JP2021044713A - 電力増幅回路 - Google Patents
電力増幅回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021044713A JP2021044713A JP2019165750A JP2019165750A JP2021044713A JP 2021044713 A JP2021044713 A JP 2021044713A JP 2019165750 A JP2019165750 A JP 2019165750A JP 2019165750 A JP2019165750 A JP 2019165750A JP 2021044713 A JP2021044713 A JP 2021044713A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amplifier
- circuit
- mode
- path
- power amplifier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 46
- 230000003321 amplification Effects 0.000 abstract description 31
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 abstract description 31
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 28
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 4
- 241001125929 Trisopterus luscus Species 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
- H03F1/565—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for using inductive elements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/211—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
- H03F3/245—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
- H03F3/602—Combinations of several amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/72—Gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/222—A circuit being added at the input of an amplifier to adapt the input impedance of the amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/387—A circuit being added at the output of an amplifier to adapt the output impedance of the amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
- H03F2203/7233—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier, switched on or off by putting into parallel or not, by choosing between amplifiers by one or more switch(es), being impedance adapted by switching an adapted passive network
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Transmitters (AREA)
Abstract
【課題】電力増幅回路の2つの電力増幅経路のアイソレーションを確保しながら、電力損失を低減する。【解決手段】電力増幅回路1は、入力端子T1と出力端子T2との間に設けられた第1経路R1および第2経路R2と、第1経路R1に設けられ、第1モードの場合に動作状態になる第1増幅器3と、第2経路R2に設けられ、第2モードの場合に動作状態になる第2増幅器4と、第1経路R1において、第1増幅器3と出力端子T2との間に設けられた第1整合回路6と、第1整合回路6の出力端子T2側に一端が接続された第1キャパシタ9と、一端が第1キャパシタ9の他端に接続され、他端が接地された第1インダクタ10と、第1インダクタ10に並列に設けられた短絡スイッチ11と、を含み、短絡スイッチ11は、第1モードの場合に第1インダクタ10の両端を短絡し、第2モードの場合に開放状態になる。【選択図】図3
Description
本発明は、電力増幅回路に関する。
無線通信端末装置に搭載される電力増幅回路では、基地局と端末との距離に応じて、出力レベルを変化させるため、利得を切り替えることが要求される場合がある。例えば、相対的に高い第1利得(高利得)による増幅と、相対的に低い第2利得(低利得)による増幅と、を切り替えることが要求される場合がある。このため、利得が異なる2つの電力増幅経路を電力増幅回路に設けることがある。例えば、特許文献1に開示されている電力増幅回路は、2つの増幅器を有する経路と、1つの増幅器を有する経路とを有する。
相対的に高い第1利得(高利得)による増幅と、相対的に低い第2利得(低利得)による増幅と、を切り替える場合、2つの電力増幅経路のアイソレーションを確保する必要がある。2つの電力増幅経路のアイソレーションを確保するために、例えば、相対的に低い第2利得による増幅を行う経路において、整合回路で一旦インピーダンスを低下させた後、別の整合回路でインピーダンスを増加させて出力することがある。このように、インピーダンス変換が複数回行われると、電力の損失が生じる。このため、2つの電力増幅経路を有する電力増幅回路においては、2つの電力増幅経路のアイソレーションを確保しながら、電力損失を低減することが好ましい。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、電力増幅回路の2つの電力増幅経路のアイソレーションを確保しながら、電力損失を低減することを目的とする。
本発明の一側面の電力増幅回路は、入力端子と、出力端子と、前記入力端子と前記出力端子との間に設けられた第1経路と、前記入力端子と前記出力端子との間に、前記第1経路に対して並列に設けられた第2経路と、前記第1経路に設けられ、第1モードの場合に動作状態になる第1増幅器と、前記第2経路に設けられ、第2モードの場合に動作状態になる第2増幅器と、前記第1経路において、前記第1増幅器と前記出力端子との間に設けられた第1整合回路と、前記第1経路において、前記第1整合回路の前記出力端子側に一端が接続された第1キャパシタと、一端が前記第1キャパシタの他端に接続され、他端が接地された第1インダクタと、前記第1インダクタに並列に設けられた短絡スイッチと、を含み、前記短絡スイッチは、前記第1モードの場合に前記第1インダクタの両端を短絡する短絡状態になり、前記第2モードの場合に開放状態になる。
本発明によれば、電力増幅回路の2つの電力増幅経路のアイソレーションを確保しながら、電力損失を低減できる。
以下に、本発明の電力増幅回路の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態により本発明が限定されるものではない。また、各実施形態の構成要素には、当業者が置換可能かつ容易なもの、あるいは実質的に同一のものが含まれる。各実施の形態は例示であり、異なる実施の形態で示した構成の部分的な置換又は組み合わせが可能である。第2の実施の形態以降では第1の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
以下、第1の実施の形態について説明するが、第1の実施の形態の理解を容易にするため、先に比較例について説明する。
(比較例)
図1は、比較例の電力増幅回路の構成を示す図である。比較例の電力増幅回路100は、増幅器A1、A2およびA3と、整合回路20、30、40、50、60および70と、入力端子INと、出力端子OUTとを有する。
図1は、比較例の電力増幅回路の構成を示す図である。比較例の電力増幅回路100は、増幅器A1、A2およびA3と、整合回路20、30、40、50、60および70と、入力端子INと、出力端子OUTとを有する。
図1において、増幅器A1およびA2が入力端子INと出力端子OUTとの間に接続されている。入力端子INと増幅器A1との間に、整合回路20および30が接続されている。増幅器A1と増幅器A2との間に、整合回路40が接続されている。増幅器A2と出力端子OUTとの間に、整合回路70が接続されている。
整合回路20と整合回路30との間の接続点B1は、整合回路50の一端に接続されている。整合回路50の他端は増幅器A3に接続されている。増幅器A3の出力側は整合回路60の一端に接続されている。整合回路60の他端は、接続点B3を介して、増幅器A2と整合回路70との間の接続点B2に接続されている。増幅器A3は、接続点B1と接続点B2との間に増幅器A1、A2に対して並列に接続されている。
接続点B3には、スイッチ12の一端が接続されている。スイッチ12の他端は、キャパシタ13の一端に接続されている。キャパシタ13の他端は、接地電位に接続されている。したがって、接続点B3と接地電位との間に、スイッチ12およびキャパシタ13が直列に接続されている。スイッチ12は、増幅器A3がオン状態である時にオフ状態になり、増幅器A1、A2がオン状態である時にオン状態になる。
キャパシタ13のキャパシタンス値は、送信周波数帯域に対して十分大きく、かつ、スイッチ12が状態になっている時のインピーダンスがスミスチャート上の反射係数として−90度から90度の間になるように設定する。これにより、スイッチ12がオン状態になっている時、スイッチ12より接地電位側の回路をオープンに見せることができる。
入力端子INから増幅器A1、A2を介して出力端子OUTに至る経路において、接続点B2はインピーダンスが最も低くなる点である。増幅器A3の経路は、増幅器A1、A2の経路でインピーダンスが最も低いところに挿入されている。このため、スイッチ12がオン状態になっている時、キャパシタ13により接地電位へ流れる直流電流を遮ることができる。スイッチ12がオン状態になっている時、キャパシタ13が見えることによって低インピーダンスになっても、電力増幅器の送信周波数帯域の高周波信号がスイッチ12側へ漏れ込み難くなり、回路全体の電力損失が低下する。
電力増幅回路100は、2つの電力増幅経路によって、相対的に高い第1利得(高利得)による増幅動作と、相対的に低い第2利得(低利得)による増幅動作とを行うことができる。すなわち、増幅器A1およびA2を含む電力増幅経路によって、相対的に高い第1利得(高利得)による増幅動作を行うことができる。また、増幅器A3を含む電力増幅経路によって、相対的に低い第2利得(低利得)による増幅動作を行うことができる。
図1において、増幅器A3を含む電力増幅経路においては、整合回路60で一旦インピーダンスを下げた後、別の整合回路70でインピーダンスを上げて出力する。図2は、図1に示す電力増幅回路100の負荷特性のシミュレーション結果の一例を示すスミスチャートである。図2は、増幅器A3を含む電力増幅経路のインピーダンスの変化を示す。図2に示す例では、増幅器A3の出力側のインピーダンスを点PA3、接続点B2のインピーダンスを点PB2、出力端子OUTにおけるインピーダンスを点PBoutで示す。点PA3から点PB2までの経路において矢印Y1のようにインピーダンスが一旦低下する。その後、点PB2から点PBoutまでの経路において矢印Y2のようにインピーダンスが増加する。したがって、増幅器A3を含む電力増幅経路においては、インピーダンス変換が複数回行われる。このように、インピーダンス変換が複数回行われると、電力の損失が生じる。このため、2つの電力増幅経路を有する電力増幅回路においては、2つの電力増幅経路のアイソレーションを確保しながら、電力損失を低減することが好ましい。
(第1の実施の形態)
[回路構成]
図3は、第1の実施の形態の電力増幅回路の回路構成を示す図である。電力増幅回路1は、入力端子T1と、切替部5と、第1経路R1と、第2経路R2と、出力端子T2とを含む。入力端子T1と出力端子T2との間において、第1経路R1と第2経路R2とは互いに並列に、設けられている。すなわち、第2経路R2は、第1経路R1に対して並列に設けられている。電力増幅回路1は、入力端子T1から切替部5を介して、第1経路R1と、第2経路R2とに分かれる。第1経路R1の出力端と第2経路R2の出力端とは出力端子T2に接続される。第1経路R1の出力端と第2経路R2の出力端との接続点14は、第1経路R1の出力端子側の接続点であり、第2経路R2の出力端子側の接続点でもある。電力増幅回路1は、入力端子T1に入力される高周波入力信号を増幅して、高周波出力信号を出力端子T2から出力する。電力増幅回路1は、第1経路R1による相対的に高い第1利得(高利得)による増幅動作と、第2経路R2による相対的に低い第2利得(低利得)による増幅動作と、を切り替えることができる。以降において、第1利得(高利得)で増幅する動作モードを、ハイパワーモードと称する場合がある。また、第2利得(低利得)で増幅する動作モードを、ローパワーモードと称する場合がある。第1経路R1は、増幅器3を含む。第2経路R2は、増幅器4を含む。
[回路構成]
図3は、第1の実施の形態の電力増幅回路の回路構成を示す図である。電力増幅回路1は、入力端子T1と、切替部5と、第1経路R1と、第2経路R2と、出力端子T2とを含む。入力端子T1と出力端子T2との間において、第1経路R1と第2経路R2とは互いに並列に、設けられている。すなわち、第2経路R2は、第1経路R1に対して並列に設けられている。電力増幅回路1は、入力端子T1から切替部5を介して、第1経路R1と、第2経路R2とに分かれる。第1経路R1の出力端と第2経路R2の出力端とは出力端子T2に接続される。第1経路R1の出力端と第2経路R2の出力端との接続点14は、第1経路R1の出力端子側の接続点であり、第2経路R2の出力端子側の接続点でもある。電力増幅回路1は、入力端子T1に入力される高周波入力信号を増幅して、高周波出力信号を出力端子T2から出力する。電力増幅回路1は、第1経路R1による相対的に高い第1利得(高利得)による増幅動作と、第2経路R2による相対的に低い第2利得(低利得)による増幅動作と、を切り替えることができる。以降において、第1利得(高利得)で増幅する動作モードを、ハイパワーモードと称する場合がある。また、第2利得(低利得)で増幅する動作モードを、ローパワーモードと称する場合がある。第1経路R1は、増幅器3を含む。第2経路R2は、増幅器4を含む。
切替部5は、第1スイッチであるスイッチ51と、第2スイッチであるスイッチ52とを含む。切替部5において、スイッチ51とスイッチ52とは、いずれか一方がオン状態であるとき、他方はオフ状態である。本例では、第1モードであるハイパワーモードの場合に、スイッチ51がオン状態になり、スイッチ52がオフ状態になる。また、第2モードであるローパワーモードの場合に、スイッチ51がオフ状態になり、スイッチ52がオン状態になる。したがって、第1モードであるハイパワーモードの場合に、入力端子T1と第1経路R1とが電気的に接続され、入力端子T1と増幅器3とが電気的に接続される。ハイパワーモードの場合、入力端子T1と第2経路R2とは電気的に遮断される。また、第2モードであるローパワーモードの場合に、入力端子T1と第2経路R2とが電気的に接続され、入力端子T1と増幅器4とが電気的に接続される。ローパワーモードの場合、入力端子T1と第1経路R1とは電気的に遮断される。
第1経路R1は、増幅器3と、整合回路6と、整合回路8と、キャパシタ9と、インダクタ10と、短絡スイッチ11とを含む。増幅器3の出力側に整合回路6の一端が接続される。整合回路6の他端には、整合回路8の一端が接続される。整合回路8の他端は、出力端子T2に接続される。
第1増幅器である増幅器3は、第1モードであるハイパワーモードの場合に動作する。増幅器3は、第2モードであるローパワーモードの場合に動作しない。第2モードであるローパワーモードの場合、増幅器3の出力段のトランジスタ(図示せず)にはバイアス電流が供給されない。
第1整合回路である整合回路6は、例えば、低域通過フィルタ(Low Pass Filter)として機能する。整合回路6は、例えば、2Ωから20Ωにインピーダンス変換を行う。第3整合回路である整合回路8は、例えば、15Ωから50Ωにインピーダンス変換を行う。
キャパシタ9の一端は、整合回路6の他端に接続される。本例では、整合回路6と整合回路8との間に、キャパシタ9の一端が接続される。キャパシタ9の他端には、第1インダクタであるインダクタ10の一端が接続される。インダクタ10の他端は、基準電位に電気的に接続される。基準電位は、接地電位が例示されるが、本開示はこれに限定されない。
短絡スイッチ11は、インダクタ10に対して並列に設けられている。短絡スイッチ11は、短絡状態(すなわちオン状態)または開放状態(すなわちオフ状態)になる。短絡スイッチ11は、第1モードであるハイパワーモードの場合に、インダクタ10の両端を短絡する短絡状態になる。短絡スイッチ11は、第2モードであるローパワーモードの場合に、開放状態になる。したがって、ハイパワーモードの場合、インダクタ10の両端が短絡される。これにより、整合回路6と整合回路8との接続点は、キャパシタ9を介して接地された状態になる。また、ローパワーモードの場合、キャパシタ9の他端とインダクタ10の一端とが接続された直列回路が形成され、インダクタ10の他端が接地された状態になる。これにより、整合回路6と整合回路8との接続点は、キャパシタ9およびインダクタ10の直列回路を介して接地された状態になる。
第2経路R2は、増幅器4と、整合回路7とを含む。第2増幅器である増幅器4は、第2モードであるローパワーモードの場合に動作する。増幅器4は、第1モードであるハイパワーモードの場合に動作しない。第1モードであるハイパワーモードの場合、増幅器4の出力段のトランジスタ(図示せず)にはバイアス電流が供給されない。なお、第3整合回路である整合回路7は、例えば、15Ωから50Ωにインピーダンス変換を行う。
ここで、増幅器3および4は、例えば、集積回路のチップ内に形成される。また、整合回路6、7および8は、例えば、集積回路のチップ外に設ける部品によって実現される。短絡スイッチ11は、集積回路のチップ内に形成されてもよいし、集積回路のチップ外に設ける部品によって実現されてもよい。
[動作]
次に、第1の実施の形態の電力増幅回路の動作について説明する。第1の実施の形態の電力増幅回路1の動作は、第1モードであるハイパワーモードの動作と、第2モードであるローパワーモードの場合の動作とを含む。ハイパワーモードにおいては増幅器3が動作する。ローパワーモードにおいては増幅器4が動作する。
次に、第1の実施の形態の電力増幅回路の動作について説明する。第1の実施の形態の電力増幅回路1の動作は、第1モードであるハイパワーモードの動作と、第2モードであるローパワーモードの場合の動作とを含む。ハイパワーモードにおいては増幅器3が動作する。ローパワーモードにおいては増幅器4が動作する。
図4は、電力増幅回路1の出力信号の電力Poutの信号強度(dBm)に対する、電力増幅回路1の電力付加効率(Power Added Efficiency:PAE)との関係を示す図である。図4は、増幅器3、増幅器4の動作周波数を2550MHzとし、Vccを5.5Vとした場合のシミュレーション結果の一例を示す。
図4において、線101は、第1モードであるハイパワーモードにおける、第1の実施の形態の電力増幅回路1の出力信号の電力Poutと、電力付加効率PAEと、の関係を示す。また、線102は、第2モードであるローパワーモードにおける、第1の実施の形態の電力増幅回路1の出力信号の電力Poutと、電力付加効率PAEと、の関係を示す。
以下、電力増幅回路1の動作について、第1モードであるハイパワーモードの場合の動作と、第2モードであるローパワーモードの場合の動作とに分けて説明する。
[第1モードの場合の動作]
図5は、第1モードの場合における切替部5などの状態を示す図である。図5に示すように、第1モードであるハイパワーモードの場合、切替部5のスイッチ51がオン状態になり、スイッチ52がオフ状態になる。上述したように、ハイパワーモードの場合、短絡スイッチ11によって、インダクタ10の両端が短絡されるため、整合回路6と整合回路8との接続点は、キャパシタ9を介して接地された状態になる。ハイパワーモードの場合、増幅器3においてバイアス電流が供給され、増幅器4においてバイアス電流が供給されない。このため、出力端16からは、例えば、増幅器4の出力段のトランジスタ41のコレクタ−エミッタ間、コレクタ−ベース間の寄生容量が見える。
図5は、第1モードの場合における切替部5などの状態を示す図である。図5に示すように、第1モードであるハイパワーモードの場合、切替部5のスイッチ51がオン状態になり、スイッチ52がオフ状態になる。上述したように、ハイパワーモードの場合、短絡スイッチ11によって、インダクタ10の両端が短絡されるため、整合回路6と整合回路8との接続点は、キャパシタ9を介して接地された状態になる。ハイパワーモードの場合、増幅器3においてバイアス電流が供給され、増幅器4においてバイアス電流が供給されない。このため、出力端16からは、例えば、増幅器4の出力段のトランジスタ41のコレクタ−エミッタ間、コレクタ−ベース間の寄生容量が見える。
図6は、第1モードの場合における電力増幅回路1の等価回路を示す図である。第1モードであるハイパワーモードの場合、電力増幅回路1は、切替部5のスイッチ51がオン状態になっているため、入力端子T1が増幅器3に接続された状態になる。ハイパワーモードの場合、増幅器4の出力段のトランジスタにバイアス電流が供給されないため、増幅器4の寄生容量はキャパシタC4として見える。このため、第2増幅器である増幅器4は容量性負荷になる。
図7は、電力増幅回路1の出力負荷インピーダンスのスミスチャートである。図7は、図6において、整合回路8と出力端子T2との接続点14から増幅器4側を見た場合の第2経路のインピーダンスZ2のシミュレーション結果を示すスミスチャートである。図7では、伝送路の特性インピーダンスZ0を50Ωとし、インピーダンスZ2を点P1として示す。図7において、点P1は、スミスチャートの外周部に位置している。このため、インピーダンスZ2は十分に高いことが分かる。このように、インピーダンスZ2を、接続点14から出力端子T2側を見たインピーダンスすなわち出力端子T2に接続される負荷インピーダンスよりも十分に高い値にすることができる。インピーダンスZ2が、出力端子T2に接続される負荷インピーダンスよりも十分に高い値であることにより、接続点14から増幅器4側はオープンとみなすことができる。したがって、ハイパワーモードの場合、増幅器3の出力端15から出力端子T2側を見たインピーダンスに対して、第2経路R2は影響を与えない。
[第2モードの場合の動作]
図8は、第2モードの場合における切替部5などの状態を示す図である。図8に示すように、第2モードであるローパワーモードの場合、切替部5のスイッチ51がオフ状態になり、スイッチ52がオン状態になる。上述したように、ローパワーモードの場合、短絡スイッチ11によって、インダクタ10の両端が短絡されないため、整合回路6と整合回路8との接続点は、キャパシタ9とインダクタ10との直列回路を介して接地された状態になる。ローパワーモードの場合、増幅器4においてバイアス電流が供給され、増幅器3においてバイアス電流が供給されない。このため、出力端16からは、例えば、増幅器3の出力段のトランジスタ31のコレクタ−エミッタ間、コレクタ−ベース間の寄生容量が見える。
図8は、第2モードの場合における切替部5などの状態を示す図である。図8に示すように、第2モードであるローパワーモードの場合、切替部5のスイッチ51がオフ状態になり、スイッチ52がオン状態になる。上述したように、ローパワーモードの場合、短絡スイッチ11によって、インダクタ10の両端が短絡されないため、整合回路6と整合回路8との接続点は、キャパシタ9とインダクタ10との直列回路を介して接地された状態になる。ローパワーモードの場合、増幅器4においてバイアス電流が供給され、増幅器3においてバイアス電流が供給されない。このため、出力端16からは、例えば、増幅器3の出力段のトランジスタ31のコレクタ−エミッタ間、コレクタ−ベース間の寄生容量が見える。
図9は、第2モードの場合における電力増幅回路1の等価回路を示す図である。第2モードであるローパワーモードの場合、電力増幅回路1は、切替部5のスイッチ52がオン状態になっているため、入力端子T1が増幅器4に接続された状態になる。ローパワーモードの場合、増幅器3の出力段のトランジスタにバイアス電流が供給されないため、増幅器3の寄生容量はキャパシタC3として見える。このため、第1増幅器である増幅器3は容量性負荷になる。ローパワーモードの場合に動作する増幅器4の出力段のトランジスタの面積よりも、ハイパワーモードの場合に動作する増幅器3の出力段のトランジスタの面積の方が大きい。このため、図9のキャパシタC3は、図6のキャパシタC4よりも大きなキャパシタンス値を有する。
ここで、図9において、整合回路8と出力端子T2との接続点14から増幅器3側を見ると、図10のように見える。なお、整合回路6と整合回路8とが配線で構成された場合、近似的にインダクタとして働くため、図10では、インダクタL6、インダクタL8として表記している。図10は、整合回路8と出力端子T2との接続点14から増幅器3側を見た場合の等価回路を示す図である。図10に示すように、接続点14から増幅器3側を見ると、整合回路8に、キャパシタ9とインダクタ10との直列回路と、インダクタL6とキャパシタC3との直列回路とが並列に接続されているように見える。インダクタ10の一端およびキャパシタC3の一端は、接地されている。インダクタL8は整合回路8の誘導性成分である。インダクタL6は整合回路6の誘導性成分である。
増幅器4が動作する周波数において、図10に示す回路が共振してインピーダンスZ1の値が無限大または出力端子T2に接続される負荷インピーダンスよりも十分に高い値になるように、インダクタンス値とキャパシタンス値とが設定される。すなわち、インダクタ10およびインダクタL6のインダクタンス値と、キャパシタ9およびキャパシタC3のキャパシタンス値とが設定される。ここでいう、動作する周波数とは、増幅器の利得が10dB以上となる周波数の帯域と定義する。
インダクタンス値とキャパシタンス値との設定においては、例えば、以下のことを考慮する。図10に示す回路では、インダクタ10とキャパシタ9とによって直列共振回路K1が形成される。この直列共振回路K1の共振周波数を、十分低い値に設定しておく。例えば、共振周波数を、増幅器3が動作する周波数よりも低い値に設定しておく。これにより、インダクタ10のインダクタンスとキャパシタ9のキャパシタンスとによる直列共振回路は、共振周波数よりも高い周波数領域において、インダクタ10のインダクタンス値Lが支配的である、誘導性の回路になる。一方、インダクタL6とキャパシタC3とによって直列共振回路K2が形成される。この直列共振回路の共振周波数を、十分に高い値に設定しておく。例えば、共振周波数を、増幅器3が動作する周波数よりも高い値に設定しておく。これにより、インダクタL6のインダクタンスとキャパシタC3のキャパシタンスとによる直列共振回路は、共振周波数よりも低い周波数領域においては、キャパシタC3のキャパシタンス値が支配的である、容量性の回路になる。図10においては、誘導性の直列共振回路K1と容量性の直列共振回路K2とが並列に接続された並列共振回路が形成され、その共振周波数においては、その並列共振回路のインピーダンスが無限大になる。
図11は、電力増幅回路1の出力負荷インピーダンスのスミスチャートである。図11は、図9において、整合回路8と出力端子T2との接続点14から増幅器3側を見た場合の第1経路のインピーダンスZ1のシミュレーション結果を示すスミスチャートである。図11では、伝送路の特性インピーダンスZ0を50Ωとし、インピーダンスZ1を点P2として示す。図11において、点P2は、無限大の近くに位置している。したがって、例えば、キャパシタ9のキャパシタンス値、および、インダクタ10のインダクタンス値を適切に設定しておけば、増幅器4が動作する周波数において、図10に示す回路のインピーダンスZ1の値を無限大、または、接続点14から出力端子T2側を見たインピーダンスすなわち出力端子T2に接続される負荷インピーダンスよりも十分に高い値にすることができる。インピーダンスZ1が無限大または出力端子T2に接続される負荷インピーダンスよりも十分に高い値であることにより、接続点14から増幅器3側はオープンとみなすことができる。したがって、ローパワーモードの場合、増幅器4の出力端16から出力端子T2側を見たインピーダンスに対して、第1経路R1は影響を与えない。このため、第1経路R1と第2経路R2とのアイソレーションを確保できる。しかも、比較例とは異なり、インピーダンスを一旦下げた後でインピーダンスを上げるという回路構成を採用していないため、比較例において生じる電力損失が生じない。
以上の動作により、第1経路R1と第2経路R2とのアイソレーションを確保しながら、第1モードおよび第2モードのいずれの場合においても電力損失を低減できる。
(第2の実施の形態)
[回路構成]
図12は、第2の実施の形態の電力増幅回路の回路構成を示す図である。電力増幅回路1aは、図3に示す電力増幅回路1とは異なり、整合回路7および整合回路8を有していない。電力増幅回路1aは、図3に示す電力増幅回路1よりも整合回路の数が少ないため、部品点数の削減によってコストを低減できる。
[回路構成]
図12は、第2の実施の形態の電力増幅回路の回路構成を示す図である。電力増幅回路1aは、図3に示す電力増幅回路1とは異なり、整合回路7および整合回路8を有していない。電力増幅回路1aは、図3に示す電力増幅回路1よりも整合回路の数が少ないため、部品点数の削減によってコストを低減できる。
[動作]
次に、第2の実施の形態の電力増幅回路1aの動作について説明する。
次に、第2の実施の形態の電力増幅回路1aの動作について説明する。
[第1モードの場合の動作]
図13は、第1モードの場合における電力増幅回路1aの等価回路を示す図である。第1モードであるハイパワーモードの場合、電力増幅回路1aは、切替部5のスイッチ51がオン状態になっているため、入力端子T1が増幅器3に接続された状態になる。ハイパワーモードの場合、増幅器4の出力段のトランジスタにバイアス電流が供給されないため、増幅器4の寄生容量はキャパシタC4として見える。
図13は、第1モードの場合における電力増幅回路1aの等価回路を示す図である。第1モードであるハイパワーモードの場合、電力増幅回路1aは、切替部5のスイッチ51がオン状態になっているため、入力端子T1が増幅器3に接続された状態になる。ハイパワーモードの場合、増幅器4の出力段のトランジスタにバイアス電流が供給されないため、増幅器4の寄生容量はキャパシタC4として見える。
図6の場合と同様に、接続点14から増幅器4の寄生容量のキャパシタC4側を見たインピーダンスZ2は、増幅器3が動作する周波数において十分に高い。このため、ハイパワーモードの場合、増幅器3の出力端15から出力端子T2側を見たインピーダンスに対して、第2経路R2は影響を与えない。
[第2モードの場合の動作]
図14は、第2モードの場合における電力増幅回路1aの等価回路を示す図である。第2モードであるローパワーモードの場合、増幅器3の出力段のトランジスタにバイアス電流が供給されないため、増幅器3の寄生容量がキャパシタC3として見える。
図14は、第2モードの場合における電力増幅回路1aの等価回路を示す図である。第2モードであるローパワーモードの場合、増幅器3の出力段のトランジスタにバイアス電流が供給されないため、増幅器3の寄生容量がキャパシタC3として見える。
図9および図10を参照して説明したように、例えば、キャパシタ9のキャパシタンス値、および、インダクタ10のインダクタンス値を適切に設定しておけば、増幅器4が動作する周波数において、インピーダンスZ1の値を無限大または出力端子T2に接続される負荷インピーダンスよりも十分に高い値にすることができる。このため、ローパワーモードの場合、増幅器4の出力端16から出力端子T2側を見たインピーダンスに対して、第1経路R1は影響を与えない。
以上の動作により、第2の実施の形態においても、第1経路R1と第2経路R2とのアイソレーションを確保しながら、第1モードおよび第2モードのいずれの場合においても電力損失を低減できる。
(第3の実施の形態)
[回路構成]
図15は、第3の実施の形態の電力増幅回路の回路構成を示す図である。電力増幅回路1bは、図3に示す電力増幅回路1とは異なり、整合回路8を有していない。電力増幅回路1bは、図3に示す電力増幅回路1よりも整合回路の数が少ないため、部品点数の削減によってコストを低減できる。
[回路構成]
図15は、第3の実施の形態の電力増幅回路の回路構成を示す図である。電力増幅回路1bは、図3に示す電力増幅回路1とは異なり、整合回路8を有していない。電力増幅回路1bは、図3に示す電力増幅回路1よりも整合回路の数が少ないため、部品点数の削減によってコストを低減できる。
[動作]
次に、第3の実施の形態の電力増幅回路1bの動作について説明する。
次に、第3の実施の形態の電力増幅回路1bの動作について説明する。
[第1モードの場合の動作]
図16は、第1モードの場合における電力増幅回路1bの等価回路を示す図である。第1モードであるハイパワーモードの場合、電力増幅回路1bは、切替部5のスイッチ51がオン状態になっているため、入力端子T1が増幅器3に接続された状態になる。ハイパワーモードの場合、増幅器4の出力段のトランジスタにバイアス電流が供給されないため、増幅器4の寄生容量がキャパシタC4として見える。
図16は、第1モードの場合における電力増幅回路1bの等価回路を示す図である。第1モードであるハイパワーモードの場合、電力増幅回路1bは、切替部5のスイッチ51がオン状態になっているため、入力端子T1が増幅器3に接続された状態になる。ハイパワーモードの場合、増幅器4の出力段のトランジスタにバイアス電流が供給されないため、増幅器4の寄生容量がキャパシタC4として見える。
図6の場合と同様に、接続点14から、整合回路7のインダクタと増幅器4の寄生容量のキャパシタC4とからなる直列回路側を見たインピーダンスZ2は、増幅器3が動作する周波数において、十分に高い。このため、ハイパワーモードの場合、増幅器3の出力端15から出力端子T2側を見たインピーダンスに対して、第2経路R2は影響を与えない。
[第2モードの場合の動作]
図17は、第2モードの場合における電力増幅回路1bの等価回路を示す図である。第2モードであるローパワーモードの場合、増幅器3の出力段のトランジスタにバイアス電流が供給されないため、増幅器3の寄生容量はキャパシタC3として見える。
図17は、第2モードの場合における電力増幅回路1bの等価回路を示す図である。第2モードであるローパワーモードの場合、増幅器3の出力段のトランジスタにバイアス電流が供給されないため、増幅器3の寄生容量はキャパシタC3として見える。
図9および図10を参照して説明したように、例えば、キャパシタ9のキャパシタンス値、および、インダクタ10のインダクタンス値を適切に設定しておけば、増幅器4が動作する周波数において、インピーダンスZ1の値を無限大または出力端子T2に接続される負荷インピーダンスよりも十分に高い値にすることができる。このため、ローパワーモードの場合、増幅器4の出力端16から出力端子T2側を見たインピーダンスに対して、第1経路R1は影響を与えない。
以上の動作により、第3の実施の形態においても、第1経路R1と第2経路R2とのアイソレーションを確保しながら、第1モードおよび第2モードのいずれの場合においても電力損失を低減できる。
1 電力増幅回路
3、4 増幅器
5 切替部
6、7、8 整合回路
9、C3、C4 キャパシタ
10、L6、L8 インダクタ
11 短絡スイッチ
14 接続点
15、16 出力端
31、41 トランジスタ
51、52 スイッチ
K1、K2 直列共振回路
T1 入力端子
T2 出力端子
3、4 増幅器
5 切替部
6、7、8 整合回路
9、C3、C4 キャパシタ
10、L6、L8 インダクタ
11 短絡スイッチ
14 接続点
15、16 出力端
31、41 トランジスタ
51、52 スイッチ
K1、K2 直列共振回路
T1 入力端子
T2 出力端子
Claims (8)
- 入力端子と、
出力端子と、
前記入力端子と前記出力端子との間に設けられた第1経路と、
前記入力端子と前記出力端子との間に、前記第1経路に対して並列に設けられた第2経路と、
前記第1経路に設けられ、第1モードの場合に動作状態になる第1増幅器と、
前記第2経路に設けられ、第2モードの場合に動作状態になる第2増幅器と、
前記第1経路において、前記第1増幅器と前記出力端子との間に設けられた第1整合回路と、
前記第1経路において、前記第1整合回路の前記出力端子側に一端が接続された第1キャパシタと、
一端が前記第1キャパシタの他端に接続され、他端が接地された第1インダクタと、
前記第1インダクタに並列に設けられた短絡スイッチと、
を含み、
前記短絡スイッチは、前記第1モードの場合に前記第1インダクタの両端を短絡する短絡状態になり、前記第2モードの場合に開放状態になる、
電力増幅回路。 - 請求項1に記載の電力増幅回路であって、前記第2経路において、前記第2増幅器と前記出力端子との間に設けられた第2整合回路をさらに含む電力増幅回路。
- 請求項1または請求項2に記載の電力増幅回路であって、前記第1経路において、前記第1キャパシタの前記一端と前記出力端子との間に設けられた第3整合回路をさらに含む電力増幅回路。
- 請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の電力増幅回路であって、
切替部をさらに含み、
前記切替部は、
前記入力端子と前記第1増幅器との間に設けられた第1スイッチと、
前記入力端子と前記第2増幅器との間に設けられた第2スイッチと、
を含み、
前記第1スイッチは、前記第1モードの場合にオン状態になって前記入力端子と前記第1増幅器とを電気的に接続し、前記第2モードの場合にオフ状態になって前記入力端子と前記第1増幅器とを電気的に遮断し、
前記第2スイッチは、前記第2モードの場合にオン状態になって前記入力端子と前記第2増幅器とを電気的に接続し、前記第1モードの場合にオフ状態になって前記入力端子と前記第2増幅器とを電気的に遮断する電力増幅回路。 - 請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の電力増幅回路であって、
前記第1経路による利得は、前記第2増幅器よる利得よりも大きい電力増幅回路。 - 請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の電力増幅回路であって、
前記第1モードの場合に、前記第2増幅器は容量性負荷になり、前記第1増幅器が動作する周波数において、前記第1経路と前記第2経路との前記出力端子側の接続点から見た、前記第2経路のインピーダンスは、前記接続点から前記出力端子側を見たインピーダンスよりも十分に高く、
前記第2モードの場合に、前記第1増幅器は容量性負荷になり、前記第2増幅器が動作する周波数において、前記接続点から見た、前記第1経路のインピーダンスは、前記接続点から前記出力端子側を見たインピーダンスよりも十分に高い電力増幅回路。 - 請求項6に記載の電力増幅回路であって、
前記第2モードの場合に、前記第1経路のインピーダンスが前記接続点から十分に高く見えるように、前記第1インダクタのインダクタンス値が設定されている電力増幅回路。 - 請求項6に記載の電力増幅回路であって、
前記第1モードの場合に、前記第2経路のインピーダンスが前記接続点から十分に高く見える電力増幅回路。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019165750A JP2021044713A (ja) | 2019-09-11 | 2019-09-11 | 電力増幅回路 |
CN202010925740.1A CN112491370B (zh) | 2019-09-11 | 2020-09-04 | 功率放大电路 |
US17/017,184 US11309842B2 (en) | 2019-09-11 | 2020-09-10 | Power amplifier circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019165750A JP2021044713A (ja) | 2019-09-11 | 2019-09-11 | 電力増幅回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021044713A true JP2021044713A (ja) | 2021-03-18 |
Family
ID=74851237
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019165750A Pending JP2021044713A (ja) | 2019-09-11 | 2019-09-11 | 電力増幅回路 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11309842B2 (ja) |
JP (1) | JP2021044713A (ja) |
CN (1) | CN112491370B (ja) |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102005050622A1 (de) * | 2005-10-21 | 2007-05-03 | Infineon Technologies Ag | Sendeendstufe mit einstellbarer Ausgangsleistung und Verfahren zum Verstärken eines Signals in einer Sendeendstufe |
WO2008068809A1 (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-12 | Mitsubishi Electric Corporation | 高周波増幅器 |
KR20090071834A (ko) * | 2007-12-28 | 2009-07-02 | 성균관대학교산학협력단 | 고조파 동조를 이용한 도허티 증폭기 |
US8811531B2 (en) * | 2011-03-23 | 2014-08-19 | Triquint Semiconductor, Inc. | Quadrature lattice matching network |
WO2012157645A1 (ja) * | 2011-05-18 | 2012-11-22 | 株式会社村田製作所 | 電力増幅器およびその動作方法 |
US8666338B2 (en) | 2012-01-23 | 2014-03-04 | Qualcomm Incorporated | Multi-mode bypass driver amplifier with tunable load matching |
JP6206698B2 (ja) | 2012-12-19 | 2017-10-04 | 株式会社村田製作所 | 電力増幅器 |
KR102483467B1 (ko) * | 2014-05-13 | 2023-01-02 | 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드 | 선형의 효율적인 광대역 전력 증폭기들에 관한 시스템들 및 방법들 |
KR102163049B1 (ko) * | 2015-02-24 | 2020-10-08 | 삼성전기주식회사 | 전력 증폭기 및 전력 증폭기의 출력 제어 방법 |
US9966903B1 (en) * | 2016-12-30 | 2018-05-08 | Nxp Usa, Inc. | Doherty architecture for wideband power amplifier design |
KR20210090429A (ko) * | 2020-01-10 | 2021-07-20 | 삼성전자주식회사 | 광대역 rf 신호를 처리하는 증폭기 회로를 포함하는 전자 장치 |
-
2019
- 2019-09-11 JP JP2019165750A patent/JP2021044713A/ja active Pending
-
2020
- 2020-09-04 CN CN202010925740.1A patent/CN112491370B/zh active Active
- 2020-09-10 US US17/017,184 patent/US11309842B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112491370B (zh) | 2024-05-03 |
US11309842B2 (en) | 2022-04-19 |
US20210075369A1 (en) | 2021-03-11 |
CN112491370A (zh) | 2021-03-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7567128B2 (en) | Power amplifier suppressing radiation of second harmonic over wide frequency band | |
CN107404289B (zh) | 功率放大模块 | |
EP0837559B1 (en) | High efficiency linear power amplifier of plural frequency bands and high efficiency power amplifier | |
TWI654831B (zh) | 通訊模組 | |
JP5958834B2 (ja) | 高周波電力増幅器 | |
JP2011015242A (ja) | 高周波電力増幅器 | |
CN113824412B (zh) | 差动放大电路 | |
KR102661652B1 (ko) | 전력 증폭 회로 | |
JP2019083476A (ja) | 電力増幅回路 | |
CN109194291A (zh) | 一种高增益高线性带旁路功能的单片式低噪声放大器 | |
KR102585866B1 (ko) | 공통 게이트 증폭 회로 및 그것을 이용한 전력 증폭기 | |
KR20200050866A (ko) | 전력 증폭 회로 | |
JP2001274639A (ja) | 半導体電力増幅器および多段モノリシック集積回路 | |
JP2006005848A (ja) | 電力増幅器及び高周波通信装置 | |
TWI483542B (zh) | 放大器電路 | |
JP2021044713A (ja) | 電力増幅回路 | |
US11323080B2 (en) | Amplification circuit, radio-frequency front end circuit, and communication device | |
CN109327194A (zh) | 一种宽带高线性带旁路功能的单片式低噪声放大器 | |
KR101503973B1 (ko) | 증폭장치 | |
US20230092413A1 (en) | Radiofrequency amplifier | |
JP2013131802A (ja) | Rf電力増幅器およびその動作方法 | |
CN113054913A (zh) | 高频电路 | |
US20240291445A1 (en) | Matching circuit | |
US11190154B2 (en) | Power amplifier circuit | |
JP2007281714A (ja) | インピーダンス変換回路及びそれを用いた電力増幅装置 |