[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP2019113354A - シンチレータプレート及びこれを用いた放射線検出器 - Google Patents

シンチレータプレート及びこれを用いた放射線検出器 Download PDF

Info

Publication number
JP2019113354A
JP2019113354A JP2017245449A JP2017245449A JP2019113354A JP 2019113354 A JP2019113354 A JP 2019113354A JP 2017245449 A JP2017245449 A JP 2017245449A JP 2017245449 A JP2017245449 A JP 2017245449A JP 2019113354 A JP2019113354 A JP 2019113354A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
scintillator
protective film
scintillator plate
plate according
hydrophobic functional
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017245449A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7080630B2 (ja
Inventor
徹則 尾島
Tetsunori Oshima
徹則 尾島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2017245449A priority Critical patent/JP7080630B2/ja
Priority to US16/216,309 priority patent/US10656289B2/en
Publication of JP2019113354A publication Critical patent/JP2019113354A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7080630B2 publication Critical patent/JP7080630B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16Measuring radiation intensity
    • G01T1/20Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/202Measuring radiation intensity with scintillation detectors the detector being a crystal
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16Measuring radiation intensity
    • G01T1/20Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/202Measuring radiation intensity with scintillation detectors the detector being a crystal
    • G01T1/2023Selection of materials
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16Measuring radiation intensity
    • G01T1/20Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2002Optical details, e.g. reflecting or diffusing layers
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16Measuring radiation intensity
    • G01T1/20Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2018Scintillation-photodiode combinations
    • G01T1/20185Coupling means between the photodiode and the scintillator, e.g. optical couplings using adhesives with wavelength-shifting fibres
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16Measuring radiation intensity
    • G01T1/20Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2018Scintillation-photodiode combinations
    • G01T1/20186Position of the photodiode with respect to the incoming radiation, e.g. in the front of, below or sideways the scintillator
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16Measuring radiation intensity
    • G01T1/20Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2018Scintillation-photodiode combinations
    • G01T1/20188Auxiliary details, e.g. casings or cooling
    • G01T1/20189Damping or insulation against damage, e.g. caused by heat or pressure
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16Measuring radiation intensity
    • G01T1/20Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2018Scintillation-photodiode combinations
    • G01T1/20187Position of the scintillator with respect to the photodiode, e.g. photodiode surrounding the crystal, the crystal surrounding the photodiode, shape or size of the scintillator

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)

Abstract

【課題】 柱状構造を有するシンチレータの劣化を防止するための保護膜の薄膜化を図り、効率よく蛍光を導波しうるシンチレータプレートを提供する。【解決手段】 シンチレータ11を覆う保護膜13が、少なくとも、複数の金属原子と酸素原子と疎水性官能基を有し、複数の金属原子のうちのある金属原子は酸素原子を介して複数の金属原子のうちの他の金属原子と結合し、疎水性官能基は炭素原子を有し、その炭素原子が複数の金属原子のうちのいずれかと結合している。【選択図】 図1

Description

本発明は、シンチレータプレート及び該シンチレータプレートを備えた放射線検出器に関するものである。
医療現場におけるX線撮影等に用いられる放射線検出器は、放射線を受けて蛍光を発するシンチレータと該シンチレータを保持するシンチレータ基板とを有するシンチレータプレートと、シンチレータが発した蛍光を検出する画素を備えた光電変換部とを備える。画素は蛍光を受光し、電気信号に変換する光電変換素子である。シンチレータは、発した蛍光を画素の受光面に効率よく伝達させることが求められ、そのための方法の一つとして、柱状構造(針状構造と呼ばれることもある)を有するシンチレータを用いる方法がある。柱状構造を有するシンチレータは各々の柱状構造間に空隙が形成されており、空気の屈折率よりもシンチレータ材料の屈折率が大きいことから、柱状構造中で蛍光が反射を繰り返す。よって、柱状構造の一端に入射した放射線によって発生した蛍光は、該柱状構造内を伝播し、他端から放出されて効果的に受光面に到達すると言われている。
柱状構造はアスペクト比が高く平面膜と比べ比表面積が非常に大きくなる。また、シンチレータの材料としては、CsIに代表されるアルカリハライド結晶が広く用いられているが、アルカリハライド結晶は潮解性を示すことが知られている。そのためアルカリハライドの柱状結晶からなるシンチレータは、大気暴露をすると、大気に含まれる水蒸気によって容易に潮解し、変質してしまう。変質したアルカリハライド内では、発生した蛍光が画素に届く前に分散してしまうため、放射線検出器の空間分解能が低下してしまう。そこで、特許文献1に記載のシンチレータパネルではシンチレータの柱状構造をポリパラキシリレンからなる保護膜で覆うことにより、シンチレータと水蒸気の接触を防ぎ、潮解を抑止している。
特開2000−9845号公報
特許文献1に開示されているように、シンチレータをポリパラキシリレンからなる保護膜で覆って、シンチレータの潮解を防止するためには、係る保護膜で柱状構造間の空隙を埋める様に、シンチレータを厚い保護膜で覆う必要がある。これは空隙があると、そこから水蒸気が侵入し、シンチレータと水蒸気が接触し、シンチレータが潮解してしまうためである。しかしながら、シンチレータの保護膜を厚くし、柱状構造間の空隙を埋めると、放射線検出器における空間分解能が低下する。シンチレータから発せられた蛍光が保護膜に伝わると、その蛍光は保護膜中においては自由に広がってしまう。このため、シンチレータと光電変換部の間に保護膜層が存在する場合、保護膜層の膜厚が厚いほど、シンチレータから発せられた蛍光が光電変換部に届くまでに広がってしまう。また、空隙を埋める様に保護膜が存在すると、ある柱状構造から発した蛍光は保護膜を通して隣の柱状構造に伝わってしまい、シンチレータから発せられた蛍光が光電変換部に届くまでに広がってしまう。その結果、放射線検出器の空間分解能が低下してしまう。これらの結果、シンチレータを保護膜で覆ったことで、潮解によるシンチレータの劣化は防止されるものの、シンチレータ内で発生した蛍光が広がって、放射線検出器における空間分解能が低下するという問題を生じていた。空間分解能の低下を防止するためには、柱状構造間の空隙を埋めない様に保護膜を薄く形成すればよいが、従来の保護膜は、厚さが薄くなると、シンチレータの潮解抑制効果が十分に発現されなかった。
本発明の課題は、柱状構造を有するシンチレータの劣化を防止するための保護膜の薄膜化を図り、シンチレータ内で発生した蛍光の広がりを抑止したシンチレータプレートを提供することにある。また、本発明は、該シンチレータプレートを用いて、長期にわたって高い空間分解能が得られる放射線検出器を提供することにある。
本発明の第1は、シンチレータ基板と、前記シンチレータ基板上に形成されたシンチレータと、前記シンチレータを覆う保護膜と、を備え、前記シンチレータが、前記シンチレータ基板の表面から突出する複数本の柱状構造の結晶体であるシンチレータプレートにおいて、前記保護膜が、少なくとも、複数の金属原子と酸素原子と疎水性官能基を有し、前記複数の金属原子のうちのある金属原子は、前記酸素原子を介して前記複数の金属原子のうちの他の金属原子と結合しており、前記疎水性官能基は、炭素原子を有し、前記炭素原子は、前記複数の金属原子のいずれかと結合していることを特徴とするシンチレータプレートである。
本発明の第2は、シンチレータプレートと光電変換部とを備えたことを特徴とする放射線検出器である。
本発明によれば、薄い保護膜でもシンチレータへの水分子の影響を抑制して、シンチレータの劣化を抑止することができる。よって、保護膜を従来よりも薄くして、シンチレータ内で発生した蛍光がシンチレータ先端まで伝播する際に、隣接する柱状構造への蛍光の伝搬を低減することができる。また、シンチレータ先端を覆う保護膜も薄くなることから、シンチレータ先端から画素の受光面までの間で分散する蛍光量も低減することができる。よって、本発明によれば、シンチレータ内で発生した蛍光の広がりを抑止して、効率よく対応する画素の受光面に入射させることができ、高い分解能の放射線検出器が提供される。また、本発明においては、保護膜によってシンチレータの劣化が抑制されるため、放射線検出器における高い空間分解能が長期にわたって安定して得られる。
本発明のシンチレータプレートの一実施形態の断面模式図である。 本発明の放射線検出器の一実施形態の断面模式図である。 実施例1と比較例1のMTFの経時変化である。
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。但し、本発明は以下に説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明においては、その趣旨を逸脱しない範囲で、当業者の通常の知識に基づいて、以下に説明する実施形態に対して適宜変更、改良等が加えられたものについても本発明の範囲に含まれる。本発明のシンチレータプレートの一実施形態の断面模式図を図1に示す。本発明のシンチレータプレート10は、放射線を受けて蛍光を発するシンチレータ11と、シンチレータ11を保持するシンチレータ基板12と、シンチレータを覆う保護膜13とを有する。以下、本実施形態のシンチレータプレート10の各構成についてより具体的に説明した後で、本実施形態のシンチレータプレート10を用いた放射線検出器について説明をする。
(保護膜)
本発明のシンチレータプレート10の特徴は、シンチレータ11を覆う保護膜13が、少なくとも、複数の金属原子と酸素原子と疎水性官能基を有し、その複数の金属原子はのうちのある金属原子は、酸素原子を介して他の金属原子と結合していることである。そして、保護膜13が有する疎水性官能基は、炭素原子を有し、その炭素原子は、保護膜13が有する複数の金属原子のいずれかと結合していることである。この特徴により、保護膜13が薄くても、シンチレータ11への水分子の影響を抑制することができることが本発明者の検討によって明らかになった。これは、主に二つの効果による。一つ目は保護膜13が酸素を介した金属の架橋構造体が立体的な障害により保護膜中の水分子の透過を抑制する効果である。二つ目は疎水基によって保護膜中が疎水環境となり、水分子の透過に必要なエネルギーが増加する効果である。主にこれら二つの複合的な効果によって、保護膜が薄くても水分子の保護膜透過の速度が大きく低下する。保護膜13に含まれる疎水性官能基は金属原子に対して0.1倍以上で2倍以下のモル比であることが好ましい。金属原子に対して疎水性官能基の化学量論比が0.1倍に満たない量しかない場合、疎水性官能基の効果が十分に発揮されない。また金属原子に対して疎水性官能基の化学量論比が2倍より多い場合、膜の形成に寄与する結合が減ってしまうため、保護膜として成膜するのが困難になってしまう。保護膜中に含まれる疎水性官能基の量はFTIR(フーリエ変換型赤外分光)、TOF−SIMS(飛行時間型二次イオン質量分析法)などで定性分析ができ、FTIR、XPS(X線光電子分光)などで定量分析ができる。従って、保護膜中の金属原子に対する疎水性官能量は適切に調整することが好ましい。
本発明に係る保護膜13の膜厚は100nm以下が好ましい。シンチレータ中で発光した大部分の蛍光は、シンチレータ界面で反射し、シンチレータ内を導波して伝わる。これはシンチレータと空気の屈折率差による。一方、シンチレータと保護膜の屈折率差は保護膜の組成によっては小さくなり、保護膜とシンチレータが接しているとシンチレータ中の蛍光は保護膜中に伝わりやすい。しかしながら、保護膜の外側に空気が存在していると、保護膜と空気の界面で蛍光が全反射し、シンチレータで発した蛍光はシンチレータと保護膜を合わせた構造体中を導波する。従って、保護膜はシンチレータの柱状構造と隣の柱状構造の空隙を全て埋めてしまうと、隣の柱状構造に蛍光が広がってしまうが、空隙が残っていると、隣の柱状構造に広がりにくくなる。空隙は後述する柱状構造の先端付近で200nm以上なので、膜厚は100nm以下が好ましい。また、柱状構造間の空隙は一様ではないため、狭い空隙においても、空隙を残すために、膜厚は薄い方がより好ましい。
本発明に係る保護膜13は、薄くても水分子を透過させないためシンチレータ11への影響を抑止することができる。よって、保護膜13の厚さを100nmよりも小さくできる。この結果、本発明においては、シンチレータ11内で発生した蛍光の多くが、全反射又はフレネル反射現象を繰り返し、シンチレータ11内および保護膜内を導波されて、放射線が入射した側とは反対側のシンチレータ11先端から放出され、受光面に入射する。この時、蛍光は、発光点(蛍光が発生した場所)から受光面に向けて下ろした垂線の足の位置付近に効率よく受光されることになる。つまり、多数の光学界面が蛍光を受光面に向かって導波することにより、蛍光の広がりを抑制することができる。また、シンチレータ11の先端における保護膜13が薄いことにより、シンチレータ11の先端から出射された蛍光が係る保護膜13内で散乱して広がるのも抑制される。これらの結果、シンチレータ11内で発生した蛍光は効率よくシンチレータ11の先端から出射されて受光面に入射し、高い空間分解能が得られる。尚、局所的に空隙が狭い部分もあるため、保護膜の膜厚が薄い方が傾向の導波路としては良いが、保護膜13が薄すぎると水分子の透過を抑制する効果が低減してしまうため、保護膜13の厚さは0.3nm以上が好ましい。
また、保護膜はシンチレータの柱状構造の1本ずつをそれぞれ奥まで覆っていることが好ましい。より具体的には柱の先から少なくとも100μm奥まで1本ずつ覆っていることが好ましい。但し、シンチレータの柱状構造同士が接触または近接している箇所は、柱状構造の奥でない場合でも保護膜で覆われていなくてもよい。
本発明に用いられる保護膜の疎水性官能基としては、その質量が200g/mol以下であることが望ましい。疎水性官能基の質量が200g/molを超えるような大きな官能基の場合、保護膜中に大きな空隙が生じて水分子の透過率が上昇したり、疎水性官能基による立体障害によって膜として形成しなくなったりするためである。
本発明で用いることのできる疎水性官能基としてはアルキル基、フッ化アルキル基フェニル基及びその誘導体などがある。これらの官能基は水分子との親和性が低い。そのため、これらの官能基が保護膜中に存在すると、水分子が保護膜中を透過する際に必要なエネルギーが大きくなり、水分子の保護透過率が低下する。また、アルキル基の中でもメチル基、エチル基、プロピル基などの嵩が小さい官能基を用いると保護膜の形成が容易である。これは嵩が小さく立体障害が少ないために成膜レートが上昇すること、原料の分子量が小さくなるため、低温でも高濃度の原料蒸気の生成が可能となることなどがある。逆に疎水性官能基が大きくなるほど、保護膜の成膜が困難になる。
保護膜のある原子団の中に含まれる金属原子はSi、Al、Ti、Zrなどを用いることができる。これらの金属原子は酸素原子を介して他の組の金属原子と結合している。また、金属原子には酸素原子、疎水性官能基以外に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基、アセトキシ基などを含んでいてもよい。しかし、これらの原子、官能基を多量に含んでいると成膜が困難になる、あるいは保護膜の水透過率が高くなってしまう。そのため金属原子に対して1倍以下の化学量論比となることが好ましい。
(保護膜の成膜方法)
本発明に係る保護膜13は、シンチレータ基板12に保持された柱状構造のシンチレータ11と金属に疎水性官能基と活性基が結合した分子を接触させることで成膜することができる。活性基としては、アルコキシ基、ハロゲン原子、アセトキシ基、水酸基などがある。アルコキシ基、ハロゲン原子、アセトキシ基などは、熱、プラズマ、化学反応などの刺激を加えて活性化することにより、成膜反応を起こすことができる。これらの活性基の活性化を適切にすることによって、シンチレータ11の柱状構造のそれぞれの奥まで保護膜13で覆うことができる。奥まで覆うことによって、より薄い膜厚でもシンチレータの劣化を抑止することが期待できる。活性が高すぎるとシンチレータの奥に到達する前に成膜反応を生じてしまい、奥まで原料が到達することができない。その結果、薄い保護膜でシンチレータを覆う前に、厚い保護膜が形成されてしまう。
(シンチレータ)
本発明におけるシンチレータ11は、シンチレータ基板上に形成され、該シンチレータ基板12の表面から突出する複数本の柱状構造の結晶体であり、X線に代表される放射線の照射により蛍光を発する。即ち、シンチレータ11とはX線等の入射された放射線のエネルギーを吸収して、波長が300nm乃至800nmの範囲内の光、いわゆる可視光を中心に紫外光から赤外光の光を発する蛍光体である。柱状構造の長軸は、シンチレータ基板12と垂直に交わることが好ましいが、厳密に垂直である必要はなく、傾いていてもよい。厳密に垂直でないことが及ぼす本発明の効果への影響は小さい。シンチレータ11の発する蛍光は、シンチレータ11内を伝搬しながら、受光面へ導波される必要がある。そのため、各シンチレータ11の長軸とシンチレータ基板12の垂線のなす角度が45度未満であることが好ましい。また、複数のシンチレータ11の傾きは、一様でなくても構わない。これらの特徴を有することから、複数のシンチレータ11は、シンチレータ基板12の垂線に対してなす角度が45度未満の光学界面を多数含んでいる。
シンチレータ11は柱状構造を有していれば、その柱状構造が円柱状の構造であっても、多角柱状の構造であってもよい。また、柱状構造が一様である必要はなく、複数のシンチレータ11において、円柱状と多角柱状のシンチレータ11を含んでいていてもよい。更に、シンチレータ11の太さが一様である必要はなく、複数のシンチレータ11において太さが異なるシンチレータ11を含んでいてもよい。但し、各シンチレータ11の太さは、0.1μm以上、50μm以下が好ましく、さらには、0.1μm以上、15μm以下が好ましい。シンチレータ1の太さが0.1μm未満の場合、シンチレータ11内で発生する蛍光の波長に比べてシンチレータ11の太さがかなり小さくなるため、幾何学的光回折や光学的散乱を起こし難くなり、蛍光が受光面に向かって導波されにくくなる。そのため、蛍光がシンチレータ11外へ広がってしまい、放射線検出器における空間分解能を下げる要因になる。一方、理論上、シンチレータプレート10はシンチレータ11の太さより小さな大きさを解像することは困難である。よって、シンチレータ11の太さが50μmより大きい場合、例えば10LP/mmのような高空間周波数域だけではなく、1LP/mmのような低空間周波数域における空間分解能も低下させる要因となる。
また、各シンチレータ11の太さは一様である必要はなく、一方の端から他方の端までの太さの変化が、50μm以下であることが好ましい。但し、本発明において、柱状構造とは先の細くなった針状構造を含む。各シンチレータ11が針状構造を有する場合はシンチレータ11の先端(シンチレータ基板12に接する側とは逆側の端部)がその他の部分よりも50μm以上細くなることがあるが、これでも良い。また、断面の形状も、一方の端から他方の端まで一様でなくても良く、例えば、シンチレータ基板12との距離が近い部分では多角柱状だったシンチレータ11が、シンチレータ基板12との距離が遠くなるにつれて円柱状になっていても良い。
シンチレータ11の長さ(高さ)は、柱状構造の長軸の長さであり、複数のシンチレータ11の長さのばらつきが小さいことが好ましく、ばらつきがない(長さが一様である)ことがより好ましい。但し、必ずしも長さが一様である必要はなく、複数のシンチレータ11において長さの長いシンチレータ11と短いシンチレータ11を有していてもよい。この理由として、短いシンチレータ11の端から光が漏れ出たとしても、その光は、近隣のシンチレータ11の中に入り、そのまま受光面に向かってそのシンチレータ11内で伝播することができる。従って、長短のシンチレータ11が混在する複数のシンチレータ11においても、蛍光の広がりを抑制することができるため、光導波性を有する。
シンチレータ11の長さは、本発明の効果に大きな影響を与えるものではなく、シンチレータ11の長さが短くても長くても十分本発明の効果を奏する。よって、シンチレータ11の長さは特に制限されないが、現実的な作製プロセスを考慮すると100nm以上、10cm以下であることが好ましい。より好ましくは、シンチレータ11の長さは1μm以上、1cm以下である。
シンチレータ11は、互いの距離が200nm以上、1μm以下の独立した柱状構造が好ましいが、各シンチレータ11が互いに完全には分離しておらず、シンチレータ11の柱状構造の表面に対して交差する方向に光学界面が断続的に存在していても良い。光学界面が断続的に存在していても、シンチレータ11は光導波性を有する。また、シンチレータ11内に空隙又は光散乱体が複数存在していても良い。空隙又は光散乱体により蛍光は散乱するが、その散乱光は、近隣のシンチレータ11の中に入り、受光面に向かってそのシンチレータ11内を伝播できる。この限りにおいて、シンチレータ11は、空隙又は散乱体を複数内在させていても、光導波性を有する。また、シンチレータ11は、柱状の先端を平坦化したものを用いてもよく、その場合、受光面との凹凸が小さくなり、効率的に蛍光が受光面に受光されることが期待できる。
シンチレータ11を形成する材料としては、種々の公知のシンチレータ材料を使用することができる。本発明では、シンチレータ11が薄い保護膜13で覆われて水分子の影響を受けにくくなっているため、水分子と接触して劣化する材料をシンチレータ11として用いることができる。具体的には、潮解性を有する化合物が挙げられ、中でも、金属ハライドが好ましく用いられる。金属ハライドは大気に暴露されると潮解し、構造が変化してしまう。その結果、シンチレータ11内で伝播していた蛍光が、シンチレータ11外に広がってしまい、放射線検出器における空間分解能を低下させてしまう。尚、本発明は、潮解性に限らず、水分子と接触することで劣化し、放射線検出器における空間分解能を低下させうる材料を用いたシンチレータ11に対して、好ましく適用される。
金属ハライドの中で代表的な材料としてCsI等のアルカリハライドがある。CsIはX線の可視光への変換効率が高く、蒸着によって容易にシンチレータ11を柱状構造に形成でき、シンチレータ11の長さを長くすることが可能である。CsIは、単独では発光効率が十分でないために、賦活剤が添加される。例えばNaI、In、Tl、Li、K,Rb,Naなどを賦活剤として用いることができる。
また、Tlを含有するCsIシンチレータを形成するための原材料として、1種類以上のTl化合物を含む添加剤とCsIとを用いることができる。CsI:Tlは400nmから750nmまでの広い発光波長を持つことから好ましい。1種類以上のTl化合物を含有するTl化合物としては、一価と三価の酸化数の化合物を用いることができる。例えばTlI、TlBr、TlCl、TlF、TlFなどがある。賦活剤の含有量は目的性能に応じて、最適量に調製することが望ましいが、CsIに対して0.01モル%乃至20モル%にすることが好ましい。
さらに、シンチレータ11の材料として、CsI以外にも一般式(1)に示すアルカリハライドを用いることができる。
M2X1・αM3X2・βM4X3:γA1 (1)
上記式(1)中、M2はLi、Na、K、Rb、Csから選ばれる少なくとも1種のアルカリ金属原子であり、M3はBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Cu、Niから選ばれる少なくとも1種の二価金属原子であり、M4はSc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Ga、Inから選ばれる少なくとも1種の三価金属原子であり、X1、X2、X3はそれぞれ独立に、F、Cl、Br、Iから選ばれる少なくとも1種のハロゲン原子であり、A1はEu、Tb、In、Bi、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu、Mgから選ばれる少なくとも1種の金属原子であり、α、β、γはそれぞれ0≦α<0.5、0≦β<0.5、0<γ≦0.2の範囲の数値を表す。
また、シンチレータ11としては、上記したアルカリハライド以外にも、ハライド化合物を用いることができ、下記一般式(2)に示す希土類賦活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化合物も用いることができる。
M5FX4:δA2 (2)
上記式(2)中、M5はBa、Sr、Caから選ばれる少なくとも1種のアルカリ土類金属原子であり、A2はCe、Pr、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Nd、Er、Tm、Ybから選ばれる少なくとも1種の希土類原子であり、X4はCl、Br、Iから選ばれる少なくとも1種のハロゲン原子であり、δは0<z≦0.2の範囲内の数値を表わす。
また本発明においては、上記ハライド化合物以外の化合物をシンチレータ11に用いることができる。具体的には、LnTaO:(Nb,Gd)系、LnSiO:Ce系、LnOX:Tm系(Lnは希土類元素である)、GdS:Tb、GdS:Pr、Ce、ZnWO、LuAlO:Ce、GdGa12:Cr、HfOなどがある。
(シンチレータ基板)
本発明におけるシンチレータ基板12は、複数のシンチレータ11を保持できる固体である。金属及びその酸化物、半導体及びその酸化物、ガラス、樹脂などの材料で構築された基板、これらを用いて作られた光検出器などのデバイスをシンチレータ基板12として用いることができる。
(放射線検出器)
本発明のシンチレータプレートを備えた放射線検出器について図2を用いて説明をする。図2は、本発明のシンチレータプレート10を備えた放射線検出器の断面図であり、シンチレータプレート10以外に光電変換部22を備える。図2において、シンチレータプレート10は、図1に示したシンチレータ基板12が外側になるように配置されている。また、シンチレータプレート10と光電変換部22との間には接着層23が設けられていてもよい。接着層23は、シンチレータプレート10と光電変換部22とを一体化する以外に、シンチレータプレート10を保護したり、光電変換部23を保護したり、シンチレータ11と光電変換部22の受光面とを光学的に接続する機能を備えていてもよい。また、接着層23は異なる材料を2層以上に重ねてもよい。
光電変換部22は、基板24に光検出層25を設けて構成されており、光検出層25には複数の受光部26が配列されている。この放射線検出器は、シンチレータプレート10と、光電変換部22とを組み合わせることにより製造することができる。また、光電変換部22上に直接又は間接(保護層などを介して)的にシンチレータ11を形成し、保護膜13を成膜した後、シンチレータ11の、光電変換部22側とは対向する側にシンチレータ基板12を組み合わせることにより製造することができる。但し、製造の容易性から、シンチレータ基板12にシンチレータ11を形成し、保護膜13を成膜してシンチレータプレート10を製造し、そのシンチレータプレート10と光電変換部22とを組み合わせて放射線検出器を製造することが好ましい。
また、シンチレータプレート10の光電変換部22と接している面とは逆の面に、反射層を有していてもよい。シンチレータプレートで発生した蛍光の約半分は光電変換部22と接している面に進むが、残り半分は逆側の面に進んでしまう。この光を反射層によって光電変換部22の方向に進ませることができ、光電変換部に到達する蛍光を増やすことができる。従って、反射層を用いることによって、放射線検出器の放射線に対する感度を高めることができる。
また別の放射線検出器として、図1において基板12が図2の光電変換部22となっていてもよい。この時、シンチレータを挟んで基板と反対側には反射層を有していてもよい。
ガラス基板上に、加熱蒸着法によりシンチレータを形成した。真空チャンバー内の加熱容器に、CsI原料粉末を充填し、該容器に対向してSi基板を回転盤に据え付けた。真空チャンバー内を真空ポンプで高真空状態にし、CsIを加熱した。ここで真空チャンバー内に別の容器を設置し、該容器に発光中心としてのTlI原料粉末を充填し、加熱し同時成膜に供した。基板を回転させながらガラス基板上にシンチレータを形成した。次に、シンチレータに適切に活性化したメチルトリメトキシシランを接触させ、シンチレータ表面に保護膜を成膜し、実施例1のシンチレータプレートを得た。
保護膜を成膜しない以外は実施例1と同様の工程により、比較例1のシンチレータプレートを得た。
作製したサンプルに対し、X線照射によるMTF(Modulation Transfer Function;変調伝達関数)評価による分解能評価を行った。MTF評価における方法を以下に記す。分解能を評価する手法として一般的なエッジ法を使用した。ポニー工業社のNEO−890Zを使用し、管電圧80kV、管電流0.2mAでMTF測定を行った。
図3に22℃、45%Rh中に保管した時の、実施例1、比較例1の各シンチレータプレートのMTFの経時変化を示す。比較例1は時間と共にMTFが減少し、空間分可能が低下している。これはCsIが潮解したことに由来すると考えられる。
一方、実施例1はMTFの低下が途中で止まり、そこから変化していない。これは保護膜によってシンチレータの潮解が抑止されたからと考えられる。従って、本発明のシンチレータプレートでは、薄い保護膜でもシンチレータの潮解が十分に抑止されていると考えられる。
10 シンチレータプレート
11 シンチレータ
12 シンチレータ基板
13 保護膜
22 光電変換部
23 接着層
24 基板
25 光検出層

Claims (12)

  1. シンチレータ基板と、前記シンチレータ基板に形成されたシンチレータと、前記シンチレータを覆う保護膜と、を備え、前記シンチレータが、前記シンチレータ基板の表面から突出する複数本の柱状構造の結晶体であるシンチレータプレートにおいて、
    前記保護膜が、少なくとも、複数の金属原子と酸素原子と疎水性官能基を有し、
    前記複数の金属原子のうちのある金属原子は、前記酸素原子を介して前記複数の金属原子のうちの他の金属原子と結合しており、
    前記疎水性官能基は、炭素原子を有し、
    前記炭素原子は、前記複数の金属原子のいずれかと結合している
    ことを特徴とするシンチレータプレート。
  2. 前記疎水性官能基の質量が200g/mol以下であることを特徴とする請求項1に記載のシンチレータプレート。
  3. 前記疎水性官能基が、アルキル基、フッ化アルキル基、フェニル基及びその誘導体のいずれかであることを特徴とする請求項2に記載のシンチレータプレート。
  4. 前記疎水性官能基が、メチル基、エチル基またはプロピル基のいずれかであることを特徴とする請求項3のいずれか一項に記載のシンチレータプレート。
  5. 前記金属原子がSi、Al、Ti、Zrのいずれかであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載のシンチレータプレート。
  6. 前記疎水性官能基の化学量論比が金属原子に対し、0.1倍以上で2倍以下であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載のシンチレータプレート。
  7. 前記保護膜の膜厚が0.3nm以上、100nm以下であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載のシンチレータプレート。
  8. 前記柱状構造の結晶体の太さが、0.1μm以上、50μm以下であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載のシンチレータプレート。
  9. 前記シンチレータが、少なくともハライド化合物からなることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載のシンチレータプレート。
  10. 前記ハライド化合物がアルカリハライドであることを特徴とする請求項9に記載のシンチレータプレート。
  11. 前記アルカリハライドが下記一般式(1)に示される化合物であることを特徴とする請求項10に記載のシンチレータプレート。
    M2X1・αM3X2・βM4X3:γA1 (1)
    〔上記式(1)中、M2はLi、Na、K、Rb、Csから選ばれる少なくとも1種のアルカリ金属原子であり、
    M3はBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Cu、Niから選ばれる少なくとも1種の二価金属原子であり、
    M4はSc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Ga、Inから選ばれる少なくとも1種の三価金属原子であり、
    X1、X2、X3はそれぞれ独立に、F、Cl、Br、Iから選ばれる少なくとも1種のハロゲン原子であり、
    A1はEu、Tb、In、Bi、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu、Mgから選ばれる少なくとも1種の金属原子であり、
    α、β、γはそれぞれ0≦α<0.5、0≦β<0.5、0<γ≦0.2の範囲の数値を表す。〕
  12. 請求項1乃至11のいずれか一項に記載のシンチレータプレートと光電変換部とを備えたことを特徴とする放射線検出器。
JP2017245449A 2017-12-21 2017-12-21 シンチレータプレート及びこれを用いた放射線検出器 Active JP7080630B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017245449A JP7080630B2 (ja) 2017-12-21 2017-12-21 シンチレータプレート及びこれを用いた放射線検出器
US16/216,309 US10656289B2 (en) 2017-12-21 2018-12-11 Scintillator plate and radiation detector using same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017245449A JP7080630B2 (ja) 2017-12-21 2017-12-21 シンチレータプレート及びこれを用いた放射線検出器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019113354A true JP2019113354A (ja) 2019-07-11
JP7080630B2 JP7080630B2 (ja) 2022-06-06

Family

ID=66951096

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017245449A Active JP7080630B2 (ja) 2017-12-21 2017-12-21 シンチレータプレート及びこれを用いた放射線検出器

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10656289B2 (ja)
JP (1) JP7080630B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220157552A (ko) * 2021-05-21 2022-11-29 한양대학교 산학협력단 금속 할라이드 신틸레이터 및 이의 제조방법

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6701288B2 (ja) * 2018-09-06 2020-05-27 キヤノン株式会社 シンチレータプレート、放射線検出装置および放射線検出システム
KR20230038634A (ko) * 2020-01-24 2023-03-21 더 리서치 파운데이션 포 더 스테이트 유니버시티 오브 뉴욕 평면 패널 x선 검출기에 사용하기 위한 섬광 유리 세라믹, 평면 패널 x선 검출기 및 영상 시스템

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009235217A (ja) * 2008-03-27 2009-10-15 Toshiba Corp エポキシ樹脂シール剤およびx線検出器
JP2010025620A (ja) * 2008-07-16 2010-02-04 Konica Minolta Medical & Graphic Inc 放射線画像変換パネルとその製造方法
US20100296625A1 (en) * 2007-11-06 2010-11-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Radiation detector comprising a light reflective material
JP2012098175A (ja) * 2010-11-02 2012-05-24 Sony Corp 放射線検出素子およびその製造方法、放射線検出モジュール並びに放射線画像診断装置
JP2017161408A (ja) * 2016-03-10 2017-09-14 コニカミノルタ株式会社 シンチレータ、シンチレータパネルおよび放射線画像変換パネル
JP2018017612A (ja) * 2016-07-28 2018-02-01 キヤノン株式会社 シンチレータプレート及びこれを用いた放射線検出器

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3789646B2 (ja) * 1998-06-19 2006-06-28 浜松ホトニクス株式会社 放射線イメージセンサ
JP4920994B2 (ja) * 2006-03-02 2012-04-18 キヤノン株式会社 シンチレータパネル、放射線検出装置及び放射線検出システム
KR101266554B1 (ko) * 2011-05-09 2013-05-27 주식회사 아비즈알 신틸레이터 패널 및 신틸레이터 패널을 제조하는 방법
JP2014009991A (ja) * 2012-06-28 2014-01-20 Fujifilm Corp 放射線画像検出装置及びその製造方法
JP2016038279A (ja) * 2014-08-07 2016-03-22 コニカミノルタ株式会社 シンチレータパネルおよびこれを備えた放射線検出器

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100296625A1 (en) * 2007-11-06 2010-11-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Radiation detector comprising a light reflective material
JP2009235217A (ja) * 2008-03-27 2009-10-15 Toshiba Corp エポキシ樹脂シール剤およびx線検出器
JP2010025620A (ja) * 2008-07-16 2010-02-04 Konica Minolta Medical & Graphic Inc 放射線画像変換パネルとその製造方法
JP2012098175A (ja) * 2010-11-02 2012-05-24 Sony Corp 放射線検出素子およびその製造方法、放射線検出モジュール並びに放射線画像診断装置
JP2017161408A (ja) * 2016-03-10 2017-09-14 コニカミノルタ株式会社 シンチレータ、シンチレータパネルおよび放射線画像変換パネル
JP2018017612A (ja) * 2016-07-28 2018-02-01 キヤノン株式会社 シンチレータプレート及びこれを用いた放射線検出器

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220157552A (ko) * 2021-05-21 2022-11-29 한양대학교 산학협력단 금속 할라이드 신틸레이터 및 이의 제조방법
KR102618325B1 (ko) 2021-05-21 2023-12-27 한양대학교 산학협력단 금속 할라이드 신틸레이터 및 이의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP7080630B2 (ja) 2022-06-06
US20190196029A1 (en) 2019-06-27
US10656289B2 (en) 2020-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7080630B2 (ja) シンチレータプレート及びこれを用いた放射線検出器
US20090200561A1 (en) Composite phosphors based on coating porous substrates
US20080006780A1 (en) Radiation image conversion panel and process for producing the same
JP6771981B2 (ja) シンチレータプレート及びこれを用いた放射線検出器
JP2005091222A (ja) 放射線像変換パネルおよびその製造方法
JP6701288B2 (ja) シンチレータプレート、放射線検出装置および放射線検出システム
JP2006098242A (ja) 放射線像変換パネル
JP2006250909A (ja) 放射線像変換パネル
WO2018110061A1 (ja) シンチレータプレート、放射線検出装置および放射線検出システム
JP2018036198A (ja) シンチレータパネル
JP3130632B2 (ja) 放射線画像変換パネル
US7170077B2 (en) Binderless storage phosphor screen
JP2006098241A (ja) 放射線像変換パネル
JP6756170B2 (ja) 放射線画像変換パネル
JP4054765B2 (ja) 放射線像変換パネル
JP4024731B2 (ja) 放射線像変換パネルの製造方法
JP3070940B2 (ja) 放射線画像変換パネルの製造方法
JP2023511511A (ja) 平面パネルx線検出器で使用するための発光ガラスセラミック、平面パネルx線検出器、および画像化システム
JP2002107852A (ja) 放射線像変換パネルおよび放射線画像情報読取方法
JPH05150100A (ja) 放射線画像変換パネル
JP3070939B2 (ja) 放射線画像変換パネルの製造方法
JPWO2007058022A1 (ja) 放射線用シンチレータプレート
JP3070941B2 (ja) 放射線画像変換パネルの製造方法
JPWO2008015910A1 (ja) シンチレータプレートの製造方法及びシンチレータプレート
JP2018009803A (ja) シンチレータパネル

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20201217

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20211130

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20211214

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220208

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220426

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220525

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 7080630

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151