JP2019218436A - Oxidizing composition containing quaternary alkylammonium ion, chlorous acid ion, and hypochlorous acid ion - Google Patents
Oxidizing composition containing quaternary alkylammonium ion, chlorous acid ion, and hypochlorous acid ion Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019218436A JP2019218436A JP2018115018A JP2018115018A JP2019218436A JP 2019218436 A JP2019218436 A JP 2019218436A JP 2018115018 A JP2018115018 A JP 2018115018A JP 2018115018 A JP2018115018 A JP 2018115018A JP 2019218436 A JP2019218436 A JP 2019218436A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion
- oxidizing composition
- hypochlorite
- chlorite
- concentration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Detergent Compositions (AREA)
Abstract
Description
本発明は、４級アルキルアンモニウムイオン、亜塩素酸イオン、及び次亜塩素酸イオンを含む新規な酸化性組成物に関する。 The present invention relates to a novel oxidizable composition containing a quaternary alkyl ammonium ion, a chlorite ion, and a hypochlorite ion.
酸化性組成物は、他の物質に対して酸化作用を有する組成物であり、例えば、有機合成における酸化剤として使用されるなど工業的に広く使用されている。有機合成の他の用途として、金属に対する酸化作用を利用するため、金属の洗浄剤に混合されるなど幅広い分野で使用されている物質である。 An oxidizing composition is a composition having an oxidizing effect on other substances, and is widely used industrially, for example, as an oxidizing agent in organic synthesis. As another use of organic synthesis, it is a substance that is used in a wide range of fields such as being mixed with a metal detergent in order to utilize the oxidizing action on the metal.
ところで、酸化性組成物として、一般的には、次亜塩素酸ナトリウム溶液が広く知られている。しかしながら、次亜塩素酸ナトリウム溶液は、保存安定性に課題があることも知られている。すなわち、次亜塩素酸ナトリウム溶液を保存するｐＨ、温度等の保存条件によって、次亜塩素酸ナトリウム溶液に含まれる次亜塩素酸イオン（CｌO−イオン）が自己分解し、酸化作用が徐々に失われることが知られており、常温では次亜塩素酸イオンを安定に保存することができないという課題があった。 By the way, as an oxidizing composition, generally, a sodium hypochlorite solution is widely known. However, it is also known that sodium hypochlorite solution has a problem in storage stability. That is, depending on the storage conditions such as the pH and temperature at which the sodium hypochlorite solution is stored, the hypochlorite ion (ClO − ion) contained in the sodium hypochlorite solution is self-decomposed, and the oxidizing action is gradually lost. There was a problem that it was not possible to stably store hypochlorite ions at room temperature.
例えば、次亜塩素酸ナトリウム溶液の高温における保存安定性を改善するために、クメンスルホン酸、キシレンスルホン酸、トルエンスルホン酸及びこれらのアルカリ金属塩を次亜塩素酸ナトリウムに添加する方法などが提案されている。 For example, in order to improve the storage stability of sodium hypochlorite solution at high temperatures, a method of adding cumenesulfonic acid, xylenesulfonic acid, toluenesulfonic acid and an alkali metal salt thereof to sodium hypochlorite is proposed. Have been.
しかしながら、本発明者らの検討によれば、次亜塩素酸ナトリウムを含む酸化性組成物では、以下の点で改善の余地があることが分かった。 However, according to the study of the present inventors, it has been found that the oxidizing composition containing sodium hypochlorite has room for improvement in the following points.
特許文献１には安定性を高めるために、例えば、アルカリ金属塩を安定化剤として、添加することが開示されている。しかしながら、安定化剤を添加することで、洗浄後に有機物の残渣として残存しやすく、高純度が要求される半導体製造プロセスに適用し難いという課題がある。 Patent Document 1 discloses that, for example, an alkali metal salt is added as a stabilizer in order to enhance stability. However, by adding a stabilizer, there is a problem that it is likely to remain as an organic residue after washing, and it is difficult to apply it to a semiconductor manufacturing process that requires high purity.
さらに、次亜塩素酸ナトリウムは、金属の酸化剤としてエッチング液に使用した場合には、エッチング速度のコントロールが難しく、半導体製造プロセスに用いる場合には、被エッチング材料の膜厚を精密に制御できないという課題があった。 Further, when sodium hypochlorite is used in an etching solution as a metal oxidizing agent, it is difficult to control an etching rate, and when used in a semiconductor manufacturing process, the thickness of a material to be etched cannot be precisely controlled. There was a problem.
例えば、半導体製造プロセスにおいて、精密にエッチングを行うエッチングバック工程では、通常、エッチング対象となる金属膜を数ｎｍ／分のエッチング速度でエッチングすることが要求されている。また、エッチング後のエッチング対象の表面荒れが少ないことも要求されている。 For example, in a semiconductor manufacturing process, in an etching back step for performing precise etching, it is generally required to etch a metal film to be etched at an etching rate of several nm / min. Further, it is also required that the surface roughness of the object to be etched after the etching is small.
このようなエッチングバック工程において、次亜塩素酸ナトリウムを酸化剤に用いた場合では、次亜塩素酸ナトリウムの酸化力が強く、エッチング対象の表面荒れが発生する。さらに、次亜塩素酸ナトリウムでは酸化力が強く、濃度や温度等のエッチング条件を変更するだけでは、エッチング速度を数ｎｍ／分とすることが困難であった。すなわち、エッチングバック工程の酸化剤として次亜塩素酸ナトリウムを使用すると、エッチング速度の制御、エッチング後の表面荒れ等の課題があり、次亜塩素酸ナトリウムより保存安定性に優れ、かつ、精密なエッチング速度の制御可能な酸化性組成物が所望されていた。 In the case of using sodium hypochlorite as the oxidizing agent in such an etching back step, the oxidizing power of sodium hypochlorite is strong, and the surface to be etched is roughened. Further, sodium hypochlorite has a strong oxidizing power, and it is difficult to make the etching rate several nm / min only by changing the etching conditions such as concentration and temperature. That is, when sodium hypochlorite is used as an oxidizing agent in the etching back step, there are problems such as control of the etching rate, surface roughness after etching, and the like, which is superior in storage stability to sodium hypochlorite, and precise. An oxidizing composition with a controllable etching rate has been desired.
したがって、本発明の目的は、保存安定性に優れ、かつ、精密にエッチング速度を制御可能となる亜塩素酸イオン（ClO２ −イオン）を含む新規な酸化性組成物を提供することにある。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a novel oxidizing composition containing chlorite ion (ClO 2 − ion) which is excellent in storage stability and enables precise control of the etching rate.
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討を行った。そして、次亜塩素酸ナトリウムにおける次亜塩素酸イオンの分解反応である不均化反応について、詳細に検討した。 The present inventors have conducted intensive studies to solve the above problems. And the disproportionation reaction which is a decomposition reaction of hypochlorite ion in sodium hypochlorite was examined in detail.
具体的には、次亜塩素酸イオンを含む酸化性組成物中に、４級アルキルアンモニウムイオンが存在することにより、次亜塩素酸イオンの対イオンとなるカチオンが、ナトリウムイオンと比較して嵩高くなり、次亜塩素酸イオンの不均化反応が抑制されていることが分かった。その結果、次亜塩素酸ナトリウムよりも次亜塩素酸イオンの保存安定性に優れていることが分かった。 Specifically, the presence of the quaternary alkylammonium ion in the oxidizing composition containing the hypochlorite ion causes the cation serving as the counter ion of the hypochlorite ion to be larger in volume than the sodium ion. It became clear that the disproportionation reaction of hypochlorite ion was suppressed. As a result, it was found that storage stability of hypochlorite ions was superior to sodium hypochlorite.
そして、次亜塩素酸イオン及び４級アルキルアンモニウムイオンを含む酸化性組成物中に亜塩素酸イオンを存在させることにより、次亜塩素酸イオンの保存安定性とエッチング速度の精密な制御、並びにエッチング後の表面荒れが抑えられることを見出し、本発明を完成するに至った。 The presence of chlorite ions in the oxidizing composition containing hypochlorite ions and quaternary alkylammonium ions enables storage stability of hypochlorite ions and precise control of the etching rate, and etching. The inventors have found that later surface roughness can be suppressed, and have completed the present invention.
すなわち、本発明は、
（１）４級アルキルアンモニウムイオン、亜塩素酸イオン、及び次亜塩素酸イオンを含む酸化性組成物において、
（Ａ）２５℃でのｐＨが、８以上１４以下
（Ｂ）酸化還元電位が、５００〜１５００ｍＶ ｖｓ．ＳＨＥ
（Ｃ）亜塩素酸イオンの濃度が、０．１〜５０００質量ｐｐｍ
である酸化性組成物である。
That is, the present invention
(1) In an oxidizing composition containing a quaternary alkyl ammonium ion, a chlorite ion, and a hypochlorite ion,
(A) pH at 25 ° C. of 8 to 14 (B) Oxidation-reduction potential of 500 to 1500 mV vs. SHE
(C) The concentration of chlorite ion is 0.1 to 5000 mass ppm
The oxidizing composition is:
また、本発明は以下の態様をとることもできる。
（２） 前記次亜塩素酸イオンの濃度が、５０質量ｐｐｍ〜２０．０質量％である（１）記載の酸化性組成物である。
Further, the present invention can also take the following aspects.
(2) The oxidizing composition according to (1), wherein the concentration of the hypochlorite ion is 50 mass ppm to 20.0 mass%.
（３） 次亜塩素酸イオンと亜塩素酸イオンの合計質量に対して、亜塩素酸イオンの存在割合が１×１０−５〜１０．０質量％である（１）又は（２）に記載の酸化性組成物である。 (3) The content of (1) or (2), wherein the proportion of the chlorite ion is 1 × 10 −5 to 10.0 mass% with respect to the total mass of the hypochlorite ion and the chlorite ion. Is an oxidizing composition.
（４） （１）〜（３）のいずれかに記載の酸化性組成物と半導体ウェハとを接触させることを特徴とする半導体ウェハの処理方法である。 (4) A method for treating a semiconductor wafer, comprising contacting the oxidizing composition according to any one of (1) to (3) with a semiconductor wafer.
（５） 前記半導体ウェハがルテニウムを有し、該ルテニウムをエッチングする（４）に記載の半導体ウェハの処理方法である。 (5) The method for treating a semiconductor wafer according to (4), wherein the semiconductor wafer has ruthenium and the ruthenium is etched.
本発明によれば、クメンスルホン酸、キシレンスルホン酸、トルエンスルホン酸及びこれらのアルカリ金属塩等の安定化剤を添加せずとも、２５℃、３０日間、保存後でも酸化力が低下しない酸化性組成物を提供することが出来る。 According to the present invention, the oxidizing power does not decrease even after storage at 25 ° C. for 30 days without adding a stabilizer such as cumenesulfonic acid, xylenesulfonic acid, toluenesulfonic acid and an alkali metal salt thereof. A composition can be provided.
また、本発明の酸化性組成物は、亜塩素酸イオンを存在させることにより、正確にエッチング速度の制御が可能となる。さらに、安定化剤等の不純物を添加していないため、例えば、金属に対して精密なエッチング速度の制御が要求される半導体製造工程における金属のエッチングバック工程用の処理液として、好適に使用することが出来る。 In addition, the oxidizing composition of the present invention enables accurate control of the etching rate by the presence of chlorite ions. Further, since impurities such as a stabilizer are not added, it is preferably used as a processing liquid for a metal etching back process in a semiconductor manufacturing process in which precise control of an etching rate is required for a metal, for example. I can do it.
本発明の酸化性組成物は、２５℃でのｐＨが、８以上１４以下であり、酸化還元電位が、５００〜１５００ｍV ｖｓ．ＳＨＥであり、亜塩素酸イオンの濃度が、０．１〜５０００質量ｐｐｍである酸化性組成物である。以下、詳細に説明する。 The oxidizing composition of the present invention has a pH at 25 ° C. of 8 or more and 14 or less, and an oxidation-reduction potential of 500 to 1500 mV vs. 500. This is an oxidizing composition which is SHE and has a chlorite ion concentration of 0.1 to 5000 ppm by mass. The details will be described below.
（４級アルキルアンモニウムイオン）
本発明の酸化性組成物は、カチオンとして４級アルキルアンモニウムイオンを含む。酸化性組成物に含まれる４級アルキルアンモニウムイオンは、工業的に入手しやすいという理由で、アルキル基の炭素数が１〜１０の４級アルキルアンモニウムイオンが好ましく、より好ましくは、アルキル基の炭素数が１〜５の４級アルキルアンモニウムイオンである。具体的には、テトラメチルアンモニウムイオン、テトラエチルアンモニウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオン等である。
(Quaternary alkyl ammonium ion)
The oxidizing composition of the present invention contains a quaternary alkyl ammonium ion as a cation. The quaternary alkylammonium ion contained in the oxidizable composition is preferably a quaternary alkylammonium ion having 1 to 10 carbon atoms in the alkyl group, and more preferably a carbon atom in the alkyl group, because it is industrially easily available. It is a quaternary alkyl ammonium ion having a number of 1 to 5. Specifically, it is a tetramethylammonium ion, a tetraethylammonium ion, a tetrabutylammonium ion, or the like.
なお、本発明の酸化性組成物に含まれる４級アルキルアンモニウムイオンの濃度は、０．０１〜６０質量％であることが好ましく、０．１４〜５０質量％であり、さらに好ましくは０．４３〜３０質量％であることがより好ましい。 In addition, the concentration of the quaternary alkylammonium ion contained in the oxidizing composition of the present invention is preferably 0.01 to 60% by mass, more preferably 0.14 to 50% by mass, and further preferably 0.43% by mass. It is more preferable that the content be 30 to 30% by mass.
（次亜塩素酸イオン）
本発明の酸化性組成物は、次亜塩素酸イオンを含む。次亜塩素酸イオンが含まれることによって、高い酸化還元電位が得られ、例えば、被エッチング材料に対して、高い酸化力が発揮される。
(Hypochlorite ion)
The oxidizing composition of the present invention contains hypochlorite ion. By including hypochlorite ions, a high oxidation-reduction potential is obtained, and for example, a high oxidizing power is exerted on the material to be etched.
本発明の酸化性組成物に含まれる次亜塩素酸イオンの濃度は、５０質量ｐｐｍ〜２０質量％であることが好ましく、さらに好ましくは、０．０５〜１５質量％であり、０．０５〜１０質量％であることが、より好ましい。次亜塩素酸イオンがこの濃度範囲にあれば、例えば、被エッチング材料に対して十分な酸化力が発揮される。一方、次亜塩素酸イオンの濃度が２０質量％を超えると、次亜塩素酸イオンの分解が促進され、次亜塩素酸イオン濃度が低下しやすいという傾向がある。 The concentration of hypochlorite ion contained in the oxidizing composition of the present invention is preferably 50 mass ppm to 20 mass%, more preferably 0.05 to 15 mass%, and 0.05 to 15 mass%. More preferably, it is 10% by mass. When the hypochlorite ion is in this concentration range, for example, a sufficient oxidizing power is exerted on the material to be etched. On the other hand, when the concentration of hypochlorite ion exceeds 20% by mass, the decomposition of hypochlorite ion is promoted, and the concentration of hypochlorite ion tends to decrease.
また、本発明の次亜塩素酸イオンの濃度は、酸化性組成物の製造条件から、計算で算出することもできるし、製造した酸化性組成物を分析することにより確認することもできる。例えば、実施例で記載した次亜塩素酸イオンの濃度は、酸化性組成物の有効塩素濃度を測定し、算出した。具体的には、厚生労働省告示第三百十八号（最終改正平成１７年３月１１日）を参考に、次亜塩素酸イオンを含む溶液にヨウ化カリウムと酢酸を加え、遊離したヨウ素をチオ硫酸ナトリウム水溶液で、酸化還元滴定して有効塩素濃度を算出することにより、次亜塩素酸イオンの濃度を算出した。 Further, the concentration of hypochlorite ion of the present invention can be calculated from the production conditions of the oxidizing composition, or can be confirmed by analyzing the produced oxidizing composition. For example, the concentration of hypochlorite ion described in the examples was calculated by measuring the effective chlorine concentration of the oxidizing composition. Specifically, with reference to the Ministry of Health, Labor and Welfare Notification No. 318 (final revision March 11, 2005), potassium iodide and acetic acid were added to a solution containing hypochlorite ions, and the liberated iodine was removed. The concentration of hypochlorite ion was calculated by calculating the effective chlorine concentration by redox titration with an aqueous solution of sodium thiosulfate.
（亜塩素酸イオン）
本発明の酸化性組成物は、さらに、亜塩素酸イオンを含んでいる。酸化性組成物中に亜塩素酸イオンが存在することにより、エッチング速度を制御することが可能となる。なお、亜塩素酸イオンが存在することにより、酸化性組成物のエッチング速度が制御可能になる理由は明らかではないが、亜塩素酸イオンが安定に存在することによって、次亜塩酸イオンの酸化反応を阻害していると推定している。
(Chlorite ion)
The oxidizing composition of the present invention further contains chlorite ions. The presence of chlorite ions in the oxidizing composition makes it possible to control the etching rate. It is not clear why the presence of chlorite ion makes it possible to control the etching rate of the oxidizing composition, but the stable presence of chlorite ion causes the oxidation reaction of hypochlorite ion. It is estimated that it is inhibiting.
本発明の酸化性組成物に含まれる亜塩素酸イオンの濃度は、０．１〜５０００質量ｐｐｍであることが好ましく、さらに好ましくは、１〜２０００質量ｐｐｍであり、１０〜１０００質量ｐｐｍであることが、より好ましい。亜塩素酸イオンがこの濃度範囲にあれば、エッチング速度を制御することが可能となり、例えば、ルテニウムのエッチングバック用処理液として用いた場合には、エッチングの表面荒れを防ぐことが出来る。 The concentration of chlorite ion contained in the oxidizing composition of the present invention is preferably 0.1 to 5000 ppm by mass, more preferably 1 to 2000 ppm by mass, and 10 to 1000 ppm by mass. Is more preferable. When the chlorite ion is in this concentration range, the etching rate can be controlled. For example, when the chlorite ion is used as a treatment liquid for etching back ruthenium, surface roughness of etching can be prevented.
なお、本発明の酸化性組成物において亜塩素酸イオンの存在割合は、次亜塩素酸イオンと亜塩素酸イオンの合計に対して、１×１０−５〜１０質量％であることが好ましく、より好ましくは、１×１０−４〜５質量％であり、さらに好ましくは、１×１０−３〜５質量％である。前述した範囲内であれば、次亜塩素酸イオンの保存安定性とエッチング速度の制御が可能となり、精密なエッチング速度の制御が必要とされるエッチングバック工程等に好適に使用することが出来る。また、前記したように、亜塩素酸イオンの存在割合によって酸化還元電位を制御することが可能となるので、被エッチング材料をエッチングし、その他の金属は保護するといった選択性を付与することも可能である。 In the oxidizing composition of the present invention, the proportion of chlorite ions is preferably 1 × 10 −5 to 10% by mass relative to the total of hypochlorite ions and chlorite ions. It is more preferably 1 × 10 −4 to 5% by mass, and still more preferably 1 × 10 −3 to 5% by mass. Within the above-described range, the storage stability of hypochlorite ions and the control of the etching rate can be controlled, and it can be suitably used in an etching back step or the like where precise control of the etching rate is required. Further, as described above, since the oxidation-reduction potential can be controlled by the proportion of chlorite ions, it is possible to impart selectivity such as etching the material to be etched and protecting other metals. It is.
（ｐＨ）
本発明の酸化性組成物は、２５℃でのｐＨが８以上１４以下であり、好ましくは、ｐＨが９〜１３．８であり、より好ましくは、ｐＨが１１〜１３．８である。ｐＨが８未満の場合は、次亜塩素酸イオンの安定性が低く、容易に分解し、酸化力を失う。また、ｐＨが１４を越える場合は、次亜塩素酸イオンが分解するため、酸化還元電位が低下し、酸化作用が失われる。
(PH)
The oxidizing composition of the present invention has a pH at 25 ° C of 8 or more and 14 or less, preferably has a pH of 9 to 13.8, and more preferably has a pH of 11 to 13.8. When the pH is less than 8, the stability of hypochlorite ion is low, and it is easily decomposed and loses oxidizing power. When the pH exceeds 14, hypochlorite ions are decomposed, so that the oxidation-reduction potential is lowered and the oxidizing action is lost.
本発明の酸化性組成物のｐＨは、必要に応じて、ｐＨ調整剤で調整すればよい。ｐＨ調整剤としては、アルカリ性の溶液であれば、水酸化第４級アルキルアンモニウム溶液を挙げることが出来る。また、無機酸であれば、塩酸、硝酸、硫酸、リン酸、ホウ酸、フッ酸、臭素酸、塩素酸、過塩素酸、ヨウ素酸、過ヨウ素酸、炭酸等を挙げることができ、有機酸であれば、ギ酸、酢酸、氷酢酸、プロピオン酸、クエン酸、シュウ酸、リンゴ酸、乳酸、安息香酸等を挙げることが出来る。 The pH of the oxidizing composition of the present invention may be adjusted with a pH adjuster, if necessary. As the pH adjuster, a quaternary alkyl ammonium hydroxide solution can be used as long as it is an alkaline solution. In addition, examples of the inorganic acid include hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, boric acid, hydrofluoric acid, bromic acid, chloric acid, perchloric acid, iodic acid, periodic acid, carbonic acid, and the like, and organic acids. Then, formic acid, acetic acid, glacial acetic acid, propionic acid, citric acid, oxalic acid, malic acid, lactic acid, benzoic acid and the like can be mentioned.
（酸化還元電位）
本発明の酸化性組成物は、酸化還元電位が５００〜１５００ｍＶ ｖｓ．ＳＨＥ（標準水素電極）であり、好ましくは、５５０〜１５００ｍＶ ｖｓ．ＳＨＥであり、より好ましくは、６５０〜１５００ｍＶ ｖｓ．ＳＨＥである。酸化還元電位が５００ｍＶ未満の場合は、酸化力が十分に発揮されず、例えば、酸化剤として利用することが出来ない。また、１５００ｍＶを越える場合は、酸化性組成物として不安定となり、保存後の酸化還元電位の変化が大きくなる。したがって、酸化還元電位が５００〜１５００ｍＶ ｖｓ．ＳＨＥである本発明の酸化性組成物は、貴金属類など酸化し難い金属のエッチングや酸化、洗浄、除去も可能であり、酸化剤として様々な用途に好適に使用することが出来る。
(Redox potential)
The oxidizing composition of the present invention has a redox potential of 500 to 1500 mV vs. 500 mV. SHE (standard hydrogen electrode), preferably 550 to 1500 mV vs. SHE, more preferably 650 to 1500 mV vs. SHE. SHE. When the oxidation-reduction potential is less than 500 mV, the oxidizing power is not sufficiently exhibited, and for example, it cannot be used as an oxidizing agent. On the other hand, if it exceeds 1500 mV, the composition becomes unstable as an oxidizing composition, and the change in oxidation-reduction potential after storage becomes large. Therefore, the oxidation-reduction potential is 500 to 1500 mV vs. The oxidizing composition of the present invention, which is SHE, can etch, oxidize, clean, and remove hard-to-oxidize metals such as noble metals, and can be suitably used as an oxidizing agent for various applications.
本発明の酸化還元電位は、亜塩素酸イオンの濃度によって制御することが出来る。例えば、酸化還元電位を５００〜１５００ｍＶ ｖｓ．ＳＨＥとするためには、酸化性組成物中に亜塩素酸イオンを０．１〜５０００質量ｐｐｍ存在させることによって、前記範囲の酸化還元電位とすることが出来る。 The oxidation-reduction potential of the present invention can be controlled by the concentration of chlorite ion. For example, the oxidation-reduction potential is set to 500 to 1500 mV vs. 500 mV. In order to obtain SHE, the oxidation-reduction potential in the above range can be obtained by causing chlorite ion to be present in the oxidizing composition in an amount of 0.1 to 5000 ppm by mass.
なお、２５℃でのｐＨが８以上１４以下であり、酸化還元電位が５００〜１５００ｍＶ ｖｓ．ＳＨＥの範囲にあれば、例えば、ルテニウムのエッチングバック用処理液として本発明の酸化性組成物を使用した場合、エッチング後の表面の荒れを防ぐことが出来る。 In addition, pH at 25 degreeC is 8-14, and oxidation-reduction potential is 500-1500mV vs .. Within the SHE range, for example, when the oxidizing composition of the present invention is used as a treatment liquid for etching back ruthenium, surface roughness after etching can be prevented.
（保存安定性）
本発明の酸化性組成物は、保存安定性に優れており、例えば、２５℃で、３０日間経過しても、さらに、６か月保存としたとしても、製造直後の酸化還元電位からほとんど変化せず、また、次亜塩素酸イオン濃度もほとんど変化しない。したがって、製造後から、２５℃、３０日間経過後でも、酸化還元電位が５００〜１５００ｍＶ ｖｓ．ＳＨＥの範囲であり、次亜塩素酸イオンの濃度が、０．０５〜２０．０質量％である酸化性組成物である。なお、本発明において、保存とは、製造後から使用までを意味し、単に保存だけでなく、輸送も含まれる。保存容器は特に限定されることはないが、キャニスター缶や樹脂製の保存容器に保存するのが好ましい。
(Storage stability)
The oxidizing composition of the present invention is excellent in storage stability. For example, even when stored at 25 ° C. for 30 days or further stored for 6 months, the oxidizing composition almost changes from the oxidation-reduction potential immediately after production. And the hypochlorite ion concentration hardly changes. Therefore, even after elapse of 30 days at 25 ° C. from the production, the oxidation-reduction potential is 500 to 1500 mV vs. 300 mV. The oxidizing composition is in the range of SHE and the concentration of hypochlorite ion is 0.05 to 20.0% by mass. In the present invention, storage means from production to use and includes not only storage but also transportation. The storage container is not particularly limited, but is preferably stored in a canister or a resin storage container.
本発明において、保存安定性が向上する理由は明らかではないが、本発明者らは、次亜塩素酸イオンの不均化する反応が抑制されていると推測している。すなわち、本発明の酸化性組成物の水溶液中では、一部が次亜塩素酸イオンと４級アルキルアンモニウムイオンに解離しているが、大部分は次亜塩素酸イオンと４級アルキルアンモニウムイオンとがイオン結合しており、４級アルキルアンモニウムイオンの立体的な嵩高さが、次亜塩素酸イオンの不均化反応を抑制していると推測している。このため、４級アルキルアンモニウムイオンの立体的な嵩高さが大きくなるほど、不均化反応を抑制し、保存安定性が向上すると考えられる。 In the present invention, the reason why the storage stability is improved is not clear, but the present inventors speculate that the reaction for disproportionation of hypochlorite ions is suppressed. That is, in the aqueous solution of the oxidizing composition of the present invention, a part is dissociated into hypochlorite ion and quaternary alkylammonium ion, but most dissociate into hypochlorite ion and quaternary alkylammonium ion. It is speculated that the steric bulkiness of the quaternary alkyl ammonium ion suppresses the disproportionation reaction of hypochlorite ion. For this reason, it is considered that as the three-dimensional bulkiness of the quaternary alkylammonium ion increases, the disproportionation reaction is suppressed and the storage stability is improved.
なお、前述した通り、４級アルキルアンモニウムイオンが、立体的に嵩高いほど、保存安定性を向上させることが出来るが、例えば、テトラメチルアンモニウムイオン程度の嵩高さがあれば、十分に不均化反応を抑制し、保存安定性を向上させることが出来る。 As described above, the more quaternary alkylammonium ions are sterically bulky, the more the storage stability can be improved. The reaction can be suppressed and the storage stability can be improved.
（酸化性組成物の製造方法）
本発明は、４級アルキルアンモニウムイオン、亜塩素酸イオン、及び次亜塩素酸イオンを含む酸化性組成物である。次亜塩素酸イオンと４級アルキルアンモニウムイオンを含む酸化性組成物は、公知の方法で準備すればよい。例えば、水酸化第４級アルキルアンモニウム水溶液を準備し、塩素を吹き込むことによって、次亜塩素酸イオンと４級アルキルアンモニウムイオンを含む酸化性組成物の水溶液を準備することが出来る。
(Method for producing oxidizing composition)
The present invention is an oxidizing composition containing a quaternary alkyl ammonium ion, a chlorite ion, and a hypochlorite ion. The oxidizing composition containing hypochlorite ion and quaternary alkyl ammonium ion may be prepared by a known method. For example, an aqueous solution of an oxidizing composition containing hypochlorite ion and quaternary alkyl ammonium ion can be prepared by preparing a quaternary alkyl ammonium hydroxide aqueous solution and blowing chlorine.
その他、水酸化第４級アルキルアンモニウム溶液をカチオン交換型イオン交換樹脂と接触させ、該イオン交換樹脂内のカチオンを第４級アルキルアンモニウムイオンとした後に、次亜塩素酸ナトリウム溶液を流通してナトリウムイオンと第４級アルキルアンモニウムイオンを交換する方法でも次亜塩素酸イオンと４級アルキルアンモニウムイオンを含む酸化性組成物を準備できる。 In addition, a quaternary alkyl ammonium hydroxide solution is brought into contact with a cation exchange type ion exchange resin to convert cations in the ion exchange resin into quaternary alkyl ammonium ions. An oxidizing composition containing hypochlorite ion and quaternary alkyl ammonium ion can also be prepared by a method of exchanging ions for quaternary alkyl ammonium ion.
また、次亜塩素酸ナトリウム溶液をカチオン交換型イオン交換樹脂と接触させ、ナトリウムイオンを水素イオンとイオン交換した後、水酸化第４級アルキルアンモニウム溶液と混合する方法でも、次亜塩素酸イオンと４級アルキルアンモニウムイオンを含む酸化性組成物を準備できる。 Also, a method of bringing a sodium hypochlorite solution into contact with a cation exchange type ion exchange resin, ion-exchanging sodium ions with hydrogen ions, and then mixing the resulting solution with a quaternary alkylammonium hydroxide solution may be used. An oxidizing composition containing a quaternary alkyl ammonium ion can be prepared.
なお、準備する水酸化第４級アルキルアンモニウム溶液は、水酸化第４級アルキルアンモニウムが水に溶解した水溶液又は非水系溶媒に溶解した溶液の何れでも良い。水酸化第４級アルキルアンモニウム溶液は、水、又は非水系溶媒に水酸化第４級アルキルアンモニウムを溶解させることや市販の水酸化第４級アルキルアンモニウム溶液を所望の濃度に希釈することなどで得ることができる。 The quaternary alkyl ammonium hydroxide solution to be prepared may be either an aqueous solution in which the quaternary alkyl ammonium hydroxide is dissolved in water or a solution in which the quaternary alkyl ammonium hydroxide is dissolved in a non-aqueous solvent. The quaternary alkyl ammonium hydroxide solution is obtained by dissolving the quaternary alkyl ammonium hydroxide in water or a non-aqueous solvent, or diluting a commercially available quaternary alkyl ammonium hydroxide solution to a desired concentration. be able to.
本発明の酸化性組成物は、酸化性組成物中に亜塩素酸イオンを存在させることが特徴である。酸化性組成物中に存在する亜塩素酸イオンは、次亜塩素酸イオンの分解によって発生させてもよいし、亜塩素酸イオンを酸化性組成物に添加してもよいし、亜塩素酸（ＨＣｌＯ２）を酸化性組成物に添加してもよい。 The oxidizing composition of the present invention is characterized in that chlorite ions are present in the oxidizing composition. The chlorite ion present in the oxidizing composition may be generated by the decomposition of hypochlorite ion, the chlorite ion may be added to the oxidizing composition, or chlorite ( HClO 2 ) may be added to the oxidizing composition.
亜塩素酸イオンを添加する場合は、酸化性組成物に亜塩素酸アルキルアンモニウム水溶液を混合することで出来る。亜塩素酸アルキルアンモニウム水溶液は、例えば、亜塩素酸ナトリウム水溶液を準備し、イオン交換樹脂でナトリウムイオンを４級アルキルアンモニウムイオンに交換することで作ることができる。すなわち、予め、４級アルキルアンモニウムイオンにイオン交換したイオン交換樹脂を準備し、前記イオン交換樹脂に亜塩素酸ナトリウム水溶液を接触させることで、ナトリウムと４級アルキルアンモニウムイオンをイオン交換すればよい。亜塩素酸ナトリウム水溶液をそのまま使用すると、酸化組成物中に不純物としてナトリウムイオンが混入し、保存安定性が低下するため、予め、ナトリウムイオンをイオン交換することが好ましい。 When adding chlorite ions, an aqueous solution of alkyl ammonium chlorite can be mixed with the oxidizing composition. The aqueous solution of alkyl ammonium chlorite can be prepared, for example, by preparing an aqueous solution of sodium chlorite and exchanging sodium ions for the quaternary alkyl ammonium ions with an ion exchange resin. That is, an ion exchange resin ion-exchanged into quaternary alkylammonium ions is prepared in advance, and sodium and quaternary alkylammonium ions may be ion-exchanged by bringing an aqueous solution of sodium chlorite into contact with the ion exchange resin. If the sodium chlorite aqueous solution is used as it is, sodium ions are mixed as impurities into the oxidized composition, and storage stability is deteriorated. Therefore, it is preferable to ion-exchange sodium ions in advance.
また、酸化性組成物に亜塩素酸水を混合することによって、亜塩素酸イオンを添加することが出来る。亜塩素酸水は、例えば、塩酸を加えて酸性条件下にした飽和食塩水を、電気分解することで得られた塩素酸ナトリウム（ＮａＣｌＯ３）水溶液に硫酸を添加することで、塩素酸（ＨＣｌＯ３）とし、さらに低濃度の過酸化水素水を加えることで得ることが出来る。 Also, chlorite ions can be added by mixing chlorite water with the oxidizing composition. The aqueous chlorite solution is prepared, for example, by adding sulfuric acid to an aqueous solution of sodium chlorate (NaClO 3 ) obtained by electrolyzing a saturated saline solution obtained by adding hydrochloric acid to an acidic condition to obtain chloric acid (HClO). 3 ), and can be obtained by further adding a low-concentration hydrogen peroxide solution.
その他、次亜塩素酸イオンの分解によって発生させる場合は、保存中に次亜塩素酸イオンが分解する不均化反応を利用することが出来る。不均化反応によって、次亜塩素酸イオンの一部が亜塩素酸イオンとなるため、例えば、本発明の酸化性組成物を、４５℃、ｐＨが１２で３０日間保存した場合は、次亜塩素酸イオンの０．０３％が分解し、５０質量ｐｐｍの亜塩素酸イオンと次亜塩素酸イオンが存在することとなる。したがって、次亜塩素酸イオンと４級アルキルアンモニウムイオンを含む酸化性組成物を保存することによって、亜塩素酸イオンと次亜塩素酸イオンが存在する本発明の酸化性組成物とすることも出来る。 In addition, when it is generated by decomposition of hypochlorite ion, a disproportionation reaction in which hypochlorite ion is decomposed during storage can be used. Due to the disproportionation reaction, part of the hypochlorite ion becomes chlorite ion. For example, when the oxidizing composition of the present invention is stored at 45 ° C. and a pH of 12 for 30 days, 0.03% of the chlorite ion is decomposed, and 50 mass ppm of chlorite ion and hypochlorite ion are present. Therefore, by storing the oxidizing composition containing hypochlorite ion and quaternary alkyl ammonium ion, the oxidizing composition of the present invention in which chlorite ion and hypochlorite ion are present can be obtained. .
（半導体ウェハの処理方法）
本発明の酸化性組成物は、半導体製造工程における酸化剤として好適に使用することが出来る。例えば、本発明の酸化性組成物を水溶液として準備し、半導体ウェハと接触させることで、不純物、特に金属を酸化、除去可能なため、酸化力を有する半導体ウェハの洗浄液として有効に利用できる。
(Semiconductor wafer processing method)
The oxidizing composition of the present invention can be suitably used as an oxidizing agent in a semiconductor manufacturing process. For example, by preparing the oxidizing composition of the present invention as an aqueous solution and bringing it into contact with a semiconductor wafer, impurities, particularly metals, can be oxidized and removed, and thus can be effectively used as a cleaning liquid for a semiconductor wafer having oxidizing power.
また、本発明の酸化性組成物は、亜塩素酸イオンを存在させることにより、酸化還元電位を制御することも出来る。酸化還元電位を制御できるため、対象物のエッチング速度を制御することも可能となる。 The oxidizing composition of the present invention can also control the oxidation-reduction potential by allowing chlorite ions to be present. Since the oxidation-reduction potential can be controlled, it is also possible to control the etching rate of the object.
例えば、半導体の微細化の進展に伴い、ウェットプロセスで対象物を僅かにエッチングするエッチングバック工程が注目を集めている。このようなエッチングバック工程では、エッチング後の表面荒れを抑制し、かつ、数Å／分の精密なエッチング速度の制御が必要となる。 For example, with the progress of miniaturization of semiconductors, an etching back step of slightly etching an object by a wet process has attracted attention. In such an etching back step, it is necessary to control the surface roughness after etching and to control the etching rate precisely at several Å / min.
本発明の酸化性組成物は、前述したように、亜塩素酸イオンを存在させることにより、酸化性組成物を含む処理液の酸化還元電位を制御することが出来る。したがって、本発明によれば、このようなエッチバック用途において、対象物に対して、精密な膜厚のコントロールと表面荒れを抑える処理方法を提供できる。 As described above, the oxidizing composition of the present invention can control the oxidation-reduction potential of the treatment liquid containing the oxidizing composition by allowing chlorite ions to be present. Therefore, according to the present invention, it is possible to provide a processing method for precisely controlling the film thickness and suppressing the surface roughness of an object in such an etchback application.
以上の通り、本発明の酸化性組成物は、保存安定性に優れている。さらに、亜塩素酸イオンを存在させることにより、酸化還元電位を制御することが出来るため、本発明の酸化性組成物は、例えば、エッチングバック工程で使用する処理液として好適に使用することが出来る。 As described above, the oxidizing composition of the present invention has excellent storage stability. Furthermore, since the oxidation-reduction potential can be controlled by the presence of chlorite ions, the oxidizing composition of the present invention can be suitably used, for example, as a treatment liquid used in an etching back step. .
以下、実施例によって本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に制限されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to Examples, but the present invention is not limited to these Examples.
（ｐＨ測定方法）
実施例１〜７、比較例１〜２の次亜塩素酸第４級アルキルアンモニウム水溶液３０ｍLを、卓上型ｐＨメーター（ＬＡＱＵＡ Ｆ―７３、堀場製作所社製）を用いてｐＨ測定した。ｐＨ測定は、２３℃で安定した後に、実施した。
(PH measurement method)
30 mL of the quaternary alkylammonium hypochlorite aqueous solution of Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 and 2 was subjected to pH measurement using a desktop pH meter (LAQUA F-73, manufactured by Horiba, Ltd.). The pH measurement was performed after stabilization at 23 ° C.
（有効塩素濃度および次亜塩素酸イオン濃度の算出方法）
実施例１〜７、比較例１〜２の酸化性組成物を、１００ｍＬ三角フラスコに次亜塩素酸第４級アルキルアンモニウム溶液０．５ｍＬとヨウ化カリウム（富士フイルム和光純薬社製、試薬特級）２ｇ、１０％酢酸８ｍＬ、超純水１０ｍＬを加え、固形物が溶解するまで撹拌し、褐色溶液を得る。
(Method of calculating effective chlorine concentration and hypochlorite ion concentration)
The oxidizing compositions of Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 and 2 were mixed in a 100 mL Erlenmeyer flask with 0.5 mL of a quaternary alkyl ammonium hypochlorite solution and potassium iodide (special grade reagent, manufactured by Fujifilm Wako Pure Chemical Industries, Ltd.). 2) Add 2 g, 8 mL of 10% acetic acid and 10 mL of ultrapure water and stir until the solids dissolve to obtain a brown solution.
調整した褐色溶液は、０．０２Ｍチオ硫酸ナトリウム溶液（富士フイルム和光純薬社製、容量分析用）を用いて溶液の色が褐色から極薄い黄色になるまで酸化還元滴定し、次いで、でんぷん溶液を加え薄紫色の溶液を得る。 The prepared brown solution was subjected to redox titration using a 0.02 M sodium thiosulfate solution (manufactured by Fujifilm Wako Pure Chemical Industries, Ltd., for volume analysis) until the color of the solution turned from brown to very pale yellow, and then the starch solution To give a pale purple solution.
この溶液に、更に０．０２Ｍチオ硫酸ナトリウム溶液を続けて加え、無色透明になった点を終点として有効塩素濃度を算出した。また、得られた有効塩素濃度から全ての塩素が次亜塩素酸イオン由来であるとして、次亜塩素酸イオン濃度を算出した。例えば、有効塩素濃度１％であれば次亜塩素酸イオン濃度は０．７３％となる。また、亜塩素酸イオンを添加した場合の有効塩素濃度は、次亜塩素酸イオンと亜塩素酸イオンの両方から検出されるが、後述するイオンクロマトフィー分析装置を用いた分析により亜塩素酸イオンの濃度を算出できるので、これを有効塩素濃度から差し引いた値を次亜塩素酸イオン濃度とした。 To this solution, a 0.02 M sodium thiosulfate solution was continuously added, and the effective chlorine concentration was calculated using the point at which the solution became colorless and transparent as an end point. The hypochlorite ion concentration was calculated from the obtained effective chlorine concentration, assuming that all chlorine was derived from hypochlorite ion. For example, if the effective chlorine concentration is 1%, the hypochlorite ion concentration is 0.73%. The effective chlorine concentration when chlorite ion is added is detected from both hypochlorite ion and chlorite ion, and the chlorite ion is analyzed by an ion chromatography analyzer described later. Can be calculated, and the value obtained by subtracting this from the available chlorine concentration was defined as the hypochlorite ion concentration.
（亜塩素酸イオン濃度の算出方法）
酸化性組成物中の亜塩素酸イオン濃度はイオンクロマトグラフィー分析装置（ＤＩＯＮＥＸ ＩＮＴＥＧＲＩＯＮ ＨＰＬＣ、Ｔｈｅｒｍｏ ＳＣＩＥＮＴＩＦＩＣ社製）を用いて分析した。溶離液としてＫＯＨを用い、１．２ｍＬ／ｍｉｎ．の流量で通液した。カラムとして水酸化物系溶離液用陰イオン分析カラム（ＡＳ１５、Ｔｈｅｒｍｏ ＳＣＩＥＮＴＩＦＩＣ社製）を用い、カラム温度は３０℃とした。サプレッサーによりバックグラウンドノイズを取り除いたのち、電気伝導度検出器により亜塩素酸イオンを定量した。
(Calculation method of chlorite ion concentration)
The chlorite ion concentration in the oxidizing composition was analyzed using an ion chromatography analyzer (DIONEX INTEGRATION HPLC, manufactured by Thermo SCIENTIFIC). Using KOH as an eluent, 1.2 mL / min. The liquid was passed at a flow rate of. An anion analysis column for hydroxide eluent (AS15, manufactured by Thermo SCIENTIFIC) was used as the column, and the column temperature was 30 ° C. After removing background noise with a suppressor, chlorite ions were quantified with an electric conductivity detector.
（酸化還元電位の測定方法）
実施例１〜７、比較例１〜２の次亜塩素酸第４級アルキルアンモニウム水溶液３０ｍLを、卓上型ｐＨメーター（ＬＡＱＵＡ Ｆ―７３、堀場製作所社製）を用いて酸化還元電位測定した。電極は白金電極を用い、比較電極として銀／塩化銀電極を用いた。酸化還元電位測定は、２３℃で安定した後に実施し、測定値をＳＨＥ基準に換算した。
(Method of measuring oxidation-reduction potential)
The oxidation-reduction potential of 30 mL of the quaternary alkylammonium hypochlorite aqueous solution of Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 and 2 was measured using a desktop pH meter (LAQUA F-73, manufactured by HORIBA, Ltd.). A platinum electrode was used as an electrode, and a silver / silver chloride electrode was used as a comparative electrode. The oxidation-reduction potential measurement was performed after stabilization at 23 ° C., and the measured value was converted to SHE standard.
（保存安定性の評価方法）
酸化性組成物を２５℃で、３０日間、保存し、その時の次亜塩素酸イオンの保存安定性を有効塩素残存率で評価した。尚、有効塩素残存率は以下に示す式により求めた。有効塩素残存率より下記の基準で評価した。
有効塩素残存率（％）＝（保存後の組成物中の有効塩素濃度）／（保存前の組成物中の有効塩素濃度）×１００。
Ａ…有効塩素残存率が５０％以上
Ｂ…有効塩素残存率が５０％未満
(Method of evaluating storage stability)
The oxidizing composition was stored at 25 ° C. for 30 days, and the storage stability of hypochlorite ion at that time was evaluated by the effective chlorine remaining rate. The effective chlorine residual rate was determined by the following equation. The following criteria were used to evaluate the residual chlorine rate.
Effective chlorine residual rate (%) = (effective chlorine concentration in composition after storage) / (effective chlorine concentration in composition before storage) × 100.
A: Effective chlorine remaining rate is 50% or more B: Effective chlorine remaining rate is less than 50%
（ルテニウムのエッチング性能評価）
シリコンウェハ上にバッチ式熱酸化炉を用いて酸化膜を形成し、その上にスパッタ法を用いてルテニウムを２００Å（±１０％）成膜した。四探針抵抗測定器（ロレスタ‐ＧＰ、三菱ケミカルアナリテック社製）によりシート抵抗を測定して膜厚に換算した。実施例１〜７、比較例１〜２の組成に調整した酸化性組成物を３０ｍｌ、ビーカーに準備し、洗浄液中に１０×２０ｍｍとした各サンプル片を、１分間浸漬し、処理前後の膜厚変化量を浸漬した時間で除した値をエッチング速度として算出し、本発明におけるエッチング速度として評価し、下記の基準で評価した。
Ａ：１〜１０Å／分
Ｂ：１０〜２０Å／分
Ｃ：２０〜５０Å／分
Ｄ：＞５０Å／分
Ｅ：エッチング不可
(Evaluation of etching performance of ruthenium)
An oxide film was formed on a silicon wafer by using a batch type thermal oxidation furnace, and ruthenium was formed thereon by sputtering (200 ° (± 10%)) by using a sputtering method. The sheet resistance was measured using a four-probe resistance meter (Loresta-GP, manufactured by Mitsubishi Chemical Analytech) and converted to a film thickness. 30 ml of the oxidizing compositions adjusted to the compositions of Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 and 2 were prepared in a beaker, and each sample piece having a size of 10 × 20 mm was immersed in a cleaning solution for 1 minute to form a film before and after the treatment. The value obtained by dividing the thickness change by the immersion time was calculated as the etching rate, evaluated as the etching rate in the present invention, and evaluated according to the following criteria.
A: 1-10 ° / min B: 10-20 ° / min C: 20-50 ° / min D:> 50 ° / min E: Etching not possible
（エッチング後の表面評価）
エッチング後のサンプルは、目視により、サンプル表面が鏡面エッチングまたは非鏡面エッチングかを判断した。さらに、電界放射型走査電子顕微鏡（ＪＳＭ−７８００Ｆ Ｐｒｉｍｅ、 日本電子社製）によりエッチング前とエッチング後のサンプル表面を観察し、表面荒れの有無を確認し、下記の基準で評価した。
Ａ：鏡面エッチング、表面に変化なし
Ｂ：鏡面エッチング、表面に凹凸あり
Ｃ：非鏡面エッチング、表面に凹凸あり
(Surface evaluation after etching)
For the sample after etching, it was visually determined whether the sample surface was mirror-etched or non-mirror-etched. Further, the surface of the sample before and after etching was observed with a field emission scanning electron microscope (JSM-7800F Prime, manufactured by JEOL Ltd.), and the presence or absence of surface roughness was confirmed.
A: Mirror etching, no change in surface B: Mirror etching, uneven surface C: Non-mirror etching, uneven surface
＜実施例１＞
（次亜塩素酸４級アルキルアンモニウム水溶液の調製）
２Lのガラス製三ツ口フラスコ（コスモスビード社製）に２５質量％の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液２３３ｇ、イオン交換水７６７ｇを混合して５．８質量％の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を得た。このときのｐＨは１３．８であった。
<Example 1>
(Preparation of quaternary alkyl ammonium hypochlorite aqueous solution)
233 g of a 25% by mass aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide and 767 g of ion-exchanged water were mixed in a 2 L three-neck glass flask (manufactured by Cosmos Bead) to obtain a 5.8% by mass aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide. The pH at this time was 13.8.
次いで、図１に示すように三ツ口フラスコの内に回転子（ＡｓＯｎｅ社製、全長３０ｍｍ×径８ｍｍ）を入れ、一つの開口部に温度計保護管（コスモスビード社製、底封じ型）と温度計を投入し、もう一つの開口部に塩素ガスボンベ、および窒素ガスボンベに接続され、任意で塩素ガス／窒素ガスの切換えが可能な状態にしたＰＦＡチューブ（フロン工業株式会社製、F-８０１１−０２）の先端を該溶液底部に浸漬させ、残りの一つの開口部は５質量％の水酸化ナトリウム水溶液で満たしたガス洗浄瓶（ＡｓＯｎｅ社製、ガス洗浄瓶、型番２４５０／５００）に接続した。窒素ガスをＰＦＡチューブから０．２８９Ｐａ・ｍ３／秒（０℃換算時）で２０分間流すことで気相部の二酸化炭素を追いだした。 Then, as shown in FIG. 1, a rotor (manufactured by AsOne, total length 30 mm × diameter 8 mm) was put in a three-necked flask, and a thermometer protection tube (manufactured by Cosmos Bead, bottom-sealed type) was inserted into one opening. A PFA tube (F-8011-02, manufactured by Flon Industrial Co., Ltd.) connected to a chlorine gas cylinder and a nitrogen gas cylinder at another opening, and made capable of optionally switching between chlorine gas and nitrogen gas. ) Was immersed in the bottom of the solution, and the other opening was connected to a gas washing bottle (AsOne, gas washing bottle, model number 2450/500) filled with a 5% by mass aqueous sodium hydroxide solution. Nitrogen gas was flowed from the PFA tube at 0.289 Pa · m 3 / sec (0 ° C. conversion) for 20 minutes to drive off carbon dioxide in the gas phase.
その後、マグネットスターラー（ＡｓＯｎｅ社製、Ｃ−ＭＡＧ ＨＳ１０）を三ツ口フラスコ下部に設置して３００ｒｐｍで回転させながら、三ツ口フラスコ外周部を氷水で冷却しながら塩素ガス（フジオックス社製、仕様純度９９．４％）を０．０６４Ｐａ・ｍ３／秒（０℃換算時）で１８０分間、供給し、次亜塩素酸テトラメチルアンモニウム水溶液を得た。この水溶液の次亜塩素酸イオンの濃度は１．４５ｗｔ％、ｐHは１２、酸化還元電位は８００ｍＶ ｖｓ．ＳＨＥであることを確認した。 After that, a magnet stirrer (C-MAG HS10, manufactured by AsOne) is installed at the lower part of the three-necked flask and rotated at 300 rpm. 4%) at 0.064 Pa · m 3 / sec (0 ° C. conversion) for 180 minutes to obtain an aqueous solution of tetramethylammonium hypochlorite. The aqueous solution had a hypochlorite ion concentration of 1.45 wt%, a pH of 12, and an oxidation-reduction potential of 800 mV vs. 800 mV. It was confirmed that it was SHE.
（亜塩素酸第４級アルキルアンモニウム溶液の調製）
（亜塩素酸ナトリウムの精製）
亜塩素酸ナトリウム（Aｌｆａ Aｅｓａｒ社製）をイオン交換水に飽和になるまで加えた。亜塩素酸ナトリウムの飽和水溶液を冷蔵庫内で一昼夜保存した。析出した亜塩素酸ナトリウムをろ過により回収した。回収した亜塩素酸ナトリウムを超純水に希釈し、イオンクロマトグラフィー分析装置を用いて分析した。希釈液中のＣＯ３ -、ＳＯ４ -、Ｃｌ-を分析することで、不純物として含まれるＮａ２ＣＯ３、Ｎａ２ＳＯ４、ＮａＣｌが減少していることを確認した。上記の精製作業を繰り返すことで、ＣＯ３ -、ＳＯ４ -、Ｃｌ-がそれぞれ５００ｐｐｂ以下であることを確認し、精製した亜塩素酸ナトリウムを得た。
(Preparation of quaternary alkyl ammonium chlorite solution)
(Purification of sodium chlorite)
Sodium chlorite (Alfa Aesar) was added to ion-exchanged water until it was saturated. A saturated aqueous solution of sodium chlorite was stored in a refrigerator overnight. The precipitated sodium chlorite was collected by filtration. The collected sodium chlorite was diluted with ultrapure water and analyzed using an ion chromatography analyzer. By analyzing CO 3 − , SO 4 − , and Cl − in the diluent, it was confirmed that Na 2 CO 3 , Na 2 SO 4 , and NaCl contained as impurities were reduced. By repeating the above purification operation, it was confirmed that each of CO 3 − , SO 4 − , and Cl − was 500 ppb or less, and purified sodium chlorite was obtained.
（イオン交換樹脂の前処理 水素型イオン交換樹脂）
次に、内径約４５ｍｍのガラスカラム(ＡｓＯｎｅ社製、バイオカラムＣＦ−５０ＴＫ)に、強酸性イオン交換樹脂（オルガノ社製、アンバーライトＩＲ-１２０ＢＮａ）を２００ｍL投入した。その後、水素型に交換するため１規定の塩酸（富士フイルム和光純薬社製、容量分析用）を１L、イオン交換樹脂カラムに通液し、イオン交換樹脂を水洗するため、超純水１Lを通液した。
(Pretreatment of ion exchange resin Hydrogen type ion exchange resin)
Next, 200 mL of a strongly acidic ion exchange resin (Amberlite IR-120BNa, manufactured by Organo) was charged into a glass column (Bio Column CF-50TK, manufactured by AsOne) having an inner diameter of about 45 mm. Then, 1 L of 1N hydrochloric acid (manufactured by Fujifilm Wako Pure Chemical Industries, Ltd., for volumetric analysis) is passed through the ion exchange resin column to exchange with the hydrogen type, and 1 L of ultrapure water is washed to wash the ion exchange resin with water. The liquid was passed.
（イオン交換樹脂の前処理 テトラメチルアンモニウム型イオン交換樹脂）
さらに、水素型に交換されたイオン交換樹脂に、２．３８％水酸化テトラメチルアンモニウム溶液を２L通液し、水素型からテトラメチルアンモニウム型にイオン交換した。イオン交換後、イオン交換樹脂を水洗するため、超純水１Lを通液した。
(Pretreatment of ion exchange resin: tetramethyl ammonium type ion exchange resin)
Further, 2 L of a 2.38% tetramethylammonium hydroxide solution was passed through the ion-exchange resin that had been exchanged with the hydrogen form, and ion exchange was performed from the hydrogen form to the tetramethylammonium form. After ion exchange, 1 L of ultrapure water was passed through to wash the ion exchange resin with water.
（亜塩素酸テトラメチルアンモニウム溶液の調製）
精製した亜塩素酸ナトリウム６．４ｇをフッ素樹脂容器に入れた後、超純水９３．６ｇを添加して、６．４質量％の亜塩素酸ナトリウム水溶液を調製した。調製した次亜塩素酸ナトリウム水溶液をテトラメチルアンモニウム型に交換したイオン交換樹脂に通液した。回収した亜塩素酸テトラメチルアンモニウムは、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析法（ｉＣＡＰ６５００ＤｕＯ、Ｔｈｅｒｍｏ ＳＣＩＥＮＴＩＦＩＣ社製）を用いてＮａ濃度を分析し、イオン交換が十分行われていることを確認した。不十分な場合は、上記操作を繰り返すことで、Ｎａ濃度が５００ｐｐｂ以下の１０質量％亜塩素酸テトラメチルアンモニウムを得た。
(Preparation of tetramethylammonium chlorite solution)
After placing 6.4 g of purified sodium chlorite in a fluororesin container, 93.6 g of ultrapure water was added to prepare a 6.4 mass% aqueous sodium chlorite solution. The prepared aqueous solution of sodium hypochlorite was passed through an ion exchange resin exchanged into a tetramethylammonium type. The recovered tetramethylammonium chlorite was analyzed for Na concentration using high frequency inductively coupled plasma emission spectroscopy (iCAP6500 DuO, manufactured by Thermo SCIENTIFIC) to confirm that ion exchange was sufficiently performed. When it was insufficient, the above operation was repeated to obtain 10% by mass of tetramethylammonium chlorite having a Na concentration of 500 ppb or less.
（酸化性組成物の調製）
１０質量％亜塩素酸テトラメチルアンモニウムを超純水で希釈し、０．００１質量％亜塩素酸テトラメチルアンモニウム水溶液を得た。０．００１質量％亜塩素酸テトラメチルアンモニウム水溶液３ｇを３．５４ｗｔ％次亜塩素酸テトラメチルアンモニウム水溶液２７ｇに加えることで、表１に記載にされた組成の酸化性組成物を得た。
(Preparation of oxidizing composition)
10% by mass of tetramethylammonium chlorite was diluted with ultrapure water to obtain a 0.001% by mass aqueous solution of tetramethylammonium chlorite. An oxidizing composition having the composition shown in Table 1 was obtained by adding 3 g of a 0.001% by mass aqueous solution of tetramethylammonium chlorite to 27 g of a 3.54% by weight aqueous solution of tetramethylammonium hypochlorite.
（評価）
得られた酸化性組成物３０ｇをフッ素樹脂容器に注ぎ、ｐHと酸化還元電位、有効塩素濃度、亜塩素酸イオン濃度を評価し、ｐHは１２、酸化還元電位は７９０ｍＶ ｖｓ．ＳＨＥ、亜塩素酸イオン濃度は１ｐｐｍとなっていることを確認した。また、別途用意した酸化性組成物３０ｇをフッ素樹脂容器に注ぎ、上述の「ルテニウムエッチング速度の算出方法」を用いてエッチング速度を評価した。
(Evaluation)
30 g of the obtained oxidizing composition was poured into a fluororesin container, and the pH, oxidation-reduction potential, available chlorine concentration and chlorite ion concentration were evaluated. The pH was 12, and the oxidation-reduction potential was 790 mV vs. 790 mV. It was confirmed that the SHE and chlorite ion concentrations were 1 ppm. Further, 30 g of the separately prepared oxidizing composition was poured into a fluororesin container, and the etching rate was evaluated by using the above-mentioned “calculation method of ruthenium etching rate”.
＜実施例２〜４＞
実施例２〜４は、亜塩素酸テトラメチルアンモニウム水溶液の濃度を目的の濃度の１０倍に調整し、これを１０倍希釈となるように添加したこと以外は実施例１と同様な方法で、表１に示した組成となるよう調製し、評価を行った。
<Examples 2 to 4>
Examples 2 to 4 were prepared in the same manner as in Example 1 except that the concentration of the aqueous solution of tetramethylammonium chlorite was adjusted to 10 times the target concentration, and this was added so as to be diluted 10 times. It was prepared to have the composition shown in Table 1 and evaluated.
＜実施例５＞
実施例５は、２５質量％の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液４１２ｇ、イオン交換水５８８ｇを混合して１０．３質量％の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を準備し、実施例１と同様な方法で、０．０６４Ｐａ・ｍ３／秒（０℃換算時）で３３４分間、塩素ガスを供給することで、次亜塩素酸イオン濃度３．１１質量％の次亜塩素酸テトラアルキルアンモニウム水溶液を得た。この水溶液に、実施例１と同様の方法で、亜塩素酸イオンを添加することで、表１に示した酸化性組成物を調製し、評価を行った。
<Example 5>
In Example 5, 412 g of a 25% by mass aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide and 588 g of ion-exchanged water were mixed to prepare a 10.3% by mass aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide, and in the same manner as in Example 1, By supplying chlorine gas at 0.064 Pa · m 3 / sec (when converted to 0 ° C.) for 334 minutes, an aqueous solution of tetraalkylammonium hypochlorite having a hypochlorite ion concentration of 3.11% by mass was obtained. By adding chlorite ion to this aqueous solution in the same manner as in Example 1, the oxidizing compositions shown in Table 1 were prepared and evaluated.
＜実施例６＞
実施例６は、２５質量％の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液５２ｇ、イオン交換水９４８ｇを混合して１．３質量％の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を準備し、実施例１と同様な方法で、０．０６４Ｐａ・ｍ３／秒（０℃換算時）で４２分間、塩素ガスを供給することで、次亜塩素酸イオン濃度０．３６質量％の次亜塩素酸テトラアルキルアンモニウム水溶液を得た。この水溶液に、実施例１と同様の方法で、亜塩素酸イオンを添加することで、表１に示した酸化性組成物を調製し、評価を行った。
<Example 6>
In Example 6, 52 g of a 25% by mass aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide and 948 g of ion-exchanged water were mixed to prepare a 1.3% by mass aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide, and in the same manner as in Example 1, By supplying chlorine gas at 0.064 Pa · m 3 / sec (when converted to 0 ° C.) for 42 minutes, a tetraalkylammonium hypochlorite aqueous solution having a hypochlorite ion concentration of 0.36% by mass was obtained. By adding chlorite ion to this aqueous solution in the same manner as in Example 1, the oxidizing compositions shown in Table 1 were prepared and evaluated.
＜実施例７＞
次亜塩素酸４級アルキルアンモニウム水溶液は実施例１と同様の方法で調製し、これを４５℃で３０日間保存した。保存後の次亜塩素酸第４級アルキルアンモニウム水溶液中の次亜塩素酸イオン濃度は１．４５ｗｔ％、亜塩素酸イオン濃度は５０ｐｐｍ、ｐH１２であることを確認し、評価を行った。
<Example 7>
An aqueous quaternary alkyl ammonium hypochlorite solution was prepared in the same manner as in Example 1, and stored at 45 ° C for 30 days. The hypochlorite ion concentration in the quaternary alkylammonium hypochlorite aqueous solution after storage was confirmed to be 1.45 wt%, the chlorite ion concentration was 50 ppm, and the pH was 12, and evaluation was performed.
＜比較例１＞
加える亜塩素酸テトラメチルアンモニウムの濃度が異なること以外は実施例１と同様な方法で、表１に示した組成となるよう調製し、評価を行った。
<Comparative Example 1>
Except that the concentration of tetramethylammonium chlorite to be added was different, the same method as in Example 1 was used to prepare and evaluate the composition shown in Table 1.
＜比較例２＞
次亜塩素酸イオンが１．４５ｗｔ％になるように次亜塩素酸ナトリウム５水和物（富士フイルム和光純薬社製、試薬特級）を水に溶解し、比較例２を調整し、評価を行った。
以上、実施例、比較例で使用した処理液の組成を表１に、得られた結果を表２に示した。
<Comparative Example 2>
Sodium hypochlorite pentahydrate (special grade reagent, manufactured by Fujifilm Wako Pure Chemical Co., Ltd.) was dissolved in water so that the hypochlorite ion became 1.45 wt%, and Comparative Example 2 was prepared. went.
As described above, the compositions of the treatment liquids used in the examples and comparative examples are shown in Table 1, and the obtained results are shown in Table 2.
表１に示したように、本発明の酸化性組成物を適用した実施例１〜７は、亜塩素酸イオンの存在量によって酸化還元電位の制御が可能となり、保存安定性にも優れる。また、表２に示したように、酸化還元電位の制御によって、ルテニウムのエッチング速度をコントロール可能であり、さらに、ルテニウムをエッチングした後の表面の荒れを抑えることも可能である。 As shown in Table 1, in Examples 1 to 7 to which the oxidizing composition of the present invention was applied, the oxidation-reduction potential could be controlled by the amount of chlorite ions, and the storage stability was excellent. Further, as shown in Table 2, by controlling the oxidation-reduction potential, it is possible to control the etching rate of ruthenium, and it is also possible to suppress the surface roughness after etching the ruthenium.
比較例１では、実施例１〜７と比較して、酸化性組成物中に存在する亜塩素酸イオンが多いため、酸化還元電位が低く、保存安定性も悪いことがわかる。また、表２に示したように、酸化還元電位が低いため、ルテニウムをエッチングできないことがわかる。 In Comparative Example 1, it can be seen that the oxidation-reduction potential is low and the storage stability is poor because there are more chlorite ions in the oxidizing composition than in Examples 1 to 7. In addition, as shown in Table 2, it can be seen that ruthenium cannot be etched because the oxidation-reduction potential is low.
比較例２では、次亜塩素酸ナトリウム水溶液は保存安定性が悪く、また、表２に示したように、エッチング後のルテニウム表面が荒れていることがわかる。
In Comparative Example 2, it can be seen that the aqueous sodium hypochlorite solution has poor storage stability, and as shown in Table 2, the ruthenium surface after etching is rough.
１１ 三ツ口フラスコ
１２ 温度計保護管
１３ 熱電対
１４ 回転子
１５ ＰＦＡ製チューブ
１６ ガス洗浄瓶
１７ ５質量％水酸化ナトリウム水溶液
１８ 流量計
１９ ウォーターバス
１０ 氷水
DESCRIPTION OF
Claims (5)
（Ａ）２５℃でのｐＨが、８以上１４以下
（Ｂ）酸化還元電位が、５００〜１５００ｍＶ ｖｓ．ＳＨＥ
（Ｃ）亜塩素酸イオンの濃度が、０．１〜５０００質量ｐｐｍ
である酸化性組成物。 In an oxidizing composition containing a quaternary alkyl ammonium ion, a chlorite ion, and a hypochlorite ion,
(A) pH at 25 ° C. of 8 to 14 (B) Oxidation-reduction potential of 500 to 1500 mV vs. SHE
(C) The concentration of chlorite ion is 0.1 to 5000 mass ppm
An oxidizing composition which is:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018115018A JP6901998B2 (en) | 2018-06-15 | 2018-06-15 | Oxidizing composition containing quaternary alkylammonium ion, chlorite ion, and hypochlorite ion |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018115018A JP6901998B2 (en) | 2018-06-15 | 2018-06-15 | Oxidizing composition containing quaternary alkylammonium ion, chlorite ion, and hypochlorite ion |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2019218436A true JP2019218436A (en) | 2019-12-26 |
| JP6901998B2 JP6901998B2 (en) | 2021-07-14 |
Family
ID=69095958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018115018A Active JP6901998B2 (en) | 2018-06-15 | 2018-06-15 | Oxidizing composition containing quaternary alkylammonium ion, chlorite ion, and hypochlorite ion |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6901998B2 (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2021172397A1 (en) * | 2020-02-25 | 2021-09-02 | ||
| CN113842866A (en) * | 2020-06-25 | 2021-12-28 | 株式会社德山 | Method and apparatus for producing halogen oxygen-containing acid solution |
| WO2022114036A1 (en) | 2020-11-26 | 2022-06-02 | 株式会社トクヤマ | Semiconductor wafer treatment solution and prodction method for same |
| WO2022138427A1 (en) * | 2020-12-23 | 2022-06-30 | 株式会社トクヤマ | Hypochlorite water |
| WO2024128047A1 (en) * | 2022-12-12 | 2024-06-20 | カーリットホールディングス株式会社 | Chlorites and chlorite composition |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001192700A (en) * | 2000-01-14 | 2001-07-17 | Settsu Seiyu Kk | Bleaching agent composition |
| JP2001240985A (en) * | 1999-12-20 | 2001-09-04 | Hitachi Ltd | Treatment method and treating liquid for solid surface and method for manufacturing electronic device using the same |
| JP2002161381A (en) * | 2000-11-22 | 2002-06-04 | Ebara Corp | Method for etching ruthenium film |
| JP2002241791A (en) * | 2001-02-15 | 2002-08-28 | Kao Corp | Liquid bleaching detergent composition |
| JP2005227749A (en) * | 2004-02-11 | 2005-08-25 | Mallinckrodt Baker Inc | Microelectronics cleaning composition containing halogen oxyacid, its salt, and derivative |
| WO2011074601A1 (en) * | 2009-12-17 | 2011-06-23 | 昭和電工株式会社 | Composition for etching ruthenium-based metal and method for preparing same |
-
2018
- 2018-06-15 JP JP2018115018A patent/JP6901998B2/en active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001240985A (en) * | 1999-12-20 | 2001-09-04 | Hitachi Ltd | Treatment method and treating liquid for solid surface and method for manufacturing electronic device using the same |
| JP2001192700A (en) * | 2000-01-14 | 2001-07-17 | Settsu Seiyu Kk | Bleaching agent composition |
| JP2002161381A (en) * | 2000-11-22 | 2002-06-04 | Ebara Corp | Method for etching ruthenium film |
| JP2002241791A (en) * | 2001-02-15 | 2002-08-28 | Kao Corp | Liquid bleaching detergent composition |
| JP2005227749A (en) * | 2004-02-11 | 2005-08-25 | Mallinckrodt Baker Inc | Microelectronics cleaning composition containing halogen oxyacid, its salt, and derivative |
| WO2011074601A1 (en) * | 2009-12-17 | 2011-06-23 | 昭和電工株式会社 | Composition for etching ruthenium-based metal and method for preparing same |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2021172397A1 (en) * | 2020-02-25 | 2021-09-02 | ||
| JP7496410B2 (en) | 2020-02-25 | 2024-06-06 | 株式会社トクヤマ | Ruthenium semiconductor processing solution |
| CN113842866A (en) * | 2020-06-25 | 2021-12-28 | 株式会社德山 | Method and apparatus for producing halogen oxygen-containing acid solution |
| WO2022114036A1 (en) | 2020-11-26 | 2022-06-02 | 株式会社トクヤマ | Semiconductor wafer treatment solution and prodction method for same |
| KR20230111234A (en) | 2020-11-26 | 2023-07-25 | 가부시끼가이샤 도꾸야마 | Semiconductor wafer processing liquid and its manufacturing method |
| WO2022138427A1 (en) * | 2020-12-23 | 2022-06-30 | 株式会社トクヤマ | Hypochlorite water |
| KR20220128451A (en) * | 2020-12-23 | 2022-09-20 | 가부시끼가이샤 도꾸야마 | hypochlorous acid water |
| JP7164767B1 (en) * | 2020-12-23 | 2022-11-01 | 株式会社トクヤマ | Hypochlorous acid water |
| KR102519332B1 (en) | 2020-12-23 | 2023-04-10 | 가부시끼가이샤 도꾸야마 | hypochlorous acid water |
| WO2024128047A1 (en) * | 2022-12-12 | 2024-06-20 | カーリットホールディングス株式会社 | Chlorites and chlorite composition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6901998B2 (en) | 2021-07-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6901998B2 (en) | Oxidizing composition containing quaternary alkylammonium ion, chlorite ion, and hypochlorite ion | |
| JP6798045B2 (en) | Processing liquid for semiconductor wafers containing hypochlorite ions | |
| JP2023126263A (en) | Quaternary alkylammonium hypochlorite solution | |
| JP6808201B2 (en) | Manufacturing method of weakly acidic hypochlorous acid water | |
| JP7375032B2 (en) | Processing liquid for semiconductor wafers | |
| WO2020166677A1 (en) | Onium salt-containing processing solution for semiconductor wafers | |
| JP2021090051A (en) | Quaternary alkylammonium hypochlorite solution, manufacturing method thereof, and semiconductor wafer processing method | |
| WO2019225599A1 (en) | Method for producing weakly acidic hypochlorous acid aqueous solution | |
| JP7321138B2 (en) | Ruthenium semiconductor processing liquid and method for producing the same | |
| JP2024024074A (en) | Processing solution for semiconductor wafer containing hypochlorite ion and ph buffer | |
| KR20220159387A (en) | Treatment liquid for semiconductor and method for manufacturing the same | |
| KR20220136262A (en) | Semiconductor treatment liquid | |
| WO2022030628A1 (en) | Semiconductor wafer processing liquid containing hypobromite ions and ph buffering agent | |
| TW202221104A (en) | Semiconductor wafer treatment solution and production method for same | |
| JP2008216178A (en) | Analytic method of hydrofluoric acid in aqueous solution containing hydrofluoric acid and silicon compound |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200820 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210528 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210608 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210618 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6901998 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |