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JP2019081949A - Evaporation source device, film deposition apparatus, film deposition method, and manufacturing method of electronic device - Google Patents

Evaporation source device, film deposition apparatus, film deposition method, and manufacturing method of electronic device Download PDF

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JP2019081949A
JP2019081949A JP2018178114A JP2018178114A JP2019081949A JP 2019081949 A JP2019081949 A JP 2019081949A JP 2018178114 A JP2018178114 A JP 2018178114A JP 2018178114 A JP2018178114 A JP 2018178114A JP 2019081949 A JP2019081949 A JP 2019081949A
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crucibles
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shutter
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幸治 藤中
Koji Fujinaka
幸治 藤中
雄樹 相澤
Takeki Aizawa
雄樹 相澤
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Abstract

To mitigate an influence of radiation heat on a substrate.SOLUTION: In an evaporation source device including a plurality of crucibles for storing a vapor deposition material, including a first crucible and a second crucible, a deposition prevention plate covering the first crucible, and having an opening on the second crucible, and a movable-type evaporation source shutter for putting the second crucible into a shielded state and in an open state by changing the position, when the second crucible is put into the open state by the evaporation source shutter, the evaporation source shutter is overlapped on the deposition prevention plate and the first crucible covered with the deposition prevention plate.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、蒸発源装置、成膜装置、成膜方法、および、電子デバイスの製造方法に関するものである。   The present invention relates to an evaporation source apparatus, a film forming apparatus, a film forming method, and a method of manufacturing an electronic device.

有機ELディスプレイ等の有機電子デバイスは、有機材料や金属材料などを蒸着させる蒸着工程を経て製造される。蒸着工程で用いられる蒸発源装置は、複数のルツボを有しており、ルツボ内に収納される蒸着材料を加熱し、蒸着材料の温度を上昇させて蒸発させ、基板の表面に付着させることで成膜を行う。   An organic electronic device such as an organic EL display is manufactured through an evaporation process in which an organic material, a metal material, or the like is evaporated. The evaporation source apparatus used in the vapor deposition process has a plurality of crucibles, and heats the vapor deposition material stored in the crucible, raises the temperature of the vapor deposition material to evaporate, and adheres to the surface of the substrate. Perform film formation.

特許文献1は、真空チャンバと、基板上に薄膜を形成するための複数の蒸発源(ルツボ)と、蒸発源から蒸発した材料の蒸気を開放及び遮蔽するための一つのシャッターを備えた真空蒸着装置を開示している。シャッターが複数の蒸発源のうちの一つを順次、開放することで、複数の蒸発源の相互間での汚染の発生を防止できることが記載されている。   Patent Document 1 discloses a vacuum deposition including a vacuum chamber, a plurality of evaporation sources (crucibles) for forming a thin film on a substrate, and one shutter for opening and shielding a vapor of a material evaporated from the evaporation source. An apparatus is disclosed. It is described that the shutter can sequentially open one of the plurality of evaporation sources to prevent the occurrence of contamination among the plurality of evaporation sources.

また、特許文献2は、複数の蒸発源と、第1の加熱装置と、第2の加熱装置と、蒸着遮蔽板を開示している。従来、複数の蒸発源を有した蒸発源装置が、蒸発源に収納される蒸着材料を加熱して温度を高める場合、蒸着時(本加熱)に蒸着材料を加熱し始めると加熱に時間がかかる。そのため、蒸着の前に、蒸着材料が蒸気になる温度まで蒸発源の温度を上げる予備加熱を行う。すなわち、複数の蒸発源には、予備加熱が行われている蒸発源と、収容された蒸着材料が蒸気になる温度を維持して、基板表面への成膜に用いられる本加熱の蒸発源とが含まれる。特許文献2の構成では、蒸着遮蔽板が予備加熱の位置にある蒸発源を覆っている。   In addition, Patent Document 2 discloses a plurality of evaporation sources, a first heating device, a second heating device, and a deposition shielding plate. Conventionally, when an evaporation source device having a plurality of evaporation sources heats the deposition material stored in the evaporation source to raise the temperature, it takes a long time to start heating the deposition material at the time of deposition (main heating) . Therefore, prior to deposition, preheating is performed to raise the temperature of the evaporation source to a temperature at which the deposition material becomes vapor. That is, for the plurality of evaporation sources, the evaporation source for which preheating has been performed, and the evaporation source for main heating used for film formation on the substrate surface while maintaining the temperature at which the contained deposition material becomes vapor. Is included. In the configuration of Patent Document 2, the deposition shield covers the evaporation source at the preheating position.

特開2007−332433号公報JP 2007-332433 A 特開2006−249575号公報JP, 2006-249575, A

ところで、蒸発源の加熱の温度は高く、真空下であっても蒸発源からの放射熱の影響により、配置される基板やマスクは、熱延びなどの変形を起こすことで、成膜精度の低下、成膜された膜の品質低下などの課題が生じる。上記従来例のように、蒸着を行わない蒸発源の上に、シャッターのみ、あるいは、蒸着遮蔽板のみが配置された場合、蒸発源から基板への放射熱の影響を十分に低減させることが困難であった。特に、予備加熱を行っている蒸発源や、蒸着直後の蒸発源からの放射熱の影響が大きい。   By the way, the heating temperature of the evaporation source is high, and even under vacuum, the substrate or the mask to be placed is deformed by heat expansion or the like under the influence of radiant heat from the evaporation source, so that the film forming accuracy is lowered. And problems such as quality deterioration of the formed film occur. As in the conventional example, when only the shutter or only the deposition shielding plate is disposed on the evaporation source which does not perform evaporation, it is difficult to sufficiently reduce the influence of the radiation heat from the evaporation source to the substrate Met. In particular, the effects of radiant heat from the preheating evaporation source and the evaporation source immediately after deposition are significant.

本発明は上記課題に鑑みてなされたものである。本発明の目的は、基板への放射熱の影響を下げる蒸発源装置を提供することである。   The present invention has been made in view of the above problems. An object of the present invention is to provide an evaporation source device that reduces the influence of radiant heat on a substrate.

上記目的のため、本発明は以下の構成を採用する。すなわち、
第1ルツボと第2ルツボを含み、蒸着材料が収容される複数のルツボと、
前記第1ルツボを覆い、前記第2ルツボの上に開口を有する防着板と、
位置を変えることで前記第2ルツボを遮蔽状態および開放状態にする可動式の蒸発源シャッターとを備えた蒸発源装置において、
前記蒸発源シャッターが前記第2ルツボを開放状態にしている際には、前記蒸発源シャッターが、前記防着板、および、前記防着板に覆われている前記第1ルツボと重なることを特徴とする蒸発源装置である。
In order to achieve the above object, the present invention adopts the following configuration. That is,
A plurality of crucibles including a first crucible and a second crucible and containing a deposition material;
An adhesion preventing plate covering the first crucible and having an opening on the second crucible;
An evaporation source device comprising: a movable evaporation source shutter for opening and closing the second crucible by changing the position;
When the evaporation source shutter is in an open state of the second crucible, the evaporation source shutter overlaps the adhesion preventing plate and the first crucible covered with the adhesion preventing plate. It is an evaporation source device to be

本発明によれば、基板への放射熱の影響を下げた蒸発源装置を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide an evaporation source device in which the influence of radiant heat on a substrate is reduced.

図1は、有機電子デバイスの製造装置の構成の一部を示す模式図である。FIG. 1: is a schematic diagram which shows a part of structure of the manufacturing apparatus of an organic electronic device. 図2は、実施形態1にかかる蒸発源装置の構成の(a)遮蔽状態、および、(b)開放状態を示す模式図である。FIG. 2: is a schematic diagram which shows the (a) shielding state of a structure of the evaporation source apparatus concerning Embodiment 1, and (b) open state. 図3は、実施形態2にかかる蒸発源シャッターの構成を示す模式図である。FIG. 3 is a schematic view showing the configuration of the evaporation source shutter according to the second embodiment. 図4は、実施形態3にかかる蒸発源シャッターの構成を示す模式図である。FIG. 4 is a schematic view showing the configuration of the evaporation source shutter according to the third embodiment. 図5は、実施形態4にかかる蒸発源装置の構成を示す模式図である。FIG. 5 is a schematic view showing the configuration of the evaporation source apparatus according to the fourth embodiment. 図6は、実施形態5にかかる蒸発源装置の構成を示す模式図である。FIG. 6 is a schematic view showing the configuration of the evaporation source apparatus according to the fifth embodiment. 図7は、実施形態5にかかる蒸発源装置の蒸発源シャッターの横から見た様子を示す模式図である。FIG. 7 is a schematic view showing a state of the evaporation source shutter of the evaporation source device according to the fifth embodiment as viewed from the side. 図8は、実施形態6にかかる蒸発源装置の構成を示す模式図である。FIG. 8 is a schematic view showing the configuration of the evaporation source apparatus according to the sixth embodiment. 図9は、有機EL表示装置の構造を示す図である。FIG. 9 is a view showing the structure of the organic EL display device.

以下、図面を参照しつつ本発明の好適な実施形態及び実施例を説明する。ただし、以下の実施形態及び実施例は本発明の好ましい構成を例示的に示すものにすぎず、本発明の範囲をそれらの構成に限定されない。また、以下の説明における、装置のハードウェア構成及びソフトウェア構成、処理フロー、製造条件、寸法、材質、形状などは、特に特定的な記載がないかぎりは、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。   Hereinafter, preferred embodiments and examples of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the following embodiments and examples merely illustrate preferred configurations of the present invention, and the scope of the present invention is not limited to these configurations. In the following description, the hardware configuration and software configuration of the device, the process flow, the manufacturing conditions, the dimensions, the materials, the shape, etc. limit the scope of the present invention to only those unless otherwise specified. It is not for the purpose.

本発明は、蒸発源装置およびその制御方法に関し、特に、蒸着により被蒸着体に薄膜を形成するための蒸発源装置およびその制御方法に好適である。また本発明は、制御方法をコンピュータに実行させるプログラムや、当該プログラムを格納した記憶媒体としても捉えられる。記憶媒体は、コンピュータにより読み取り可能な非一時的な記憶媒体であってもよい。本発明は、例えば、被蒸着体である基板の表面に真空蒸着により所望のパターンの薄膜(材料層)を形成する装置に好ましく適用できる。基板の材料としては、ガラス、樹脂、金属などの任意の材料を選択できる。尚、成膜装置の被蒸着体は、平板状の基板に限られない。例えば、凹凸や開口のある機械部品を被蒸着体としてもよい。また、蒸着材料としても、有機材料、無機材料(金属、金属酸化物など)などの任意の材料を選択できる。また、有機膜だけではなく金属膜を成膜することも可能である。本発明の技術は、具体的には、有機電子デバイス(例えば、有機EL表示装置、薄膜太陽電池)、光学部材などの製造装置に適用可能である。   The present invention relates to an evaporation source device and a control method thereof, and particularly to an evaporation source device for forming a thin film on a deposition target by vapor deposition and a control method thereof. The present invention can also be grasped as a program that causes a computer to execute a control method or a storage medium that stores the program. The storage medium may be a non-transitory storage medium readable by a computer. The present invention can be preferably applied to, for example, an apparatus for forming a thin film (material layer) of a desired pattern by vacuum deposition on the surface of a substrate which is a deposition target. As a material of the substrate, any material such as glass, resin, metal can be selected. The deposition target of the film forming apparatus is not limited to a flat substrate. For example, mechanical parts having asperities and openings may be used as the deposition object. In addition, as the vapor deposition material, any material such as an organic material or an inorganic material (metal, metal oxide or the like) can be selected. In addition to the organic film, it is also possible to form a metal film. Specifically, the technology of the present invention is applicable to manufacturing apparatuses such as organic electronic devices (for example, organic EL display devices, thin film solar cells), optical members and the like.

<実施形態1>
<成膜装置の概略構成>
図1は、蒸着装置(成膜装置)の構成を模式的に示す断面図である。成膜装置6は、真空チャンバ13を有する。真空チャンバ13の内部は、真空雰囲気か、窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気に維持されている。
First Embodiment
<Schematic Configuration of Film Forming Apparatus>
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing the structure of a vapor deposition apparatus (film formation apparatus). The film forming apparatus 6 has a vacuum chamber 13. The inside of the vacuum chamber 13 is maintained in a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere such as nitrogen gas.

真空チャンバ13の内部には、概略、基板ホルダー8によって保持された被蒸着体である基板7と、マスクホルダー10によって保持されたマスク9と、マスク9を磁力によって基板7に引き付けるマグネット板12と、蒸発源装置1とが設けられる。   A substrate 7 which is a substance to be deposited generally held by a substrate holder 8, a mask 9 held by a mask holder 10, and a magnet plate 12 for attracting the mask 9 to the substrate 7 by a magnetic force. , And an evaporation source device 1 are provided.

基板ホルダー8は、基板7を支持するための受け爪(フィンガー)などの支持具や、基板を押圧保持するためのクランプ(不図示)などの押圧具によって基板を保持する。また、基板7は、搬送ロボット(不図示)により真空チャンバ13内に搬送された後、基板ホルダー8によって保持され、成膜時には水平面(XY平面)と平行となるように固定される。マスク9は、基板7上に形成する所定パターンの薄膜パターンに対応する開口パターンをもつマスクであり、例えばメタルマスクである。成膜時にはマスク9の上に基板7が載置される。   The substrate holder 8 holds the substrate by a support such as a receiving claw (a finger) for supporting the substrate 7 or a pressing device such as a clamp (not shown) for pressing and holding the substrate. The substrate 7 is transported into the vacuum chamber 13 by a transport robot (not shown), and then held by the substrate holder 8 and fixed so as to be parallel to the horizontal plane (XY plane) at the time of film formation. The mask 9 is a mask having an opening pattern corresponding to a thin film pattern of a predetermined pattern formed on the substrate 7 and is, for example, a metal mask. At the time of film formation, the substrate 7 is placed on the mask 9.

また、蒸発源装置1には、第1ルツボ3と、第2ルツボ2と、開口を有する防着板4と、蒸発源シャッター5とが設けられる。第1ルツボ3は防着板4に覆われ、第2ルツボ2は、防着板4の開口の下に配置される。第1ルツボ3と第2ルツボ2のそれぞれには、蒸着材料が収納されており、その蒸着材料を加熱することで蒸気を発生させる。更に、蒸発源シャッター5は、防着板4の開口の上部に設けられ、防着板4の開口を開放状態と遮蔽状態にする可動式のシャッターである。   Further, the evaporation source device 1 is provided with a first crucible 3, a second crucible 2, a deposition prevention plate 4 having an opening, and an evaporation source shutter 5. The first crucible 3 is covered with the adhesion prevention plate 4, and the second crucible 2 is disposed below the opening of the adhesion prevention plate 4. A vapor deposition material is stored in each of the first crucible 3 and the second crucible 2, and vapor is generated by heating the vapor deposition material. Furthermore, the evaporation source shutter 5 is a movable shutter which is provided above the opening of the adhesion preventing plate 4 and which makes the opening of the adhesion preventing plate 4 open and closed.

その他、真空チャンバ13内には、蒸発源装置1からの蒸気が基板7に到達することを制御するための開閉式の基板シャッター11を備えていてもよい。また、マグネット板12は、基板7の温度上昇を抑制する冷却板(不図示)を備えていてもよい。更に、真空チャンバ13の上には、基板7とマスク9のアライメントのための機構、例えばX方向またはY方向のアクチュエータや、基板保持のための基板ホルダー用アクチュエータなどの駆動手段や、基板7を撮像するカメラ(いずれも不図示)を備えていてもよい。   In addition, the vacuum chamber 13 may be provided with an open / close substrate shutter 11 for controlling the vapor from the evaporation source device 1 reaching the substrate 7. In addition, the magnet plate 12 may include a cooling plate (not shown) that suppresses the temperature rise of the substrate 7. Furthermore, on the vacuum chamber 13, a mechanism for alignment of the substrate 7 and the mask 9, for example, driving means such as an actuator in the X direction or Y direction, a substrate holder actuator for holding the substrate, or the substrate 7 A camera (not shown) for imaging may be provided.

蒸発源装置1には、第1ルツボ3と第2ルツボ2を含む複数のルツボが設けられている。ルツボは蒸発源の1つの例である。また、蒸発源装置1は、第1ルツボ3と第2ルツボ2を移動させることのできる移動支持体(不図示)を備えている。本実施形態では、複数のルツボの1つに対して、蒸着に用いるための本加熱を行う。また、複数のルツボの1つに対して、蒸着の準備のための予備加熱を行う。   The evaporation source device 1 is provided with a plurality of crucibles including a first crucible 3 and a second crucible 2. A crucible is one example of an evaporation source. Further, the evaporation source device 1 includes a movable support (not shown) capable of moving the first crucible 3 and the second crucible 2. In the present embodiment, main heating to be used for vapor deposition is performed on one of the plurality of crucibles. Also, one of the plurality of crucibles is preheated in preparation for deposition.

本加熱を行っているルツボ、あるいは、本加熱を行うための位置に配置されたルツボを、便宜的に、第2ルツボ2と記載している。また、予備加熱を行っているルツボ、あるいは、予備加熱を行う位置に配置されたルツボを、便宜的に、第1ルツボ3と記載している。すなわち、第1ルツボ3は、ルツボ内に収容される蒸着材料をヒータ等により加熱し、蒸着材料が蒸気になる温度までルツボの温度を上げる予備加熱を行うルツボである。また、第2ルツボ2は、ルツボ内に収容される蒸着材料が蒸気になる温度を維持するようヒータ等により加熱し続ける本加熱を行うルツボである。   The crucible in which the main heating is performed, or the crucible disposed at the position for performing the main heating is described as a second crucible 2 for convenience. Further, a crucible which is preheated or a crucible which is disposed at a position where it is preheated is described as a first crucible 3 for convenience. That is, the first crucible 3 is a crucible which is preheated to raise the temperature of the crucible to a temperature at which the vapor deposition material becomes vapor by heating the vapor deposition material contained in the crucible by a heater or the like. The second crucible 2 is a crucible that performs main heating that is continued heating by a heater or the like so as to maintain the temperature at which the vapor deposition material contained in the crucible becomes vapor.

第1ルツボ3は、予備加熱完了後、移動支持体(不図示)によって移動され、本加熱を行うための位置に変えることができる。本加熱を行うための位置とは、防着板4の開口の下の位置である。よって、それぞれのルツボ内の蒸着材料は、予備加熱と本加熱との2段階の加熱によって蒸気にされる。   The first crucible 3 is moved by a movable support (not shown) after preheating is completed, and can be changed to a position for performing main heating. The position for performing the main heating is a position under the opening of the adhesion preventing plate 4. Therefore, the vapor deposition material in each crucible is made into a vapor by two steps of preheating and main heating.

<蒸発源装置の詳細構成>
図2は、蒸発源装置1の蒸発源シャッター5の可動の様子を示す。
図2(a)は、蒸発源シャッター5の遮蔽状態の様子を示す。このとき、第2ルツボ2内に収納される蒸発源材料の蒸気が蒸発源シャッター5により遮蔽されており、第1ルツボ3は、防着板4に覆われている。この遮蔽状態とは、第2ルツボ2からの材料の蒸気の少なくとも一部が蒸発源シャッター5により、基板に直接到達しないよう覆っている状態であれば良く、蒸発源シャッター5が第2ルツボ2の全体を覆う状態に限られない。また、第2ルツボ2と蒸発源シャッター5の間に隙間があってもよい。好適には、基板側から見たときに、第2ルツボ2の全体が蒸発源シャッター5に覆われている。
尚、第1ルツボ3は、予備加熱されるルツボ、又は蒸着後にルツボを冷ます位置に移動されたルツボであってもよい。
<Detailed configuration of evaporation source device>
FIG. 2 shows the movable state of the evaporation source shutter 5 of the evaporation source device 1.
FIG. 2A shows the state of the shielding state of the evaporation source shutter 5. At this time, the vapor of the evaporation source material stored in the second crucible 2 is shielded by the evaporation source shutter 5, and the first crucible 3 is covered by the adhesion prevention plate 4. The shielding state may be a state in which at least a part of the vapor of the material from the second crucible 2 is covered by the evaporation source shutter 5 so as not to reach the substrate directly. It is not limited to the state of covering the whole. In addition, a gap may be provided between the second crucible 2 and the evaporation source shutter 5. Preferably, the entire second crucible 2 is covered by the evaporation source shutter 5 when viewed from the substrate side.
The first crucible 3 may be a preheated crucible or a crucible moved to a position where the crucible is cooled after vapor deposition.

図2(b)は、蒸発源シャッター5の開放状態の様子を示す。このとき、第2ルツボ2内に収納される蒸発源材料の蒸気の大部分は、基板7に到達する。
蒸発源シャッター5が開放状態にあるとき、蒸発源シャッター5は、防着板4及び防着板4に覆われている第1ルツボ3の両方と重なる位置に移動する。ある観点では、第1ルツボ3と基板7とを結ぶ仮想線が、防着板4および蒸発源シャッター5を通る。また、基板側から見たときに、第1ルツボ3の全体にわたって、防着板4および蒸発源シャッター5が重なることが好ましい。
FIG. 2 (b) shows the evaporation source shutter 5 in the open state. At this time, most of the vapor of the evaporation source material stored in the second crucible 2 reaches the substrate 7.
When the evaporation source shutter 5 is in the open state, the evaporation source shutter 5 moves to a position overlapping with both the adhesion preventing plate 4 and the first crucible 3 covered by the adhesion preventing plate 4. In one aspect, a virtual line connecting the first crucible 3 and the substrate 7 passes through the deposition prevention plate 4 and the evaporation source shutter 5. In addition, it is preferable that the adhesion preventing plate 4 and the evaporation source shutter 5 overlap over the entire first crucible 3 when viewed from the substrate side.

第1ルツボ3から見た際の重なる順番は、防着板4、蒸発源シャッター5又は、蒸発源シャッター5、防着板4であってもよい。また、重なる順番が、蒸発源シャッター5、防着板4の場合は、第1ルツボ3及び第2ルツボ2と、防着板4の間に蒸発源シャッター5が設けられている。   The overlapping order when viewed from the first crucible 3 may be the deposition prevention plate 4, the evaporation source shutter 5 or the evaporation source shutter 5, the deposition prevention plate 4. In the case of the evaporation source shutter 5 and the adhesion prevention plate 4, the evaporation source shutter 5 is provided between the first crucible 3 and the second crucible 2 and the adhesion prevention plate 4 in the overlapping order.

上記の構成によれば、第1ルツボ3から基板7の間に、防着板4と蒸発源シャッター5の両方が介在する。このため、基板7に対する第1ルツボ3からの放射熱の影響を低減することができる。   According to the above-described configuration, both the adhesion preventing plate 4 and the evaporation source shutter 5 are interposed between the first crucible 3 and the substrate 7. Therefore, the influence of the radiation heat from the first crucible 3 on the substrate 7 can be reduced.

上記では、開口を有する防着板4が一枚設けられる構成を例として説明したが、防着板4は2枚、3枚重なっていてもよく、この場合においても上記のような蒸発源シャッター移動構成を採用することによって、基板7に対する第1ルツボ3からの放射熱の影響をより効果的に低減することができる。   In the above description, the configuration in which one adhesion prevention plate 4 having an opening is provided is described as an example, but two or three adhesion prevention plates 4 may be overlapped, and also in this case, the evaporation source shutter as described above By adopting the moving configuration, the influence of the radiant heat from the first crucible 3 on the substrate 7 can be more effectively reduced.

<実施形態2>
本発明の実施形態2を、図面を参照しつつ説明する。実施形態1と共通する構成については同じ符号を付し、説明を省略する。
Second Embodiment
Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to the drawings. The same reference numerals as in the first embodiment denote the same parts as in the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

図3は、本実施形態の蒸発源装置のうち、蒸発源シャッター5の冷却機構の要素を示した、上面からの概略断面図(図3(a)、図3(c))と側面からの概略断面図(図3(b)、図3(d))である。   FIG. 3 is a schematic cross-sectional view from the top (FIGS. 3 (a) and 3 (c)) and a side view showing elements of the cooling mechanism of the evaporation source shutter 5 in the evaporation source device of this embodiment. It is a schematic sectional drawing (FIG.3 (b), FIG.3 (d)).

図3(a)および図3(b)は、蒸発源シャッター5に冷却機構として設けられた冷却用水路14の配置を模式的に示している。これにより、第1ルツボ3等からの放射熱で蒸発源シャッター5が熱を帯びても、冷却用水路14に冷却媒体を流すことで、蒸発源シャッター5から熱を放出することができる。   FIGS. 3A and 3B schematically show the arrangement of the cooling water channels 14 provided in the evaporation source shutter 5 as a cooling mechanism. Thus, even if the evaporation source shutter 5 is heated by the radiant heat from the first crucible 3 or the like, heat can be released from the evaporation source shutter 5 by causing the cooling medium to flow through the cooling water passage 14.

更に、図3(c)および図3(d)に示された蒸発源シャッター5は、冷却用水路14を備えるとともに、蒸発源シャッター5の第1ルツボ3と対向する面に、第1ルツボ3と対向する面の反対側の面に比べて熱を吸収し易い表面加工15が施されている。具体的な表面加工15は、放射率が高い材料(黒色の材料)の塗布、又は、テフロン(登録商標、フッ化水素を含む樹脂)の皮膜等である。   Furthermore, the evaporation source shutter 5 shown in FIGS. 3C and 3D includes the cooling water passage 14 and the first crucible 3 on the surface of the evaporation source shutter 5 facing the first crucible 3. A surface processing 15 is applied which absorbs heat more easily than the opposite surface of the opposite surface. Specific surface processing 15 is application of a material with high emissivity (black material), or a film of Teflon (registered trademark, resin containing hydrogen fluoride) or the like.

別の例として、蒸発源シャッター5の第1ルツボ3と対向する面の部材には、第1ルツボ3と対向する面の反対側の面の部材に比べて熱伝導率の高い部材(不図示)を使用してもよい。   As another example, the member of the surface facing the first crucible 3 of the evaporation source shutter 5 has a member (not shown) whose thermal conductivity is higher than the member of the surface opposite to the surface facing the first crucible 3 (not shown) ) May be used.

上記表面加工15や熱伝導率の高い部材を用いることで、蒸発源シャッター5に設けられた冷却用水路14に、第1ルツボ3等から受ける放射熱の熱を伝達しやすくすることで
、基板7に放射熱の影響が及ぶことを低減できる。
By using the surface processing 15 or a member having a high thermal conductivity, the substrate 7 can easily transmit the heat of the radiant heat received from the first crucible 3 or the like to the cooling water channel 14 provided in the evaporation source shutter 5. Can reduce the effects of radiant heat.

<実施形態3>
本発明の実施形態3を、図面を参照しつつ説明する。実施形態1と共通する構成については同じ符号を付し、説明を省略する。
Embodiment 3
Embodiment 3 of the present invention will be described with reference to the drawings. The same reference numerals as in the first embodiment denote the same parts as in the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

図4は、本実施形態の蒸発源装置のうち、蒸発源シャッター5の上面からの概略断面図(図4(a))と側面からの概略断面図(図4(b))である。図4(b)に示された蒸発源シャッター5の第1ルツボ3と対向する面には、リフレクター16が設けられている。   FIG. 4 is a schematic cross-sectional view from the top of the evaporation source shutter 5 (FIG. 4 (a)) and a schematic cross-sectional view from the side (FIG. 4 (b)) in the evaporation source device of this embodiment. A reflector 16 is provided on the surface of the evaporation source shutter 5 facing the first crucible 3 shown in FIG. 4B.

具体的なリフレクター16の構成は、第1ルツボ3と対向する面の反対側の面に比べて放射率が低い表面加工や材料を塗布することである。他の具体的なリフレクター16の構成としては、蒸発源シャッター5の第1ルツボ3と対向する面に、蒸発源シャッター5の本体との間に空間を介して放射率が低い表面加工や材料で形成された別の板材を配置する構造がある。
具体的な材質としては、モリブデンやタンタルが考えられる。
また、材質をステンレスやアルミとし、これらを研磨して鏡面加工することで、放射率が低い表面を形成することができる。
A specific configuration of the reflector 16 is to apply surface processing or a material having a lower emissivity than the surface opposite to the surface facing the first crucible 3. As another specific configuration of the reflector 16, the surface processing or material with a low emissivity through the space between the evaporation source shutter 5 and the main surface of the evaporation source shutter 5 on the surface facing the first crucible 3. There is a structure which arranges another plate material formed.
As a specific material, molybdenum and tantalum can be considered.
Further, by using stainless steel or aluminum as the material, and polishing and mirror-finishing these, a surface with a low emissivity can be formed.

このように蒸発源シャッター5にリフレクター16を設けることにより、第1ルツボ3等からの放射熱を反射することで、基板7に放射熱の影響が及ぶことを低減できる。
更に、第1ルツボ3に放射熱が返ってくることで、第1ルツボを加熱する熱効率が向上する効果がある。
なお、本実施形態の蒸発源シャッター5に、実施形態2に記載の冷却機構を組み合わせてもよい。
By providing the reflector 16 on the evaporation source shutter 5 in this manner, the radiation heat from the first crucible 3 and the like can be reflected to reduce the influence of the radiation heat on the substrate 7.
Furthermore, the radiation heat is returned to the first crucible 3 to improve the thermal efficiency of heating the first crucible.
The evaporation source shutter 5 of the present embodiment may be combined with the cooling mechanism described in the second embodiment.

<実施形態4>
本発明の実施形態4を、図面を参照しつつ説明する。実施形態1と共通する構成については同じ符号を付し、説明を簡略化する。
Fourth Embodiment
Embodiment 4 of the present invention will be described with reference to the drawings. The same components as in the first embodiment are given the same reference numerals to simplify the description.

図5は、移動可能な移動支持体17に第1ルツボ3と第2ルツボ2を含む4つのルツボが設けられた蒸発源装置1の蒸発源シャッター5の上面から見た様子を示す。尚、図5は、蒸発源シャッター5が開放状態の様子であり、防着板4の開口を開放状態にした際の蒸発源シャッター5の位置を図示している。   FIG. 5 shows a view from the top of the evaporation source shutter 5 of the evaporation source device 1 provided with four crucibles including the first crucible 3 and the second crucible 2 on the movable movable support 17. FIG. 5 shows the evaporation source shutter 5 in an open state, and shows the position of the evaporation source shutter 5 when the opening of the deposition preventing plate 4 is in an open state.

第1ルツボ3と第2ルツボ2を含む4つのルツボは、それぞれ移動可能な移動支持体17に設けられている。移動支持体17は、例えば、図示されている移動支持体の移動方向の矢印の方向に一斉に動くことで、それぞれのルツボの位置を移動させることができる。尚、移動支持体17の移動方向は、矢印とは逆の方向であってもよい。   Four crucibles including the first crucible 3 and the second crucible 2 are provided on the movable movable support 17 respectively. The movable supports 17 can move the positions of the respective crucibles, for example, by moving all at once in the direction of the arrow in the moving direction of the movable supports shown. The moving direction of the movable support 17 may be opposite to that of the arrow.

図5の実施形態4では、4つのルツボがある。その4つのルツボのうちの1つは、防着板4の開口の下方に位置し、且つ本加熱をするための位置にある。当該ルツボを第2ルツボ2とする。また、上記第2ルツボ以外の3つのルツボのうちの1つは、防着板4と蒸発源シャッター5に覆われている位置にあり、予備加熱をするための位置にある。当該別ルツボを第1ルツボ3とする。   In the fourth embodiment of FIG. 5, there are four crucibles. One of the four crucibles is located below the opening of the adhesion preventing plate 4 and is in a position for main heating. The crucible is referred to as a second crucible 2. In addition, one of the three crucibles other than the second crucible is at a position covered by the adhesion prevention plate 4 and the evaporation source shutter 5 and is at a position for preheating. The other crucible is referred to as a first crucible 3.

尚、図示してある蒸発源シャッターの開閉方向に沿って、蒸発源シャッター5が移動することで、遮蔽状態にすることができる。
本実施形態においても、実施形態1〜3と同様に、基板7に放射熱の影響が及ぶことを
低減できる。
The evaporation source shutter 5 can move in the opening / closing direction of the evaporation source shutter shown in FIG.
Also in the present embodiment, as in the first to third embodiments, the influence of the radiation heat on the substrate 7 can be reduced.

<実施形態5>
本発明の実施形態5を、図面を参照しつつ説明する。実施形態1と共通する構成については同じ符号を付し、説明を簡略化する。
Fifth Embodiment
Fifth Embodiment A fifth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The same components as in the first embodiment are given the same reference numerals to simplify the description.

図6は、回転可能な回転支持体18に第1ルツボ3と第2ルツボ2を含む7つのルツボが設けられた蒸発源装置1の蒸発源シャッター5の上面から見た様子を示す。尚、図6は、蒸発源シャッター5が開放状態の様子であり、防着板4の開口を開放状態にした際の蒸発源シャッター5の位置を図示している。図7は、蒸発源シャッター5の横から見た様子で、(a)防着板4の開口の開放状態、(b)防着板4の開口の遮蔽状態をそれぞれ示している。   FIG. 6 shows a top view of the evaporation source shutter 5 of the evaporation source device 1 in which seven crucibles including the first crucible 3 and the second crucible 2 are provided on the rotatable rotary support 18. FIG. 6 shows the evaporation source shutter 5 in the open state, and shows the position of the evaporation source shutter 5 when the opening of the adhesion preventing plate 4 is opened. FIG. 7 shows (a) the open state of the opening of the deposition prevention plate 4 and (b) the blocked state of the opening of the deposition prevention plate 4 as viewed from the side of the evaporation source shutter 5.

第1ルツボ3と第2ルツボ2を含む7つのルツボは、回転可能な回転支持体18の周方向に沿って設けられている。回転支持体18は、例えば、図示されている回転支持体の回転の矢印の方向に回転することで、回転支持体18の周方向に沿って設けられているそれぞれのルツボの位置を移動させることができる。尚、回転支持体18の回転方向は、回転支持体の回転の矢印とは逆の方向であってもよい。   Seven crucibles including the first crucible 3 and the second crucible 2 are provided along the circumferential direction of the rotatable support 18. The rotary support 18 is moved in the direction of the rotation arrow of the illustrated rotary support, for example, to move the positions of the respective crucibles provided along the circumferential direction of the rotary support 18. Can. The direction of rotation of the rotary support 18 may be opposite to the arrow of the rotation of the rotary support.

図6の実施形態5では、7つのルツボがある。その7つのルツボのうちの1つは、防着板4の開口の下方に位置し、且つ本加熱をするための位置にある。当該ルツボを第2ルツボ2とする。また、上記第2ルツボ以外の6つのルツボのうちの1つは、防着板4と蒸発源シャッター5に覆われている位置にあり、予備加熱をするための位置にある。当該別ルツボを第1ルツボ3とする。   In the fifth embodiment of FIG. 6, there are seven crucibles. One of the seven crucibles is located below the opening of the adhesion prevention plate 4 and is in a position for main heating. The crucible is referred to as a second crucible 2. Further, one of the six crucibles other than the second crucible is at a position covered by the adhesion prevention plate 4 and the evaporation source shutter 5 and is in a position for preheating. The other crucible is referred to as a first crucible 3.

また、本実施形態では、第2ルツボ2と第1ルツボ3との間にその他のルツボが配置される位置関係にすることで、予備加熱と本加熱それぞれの加熱に際しての熱影響が少ないように配置している。   Further, in the present embodiment, by setting the other crucibles to be arranged between the second crucible 2 and the first crucible 3, the thermal influence upon each of the preheating and the main heating is reduced. It is arranged.

尚、図示してある蒸発源シャッターの開閉方向に沿って、蒸発源シャッター5が移動することで、遮蔽状態にすることができる。
本実施形態においても、実施形態1〜4と同様に、基板7に放射熱の影響が及ぶことを低減できる。
The evaporation source shutter 5 can move in the opening / closing direction of the evaporation source shutter shown in FIG.
Also in the present embodiment, as in the first to fourth embodiments, the influence of radiant heat on the substrate 7 can be reduced.

<実施形態6>
本発明の実施形態6を、図面を参照しつつ説明する。実施形態1と共通する構成については同じ符号を付し、説明を簡略化する。
Embodiment 6
Sixth Embodiment A sixth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The same components as in the first embodiment are given the same reference numerals to simplify the description.

図8は、回転可能な回転支持体18に第1ルツボ3と第2ルツボ2を含む7つのルツボが設けられた蒸発源装置1の蒸発源シャッター5の上面から見た様子を示す。尚、図6は、蒸発源シャッター5が開放状態の様子であり、防着板4の開口を開放状態にした際の蒸発源シャッター5の位置を図示している。   FIG. 8 shows a top view of the evaporation source shutter 5 of the evaporation source device 1 in which seven crucibles including the first crucible 3 and the second crucible 2 are provided on the rotatable rotary support 18. FIG. 6 shows the evaporation source shutter 5 in the open state, and shows the position of the evaporation source shutter 5 when the opening of the adhesion preventing plate 4 is opened.

第1ルツボ3と第2ルツボ2を含む7つのルツボは、回転可能な回転支持体18の周方向に沿って設けられている。回転支持体18は、例えば、図示されている回転支持体の回転の矢印の方向に回転することで、回転支持体18の周方向に沿って設けられているそれぞれのルツボの位置を移動させることができる。尚、回転支持体18の回転方向は、回転支持体の回転の矢印とは逆の方向であってもよい。   Seven crucibles including the first crucible 3 and the second crucible 2 are provided along the circumferential direction of the rotatable support 18. The rotary support 18 is moved in the direction of the rotation arrow of the illustrated rotary support, for example, to move the positions of the respective crucibles provided along the circumferential direction of the rotary support 18. Can. The direction of rotation of the rotary support 18 may be opposite to the arrow of the rotation of the rotary support.

本実施形態6は、蒸着直後の蒸発源からの放射熱の影響を下げる構成である。蒸着位置
で本加熱されるルツボは、当該ルツボからの蒸着が完了すると、上記回転支持体18によってルツボを冷ます位置に移動され、予備加熱位置にあったルツボが蒸着位置に移動してきて蒸着を続けることになるが、冷ます位置まで移動した蒸着完了のルツボは余熱のためまだ熱い状態にある。本実施形態6では、この蒸着直後のルツボによる基板7への放射熱の影響を低減できるようにする。
The sixth embodiment is configured to reduce the influence of radiant heat from the evaporation source immediately after deposition. When evaporation from the crucible is completed, the crucible that is main-heated at the vapor deposition position is moved to a position where the crucible is cooled by the rotating support 18, and the crucible at the preheating position is moved to the vapor deposition position to deposit Although it will continue, the evaporation completion crucible moved to the cooling position is still hot because of residual heat. In the sixth embodiment, the influence of radiant heat on the substrate 7 by the crucible immediately after the deposition can be reduced.

つまり、図8の実施形態6では、7つのルツボがある。その7つのルツボのうちの1つは、防着板4の開口の下方に位置し、且つ本加熱をするための位置にある。当該ルツボを第2ルツボ2とする。また、上記第2ルツボ以外の6つのルツボのうちの1つは、蒸着が完了し、回転支持体18の回転によって冷ます位置まで移動した蒸着直後のルツボであって、これは防着板4と蒸発源シャッター5に覆われている位置にある。本実施形態では、このルツボを第1ルツボ3とする。   That is, in the sixth embodiment of FIG. 8, there are seven crucibles. One of the seven crucibles is located below the opening of the adhesion prevention plate 4 and is in a position for main heating. The crucible is referred to as a second crucible 2. In addition, one of the six crucibles other than the second crucible is a crucible immediately after deposition which has been deposited and moved to a position where it is cooled by rotation of the rotary support 18. And a position covered by the evaporation source shutter 5. In the present embodiment, this crucible is referred to as a first crucible 3.

また、本実施形態では、第2ルツボ2と第1ルツボ3との間にその他のルツボが配置される位置関係にすることで、予備加熱と本加熱それぞれの加熱に際しての熱影響が少ないように配置している。   Further, in the present embodiment, by setting the other crucibles to be arranged between the second crucible 2 and the first crucible 3, the thermal influence upon each of the preheating and the main heating is reduced. It is arranged.

尚、図示してある蒸発源シャッターの開閉方向に沿って、蒸発源シャッター5が移動することで、遮蔽状態にすることができる。本実施形態及び実施形態5において、蒸発源シャッター5を開閉方向に移動させるための回転軸は、図8のように蒸発源の外側(ルツボが周方向に設けられている回転支持体18の放射状外部)にあってもいい、図6のように蒸発源の内側(ルツボが周方向に設けられている回転支持体18の放射状内部)にあってもいい。
本実施形態においても、実施形態1〜5と同様に、基板7に放射熱の影響が及ぶことを低減でき、特に蒸着直後の蒸発源からの放射熱の影響を下げることが可能である。
The evaporation source shutter 5 can move in the opening / closing direction of the evaporation source shutter shown in FIG. In the present embodiment and the fifth embodiment, the rotation axis for moving the evaporation source shutter 5 in the opening and closing direction is the outer side of the evaporation source as shown in FIG. It may be outside, and as shown in FIG. 6, it may be inside the evaporation source (radially inside of the rotary support 18 where the crucible is provided in the circumferential direction).
Also in the present embodiment, as in the first to fifth embodiments, the influence of radiant heat on the substrate 7 can be reduced, and in particular, the influence of radiant heat from the evaporation source immediately after deposition can be reduced.

<成膜装置の成膜方法の実施例>
次に、本実施形態の蒸発源装置又は成膜装置を用いた成膜方法の一例について図1と図2を参照しつつ説明する。
<Example of film forming method of film forming apparatus>
Next, an example of a film forming method using the evaporation source apparatus or the film forming apparatus of the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2.

本実施例の成膜方法は、蒸発源装置1の第1ルツボ3と第2ルツボ2の加熱の工程を含む。まず、予備加熱工程として、予備加熱位置に設けられた第1ルツボ3内に収容される蒸着材料を加熱し、蒸着材料が蒸気になる温度までルツボの温度を上げる工程がある。また、本加熱工程として、予備加熱工程で暖められたルツボを本加熱位置に移動し、第2ルツボ2とし、その第2ルツボ2内に収容される蒸着材料が蒸気になる温度を維持できるよう第2ルツボ2内の温度を維持する工程がある。   The film forming method of the present embodiment includes the step of heating the first crucible 3 and the second crucible 2 of the evaporation source device 1. First, as a preheating step, there is a step of heating the deposition material accommodated in the first crucible 3 provided at the preheating position, and raising the temperature of the crucible to a temperature at which the deposition material becomes vapor. Also, as the main heating step, the crucible warmed in the preheating step is moved to the main heating position to make the second crucible 2 and maintain the temperature at which the vapor deposition material contained in the second crucible 2 becomes vapor There is a step of maintaining the temperature in the second crucible 2.

更に本実施例の成膜方法は、蒸発源装置1の防着板4の開口に設けられた蒸発源シャッター5の開閉の工程を含む。まず、蒸発源シャッター5の遮蔽工程として、第2ルツボ2内の加熱された蒸着材料の蒸気を遮蔽状態にする工程がある。また、開放工程として、蒸発源シャッター5が、防着板4に覆われている第1ルツボ3と重なることで、第2ルツボ2内の加熱された蒸着材料の蒸気を開放状態にし、基板ホルダー8に保持された基板7に成膜を行う工程がある。   Furthermore, the film forming method of the present embodiment includes the step of opening and closing the evaporation source shutter 5 provided at the opening of the deposition prevention plate 4 of the evaporation source device 1. First, as a step of shielding the evaporation source shutter 5, there is a step of shielding the vapor of the heated deposition material in the second crucible 2. In the opening step, the evaporation source shutter 5 overlaps the first crucible 3 covered by the adhesion preventing plate 4 to open the vapor of the heated vapor deposition material in the second crucible 2 and open the substrate holder. There is a step of forming a film on the substrate 7 held at 8.

これらにより、成膜を行う間に、蒸発源シャッター5が、防着板4に覆われている第1ルツボ3を覆うことで、第1ルツボ3から基板7への放射熱の影響を低減することができる成膜方法を提供できる。
その結果、成膜中の基板7が放射熱で熱変形することによる成膜精度の低下や、成膜された膜の品質が放射熱によって低下することを抑制できる。
Thus, the evaporation source shutter 5 covers the first crucible 3 covered with the adhesion preventing plate 4 during film formation, thereby reducing the influence of the radiation heat from the first crucible 3 to the substrate 7 Can be provided.
As a result, it is possible to suppress deterioration in film formation accuracy due to thermal deformation of the substrate 7 during film formation due to radiant heat, and deterioration in quality of the film formed by the radiant heat.

<電子デバイスの製造方法の実施例>
次に、本実施形態の成膜方法を用いた電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機EL表示装置の構成及び製造方法を例示する。
<Example of Method of Manufacturing Electronic Device>
Next, an example of a method of manufacturing an electronic device using the film forming method of the present embodiment will be described. Hereinafter, the configuration and manufacturing method of the organic EL display device will be illustrated as an example of the electronic device.

まず、製造する有機EL表示装置について説明する。図9(a)は有機EL表示装置60の全体図、図9(b)は1画素の断面構造を表している。   First, an organic EL display device to be manufactured will be described. FIG. 9 (a) is a general view of the organic EL display device 60, and FIG. 9 (b) shows a cross-sectional structure of one pixel.

図9(a)に示すように、有機EL表示装置60の表示領域61には、発光素子を複数備える画素62がマトリクス状に複数配置されている。詳細は後で説明するが、発光素子のそれぞれは、一対の電極に挟まれた有機層を備えた構造を有している。なお、ここでいう画素とは、表示領域61において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。本実施例にかかる有機EL表示装置の場合、互いに異なる発光を示す第1発光素子62R、第2発光素子62G、第3発光素子62Bの組合せにより画素62が構成されている。画素62は、赤色発光素子と緑色発光素子と青色発光素子の組合せで構成されることが多いが、黄色発光素子とシアン発光素子と白色発光素子の組み合わせでもよく、少なくとも1色以上であれば特に制限されるものではない。   As shown in FIG. 9A, in the display area 61 of the organic EL display device 60, a plurality of pixels 62 including a plurality of light emitting elements are arranged in a matrix. Although details will be described later, each of the light emitting elements has a structure including an organic layer sandwiched between a pair of electrodes. The term “pixel” as used herein refers to the minimum unit capable of displaying a desired color in the display area 61. In the case of the organic EL display device according to the present example, the pixel 62 is configured by a combination of the first light emitting element 62R, the second light emitting element 62G, and the third light emitting element 62B that emit light different from each other. The pixel 62 is often composed of a combination of a red light emitting element, a green light emitting element and a blue light emitting element, but may be a combination of a yellow light emitting element, a cyan light emitting element and a white light emitting element It is not limited.

図9(b)は、図9(a)のA−B線における部分断面模式図である。画素62は、基板63上に、第1電極(陽極)64と、正孔輸送層65と、発光層66R,66G,66Bのいずれかと、電子輸送層67と、第2電極(陰極)68と、を備える有機EL素子を有している。これらのうち、正孔輸送層65、発光層66R,66G,66B、電子輸送層67が有機層に当たる。また、本実施形態では、発光層66Rは赤色を発する有機EL層、発光層66Gは緑色を発する有機EL層、発光層66Bは青色を発する有機EL層である。発光層66R,66G,66Bは、それぞれ赤色、緑色、青色を発する発光素子(有機EL素子と記述する場合もある)に対応するパターンに形成されている。また、第1電極64は、発光素子ごとに分離して形成されている。正孔輸送層65と電子輸送層67と第2電極68は、複数の発光素子62R,62G,62Bと共通で形成されていてもよいし、発光素子毎に形成されていてもよい。なお、第1電極64と第2電極68とが異物によってショートするのを防ぐために、第1電極64間に絶縁層69が設けられている。さらに、有機EL層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機EL素子を保護するための保護層70が設けられている。   FIG. 9B is a schematic partial cross-sectional view taken along line A-B in FIG. The pixel 62 includes a first electrode (anode) 64, a hole transport layer 65, one of light emitting layers 66R, 66G, and 66B, an electron transport layer 67, and a second electrode (cathode) 68 on a substrate 63. , And an organic EL element comprising Among these, the hole transport layer 65, the light emitting layers 66R, 66G, 66B, and the electron transport layer 67 correspond to the organic layer. Further, in the present embodiment, the light emitting layer 66R is an organic EL layer that emits red, the light emitting layer 66G is an organic EL layer that emits green, and the light emitting layer 66B is an organic EL layer that emits blue. The light emitting layers 66R, 66G, and 66B are formed in patterns corresponding to light emitting elements (sometimes described as organic EL elements) that emit red, green, and blue, respectively. In addition, the first electrode 64 is formed separately for each light emitting element. The hole transport layer 65, the electron transport layer 67, and the second electrode 68 may be formed in common with the plurality of light emitting elements 62R, 62G, and 62B, or may be formed for each light emitting element. An insulating layer 69 is provided between the first electrodes 64 in order to prevent the first electrodes 64 and the second electrodes 68 from being short-circuited by foreign matter. Furthermore, since the organic EL layer is degraded by moisture and oxygen, a protective layer 70 is provided to protect the organic EL element from moisture and oxygen.

有機EL層を発光素子単位に形成するためには、マスクを介して成膜する方法が用いられる。近年、表示装置の高精細化が進んでおり、有機EL層の形成には開口の幅が数十μmのマスクが用いられる。このようなマスクを用いた成膜の場合、マスクが成膜中に蒸発源から受熱して熱変形するとマスクと基板との位置がずれてしまい、基板上に形成される薄膜のパターンが所望の位置からずれて形成されてしまう。そこで、これら有機EL層の成膜には本発明にかかる成膜装置(真空蒸着装置)が好適に用いられる。   In order to form the organic EL layer in light emitting element units, a method of forming a film through a mask is used. In recent years, high definition of a display device has been advanced, and a mask having an opening width of several tens of μm is used to form an organic EL layer. In the case of film formation using such a mask, if the mask receives heat from the evaporation source during film formation and is thermally deformed, the position of the mask and the substrate will be shifted, and the thin film pattern formed on the substrate is desired. It will be formed out of position. Then, the film-forming apparatus (vacuum vapor deposition apparatus) concerning this invention is used suitably for film-forming of these organic electroluminescent layers.

次に、有機EL表示装置の製造方法の例について具体的に説明する。
まず、有機EL表示装置を駆動するための回路(不図示)および第1電極64が形成された基板63を準備する。
Next, an example of a method of manufacturing an organic EL display device will be specifically described.
First, a circuit 63 (not shown) for driving the organic EL display device and the substrate 63 on which the first electrode 64 is formed are prepared.

第1電極64が形成された基板63の上にアクリル樹脂をスピンコートで形成し、アクリル樹脂をリソグラフィ法により、第1電極64が形成された部分に開口が形成されるようにパターニングし絶縁層69を形成する。この開口部が、発光素子が実際に発光する発光領域に相当する。   An acrylic resin is formed by spin coating on the substrate 63 on which the first electrode 64 is formed, and the acrylic resin is patterned by lithography so that an opening is formed in the portion where the first electrode 64 is formed. Form 69 The opening corresponds to a light emitting region in which the light emitting element actually emits light.

絶縁層69がパターニングされた基板63を第1の成膜装置に搬入し、基板ホルダーにて基板を保持し、正孔輸送層65を、表示領域の第1電極64の上に共通する層として成
膜する。正孔輸送層65は真空蒸着により成膜される。実際には正孔輸送層65は表示領域61よりも大きなサイズに形成されるため、高精細なマスクは不要である。
The substrate 63 on which the insulating layer 69 is patterned is carried into the first film forming apparatus, the substrate is held by the substrate holder, and the hole transport layer 65 is a layer common to the first electrode 64 in the display area. Form a film. The hole transport layer 65 is deposited by vacuum evaporation. In practice, the hole transport layer 65 is formed to have a size larger than that of the display area 61, so a high definition mask is not necessary.

次に、正孔輸送層65までが形成された基板63を第2の成膜装置に搬入し、基板ホルダーにて保持する。基板とマスクとのアライメントを行い、基板をマスクの上に載置し、基板63の赤色を発する素子を配置する部分に、赤色を発する発光層66Rを成膜する。本例によれば、マスクと基板とを良好に重ね合わせることができ、高精度な成膜を行うことができる。   Next, the substrate 63 on which the hole transport layer 65 has been formed is carried into the second film forming apparatus, and is held by the substrate holder. Alignment between the substrate and the mask is performed, the substrate is placed on the mask, and the light emitting layer 66R emitting red is formed on the portion of the substrate 63 where the element emitting red is disposed. According to this example, the mask and the substrate can be favorably superimposed, and highly accurate film formation can be performed.

発光層66Rの成膜と同様に、第3の成膜装置により緑色を発する発光層66Gを成膜し、さらに第4の成膜装置により青色を発する発光層66Bを成膜する。発光層66R,66G,66Bの成膜が完了した後、第5の成膜装置により表示領域61の全体に電子輸送層67を成膜する。電子輸送層67は、3色の発光層66R,66G,66Bに共通の層として形成される。   Similar to the film formation of the light emitting layer 66R, the light emitting layer 66G emitting green is formed by the third film forming apparatus, and the light emitting layer 66B emitting blue is formed by the fourth film forming apparatus. After film formation of the light emitting layers 66R, 66G, and 66B is completed, the electron transport layer 67 is formed on the entire display region 61 by the fifth film forming apparatus. The electron transport layer 67 is formed as a layer common to the three color light emitting layers 66R, 66G, and 66B.

電子輸送層67までが形成された基板をスパッタリング装置に移動し、第2電極68を成膜し、その後プラズマCVD装置に移動して保護層70を成膜して、有機EL表示装置60が完成する。   The substrate on which the electron transport layer 67 is formed is moved to a sputtering apparatus, the second electrode 68 is formed, and then the plasma CVD apparatus is moved to form a protective layer 70, thereby completing the organic EL display 60. Do.

絶縁層69がパターニングされた基板63を成膜装置に搬入してから保護層70の成膜が完了するまでは、水分や酸素を含む雰囲気にさらしてしまうと、有機EL材料からなる発光層が水分や酸素によって劣化してしまうおそれがある。従って、本例において、成膜装置間の基板の搬入搬出は、真空雰囲気または不活性ガス雰囲気の下で行われる。   After the substrate 63 on which the insulating layer 69 is patterned is carried into a film forming apparatus and the film is exposed to an atmosphere containing moisture or oxygen until the film formation of the protective layer 70 is completed, the light emitting layer made of the organic EL material It may be degraded by moisture or oxygen. Therefore, in the present embodiment, the loading and unloading of the substrate between the film forming apparatuses is performed under a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere.

このようにして得られた有機EL表示装置は、発光素子ごとに発光層が精度よく形成される。従って、上記製造方法を用いれば、発光層の位置ずれに起因する有機EL表示装置の不良の発生を抑制することができる。   In the organic EL display device thus obtained, the light emitting layer is formed with high accuracy for each light emitting element. Therefore, the use of the above-described manufacturing method can suppress the occurrence of defects in the organic EL display device due to the displacement of the light emitting layer.

なお、上記実施例は本発明の一例を示したものであり、本発明は上記実施例の構成に限られず、その技術思想の範囲内において適宜変形しても構わない。例えば、上記実施例では、基板ホルダーにより基板を移動させたが、載置体であるマスク、又は、基板とマスクの両方を移動させてもよい。その場合は、基板の移動手段の他に、載置体の移動手段を設ければよい。   The above embodiment shows an example of the present invention, and the present invention is not limited to the configuration of the above embodiment, and may be appropriately modified within the scope of the technical idea thereof. For example, in the above embodiment, the substrate is moved by the substrate holder, but the mask as the mounting body, or both the substrate and the mask may be moved. In that case, in addition to the means for moving the substrate, means for moving the mounting body may be provided.

1:蒸発源装置
2:第2ルツボ
3:第1ルツボ
4:防着板
5:蒸発源シャッター
6:成膜装置
7,63:基板
8:基板ホルダー
9:マスク
10:マスクホルダー
11:基板シャッター
12:マグネット板
13:真空チャンバ
14:冷却用水路
15:表面の加工
16:リフレクター
17:移動支持体
18:回転支持体
1: Evaporation source device 2: Second crucible 3: First crucible 4: Adhesion plate 5: Evaporation source shutter 6: Film forming device 7, 63: Substrate 8: Substrate holder 9: Mask 10: Mask holder 11: Substrate shutter 12: Magnet plate 13: Vacuum chamber 14: Cooling water channel 15: Surface processing 16: reflector 17: moving support 18: rotating support

Claims (14)

第1ルツボと第2ルツボを含み、蒸着材料が収容される複数のルツボと、
前記第1ルツボを覆い、前記第2ルツボの上に開口を有する防着板と、
位置を変えることで前記第2ルツボを遮蔽状態および開放状態にする可動式の蒸発源シャッターとを備えた蒸発源装置において、
前記蒸発源シャッターが前記第2ルツボを開放状態にしている際には、前記蒸発源シャッターが、前記防着板、および、前記防着板に覆われている前記第1ルツボと重なることを特徴とする蒸発源装置。
A plurality of crucibles including a first crucible and a second crucible and containing a deposition material;
An adhesion preventing plate covering the first crucible and having an opening on the second crucible;
An evaporation source device comprising: a movable evaporation source shutter for opening and closing the second crucible by changing the position;
When the evaporation source shutter is in an open state of the second crucible, the evaporation source shutter overlaps the adhesion preventing plate and the first crucible covered with the adhesion preventing plate. Evaporation source device.
前記複数のルツボは、前記第1ルツボと前記第2ルツボとその他のルツボとで構成することを特徴とする請求項1に記載の蒸発源装置。   The evaporation source device according to claim 1, wherein the plurality of crucibles are configured by the first crucible, the second crucible, and the other crucibles. 前記蒸発源シャッターには、前記蒸発源シャッターを冷却する冷却機構を設けることを特徴とする請求項1又は2に記載の蒸発源装置。   The evaporation source device according to claim 1, wherein the evaporation source shutter is provided with a cooling mechanism that cools the evaporation source shutter. 前記蒸発源シャッターの前記複数のルツボと対向する面は、前記蒸発源シャッターの前記複数のルツボと対向する面とは反対側の面より、熱伝導性が高い、あるいは、放射率が高いことを特徴とする請求項3に記載の蒸発源装置。   The surface of the evaporation source shutter facing the plurality of crucibles has higher heat conductivity or higher emissivity than the surface of the evaporation source shutter opposite to the surface facing the plurality of crucibles. The evaporation source device according to claim 3, characterized in that: 熱を反射するリフレクター機構が、前記蒸発源シャッターの前記複数のルツボと対向する面に設けられることを特徴とする請求項1から4の何れか1項に記載の蒸発源装置。   The evaporation source device according to any one of claims 1 to 4, wherein a reflector mechanism that reflects heat is provided on a surface of the evaporation source shutter facing the plurality of crucibles. 前記複数のルツボは、移動可能な移動支持体に設けられ、前記移動支持体の移動により、前記複数のルツボのうちの1つのルツボを予備加熱するための位置に配置することで当該1つのルツボを前記第1ルツボとし、前記複数のルツボのうちの別のルツボを本加熱するための位置に配置することで、当該別のルツボを前記第2ルツボとすることを特徴とする請求項1から5の何れか1項に記載の蒸発源装置。   The plurality of crucibles are provided on a movable movable support, and the one movable crucible is disposed at a position for preheating one of the plurality of crucibles by movement of the movable support. The second crucible is characterized in that the other crucible is the second crucible by disposing the first crucible as the first crucible and arranging another crucible of the plurality of crucibles at a position for main heating. The evaporation source apparatus according to any one of 5. 前記複数のルツボは、回転可能な回転支持体の周方向に沿って設けられ、
前記回転支持体の回転により、前記複数のルツボのうちの1つのルツボを予備加熱するための位置に配置することで当該1つのルツボを前記第1ルツボとし、前記複数のルツボのうちの別のルツボを本加熱するための位置に配置することで、当該別のルツボを前記第2ルツボとすることを特徴とする請求項1から5の何れか1項に記載の蒸発源装置。
The plurality of crucibles are provided along the circumferential direction of the rotatable support.
By arranging the one of the plurality of crucibles at a position for preheating one of the plurality of crucibles by rotation of the rotary support, the one crucible is used as the first crucible, and another one of the plurality of crucibles is used. The evaporation source device according to any one of claims 1 to 5, wherein the other crucible is the second crucible by arranging the crucible at a position for main heating.
前記複数のルツボは、移動可能な移動支持体に設けられ、前記移動支持体の移動により、前記複数のルツボのうちの1つのルツボを蒸着直後の位置に配置することで当該1つのルツボを前記第1ルツボとし、前記複数のルツボのうちの別のルツボを本加熱するための位置に配置することで、当該別のルツボを前記第2ルツボとすることを特徴とする請求項1から5の何れか1項に記載の蒸発源装置。   The plurality of crucibles are provided on a movable movable support, and the movement of the movable support positions the one crucible of the plurality of crucibles at a position immediately after deposition, thereby disposing the one crucible. The first crucible according to any one of claims 1 to 5, wherein the other crucible is used as the second crucible by arranging another crucible of the plurality of crucibles at a position for main heating. The evaporation source apparatus according to any one of the above. 前記複数のルツボは、回転可能な回転支持体の周方向に沿って設けられ、
前記回転支持体の回転により、前記複数のルツボのうちの1つのルツボを蒸着直後の位置に配置することで当該1つのルツボを第1ルツボとし、前記複数のルツボのうちの別のルツボを本加熱するための位置に配置することで、当該別のルツボを前記第2ルツボとすることを特徴とする請求項1から5の何れか1項に記載の蒸発源装置。
The plurality of crucibles are provided along the circumferential direction of the rotatable support.
By arranging one of the plurality of crucibles at a position immediately after deposition by rotation of the rotary support, the one crucible is used as a first crucible, and another of the plurality of crucibles is used as a first crucible. The evaporation source device according to any one of claims 1 to 5, wherein the other crucible is the second crucible by being disposed at a position for heating.
請求項1から9の何れか1項に記載の蒸発源装置と、
前記蒸発源装置と対向する位置に基板を配置する基板ホルダーと、
前記基板ホルダーと前記蒸発源装置の間に、前記基板ホルダーの基板を前記蒸発源装置
に対して開状態と閉状態にする基板シャッターを備えたことを特徴とする成膜装置。
An evaporation source device according to any one of claims 1 to 9,
A substrate holder for disposing a substrate at a position facing the evaporation source device;
A film forming apparatus, comprising: a substrate shutter for bringing the substrate of the substrate holder into an open state and a closed state with respect to the evaporation source device, between the substrate holder and the evaporation source device.
請求項1から9の何れか1項に記載の蒸発源装置により、前記蒸発源装置と対向する位置に設けられる基板に、前記ルツボに収納される蒸着材料を成膜する成膜方法であって、
前記第1ルツボ内に収容される蒸着材料を加熱し、蒸着材料が蒸気になる温度まで前記第1ルツボの温度を上げる予備加熱工程と、
前記第2ルツボ内に収容される蒸着材料が蒸気になる温度を維持する本加熱工程と、
前記第2ルツボ内の加熱された蒸着材料の蒸気を遮蔽状態にする遮蔽工程と、
前記蒸発源シャッターが、前記防着板に覆われている前記第1ルツボと重なることで、前記第2ルツボ内の加熱された蒸着材料の蒸気を開放状態にし、前記基板に成膜を行う開放工程とを有することを特徴とする成膜方法。
A deposition method for depositing a vapor deposition material stored in the crucible on a substrate provided at a position facing the evaporation source device by the evaporation source device according to any one of claims 1 to 9, ,
A preheating step of heating the vapor deposition material contained in the first crucible and raising the temperature of the first crucible to a temperature at which the vapor deposition material becomes vapor;
A main heating step of maintaining a temperature at which the vapor deposition material contained in the second crucible becomes a vapor;
A shielding step of shielding the vapor of the heated deposition material in the second crucible;
The evaporation source shutter is overlapped with the first crucible covered by the adhesion preventing plate to open the vapor of the heated vapor deposition material in the second crucible and open the film on the substrate And a step of forming a film.
基板上に形成された有機膜を有する電子デバイスの製造方法であって、
請求項11に記載の成膜方法により前記有機膜が形成されることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
A method of manufacturing an electronic device having an organic film formed on a substrate, comprising:
A method of manufacturing an electronic device, wherein the organic film is formed by the film forming method according to claim 11.
基板上に形成された金属膜を有する電子デバイスの製造方法であって、
請求項11に記載の成膜方法により前記金属膜が形成されることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
A method of manufacturing an electronic device having a metal film formed on a substrate, comprising:
A method of manufacturing an electronic device, wherein the metal film is formed by the film forming method according to claim 11.
前記電子デバイスが、有機EL表示装置の表示パネルであることを特徴とする請求項12または13に記載の電子デバイスの製造方法。   The method of manufacturing an electronic device according to claim 12, wherein the electronic device is a display panel of an organic EL display device.
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