このうち、赤の光は液晶パネル１００Ｒに、緑の光は液晶パネル１００Ｇに、青の光は液晶パネル１００Ｂに、それぞれ入射する。
なお、青の光路は、他の赤や緑と比較して長い。このため、青の光は、光路での損失を防ぐために、入射レンズ２１２２、リレーレンズ２１２３および出射レンズ２１２４からなるリレーレンズ系２１２１を介して液晶パネル１００Ｂに導かれる。

液晶パネル１００Ｒでは、赤色成分のデータ信号が、走査線駆動回路１３０およびデータ線駆動回路１４０によって画素回路Ｐ毎に書き込まれる。液晶パネル１００Ｒにおいて、画素回路Ｐにデータ信号が書き込まれると、当該データ信号に応じた透過率となる。このため、液晶パネル１００Ｒでは、入射した赤の光の透過率が画素毎に制御されるので、表示すべき画像のうち、赤の成分の透過像が生成されることになる。
同様に、液晶パネル１００Ｇおよび１００Ｂでは、緑色成分のデータ信号および青色成分のデータ信号が、駆動回路によって画素毎に書き込まれて、それぞれ表示すべき画像のうち、緑および青の成分の透過像が生成される。

液晶パネル１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂによってそれぞれ生成された各色の透過像は、ダイクロイックプリズム２１１２に３方向から入射する。そして、このダイクロイックプリズム２１１２において、ＲおよびＢの光は９０度に屈折する一方、Ｇの光は直進する。したがって、各色の画像が合成された後、スクリーン２１２０には、投射レンズ２１１４によってカラー画像が投射される。
なお、液晶パネル１００Ｒ、１００Ｂによる各透過像は、ダイクロイックプリズム２１１２により反射した後に投射されるのに対し、液晶パネル１００Ｇの透過像は直進して投射される。このため、液晶パネル１００Ｒ、１００Ｂによる各透過像は、液晶パネル１００Ｇの透過像に対して左右反転した関係となっている。

１…電気光学装置、３…表示制御回路、５…液晶、３０…処理回路、３５…走査制御回路、１００…液晶パネル、１００ａ…素子基板、１００ｂ…対向基板、１０８…コモン電極、１１８…画素電極、１３０…走査線駆動回路、１４０…データ線駆動回路。

Claims (11)

1. 走査線とデータ線とに対応して設けられ、前記走査線の選択時に、オンまたはオフに対応するデータ信号に応じて駆動される電気光学素子を、指定された階調レベルに応じた明るさとなるように制御する電気光学装置の駆動方法であって、
   フレーム期間を複数のサブフィールドに分割するとともに、当該複数のサブフィールドのうち、２つ以上を温度補償用とし、他の２つ以上を階調制御用とし、
   前記電気光学素子を、前記階調制御用のサブフィールドの各々にて前記階調レベルに応じてオンまたはオフさせ、
   第１温度において前記電気光学素子を、前記温度補償用のサブフィールドの各々にて前記階調レベル毎にオンまたはオフさせ、
   前記第１温度とは異なる第２温度に変化した場合に、前記階調レベル毎の階調変化量が、前記温度補償用のサブフィールドの各々に対応付けられたしきい値以上であるか否か判定し、前記しきい値以上である階調レベルに対応したサブフィールドにおけるオンまたはオフを前記第１温度のオンまたはオフから変更する
   電気光学装置の駆動方法。
2. 前記第１温度において階調レベルが所定のレベル未満である場合に、前記電気光学素子を、前記温度補償用のサブフィールドのすべてでオフさせる、
   請求項１に記載の電気光学装置の駆動方法。
3. 検出された温度と前記第１温度との差に基づいて、前記階調レベル毎に測定された階調変化量を補正して、当該補正した階調変化量を前記しきい値と比較する、
   請求項１または２に記載の電気光学装置の駆動方法。
4. 前記第１温度と前記第２温度との差に対する、前記検出された温度と前記第１温度との差の比率を、前記階調変化量に乗じて補正して、当該補正した階調変化量を前記しきい値と比較する、
   請求項３に記載の電気光学装置の駆動方法。
5. 前記温度補償用のサブフィールドは、
   前記第１補償サブフィールド、前記第２補償サブフィールド、前記第３補償サブフィールドおよび前記第４補償サブフィールドを含み、
   前記第１補償サブフィールドには第１しきい値が対応付けられ、
   前記第２補償サブフィールドには第２しきい値が対応付けられ、
   前記第３補償サブフィールドには第３しきい値が対応付けられ、
   前記第４補償サブフィールドには第４しきい値が対応付けられる、
   請求項１乃至４のいずれかに記載の電気光学装置の駆動方法。
6. 前記第１しきい値、前記第３しきい値、前記第２しきい値および前記第４しきい値は、
   絶対値でみて、
   前記第１しきい値＜前記第３しきい値＜前記第２しきい値＜前記第４しきい値
   の関係にあり、
   前記第１温度から低下した場合に、
   指定された階調レベルにおける階調変化量が、絶対値でみて前記第１しきい値以上であれば、前記電気光学素子を前記第１補償サブフィールドにてオンさせ、
   当該階調変化量が、絶対値でみて前記第３しきい値以上であれば、前記電気光学素子を前記第１補償サブフィールドおよび前記第３補償サブフィールドにてオンさせ、
   当該階調変化量が、絶対値でみて前記第２しきい値以上であれば、前記電気光学素子を前記第１補償サブフィールド、前記第２補償サブフィールドおよび前記第３補償サブフィールドにてオンさせ、
   当該階調変化量が、絶対値でみて前記第４しきい値以上であれば、前記電気光学素子を前記第１補償サブフィールド、前記第２補償サブフィールド、第３補償サブフィールドおよび前記第４補償サブフィールドにてオンさせる、
   請求項５に記載の電気光学装置の駆動方法。
7. 前記第１しきい値、前記第３しきい値、前記第２しきい値および前記第４しきい値は、
   絶対値でみて、
   前記第１しきい値＜前記第３しきい値、
   であって、
   前記第２しきい値＜前記第４しきい値
   の関係にあり、
   指定された階調レベルが第１レベル以上であって第２レベル未満である場合、
   前記第１温度から低下したときに、
   当該階調レベルにおける階調変化量が、絶対値でみて前記第１しきい値以上であれば、前記電気光学素子を前記第１補償サブフィールドにてオンさせ、
   当該階調変化量が、絶対値でみて前記第３しきい値以上であれば、前記電気光学素子を前記第１補償サブフィールドおよび前記第３補償サブフィールドにてオンさせ、
   前記第１温度から上昇したときに、
   当該階調変化量が、絶対値でみて前記第２しきい値以上であれば、前記電気光学素子を前記第２補償サブフィールドにてオフさせ、
   当該階調変化量が、絶対値でみて前記第４しきい値以上であれば、前記電気光学素子を前記第２補償サブフィールドおよび前記第４補償サブフィールドにてオフさせる、
   請求項１に記載の電気光学装置の駆動方法。
8. 前記第１温度において階調レベルが第１レベル未満である場合に、前記電気光学素子を、前記温度補償用のサブフィールドのすべてでオフさせる、
   請求項７に記載の電気光学装置の駆動方法。
9. 前記複数のサブフィールドの期間長は、温度変化に対して一定である、
   請求項１乃至８のいずれかに記載の電気光学装置の駆動方法。
10. 走査線とデータ線とに対応して設けられ、前記走査線の選択時に、オンまたはオフに対応するデータ信号に応じて駆動される電気光学素子を、指定された階調レベルに応じた明るさとなるように制御する電気光学装置であって、
    温度を検出する温度検出部と、
    フレーム期間を複数のサブフィールドに分割するとともに、当該複数のサブフィールドのうち、２つ以上を温度補償用とし、他の２つ以上を階調制御用とし、
    前記電気光学素子を、前記階調制御用のサブフィールドの各々にて前記階調レベルに応じてオンまたはオフさせ、
    前記温度検出部によって検出された温度が第１温度である場合に、前記電気光学素子を、前記温度補償用のサブフィールドの各々にて前記階調レベル毎にオンまたはオフさせる表示制御回路と、
    を含み、
    前記表示制御回路は、
    前記温度検出部によって検出された温度が前記第１温度とは異なる第２温度に変化した場合に、
    前記階調レベル毎の階調変化量が、前記温度補償用のサブフィールドの各々に対応付けられたしきい値以上であるか否か判定し、前記しきい値以上である階調レベルに対応したサブフィールドにおけるオンまたはオフを前記第１温度のオンまたはオフから変更する
    電気光学装置。
11. 請求項１０の電気光学装置を有する電子機器。

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