KR102442377B1

KR102442377B1 - A substrate fixing device for scintilator deposition, a substrate deposition device containing the same and a scintillator deposition method using the same

Info

Publication number: KR102442377B1
Application number: KR1020200120546A
Authority: KR
Inventors: 류인혁
Original assignee: 주식회사 뷰웍스
Priority date: 2019-09-27
Filing date: 2020-09-18
Publication date: 2022-09-13
Also published as: TWI765362B; KR20210037552A; TW202127062A

Abstract

본 발명의 기판 고정 장치는, 적어도 하나의 증발원으로부터 증발된 증착 재료가 기판에 증착되도록 상기 기판을 고정하는 기판 고정 장치이다. 상기 기판 고정 장치는, 상기 기판에 열을 전달하는 기판 온도 조절부와, 상기 기판 온도 조절부의 일측면에 결합되고 상기 기판을 고정하는 기판 고정부를 포함하고, 상기 기판 고정부는 상기 기판의 전면이 상기 증발원 방향으로 노출되도록 상기 기판을 고정하며, 상기 기판 고정부와 상기 기판의 후면 사이에는 스페이스가 형성되는 것을 특징으로 한다.A substrate holding apparatus of the present invention is a substrate holding apparatus for holding a substrate such that a deposition material evaporated from at least one evaporation source is deposited on the substrate. The substrate fixing device includes a substrate temperature control unit for transferring heat to the substrate, and a substrate fixing unit coupled to one side of the substrate temperature control unit and fixing the substrate, wherein the substrate fixing unit has a front surface of the substrate. The substrate is fixed so as to be exposed in the direction of the evaporation source, and a space is formed between the substrate fixing part and the rear surface of the substrate.

Description

A substrate fixing device for scintillator deposition, a substrate deposition device including the same, and a scintillator deposition method using the same

본 발명은 신틸레이터 증착을 위한 기판 고정 장치, 이를 포함하는 기판 증착 장치 및 이를 이용한 신틸레이터의 증착 방법에 관한 것으로, 상세하게는 후면 냉각(back side cooling)을 적용한 기판 고정 장치, 이를 포함하는 기판 증착 장치 및 이를 이용한 신틸레이터의 증착 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate fixing apparatus for scintillator deposition, a substrate deposition apparatus including the same, and a scintillator deposition method using the same, and more particularly, to a substrate fixing apparatus to which back side cooling is applied, and a substrate including the same The present invention relates to a deposition apparatus and a deposition method of a scintillator using the same.

의료 화상 진단이나 비파괴 검사 등을 위한 방사선 촬영에 이용되는 장치로서, 조사된 X선을 전기적 신호로 직접 변환하여 영상신호로 검출하는 방식의 X선 디텍터와, 피사체를 통과한 방사선을 신틸레이터(Scintillator)에서 빛으로 변환하고 신틸레이터로부터 변환되어 방출된 빛을 수광 소자로 검출하는 간접 변환 방식의 평판 패널 디텍터(Flat panel detector, FPD) 등이 있다. An X-ray detector that directly converts irradiated X-rays into electrical signals and detects them as image signals, and a scintillator (Scintillator) ), there is an indirect conversion type flat panel detector (FPD) that converts light converted from a scintillator and detects the emitted light by a light receiving element.

상기 신틸레이터에는, 신틸레이터로부터 방출된 빛을 X선 디텍터의 수광 소자로 효율적으로 전달하기 위해서 요오드화 세슘(Cesium Iodide), 요오드화 탈륨(Thallium Iodide) 등의 할로겐화 알칼리 금속 화합물의 주상 결정군이 넓게 이용되고 있다. In the scintillator, columnar crystal groups of alkali metal halide compounds such as cesium iodide and thallium iodide are widely used in order to efficiently transmit the light emitted from the scintillator to the light receiving element of the X-ray detector. is becoming

신틸레이터에 형성된 주상 결정군은 각각의 주상 결정간에 공극이 형성되며, 주상 결정과 기체의 굴절률의 차이에 의해 결정 내에서 빛이 전반사를 반복하며 방출된 빛이 X선 디텍터의 수광 소자로 도파되도록 할 수 있다.In the columnar crystal group formed in the scintillator, voids are formed between each columnar crystal, and light is repeatedly reflected in the crystal due to the difference in the refractive index of the columnar crystal and the gas, and the emitted light is guided to the light receiving element of the X-ray detector. can do.

신틸레이터의 증착 공정시에 신틸레이터 증착기의 일부는 진공 상태의 챔버 내에 수용될 수 있으며, 상기 챔버 내에서 신틸레이터 증착기에 고정된 기판 상에 증착 재료가 증착될 수 있다.During the deposition process of the scintillator, a portion of the scintillator evaporator may be accommodated in a vacuum chamber, and a deposition material may be deposited on a substrate fixed to the scintillator evaporator in the chamber.

상기 신틸레이터의 증착 공정에서 증착 재료가 증착되는 기판의 후면과 상기 기판을 고정하는 기판 고정부 사이의 공간에 기체를 공급하고, 공급된 기체를 매개체로 하여 대류에 의해 기판에 전달되는 열을 조절하는 방식을 후면 냉각(Backside cooling)이라고 한다. 상기 후면 냉각은 증착 공정이 진행되는 기판의 전면에 영향을 주지 않으면서, 진공 상태의 챔버 내에서 기판에 전달되는 열의 정교한 온도제어가 가능한 것을 의미한다.In the deposition process of the scintillator, a gas is supplied to the space between the rear surface of the substrate on which the deposition material is deposited and the substrate fixing unit fixing the substrate, and the supplied gas is used as a medium to control heat transferred to the substrate by convection. This method is called backside cooling. The rear cooling means that precise temperature control of heat transferred to the substrate in the vacuum chamber is possible without affecting the front surface of the substrate on which the deposition process is performed.

한편, 종래 기술에서 신틸레이터의 증착 공정을 위해 이용되는 신틸레이터 증착기에 구비된 히터(heater)의 온도를 제어하는 구성은 단순히 가열(heating) 기능만 있거나, 미세한 온도 제어가 불가능한 구성으로 되어 있다.Meanwhile, in the prior art, a configuration for controlling the temperature of a heater provided in a scintillator deposition machine used for a deposition process of a scintillator has only a heating function or a configuration in which fine temperature control is impossible.

공개특허공보 제 2009-0047141호Unexamined Patent Publication No. 2009-0047141

본 발명은 후면 냉각(Backside Cooling)을 적용하여 기판에 신틸레이터를 증착하는 기판 증착 장치 및 이를 이용한 신틸레이터의 증착 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a substrate deposition apparatus for depositing a scintillator on a substrate by applying backside cooling, and a method for depositing a scintillator using the same.

또한, 본 발명은 후면 냉각 적용시 기판으로 열을 전달하는 기판 온도 조절부의 온도를 정밀하게 제어할 수 있는 기판 고정 장치 및 이를 포함하는 기판 증착 장치를 제공하는데 그 목적이 있다. Another object of the present invention is to provide a substrate fixing device capable of precisely controlling the temperature of a substrate temperature controller that transfers heat to a substrate when backside cooling is applied, and a substrate deposition device including the same.

또한, 본 발명은 신틸레이터 증착 공정시 증착 재료가 증착되는 기판의 상대적 위치 및 방향 등을 용이하게 조절할 수 있는 기판 증착 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.Another object of the present invention is to provide a substrate deposition apparatus capable of easily controlling a relative position and direction of a substrate on which a deposition material is deposited during a scintillator deposition process.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 고정 장치는, 적어도 하나의 증발원으로부터 증발된 증착 재료가 기판에 증착되도록 상기 기판을 고정하는 기판 고정 장치로서, 상기 기판에 열을 전달하는 기판 온도 조절부 및 상기 기판 온도 조절부의 일측면에 결합되고, 상기 기판을 고정하는 기판 고정부를 포함하고, 상기 기판 고정부는 상기 기판의 전면이 상기 증발원 방향으로 노출되도록 상기 기판을 고정하며, 상기 기판 고정부와 상기 기판의 후면 사이에는 스페이스가 형성되는 것을 특징으로 한다.A substrate fixing device according to an embodiment of the present invention is a substrate fixing device for fixing the substrate so that a deposition material evaporated from at least one evaporation source is deposited on the substrate, and a substrate temperature controller for transferring heat to the substrate and the and a substrate fixing part coupled to one side of the substrate temperature controller and fixing the substrate, the substrate fixing part fixing the substrate so that the entire surface of the substrate is exposed in the direction of the evaporation source, the substrate fixing part and the substrate It is characterized in that a space is formed between the rear surfaces of the

바람직하게는, 상기 기판 온도 조절부는 제 1 기판 온도 조절부와, 상기 제 1 기판 온도 조절부의 내부에 구비되고 오일 공급원으로부터 유입되는 오일이 순환되는 유로를 포함하는 오일 흐름부 및 상기 제 1 기판 온도 조절부의 일측면에 결합되는 제 2 기판 온도 조절부를 포함하는 것을 특징으로 한다.Preferably, the substrate temperature control unit includes a first substrate temperature control unit, an oil flow unit provided inside the first substrate temperature control unit and including a flow path through which oil flowing in from an oil supply source circulates, and the first substrate temperature It characterized in that it comprises a second substrate temperature control unit coupled to one side of the control unit.

바람직하게는, 상기 유로는 상기 오일이 유입되는 오일 유입 흐름 라인과, 상기 오일이 배출되는 오일 유출 흐름 라인을 포함하고, 상기 오일 유입 흐름 라인과 상기 오일 유출 흐름 라인은 교차식으로 배치되는 것을 특징으로 한다.Preferably, the flow path includes an oil inlet flow line through which the oil is introduced and an oil outlet flow line through which the oil is discharged, wherein the oil inlet flow line and the oil outlet flow line are alternately arranged. do it with

바람직하게는, 상기 기판 고정부는 일측면에 상기 제 2 기판 온도 조절부가 결합되는 제 1 고정부와, 상기 제 1 고정부의 타측면에 결합되며, 상기 기판의 전면이 노출되도록 형성되는 제 2 고정부를 포함하는 것을 특징으로 한다.Preferably, the substrate fixing part includes a first fixing part to which the second substrate temperature control part is coupled to one side thereof, and a second fixing part coupled to the other side of the first fixing part, and formed so as to expose the entire surface of the substrate. It is characterized by including the government.

바람직하게는, 상기 기판은 상기 제 1 고정부와 상기 제 2 고정부 사이에 고정되는 것을 특징으로 한다.Preferably, the substrate is fixed between the first fixing part and the second fixing part.

바람직하게는, 상기 제 1 고정부는 상기 제 1 고정부의 내주 둘레를 따라 형성되는 홈부와, 상기 홈부와 일정 간격 이격되어 상기 홈부의 내측에 구비되고, 상기 제 1 고정부의 내주 둘레를 따라 형성되어 적어도 하나의 실링부재가 수용되는 실링부재 수용부와, 상기 홈부와 상기 실링부재 수용부 사이에 형성되어 상기 제 1 고정부로의 상기 기판의 안착을 가이드하는 적어도 하나의 가이드 핀 및 상기 스페이스에 기체가 주입되도록 하는 기체 공급홀 및 상기 스페이스로부터 기체가 배출되도록 하는 기체 배출홀을 포함하는 것을 특징으로 한다.Preferably, the first fixing part includes a groove formed along the inner periphery of the first fixing part, and is provided inside the groove part spaced apart from the groove part by a predetermined distance, and is formed along the inner periphery of the first fixing part. at least one guide pin formed between the groove part and the sealing member accommodating part to guide the seating of the substrate to the first fixing part, and a gas in the space. It is characterized in that it includes a gas supply hole through which the gas is injected and a gas discharge hole through which the gas is discharged from the space.

바람직하게는, 상기 실링부재는 상기 기판과 상기 제 1 고정부 사이의 간극을 밀폐하며, 상기 기판과 면 접촉되는 것을 특징으로 한다.Preferably, the sealing member seals a gap between the substrate and the first fixing part, and is in surface contact with the substrate.

바람직하게는, 상기 기판에는 상기 기판의 외측 모서리 부분을 따라서 일정 면적의 엣지부가 설정되고, 상기 엣지부는 상기 제 2 고정부와 상기 실링부재 사이에 배치되어 상기 실링부재에 응력을 가하는 것을 특징으로 한다.Preferably, an edge portion of a predetermined area is set on the substrate along an outer edge portion of the substrate, and the edge portion is disposed between the second fixing portion and the sealing member to apply stress to the sealing member. .

바람직하게는, 상기 제 2 고정부는 상기 제 2 고정부의 내주면에 형성된 테두리부와, 상기 테두리부의 단부에 형성되는 마스크 영역을 포함하고, 상기 마스크 영역은 상기 테두리부의 하면에 대해서 상기 제 2 고정부의 중심부 방향으로 기울어지게 형성되는 것을 특징으로 한다.Preferably, the second fixing portion includes an edge portion formed on an inner circumferential surface of the second fixing portion, and a mask region formed at an end of the edge portion, wherein the mask region is the second fixing portion with respect to a lower surface of the edge portion. It is characterized in that it is formed inclined toward the center of the.

바람직하게는, 상기 제 1 고정부와 상기 제 2 고정부의 무게 총합은 동일하게 유지되는 것을 특징으로 한다.Preferably, the total weight of the first fixing part and the second fixing part is maintained to be the same.

바람직하게는, 상기 기판 고정 장치는 상기 증발원을 내부에 구비하는 챔버 내에 일부가 수용된 자전부의 자전축에 결합되고, 상기 자전축의 회전에 따라 회전되는 것을 특징으로 한다.Preferably, the substrate fixing device is coupled to the rotation shaft of the rotation part accommodated in a chamber having the evaporation source therein, and is rotated according to the rotation of the rotation shaft.

바람직하게는, 상기 증발원은 상기 챔버 내부의 하단에 구비되고, 상기 기판 고정 장치는 상기 증발원보다 상부에 위치되는 것을 특징으로 한다.Preferably, the evaporation source is provided at a lower end inside the chamber, and the substrate fixing device is located above the evaporation source.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 증착 장치는, 적어도 하나의 증발원으로부터 증발된 증착 재료를 기판에 증착하는 기판 증착 장치로서, 상기 증발원을 내부에 수용하는 챔버와, 상기 챔버 내에 일부가 수용되고, 공전축을 중심으로 회전되는 공전부와, 상기 공전부에 결합되고 상기 공전부의 회전에 따라 공전되는 복수의 자전부 및 기판 고정 장치를 포함하고, 상기 기판 고정 장치는 상기 자전부에 구비된 자전축에 결합되어 회전되는 것을 특징으로 한다.A substrate deposition apparatus according to an embodiment of the present invention is a substrate deposition apparatus for depositing a deposition material evaporated from at least one evaporation source on a substrate, and a chamber accommodating the evaporation source therein, a portion of which is accommodated in the chamber, It includes an orbital part rotated about an orbital axis, a plurality of rotational parts coupled to the orbital part and revolving according to the rotation of the orbital part, and a substrate fixing device, wherein the substrate fixing device is on the rotational shaft provided in the rotational part. It is characterized in that it is coupled and rotated.

바람직하게는, 상기 챔버 및 상기 기판 고정 장치에 구비된 기판 고정부는 기체 유출입 제어부와 연결되고, 상기 기판 고정부와 상기 기판의 후면 사이에는 스페이스가 형성되는 것을 특징으로 한다.Preferably, the substrate fixing unit provided in the chamber and the substrate fixing device is connected to the gas inflow control unit, and a space is formed between the substrate fixing unit and the rear surface of the substrate.

바람직하게는, 상기 기체 유출입 제어부는 상기 스페이스와 상기 챔버를 진공상태로 형성한 후, 증착 공정 진행시 상기 스페이스가 일정한 압력이 되도록 상기 스페이스에 기체의 압력을 조절하여 주입하는 것을 특징으로 한다.Preferably, after forming the space and the chamber in a vacuum state, the gas flow control unit controls the pressure of the gas to be injected into the space so that the space becomes a constant pressure during the deposition process.

바람직하게는, 상기 기체 유출입 제어부는 상기 스페이스에 일정한 펌핑 속도로 펌핑을 실시하는 펌프와, 상기 스페이스에 공급되는 기체를 수용하는 기체 공급원 및 상기 기체 공급원에 연결되고, 상기 스페이스에 공급되는 기체의 압력을 조절하는 압력 컨트롤러를 포함하는 것을 특징으로 한다.Preferably, the gas outflow control unit is connected to a pump for pumping the space at a constant pumping speed, a gas supply source for accommodating the gas supplied to the space, and the gas supply source, the pressure of the gas supplied to the space It is characterized in that it comprises a pressure controller for regulating the.

바람직하게는, 상기 압력 컨트롤러는 상기 펌프가 일정한 펌핑 속도로 상기 스페이스에 펌핑을 하는 상태에서, 상기 스페이스의 압력 값을 판독하여 상기 스페이스에 공급되는 기체의 압력을 조절하는 것을 특징으로 한다.Preferably, the pressure controller reads the pressure value of the space in a state in which the pump pumps the space at a constant pumping rate to adjust the pressure of the gas supplied to the space.

바람직하게는, 상기 기체 유출입 제어부는 상기 챔버와 상기 스페이스 사이에 구비되는 제 1 밸브와, 상기 챔버와 상기 펌프 사이에 구비되는 제 2 밸브와, 상기 펌프와 상기 스페이스 사이에 구비되는 제 3 밸브 및 상기 스페이스와 상기 압력 컨트롤러 사이에 구비되는 제 4 밸브를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.Preferably, the gas inflow control unit includes a first valve provided between the chamber and the space, a second valve provided between the chamber and the pump, a third valve provided between the pump and the space, and It characterized in that it further comprises a fourth valve provided between the space and the pressure controller.

바람직하게는, 상기 스페이스와 상기 챔버를 진공상태로 형성할 때, 상기 제 1 밸브와 상기 제 2 밸브는 개방되는 것을 특징으로 한다.Preferably, when the space and the chamber are formed in a vacuum state, the first valve and the second valve are opened.

바람직하게는, 상기 증착 공정 진행시, 상기 제 1 밸브와 상기 제 2 밸브는 폐쇄되고 상기 제 3 밸브와 상기 제 4 밸브는 개방되는 것을 특징으로 한다.Preferably, during the deposition process, the first valve and the second valve are closed and the third valve and the fourth valve are opened.

바람직하게는, 상기 기체 공급원에 수용된 기체는 비활성 기체인 것을 특징으로 한다.Preferably, the gas contained in the gas source is an inert gas.

바람직하게는, 상기 공전부는 상기 자전부가 다수 결합되는 공전부 프레임을 포함하고, 상기 공전부 프레임의 중앙부에는 상기 공전축이 결합되며, 상기 공전부 프레임은 상기 공전축의 회전에 따라 회전되는 것을 특징으로 한다.Preferably, the revolving unit includes a revolving frame frame to which a plurality of the revolving units are coupled, the revolving shaft is coupled to the central portion of the revolving frame, and the revolving frame is rotated according to the rotation of the revolving shaft. do.

바람직하게는, 상기 자전부는 틸팅축을 통해 상기 공전부 프레임에 결합되고, 상기 자전부는 상기 틸팅축을 중심으로 상기 공전부 프레임에 대해 개별적으로 축 회전되는 것을 특징으로 한다.Preferably, the rotation unit is coupled to the revolution frame through a tilting axis, and the rotation unit is characterized in that the rotation axis is individually axially rotated with respect to the revolution unit frame about the tilting axis.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 증착 장치를 이용한 증착 재료의 증착 방법은, 상기 기판 증착 장치에 구비된 기판 고정부에 기판을 고정하는 단계와, 스페이스와 챔버의 내부 공간을 연결하는 단계와, 상기 스페이스와 상기 챔버의 내부 공간을 진공 상태로 형성하는 단계와, 상기 스페이스와 상기 챔버의 내부 공간을 분리하는 단계와, 상기 스페이스에 기체를 공급하는 단계와, 상기 기판 고정부에 결합된 기판 온도 조절부의 온도를 제어하여 상기 기판을 가열하는 단계 및 복수의 증발원으로부터 증발되는 상기 증착 재료를 상기 기판에 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.A method of depositing a deposition material using a substrate deposition apparatus according to an embodiment of the present invention includes fixing a substrate to a substrate fixing unit provided in the substrate deposition apparatus, and connecting a space and an internal space of a chamber; forming the space and the inner space of the chamber in a vacuum state; separating the space and the inner space of the chamber; supplying gas to the space; and a temperature of the substrate coupled to the substrate fixing part and heating the substrate by controlling the temperature of the controller, and depositing the deposition material evaporated from a plurality of evaporation sources on the substrate.

바람직하게는, 상기 스페이스와 상기 챔버의 내부 공간을 분리한 상태에서, 일정한 펌핑 속도로 상기 스페이스에 펌핑을 실시하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.Preferably, in a state in which the space and the inner space of the chamber are separated, the method further comprising the step of performing pumping to the space at a constant pumping rate.

바람직하게는, 상기 스페이스에 기체를 공급하는 단계에서, 상기 스페이스의 압력 값을 판독하여 상기 스페이스에 공급되는 기체의 압력을 조절하는 것을 특징으로 한다.Preferably, in the step of supplying gas to the space, the pressure value of the space is read to adjust the pressure of the gas supplied to the space.

본 발명의 실시예에 따르면, 기체 유출입 제어부를 이용하여 챔버 내부와 스페이스를 분리된 상태로 만든 후 일정 펌핑 속도로 스페이스에 펌핑을 하면서 스페이스에 기체를 주입하므로, 신틸레이터 증착 공정 중 스페이스에 공급되는 기체의 압력을 일정하게 유지할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, since the gas is injected into the space while pumping the space at a constant pumping speed after making the inside of the chamber and the space in a separated state using the gas inflow and outflow control unit, the scintillator is supplied to the space during the deposition process. The gas pressure can be kept constant.

또한, 기체 유출입 제어부를 이용하여 챔버 내부와 스페이스를 연결한 상태에서 챔버와 스페이스를 진공 상태로 형성하므로 스페이스와 챔버 내부 사이의 압력차에 따른 기판의 파손을 방지할 수 있다.In addition, since the chamber and the space are formed in a vacuum state in a state in which the inside of the chamber and the space are connected using the gas inflow control unit, damage to the substrate due to the pressure difference between the space and the inside of the chamber can be prevented.

또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 실링부재가 기판과 면 접촉됨으로써 기판 고정부로부터 기판의 탈착이 용이하게 되며, 기판의 절곡으로 인해 발생되는 기판의 파손을 방지할 수 있다.Further, according to the embodiment of the present invention, since the sealing member is in surface contact with the substrate, it is possible to easily detach the substrate from the substrate fixing unit, and it is possible to prevent damage to the substrate caused by bending of the substrate.

또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 오일을 열전달 매개체로 이용하므로 기판으로 열을 전달하는 기판 온도 조절부의 온도를 정밀하게 제어할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, since oil is used as a heat transfer medium, it is possible to precisely control the temperature of the substrate temperature controller that transfers heat to the substrate.

또한, 공전부에 결합된 복수의 자전부가 구성되는 기판 증착 장치의 경우, 공전부의 공전, 자전부의 틸팅 및 자전 등을 통해 증발원에 대한 기판의 상대적 위치 및 방향 등을 용이하게 조절할 수 있어 증착효율을 극대화할 수 있다.In addition, in the case of a substrate deposition apparatus comprising a plurality of rotating parts coupled to an orbital unit, the relative position and direction of the substrate with respect to the evaporation source can be easily adjusted through the revolution of the rotating unit, tilting and rotation of the rotating unit, etc. efficiency can be maximized.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 증착 장치의 개념도를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 증착 장치의 개념도를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 기판 증착 장치에 구비된 기판 온도 조절부를 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 기판 온도 조절부에 구비된 유로를 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 기판 증착 장치에 구비된 기판 고정부의 전체적인 형상을 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 기판 고정부의 측단면도이다.
도 7은 본 발명의 기판 고정부 중 제 1 고정부를 나타낸 도면이다.
도 8은 도 6의 B부분 확대도이다.
도 9는 본 발명의 기판에 형성되는 엣지부를 나타낸 도면이다.
도 10은 본 발명의 제 1 고정부와 기판 사이에 형성되는 스페이스를 나타낸 도면이다(도 6의 C부분 확대도).
도 11은 본 발명의 기판 고정부 중 제 2 고정부의 일부를 확대하여 나타낸 도면이다(도 6의 D부분 확대도).
도 12는 본 발명의 기판 증착 장치에 구비되는 기체 유출입 제어부 구성을 나타낸 도면이다.
도 13은 본 발명의 기판 증착 장치를 이용한 증착 재료의 증착 방법을 나타낸 흐름도이다.1 is a view showing a conceptual diagram of a substrate deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a diagram illustrating a conceptual diagram of a substrate deposition apparatus according to another embodiment of the present invention.
3 is a view showing a substrate temperature control unit provided in the substrate deposition apparatus of the present invention.
4 is a view showing a flow path provided in the substrate temperature control unit of the present invention.
5 is a view showing the overall shape of the substrate fixing unit provided in the substrate deposition apparatus of the present invention.
6 is a side cross-sectional view of the substrate fixing part of the present invention.
7 is a view showing a first fixing part of the substrate fixing part of the present invention.
FIG. 8 is an enlarged view of part B of FIG. 6 .
9 is a view showing an edge portion formed on the substrate of the present invention.
FIG. 10 is a view showing a space formed between the first fixing part and the substrate of the present invention (enlarged view of part C of FIG. 6 ).
11 is an enlarged view showing a part of the second fixing part among the substrate fixing parts of the present invention (enlarged view of part D of FIG. 6 ).
12 is a diagram illustrating the configuration of a gas inflow/outflow control unit provided in the substrate deposition apparatus of the present invention.
13 is a flowchart illustrating a deposition method of a deposition material using the substrate deposition apparatus of the present invention.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다. 또한, 이하에서 본 발명의 바람직한 실시예를 설명할 것이나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정하거나 제한되지 않고 당업자에 의해 변형되어 다양하게 실시될 수 있음은 물론이다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. First of all, it should be noted that in adding reference numerals to the components of each drawing, the same components are given the same reference numerals as much as possible even though they are indicated on different drawings. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. In addition, preferred embodiments of the present invention will be described below, but the technical spirit of the present invention is not limited thereto or may be variously implemented by those skilled in the art without being limited thereto.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 증착 장치(100)의 개념도를 나타낸 도면이다. 1 is a diagram illustrating a conceptual diagram of a substrate deposition apparatus 100 according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 증착 장치(100)는, 내부에 밀폐 공간을 형성하는 챔버(10)와, 자전 모터(미도시)와 연결되어 자전 모터로부터의 동력 전달에 따라 회전가능한 자전부(20)와, 상기 자전부(20)에 결합되어 회전되고 기판(2)에 열을 전달하는 기판 온도 조절부(40) 및 상기 기판 온도 조절부(40)의 일측면에 결합되어 기판 온도 조절부(40)와 함께 회전되고 기판(2)을 고정하는 기판 고정부(50)를 포함한다. 이 때, 자전 모터는 챔버(10)의 외부에 배치될 수 있다.Referring to FIG. 1 , a substrate deposition apparatus 100 according to an embodiment of the present invention is connected to a chamber 10 forming a closed space therein, and a rotation motor (not shown) to transmit power from the rotation motor. One side of the rotating unit 20 rotatable in accordance with, the substrate temperature control unit 40 and the substrate temperature control unit 40 coupled to the rotating unit 20 and rotated to transfer heat to the substrate 2 . It is coupled to and rotates together with the substrate temperature control unit 40 and includes a substrate fixing unit 50 for fixing the substrate (2). At this time, the rotation motor may be disposed outside the chamber (10).

이하, 본 발명에서는 상기 기판 온도 조절부(40) 및 기판 고정부(50)를 포함하는 구성을 "기판 고정 장치"라고 정의한다.Hereinafter, in the present invention, a configuration including the substrate temperature control unit 40 and the substrate fixing unit 50 is defined as a "substrate fixing device".

도 1에 도시되지는 않았으나, 챔버(10) 및 기판 고정부(50)에는 후술되는 기체 유출입 제어부가 연결되어 챔버(10)의 내부 및 기판 고정부(50)와 기판(2)의 후면 사이를 진공으로 만들거나 기판 고정부(50)와 기판(2)의 후면 사이를 일정한 압력으로 유지할 수 있다. 상기 기체 유출입 제어부는 챔버(10)의 측벽 또는 상부벽에 형성되는 배기구(미도시)에 연결될 수 있다.Although not shown in FIG. 1 , a gas inflow and outflow control unit, which will be described later, is connected to the chamber 10 and the substrate fixing unit 50 , so that the interior of the chamber 10 and between the substrate fixing unit 50 and the rear surface of the substrate 2 are connected. A vacuum may be created or a constant pressure may be maintained between the substrate fixing unit 50 and the rear surface of the substrate 2 . The gas inflow and outflow control unit may be connected to an exhaust port (not shown) formed on a side wall or an upper wall of the chamber 10 .

자전부(20)는 전술한 자전 모터와 연결되어 자전 모터로부터의 동력 전달에 따라 회전 가능한 자전축(22)을 포함한다. 상기 자전축(22)은 챔버(10)의 상부벽을 관통하여 챔버(10) 내에 일부가 수용될 수 있다. 일례로서, 자전축(22)은 원통 형태로 형성될 수 있으며, 바람직하게는 알루미늄(Al), 구리(Cu), 철(Fe) 또는 기타 금속 합금 등으로 형성될 수 있다. The rotation unit 20 is connected to the above-described rotation motor and includes a rotation shaft 22 that is rotatable according to power transmission from the rotation motor. A portion of the rotation axis 22 may be accommodated in the chamber 10 through the upper wall of the chamber 10 . As an example, the rotation shaft 22 may be formed in a cylindrical shape, and preferably may be formed of aluminum (Al), copper (Cu), iron (Fe), or other metal alloy.

이 때, 자전축(22)의 일단에는 기판 온도 조절부(40)가 결합되고, 기판 온도 조절부(40)의 일측면에는 기판 고정부(50)가 결합되며, 기판 온도 조절부(40)와 기판 고정부(50)는 자전축(22)의 회전과 함께 회전될 수 있다.At this time, the substrate temperature control unit 40 is coupled to one end of the rotation shaft 22 , and the substrate fixing unit 50 is coupled to one side of the substrate temperature control unit 40 , and the substrate temperature control unit 40 and The substrate fixing unit 50 may be rotated together with the rotation of the rotation shaft 22 .

또한, 자전부(20)는 자전축(22)의 상부에 형성되는 로터리 조인트(rotary joint, 21)와, 챔버(10)의 외부면에 밀착되도록 배치되고, 자전축(22)을 둘러싸도록 형성되는 실링부(23)를 더 포함한다.In addition, the rotation unit 20 is disposed so as to be in close contact with the outer surface of the rotary joint (21) and the chamber (10) formed on the upper portion of the rotation shaft (22), the rotation shaft 22, the sealing formed to surround It further includes a section 23 .

상기 로터리 조인트(21)는, 오일 공급원(미도시) 및 후술되는 기체 공급원과 연결될 수 있다. 또한, 로터리 조인트(21)에는 열교환기(H)가 연결되어 기판 온도 조절부(40) 내부를 순환하는 오일과의 열교환이 이루어지도록 할 수 있다.The rotary joint 21 may be connected to an oil source (not shown) and a gas source to be described later. In addition, a heat exchanger H is connected to the rotary joint 21 so that heat exchange with oil circulating inside the substrate temperature control unit 40 may be performed.

로터리 조인트(21)는 오일 유입구(Oinlet), 오일 유출구(Ooutlet), 기체 유입구(Ainlet) 및 기체 유출구(Aoutlet)를 포함한다. The rotary joint 21 includes an oil inlet (Oinlet), an oil outlet (Ooutlet), a gas inlet (Ainlet), and a gas outlet (Aoutlet).

상기 오일 유입구(Oinlet) 및 오일 유출구(Ooutlet)는 오일 공급원과 연결되고, 기체 유입구(Ainlet) 및 기체 유출구(Aoutlet)는 기체 공급원과 연결될 수 있다. The oil inlet and the oil outlet may be connected to an oil supply source, and the gas inlet and gas outlet may be connected to a gas supply source.

이 때 로터리 조인트(21)는, 로터리 조인트(21)와 자전축(22) 간의 조립공차 발생으로 인한 자전축(22)의 수명 단축을 방지할 수 있도록 자전축(22)에 결합되는 로터리 조인트(21)의 브라켓(미도시)이 자전축(22)에 정합되도록 형성되는 것이 바람직하다. At this time, the rotary joint 21 is coupled to the rotary shaft 22 so as to prevent shortening of the life of the rotation shaft 22 due to the generation of an assembly tolerance between the rotary joint 21 and the rotation shaft 22. It is preferable that the bracket (not shown) is formed to match the rotation axis 22 .

자전축(22) 내부에는 상기 오일 유입구(Oinlet), 오일 유출구(Ooutlet)와 각각 연결되는 오일 유입 경로(24)와 오일 배출 경로(25)가 형성될 수 있다. 또한, 자전축(22) 내부에는 상기 기체 유입구(Ainlet), 기체 유출구(Aoutlet)와 각각 연결되는 기체 유입 경로(26)와 기체 배출 경로(27)가 형성될 수 있다. An oil inlet path 24 and an oil discharge path 25 respectively connected to the oil inlet and the oil outlet may be formed inside the rotation shaft 22 . In addition, a gas inlet path 26 and a gas outlet path 27 respectively connected to the gas inlet Ainlet and the gas outlet may be formed inside the rotation shaft 22 .

오일 공급원로부터 오일 유입구(Oinlet)를 통해 공급되는 오일은 오일 유입 경로(24)를 거쳐 기판 온도 조절부(40) 내부로 유입될 수 있고, 기판 온도 조절부(40) 내부를 순환한 오일은 기판 온도 조절부(40)로부터 오일 배출 경로(25)를 거쳐 오일 유출구(Ooutlet)를 통해 다시 오일 공급원으로 복귀될 수 있다. The oil supplied from the oil source through the oil inlet may be introduced into the substrate temperature control unit 40 through the oil inflow path 24 , and the oil circulating inside the substrate temperature control unit 40 may be It may be returned to the oil supply source from the temperature controller 40 through the oil discharge path 25 through the oil outlet.

기체 공급원으로부터 기체 유입구(Ainlet)를 통해 공급되는 기체는 기체 유입 경로(26)를 거쳐 기판 고정부(50) 내부로 유입될 수 있고, 기판 고정부(50)로부터 기체 배출 경로(27)를 거쳐 기체 유출구(Aoutlet)를 통해 기판 증착 장치(10)의 외부로 배출될 수 있다.The gas supplied from the gas source through the gas inlet Ainlet may be introduced into the substrate fixing unit 50 through the gas inlet path 26 , and from the substrate fixing unit 50 through the gas discharge path 27 . The gas may be discharged to the outside of the substrate deposition apparatus 10 through an outlet.

이 때, 오일 유입 경로(24), 오일 배출 경로(25)가 자전축(22) 내부를 통과하여 후술되는 기판 온도 조절부(40) 내부에 구비된 유로에 오일을 안정적으로 공급해주고 유로로부터 오일을 배출할 수 있도록, 오일 유입 경로(24)와 유로의 오일 유입홀의 직경 및 오일 배출 경로(25)와 유로의 오일 유출홀의 직경은 각각 동일하게 형성되는 것이 바람직하다.At this time, the oil inlet path 24 and the oil discharge path 25 pass through the inside of the rotation shaft 22 to stably supply oil to the flow path provided in the substrate temperature control unit 40 to be described later, and to remove oil from the flow path. In order to discharge the oil, it is preferable that the diameters of the oil inlet hole of the oil inlet path 24 and the flow path and the diameter of the oil outlet hole of the oil discharge path 25 and the oil flow path are the same, respectively.

또한, 기체 유입 경로(26)와 기체 배출 경로(27)가 자전축(22) 내부 및 기판 온도 조절부(40)를 통과하여 후술되는 기판 고정부(50) 내부에 안정적으로 기체를 공급해주고 기판 고정부(50) 내부로부터 기체를 배출할 수 있도록, 기체 유입 경로(26)와 기판 고정부(50)에 구비된 기체 공급홀, 기체 배출 경로(27)와 기판 고정부(50)에 구비된 기체 배출홀의 직경은 각각 동일하게 형성되는 것이 바람직하다.In addition, the gas inlet path 26 and the gas discharge path 27 pass through the rotation shaft 22 and the substrate temperature control unit 40 to stably supply gas to the inside of the substrate fixing unit 50 to be described later, and to stabilize the substrate. Gas provided in the gas inlet path 26 and the gas supply hole provided in the substrate fixing part 50, the gas exhausting path 27 and the substrate fixing part 50 so as to discharge the gas from the inside of the government 50 The diameter of the discharge hole is preferably formed to be the same.

한편 도시되지는 않았으나, 본 발명에서 오일 유입 경로(24), 오일 배출 경로(25), 기체 유입 경로(26) 및 기체 배출 경로(27)는 신틸레이터 증착 과정에서 각각의 경로 내의 열이 외부로 방출되지 않도록 단열재(미도시) 등이 각각의 경로를 둘러싸도록 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 각각의 경로는 상호 이격되어 형성되는 것이 바람직하다.Meanwhile, although not shown, in the present invention, the oil inlet path 24 , the oil outlet path 25 , the gas inlet path 26 , and the gas outlet path 27 transmit heat in each path to the outside during the scintillator deposition process. It is preferable that an insulating material (not shown) or the like is formed to surround each path so as not to be emitted. In addition, each path is preferably formed to be spaced apart from each other.

실링부(23)는 유동성이 있는 자성 유체(ferrofluid)로 형성될 수 있다. 이 때, 실링부(23)는 기판 온도 조절부(40)로부터 챔버(10) 외부에 위치한 자전축(22) 부분에 전도되는 열을 냉각시킬 수 있다. The sealing part 23 may be formed of a fluid ferrofluid. At this time, the sealing unit 23 may cool the heat conducted from the substrate temperature control unit 40 to the portion of the rotation shaft 22 located outside the chamber 10 .

본 발명에서 자전축(22)의 냉각 방식의 경우 PCW(Purified cooling water) 방식이 사용될 수 있다. 또한, 증착 공정 진행시 실링부(23)는 진공 상태를 유지하는 챔버(10)와 외부 대기의 경계, 상세하게는 챔버(10)의 외부면에 밀착되도록 배치되고 자전축(22)을 둘러싸도록 형성되어 자전축(22)과 챔버(10)의 틈 사이로 챔버(10) 내에 기체가 유입되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라 증착 공정 진행시 챔버(10) 내부의 진공 상태가 유지될 수 있다. In the case of the cooling method of the rotation shaft 22 in the present invention, a PCW (Purified cooling water) method may be used. In addition, during the deposition process, the sealing part 23 is disposed to be in close contact with the boundary between the chamber 10 and the external atmosphere maintaining a vacuum state, specifically, the outer surface of the chamber 10 and is formed to surround the rotation axis 22 . It is possible to prevent gas from flowing into the chamber 10 through the gap between the rotation shaft 22 and the chamber 10 . Accordingly, a vacuum state inside the chamber 10 may be maintained during the deposition process.

또한, 기판 온도 조절부(40)는 전술한 바와 같이 자전축(22)에 직접적으로 결합되는 구성으로서, 기판 온도 조절부(40)에서 발생되는 열이 자전축(22)에 전도될 수 있다. In addition, as described above, the substrate temperature control unit 40 is directly coupled to the rotation axis 22 , and heat generated from the substrate temperature control unit 40 may be conducted to the rotation axis 22 .

이 경우 자전축(22)과 기판 온도 조절부(40)의 재질을 상이하게 적용하게 되면 자전축(22)과 기판 온도 조절부(40)의 열 팽창 계수 등이 상이하여 자전축(22)이 파손될 수 있다. 따라서 자전축(22)과 기판 온도 조절부(40)는 동일한 재질로 적용하는 것이 바람직하다. In this case, if the materials of the rotation shaft 22 and the substrate temperature controller 40 are applied differently, the coefficient of thermal expansion of the rotation shaft 22 and the substrate temperature controller 40 is different, and the rotation shaft 22 may be damaged. . Therefore, it is preferable that the rotation shaft 22 and the substrate temperature control unit 40 are made of the same material.

도 1을 참조하여 설명한 기판 증착 장치(100)는 단일 자전축(22)으로 이루어진 자전부(20)를 구비하고, 자전부(20)의 일부가 챔버(10) 내에 수용되도록 할 수 있다. The substrate deposition apparatus 100 described with reference to FIG. 1 may include the rotation unit 20 having a single rotation axis 22 , and a portion of the rotation unit 20 may be accommodated in the chamber 10 .

도 1에 나타낸 기판 증착 장치(100)에서는 자전축(22)의 일단에 결합되는 기판 온도 조절부(40) 및 기판 온도 조절부(40)의 일측면에 결합되는 기판 고정부(50)가 챔버(10) 내에 수용되도록 하고, 자전축(22)의 회전에 따라 기판 온도 조절부(40) 및 기판 고정부(50)가 회전되도록 할 수 있다.In the substrate deposition apparatus 100 shown in FIG. 1 , the substrate temperature control unit 40 coupled to one end of the rotation shaft 22 and the substrate fixing unit 50 coupled to one side of the substrate temperature control unit 40 include a chamber ( 10), and the substrate temperature control unit 40 and the substrate fixing unit 50 may be rotated according to the rotation of the rotation shaft 22 .

이 때, 기판 온도 조절부(40)는 도 1에 도시된 바와 같이 자전축(22)의 일단에 결합되는 제 1 기판 온도 조절부(41)와 제 1 기판 온도 조절부(41)의 일측면(제 1 기판 온도 조절부(41)가 자전축(22)과 결합되는 면과 반대되는 면)에 결합되는 제 2 기판 온도 조절부(43)를 포함하며, 전술한 유로는 제 1 기판 온도 조절부(41)의 내부에 구비될 수 있다. At this time, the substrate temperature control unit 40 is a first substrate temperature control unit 41 and one side surface ( The first substrate temperature control unit 41 includes a second substrate temperature control unit 43 coupled to a surface opposite to the surface coupled to the rotation axis 22), and the aforementioned flow path is the first substrate temperature control unit ( 41) may be provided inside.

또한, 기판 고정부(50)는 일측면에 제 2 기판 온도 조절부(43)가 결합되는 제 1 고정부(52)와, 제 1 고정부(52)의 타측면에 결합되는 제 2 고정부(54)를 포함하고, 기판(2)은 제 1 고정부(52)와 제 2 고정부(54) 사이에 고정될 수 있다. 일례로서, 상기 기판(2)은 유리 패널(glass panel)일 수 있다.In addition, the substrate fixing part 50 includes a first fixing part 52 to which the second substrate temperature control part 43 is coupled to one side, and a second fixing part coupled to the other side of the first fixing part 52 . 54 , wherein the substrate 2 may be fixed between the first fixing part 52 and the second fixing part 54 . As an example, the substrate 2 may be a glass panel.

챔버(10) 내부의 하단에는 적어도 하나의 증발원(1)이 구비될 수 있으며, 기판 고정부(50)에 고정된 기판(2)은 기판(2)의 전면이 증발원(1) 방향으로 노출되어 증발원(1)과 마주보도록 배치될 수 있다. At least one evaporation source 1 may be provided at the lower end of the chamber 10 , and in the substrate 2 fixed to the substrate fixing unit 50 , the entire surface of the substrate 2 is exposed in the direction of the evaporation source 1 . It may be disposed to face the evaporation source (1).

이 때, 기판 온도 조절부(40) 및 기판 고정부(50)를 포함하는 "기판 고정 장치"는 증발원(1)보다 상부에 위치될 수 있다.At this time, the "substrate fixing device" including the substrate temperature control unit 40 and the substrate fixing unit 50 may be located above the evaporation source (1).

이에 따라 증착 재료는 챔버(10) 내부의 하단에 구비된 증발원(1)으로부터 증발되어 증발원(1)보다 상부에 위치된 기판(2) 방향으로 공급될 수 있다. 일례로서, 증착 재료는 요오드화 세슘(Cesium Iodide), 요오드화 탈륨(Thallium Iodide) 등의 할로겐화 알칼리 금속 화합물일 수 있다.Accordingly, the deposition material may be evaporated from the evaporation source 1 provided at the lower end of the chamber 10 and may be supplied in the direction of the substrate 2 positioned above the evaporation source 1 . As an example, the deposition material may be an alkali metal halide compound such as cesium iodide or thallium iodide.

기판 증착 장치(100)를 통한 기판(2)으로의 신틸레이터 증착 공정 진행시, 챔버(10)는 진공상태로 유지되며, 자전축(22)이 회전되면서 증발원(1)으로부터 증발된 증착 재료가 기판(2)에 균일하게 증착될 수 있다. 이 때, 증착 재료는 기판(2)의 전면에 증착될 수 있다.During the scintillator deposition process on the substrate 2 through the substrate deposition apparatus 100 , the chamber 10 is maintained in a vacuum state, and the deposition material evaporated from the evaporation source 1 as the rotation shaft 22 is rotated is transferred to the substrate. (2) can be uniformly deposited. At this time, the deposition material may be deposited on the entire surface of the substrate 2 .

도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 증착 장치(200)의 개념도를 나타낸 도면이다. 2 is a diagram illustrating a conceptual diagram of a substrate deposition apparatus 200 according to another embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 전술한 도 1의 기판 증착 장치(100)와 달리 본 실시예의 기판 증착 장치(200)에서는 하나의 공전부(130)에 자전부(120)가 복수 개 결합되도록 구성될 수 있다. 따라서, 복수의 자전부(120)에는 기판 온도 조절부(40)와 기판 고정부(50)가 각각 결합될 수 있고, 각각의 기판 고정부(50) 마다 기판(2)이 고정될 수 있다.Referring to FIG. 2 , unlike the substrate deposition apparatus 100 of FIG. 1 described above, in the substrate deposition apparatus 200 of this embodiment, a plurality of rotation units 120 may be coupled to one revolution unit 130 . have. Accordingly, the substrate temperature control unit 40 and the substrate fixing unit 50 may be respectively coupled to the plurality of rotation units 120 , and the substrate 2 may be fixed to each of the substrate fixing units 50 .

기판 증착 장치(200)는 내부에 밀폐 공간을 형성하는 챔버(10)와, 공전 모터(미도시)와 연결되어 공전 모터로부터의 동력 전달에 따라 회전가능한 공전부(130)와, 공전부(130)에 결합되고 공전부(130)의 회전에 따라 공전되는 복수의 자전부(120)를 포함한다. 이 때, 챔버(10) 내부의 하단에 증발원(1)이 구비되는 점은 도 1에 도시된 챔버(10)와 동일하다.The substrate deposition apparatus 200 includes a chamber 10 forming a closed space therein, an idle part 130 connected to an idle motor (not shown) and rotatable according to power transmission from the idle motor, and the idle unit 130 . ) is coupled to and includes a plurality of revolving units 120 that revolve according to the rotation of the revolving unit 130 . At this time, the point in which the evaporation source 1 is provided at the lower end of the inside of the chamber 10 is the same as the chamber 10 shown in FIG. 1 .

공전부(130)는 공전부 프레임(131) 및 공전부 프레임(131)의 중앙부에 형성되는 공전축(133)을 포함하며, 공전부 프레임(131)에는 복수의 자전부(120)를 수용할 수 있는 공간이 형성될 수 있다. 본 발명에서, 자전부(120)는 틸팅축(122)을 통해 공전부 프레임(131)에 결합될 수 있다. The revolving unit 130 includes a revolving shaft 133 formed in the central portion of the revolving frame 131 and the revolving frame 131 , and the revolving frame 131 has a plurality of revolving units 120 . space can be created. In the present invention, the rotation unit 120 may be coupled to the rotation unit frame 131 through the tilting shaft 122 .

공전축(133)은 챔버(10)의 상부벽을 관통하여 챔버(10) 내에 일부가 수용될 수 있다. 일례로서, 공전축(133)은 원통 형태로 형성될 수 있으며, 바람직하게는 알루미늄(Al), 구리(Cu), 철(Fe) 또는 기타 금속 합금 등으로 형성될 수 있다. 또한, 공전부 프레임(131)은 챔버(10)의 내부에 위치될 수 있고, 공전부 프레임(131)에 결합된 복수의 자전부(120) 또한 챔버(10)의 내부에 위치될 수 있다.The orbital shaft 133 may be partially accommodated in the chamber 10 through the upper wall of the chamber 10 . As an example, the orbital shaft 133 may be formed in a cylindrical shape, and preferably may be formed of aluminum (Al), copper (Cu), iron (Fe), or other metal alloy. In addition, the revolution frame 131 may be located inside the chamber 10 , and a plurality of rotation units 120 coupled to the revolution unit frame 131 may also be located inside the chamber 10 .

도 1에 도시된 기판 증착 장치(100)와 마찬가지로 도 2에 도시된 기판 증착 장치(200)의 챔버(10) 및 기판 고정부(50)에도 후술되는 기체 유출입 제어부가 연결될 수 있으며, 이와 관련된 구성은 도 1에 도시된 기판 증착 장치(100)와 동일할 수 있다.Similar to the substrate deposition apparatus 100 illustrated in FIG. 1 , a gas inflow and outflow control unit to be described later may be connected to the chamber 10 and the substrate fixing unit 50 of the substrate deposition apparatus 200 illustrated in FIG. 2 , and related configurations may be the same as that of the substrate deposition apparatus 100 illustrated in FIG. 1 .

또한, 공전부(130)는 공전축(133)의 상부에 형성되는 로터리 조인트(132)와, 챔버(10)의 외부면에 밀착되도록 배치되고, 공전축(133)을 둘러싸도록 형성되는 실링부(134)를 더 포함한다.In addition, the revolving unit 130 is disposed to be in close contact with the outer surface of the rotary joint 132 formed on the revolving shaft 133 and the outer surface of the chamber 10, the sealing portion is formed to surround the revolving shaft (133) (134).

상기 로터리 조인트(132)는, 오일 공급원(미도시) 및 후술되는 기체 공급원과 연결될 수 있다. 로터리 조인트(132)에는 열교환기(H)가 연결되어 각각의 자전부(120)에 결합되는 기판 온도 조절부(40) 내부를 순환하는 오일과의 열교환이 이루어지도록 할 수 있다. 이 때, 로터리 조인트(132)는 공전축(133)의 상부에 형성되는 점을 제외하고 도 1에 도시된 로터리 조인트(21)와 동일할 수 있다.The rotary joint 132 may be connected to an oil source (not shown) and a gas source to be described later. A heat exchanger H is connected to the rotary joint 132 so that heat exchange with oil circulating inside the substrate temperature control unit 40 coupled to each rotation unit 120 may be performed. In this case, the rotary joint 132 may be the same as the rotary joint 21 shown in FIG. 1 except that it is formed on the orbital shaft 133 .

도 2에 도시된 바와 같이 공전축(133) 내부에는 공전축(133) 내부를 관통하고 로터리 조인트(132)의 오일 유입구(Oinlet), 오일 유출구(Ooutlet), 기체 유입구(Ainlet) 및 기체 유출구(Aoutlet)와 각각 연결되는 오일 유입 경로(136), 오일 배출 경로(137), 기체 유입 경로(138) 및 기체 배출 경로(139)가 형성될 수 있다. 이 때, 로터리 조인트(132)의 오일 유입구(Oinlet) 및 오일 유출구(Ooutlet)는 오일 공급원과 연결되고, 로터리 조인트(132)의 기체 유입구(Ainlet) 및 기체 유출구(Aoutlet)는 기체 공급원과 연결될 수 있다.As shown in FIG. 2, the orbital shaft 133 passes through the inside of the revolving shaft 133, and an oil inlet (Oinlet), an oil outlet (Ooutlet), a gas inlet (Ainlet) and a gas outlet ( outlet), an oil inlet path 136 , an oil outlet path 137 , a gas inlet path 138 , and a gas outlet path 139 may be formed. At this time, the oil inlet and the oil outlet of the rotary joint 132 are connected to the oil source, and the gas inlet and the gas outlet of the rotary joint 132 may be connected to the gas source. have.

상기 오일 유입 경로(136), 오일 배출 경로(137), 기체 유입 경로(138) 및 기체 배출 경로(139)는 복수의 자전부(120)로 분기되어 연결되는 점을 제외하고 도 1에 도시된 오일 유입 경로(24), 오일 배출 경로(25), 기체 유입 경로(26) 및 기체 배출 경로(27)의 구성과 동일할 수 있다. 또한, 실링부(134) 구성도 도 1에 도시된 실링부(23) 구성과 동일할 수 있다.The oil inlet path 136, the oil outlet path 137, the gas inlet path 138, and the gas outlet path 139 are shown in FIG. The configuration of the oil inlet path 24 , the oil outlet path 25 , the gas inlet path 26 , and the gas outlet path 27 may be the same. Also, the configuration of the sealing part 134 may be the same as that of the sealing part 23 shown in FIG. 1 .

본 발명의 기판 증착 장치(200)에서, 공전부 프레임(131)은 공전축(133)의 회전에 따라 회전되면서 공전부 프레임(131)에 결합된 복수의 자전부(120)를 공전축(133)을 중심으로 회전(공전)시킬 수 있다. In the substrate deposition apparatus 200 of the present invention, the orbital frame 131 rotates according to the rotation of the orbital shaft 133 and rotates the plurality of rotating parts 120 coupled to the orbital frame 131 with the orbital shaft 133 ) can be rotated (orbiting) around it.

또한, 자전부(120)는 틸팅 모터(미도시)와 연결되어 틸팅축(122)을 중심으로 공전부 프레임(131)에 대해 개별적으로 축 회전될 수 있고, 자전 모터(미도시)와 연결되어 자전축(124)을 중심으로 기판 온도 조절부(40)와 기판 고정부(50)를 회전(자전)시킬 수 있다. 이 때, 자전 모터는 자전부(120)의 내부에 배치될 수 있으며, 틸팅 모터는 공전부 프레임(131) 또는 자전부(120)의 내부에 배치될 수 있다.In addition, the rotation unit 120 is connected to a tilting motor (not shown) and can be individually axially rotated with respect to the rotation unit frame 131 about the tilting shaft 122, and is connected to a rotation motor (not shown). The substrate temperature control unit 40 and the substrate fixing unit 50 may be rotated (rotated) around the rotation axis 124 . In this case, the rotation motor may be disposed inside the rotation unit 120 , and the tilting motor may be disposed inside the rotation unit frame 131 or the rotation unit 120 .

자전부(120)는 도 2에 도시된 바와 같이 자전부 본체(121)와 자전축(124)을 기준으로 자전축(124)의 상부에 형성되는 로터리 조인트(123)와, 자전부 본체(121)의 내부면에 밀착되도록 배치되고 자전축(124)을 둘러싸도록 형성되는 실링부(125)를 더 포함한다.The rotation unit 120 is a rotary joint 123 formed on the upper portion of the rotation axis 124 based on the rotation unit body 121 and the rotation axis 124, and the rotation unit body 121 as shown in FIG. It is disposed to be in close contact with the inner surface and further includes a sealing portion 125 formed to surround the rotation shaft 124 .

자전부 본체(121)는 대기압 박스(ATM box)의 일종으로서, 도 2에 도시된 바와 같이 틸팅축(122)을 통해 공전부 프레임(131)에 연결될 수 있고, 틸팅축(122)을 중심으로 공전부 프레임(131)에 대해 개별적으로 축 회전될 수 있다.Rotation unit body 121 is a kind of atmospheric pressure box (ATM box), as shown in FIG. It may be individually axially rotated with respect to the idler frame 131 .

이 때, 도 2에 도시된 로터리 조인트(123)의 구성은 도 1에 도시된 로터리 조인트(21)의 구성과 동일하며, 로터리 조인트(123)에는 전술한 오일 유입 경로(136), 오일 배출 경로(137), 기체 유입 경로(138) 및 기체 배출 경로(139)가 분기되어 각각 연결될 수 있다.At this time, the configuration of the rotary joint 123 shown in FIG. 2 is the same as that of the rotary joint 21 shown in FIG. 1 , and the rotary joint 123 has the above-described oil inlet path 136 and oil outlet path. 137 , the gas inlet path 138 , and the gas outlet path 139 may be branched and connected to each other.

또한, 도 2에 도시된 자전축(124) 및 실링부(125)의 형상 및 재질은 도 1에 도시된 자전축(22) 및 실링부(23)와 동일할 수 있다.In addition, the shape and material of the rotation shaft 124 and the sealing part 125 shown in FIG. 2 may be the same as the rotation shaft 22 and the sealing part 23 shown in FIG. 1 .

한편, 도 2에 도시된 기판 증착 장치(200)와 같이 자전부(120)를 복수로 구성하는 경우 로터리 조인트(123)를 각각의 자전부(120) 마다 형성하는 것이 바람직하다.On the other hand, when a plurality of rotating units 120 are configured as in the substrate deposition apparatus 200 shown in FIG. 2 , it is preferable to form a rotary joint 123 for each rotating unit 120 .

이 때, 로터리 조인트(123)의 경우 그 특성상 자전축(124)의 회전시 발생되는 마찰에 의해 파티클이 발생할 수 있다. 따라서 도 2에 도시된 로터리 조인트(123)는 진공상태의 챔버(10) 내에서는 사용할 수 없으므로, 로터리 조인트(123)는 도 2에 도시된 바와 같이 내부에 대기압과 동일한 압력이 유지되는 자전부 본체(121) 내에 위치되는 것이 바람직하다.In this case, in the case of the rotary joint 123, particles may be generated by friction generated when the rotation shaft 124 rotates due to its characteristics. Therefore, since the rotary joint 123 shown in FIG. 2 cannot be used in the chamber 10 in a vacuum state, the rotary joint 123 has the same pressure as the atmospheric pressure inside, as shown in FIG. It is preferably located within (121).

또한, 도시되지는 않았으나 도 2에 도시된 기판 증착 장치(200)에서는 로터리 조인트(123)가 도 1에 도시된 로터리 조인트(21)와 마찬가지로 오일 유입구, 오일 유출구, 기체 유입구 및 기체 유출구를 포함한다. In addition, although not shown, in the substrate deposition apparatus 200 shown in FIG. 2 , the rotary joint 123 includes an oil inlet, an oil outlet, a gas inlet and a gas outlet, like the rotary joint 21 shown in FIG. 1 . .

로터리 조인트(123)의 오일 유입구, 오일 유출구는 각각 오일 유입 경로(136) 및 오일 배출 경로(137)와 연결되고, 로터리 조인트(123)의 기체 유입구 및 기체 유출구는 각각 기체 유입 경로(138) 및 기체 배출 경로(139)와 연결될 수 있다.The oil inlet and the oil outlet of the rotary joint 123 are respectively connected to the oil inlet path 136 and the oil outlet path 137, and the gas inlet and gas outlet of the rotary joint 123 are respectively connected to the gas inlet path 138 and It may be connected to the gas exhaust path 139 .

이 때, 도 2에 도시되지는 않았으나 자전축(124) 내부에는 로터리 조인트(123)의 오일 유입구 및 오일 유출구와 각각 연결되는 오일 유입 경로와 오일 배출 경로가 형성될 수 있다. 또한, 자전축(124) 내부에는 로터리 조인트(123)의 기체 유입구 및 기체 유출구와 각각 연결되는 기체 유입 경로와 기체 배출 경로가 형성될 수 있다. At this time, although not shown in FIG. 2 , an oil inlet path and an oil outlet path respectively connected to the oil inlet and the oil outlet of the rotary joint 123 may be formed inside the rotation shaft 124 . In addition, a gas inlet path and a gas outlet path respectively connected to the gas inlet and the gas outlet of the rotary joint 123 may be formed inside the rotation shaft 124 .

상기 기판 증착 장치(200)의 자전축(124) 내부에 형성된 오일 유입 경로, 오일 배출 경로, 기체 유입 경로 및 기체 배출 경로는 각각 공전축(133) 내부를 통과한 오일 유입 경로(136), 오일 배출 경로(137), 기체 유입 경로(138) 및 기체 배출 경로(139)와 연결된다는 점을 제외하고 도 1에 도시된 오일 유입 경로(24), 오일 배출 경로(25), 기체 유입 경로(26) 및 기체 배출 경로(27)의 구성과 동일할 수 있다. The oil inflow path, oil discharge path, gas inflow path, and gas discharge path formed inside the rotation shaft 124 of the substrate deposition apparatus 200 respectively include the oil inflow path 136 and the oil discharge passing through the revolving shaft 133 , respectively. The oil inlet path 24 , the oil outlet path 25 , and the gas inlet path 26 shown in FIG. 1 except that they are connected to the path 137 , the gas inlet path 138 , and the gas outlet path 139 . and the configuration of the gas discharge path 27 may be the same.

예를 들어, 도 2에 도시된 기판 증착 장치(200)에서는 자전축(124) 내부에 형성된 오일 유입 경로, 오일 배출 경로를 통해 자전축(124)의 일단에 결합되는 기판 온도 조절부(40)의 내부에 구비된 유로에 오일이 공급되고, 유로에서 오일이 순환된 후 및 유로로부터 오일이 배출되도록 할 수 있다. For example, in the substrate deposition apparatus 200 shown in FIG. 2 , the substrate temperature controller 40 coupled to one end of the rotation shaft 124 through an oil inflow path and an oil discharge path formed inside the rotation shaft 124 . The oil may be supplied to the flow path provided in the , and the oil may be circulated in the flow path and then the oil may be discharged from the flow path.

또한, 자전축(124) 내부에 형성된 기체 유입 경로, 기체 배출 경로를 통해 기판 온도 조절부(40)의 일측면에 결합되는 기판 고정부(50) 내부에 기체가 공급되고, 기판 고정부(50) 내부로부터 기체가 배출되도록 할 수 있다.In addition, the gas is supplied to the inside of the substrate fixing unit 50 coupled to one side of the substrate temperature control unit 40 through the gas inlet path and the gas discharge path formed in the rotation shaft 124 , and the substrate fixing unit 50 . Gas can be discharged from the inside.

도 2를 참조하여 설명한 기판 증착 장치(200)는 공전축(133)을 구비하는 공전부(130)를 포함하며, 공전부(130)에 결합된 복수의 자전부(120)가 챔버(10) 내에 수용되도록 할 수 있다. The substrate deposition apparatus 200 described with reference to FIG. 2 includes an orbiting part 130 having an orbital shaft 133 , and a plurality of rotating parts 120 coupled to the orbiting part 130 is a chamber 10 . can be accommodated within.

도 2에 도시된 기판 증착 장치(200)에서는, 공전부 프레임(131)의 중앙부에 형성된 공전축(133)이 회전(공전)하게 되면, 공전부 프레임(131)이 공전축(133)의 회전에 따라 회전되면서 공전축(133)에 결합된 복수의 자전부(120)들이 공전축(133)을 중심으로 회전(공전)할 수 있다.In the substrate deposition apparatus 200 shown in FIG. 2 , when the orbital shaft 133 formed in the central portion of the orbital frame 131 rotates (revolves), the orbital frame 131 rotates the orbital shaft 133 The plurality of rotation units 120 coupled to the orbital shaft 133 may rotate (orbit) around the orbital shaft 133 while being rotated according to the rotation.

이에 따라, 자전부(120)가 복수로 구비된 기판 증착 장치(200)에서는 한번의 증착 공정으로 각각의 기판 고정부(50)에 고정된 복수의 기판(2)에 증착 재료의 증착을 실시할 수 있어 복수의 기판(2)에 증착이 가능하다.Accordingly, in the substrate deposition apparatus 200 provided with a plurality of rotating units 120 , deposition of a deposition material is performed on a plurality of substrates 2 fixed to each substrate fixing unit 50 in a single deposition process. It can be deposited on a plurality of substrates (2).

또한, 기판 증착 장치(200)에서는 복수의 자전부(120)가 틸팅축(122)을 중심으로 공전부 프레임(131)에 대해 개별적으로 축 회전될 수 있으므로, 도 2에 도시된 바와 같이 기판 고정부(50)에 고정된 기판(2)이 증발원(1)과 마주보도록 배치되지 않고 기울어진 형태로 배치되는 것도 가능하다. In addition, in the substrate deposition apparatus 200, since the plurality of rotating parts 120 may be individually axially rotated with respect to the orbital frame 131 about the tilting axis 122, as shown in FIG. It is also possible that the substrate 2 fixed to the top 50 is not arranged to face the evaporation source 1 but is arranged in an inclined form.

따라서, 기판 증착 장치(200)에서는 공전부(130)의 공전, 자전부(120)의 틸팅 및 자전 등을 통해 증발원(1)에 대한 기판의 상대적 위치 및 방향 등을 용이하게 조절할 수 있어 증착효율을 극대화할 수 있다.Accordingly, in the substrate deposition apparatus 200 , the relative position and direction of the substrate with respect to the evaporation source 1 can be easily adjusted through the revolution of the orbiting unit 130 and the tilting and rotation of the rotating unit 120 , so that the deposition efficiency can be maximized.

도 2에 도시된 기판 증착 장치(200)에 구비된 기판 온도 조절부(40) 및 기판 고정부(50)는 도 1에 도시된 기판 온도 조절부(40) 및 기판 고정부(50)와 동일한 구성일 수 있다. The substrate temperature control unit 40 and the substrate fixing unit 50 provided in the substrate deposition apparatus 200 shown in FIG. 2 are the same as the substrate temperature control unit 40 and the substrate fixing unit 50 shown in FIG. 1 . can be configuration.

한편 도 2에 도시된 기판 증착 장치(200)에서는 외부의 오일 공급원으로부터 각각의 기판 온도 조절부(40)에 개별적으로 오일 유출입 경로를 구성하지 않으면서도 각각의 기판 온도 조절부(40)의 온도를 균일하게 제어할 수 있도록 공전부 프레임(131) 내부에 오일 탱크(미도시)를 배치할 수도 있다. 일례로서, 오일 탱크는 공전부 프레임(131)의 내부에서 공전축(133)의 하부에 배치될 수 있다.On the other hand, in the substrate deposition apparatus 200 shown in FIG. 2 , the temperature of each substrate temperature control unit 40 is controlled without separately configuring an oil inflow/out path from an external oil source to each substrate temperature control unit 40 . An oil tank (not shown) may be disposed inside the idler frame 131 to uniformly control it. As an example, the oil tank may be disposed below the idle shaft 133 inside the idle frame 131 .

상기 오일 탱크는 전술한 오일 유입 경로(136)와 연결되어 외부의 오일 공급원으로부터 오일을 공급받고, 오일 배출 경로(137)와 연결되어 각각의 자전부(120)에 결합된 기판 온도 조절부(40)로부터 배출된 오일을 오일 공급원으로 배출할 수 있다.The oil tank is connected to the above-described oil inlet path 136 to receive oil from an external oil source, and is connected to the oil discharge path 137 and a substrate temperature control unit 40 coupled to each rotation unit 120 . ) can be discharged as an oil source.

이 때, 오일 유입 경로(136) 및 오일 배출 경로(137)는 오일 탱크에서 분기되어 자전부(120)에 각각 연결될 수 있다.At this time, the oil inlet path 136 and the oil discharge path 137 may be branched from the oil tank and connected to the rotating unit 120 , respectively.

오일 탱크는 열교환기(H)에서 전달되는 열의 댐퍼(damper) 기능을 할 수 있다. 또한, 오일 탱크는 외부의 오일 공급원으로부터 공급된 오일을 오일 탱크 내로 수집하며, 오일 탱크로부터 각각의 기판 온도 조절부(40)로 분기되어 공급되는 오일의 분기 출발점이 될 수 있다.The oil tank may function as a damper of heat transferred from the heat exchanger H. In addition, the oil tank collects oil supplied from an external oil source into the oil tank, and may be a branching starting point of the oil supplied by branching from the oil tank to each of the substrate temperature controllers 40 .

이에 따라 도 2에 도시된 기판 증착 장치(200)에서는 오일 탱크를 구성하는 경우, 오일 탱크로부터 각각의 기판 온도 조절부(40)로 연결되는 오일 유입 경로(136) 및 오일 배출 경로(137)의 분기 경로의 조건을 모두 동일하게 설정하여 줌으로써 신틸레이터 증착 과정에서 각각의 기판 온도 조절부(40)의 온도를 균일하게 제어할 수 있다.Accordingly, in the substrate deposition apparatus 200 shown in FIG. 2 , when an oil tank is configured, the oil inlet path 136 and the oil outlet path 137 connected from the oil tank to each substrate temperature controller 40 . By setting all branch path conditions to be the same, the temperature of each substrate temperature controller 40 can be uniformly controlled in the scintillator deposition process.

도 3은 본 발명의 기판 증착 장치(100, 200)에 구비된 기판 온도 조절부(40)를 나타낸 도면이고, 도 4는 본 발명의 기판 온도 조절부(40)에 구비된 유로(422)를 나타낸 도면이다. 여기서 도 3(a)는 기판 온도 조절부(40)의 전체적인 형상을 나타낸 도면이고, 도 3(b)는 오일 흐름부(42)의 사시도이며, 도 3(c)는 기판 온도 조절부(40)의 구성 중 제 1 기판 온도 조절부(41)를 나타낸 도면이다. 3 is a view showing the substrate temperature control unit 40 provided in the substrate deposition apparatus 100, 200 of the present invention, Figure 4 is a flow path 422 provided in the substrate temperature control unit 40 of the present invention. the drawing shown. Here, FIG. 3 (a) is a view showing the overall shape of the substrate temperature control unit 40, FIG. 3 (b) is a perspective view of the oil flow unit 42, and FIG. 3 (c) is the substrate temperature control unit 40 ) is a view showing the first substrate temperature control unit 41 of the configuration.

도 3(a)를 참조하면 기판 온도 조절부(40)는 자전축(22, 124)에 결합되는 제 1 기판 온도 조절부(41)와 제 1 기판 온도 조절부(41)의 타측면에 결합되는 제 2 기판 온도 조절부(43)를 포함하며, 제 1 기판 온도 조절부(41) 내부에는 도 3(b)에 도시된 오일 흐름부(42)가 구비될 수 있다. Referring to FIG. 3 ( a ), the substrate temperature control unit 40 is coupled to the other side of the first substrate temperature control unit 41 and the first substrate temperature control unit 41 coupled to the rotation shafts 22 and 124 . The second substrate temperature control unit 43 is included, and the oil flow unit 42 shown in FIG. 3B may be provided inside the first substrate temperature control unit 41 .

전술한 기판 고정부(50)는 기판 온도 조절부(40)의 일측면에 결합될 수 있다. 본 발명에서 기판 온도 조절부(40)는 기판 고정부(50) 및 기판 고정부(50)에 고정된 기판(2)에 열을 전달해 줄 수 있다.The above-described substrate fixing unit 50 may be coupled to one side of the substrate temperature control unit 40 . In the present invention, the substrate temperature control unit 40 may transfer heat to the substrate fixing unit 50 and the substrate 2 fixed to the substrate fixing unit 50 .

제 1 기판 온도 조절부(41)와 제 2 기판 온도 조절부(43)는 동일한 재질로 구성될 수 있다. 상세하게는 제 1 기판 온도 조절부(41)와 제 2 기판 온도 조절부(43)의 제조시 알루미늄(Al), 구리(Cu) 등의 금속 재질이 사용될 수 있으며, 제 1 기판 온도 조절부(41)와 제 2 기판 온도 조절부(43)의 재질을 동일하게 구성하여 제 1 기판 온도 조절부(41)와 제 2 기판 온도 조절부(43)의 비열, 온도 변형률 등을 동일하게 할 수 있다. The first substrate temperature control unit 41 and the second substrate temperature control unit 43 may be made of the same material. In detail, a metal material such as aluminum (Al) or copper (Cu) may be used when manufacturing the first substrate temperature control unit 41 and the second substrate temperature control unit 43 , and the first substrate temperature control unit ( 41) and the second substrate temperature control unit 43 may be made of the same material to make the first substrate temperature control unit 41 and the second substrate temperature control unit 43 the same specific heat, temperature strain, etc. .

상기와 같은 구성을 통해, 제 1 기판 온도 조절부(41)와 제 2 기판 온도 조절부(43) 사이에 발생되는 열적 부정합에 따라 기판 온도 조절부(40) 전체의 변형이 발생하여 기판 고정부(50)에 고정된 기판(2)이 파손되는 것을 방지할 수 있다.Through the above configuration, the entire substrate temperature control unit 40 is deformed according to the thermal mismatch generated between the first substrate temperature control unit 41 and the second substrate temperature control unit 43, so that the substrate fixing unit It is possible to prevent the substrate 2 fixed to the 50 from being damaged.

도 3(b)에 도시된 오일 흐름부(42)는 제 1 기판 온도 조절부(41)의 내부에 구비되며, 제 1 기판 온도 조절부(41)와의 결합이 용접으로 이루어질 수 있다.The oil flow part 42 shown in FIG. 3( b ) is provided inside the first substrate temperature control unit 41 , and coupling with the first substrate temperature control unit 41 may be made by welding.

오일 흐름부(42)는 오일 공급원으로부터 유입되는 오일이 순환되는 유로(422)를 포함한다.The oil flow part 42 includes a flow path 422 through which oil introduced from an oil supply source is circulated.

도 3(b) 및 도 4를 참조하면, 유로(422)는 전술한 오일 유입 경로(24)와 연결되는 오일 유입홀(4222)과, 오일 유입홀(4222)을 통해 오일이 유로(422) 내로 유입되어 유로(422) 내에서 순환되도록 하는 오일 유입 흐름 라인(4224)과, 전술한 오일 배출 경로(25)와 연결되는 오일 유출홀(4226) 및 유로(422) 내에서 순환된 오일이 오일 유출홀(4226)을 통해 배출되도록 하는 오일 유출 흐름 라인(4228)을 포함한다.Referring to FIGS. 3(b) and 4 , the oil passage 422 is an oil inlet hole 4222 connected to the above-described oil inlet path 24 and an oil passage 422 through the oil inlet hole 4222 . The oil circulated in the oil inflow flow line 4224 that is introduced into and circulated in the flow path 422, the oil outlet hole 4226 connected to the above-described oil discharge path 25, and the flow path 422 is converted into oil. It includes an oil outlet flow line 4228 allowing it to drain through an outlet hole 4226 .

유로(422)는 오일 공급원으로부터 공급되는 오일을 유로(422) 내에서 순환시키면서 기판(2)으로의 증착 재료의 증착이 진행되는 동안 기판 고정부(50)에 고정된 기판(2)에 열을 전달해줄 수 있다. 이 때, 유로(422)로부터 기판 고정부(50)로 열이 전달되는 방식은 복사, 대류, 전도 등이 가능할 수 있다.The flow path 422 circulates the oil supplied from the oil supply source in the flow path 422 and heats the substrate 2 fixed to the substrate fixing unit 50 while deposition of the deposition material on the substrate 2 is in progress. can deliver In this case, the method in which heat is transferred from the flow path 422 to the substrate fixing unit 50 may be radiation, convection, conduction, or the like.

전술한 바와 같이 오일 유입 경로(24)와 유로(422)의 오일 유입홀(4222)의 직경 및 오일 배출 경로(25)와 유로(422)의 오일 유출홀(4226)의 직경은 각각 동일하게 형성될 수 있다. As described above, the diameter of the oil inlet hole 4222 of the oil inlet path 24 and the flow path 422 and the diameter of the oil outlet hole 4226 of the oil discharge path 25 and the flow path 422 are the same, respectively. can be

유로(422) 내에서 순환되는 오일의 온도는 30℃~ 200℃일 수 있으며, 유로(422)는 오일이 유로(422) 이외의 부분으로 누출되는 것을 최대한 방지하도록 형성될 수 있다. The temperature of the oil circulated in the flow path 422 may be 30° C. to 200° C., and the flow path 422 may be formed to maximally prevent the oil from leaking into parts other than the flow path 422 .

또한, 본 발명에서는 오일을 기판(2)으로의 열전달 매개체로 사용하며, 오일은 연속적인 온도 변화를 줄 수 있어 신틸레이터 증착 공정을 안정적으로 진행할 수 있으며, 비열이 좋아 열전달 효율이 우수하므로 가열 뿐만 아니라 냉각도 가능하며 온도 전달 폭도 넓게 할 수 있다.In addition, in the present invention, oil is used as a heat transfer medium to the substrate 2 , and the oil can provide continuous temperature change, so that the scintillator deposition process can be performed stably. In addition, cooling is possible and the range of temperature transmission can be widened.

따라서, 본 발명에서는 오일을 열전달 매개체로 이용하므로 기판(2)으로 열을 전달하는 기판 온도 조절부(40)의 온도를 정밀하게 제어할 수 있다.Therefore, in the present invention, since oil is used as a heat transfer medium, it is possible to precisely control the temperature of the substrate temperature controller 40 that transfers heat to the substrate 2 .

유로(422)는 도 4에 도시된 바와 같이 각각의 오일 유입 흐름 라인(4224) 및 오일 유출 흐름 라인(4228)의 모서리 부분을 완만하게 형성하여 모서리 부분에서 오일이 순환할 때 발생할 수 있는 와류를 감소시킬 수 있다. The flow path 422 gently forms the corners of each of the oil inlet flow line 4224 and the oil outlet flow line 4228 as shown in FIG. can be reduced

한편, 효율적인 신틸레이터 증착을 위해서는 유로(422) 내의 온도 균일도(temperature uniformity)의 편차는 가능한 낮게 유지되는 것이 바람직하다. 유로(422) 내에서 오일 온도가 변화되는 가장 큰 요인은 오일 유입 흐름 라인(4224)에서의 온도가 오일 유출 흐름 라인(4228)에서의 온도보다 높기 때문이다.Meanwhile, in order to efficiently deposit the scintillator, it is desirable that the variation in temperature uniformity in the flow path 422 be kept as low as possible. The biggest factor that causes the oil temperature to change in the flow path 422 is that the temperature in the oil inlet flow line 4224 is higher than the temperature in the oil outlet flow line 4228 .

따라서 본 발명에서는 도 4에 도시된 바와 같이 유로(422) 전체의 온도 균일도를 유지하기 위해서 유로(422)의 오일 유입 흐름 라인(4224)과 오일 유출 흐름 라인(4228)이 교차식으로 배치되도록 형성하는 것이 바람직하다.Therefore, in the present invention, as shown in FIG. 4 , in order to maintain the temperature uniformity of the entire flow path 422 , the oil inflow flow line 4224 and the oil outflow flow line 4228 of the flow path 422 are formed to be alternately disposed. It is preferable to do

이 때, 오일 유입 흐름 라인(4224)과 오일 유출 흐름 라인(4228)의 교차 폭이 촘촘하게 형성될수록 유로(422) 전체의 온도 균일도는 좋아질 수 있다. At this time, as the cross width of the oil inlet flow line 4224 and the oil outlet flow line 4228 is formed densely, the temperature uniformity of the entire flow path 422 may be improved.

한편, 오일 유입 흐름 라인(4224)과 오일 유출 흐름 라인(4228)의 교차 폭이 촘촘하게 형성될수록 열교환기(H)에 의한 유로(422) 내의 온도 변화율은 감소하게 될 수 있으므로, 상기 오일 유입 흐름 라인(4224)과 오일 유출 흐름 라인(4228)의 교차 폭은 신틸레이터 증착 공정에 필요한 온도 변화율을 확보하는 범위 내에서 구성되는 것이 바람직하다.On the other hand, as the cross width of the oil inlet flow line 4224 and the oil outlet flow line 4228 is formed densely, the temperature change rate in the flow path 422 by the heat exchanger H may decrease, so that the oil inlet flow line The crossing width of the 4224 and the oil outflow flow line 4228 is preferably configured within a range that secures a temperature change rate required for the scintillator deposition process.

도 3(c)를 참조하면, 제 1 기판 온도 조절부(41)는 중앙부에 오일 유입 경로(24)가 통과되는 유입 오일 통과홀(412) 및 오일 배출 경로(25)가 통과되는 유출 오일 통과홀(414)을 포함한다. Referring to FIG. 3( c ), the first substrate temperature controller 41 has an inflow oil passage hole 412 through which the oil inlet path 24 passes and an outflow oil through which the oil discharge path 25 passes in the central portion. hole 414 .

오일 유입 경로(24)는 유입 오일 통과홀(412)을 통과하여 오일 유입홀(4222)에 연결될 수 있고, 오일 배출 경로(25)는 유출 오일 통과홀(414)을 통과하여 오일 유출홀(4226)에 연결될 수 있다. The oil inlet path 24 may pass through the inlet oil through hole 412 to be connected to the oil inlet 4222 , and the oil discharge path 25 may pass through the outflow oil through hole 414 to pass through the oil outlet hole 4226 . ) can be connected to

이 때, 유입 오일 통과홀(412) 및 유출 오일 통과홀(414)에는 오일이 유출되지 않도록 실링(미도시)이 구비될 수 있다. 또한, 오일 유입 경로(24)와 유입 오일 통과홀(412)의 직경 및 오일 배출 경로(25)와 유출 오일 통과홀(414)의 직경은 각각 동일하게 형성될 수 있다. At this time, a sealing (not shown) may be provided in the inflow oil passage hole 412 and the outflow oil passage hole 414 to prevent oil from flowing out. In addition, the diameters of the oil inlet path 24 and the inlet oil passing hole 412 and the oil outlet path 25 and the outgoing oil passing hole 414 may have the same diameter, respectively.

도 3(b), 도 3(c) 및 도 4를 참조하면, 제 1 기판 온도 조절부(41)는 중앙부에 기체 유입 경로(26)가 통과되는 유입 기체 통과홀(416) 및 기체 배출 경로(27)가 통과되는 유출 기체 통과홀(418)을 더 포함한다.3(b), 3(c) and 4 , the first substrate temperature controller 41 includes an inlet gas passage hole 416 through which the gas inlet passage 26 passes and a gas exhaust passage in the central portion. (27) further includes an outlet gas passage hole 418 through which it passes.

또한, 오일 흐름부(42)는 중앙부에 기체 유입 경로(26)가 통과되는 유입 기체 통과홀(424) 및 기체 배출 경로(27)가 통과되는 유출 기체 통과홀(426)을 더 포함한다.In addition, the oil flow portion 42 further includes an inlet gas passage hole 424 through which the gas inlet path 26 passes and an outlet gas passage hole 426 through which the gas discharge path 27 passes in the central portion.

본 발명의 실시예에서, 기체 유입 경로(26)는 제 1 기판 온도 조절부(41)에 구비된 유입 기체 통과홀(416) 및 오일 흐름부(42)에 구비된 유입 기체 통과홀(424)을 통과하여 후술되는 기판 고정부(50)에 구비된 기체 공급홀(524)에 연결되며, 기체 배출 경로(27)는 제 1 기판 온도 조절부(41)에 구비된 유출 기체 통과홀(418) 및 오일 흐름부(42)에 구비된 유출 기체 통과홀(426)을 통과하여 후술되는 기판 고정부(50)에 구비된 기체 배출홀(525)에 연결될 수 있다. In the embodiment of the present invention, the gas inlet path 26 includes an inlet gas passage hole 416 provided in the first substrate temperature control unit 41 and an inlet gas passage hole 424 provided in the oil flow unit 42 . It passes through and is connected to a gas supply hole 524 provided in the substrate fixing unit 50 to be described later, and the gas discharge path 27 is an outlet gas passage hole 418 provided in the first substrate temperature control unit 41 . And it may be connected to a gas discharge hole 525 provided in the substrate fixing unit 50 to be described later by passing through the outflow gas passage hole 426 provided in the oil flow portion 42 .

이 때, 기체 유입 경로(26)와 제 1 기판 온도 조절부(41)에 구비된 유입 기체 통과홀(416) 및 오일 흐름부(42)에 구비된 유입 기체 통과홀(424)의 직경은 동일하게 형성될 수 있고, 기체 배출 경로(27)와 제 1 기판 온도 조절부(41)에 구비된 유출 기체 통과홀(418) 및 오일 흐름부(42)에 구비된 유출 기체 통과홀(426)의 직경은 동일하게 형성될 수 있다. At this time, the diameters of the gas inlet path 26 and the inlet gas passing hole 416 provided in the first substrate temperature controller 41 and the inlet gas passing hole 424 provided in the oil flow part 42 are the same. of the outlet gas passage hole 418 provided in the gas discharge path 27 and the first substrate temperature control unit 41 and the outlet gas passage hole 426 provided in the oil flow unit 42 , The diameter may be the same.

또한, 제 1 기판 온도 조절부(41)에 구비된 유입 기체 통과홀(416), 오일 흐름부(42)에 구비된 유입 기체 통과홀(424), 제 1 기판 온도 조절부(41)에 구비된 유출 기체 통과홀(418) 및 오일 흐름부(42)에 구비된 유출 기체 통과홀(426)에는 오일이 유입되지 않도록 실링(미도시)이 구비될 수 있다.In addition, the inlet gas passage hole 416 provided in the first substrate temperature control unit 41 , the inlet gas passage hole 424 provided in the oil flow unit 42 , and the first substrate temperature control unit 41 are provided. A sealing (not shown) may be provided to prevent oil from flowing into the outlet gas passing hole 418 and the outlet gas passing hole 426 provided in the oil flow part 42 .

도시되지는 않았으나, 제 2 기판 온도 조절부(43)의 중앙부에도 기체 유입 경로(26)가 통과되는 유입 기체 통과홀 및 기체 배출 경로(27)가 통과되는 유출 기체 통과홀이 형성될 수 있다.Although not shown, an inlet gas passage hole through which the gas inlet path 26 passes and an outlet gas passage hole through which the gas discharge path 27 passes may be formed in the central portion of the second substrate temperature controller 43 .

본 발명의 실시예에서는, 기판 고정부(50)에 고정된 기판(2)에 열이 좀 더 효율적으로 전달될 수 있도록 제 2 기판 온도 조절부(43)는 제 1 기판 온도 조절부(41)보다 두께가 얇게 형성될 수 있다. In the embodiment of the present invention, the second substrate temperature control unit 43 is the first substrate temperature control unit 41 so that heat can be more efficiently transferred to the substrate 2 fixed to the substrate fixing unit 50 . It may be formed to have a thinner thickness.

상기 구성과 같이 제 2 기판 온도 조절부(43)가 제 1 기판 온도 조절부(41)보다 두께가 얇게 형성되면 오일이 순환되는 유로(422)와 기판(2) 사이의 간격이 짧아져서 신틸레이터 증착 공정이 진행되는 동안 기판(2)에 좀 더 열을 효율적으로 전달할 수 있다.As in the above configuration, when the second substrate temperature control unit 43 is formed to be thinner than the first substrate temperature control unit 41, the distance between the oil circulating flow path 422 and the substrate 2 is shortened, so that the scintillator During the deposition process, heat may be more efficiently transferred to the substrate 2 .

도 5는 본 발명의 기판 증착 장치(100, 200)에 구비된 기판 고정부(50)의 전체적인 형상을 나타낸 도면이고, 도 6은 본 발명의 기판 고정부(50)의 측단면도이다. 도 5에서 전술한 기판(2)의 도시는 생략하도록 한다.FIG. 5 is a view showing the overall shape of the substrate fixing unit 50 provided in the substrate deposition apparatuses 100 and 200 of the present invention, and FIG. 6 is a side cross-sectional view of the substrate fixing unit 50 of the present invention. The illustration of the above-described substrate 2 in FIG. 5 will be omitted.

도 5 및 도 6을 참조하면 기판 고정부(50)는, 일측면에 제 2 기판 온도 조절부(43)가 결합되는 제 1 고정부(52)와, 제 1 고정부(52)의 타측면에 결합되며 기판(2)의 전면이 노출되도록 액자 구조로 형성되는 제 2 고정부(54)를 포함한다.5 and 6 , the substrate fixing unit 50 includes a first fixing unit 52 to which the second substrate temperature control unit 43 is coupled to one side, and the other side of the first fixing unit 52 . It is coupled to and includes a second fixing portion 54 formed in a frame structure so that the front surface of the substrate (2) is exposed.

기판(2)은 제 1 고정부(52)와 제 2 고정부(54) 사이에 고정될 수 있으며, 상세하게는, 기판 고정부(50)는 제 1 고정부(52)에 기판(2)을 안착시킨 후 제 2 고정부(54)를 기판(2) 위에 위치되도록 하여 기판(2)을 고정할 수 있다. The substrate 2 may be fixed between the first fixing part 52 and the second fixing part 54 . Specifically, the substrate fixing part 50 is connected to the first fixing part 52 by the substrate 2 . After seating the second fixing part 54 to be positioned on the substrate 2, the substrate 2 can be fixed.

이 때, 기판(2)의 활성 영역(Active Area, A) 부분만 노출되도록 기판(2)을 제 1 고정부(52)와 제 2 고정부(54) 사이에 위치시킨 후, 제 1 고정부(52)와 제 2 고정부(54)를 복수의 연결부(56)를 통해 상호 결합시킬 수 있다. 본 발명의 실시예에서, 기판(2)의 활성 영역(A)은 기판의 전면 부분일 수 있다.At this time, after positioning the substrate 2 between the first fixing part 52 and the second fixing part 54 so that only the active area (A) portion of the substrate 2 is exposed, the first fixing part 52 and the second fixing part 54 may be coupled to each other through a plurality of connecting parts 56 . In an embodiment of the present invention, the active area A of the substrate 2 may be the front portion of the substrate.

기판(2)의 활성 영역(A)은 증발원(1)로부터 공급되는 신틸레이터 물질이 기판(2)에 증착되는 영역을 의미한다. 기판(2)의 활성 영역(A)은 기판(2)의 용도에 따라 제 2 고정부(54)의 내주면에 구비된 테두리부(542)의 제 2 고정부(54) 중심 방향으로의 돌출 두께를 조절함으로써 다양하게 설정될 수 있다. The active region A of the substrate 2 refers to a region in which the scintillator material supplied from the evaporation source 1 is deposited on the substrate 2 . The active region A of the substrate 2 has a thickness protruding in the center direction of the second fixing portion 54 of the edge portion 542 provided on the inner circumferential surface of the second fixing portion 54 according to the use of the substrate 2 . It can be set in various ways by adjusting .

또한, 제 1 고정부(52) 및 제 2 고정부(54)의 재질은 동일하게 구성될 수 있다. 상세하게는 제 1 고정부(52) 및 제 2 고정부(54)는 알루미늄(Al), 구리(Cu) 등의 금속 재질이 사용될 수 있으며 제 1 고정부(52) 및 제 2 고정부(54)의 재질을 동일하게 구성하여 제 1 고정부(52) 및 제 2 고정부(54)의 비열, 온도 변형률 등을 동일하게 할 수 있다. In addition, the material of the first fixing part 52 and the second fixing part 54 may be the same. In detail, a metal material such as aluminum (Al) or copper (Cu) may be used for the first fixing part 52 and the second fixing part 54 , and the first fixing part 52 and the second fixing part 54 may be used. ) can be made of the same material to make the specific heat, temperature strain, etc. of the first fixing part 52 and the second fixing part 54 the same.

상기와 같은 구성을 통해 기판 온도 조절부(40)로부터 기판 고정부(50)로 전도되는 열에 따라 제 1 고정부(52) 및 제 2 고정부(54)의 열적 부정합이 발생되어 기판 고정부(50)가 변형됨으로써 기판 고정부(50)에 고정된 기판(2)이 파손되는 것을 방지할 수 있다.According to the heat conducted from the substrate temperature control unit 40 to the substrate fixing unit 50 through the configuration as described above, thermal mismatch between the first fixing part 52 and the second fixing part 54 is generated, so that the substrate fixing part ( As the 50 is deformed, it is possible to prevent the substrate 2 fixed to the substrate fixing unit 50 from being damaged.

도 7은 본 발명의 기판 고정부(50) 중 제 1 고정부(52)를 나타낸 도면이고, 도 8은 도 6의 B부분 확대도이다.FIG. 7 is a view showing the first fixing part 52 of the substrate fixing part 50 of the present invention, and FIG. 8 is an enlarged view of part B of FIG. 6 .

도 6 내지 도 8을 참조하면 제 1 고정부(52)는, 제 1 고정부(52)의 내주 둘레를 따라 형성되는 홈부(521)와, 홈부(521)와 일정 간격 이격되어 홈부(521)의 내측에 구비되고 제 1 고정부(52)의 내주 둘레를 따라 형성되는 실링부재 수용부(522) 및 홈부(521)와 실링부재 수용부(522) 사이에 형성되는 적어도 하나의 가이드 핀(523)을 포함한다.6 to 8 , the first fixing part 52 includes a groove 521 formed along the inner periphery of the first fixing part 52 , and a groove part 521 spaced apart from the groove part 521 by a predetermined distance. At least one guide pin 523 provided inside of the sealing member accommodating part 522 and formed between the groove part 521 and the sealing member accommodating part 522 formed along the inner periphery of the first fixing part 52 . ) is included.

홈부(521)는 도 6 및 도 8에 도시된 바와 같이 기판(2)의 외측 단부가 제 1 고정부(52)와 직접적으로 맞닿지 않도록 소정의 여유 공간을 형성한다. 이에 따라 신틸레이터 증착 공정 완료 후 기판(2)을 제 1 고정부(52)로부터 분리할 때, 상기 홈부(521)를 통해 기판(2)을 떼어낼 수 있도록 하여 기판(2)의 파손을 방지할 수 있다. As shown in FIGS. 6 and 8 , the groove part 521 forms a predetermined free space so that the outer end of the substrate 2 does not directly contact the first fixing part 52 . Accordingly, when the substrate 2 is separated from the first fixing part 52 after completion of the scintillator deposition process, the substrate 2 can be removed through the groove 521 to prevent damage to the substrate 2 . can do.

실링부재 수용부(522)에는 도 6 및 도 8에 도시된 바와 같이 실링부재(O)가 수용될 수 있다. 실링부재 수용부(522) 내에 수용된 실링부재(O)는 기판(2)과 제 1 고정부(52) 사이의 간극을 밀폐할 수 있다. 일례로서, 실링부재(O)는 오 링(O-ring)일 수 있다.The sealing member O may be accommodated in the sealing member accommodating part 522 as shown in FIGS. 6 and 8 . The sealing member O accommodated in the sealing member accommodating part 522 may close the gap between the substrate 2 and the first fixing part 52 . As an example, the sealing member O may be an O-ring.

가이드 핀(523)은 제 1 고정부(52)로의 기판(2)의 안착을 가이드할 수 있다. 또한, 가이드 핀(523)은 제 1 고정부(52)에 안착되는 기판(2)의 TFT 영역(Thin film transistor area)의 손상을 방지하도록 정전기에 강한 테프론 등의 재질로 형성될 수 있다.The guide pin 523 may guide the seating of the substrate 2 to the first fixing part 52 . In addition, the guide pin 523 may be formed of a material such as Teflon that is strong in static electricity to prevent damage to a thin film transistor area (TFT area) of the substrate 2 seated on the first fixing part 52 .

도 5 및 도 7에 도시된 바와 같이 제 1 고정부(52)는 전술한 기체 유출입 제어부를 통해 제 1 고정부(52)와 기판(2)의 후면 사이에 기체가 주입되도록 하는 기체 공급홀(524) 및 제 1 고정부(52)와 기판(2)의 후면 사이로부터 기체가 배출되도록 하는 기체 배출홀(525)을 포함한다. As shown in FIGS. 5 and 7 , the first fixing part 52 has a gas supply hole ( 524 , and a gas discharge hole 525 through which gas is discharged from between the first fixing part 52 and the rear surface of the substrate 2 .

전술한 바와 같이 기체 유입 경로(26)와 기체 공급홀(524), 기체 배출 경로(27)와 기체 배출홀(525)의 직경은 각각 동일하게 형성될 수 있다.As described above, the diameters of the gas inlet path 26 , the gas supply hole 524 , the gas discharge path 27 , and the gas discharge hole 525 may be formed to be the same, respectively.

또한, 상기 기체 공급홀(524) 및 기체 배출홀(525)은 전술한 기판 온도 조절부(40)에 구비된 기체 홀(유입 기체 통과홀(416), 유입 기체 통과홀(424), 유출 기체 통과홀(418) 및 유출 기체 통과홀(426))과 일치되는 위치에 형성될 수 있다. In addition, the gas supply hole 524 and the gas exhaust hole 525 are the gas holes (inlet gas passage hole 416 , inlet gas passage hole 424 , and outlet gas provided in the above-described substrate temperature control unit 40 ). It may be formed at a position coincident with the passage hole 418 and the outlet gas passage hole 426).

이를 통해 기체 유입 경로(26)를 거쳐 기체 공급홀(524)을 통해 제 1 고정부(52)와 기판(2)의 후면 사이의 공간에 기체가 공급될 수 있다. 또한, 기체 배출 경로(27)를 거쳐 기체 배출홀(525)을 통해 제 1 고정부(52)와 기판(2)의 후면 사이의 공간으로부터 기체가 배출될 수 있다.Through this, the gas may be supplied to the space between the first fixing part 52 and the rear surface of the substrate 2 through the gas supply hole 524 through the gas inlet path 26 . In addition, gas may be discharged from the space between the first fixing part 52 and the rear surface of the substrate 2 through the gas discharge hole 525 through the gas discharge path 27 .

한편, 제 1 고정부(52)와 기판(2)의 후면 사이에 공급되는 기체는 헬륨(He) 등의 비활성 기체(noble gas)일 수 있다. Meanwhile, the gas supplied between the first fixing part 52 and the rear surface of the substrate 2 may be a noble gas such as helium (He).

헬륨은 원소주기율표 상에서 수소 다음으로 질량이 작고, 반응성이 거의 없으며, 미세한 입자이다(헬륨의 원자번호는 2번). 이러한 헬륨의 입자 특성으로 인해 전술한 바와 같이 실링부재 수용부(522)에 실링부재(O)가 삽입되더라도, 헬륨이 실링부재(O)와 기판(2) 사이의 간극 사이로 새어나와 챔버(10)의 내부로 유출될 수 있다. Helium is second only to hydrogen in mass on the periodic table of elements, has little reactivity, and is a fine particle (helium has an atomic number of 2). Due to the particle characteristics of helium, even when the sealing member O is inserted into the sealing member receiving part 522 as described above, the helium leaks through the gap between the sealing member O and the substrate 2 and the chamber 10 . may leak into the

따라서, 기체 공급홀(524) 및 기체 배출홀(525)은 제 1 고정부(52)와 기판(2)의 후면 사이에 공급된 헬륨의 유출을 최대한 방지할 수 있도록 실링부재 수용부(522)로부터 최대한 이격되도록 형성될 수 있으며, 바람직하게는 제 1 고정부(52)의 중앙에 위치될 수 있다.Accordingly, the gas supply hole 524 and the gas discharge hole 525 are provided with the sealing member receiving part 522 to prevent the leakage of helium supplied between the first fixing part 52 and the rear surface of the substrate 2 as much as possible. It may be formed to be spaced apart from each other as much as possible, and may be preferably located in the center of the first fixing part 52 .

도 6에 도시된 바와 같이 제 1 고정부(52)에는 하부에 적어도 하나의 함입부(526)가 형성될 수 있다. As shown in FIG. 6 , at least one recessed part 526 may be formed in the lower portion of the first fixing part 52 .

본 발명의 실시예에서, 제 1 고정부(52)와 제 2 고정부(54)의 무게 총합(기판 고정부(50)의 전체 무게)은 제 1 고정부(52)와 제 2 고정부(54)의 크기 변화에 관계없이 동일하게 유지되는 것이 바람직하다. In the embodiment of the present invention, the total weight of the first fixing part 52 and the second fixing part 54 (the total weight of the substrate fixing part 50) is the first fixing part 52 and the second fixing part ( 54), it is desirable to remain the same regardless of the size change.

예를 들어, 기판(2)의 크기가 작아지게 되면 기판(2)의 고정을 위해 제 2 고정부(54)의 크기가 커지게 되어 제 2 고정부(54)의 무게가 증가될 수 있다. 만약, 제 1 고정부(52)의 무게가 유지된다면 제 2 고정부(54)의 무게 증가로 인해 기판 고정부(50)의 전체 무게가 증가되므로 기판 고정부(50)를 통한 기판(2)으로의 열 전달 효율이 떨어질 수 있다. For example, when the size of the substrate 2 decreases, the size of the second fixing unit 54 increases for fixing the substrate 2 , so that the weight of the second fixing unit 54 may increase. If the weight of the first fixing part 52 is maintained, since the total weight of the substrate fixing part 50 is increased due to the increase in the weight of the second fixing part 54 , the substrate 2 through the substrate fixing part 50 is The heat transfer efficiency may decrease.

따라서, 본 발명의 실시예에서는 제 1 고정부(52)와 제 2 고정부(54)의 무게 총합은 제 1 고정부(52)와 제 2 고정부(54)의 크기 변화에 관계없이 동일하게 유지되는 것이 바람직하다.Therefore, in the embodiment of the present invention, the total weight of the first fixing part 52 and the second fixing part 54 is the same regardless of the size change of the first fixing part 52 and the second fixing part 54 . It is desirable to keep

전술한 바와 같이 기판(2)의 활성 영역(A)은 기판(2)의 용도에 따라, 제 2 고정부(54)의 내주면에 구비된 테두리부(542)의 제 2 고정부(54) 중심 방향으로의 돌출 두께를 조절함으로써 다양하게 설정될 수 있다. As described above, the active region A of the substrate 2 is the center of the second fixing part 54 of the edge part 542 provided on the inner circumferential surface of the second fixing part 54 depending on the purpose of the substrate 2 . It can be set in various ways by adjusting the protrusion thickness in the direction.

이 때, 테두리부(542)의 제 2 고정부(54) 중심 방향으로의 돌출 두께가 조정됨으로써 제 2 고정부(54)의 무게가 변경될 때, 제 1 고정부(52)와 제 2 고정부(54)의 무게 총합이 동일하게 유지되도록 제 1 고정부(52)도 교체될 수 있다. At this time, when the weight of the second fixing part 54 is changed by adjusting the protruding thickness of the edge part 542 in the center direction of the second fixing part 54, the first fixing part 52 and the second high The first fixing part 52 may also be replaced so that the total weight of the top 54 remains the same.

본 발명의 실시예에서, 제 1 고정부(52) 교체시 제 1 고정부(52)의 전체적인 치수(dimension)는 변경되지 않고, 제 1 고정부(52) 하부에 형성된 함입부(526)의 개수가 다른 제 1 고정부(52)로 교체함으로써 제 1 고정부(52)와 제 2 고정부(54)의 무게 총합이 동일하게 유지되도록 할 수 있다.In the embodiment of the present invention, when the first fixing part 52 is replaced, the overall dimension of the first fixing part 52 is not changed, and the recessed part 526 formed in the lower part of the first fixing part 52 is not changed. By replacing the first fixing part 52 with a different number, the total weight of the first fixing part 52 and the second fixing part 54 may be maintained the same.

도 9는 본 발명의 기판(2)에 형성되는 엣지부(222)를 나타낸 도면이다.9 is a view showing an edge portion 222 formed on the substrate 2 of the present invention.

본 발명의 실시예에서, 제 1 고정부(52)와 기판(2)의 후면 사이에 공간을 형성하고 그 공간에 기체를 주입하기 위해서는 기판(2)의 활성 영역(A) 외측에서 전술한 실링부재(O)에 응력을 가해주는 것이 바람직하다.In the embodiment of the present invention, in order to form a space between the first fixing part 52 and the rear surface of the substrate 2 and inject gas into the space, the above-described sealing is performed outside the active area A of the substrate 2 . It is preferable to apply a stress to the member O.

도 6, 도 8 및 도 9를 참조하면 본 발명에서는, 제 1 고정부(52)와 기판(2)의 후면 사이에 기체를 주입할 수 있도록 활성 영역(A)의 외측에 엣지부(222)가 설정될 수 있다. 6, 8, and 9, in the present invention, the edge portion 222 on the outside of the active region (A) so as to inject gas between the first fixing portion 52 and the back surface of the substrate (2) can be set.

엣지부(222)는 도 8에 도시된 바와 같이 제 2 고정부(54)와 실링부재(O) 사이에 배치되어 실링부재(O)에 응력을 가해줄 수 있다. 상기 엣지부(222)에서 실링부재(O)에 응력을 가해주므로 제 1 고정부(52)와 기판(2)의 후면 사이에 기체가 주입될 수 있는 공간을 안정적으로 형성할 수 있다.The edge part 222 may be disposed between the second fixing part 54 and the sealing member O as shown in FIG. 8 to apply stress to the sealing member O. As shown in FIG. Since stress is applied to the sealing member O at the edge portion 222 , a space into which gas can be injected can be stably formed between the first fixing portion 52 and the rear surface of the substrate 2 .

바람직하게는, 엣지부(222)는 기판(2)의 외측 모서리 부분을 따라서 일정 면적으로 설정될 수 있다.Preferably, the edge portion 222 may be set to a predetermined area along the outer edge portion of the substrate (2).

한편, 신틸레이터 증착 공정이 완료된 후에 기판(2)에서 증착 재료가 증착된 활성 영역(A) 부분을 제외한 엣지부(222)는 활성 영역(A)으로부터 분리될 수 있다.Meanwhile, after the scintillator deposition process is completed, the edge portion 222 of the substrate 2 excluding the portion of the active area A on which the deposition material is deposited may be separated from the active area A.

신틸레이터 증착 공정이 완료되면 제 1 고정부(52)에서 증착 재료의 증착이 완료된 기판(2)을 떼어내야 하는데, 실링부재(O)와 기판(2) 간의 접착으로 인해 기판(2)이 쉽게 떨어지지 않는 경우가 발생할 수 있다. 또한, 신틸레이터 증착 공정 진행 중에 기판(2)의 전면 외측(챔버(10)의 내부)은 진공 상태이며, 제 1 고정부(52)와 기판(2)의 후면 사이에는 기체가 주입되므로 제 1 고정부(52)와 기판(2)의 후면 사이의 공간과 기판(2)의 전면 외측 사이의 압력차로 인해 기판(2)이 절곡되어 파손될 가능성이 있다.When the scintillator deposition process is completed, the substrate 2 on which the deposition material has been deposited must be removed from the first fixing unit 52 . Due to the adhesion between the sealing member O and the substrate 2 , the substrate 2 is easily removed. There may be cases where it does not fall off. In addition, during the scintillator deposition process, the outside of the front surface (inside the chamber 10) of the substrate 2 is in a vacuum state, and gas is injected between the first fixing part 52 and the back surface of the substrate 2, so that the first There is a possibility that the substrate 2 is bent and damaged due to a pressure difference between the space between the fixing part 52 and the rear surface of the substrate 2 and the front surface of the substrate 2 .

이러한 문제점을 방지하기 위해 본 발명에서는 도 8에 도시된 바와 같이 실링부재 수용부(522)에 수용된 실링부재(O)가 기판(2)과 선 접촉이 아닌 면 접촉하도록 형성될 수 있다. To prevent this problem, in the present invention, as shown in FIG. 8 , the sealing member O accommodated in the sealing member accommodating part 522 may be formed to be in surface contact with the substrate 2 rather than in line contact.

일례로서, 도 8에 도시된 실링부재(O)는 기판(2)과 접촉되는 면이 사각형상으로 형성될 수 있다. 또한, 전술한 바와 같이 홈부(521)는 기판(2)의 외측 단부가 제 1 고정부(52)와 직접적으로 맞닿지 않도록 소정의 여유 공간을 형성하여 기판(2)의 외측 단부가 휘는 것을 방지할 수 있다. As an example, the sealing member O shown in FIG. 8 may have a surface in contact with the substrate 2 in a rectangular shape. In addition, as described above, the groove portion 521 prevents the outer end of the substrate 2 from being bent by forming a predetermined free space so that the outer end of the substrate 2 does not directly contact the first fixing portion 52 . can do.

전술한 실링부재(O)의 형상은 도 8에 도시된 바와 같이 단면형상이 사각형상에 한정되지 않고, 원형, 삼각형, 오각형, 육각형 등 다양한 형상이 가능할 수 있다.The shape of the above-described sealing member O is not limited to a rectangular cross-sectional shape as shown in FIG. 8, and various shapes such as a circle, a triangle, a pentagon, and a hexagon may be possible.

또는, 실링부재 수용부(522)를 적어도 두 개의 수용홈(미도시)으로 구성하여, 상기 수용홈에 적어도 두 개의 실링부재(O)가 수용되도록 구성하는 것도 가능하다.Alternatively, it is also possible to configure the sealing member accommodating part 522 with at least two receiving grooves (not shown) so that at least two sealing members O are accommodated in the receiving groove.

두 개 이상의 실링부재(O)를 구성하는 경우에는 실링부재(O)의 단면형상이 원형일 수 있으며, 이 경우에도 도 8에 도시된 실시예와 마찬가지로 수용홈에 수용된 복수의 실링부재(O)가 기판(2)과 면 접촉될 수 있다. In the case of constituting two or more sealing members O, the cross-sectional shape of the sealing member O may be circular, and in this case, as in the embodiment shown in FIG. may be in surface contact with the substrate 2 .

전술한 구성을 통해 실링부재(O)가 기판(2)과 면 접촉되어 글라스부의 탈착이 용이하게 되며, 기판(2)의 절곡으로 인해 발생되는 기판(2)의 파손을 방지할 수 있다.Through the above-described configuration, the sealing member O is in surface contact with the substrate 2 to facilitate detachment of the glass portion, and it is possible to prevent damage to the substrate 2 caused by bending of the substrate 2 .

한편, 테프론 등 접착력을 감소시킬 수 있는 물질을 실링부재(O)의 표면에 코팅하여 사용할 경우에는 단면이 원형인 하나의 실링부재(O)를 실링부재 수용부(522)에 배치하는 것도 가능하다.On the other hand, when using a material capable of reducing adhesion, such as Teflon, by coating the surface of the sealing member (O), it is also possible to arrange one sealing member (O) having a circular cross section in the sealing member receiving portion (522). .

도 10은 본 발명의 제 1 고정부(52)와 기판(2) 사이에 형성되는 스페이스(S)를 나타낸 도면이다(도 6의 C부분 확대도). 도 10에서 전술한 함입부(526)의 도시는 생략하도록 한다.10 is a view showing a space (S) formed between the first fixing part 52 and the substrate 2 of the present invention (enlarged view of part C in FIG. 6). The illustration of the above-described recessed portion 526 in FIG. 10 will be omitted.

도 10을 참조하면, 전술한 바와 같이 제 1 고정부(52)와 기판(2)의 후면 사이에는 공간이 형성될 수 있다. 본 발명에서는 상기 공간을 스페이스(S)로 정의한다.Referring to FIG. 10 , a space may be formed between the first fixing part 52 and the rear surface of the substrate 2 as described above. In the present invention, the space is defined as a space (S).

상기 스페이스(S)에는 전술한 바와 같이 기체 공급홀(524)을 통해 기체가 주입될 수 있으며, 기체 배출홀(525)을 통해 스페이스(S)로부터 기체가 배출될 수 있다. As described above, gas may be injected into the space S through the gas supply hole 524 , and gas may be discharged from the space S through the gas discharge hole 525 .

도 11은 본 발명의 기판 고정부(50) 중 제 2 고정부(54)의 일부를 확대하여 나타낸 도면이다(도 6의 D부분 확대도). 도 11에서 기판(2)의 도시는 생략하도록 한다.11 is an enlarged view showing a part of the second fixing part 54 of the substrate fixing part 50 of the present invention (enlarged view of part D of FIG. 6 ). The illustration of the substrate 2 in FIG. 11 will be omitted.

도 11을 참조하면, 제 2 고정부(54)는 전술한 제 2 고정부(54)의 내주면에 형성된 테두리부(542)와, 테두리부(542)의 단부에 형성되는 마스크 영역(mask area, 544)을 포함한다.Referring to FIG. 11 , the second fixing part 54 includes an edge part 542 formed on the inner circumferential surface of the above-described second fixing part 54 , and a mask area formed at an end of the edge part 542 , 544).

전술한 바와 같이, 기판(2)의 활성 영역(A)은 기판(2)의 용도에 따라, 제 2 고정부(54)의 내주면에 구비된 테두리부(542)의 제 2 고정부(54) 중심부 방향으로의 돌출 두께를 조절함으로써 다양하게 설정될 수 있다.As described above, the active region A of the substrate 2 is a second fixing part 54 of the edge part 542 provided on the inner circumferential surface of the second fixing part 54 depending on the purpose of the substrate 2 . It can be set in various ways by adjusting the thickness of the protrusion in the direction of the center.

테두리부(542)의 수직방향으로의 두께(높이)는 기판(2)의 활성 영역(A)에 증착되는 증착 재료의 원활한 증착이 이루어지도록, 그리고 제 2 고정부(54)의 가공 용이성 및 제조 비용 등을 고려하여 최소한의 두께로 형성되는 것이 바람직하다.The thickness (height) of the edge portion 542 in the vertical direction is such that the deposition material deposited on the active area A of the substrate 2 is smoothly deposited, and the processing and manufacturing of the second fixing portion 54 is easy and manufactured. It is preferable to be formed with a minimum thickness in consideration of cost and the like.

도 11의 확대도를 참조하면, 마스크 영역(544)은 기판(2)의 활성 영역(A)의 단부와 맞닿는 부분이다. 이 때, 마스크 영역(544)의 수직방향으로의 두께(높이)는 증착 재료의 활성 영역(A)으로의 원활한 증착이 이루어지도록, 그리고 제 2 고정부(54)의 가공 용이성 및 제조 비용 등을 고려하여 최소한의 두께로 형성되는 것이 바람직하다.Referring to the enlarged view of FIG. 11 , the mask region 544 is a portion in contact with the end of the active region A of the substrate 2 . At this time, the thickness (height) of the mask region 544 in the vertical direction is such that the deposition material can be smoothly deposited into the active region A, and the processing easiness and manufacturing cost of the second fixing part 54 are reduced. It is preferable to be formed with a minimum thickness in consideration.

한편, 증착 재료가 기판(2)의 활성 영역(A)에 증착될 때, 상기 마스크 영역(544)에 슬로프(Slope) 형태로 접착되어 증착 효율이 낮아지는 문제점이 발생할 수 있다. Meanwhile, when the deposition material is deposited on the active region A of the substrate 2 , it is adhered to the mask region 544 in the form of a slope, thereby reducing deposition efficiency.

이러한 문제점을 방지하기 위해 본 발명의 실시예에서는, 마스크 영역(544)이 테두리부(542)의 하면에 대해서 제 2 고정부(54)의 중심부 방향으로 기울어지게 형성되도록 할 수 있다.In order to prevent this problem, in the embodiment of the present invention, the mask region 544 may be formed to be inclined toward the center of the second fixing part 54 with respect to the lower surface of the edge part 542 .

일례로서, 도 11의 확대도에 도시된 바와 같이 마스크 영역(544)의 경사 각도를 테두리부(542)의 하면에 대해서 제 2 고정부(54)의 중심부 방향으로 90도보다 더 큰 각도를 가지도록 설정할 수 있다. As an example, as shown in the enlarged view of FIG. 11 , the inclination angle of the mask region 544 has an angle greater than 90 degrees in the central direction of the second fixing part 54 with respect to the lower surface of the edge part 542 . can be set to

상기와 같은 구성을 통해 기판(2)의 활성 영역(A)에 증착되는 증착 재료가 마스크 영역(544)에 슬로프 형태로 접착되는 것을 최소화함으로써 신틸레이터 증착 공정 이후 기판(2)이 제 2 고정부(54)로부터 더 쉽게 분리될 수 있도록 하며, 신틸레이터의 증착 효율을 높일 수 있다. Through the above configuration, the deposition material deposited on the active region A of the substrate 2 is minimized from being adhered to the mask region 544 in the form of a slope, so that after the scintillator deposition process, the substrate 2 is secured to the second fixing part. (54) can be more easily separated, and the deposition efficiency of the scintillator can be increased.

도 12는 본 발명의 기판 증착 장치(100, 200)에 구비되는 기체 유출입 제어부(60) 구성을 나타낸 도면이다. 도 12에서는 전술한 증발원(1), 자전부(20, 120), 공전부(130)의 세부 구성에 대해서는 간략히 도시하거나 그 도시를 생략하도록 한다.12 is a diagram illustrating the configuration of the gas inflow/outflow control unit 60 provided in the substrate deposition apparatuses 100 and 200 of the present invention. In FIG. 12 , the detailed configuration of the evaporation source 1 , the rotation units 20 , 120 , and the revolution unit 130 described above is briefly illustrated or omitted.

본 발명의 기판 증착 장치(100, 200)에 있어서, 전술한 스페이스(S)에 기체를 공급함으로써, 스페이스(S)에 공급된 기체를 매개체로 하여 대류에 의해 기판(2)에 전달되는 열을 조절하는 방식을 후면 냉각(backside cooling)이라고 한다. In the substrate deposition apparatuses 100 and 200 of the present invention, by supplying the gas to the above-described space (S), the heat transferred to the substrate (2) by convection using the gas supplied to the space (S) as a medium is reduced. This control method is called backside cooling.

본 발명에서, 전술한 기판 온도 조절부(40)로부터의 기판 고정부(50) 및 기판 고정부(50)에 고정된 기판(2)으로의 열 전달 방식은 대류 외에도 복사, 전도 등이 있다. In the present invention, a method of transferring heat from the above-described substrate temperature controller 40 to the substrate fixing unit 50 and the substrate 2 fixed to the substrate fixing unit 50 includes radiation, conduction, etc. in addition to convection.

다만, 복사에 의한 열 전달의 경우 복사열을 통해 기판(2)의 온도를 상승시킬 수 있으나, 복사에 의한 열 전달의 경우 기판(2)의 온도를 낮추는 것은 불가능하며, 정교한 온도제어가 어려운 문제점이 있다. However, in the case of heat transfer by radiation, the temperature of the substrate 2 can be raised through radiant heat, but in the case of heat transfer by radiation, it is impossible to lower the temperature of the substrate 2, and it is difficult to precisely control the temperature. have.

또한 전도에 의한 열 전달의 경우 금속 재질인 기판 온도 조절부(40)와 기판 고정부(50)의 표면 평탄도 때문에 금속 분자 간에 맞닿는 부분은 기판 온도 조절부(40)와 기판 고정부(50)의 전체 표면적의 1% 정도이며, 기판 온도 조절부(40)와 기판 고정부(50) 간의 맞닿는 부분을 증가시키기 위해 정전기 척(electrostatic chuck, ESC)을 사용하는 경우, 기판(2) 상의 TFT 영역(Thin film transistor area)이 손상될 가능성이 높다.In addition, in the case of heat transfer by conduction, because of the flatness of the surface of the substrate temperature control unit 40 and the substrate fixing unit 50 made of a metal material, the portion in contact between the metal molecules is the substrate temperature control unit 40 and the substrate fixing unit 50 . TFT area on the substrate 2 when an electrostatic chuck (ESC) is used to increase the contact portion between the substrate temperature control unit 40 and the substrate fixing unit 50 , which is about 1% of the total surface area of the (Thin film transistor area) is likely to be damaged.

따라서, 본 발명에서는 전술한 복사 또는 전도 뿐만 아니라 스페이스(S)에 기체를 공급함으로써 스페이스(S)에 공급된 기체를 매개체로 하여 대류에 의해 기판(2)에 전달되는 열을 조절하도록 한다.Therefore, in the present invention, by supplying gas to the space (S) as well as the radiation or conduction described above, the heat transferred to the substrate (2) by convection is controlled by using the gas supplied to the space (S) as a medium.

일반적으로 기판(2)은 유리 패널 재질일 수 있으며, 연질의 기판(2)은 작은 압력에도 파손될 위험성이 매우 높다.In general, the substrate 2 may be made of a glass panel material, and the soft substrate 2 has a very high risk of being damaged even under a small pressure.

본 발명에서 신틸레이터 증착 공정이 가능하도록 하기 위해서는 사전적으로 챔버(10) 내부를 진공 상태로 만들어 주는 것이 바람직하다. 이 때, 사전적으로 챔버(10) 내부를 진공 상태로 만드는 단계에서 스페이스(S) 또한 진공 상태로 만들지 않으면, 스페이스(S)와 챔버(10) 내부 사이의 압력차로 인해 기판(2)이 파손될 수 있다. 다만, 본 발명의 실시예에서 기판(2)이 연질이 아닐 경우에는 전술한 바와 같이 반드시 스페이스(S)를 진공 상태로 형성해야 하는 것은 아니다.In order to enable the scintillator deposition process in the present invention, it is preferable to make the inside of the chamber 10 in a vacuum state in advance. At this time, if the space (S) is also not vacuumed in the step of making the inside of the chamber 10 in a vacuum state in advance, the substrate 2 may be damaged due to the pressure difference between the space (S) and the inside of the chamber 10 have. However, in the embodiment of the present invention, when the substrate 2 is not soft, the space S is not necessarily formed in a vacuum state as described above.

사전적으로 챔버(10) 내부를 진공 상태로 만드는 단계에서, 챔버(10) 내부와 스페이스(S)가 분리된 상태에서 챔버(10) 내부와 스페이스(S) 모두를 진공 상태로 만들기 위해 펌핑(pumping)을 실시하게 되면 챔버(10) 내부와 스페이스(S) 모두의 펌핑 속도(pumping speed)를 제어해야 하는 문제점이 있다.In the step of making the inside of the chamber 10 in a vacuum state in advance, in a state in which the inside of the chamber 10 and the space (S) are separated, pumping (pumping) to make both the inside of the chamber 10 and the space (S) into a vacuum state ), there is a problem in that the pumping speed of both the inside of the chamber 10 and the space (S) must be controlled.

이러한 문제를 방지하기 위해서는, 챔버(10) 내부를 진공 상태로 만들어줄 때 스페이스(S)와 챔버(10)의 내부 공간을 연결되어 있는 상태로 만들어 주는 것이 바람직하다.In order to prevent this problem, it is preferable to make the space (S) and the internal space of the chamber 10 in a connected state when making the inside of the chamber 10 in a vacuum state.

도 12를 참조하면, 기체 유출입 제어부(60)는 전술한 기체 배출홀(525)을 통해 스페이스(S)에 연결되고 스페이스(S)에 일정한 펌핑 속도로 펌핑을 실시하는 펌프(61)와, 기체 공급홀(524)을 통해 스페이스(S)에 연결되고 스페이스(S)에 공급되는 기체를 수용하는 기체 공급원(62)과, 기체 공급원(62)에 연결되고 스페이스(S)에 공급되는 기체의 압력을 조절하는 압력 컨트롤러(63, pressure controller)를 포함한다. Referring to FIG. 12 , the gas inflow and outflow control unit 60 is connected to the space (S) through the gas discharge hole 525 described above and pumps the space (S) at a constant pumping rate. A gas supply source 62 connected to the space S through the supply hole 524 and accommodating the gas supplied to the space S, and the pressure of the gas connected to the gas supply source 62 and supplied to the space S It includes a pressure controller (63, pressure controller) for regulating the.

이 때, 압력 컨트롤러(63)는 기체 공급원(62)과 스페이스(S) 사이에 형성될 수 있다. 또한, 기체 공급원(62)에 수용된 기체는 비활성 기체, 바람직하게는 헬륨일 수 있다. At this time, the pressure controller 63 may be formed between the gas supply source 62 and the space (S). Also, the gas contained in the gas source 62 may be an inert gas, preferably helium.

또한, 기체 유출입 제어부(60)는 챔버(10)와 스페이스(S) 사이에 구비되는 제 1 밸브(64)와, 챔버(10)와 펌프(61) 사이에 구비되는 제 2 밸브(65)와, 펌프(61)와 스페이스(S) 사이에 구비되는 제 3 밸브(66) 및 스페이스(S)와 압력 컨트롤러(63) 사이에 구비되는 제 4 밸브(67)를 더 포함한다. 일례로서, 제 1 밸브(64), 제 2 밸브(65), 제 3 밸브(66) 및 제 4 밸브(67)는 정상 개방 밸브(normal open valve)일 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다. In addition, the gas inflow control unit 60 includes a first valve 64 provided between the chamber 10 and the space S, and a second valve 65 provided between the chamber 10 and the pump 61 , and , It further includes a third valve 66 provided between the pump 61 and the space S, and a fourth valve 67 provided between the space S and the pressure controller 63 . As an example, the first valve 64 , the second valve 65 , the third valve 66 , and the fourth valve 67 may be normally open valves, but are not limited thereto.

한편, 제 2 밸브(65)는 챔버(10) 내부로부터 배출되는 공기의 통과 유량이 서로 다른 복수 개의 밸브로 구비되는 것도 가능하며, 제 2 밸브(65)는 펌프로 구비될 수도 있다. 또한, 제 3 밸브(66)도 스페이스(S)로부터 배출되는 기체의 통과 유량이 서로 다른 복수 개의 밸브로 구비될 수도 있다. Meanwhile, the second valve 65 may be provided as a plurality of valves having different flow rates of air discharged from the inside of the chamber 10 , and the second valve 65 may be provided as a pump. In addition, the third valve 66 may also be provided as a plurality of valves having different flow rates of the gas discharged from the space S.

본 발명의 실시예에서, 기체 유출입 제어부(60)의 구동은 메인 컨트롤러(68)에 의해 제어될 수 있다.In the embodiment of the present invention, the operation of the gas inflow and outflow control unit 60 may be controlled by the main controller 68 .

상기 기체 유출입 제어부(60)는, 일측이 챔버(10)와 연결되고 타측이 스페이스(S)와 연결되거나 분리되는 제 1 기체 배출 라인(601)과, 일측이 챔버(10)와 연결되고 타측이 펌프(61)와 연결되거나 분리되는 제 2 기체 배출 라인(602)과, 일측이 펌프(61)와 연결되고 타측이 스페이스(S)와 연결되거나 분리되는 제 3 기체 배출 라인(603) 및 일측이 기체 공급원(62)과 연결되고 타측이 스페이스(S)와 연결되거나 분리되는 기체 공급 라인(604)을 더 포함한다.The gas outflow control unit 60 includes a first gas discharge line 601 having one side connected to the chamber 10 and the other side connected to or separated from the space S, and one side connected to the chamber 10 and the other side connected to the chamber 10 . A second gas discharge line 602 connected to or separated from the pump 61, a third gas discharge line 603 having one side connected to the pump 61 and the other side connected to or separated from the space S, and one side It further includes a gas supply line 604 connected to the gas supply source 62 and the other side connected to or separated from the space S.

이 때, 제 1 기체 배출라인(601) 상에는 제 1 밸브(64)가 구비되고, 제 2 기체 배출 라인(602) 상에는 제 2 밸브(65)가 구비되며, 제 3 기체 배출 라인(603) 상에는 제 3 밸브(66)가 구비되고, 기체 공급 라인(604) 상에는 압력 컨트롤러(63) 및 제 4 밸브(67)가 구비될 수 있다.At this time, the first valve 64 is provided on the first gas discharge line 601 , the second valve 65 is provided on the second gas discharge line 602 , and the third gas discharge line 603 is provided on the A third valve 66 may be provided, and a pressure controller 63 and a fourth valve 67 may be provided on the gas supply line 604 .

상기 제 1 기체 배출 라인(601)은 제 1 밸브(64)의 개폐에 따라 전술한 기체 유입 경로(26)를 통해 스페이스(S)와 연결되거나, 분리될 수 있다. 일례로서, 제 1 기체 배출 라인(601)은 제 1 밸브(64)가 개방될 때, 기체 유입 경로(26)와 연결될 수 있다.The first gas discharge line 601 may be connected to or separated from the space S through the gas inlet path 26 described above according to the opening and closing of the first valve 64 . As an example, the first gas discharge line 601 may be connected to the gas inlet path 26 when the first valve 64 is opened.

제 2 기체 배출 라인(602)은 제 2 밸브(65)의 개폐에 따라 펌프(61)와 연결되거나 분리될 수 있다. 일례로서, 제 2 기체 배출 라인(602)은 제 2 밸브(65)가 개방될 때, 펌프(61)와 연결될 수 있다.The second gas discharge line 602 may be connected to or separated from the pump 61 according to the opening and closing of the second valve 65 . As an example, the second gas discharge line 602 may be connected to the pump 61 when the second valve 65 is opened.

제 3 기체 배출 라인(603)은 제 3 밸브(66)의 개폐에 따라 전술한 기체 배출 경로(27)를 통해 스페이스(S)와 연결되거나, 분리될 수 있다. 일례로서, 제 3 기체 배출 라인(603)은 제 3 밸브(66)가 개방될 때, 기체 배출 경로(27)와 연결될 수 있다.The third gas discharge line 603 may be connected to or separated from the space S through the above-described gas discharge path 27 according to the opening and closing of the third valve 66 . As an example, the third gas discharge line 603 may be connected to the gas discharge path 27 when the third valve 66 is opened.

또한, 기체 공급 라인(604)은 제 4 밸브(67)의 개폐에 따라 기체 유입 경로(26)를 통해 스페이스(S)와 연결되거나, 분리될 수 있다. 일례로서, 기체 공급 라인(604)은 제 4 밸브(67)가 개방될 때, 기체 유입 경로(26)와 연결될 수 있다.In addition, the gas supply line 604 may be connected to or separated from the space S through the gas inlet path 26 according to the opening and closing of the fourth valve 67 . As an example, the gas supply line 604 may be connected to the gas inlet path 26 when the fourth valve 67 is opened.

증착 재료 증착을 위해서 사전적으로 챔버(10) 내부를 진공 상태로 만드는 단계에서, 스페이스(S)와 챔버(10) 내부를 진공 상태로 형성하기 위해 상기 제 1 밸브(64)와 제 2 밸브(65)는 개방될 수 있다. 이 때, 제 3 밸브(66)와 제 4 밸브(67)는 폐쇄된 상태일 수 있다.In the step of making the inside of the chamber 10 in a vacuum state in advance for depositing the deposition material, the first valve 64 and the second valve 65 to form the space S and the inside of the chamber 10 in a vacuum state ) can be opened. At this time, the third valve 66 and the fourth valve 67 may be in a closed state.

제 1 밸브(64)와 제 2 밸브(65)가 개방되면 챔버(10) 내에 있던 공기가 제 1 기체 배출 라인(601) 및 제 2 기체 배출 라인(602)을 통해 챔버(10)의 외부로 배출될 수 있다. When the first valve 64 and the second valve 65 are opened, the air in the chamber 10 is discharged to the outside of the chamber 10 through the first gas discharge line 601 and the second gas discharge line 602 . can be emitted.

상세하게는 제 1 밸브(64)가 개방되면서 제 1 기체 배출 라인(601)이 기체 유입 경로(26)와 연결될 수 있다. In detail, the first gas discharge line 601 may be connected to the gas inlet path 26 while the first valve 64 is opened.

이에 따라 제 1 기체 배출 라인(601)이 기체 유입 경로(26)를 통해 스페이스(S)와 연결됨으로써, 스페이스(S)와 챔버(10)의 내부 공간이 연결될 수 있다.Accordingly, as the first gas discharge line 601 is connected to the space S through the gas inlet path 26 , the space S and the internal space of the chamber 10 may be connected.

이 때, 챔버(10) 내부에 있던 공기는 제 1 기체 배출 라인(601)을 통해 챔버(10)의 외부로 배출될 수 있으며, 스페이스(S)에 있던 공기도 기체 유입 경로(26)를 통해 외부로 배출될 수 있다.At this time, the air in the chamber 10 may be discharged to the outside of the chamber 10 through the first gas discharge line 601 , and the air in the space S may also be discharged through the gas inlet path 26 . can be discharged outside.

또한, 제 2 밸브(65)가 개방되면서 제 2 기체 배출 라인(602)이 펌프(61)와 연결될 수 있고, 챔버(10) 내부에 있던 공기는 제 2 기체 배출 라인(602)을 통해서도 챔버(10)의 외부로 배출될 수 있다.In addition, as the second valve 65 is opened, the second gas discharge line 602 may be connected to the pump 61, and the air in the chamber 10 is also transferred through the second gas discharge line 602 to the chamber ( 10) can be discharged to the outside.

상기와 같이 스페이스(S)와 챔버(10)의 내부 공간이 연결됨으로써 정교한 펌핑 제어 없이도 스페이스(S)와 챔버(10) 내부 모두를 진공으로 만들 수 있고 스페이스(S)와 챔버(10) 내부 사이의 압력차에 따른 기판(2)의 파손을 방지할 수 있다.By connecting the space (S) and the inner space of the chamber (10) as described above, both the space (S) and the inside of the chamber (10) can be made into a vacuum without sophisticated pumping control, and between the space (S) and the inside of the chamber (10) It is possible to prevent damage to the substrate 2 due to the pressure difference.

상기 단계에 따라 챔버(10) 및 스페이스(S)가 진공 상태가 되면, 전술한 후면 냉각(backside cooling) 적용을 위해 챔버(10)의 내부 공간과 스페이스(S)를 분리된 상태로 만들어 주는 것이 바람직하다.When the chamber 10 and the space (S) are in a vacuum state according to the above steps, making the internal space and the space (S) of the chamber 10 in a separated state for the above-mentioned backside cooling application desirable.

챔버(10) 및 스페이스(S)가 진공 상태가 된 다음, 신틸레이터 증착 공정 진행시 제 1 밸브(64)와 제 2 밸브(65)는 폐쇄되고, 제 3 밸브(66)와 제 4 밸브(67)는 개방될 수 있다. After the chamber 10 and the space S are in a vacuum state, the first valve 64 and the second valve 65 are closed during the scintillator deposition process, and the third valve 66 and the fourth valve ( 67) can be opened.

이 때, 제 1 기체 배출 라인(601)은 스페이스(S)와 분리되고, 제 2 기체 배출 라인(602)은 펌프(61)와 분리될 수 있다.At this time, the first gas discharge line 601 may be separated from the space S, and the second gas discharge line 602 may be separated from the pump 61 .

이에 따라 챔버(10)의 내부 공간과 스페이스(S)가 분리된 상태가 될 수 있다.Accordingly, the inner space of the chamber 10 and the space (S) may be in a separated state.

기체를 이용하는 대류에 의한 열전달은 특정한 조건이 만족되어야 하는데, 이 때 점성 유동(viscous flow)이 생성될 수 있도록 기체의 압력이 특정 압력 값 이상이 되는 것이 바람직하다. 또한, 점성 유동이 생성되더라도 사용되는 기체마다 열 전달 효율이 다르다.For heat transfer by convection using gas, certain conditions must be satisfied. In this case, it is preferable that the pressure of the gas be greater than or equal to a certain pressure value so that a viscous flow can be generated. In addition, even if a viscous flow is generated, the heat transfer efficiency is different for each gas used.

전술한 바와 같이 본 발명의 스페이스(S)에 공급되는 기체는 바람직하게는 헬륨일 수 있으며, 헬륨은 원소주기율표 상에서 수소 다음으로 질량이 작고, 반응성이 거의 없는 미세한 입자로서 가장 좋은 열 전달 효율을 가진다.As described above, the gas supplied to the space (S) of the present invention may be preferably helium, and helium has the lowest mass after hydrogen on the periodic table of elements, and is a fine particle with little reactivity and has the best heat transfer efficiency. .

헬륨의 경우 매우 미세한 입자로서, 아주 작은 간극을 통해서도 외부로 유출될 수 있다. 상기 간극은 전술한 제 1 고정부(52)와 기판(2) 사이의 간극일 수 있다. 이러한 간극을 통한 헬륨의 유출은 공학적으로 제어하기 어려운 부분이나, 별도의 인위적인 방법으로 유출이 이루어지도록 함으로써 상기 간극을 통한 유출이 주는 영향을 최소화할 수 있다.In the case of helium, it is a very fine particle, and it can flow out through a very small gap. The gap may be a gap between the first fixing part 52 and the substrate 2 described above. Although the leakage of helium through the gap is difficult to control in engineering, the effect of the outflow through the gap can be minimized by allowing the outflow through a separate artificial method.

전술한 바와 같이 별도의 인위적인 방법으로 헬륨의 유출이 이루어지도록 하기 위해서, 도 12에 도시된 바와 같이 스페이스(S)에 펌프(61)를 연결하여 지속적으로 펌핑을 해줄 수 있다. As described above, in order to cause the helium to flow out by a separate artificial method, as shown in FIG. 12 , the pump 61 may be connected to the space S to continuously pump.

일례로서, 상기 펌프(61)는 러핑 펌프(roughing pump)일 수 있으며, 펌프(61)가 스페이스(S)에 펌핑을 하는 속도는 일정하게 유지될 수 있다. As an example, the pump 61 may be a roughing pump, and the speed at which the pump 61 pumps the space S may be maintained constant.

이에 따라 펌프(61)의 펌핑 동작을 통해 스페이스(S)로부터 일정한 펌핑 속도로 헬륨의 유출이 이루어지도록 함으로써 상기 간극을 통한 헬륨의 불규칙한 유출이 주는 영향을 최소화할 수 있다. Accordingly, the effect of irregular outflow of helium through the gap can be minimized by allowing the outflow of helium from the space S at a constant pumping speed through the pumping operation of the pump 61 .

제 3 밸브(66) 및 제 4 밸브(67)가 각각 개방된 상태에서, 펌프(61)는 스페이스(S)와 연결될 수 있고, 기체 공급원(62) 및 압력 컨트롤러(63) 또한 스페이스(S)와 연결될 수 있다. In a state in which the third valve 66 and the fourth valve 67 are opened, respectively, the pump 61 may be connected to the space S, and the gas supply source 62 and the pressure controller 63 also the space S. can be connected with

상세하게는, 제 3 밸브(66)가 개방되면서 제 3 기체 배출 라인(603)은 기체 배출 경로(27)와 연결될 수 있다. 이 때, 제 3 기체 배출 라인(603)은 기체 배출 경로(27)를 통해 스페이스(S)와 연결될 수 있다. In detail, while the third valve 66 is opened, the third gas discharge line 603 may be connected to the gas discharge path 27 . In this case, the third gas discharge line 603 may be connected to the space S through the gas discharge path 27 .

이에 따라 펌프(61)는 스페이스(S)와 연결될 수 있다. 이 때, 펌프(61)는 스페이스(S)에 펌핑을 실시할 수 있는 상태가 된다.Accordingly, the pump 61 may be connected to the space (S). At this time, the pump 61 is in a state capable of performing pumping in the space (S).

제 4 밸브(67)가 개방될 때, 기체 공급 라인(604)은 기체 유입 경로(26)와 연결될 수 있다. 이 때, 기체 공급 라인(604)은 기체 유입 경로(26)를 통해 스페이스(S)와 연결될 수 있다.When the fourth valve 67 is opened, the gas supply line 604 may be connected to the gas inlet path 26 . At this time, the gas supply line 604 may be connected to the space S through the gas inlet path 26 .

이에 따라 기체 공급원(62) 및 압력 컨트롤러(63)는 스페이스(S)에 연결되며, 압력 컨트롤러(63)는 기체 공급원(62)으로부터 배출되어 스페이스(S)에 공급되는 기체의 압력을 조절할 수 있는 상태가 된다.Accordingly, the gas supply source 62 and the pressure controller 63 are connected to the space (S), and the pressure controller 63 is discharged from the gas supply source 62 and can adjust the pressure of the gas supplied to the space (S). become a state

기체 공급원(62)으로부터 배출된 기체는 압력 컨트롤러(63)를 통해 압력이 조절된 후 전술한 기체 유입 경로(26)를 거쳐 기체 공급홀(524)을 통해 스페이스(S)에 공급될 수 있다. The gas discharged from the gas supply source 62 may be supplied to the space S through the gas supply hole 524 through the gas inlet path 26 after the pressure is adjusted through the pressure controller 63 .

또한, 펌프(61)의 펌핑 동작에 의해 스페이스(S) 내에 있던 기체는 전술한 기체 배출홀(525)을 통해 기체 배출 경로(27)를 거쳐 외부로 배출될 수 있다.In addition, the gas in the space S by the pumping operation of the pump 61 may be discharged to the outside through the gas discharge path 27 through the above-described gas discharge hole 525 .

챔버(10)의 내부 공간과 스페이스(S)가 분리된 상태에 있어서, 압력 컨트롤러(63)는 펌프(61)가 일정한 펌핑 속도로 스페이스(S)에 펌핑을 하는 상태에서(동일한 펌핑 속도를 유지하는 상태에서), 스페이스(S)의 압력 값을 판독하여(Reading) 기체 공급원(62)으로부터 배출되어 스페이스(S)에 공급되는 기체(헬륨)의 압력을 조절할 수 있다. 이에 따라, 신틸레이터 증착 공정 중 스페이스(S) 내부의 압력이 일정하게 유지될 수 있다.In a state in which the internal space of the chamber 10 and the space S are separated, the pressure controller 63 pumps the pump 61 to the space S at a constant pumping speed (maintaining the same pumping speed) in the state of), the pressure of the gas (helium) discharged from the gas supply source 62 and supplied to the space S by reading the pressure value of the space S can be adjusted. Accordingly, the pressure inside the space S may be constantly maintained during the scintillator deposition process.

한편, 헬륨은 전술한 바와 같이 입자 크기가 매우 작은 비활성 기체이며, 헬륨은 스페이스(S)에 공급되더라도 공급된 헬륨에 의해 형성되는 내부 압력이 거의 진공에 가까울 수 있다(헬륨의 압력 범위 : 0.01 Torr ~ 100 Torr). On the other hand, helium is an inert gas with a very small particle size as described above, and even if helium is supplied to the space (S), the internal pressure formed by the supplied helium may be close to vacuum (the pressure range of helium: 0.01 Torr) ~ 100 Torr).

따라서, 본 발명에서는 전술한 바와 같이 실링부재(O)가 기판(2)과 면 접촉되는 구성과 더불어 기체 유출입 제어부(60)를 이용함으로써, 진공 상태인 챔버(10)의 내부 공간과 스페이스(S) 사이의 압력차를 최소화할 수 있으므로 신틸레이터 증착 공정시 기판(2)의 파손은 발생되지 않는다.Therefore, in the present invention, by using the gas inflow and outflow control unit 60 with the configuration in which the sealing member O is in surface contact with the substrate 2 as described above, the internal space and space S of the chamber 10 in a vacuum state ) can be minimized, so that damage to the substrate 2 does not occur during the scintillator deposition process.

도 13은 본 발명의 기판 증착 장치(100, 200)를 이용한 증착 재료의 증착 방법을 나타낸 흐름도이다. 상기 증착 방법에 대해, 각 단계를 구현하기 위한 세부적인 구성에 대해서는 도 1 내지 도 12를 참조하여 설명한 기판 증착 장치(100, 200)에 개시되어 있으므로 이에 대한 자세한 설명은 생략하도록 한다.13 is a flowchart illustrating a deposition method of a deposition material using the substrate deposition apparatuses 100 and 200 of the present invention. With respect to the deposition method, since detailed configurations for implementing each step are disclosed in the substrate deposition apparatuses 100 and 200 described with reference to FIGS. 1 to 12 , a detailed description thereof will be omitted.

도 13을 참조하면, 전술한 기판 증착 장치(100, 200)를 이용한 증착 재료의 증착 방법은 다음과 같다.Referring to FIG. 13 , a method of depositing a deposition material using the above-described substrate deposition apparatuses 100 and 200 is as follows.

먼저, 기판 증착 장치(100, 200)에 구비된 기판 고정부(50)에 기판(2)을 고정한다(S1 단계).First, the substrate 2 is fixed to the substrate fixing unit 50 provided in the substrate deposition apparatuses 100 and 200 (step S1 ).

다음으로, 스페이스(S)와 챔버(10)의 내부 공간을 연결한다(S2 단계). Next, the space S and the inner space of the chamber 10 are connected (step S2).

스페이스(S)와 챔버(10)의 내부 공간을 연결한 다음에는, 스페이스(S)와 챔버(10)의 내부 공간을 진공 상태로 형성한다(S3 단계).After connecting the space S and the inner space of the chamber 10, the space S and the inner space of the chamber 10 are formed in a vacuum state (step S3).

다음으로, 증착 재료 증착 공정에서 후면 냉각(backside cooling) 적용을 위해 스페이스(S)와 챔버(10)의 내부 공간을 분리한다(S4 단계). 이 때, 전술한 펌프(61)의 펌핑 동작에 의해 일정한 펌핑 속도로 스페이스(S)에 펌핑이 실시된다.Next, the space (S) and the inner space of the chamber 10 are separated for the application of backside cooling in the deposition material deposition process (step S4). At this time, pumping is performed in the space S at a constant pumping speed by the pumping operation of the above-described pump 61 .

스페이스(S)와 챔버(10)의 내부 공간이 분리된 상태에서, 스페이스(S)에 기체를 공급한다(S5 단계). In a state in which the space S and the inner space of the chamber 10 are separated, a gas is supplied to the space S (step S5).

이 때, 스페이스(S)의 압력 값을 판독하여 스페이스(S)에 공급되는 기체의 압력을 조절한다. 이는 전술한 바와 같이 압력 컨트롤러(63)에 의해 구현된다.At this time, the pressure value of the space (S) is read to adjust the pressure of the gas supplied to the space (S). This is implemented by the pressure controller 63 as described above.

이 후, 기판 고정부(50)에 결합된 기판 온도 조절부(40)의 온도를 제어하여 기판을 가열하고(S6 단계), 증발원(1)으로부터 증발되는 증착 재료를 기판(2)에 증착한다(S7 단계).After that, the substrate is heated by controlling the temperature of the substrate temperature control unit 40 coupled to the substrate fixing unit 50 (step S6), and the deposition material evaporated from the evaporation source 1 is deposited on the substrate 2 (Step S7).

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정, 변경 및 치환이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and various modifications, changes and substitutions are possible within the scope that does not depart from the essential characteristics of the present invention by those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains. will be. Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention and the accompanying drawings are for explaining, not limiting, the technical spirit of the present invention, and the scope of the technical spirit of the present invention is not limited by these embodiments and the accompanying drawings. . The protection scope of the present invention should be construed by the following claims, and all technical ideas within the equivalent range should be construed as being included in the scope of the present invention.

100 : 기판 증착 장치
10 : 챔버
20, 120 : 자전부
40 : 기판 온도 조절부
50 : 기판 고정부
60 : 기체 유출입 제어부
130 : 공전부100: substrate deposition apparatus
10: chamber
20, 120: autobiography
40: substrate temperature control unit
50: substrate fixing part
60: gas inflow and outflow control unit
130: idle

Claims

A substrate holding device for holding a substrate such that a deposition material evaporated from at least one evaporation source is deposited on the substrate, the substrate holding device comprising:
a substrate temperature controller for transferring heat to the substrate; and
and a substrate fixing unit coupled to one side of the substrate temperature control unit and fixing the substrate;
The substrate fixing part fixes the substrate so that the front surface of the substrate is exposed in the direction of the evaporation source, and a space is formed between the substrate fixing part and the back surface of the substrate,
The substrate fixing device, characterized in that the gas for cooling the rear surface of the substrate flows in and out of the space.

The method of claim 1,
The substrate temperature control unit,
a first substrate temperature control unit;
an oil flow unit provided inside the first substrate temperature control unit and including a flow path through which oil flowing in from an oil supply source circulates; and
and a second substrate temperature control unit coupled to one side of the first substrate temperature control unit.

3. The method of claim 2,
The flow path is
an oil inlet flow line through which the oil is introduced;
an oil outlet flow line through which the oil is discharged;
The substrate holding device according to claim 1, wherein the oil inflow flow line and the oil outflow flow line are alternately disposed.

3. The method of claim 2,
The substrate fixing unit,
a first fixing part to which the second substrate temperature control part is coupled to one side;
and a second fixing part coupled to the other side of the first fixing part and formed to expose the entire surface of the substrate;
and the substrate is fixed between the first fixing part and the second fixing part.

5. The method of claim 4,
The first fixing part,
a groove formed along the inner periphery of the first fixing part;
A sealing member receiving portion spaced apart from the groove portion by a predetermined distance and provided inside the groove portion, formed along an inner periphery of the first fixing portion to accommodate at least one sealing member;
at least one guide pin formed between the groove part and the sealing member receiving part to guide the seating of the substrate to the first fixing part;
a gas supply hole through which gas is injected into the space; and
and a gas exhaust hole through which gas is discharged from the space.

6. The method of claim 5,
The sealing member seals a gap between the substrate and the first fixing part, and is in surface contact with the substrate.

6. The method of claim 5,
An edge portion of a predetermined area is set on the substrate along an outer edge portion of the substrate,
The edge part is disposed between the second fixing part and the sealing member to apply a stress to the sealing member.

5. The method of claim 4,
The second fixing part,
a rim formed on the inner circumferential surface of the second fixing part;
and a mask region formed at an end of the edge portion;
The mask area is formed to be inclined in a central direction of the second fixing part with respect to a lower surface of the edge part.

5. The method of claim 4,
The total weight of the first fixing part and the second fixing part is maintained to be the same.

The method of claim 1,
The substrate holding device is coupled to a rotation shaft of a rotation part accommodated in a chamber having the evaporation source therein, and is rotated according to the rotation of the rotation shaft.

11. The method of claim 10,
The evaporation source is provided at a lower end inside the chamber,
The substrate holding device is a substrate holding device, characterized in that located above the evaporation source.

A substrate deposition apparatus for depositing a deposition material evaporated from at least one evaporation source on a substrate, the apparatus comprising:
a chamber accommodating the evaporation source therein;
an orbital part partially accommodated in the chamber and rotated about an orbital axis;
a plurality of rotating parts coupled to the orbiting part and rotating according to the rotation of the orbiting part; and
The substrate fixing device according to claim 1, including;
The substrate fixing device is a substrate deposition apparatus, characterized in that coupled to the rotation shaft provided in the rotation unit is rotated.

13. The method of claim 12,
The substrate deposition apparatus according to claim 1, wherein the substrate fixing unit provided in the chamber and the substrate fixing apparatus is connected to a gas inflow and outflow control unit.

14. The method of claim 13,
The gas inflow and outflow control unit forms the space and the chamber in a vacuum state, and then controls the pressure of the gas to be injected into the space so that the space becomes a constant pressure during the deposition process.

14. The method of claim 13,
The gas outflow control unit,
A pump for performing pumping at a constant pumping speed in the space;
a gas supply source for accommodating the gas supplied to the space; and
and a pressure controller connected to the gas supply source and configured to adjust a pressure of the gas supplied to the space.

16. The method of claim 15,
The pressure controller is
In a state in which the pump pumps the space at a constant pumping rate, the pressure value of the space is read to adjust the pressure of the gas supplied to the space.

16. The method of claim 15,
The gas outflow control unit,
a first valve provided between the chamber and the space;
a second valve provided between the chamber and the pump;
a third valve provided between the pump and the space; and
and a fourth valve disposed between the space and the pressure controller.

18. The method of claim 17,
When the space and the chamber are formed in a vacuum state, the first valve and the second valve are opened,
During the deposition process, the first valve and the second valve are closed, and the third valve and the fourth valve are opened.

16. The method of claim 15,
The substrate deposition apparatus, characterized in that the gas accommodated in the gas supply source is an inert gas.

13. The method of claim 12,
The revolving unit includes a revolving unit frame to which a plurality of the revolving units are coupled,
The revolving shaft is coupled to the central portion of the revolving frame,
The orbital frame is a substrate deposition apparatus, characterized in that rotated according to the rotation of the orbital shaft.

21. The method of claim 20,
The rotation unit is coupled to the rotation unit frame through a tilting axis,
The rotation unit is a substrate deposition apparatus, characterized in that the axis is rotated individually with respect to the orbiting unit frame about the tilting axis.

13. The method of claim 12,
The evaporation source is provided at a lower end inside the chamber,
The substrate holding device is a substrate deposition apparatus, characterized in that located above the evaporation source.

In the deposition method of the deposition material using the substrate deposition apparatus according to claim 12,
fixing a substrate to a substrate fixing unit provided in the substrate deposition apparatus;
connecting the space and the inner space of the chamber;
forming the space and the inner space of the chamber in a vacuum state;
separating the space and the inner space of the chamber;
supplying gas to the space;
heating the substrate by controlling a temperature of a substrate temperature control unit coupled to the substrate fixing unit; and
and depositing the deposition material evaporated from a plurality of evaporation sources on the substrate.

24. The method of claim 23,
and pumping the space at a constant pumping rate in a state in which the space and the inner space of the chamber are separated.

24. The method of claim 23,
In the step of supplying gas to the space, a pressure value of the space is read to adjust the pressure of the gas supplied to the space.