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JP2020031113A - 半導体記憶装置およびその製造方法 - Google Patents

半導体記憶装置およびその製造方法 Download PDF

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JP2020031113A JP2018154947A JP2018154947A JP2020031113A JP 2020031113 A JP2020031113 A JP 2020031113A JP 2018154947 A JP2018154947 A JP 2018154947A JP 2018154947 A JP2018154947 A JP 2018154947A JP 2020031113 A JP2020031113 A JP 2020031113A
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Abstract

【課題】溝の底部に析出物が発生することを抑制できる半導体記憶装置を提供する。【解決手段】本実施形態による半導体記憶装置は、基板を備える。基板上に、第1導電層と第1絶縁層とを第1方向に交互に積層した積層体が設けられている。柱状部が、積層体内において第1方向に延在しメモリ膜を有する。絶縁部材が、積層体内の柱状部と異なる位置において第1方向に延在する。燐含有絶縁物が、積層体および絶縁部材の下方に設けられている。【選択図】図1

Description

本実施形態は、半導体記憶装置およびその製造方法に関する。
NAND型フラッシュメモリのように、絶縁膜と導電膜とを交互に積層した立体型メモリセルアレイを有する不揮発性メモリの製造方法において、絶縁膜と犠牲膜とを積層し、この積層膜を貫通するスリットを介して、犠牲膜を導電膜に置換(リプレース)する工程が知られている。
特開2009−224465号公報 米国特許公開第2012/0052674号公報
信頼性をより向上させた半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。
本実施形態による半導体記憶装置は、基板を備える。基板上に、第1導電層と第1絶縁層とを第1方向に交互に積層した積層体が設けられている。柱状部が、積層体内において第1方向に延在しメモリ膜を有する。絶縁部材が、積層体内の柱状部と異なる位置において第1方向に延在する。燐含有絶縁物が、積層体および絶縁部材の下方に設けられている。
第1実施形態による半導体記憶装置の構成の一例を示す断面図。 柱状部およびメモリセルの構成例を示す断面図。 第1実施形態による半導体記憶装置の製造方法の一例を示す断面図。 図3に続く、半導体記憶装置の製造方法の一例を示す断面図。 第2実施形態による半導体記憶装置の構成の一例を示す断面図。 第3実施形態による半導体記憶装置の構成の一例を示す断面図。 第4実施形態による半導体記憶装置の構成の一例を示す断面図。 第5実施形態による半導体記憶装置の構成の一例を示す平面図。 図8の9−9線に沿った断面図。 第5実施形態における犠牲層のエッチング工程の様子を示す断面図。 第6実施形態による半導体記憶装置の構成例を示す平面図。 図11の12−12線に沿った断面図。 第5実施形態の変形例1による半導体記憶装置の構成例を示す平面図。 第5実施形態の変形例2による半導体記憶装置の構成例を示す平面図。 第6実施形態の変形例3による半導体記憶装置の構成例を示す平面図。 第6実施形態の変形例4による半導体記憶装置の構成例を示す平面図。
以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。以下の実施形態において、半導体基板の上下方向は、半導体素子が設けられる面を上とした場合の相対方向を示し、重力加速度に従った上下方向と異なる場合がある。図面は模式的または概念的なものであり、各部分の比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。明細書と図面において、既出の図面に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
(第1実施形態)
図1は、第1実施形態による半導体記憶装置1の構成の一例を示す断面図である。半導体記憶装置1は、例えば、NAND型フラッシュメモリ等の半導体メモリでもよい。半導体記憶装置1のメモリセルアレイMCAは、例えば、三次元的にメモリセルを配置した立体型メモリセルアレイである。なお、図1においては、図を見易くするために、メモリセルアレイMCAは、簡略化して図示されている、また、以下の実施形態では半導体としてシリコンを例示するが、シリコン以外の半導体を用いてもよい。
また、説明の便宜上、XYZ直交座標系を導入する。この座標系においては、基板10の表面に対して平行な方向であって相互に直交する2方向をX方向及びY方向とし、XおよびY方向に対して直交する方向をZ方向とする。導電層としてのワード線WLはZ方向に積層されている。
半導体記憶装置1は、半導体基板10と、回路素子20と、層間絶縁膜30と、メモリセルアレイMCAと、スリット40と、スリット50とを備えている。
半導体基板10は、特に限定しないが、例えば、シリコン基板である。半導体基板10の表面には、ウェル構造が適宜形成されている。
回路素子20は、半導体基板10の表面上に設けられており、例えば、トランジスタで構成されたCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)回路である。CMOS回路は、例えば、メモリセルアレイMCAを制御する制御回路である。図1に示すように、回路素子20は、メモリセルアレイMCAの下方に設けられている。尚、図1では、回路素子20を簡略化して層として図示している。
層間絶縁膜30は、半導体基板10の表面上に設けられており、例えば回路素子20を被覆する。層間絶縁膜30には、例えば、シリコン酸化膜等の絶縁膜を用いている。なお、図1においては、回路素子20上に層間絶縁膜20および積層体30が形成されるように示されているが、回路素子20は半導体基板10上であって、積層体が形成されていない領域に設けられていてもよい。
層間絶縁膜30上には、メモリセルアレイMCAが設けられている。メモリセルアレイMCAは、第1導電層としてのワード線WLと第1絶縁層としての絶縁層25とを交互に積層した積層体STを有する。積層体STの内部には、積層体STを積層方向(Z方向)に貫通する柱状部SPがメモリホールMH内に設けられている。柱状部SPおよび積層体STは、NANDストリングNSを構成する。NANDストリングNSは、柱状部SPとワード線WLとの間にあるメモリセルMCを柱状部SPによってZ方向に直列接続した構造を有する。NANDストリングNSのZ方向の両端には、セレクトゲート(図示せず)が設けられている。柱状部SPおよびメモリセルMCのより詳細な構成は、図2を参照して後で説明する。以下、メモリセルアレイMCAは積層体STと呼ぶ場合もある。
積層体STと層間絶縁膜30との間には絶縁層を介してソース線SLが設けられる。ソース線SLは柱状部SPと電気的に接続する。
スリット40は、積層体ST内において、Z方向に延在するように設けられており、その内部は第2絶縁層としてのシリコン酸化膜42で充填されている。また、スリット40はY方向にも延在するが、ソース線SLを貫通するスリット40はY方向に部分的に設けられており、ソース線SLは完全には分断されない。
スリット40および積層体STの下方の層間絶縁膜30には、スリット50が設けられている。スリット50の内壁面には燐(P)と珪素(Si)を含有する化合物(以降、燐含有絶縁物または燐含有シリカと称する)52が設けられており、その中心部は、スリット40と同様にシリコン酸化膜42で充填されている。尚、スリット50の中心部には、シリコン酸化膜42に囲まれたシームあるいはボイドBがあってもよい。燐含有絶縁物52は、層間絶縁膜30内において、スリット40から±X方向へ延在しており、柱状部SPの下方まで設けられている。スリット50は、スリット40よりもX方向の幅において広い。スリット50のY方向の大きさは、特に限定しないが、スリット40と同程度でよい。燐含有絶縁物52は、例えば、燐を含有するシリコン酸化物(シリカ)である。尚、スリット40の内面にも、燐含有絶縁物52が或る程度付着しているが、図1および図4(C)においてその図示は省略されている。また、図1において、燐含有絶縁物52はスリット50の内壁全体を覆うように図示されているが、部分的に存在していてもよい。
図2は、柱状部SPおよびメモリセルMCの構成例を示す断面図である。メモリホールMH内には、絶縁体(例えば、酸化シリコン)118が設けられている。絶縁体118とワード線WLとの間には、ワード線WL側から順にブロック絶縁膜114、電荷蓄積膜115、トンネル縁膜116および導電膜(例えば、シリコン)117が設けられている。ブロック絶縁膜114はワード線WLに接し、トンネル絶縁膜116は導電膜117に接し、ブロック絶縁膜114とトンネル絶縁膜116との間に電荷蓄積膜115が設けられている。
導電膜117はチャネルとして機能し、ワード線WLはコントロールゲートとして機能し、電荷蓄積膜115は導電膜117から注入される電荷を蓄積するデータ記憶層として機能する。すなわち、導電膜117と各ワード線WLとの交差部分に、チャネルの周囲をコントロールゲートが囲んだ構造のメモリセルMCが形成されている。
本実施形態に係る半導体記憶装置1は、データの消去・書き込みを電気的に自由に行うことができ、電源を切っても記憶内容を保持することができる不揮発性半導体記憶装置である。例えば、メモリセルMCはチャージトラップ構造のメモリセルである。電荷蓄積膜115は、電荷(電子)を閉じこめるトラップを多数有し、例えばシリコン窒化膜である。トンネル絶縁膜116は、例えばシリコン酸化膜であり、電荷蓄積膜115に導電膜117から電荷が注入される際、または電荷蓄積膜115に蓄積された電荷が導電膜117へ拡散する際に電位障壁となる。ブロック絶縁膜114は、例えばシリコン酸化膜であり、電荷蓄積膜115に蓄積された電荷が、ワード線WLへ拡散することを防止する。
次に、半導体記憶装置1の製造方法について説明する。
図3(A)〜図4(C)は、第1実施形態による半導体記憶装置1の製造方法の一例を示す断面図である。まず、半導体ウェハの製造工程において、図3(A)に示すように、半導体基板10の表面上に回路素子20を形成する。次に、回路素子20上に層間絶縁膜30を形成する。
次に、リソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、層間絶縁膜30の一部の領域の上部を除去してスリット50を形成する。本実施形態において、スリット50は、例えば、ボックス状の空間(空洞)であり、X方向にスリット40よりも広い平面パターンで形成される。次に、スリット50に、犠牲層51を埋め込む。犠牲層51は、層間絶縁膜30および後で形成される積層体STに対してエッチング加工可能な材料であり、例えば、ノンドープトポリシリコン、アモルファス・シリコンあるいは金属でよい。次に、CMP(Chemical Mechanical Polishing)法を用いて、犠牲層51を平坦化する。これにより、図3(A)に示すように、スリット50内に犠牲層51が埋め込まれる。
次に、図3(B)に示すように、層間絶縁層30および犠牲層51上に絶縁層25と犠牲層35、36とを交互に積層する。この段階での積層体STは、絶縁層25と犠牲層35、36との積層体となる。尚、最下層の犠牲層36は、ソース線SLの電極を形成するために後で置換される。絶縁層25は、例えば、シリコン酸化膜である。犠牲層35は、絶縁層25に対して選択的にエッチング可能な材料であり、例えば、シリコン窒化膜である。犠牲層36は、絶縁層25および犠牲層35に対して選択的にエッチング可能な材料であり、例えば、シリコンまたはポリシリコンである。
次に、リソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、図3(C)に示すように、積層体STの積層方向に延在するメモリホールMHを積層体STに形成する。このとき、積層体STは、絶縁層(例えば、シリコン酸化膜)25と犠牲層(シリコン窒化膜)35との積層膜であるので、ワード線WLの金属材料(例えば、タングステン)と比べて加工し易い。
次に、メモリホールMH内に、図2に示したブロック絶縁膜114、電荷蓄積膜115およびトンネル絶縁膜116が形成される。さらに、メモリホールMH内に導電膜(例えば、シリコン)117が形成される。さらに、メモリホールMH内に絶縁体118が充填される。これにより、図3(C)に示すように、柱状部SPがメモリホールMH内にZ方向に延在するように形成される。
次に、リソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、図4(A)に示すように、スリット40を積層体ST内においてZ方向に延伸するように形成する。スリット40は、メモリホールMHとは別に犠牲層51上に形成され、積層体STを貫通して、犠牲層51に達する。
次に、スリット40を介して、犠牲層36を除去し、さらに、犠牲層36に隣接し犠牲層36と導電膜117との間にあるブロック絶縁膜114および電荷蓄積膜115も除去する。犠牲層36と導電膜117との間にあるトンネル絶縁膜116は残置される。このとき、犠牲層36は選択的に除去され、犠牲層35は除去されていない。
次に、犠牲層36のあった空間にソース線SLの材料37を埋め込む。材料37は、例えば、ボロン等を含有するドープトポリシリコン、タングステン等の金属が考えられるが特に限定されない。これにより、ソース線SLが形成される。
次に、エッチング技術を用いて、スリット40を介して犠牲層51を除去し、図4(B)に示すように、空洞部としてのスリット50を形成する。犠牲層51は、積層体STよりも深い層間絶縁膜30内において、スリット40よりもX方向および/またはY方向へ広く形成されている。これにより、スリット50も、犠牲層51と同様の位置および大きさに形成される。即ち、スリット50は、スリット40および積層体STの下方に、Z方向に対して略直交するX方向および/またはY方向へ延在し、スリット40よりもX方向および/またはY方向へ広く形成される。ここで、上述した犠牲層51の材料は、電極37の材料とのエッチング選択性によっても決定される。例えば、ゲート電極37がボロンドープトポリシリコンである場合、犠牲層51はノンドープトポリシリコンを用いることが考えられる。この時、アルカリ溶液を用いて犠牲層51を選択的にエッチングすることができる。
次に、図4(C)に示すように、スリット40およびスリット50へエッチング液を供給して犠牲層35を除去する。犠牲層35は、例えば、シリコン窒化膜であり、エッチング液は例えば熱燐酸溶液または硫酸溶液等が考えられる。以降は熱燐酸溶液を用いた場合を例に説明する。熱燐酸溶液によるウェットエッチングは、高価な真空装置を用いる必要がなく、複数の半導体基板を同時に処理することができる。このため、エッチングコストが低廉であり、頻繁に用いられる。
本実施形態において、スリット50にはシリコン窒化膜は存在しないため、熱燐酸溶液の処理によって犠牲層35のシリコン窒化膜から溶出した珪素(Si)を含む化合物(以降、シリカと称する)は、スリット50へと拡散し、スリット50内のシリカ濃度を高める。スリット50がシリカ濃度の高い熱燐酸溶液を滞留させることによって、図4(C)に示すように、熱燐酸溶液に含まれる燐含有シリカ(燐含有絶縁物)52は、スリット50の内壁にも析出する。図1に示すように、燐含有シリカ52は、スリット50底面にも析出する。すなわち、燐含有シリカ52は、層間絶縁膜30内において、Z方向の任意の高さに、Z方向に対してほぼ垂直方向(略水平方向)に層状または線状に析出する。
本実施形態によれば、多くの燐含有シリカ52がスリット50の内面に析出するので、その分、絶縁層25に析出する燐含有シリカ52の量を低減させることができる。これにより、Z方向に隣接する絶縁層25間の間隔があまり狭くならず、図4(C)の後の工程において、ワード線WLの材料(例えば、タングステン)を容易に埋め込むことができる。尚、上述のとおり、図1および図4(C)では、絶縁層25に析出する燐含有シリカ52の図示は省略している。
次に、犠牲層35のあった位置に第1導電層としてのワード線WLの材料を埋め込む。ワード線WLの材料には、例えば、タングステン、窒化チタン(TiN)等の導電性材料が用いられる。尚、ワード線WLは複数の金属材料の積層であってもよい。例えば、犠牲層35のあった位置にバリアメタルとして窒化チタンを薄く形成し、その後、タングステンを埋め込んでもよい。これにより、スリット40およびスリット50内にワード線WLの導電性材料が形成される。
スリット40内の絶縁層25の側面に形成された導電性材料(第1金属)は、Z方向に隣接するワード線WL間の短絡を防止するために、エッチング技術を用いて取り除かれる。スリット50内の導電性材料は、絶縁層25の側面に形成された導電性材料の除去と同時に除去されるがスリット50内壁に残る場合がある。しかし、スリット50内に導電性材料が残ったとしても、半導体記憶装置1の機能に悪影響を与えることはない。また、導電性材料がスリット50内壁に残る場合には、導電性材料は図1に示す燐含有シリカ52と同じように、スリット50内壁に層状に析出することが考えられる。スリット50内の導電性材料は、積層体STおよび絶縁層42の下方に設けられ絶縁層42に接触している。
次に、スリット40およびスリット50内に絶縁層42を埋め込む。絶縁層42には、例えば、シリコン酸化膜等の絶縁膜が用いられる。これにより、図1に示す構造が得られる。
その後、ビット線を含む多層配線層(図示せず)を積層体ST上に形成する。これにより、図1に示す半導体記憶装置1が完成する。
以上のように、本実施形態によれば、スリット40の下に、スリット50が形成される。スリット50は、エッチング液(熱燐酸溶液)を滞留させることができ、燐含有シリカ52をスリット50の内壁にも析出させる。これにより、スリット40の絶縁層25に析出する燐含有シリカ52の量を減少させることができる。その結果、Z方向に隣接する絶縁層25間に、ワード線WLの材料(例えば、タングステン)を容易に埋め込むことができ、ワード線WLの不良を抑制することができる。また、スリット50を設けることによって、積層体STの積層数、即ち、ワード線WLの積層数を増大させることができ、記憶容量の密度を向上させることができる。
また、材質や表面処理方法によって、燐含有シリカ52の析出速度を変更させることができる。例えば、燐含有シリカ52を析出させたくないスリット40の内面は炭素材で終端させ、析出させたいスリット50の内面はシリコン酸化物またはシリコン水酸化物で終端しておくことが考えられる。従って、スリット50の内面をシリコン酸化物またはシリコン水酸化物で終端するように表面処理してもよい。
(第2実施形態)
図5は、第2実施形態による半導体記憶装置2の構成の一例を示す断面図である。第2実施形態は、スリット50の形状において第1実施形態のそれと異なる。第2実施形態によるスリット50の側面は、凹凸状あるいはジグザグ状に形成されている。これにより、スリット50の内面の面積を増大させる。また、スリット50内で析出した燐含有シリカ52は、スリット50の内面に沿って析出する。従って、第2実施形態は、スリット50の内面に析出するシリカ量を増大させることができ、逆に、絶縁層25に析出する燐含有シリカの量をさらに減少させることができる。
スリット50の形状は、特に限定しない。しかし、絶縁層25に析出する燐含有シリカの量を減少させるために、スリット50の内面の面積は大きい方が好ましい。
第2実施形態のその他の構成は、第1実施形態の対応する構成と同様でよい。これにより、第2実施形態は、第1実施形態と同様の効果を得ることができる。
尚、第2実施形態によるスリット50の形状は、図3(A)の工程において、スリット50のX方向の幅を変更しながら、層間絶縁膜30の形成と犠牲層51の埋め込みとを複数回に分けて繰り返し実行することによって得られる。その後、図3(B)以降の工程は、第1実施形態と同様でよい。これにより、第2実施形態によるスリット50が形成され得る。
(第3実施形態)
図6は、第3実施形態による半導体記憶装置3の構成の一例を示す断面図である。第3実施形態は、スリット50が半導体基板10内に設けられている点で第1実施形態と異なる。従って、燐含有シリカ52は、半導体基板10内のスリット50の内面に沿って形成されている。また、回路素子20は、半導体基板10上において積層体が形成される領域とは異なる領域に形成される。第3実施形態のその他の構成は、第1実施形態の対応する構成と同様でよい。このように、スリット50は、半導体基板10内に設けられても、本実施形態の効果は失われない。
尚、第3実施形態では、図3(A)の工程の前に、リソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて半導体基板10を加工し、犠牲層51を埋め込んでおく。図4(A)のスリット40は、半導体基板10中のスリット50へ到達するように形成される。第2実施形態のその他の工程は、第1実施形態の対応する工程と同様でよい。これにより、第3実施形態によるスリット50が形成され得る。
第3実施形態は、第2実施形態と組み合わせてもよい。即ち、スリット50の形状は、特に限定しない。絶縁層25に析出する燐含有シリカの量を減少させるために、スリット50の内面の面積は大きい方が好ましい。
(第4実施形態)
図7は、第4実施形態による半導体記憶装置4の構成の一例を示す断面図である。第4実施形態は、スリット50が半導体基板10内に設けられている点で第3実施形態と同様である。しかし、第4実施形態は、積層体と半導体基板10との間ではなく、スリット40内部にソース線コンタクトプラグSCが設けられている点で第3実施形態と異なる。
スリット40とスリット50との間の入口部54の開口幅は、スリット40の開口幅よりも狭く形成されているため、ソース線コンタクトプラグSCの材料が入口部54を閉塞している。従って、燐含有シリカ52は、半導体基板10内のスリット50の内面に沿って形成されているものの、スリット50の内部は、空洞あるいはボイドBとなっている。
ソース線コンタクトプラグSCには、例えば、タングステン等の導電性金属が用いられる。ソース線コンタクトプラグSCの材料は、スリット50の内部に進入しても特に問題無い。しかし、材料コストおよびソース線コンタクトプラグSCと柱状部SPとの間の短絡等を考慮すると、ソース線コンタクトプラグSCの材料は、スリット50の内に進入しない方が好ましい。本実施形態によれば、スリット50の入口部54の開口幅を狭くすることによって、ソース線コンタクトプラグSCの形成時に、ソース線コンタクトプラグSCの材料が入口部54を自然に閉塞する。
このように、スリット40内部にソース線コンタクトプラグSCが設けられている形態であっても、スリット50を適用することができる。従って、第4実施形態も第1実施形態と同様の効果を得ることができる。
第4実施形態では、図3(A)の工程の前に、リソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて半導体基板10を加工し、犠牲層51を埋め込んでおく。図4(A)のスリット40は、半導体基板10中のスリット50へ到達するように形成される。ただし、最初のリソグラフィ技術およびエッチング技術では、スリット40を狭く形成して半導体基板10に狭い入口部54を形成し、2回目のリソグラフィ技術およびエッチング技術において、入口部54の幅を維持してスリット40の幅を拡げる。これにより、スリット50の入口部54を狭く形成することができる。
次に、図4(B)および図4(C)を参照して説明した工程を経る。スリット50内壁には燐含有シリカ52が析出する。
その後、絶縁層25間にワード線WL材料を埋め込んだ後にスリット40の内面にシリコン酸化膜42を堆積し、ソース線コンタクトプラグSCの材料(例えば、タングステン)をスリット40内に埋め込む。このとき、スリット50の入口部54は、スリット40より狭いので、ソース線コンタクトプラグSCの材料で閉塞され、スリット50の内部に空洞が残る。
第4実施形態は、第2実施形態と組み合わせてもよい。即ち、スリット50の形状は、特に限定しない。絶縁層25に析出する燐含有シリカの量を減少させるために、スリット50の内面の面積は大きい方が好ましい。
(第5実施形態)
図8は、第5実施形態による半導体記憶装置5の構成の一例を示す平面図である。尚、図8では、積層体STおよび上部配線等の図示を省略している。また積層体の外形を破線で表す。
第1〜第4実施形態では、スリット50は、ボックス状に閉じた空洞として設けられている。これに対し、第5実施形態では、スリット50は、X方向に延在するパス50aと、Z方向に延在するホール50bとを備えている。第1空洞領域としてのパス50aは、積層体STの下方に設けられ、Z方向の上方からの平面視においてスリット40に対して略直行方向(X方向)に延在している。複数のパス50aは、平面視において、Y方向に平行となるように(ストライプ状に)延在している。パス50aは、スリット40およびホール50bと連通している。第2空洞領域としてのホール50bは、積層体STの外側において、回路素子20の無い領域に形成される。ホール50bは、積層体STの外側においてZ方向(積層方向)へ向かって延在している。なお、ホール50bはホール形状に限定されず、パス50aと連通する凹形状であればよい。
パス50aの内壁には、第1絶縁物領域としての燐含有シリカ52aが設けられており、ホール50bの内壁には、第2絶縁物領域としての燐含有シリカ52bが設けられている。燐含有シリカ52aは、積層体STの下方において、パス50aに沿ってX方向へ延在している。燐含有シリカ52bは、積層体STの外側において、ホール50bに沿ってZ方向へ延在している。図8において、燐含有シリカ52a、52bは、積層体STの外側で部分的に重複している。これは、パス50aとホール50bとが繋がっていることを示す。
図9は、図8の9−9線に沿った断面図である。積層体STの構造は、第1〜第4実施形態の積層体STの構造と同様でよい。尚、図9では、ビット線BLおよびコンタクトプラグの構造も示している。ビット線BLは、X方向へ延在しており、X方向へ配列する複数の柱状部SPに共通に電気的に接続されている。ワード線の配線(図示せず)は、Y方向へ延在しており、階段状に形成されたワード線WLに個別に電気的に接続されている。
積層体STの下には、パス50aがX方向に延在しており、積層体STの外側において、ホール50bに繋がっている。ホール50bは、積層体STの外側において、パス50aから積層体STの上面の高さまでZ方向に延在している。
上述の通り、パス50aの内壁には、燐含有シリカ52aが設けられており、ホール50bの内壁には、燐含有シリカ52bが設けられている。燐含有シリカ52aは、積層体STの下方において、パス50aに沿ってX方向へ延在している。燐含有シリカ52bは、積層体STの外側において、ホール50bに沿ってZ方向へ延在している。尚、図9において、スリット40の内壁に析出する燐含有シリカの図示は省略されている。また、パス50aの中心部には、シリコン酸化膜42に囲まれたシームあるいはボイドBがあってもよい。
図10は、第5実施形態における犠牲層35のエッチング工程の様子を示す断面図である。尚、パス50aは、図3(A)に示す犠牲層51を、図8に示すようにライン状のパターンに形成すればよい。また、ホール50bは、スリット40の形成工程においてスリット40と同時に形成すればよい。スリット40およびホール50bの形成後、スリット40およびホール50bを介してパス50aの犠牲層51を除去する。これにより、第1実施形態と同様の製造方法を用いて、図8および図9に示すパス50aおよびホール50bを形成することができる。
ここで、図10に示すように、スリット40、パス50aおよびホール50bは、互いに連通している。これにより、犠牲層35を熱燐酸溶液でウェットエッチングする際に、熱燐酸溶液は、図10の矢印で示すように、スリット40、パス50aおよびホール50bを介して流れることができる。即ち、熱燐酸溶液は、パス50aおよびホール50bを介して排出され得る。逆に、熱燐酸溶液は、パス50aおよびホール50bから流れ込んで、スリット40の上部から排出されてもよい。これにより、燐含有シリカ52a、52bは、図9に示すように、パス50aおよびホール50bに析出させることができる。また、シリカを含んだ熱燐酸溶液は、ホール50bまたはスリット40から排出され得る。従って、第5実施形態は、燐含有シリカ52の排出効率を向上させることでき、スリット40の底部の絶縁層25に析出する燐含有シリカ52の量をさらに減少させることができる。また、熱燐酸溶液の流れが向上するので、スリット40の上部と底部とにおける燐含有シリカの析出量の差がさらに軽減される。熱燐酸溶液がパス50aおよびホール50bを流れるので、スリット50(パス50aおよびホール50b)自体の容積は小さくてもよい。
また、図8に示すように、パス50aは、スリット40に対し略直行方向へ延在する。これにより、パス50aは、スリット40からの、または、スリット40への熱燐酸溶液を略均等に効率的に流すことができる。これにより、スリット40によって燐含有シリカの析出量のばらつきが抑制される。
第5実施形態のその他の工程は、第1実施形態の工程と同様でよい。従って、犠牲層35を熱燐酸溶液で除去し、ワード線WLを形成した後、スリット40、パス50aおよびホール50bは、シリコン酸化膜等の絶縁膜で充填される。その後、コンタクトプラグ、ビット線BL等を形成することによって、図9に示す半導体記憶装置5が完成する。
(第6実施形態)
図11は、第6実施形態による半導体記憶装置6の構成例を示す平面図である。半導体記憶装置6のパス50aは、第5実施形態で示したようなX方向に延在しY方向に離間した矩形状ではなく積層体STの下方に全体的(全面)に設けられている。図11に示すようにZ方向の上方からの平面視において、パス50aは、特に限定しないが、方形状に形成されている。パス50aが積層体STの下方に全体的に設けられているので、パス50a上の積層体STが没落しないように、柱状部53がパス50a内の積層体STと層間絶縁膜30との間に設けられている。柱状部53は、積層体STが没落してパス50aを塞がないように積層体STを支持する。図11に示すようにZ方向の上方からの平面視において、柱状部53は、パス50a内において、略均等に配置されていることが好ましい。
一方、ホール50bは、積層体STの周囲を取り囲むように略均等に配置されている。ホール50bを積層体STに対して略均等に配置することによって、ホール50bは、熱燐酸溶液をパス50aから略均等に排出することができる。また、パス50aが積層体STの下方に全体的に設けられているので、ホール50bの配置の自由度が高くなる。
燐含有シリカ52は、熱燐酸溶液が接触するパス50aおよびホール50bの内壁に析出する。従って、燐含有シリカ52は、積層体STの下方に全体的に設けられ、層状に形成される。また、図11に示すように、燐含有シリカ52aは、柱状部53の側壁にも析出する。従って、燐含有シリカ52aは、積層体STの下方において柱状にも残置される。
図12は、半導体記憶装置6の任意の位置におけるXZ断面図である。ただし、図12は断面図の一例であり、柱状部53およびホール50bが同一直線状(例えばX線上)に配置されている場合を示す。積層体STの構造は、第5実施形態の積層体STの構造と同様でよい。
積層体STの下には、パス50aがXY平面に延在しており、積層体STの外側において、ホール50bに繋がっている。ホール50bは、積層体STの外側において、パス50aから積層体STの上面の高さまでZ方向に延在している。ホール50bは、積層体STの外側にあるので、ホール50bでは積層体STの犠牲層35は露出していない。よって、犠牲層35は、スリット40を介して除去されるが、ホール50bを介してはエッチングされない。
上述の通り、パス50aの内壁には、燐含有シリカ52aが設けられており、ホール50bの内壁には、燐含有シリカ52aと同一材料の燐含有シリカ52bが設けられている。さらに、燐含有シリカ52aは、柱状部53の側壁にも析出する場合がある。燐含有シリカ52aは、積層体STの下方において、パス50aに沿ってXY平面に延在している。燐含有シリカ52bは、積層体STの外側において、ホール50bに沿ってZ方向へ延在している。尚、図12において、スリット40の内壁に析出する燐含有シリカの図示は省略されている。
第6実施形態における犠牲層35のエッチング工程の様子は、図10を参照して説明した通りである。ただし、図12のパス50aには、柱状部53が設けられており、熱燐酸溶液は、柱状部53の周囲を流れてホール50bまたはスリット40を介して排出される。従って、柱状部53の側面にも燐含有シリカ52aが析出する。
第6実施形態のパス50aは、図3(A)に示す犠牲層51を、図11に示す50aのように積層体STの全体の下部およびその周囲に形成すればよい。尚、柱状部53の形成領域には、犠牲層51は形成しない。また、ホール50bは、スリット40の形成工程においてスリット40と同時に形成すればよい。スリット40およびホール50bの形成後、スリット40およびホール50bを介してパス50aの犠牲層51を除去する。これにより、第1実施形態と同様の製造方法を用いて、図11および図12に示すパス50aおよびホール50bを形成することができる。
図11に示す平面図において、柱状部53は、スリット40およびホール50b以外の領域に略均等に分散配置されていればよく、必ずしも整列配置されている必要はない。また、柱状部53とスリット40または/およびホール50bとがそれぞれ部分的に重なる場合でも、熱燐酸溶液が通液可能な開口を有していればよい。
(変形例1)
図13は、第5実施形態の変形例1による半導体記憶装置の構成例を示す平面図である。変形例1は、スリット40の平面レイアウトが千鳥状に配置されている点で第5実施形態と異なる。換言すると、スリット40の平面レイアウトは、XおよびY方向に連続することなく、断続的に配置されている。変形例1のその他の構成は、第5実施形態と同様でよい。従って、パス50a、ホール50b、燐含有シリカ52a、52bの構成は、第5実施形態のそれらと同様でよい。第5実施形態は、このような千鳥配置されたスリット40に適用してもよい。
(変形例2)
図14は、第5実施形態の変形例2による半導体記憶装置の構成例を示す平面図である。変形例2は、ホール50bの平面レイアウトがスリット40と同様にY方向に連続して延在している点で第5実施形態と異なる。すなわち、ホール50bはY方向に延在する溝である。変形例2のその他の構成は、第5実施形態と同様でよい。ホール50bを連続させて細長形状にすることによって、燐含有シリカ52の排出効率をさらに向上させることできる。
(変形例3)
図15は、第6実施形態の変形例3による半導体記憶装置の構成例を示す平面図である。変形例3は、スリット40の平面レイアウトが千鳥状に配置されている点で第6実施形態と異なる。換言すると、スリット40の平面レイアウトは、XおよびY方向に連続することなく、断続的に配置されている。変形例3のその他の構成は、第6実施形態と同様でよい。従って、パス50a、ホール50b、燐含有シリカ52a、52bの構成は、第6実施形態のそれらと同様でよい。第6実施形態は、このような千鳥配置されたスリット40に適用してもよい。
(変形例4)
図16は、第6実施形態の変形例4による半導体記憶装置の構成例を示す平面図である。変形例4は、ホール50bの平面レイアウトが積層体STの周囲に連続して取り囲むように設けられている点で第6実施形態と異なる。変形例4のその他の構成は、第6実施形態と同様でよい。ホール50bを積層体STの周囲に連続させて設けていることによって、燐含有シリカ52の排出効率をさらに向上させることできる。
上記第5、第6実施形態および変形例1〜4のスリット50は、層間絶縁膜30内に設けられている。しかし、スリット50は、第3および第4実施形態のように半導体基板10に設けられていてもよい。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
1 半導体記憶装置、10 半導体基板、20 回路素子、25 絶縁層、30 層間絶縁膜、MCA メモリセルアレイ、ST 積層体、40 スリット、42 絶縁層、50 スリット、51 犠牲層、52 燐含有シリカ、35 犠牲層、MH メモリホール、WL ワード線、BL ビット線

Claims (7)

  1. 基板と、
    前記基板上に設けられ、
    第1導電層と第1絶縁層とを第1方向に交互に積層した積層体と、
    前記積層体内において前記第1方向に延在しメモリ膜を有する柱状部と、
    前記積層体内の前記柱状部と異なる位置において前記第1方向に延在する絶縁部材と、
    前記積層体および前記絶縁部材の下方に設けられた燐含有絶縁物とを備えた半導体記憶装置。
  2. 前記燐含有絶縁物は、前記基板または前記基板と前記積層体との間に形成された層間絶縁層内において、前記第1方向における或る高さに層状または線状に設けられている、請求項1に記載の半導体記憶装置。
  3. 前記燐含有絶縁物は、燐を含有するシリコン酸化物である、請求項1または請求項2に記載の半導体記憶装置。
  4. 前記燐含有絶縁物は、前記積層体の下方において前記第1方向に対して略直交方向へ延在する第1絶縁物領域と、前記積層体の外側において前記第1方向に延在し前記第1絶縁物領域と接続する第2絶縁物領域とを備えた、請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の半導体記憶装置。
  5. 前記燐含有絶縁物は、前記積層体の下方において柱状に設けられている、請求項4に記載の半導体記憶装置。
  6. 層状またはボックス状の前記燐含有絶縁物に囲まれたボイドをさらに備えた請求項2に記載の半導体記憶装置。
  7. 基板上に第1絶縁層と犠牲層とを第1方向に交互に積層して積層体を形成し、
    前記積層体内において前記第1方向に延在しメモリ膜を有する柱状部を形成し、
    前記積層体内の前記柱状部と異なる位置において前記第1方向にスリットを形成し、
    前記スリットおよび前記積層体の下方に前記積層体の積層方向に対して略直交方向へ延在する空洞部を形成し、
    前記スリットおよび前記空洞部へエッチング液を供給して前記犠牲層を除去し、
    前記犠牲層のあった位置に第1導電層を形成する、ことを具備した半導体記憶装置の製造方法。
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