JP2020043140A - Led表示パネルの製造方法及びled表示パネル - Google Patents
Led表示パネルの製造方法及びled表示パネル Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020043140A JP2020043140A JP2018167241A JP2018167241A JP2020043140A JP 2020043140 A JP2020043140 A JP 2020043140A JP 2018167241 A JP2018167241 A JP 2018167241A JP 2018167241 A JP2018167241 A JP 2018167241A JP 2020043140 A JP2020043140 A JP 2020043140A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- led
- shielding wall
- display panel
- led display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 113
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 40
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 40
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 42
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 10
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 17
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 11
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 6
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 3
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010043121 Green Fluorescent Proteins Proteins 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000005429 filling process Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Abstract
【課題】隣接するLED間の混色を防止する。【解決手段】複数のLED4をマトリクス状に配置したLEDアレイ基板1上に、LED4を取り囲んで遮光壁3を設けたLED表示パネルの製造方法であって、透明基板14上に透明な感光性樹脂を塗布し、これをフォトリソグラフィにより露光及び現像して隔壁7を形成した後、隔壁7の表面に光を反射又は吸収する薄膜8を設けて遮光壁3を形成する工程と、LEDアレイ基板1の各LED4が、隣接する遮光壁3の間に収まるようにLEDアレイ基板1と透明基板14とをアライメントした後、接着剤層17を介して遮光壁3をLEDアレイ基板1に接合する工程と、透明基板14側からレーザ光を照射し、遮光壁3から透明基板14を剥離して取り除く工程とを含む。【選択図】図6
Description
本発明は、フルカラーのLED(light emitting diode)表示パネルの製造方法に関し、特に隣接するLED間の混色を防止したLED表示パネルの製造方法及びLED表示パネルに係るものである。
従来のLED表示パネルは、青色(例えば、450nm〜495nm)又は紺青色(例えば、420nm〜450nm)の光を放出するマイクロLEDデバイスのアレイと、このマイクロLEDデバイスのアレイ上に設けられ、マイクロLEDデバイスからの青色発光又は紺青色発光を吸収して、その発光波長を赤色、緑色及び青色の各光に夫々変換する波長変換層(蛍光発光層)のアレイと、を備えたものとなっていた(例えば、特許文献1参照)。
しかし、このような従来のLED表示パネルにおいて、各色対応の波長変換層(蛍光発光層)を隔てる遮光壁としてブラックマトリクスが使用されているため、例えば波長変換層の層厚が厚い場合に、ブラックマトリクスとして黒色顔料を含有する感光性樹脂を使用したときには、ブラックマトリクスの遮光性能により深部まで感光されず、未露光部分が生じてしまうおそれがあった。そのため、上記遮光壁によって囲まれた各色対応の開口(ピクセル)に、対応色の蛍光色素(顔料又は染料)を含有する蛍光発光レジストを充填する際に、遮光壁の一部が崩れて蛍光発光レジストが隣接する他の色の開口内に漏れ、混色の原因となるおそれがあった。特に、この問題は、高さ対幅のアスペクト比が大きい遮光壁において顕著となる。
そこで、本発明は、このような問題点に対処し、隣接するLED間の混色を防止したLED表示パネルの製造方法及びLED表示パネルを提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明によるLED表示パネルの製造方法は、複数のLEDをマトリクス状に配置したLEDアレイ基板上に、前記LEDを取り囲んで遮光壁を設けたLED表示パネルの製造方法であって、透明基板上に透明な感光性樹脂を塗布する第1ステップと、前記感光性樹脂をフォトリソグラフィにより露光及び現像して前記遮光壁の基材となる隔壁を形成する第2ステップと、前記隔壁の表面に前記LEDから放射される光を反射又は吸収する薄膜を設けて前記遮光壁を形成する第3ステップと、前記LEDアレイ基板の各LEDが、隣接する前記遮光壁の間に収まるように前記LEDアレイ基板と前記透明基板とをアライメントした後、接着剤層を介して前記遮光壁を前記LEDアレイ基板に接合する第4ステップと、前記透明基板側からレーザ光を照射し、前記遮光壁から前記透明基板を剥離して取り除く第5ステップと、を含むものである。
また、本発明によるLED表示パネルは、複数のLEDをマトリクス状に配置したLEDアレイ基板上に、前記LEDを取り囲んで遮光壁を設けたLED表示パネルであって、前記遮光壁は、感光性樹脂から成る透明な隔壁の表面に光を反射又は吸収する薄膜を設けると共に、少なくとも前記LEDを取り囲む開口の隅角部を面取りしたものである。
本発明によれば、遮光壁用の樹脂材料として透明な感光性樹脂を使用することができる。したがって、高さ対幅のアスペクト比が高い遮光壁用として厚みの厚い感光性樹脂が使用された場合であっても樹脂の深部まで完全に感光することができ、従来技術におけるようなブラックマトリクス用の感光性樹脂と違って未露光部が生じることがない。それ故、遮光壁の安定性が増すことにより、遮光壁によって囲まれた開口に例えば蛍光発光レジストを充填する際にも、遮光壁の一部が崩れて蛍光発光レジストが隣接する開口内に漏れ込むおそれがない。これにより、隣接するLED間の混色を防止することができる。
また、遮光壁の開口の隅角部を面取りしたことにより、開口内に薄膜を均一に形成することができ、遮光壁の遮光性能を向上することができる。
以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。図1は本発明によるLED表示パネルの一実施形態を示す平面図であり、図2は、図1の要部拡大断面図である。このLED表示パネルは、映像をカラー表示するもので、LEDアレイ基板1と、蛍光発光層2と、遮光壁3と、を備えて構成されている。
上記LEDアレイ基板1は、図1に示すように複数のマイクロLED4(以下、単に「LED」という)をマトリクス状に配置して備えたものであり、外部に設けた駆動回路から駆動信号を各LED4に供給し、各LED4を個別にオン及びオフ駆動して点灯及び消灯させるための配線を設けたTFT駆動基板及びフレキシブル基板等を含む表示用配線基板5上に、上記複数のLED4を配置したものとなっている。
上記LED4は、紫外から青色波長帯の光を放射するものであり、窒化ガリウム(GaN)を主材料として製造される。なお、波長が例えば200nm〜380nmの近紫外線を放射するLEDであっても、波長が例えば380nm〜500nmの青色光を放射するLEDであってもよい。
上記LEDアレイ基板1の各LED4上には、図2に示すように蛍光発光層2が設けられている。この蛍光発光層2は、LED4から放射される励起光によって励起されて対応色の蛍光FLに夫々波長変換するものであり、赤、緑、青の光三原色に対応させて各LED4上に並べて設けられた赤色蛍光発光層2R、緑色蛍光発光層2G及び青色蛍光発光層2Bで、対応色の蛍光色素6(顔料又は染料)を含有する蛍光発光レジストである。なお、図1においては、各色対応の蛍光発光層2をストライプ状に設けた場合について示しているが、各LED4に個別に対応させて設けてもよい。
詳細には、上記蛍光発光層2は、図2に示すようにレジスト膜中に数十ミクロンオーダーの粒子径の大きい蛍光色素6aと、数十ナノメートルオーダーの粒子径の小さい蛍光色素6bとを混合、分散させたものである。なお、蛍光発光層2を粒子径の大きい蛍光色素6aだけで構成してもよいが、この場合には、蛍光色素6の充填率が低下し、励起光の表示面側への漏れ光が増してしまう。一方、蛍光発光層2を粒子径の小さい蛍光色素6bだけで構成した場合には、耐光性等の安定性が劣るという問題がある。したがって、上記のように蛍光発光層2を粒子径の大きい蛍光色素6aを主体として粒子径の小さい蛍光色素6bを混合させた混合物で構成することにより、励起光の表示面側への漏れ光を抑制すると共に、発光効率を向上させることができる。
この場合、粒子径の異なる蛍光色素6の混合比率は、体積比で粒子径の大きい蛍光色素6aが50〜90Vol%に対して、粒子径の小さい蛍光色素6bは10〜50Vol%とするのが望ましい。
上記LEDアレイ基板1上には、LED4及び各色対応の蛍光発光層2を取り囲んだ状態で接着剤層(後述の第2接着剤層17)を介して遮光壁3が設けられている。この遮光壁3は、各色対応の蛍光発光層2を互いに隔てるものであり、透明な感光性樹脂をフォトリソグラフィにより露光及び現像して形成された隔壁7の表面に被着させて、LED4から放射される励起光及び該励起光によって蛍光発光層2が励起されて発光する蛍光FLを反射又は吸収する薄膜8を備えたものである。
この場合、上記透明な感光性樹脂の厚みは、該感光性樹脂を加工して形成される遮光壁3のトップ面の位置がLEDアレイ基板1上に配置されたLED4のトップ面の位置よりも高くなるように設定するのがよい。詳細には、上記感光性樹脂の厚みは、LED4のトップ面から遮光壁3が約10μm〜約40μmだけ突出するような厚みとするのがよい。なお、一実施例において、LEDアレイ基板1の上面からLED4のトップ面までの高さは約10μmであるが、これに限定されない。
より詳細には、上記透明な感光性樹脂は、上記蛍光発光層2中における粒子径の大きい蛍光色素6aの充填率を上げるために、隔壁7として高さ対幅のアスペクト比が約1以上を可能とする材料が選択される。より好ましくは、上記アスペクト比が約3以上を可能とする高アスペクト材料であるのが望ましい。このような材料としては、例えば日本化薬株式会社製のSU−8 3000や、東京応化工業株式会社製のTMMR S2000シリーズ等のMEMS(Micro Electronic Mechanical System)用永久膜フォトレジストや、新日鉄住友化学株式会社製のV−259PHAシリーズ等がある。
なお、上記感光性樹脂は、一般的に、隔壁7の隣接する開口20間の幅、隔壁7の高さ及びアスペクト比のうち、少なくとも1つのパラメータに基づいて選択される。
また、上記隔壁7の表面に設けられた薄膜8は、具体的には、励起光を反射し易いアルミニウムやアルミ合金又はニッケル等の金属膜であり、スパッタリング、蒸着又はめっき等の公知の成膜技術により、励起光及び蛍光FLを十分に遮断できる厚み、例えば、膜厚が約50nm以上、望ましくは約100nm以上で成膜されている。これにより、遮光壁3に向かって蛍光発光層2を透過した励起光をアルミニウム等の金属膜から成る薄膜8で蛍光発光層2の内側に効率よく反射させ、蛍光発光層2の発光に利用することができ、蛍光発光層2の発光効率を向上することができる。
図3は図1の領域Aを拡大して示す平面図である。図3に示すように、少なくともLED4を取り囲む遮光壁3の開口20の隅角部は、面取り21がされている。これにより、開口20内に薄膜8を均一に形成することができ、遮光壁3の遮光性能を向上することができる。また、蛍光色素6の充填率を向上することができる。面取り21の形状は、斜面(C面取り)であっても丸みを付けた面(R面取り)であってもよい。
なお、本明細書において「上」は、LED表示パネルの設置状態に関わらず、常に、表示パネルの表示面側を言う。
次に、このように構成されたLED表示パネルの製造方法について説明する。
本発明によるLED表示パネルの製造方法は、複数のLED4をマトリクス状に配置したLEDアレイ基板1上に、LED4を取り囲んで遮光壁3を設けたLED表示パネルの製造方法であって、上記遮光壁3は、透明な感光性樹脂16をフォトリソグラフィにより露光及び現像して上記遮光壁3の基材となる隔壁7を形成した後、該隔壁7の表面にLED4から放射される光を反射又は吸収する薄膜8を設けて形成されるものである。
本発明によるLED表示パネルの製造方法は、複数のLED4をマトリクス状に配置したLEDアレイ基板1上に、LED4を取り囲んで遮光壁3を設けたLED表示パネルの製造方法であって、上記遮光壁3は、透明な感光性樹脂16をフォトリソグラフィにより露光及び現像して上記遮光壁3の基材となる隔壁7を形成した後、該隔壁7の表面にLED4から放射される光を反射又は吸収する薄膜8を設けて形成されるものである。
以下、LED表示パネルの製造方法の第1の実施形態について詳細に説明する。
先ず、LEDアレイ基板1の製造について説明する。LEDアレイ基板1は、複数のLED4を駆動するための配線が施された表示用配線基板5上の所定位置に近紫外から青色波長帯の光を放射する複数のLED4を上記配線と電気的に接続させた状態で取り付けて製造される。
先ず、LEDアレイ基板1の製造について説明する。LEDアレイ基板1は、複数のLED4を駆動するための配線が施された表示用配線基板5上の所定位置に近紫外から青色波長帯の光を放射する複数のLED4を上記配線と電気的に接続させた状態で取り付けて製造される。
詳細には、先ず、図4(a)に示すように光取り出し面4a側とは反対側に接点9を備えた、紫外から青色波長帯の光を発光する複数のLED4を準備する。より詳細には、複数のLED4は、表示用配線基板5上のLED配置位置の配列ピッチと同じピッチでマトリクス状に配列して、図示省略のサファイア基板上に設けられている。
次に、図4(b)に示すように表示用配線基板5に設けられた電極パッド10上に導電性の弾性突起部11をパターニング形成する。この場合、上記弾性突起部11は、表面に金やアルミニウム等の良導電性の導電体膜12を被着させた樹脂製の突起13や、フォトレジストに銀等の導電性微粒子を添加した導電性フォトレジスト又は導電性高分子を含む導電性フォトレジストで形成した突起13である。
詳細には、弾性突起部11が表面に導電体膜12を被着させた突起13である場合には、表示用配線基板5の上面の全面に例えばフォトスペーサ用のレジストを塗布したのち、フォトマスクを使用して露光し、現像して電極パッド10上に突起13をパターニング形成した後、突起13及び電極パッド10上に、互いに導通させた状態で金又はアルミニウム等の良導電性の導電体膜12をスパッタリングや蒸着等により成膜して弾性突起部11を形成する。
この場合、導電体膜12を成膜する前に、フォトリソグラフィにより電極パッド10上を除く周辺部分にレジスト層を形成し、導電体膜12の成膜後に溶解液でレジスト層を溶解させると共に、レジスト層上の導電体膜12をリフトオフするとよい。
また、弾性突起部11が導電性フォトレジストで形成した突起13である場合には、弾性突起部11は、表示用配線基板5の上面の全面に導電性フォトレジストを所定厚みで塗布したのち、フォトマスクを使用して露光し、現像して電極パッド10上に突起13としてパターニング形成される。
このように、上記弾性突起部11は、フォトリソグラフィプロセスを適用して形成することができるので、位置及び形状に高い精度を確保することができ、LED4の接点9の間隔が10μm程度より狭くなっても容易に形成することができる。したがって、高精細なLED表示パネルの製造が可能となる。
また、弾性突起部11は、後述するようにLED4を押圧してLED4の接点9を表示用配線基板5の電極パッド10に電気接続する際、弾性突起部11が弾性変形するので、複数のLED4を同時に押圧した場合にも、各LED4の各接点9を弾性突起部11に確実に接触させることができる。したがって、LED4の接点9と電極パッド10との接触不良が減り、LED表示パネルの製造歩留りを向上することができる。なお、ここでは、弾性突起部11が表面に導電体膜12を被着させた突起13である場合について示している。
次に、図4(c)に示すように、表示用配線基板5の上面の全面に感光性接着剤を塗布したのち、フォトマスクを使用して露光し、現像して電極パッド10上の感光性接着剤が除去されるようにパターニングし、第1接着剤層20を形成する。この場合、塗布される感光性接着剤の厚みは、表示用配線基板5の電極パッド10と弾性突起部11、及びLED4の接点9を含む高さ寸法よりも大きくなるようにする。
続いて、図4(d)に示すように、LED4を、その接点9と表示用配線基板5上の電極パッド10とが互いに合致するように位置決め配置したのち、LED4の光取り出し面4a側を押圧して上記接点9と電極パッド10とを導電性の弾性突起部11を介して電気接続させる。さらに、上記第1接着剤層20を硬化させてLED4を表示用配線基板5に接着固定する。その後、公知の技術によりサファイア基板側からレーザ光を照射してサファイア基板をLED4から剥離する。このようにして、表示用配線基板5へのLED4の実装が終了し、LEDアレイ基板1が製造される。なお、上記第1接着剤層20は、熱硬化型であっても、紫外線硬化型であってもよい。
一方、別工程では、遮光壁3が形成される。以下、図5を参照して遮光壁形成工程を説明する。
先ず、図5(a)に示すように、透明基板14上に透明な感光性樹脂16を塗布する。この場合、感光性樹脂16の厚みは、後述のLEDアレイ基板1と遮光壁3との組立工程終了後の遮光壁3のトップ面の位置が、LEDアレイ基板1上に配置されたLED4のトップ面の位置よりも突出するように決めるのがよい。
先ず、図5(a)に示すように、透明基板14上に透明な感光性樹脂16を塗布する。この場合、感光性樹脂16の厚みは、後述のLEDアレイ基板1と遮光壁3との組立工程終了後の遮光壁3のトップ面の位置が、LEDアレイ基板1上に配置されたLED4のトップ面の位置よりも突出するように決めるのがよい。
具体的には、上記透明な感光性樹脂16は、これを露光現像して形成される隔壁7の高さがLEDアレイ基板1の上面からLED4のトップ面までの高さよりも約10μm〜約40μmだけ高くなるような厚みで塗布される。因みに、実施例においては、LEDアレイ基板1の上面からLED4のトップ面までの高さは、約10μmであるが、これに限定されない。ここで使用する感光性樹脂16は、高さ対幅のアスペクト比が約3以上を可能とする高アスペクト材料であり、例えば日本化薬株式会社製のSU−8 3000や、東京応化工業株式会社製のTMMR S2000シリーズ等のMEMS(Micro Electronic Mechanical System)用永久膜フォトレジスト等が好適である。これにより、隔壁7(又は遮光壁3)で囲まれた開口20内に充填される蛍光色素6の充填量を十分に確保することができ、蛍光発光層2の波長変換効率を向上することができる。したがって、高輝度な表示画面を実現することができる。
次に、図5(b)に示すように、フォトマスクを使用して感光性樹脂16を露光及び現像し、例えば図1に示すような同一色の複数のLED4を取り囲むようにして、遮光壁3の基材となる隔壁7を、隣接する開口20との間の幅が例えば約3μm〜約15μmの範囲内で、好ましくは約7μmとなるように形成する。これにより、表示画面の高精細化を図ることができる。このとき、遮光壁3の少なくともLED4を取り囲む開口20の隅角部は、図3に示すように面取り21がされている。
次いで、図5(c)に示すように、スパッタリング、蒸着又は無電解めっきにより、上記隔壁7の表面にLED4から放射される光、詳細にはLED4から放射される励起光及び蛍光発光層2が励起光によって励起さて発光する蛍光FLを反射又は吸収する薄膜8、例えばアルミニウム、アルミ合金又はニッケル等の金属膜を設けて遮光壁3を形成する。これにより、遮光壁形成工程が終了する。
遮光壁3の薄膜8が励起光を反射する金属膜である場合には、遮光壁3に向かって蛍光発光層2を透過した励起光をアルミニウムやニッケル等の金属膜で蛍光発光層2の内側に反射させ、蛍光発光層2の発光に利用することができ、蛍光発光層2の発光効率を向上することができる。
続いて、LEDアレイ基板1と遮光壁3との組立工程について説明する。
先ず、図6(a)に示すように、LEDアレイ基板1上のLED4の周りに熱硬化型又はUV硬化型の接着剤を塗布して第2接着剤層17を形成する。接着剤の塗布は、ディスペンサーを使用し又はインクジェットにより行ってもよく、又は感光性接着剤をLEDアレイ基板1の全面に塗布した後、フォトマスクを使用して露光及び現像し、LED4の周りの表示用配線基板5上に第2接着剤層17を形成してもよい。
先ず、図6(a)に示すように、LEDアレイ基板1上のLED4の周りに熱硬化型又はUV硬化型の接着剤を塗布して第2接着剤層17を形成する。接着剤の塗布は、ディスペンサーを使用し又はインクジェットにより行ってもよく、又は感光性接着剤をLEDアレイ基板1の全面に塗布した後、フォトマスクを使用して露光及び現像し、LED4の周りの表示用配線基板5上に第2接着剤層17を形成してもよい。
次に、図6(b)に示すように、遮光壁3を形成した透明基板14の遮光壁3側をLEDアレイ基板1のLED配置面に対面させた状態で、各基板に予め形成された図示省略のアライメントマークを使用してLEDアレイ基板1の各LED4が、隣接する遮光壁3の間に収まるようにLEDアレイ基板1と透明基板14とをアライメントする。
次いで、図6(c)に示すように、透明基板14を矢印方向に押圧して遮光壁3の先端部をLEDアレイ基板1の第2接着剤層17に密着させた状態で硬化させて遮光壁3をLEDアレイ基板1に接合する。第2接着剤層17の硬化は、使用する接着剤の種類に応じて熱硬化又はUV硬化若しくは熱及びUVを併用した硬化で行われる。
続いて、図7(a)に示すように、透明基板14側から、例えばYAGレーザやエキシマレーザを使用して紫外領域の波長を有するレーザ光を照射し、透明基板14との界面の遮光壁3表面をアブレートする。このとき使用するレーザ光は、一方向に長軸を有するラインビームであり、透明基板14と遮光壁3との界面に集光させた状態で、ラインビームの長軸に交差する方向にて透明基板14の一方端から他方端に向かって移動される。
次に、図7(b)に示すように、透明基板14が遮光壁3から矢印方向に剥離される。これにより、LEDアレイ基板1には、表面に薄膜8を被着させた遮光壁3が残ることになる。なお、遮光壁3に囲まれた開口20に対応する透明基板14の表面には、薄膜8の一部が付着しており、LED4上から薄膜8が取り除かれる。
その後、図8に示すように、遮光壁3で囲まれた各色対応の開口20内に、対応色の蛍光色素6(顔料又は染料)を含有する蛍光発光レジストを例えばインクジェットにより充填した後、これを乾燥させて蛍光発光層2を形成する。又はLEDアレイ基板1の全面に蛍光発光レジストを塗布した後、フォトマスクを使用して露光及び現像する工程を各色対応の蛍光発光レジストに対して実行し、遮光壁3で囲まれた各色対応の開口20内に対応色の蛍光発光層2を形成してもよい。このようにして、図1及び図2に示すような、LED表示パネルが完成する。
次に、LED表示パネルの製造方法の第2の実施形態について説明する。なお、LEDアレイ基板の製造工程及び蛍光色素の充填工程は、第1の実施形態と同じであるため、ここでは、第1の実施形態と異なる遮光壁形成工程及びLEDアレイ基板と遮光壁との組立工程について説明する。
図9は本発明によるLED表示パネルの製造方法の第2の実施形態の遮光壁形成工程を示す説明図である。
先ず、図9(a)に示すように、第1の実施形態と同様にして透明基板14上に透明な感光性樹脂16を塗布する。具体的には、上記透明な感光性樹脂16は、これを露光現像して形成される隔壁7の高さがLEDアレイ基板1の上面からLED4のトップ面までの高さよりも約10μm〜約40μmだけ高くなるような厚みで塗布される。前述したように、実施例においては、LEDアレイ基板1の上面からLED4のトップ面までの高さは約10μmであるが、これに限定されない。ここで使用する感光性樹脂16は、高さ対幅のアスペクト比が約1以上を可能とする材料が選択される。より好ましくは、上記感光性樹脂16は、アスペクト比が約3以上を可能とする高アスペクト材料が望ましく、例えば日本化薬株式会社製のSU−8 3000や、東京応化工業株式会社製のTMMR S2000シリーズ等のMEMS(Micro Electronic Mechanical System)用永久膜フォトレジストが好適である。
先ず、図9(a)に示すように、第1の実施形態と同様にして透明基板14上に透明な感光性樹脂16を塗布する。具体的には、上記透明な感光性樹脂16は、これを露光現像して形成される隔壁7の高さがLEDアレイ基板1の上面からLED4のトップ面までの高さよりも約10μm〜約40μmだけ高くなるような厚みで塗布される。前述したように、実施例においては、LEDアレイ基板1の上面からLED4のトップ面までの高さは約10μmであるが、これに限定されない。ここで使用する感光性樹脂16は、高さ対幅のアスペクト比が約1以上を可能とする材料が選択される。より好ましくは、上記感光性樹脂16は、アスペクト比が約3以上を可能とする高アスペクト材料が望ましく、例えば日本化薬株式会社製のSU−8 3000や、東京応化工業株式会社製のTMMR S2000シリーズ等のMEMS(Micro Electronic Mechanical System)用永久膜フォトレジストが好適である。
次に、図9(b)に示すように、フォトマスクを使用して感光性樹脂16を露光及び現像し、例えば図1に示すような同一色の複数のLED4を取り囲むようにして、遮光壁3の基材となる隔壁7を、隣接する開口20との間の幅が例えば約3μm〜約15μmの範囲内で、好ましくは約7μmとなるように形成する。このとき、遮光壁3の少なくともLED4を取り囲む開口20の隅角部は、図3に示すように面取り21がされている。
次いで、図9(c)に示すように、スパッタリング、蒸着又は無電解めっきにより、上記隔壁7の表面にLED4から放射される光、詳細にはLED4から放射される励起光及び蛍光発光層2が励起光によって励起さて発光する蛍光FLを反射又は吸収する薄膜8、例えばアルミニウム、アルミ合金又はニッケル等の金属膜を設けて遮光壁3を形成する。
続いて、図9(d)に示すように、遮光壁3側から例えば可視領域又は紫外領域のレーザ光を照射し、遮光壁3のトップ面及び遮光壁3に囲まれた開口20内の透明基板14の表面に被着した薄膜8を除去する。これにより、遮光壁形成工程が終了する。
続いて、LEDアレイ基板1と遮光壁3との組立工程について説明する。
先ず、図10(a)に示すように、LEDアレイ基板1上のLED4の周りに熱硬化型又はUV硬化型の接着剤を塗布して第2接着剤層17を形成する。接着剤の塗布は、ディスペンサーを使用し又はインクジェットにより行ってもよく、又は感光性接着剤をLEDアレイ基板1の全面に塗布した後、フォトマスクを使用して露光及び現像し、LED4の周りの表示用配線基板5上に第2接着剤層17を形成してもよい。
先ず、図10(a)に示すように、LEDアレイ基板1上のLED4の周りに熱硬化型又はUV硬化型の接着剤を塗布して第2接着剤層17を形成する。接着剤の塗布は、ディスペンサーを使用し又はインクジェットにより行ってもよく、又は感光性接着剤をLEDアレイ基板1の全面に塗布した後、フォトマスクを使用して露光及び現像し、LED4の周りの表示用配線基板5上に第2接着剤層17を形成してもよい。
次に、図10(b)に示すように、遮光壁3を形成した透明基板14の遮光壁3側をLEDアレイ基板1のLED配置面に対面させた状態で、各基板に予め形成された図示省略のアライメントマークを使用してLEDアレイ基板1の各LED4が、隣接する遮光壁3の間に収まるようにLEDアレイ基板1と透明基板14とをアライメントする。
次いで、図10(c)に示すように、透明基板14を矢印方向に押圧して遮光壁3の先端部をLEDアレイ基板1の第2接着剤層17に密着させた状態で硬化させて遮光壁3をLEDアレイ基板1に接合する。第2接着剤層17の硬化は、使用する接着剤の種類に応じて熱硬化又はUV硬化若しくは熱及びUVを併用した硬化で行われる。
続いて、図11(a)に示すように、透明基板14側から、例えばYAGレーザやエキシマレーザを使用して紫外領域の波長を有するレーザ光を照射し、透明基板14との界面の遮光壁3表面をアブレートする。このとき使用するレーザ光は、一方向に長軸を有するラインビームであり、透明基板14と遮光壁3の界面に集光させた状態で、ラインビームの長軸に交差する方向にて透明基板14の一方端から他方端に向かって移動される。
次に、図11(b)に示すように、透明基板14が遮光壁3から矢印方向に剥離される。これにより、LEDアレイ基板1には、表面に薄膜8を被着させた遮光壁3が残ることになる。この場合、遮光壁3の隔壁7は、第1の実施形態と違って、第2接着剤層17を介してLEDアレイ基板1に直接接合されるため、遮光壁3とLEDアレイ基板1との接合強度が増し、遮光壁3がLEDアレイ基板1から剥離するおそれがない。
その後、図8に示す第1の実施形態と同様にして、遮光壁3に囲まれた各色対応の開口20内に各色対応の蛍光色素6が充填され、LED表示パネルが完成する。
図12はLED表示パネルに形成される遮光壁3の変形例を示す要部拡大平面図であり、(a)は第1変形例を示し、(b)は第2変形例を示す。
図12(a)に示す第1変形例においては、隣接する三色対応のLED4及び蛍光発光層2を1画素18として、直交する第1画素配列方向(以下、「X方向」という)及び第2画素配列方向(以下、「Y方向」という)のうち、X方向の画素18間に位置する遮光壁3に、X方向と交差する隙間19を設けたものである。
図12(a)に示す第1変形例においては、隣接する三色対応のLED4及び蛍光発光層2を1画素18として、直交する第1画素配列方向(以下、「X方向」という)及び第2画素配列方向(以下、「Y方向」という)のうち、X方向の画素18間に位置する遮光壁3に、X方向と交差する隙間19を設けたものである。
また、図12(b)に示す第2変形例においては、X方向の画素18間に位置する遮光壁3に、X方向と交差する隙間19を設けると共に、Y方向の画素18間に位置する遮光壁3に、Y方向と交差する隙間19を設けたものである。
これにより、例えばLEDアレイ基板1の表示用配線基板5が可撓性を有するフレキシブル基板である場合に、図12(a)に示す第1変形例のLED表示パネルは、X方向に容易に丸めることができる。また、図12(b)に示す第2変形例のLED表示パネルは、X方向及びY方向の何れの方向にも容易に丸めることができる。したがって、LED表示パネルの持ち運びが容易になる。
なお、上記実施形態においては、遮光壁3の開口20の角隅部に面取り21を設ける場合について説明したが、本発明はこれに限られず、図13に示す領域Bのように、遮光壁3の外側面の角隅部に面取り21をさらに設けてもよい。これにより、遮光壁3の破損を防止することができる。
また、上記実施形態においては、透明基板14上に形成した遮光壁3をLEDアレイ基板1上に転写する場合について説明したが、本発明はこれに限られず、遮光壁3をLEDアレイ基板1上に直接形成してもよい。この場合は、LEDアレイ基板1上に透明な感光性樹脂16を塗布した後、フォトマスクを使用して露光及び現像し、LED4を取り囲むように隔壁7を形成し、隔壁7側から成膜して隔壁7の表面に薄膜8を形成し、レーザ光の照射によりLED4上及びその周りに被着した薄膜8を除去するとよい。
さらに、以上の説明においては、複数のLED4が紫外から青色波長帯の光を放射するものであり、光三原色に対応させて複数の上記LED4上に、各LED4から放射される励起光によって励起されて対応色の蛍光に夫々波長変換する蛍光発光層2を設けたものである場合について説明したが、本発明はこれに限られず、複数のLED4は夫々、赤、緑及び青色の光を個別に発光するものであってもよい。又は、三色対応のLED4のうち、一部のLED4が紫外から青色波長帯の光を放射するLED4及び蛍光発光層2の組み合わせであってもよい。
1…LEDアレイ基板
2…蛍光発光層
3…遮光壁
4…LED
7…隔壁
8…薄膜
14…透明基板
16…感光性樹脂
17…第2接着剤層(接着剤層)
18…画素
19…隙間
20…開口
21…面取り
X…第1画素配列方向
Y…第2画素配列方向
2…蛍光発光層
3…遮光壁
4…LED
7…隔壁
8…薄膜
14…透明基板
16…感光性樹脂
17…第2接着剤層(接着剤層)
18…画素
19…隙間
20…開口
21…面取り
X…第1画素配列方向
Y…第2画素配列方向
Claims (12)
- 複数のLEDをマトリクス状に配置したLEDアレイ基板上に、前記LEDを取り囲んで遮光壁を設けたLED表示パネルの製造方法であって、
透明基板上に透明な感光性樹脂を塗布する第1ステップと、
前記感光性樹脂をフォトリソグラフィにより露光及び現像して前記遮光壁の基材となる隔壁を形成する第2ステップと、
前記隔壁の表面に前記LEDから放射される光を反射又は吸収する薄膜を設けて前記遮光壁を形成する第3ステップと、
前記LEDアレイ基板の各LEDが、隣接する前記遮光壁の間に収まるように前記LEDアレイ基板と前記透明基板とをアライメントした後、接着剤層を介して前記遮光壁を前記LEDアレイ基板に接合する第4ステップと、
前記透明基板側からレーザ光を照射し、前記遮光壁から前記透明基板を剥離して取り除く第5ステップと、
を含むことを特徴とするLED表示パネルの製造方法。 - 前記第3ステップ終了後、前記第4ステップ実施前に、前記遮光壁のトップ面及び該遮光壁に囲まれた開口内の前記透明基板の表面に被着した前記薄膜を除去することを特徴とする請求項1記載のLED表示パネルの製造方法。
- 複数の前記LEDは、紫外から青色波長帯の光を放射するものであり、
光三原色に対応させて複数の前記LED上に、各LEDから放射される励起光によって励起されて対応色の蛍光に夫々波長変換する蛍光発光層を設けたことを特徴とする請求項1又は2記載のLED表示パネルの製造方法。 - 前記感光性樹脂の厚みは、前記第5ステップ終了後の前記遮光壁のトップ面の位置が、前記LEDアレイ基板上に配置された前記LEDのトップ面の位置よりも突出するように決められていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のLED表示パネルの製造方法。
- 前記感光性樹脂は、前記隔壁の隣接する前記開口間の幅、前記隔壁の高さ及びアスペクト比のうち、少なくとも1つのパラメータに基づいて選択されることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のLED表示パネルの製造方法。
- 前記遮光壁の少なくとも前記LEDを取り囲む開口の隅角部は、面取りされていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のLED表示パネルの製造方法。
- 隣接する三色対応の前記LEDを1画素として、直交する第1及び第2画素配列方向の少なくとも第1画素配列方向の画素間に位置する前記遮光壁に、前記第1画素配列方向と交差する隙間を設けたことを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載のLED表示パネルの製造方法。
- 複数のLEDをマトリクス状に配置したLEDアレイ基板上に、前記LEDを取り囲んで遮光壁を設けたLED表示パネルであって、
前記遮光壁は、感光性樹脂から成る透明な隔壁の表面に光を反射又は吸収する薄膜を設けると共に、少なくとも前記LEDを取り囲む開口の隅角部を面取りしたことを特徴とするLED表示パネル。 - 前記LEDアレイ基板は、紫外から青色波長帯の光を放射する複数のLEDを基板上にマトリクス状に配置したものであり、
前記遮光壁に取り囲まれた前記開口内には、光三原色に対応させて複数の前記LED上に、該LEDから放射される励起光によって励起されて対応色の蛍光に夫々波長変換する複数の蛍光発光層を備えており、
前記遮光壁の前記薄膜は、前記励起光及び前記蛍光を反射又は吸収するものである、
ことを特徴とする請求項8記載のLED表示パネル。 - 前記遮光壁のトップ面の位置は、前記LEDアレイ基板上に配置された前記LEDのトップ面の位置よりも高いことを特徴とする請求項8又は9記載のLED表示パネル。
- 前記感光性樹脂は、前記隔壁の隣接する前記開口間の幅、前記隔壁の高さ及びアスペクト比のうち、少なくとも1つのパラメータに基づいて選択されることを特徴とする請求項8〜10のいずれか1項に記載のLED表示パネル。
- 隣接する三色対応の前記LEDを1画素として、直交する第1及び第2画素配列方向の少なくとも第1画素配列方向の画素間に位置する前記遮光壁に、前記第1画素配列方向と交差する隙間が設けられていることを特徴とする請求項8〜10のいずれか1項に記載のLED表示パネル。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018167241A JP2020043140A (ja) | 2018-09-06 | 2018-09-06 | Led表示パネルの製造方法及びled表示パネル |
CN201980057901.5A CN112655099A (zh) | 2018-09-06 | 2019-07-29 | Led显示面板的制造方法以及led显示面板 |
KR1020217004277A KR20210055676A (ko) | 2018-09-06 | 2019-07-29 | Led 표시 패널 제조 방법 및 led 표시 패널 |
PCT/JP2019/029601 WO2020049896A1 (ja) | 2018-09-06 | 2019-07-29 | Led表示パネルの製造方法及びled表示パネル |
TW108128223A TW202025474A (zh) | 2018-09-06 | 2019-08-08 | Led顯示面板之製造方法及led顯示面板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018167241A JP2020043140A (ja) | 2018-09-06 | 2018-09-06 | Led表示パネルの製造方法及びled表示パネル |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020043140A true JP2020043140A (ja) | 2020-03-19 |
Family
ID=69722864
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018167241A Pending JP2020043140A (ja) | 2018-09-06 | 2018-09-06 | Led表示パネルの製造方法及びled表示パネル |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2020043140A (ja) |
KR (1) | KR20210055676A (ja) |
CN (1) | CN112655099A (ja) |
TW (1) | TW202025474A (ja) |
WO (1) | WO2020049896A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112802949A (zh) * | 2021-03-30 | 2021-05-14 | 北京芯海视界三维科技有限公司 | 显示器件的制作方法 |
WO2024024192A1 (ja) * | 2022-07-28 | 2024-02-01 | デクセリアルズ株式会社 | 発光装置の製造方法及び黒色転写フィルム |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113782552A (zh) * | 2020-06-10 | 2021-12-10 | 旭丰半导体股份有限公司 | 具有微芯片阵列的光学组件制造方法及该组件 |
CN111681985B (zh) * | 2020-06-23 | 2023-06-23 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 显示面板剥离方法 |
CN112133208A (zh) * | 2020-07-29 | 2020-12-25 | 杭州美卡乐光电有限公司 | Led显示模组与制作方法、led显示屏与制作方法 |
CN112164334B (zh) * | 2020-10-27 | 2022-08-26 | 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 | 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010087224A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Toyoda Gosei Co Ltd | Led表示装置およびled表示装置用隔壁の製造方法 |
TWI594661B (zh) * | 2013-04-19 | 2017-08-01 | 隆達電子股份有限公司 | 發光二極體顯示器及其製造方法 |
US8987765B2 (en) * | 2013-06-17 | 2015-03-24 | LuxVue Technology Corporation | Reflective bank structure and method for integrating a light emitting device |
US9111464B2 (en) | 2013-06-18 | 2015-08-18 | LuxVue Technology Corporation | LED display with wavelength conversion layer |
JP2015215429A (ja) * | 2014-05-09 | 2015-12-03 | 株式会社明電舎 | Led表示装置及びled表示装置の製造方法 |
KR102427644B1 (ko) * | 2015-11-16 | 2022-08-02 | 삼성전자주식회사 | 광원 모듈, 광원 모듈의 제조방법 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
US10606121B2 (en) * | 2016-09-12 | 2020-03-31 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Display apparatus |
JP2019102664A (ja) * | 2017-12-04 | 2019-06-24 | 株式会社ブイ・テクノロジー | Led表示パネルの製造方法 |
-
2018
- 2018-09-06 JP JP2018167241A patent/JP2020043140A/ja active Pending
-
2019
- 2019-07-29 WO PCT/JP2019/029601 patent/WO2020049896A1/ja active Application Filing
- 2019-07-29 KR KR1020217004277A patent/KR20210055676A/ko unknown
- 2019-07-29 CN CN201980057901.5A patent/CN112655099A/zh active Pending
- 2019-08-08 TW TW108128223A patent/TW202025474A/zh unknown
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112802949A (zh) * | 2021-03-30 | 2021-05-14 | 北京芯海视界三维科技有限公司 | 显示器件的制作方法 |
WO2024024192A1 (ja) * | 2022-07-28 | 2024-02-01 | デクセリアルズ株式会社 | 発光装置の製造方法及び黒色転写フィルム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112655099A (zh) | 2021-04-13 |
KR20210055676A (ko) | 2021-05-17 |
WO2020049896A1 (ja) | 2020-03-12 |
TW202025474A (zh) | 2020-07-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20200295224A1 (en) | Manufacturing method for led display panel | |
WO2020049896A1 (ja) | Led表示パネルの製造方法及びled表示パネル | |
US20200243739A1 (en) | Board connection structure, board mounting method, and micro-led display | |
US10193025B2 (en) | Inorganic LED pixel structure | |
WO2020116207A1 (ja) | マイクロled実装構造、マイクロledディスプレイ及びマイクロledディスプレイの製造方法 | |
US20200243712A1 (en) | Inspection method for led chip, inspection device therefor, and manufacturing method for led display | |
WO2020100470A1 (ja) | フルカラーled表示パネル | |
WO2019151066A1 (ja) | フルカラーled表示パネル及びその製造方法 | |
JP2020004939A (ja) | 基板実装方法及び電子部品実装基板 | |
JP2020013954A (ja) | 基板接続構造、マイクロledディスプレイ及び部品実装方法 | |
WO2020079921A1 (ja) | リペア用セル、マイクロledディスプレイ及びリペア用セルの製造方法 | |
US20200373350A1 (en) | Full-Color Led Display Panel And Method For Manufacturing Same | |
WO2021010079A1 (ja) | 電子部品実装構造、電子部品実装方法及びled表示パネル | |
JP2021056386A (ja) | Led表示装置の製造方法及びled表示装置 | |
US12027501B2 (en) | Surface light source and method of manufacturing surface light source | |
WO2020003869A1 (ja) | 基板実装方法及び電子部品実装基板 |