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JP2019062665A - 交流−直流変換装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】交流入力電圧や整流電圧の検出手段を不要とし、電流波形を歪ませずに入力力率を向上させた交流−直流変換装置を提供する。【解決手段】交流電源電圧の整流電圧を、スイッチング素子Q1のオンオフにより直流出力電圧に変換するものであって、直流出力電圧の指令値及び検出値とリアクトル電流の検出値とを用いてスイッチング素子を制御する交流−直流変換装置において、整流電流の振幅指令を演算する電圧調節器AVRと、前記振幅指令と整流電圧の推定値とから整流電流の瞬時値指令を演算する乗算器12と、整流電流の検出値が瞬時値指令に一致するように動作する電流調節器ACRと、その出力と整流電圧推定値とから出力電圧指令を演算する減算器14と、出力電圧指令とキャリア信号とからスイッチング素子Q1の駆動信号を生成する比較器17とを備え、前記出力電圧指令に基づいて整流電圧推定値を生成する。【選択図】図1

Description

本発明は、いわゆるPFC(Power Factor Correction)回路等の交流−直流変換装置に関し、交流入力電流を交流入力電圧と同位相の正弦波に制御して力率(入力力率)を改善する技術に関するものである。
図4は、特許文献1に記載されたPFC回路であり、後述する1サイクル力率制御方式により動作する。この図4において、RECはダイオード整流回路、Lはリアクトル、100は集積回路、120は電圧変換回路、130は分圧回路、Q1はMOS−FET等の半導体スイッチング素子、Rsは電流検出抵抗である。
集積回路100の端子8から出力されるゲート信号によってスイッチング素子Q1が駆動され、PFC回路の交流入力電流を交流入力電圧Vinと同位相に制御して入力力率をほぼ1に制御する。なお、この回路の出力電流(リアクトルLの電流)は電流検出抵抗Rsにより電圧に変換されて集積回路100の端子3に入力されている。
図5は、集積回路100の内部構成図である。なお、図4の集積回路100内に付した端子番号1〜8は、図5の左右両端部に示された端子1〜8にそれぞれ対応している。
図5において、端子3に入力された電流検出信号は、トランスコンダクタンスアンプ103とその出力側のコンデンサとにより、リアクトルLの電流相当値から高周波成分を除去した平均値として加算器104に入力されている。なお、トランスコンダクタンスアンプ103の出力側のコンデンサの容量値は、このコンデンサの両端電圧が一スイッチング周期程度の時間ではほぼ一定とみなせるような大きさになっている。
一方、誤差アンプ(トランスコンダクタンスアンプ)101により、直流出力電圧指令値VREFと、図4の分圧回路130による電圧検出値VFBとの誤差に比例した電流が端子5から出力される。端子5には、図4に示したように二つのコンデンサと抵抗とからなる電圧変換回路120が接続されており、電圧変換回路120には誤差アンプ101から出力される電流が入力されて、端子5に電圧Vmを生成する。すなわち、誤差アンプ101及び電圧変換回路120等によって誤差アンプ101の出力電圧Vmが生成される。
集積回路100の端子5の電圧、すなわち誤差アンプ101の出力電圧Vmは、直流出力電圧指令値VREFと電圧検出値VFBとの差を増幅したものである。この電圧Vmは、上述のリアクトルLの電流相当値から高周波成分を除去した平均値を較正するための補償電圧VCOMPとして、図5の加算器104により電流検出アンプ103の出力電圧と加算され、その加算結果がPWM比較器105の反転入力端子に入力されている。
一方、トランスコンダクタンスアンプ102が出力する誤差アンプ101の出力電圧Vmに応じた電流がコンデンサ108を充電することによりランプ波が生成され、当該ランプ波がPWM比較器105の非反転入力端子に入力されている。また、コンデンサ108の電圧は、後述のフリップフロップ回路107の反転出力によりリセットされるようになっている。
トランスコンダクタンスアンプ103の出力電圧は、加算器104に負極性で入力されている。このため、リアクトルLの電流が増加するほどPWM比較器105の出力が「High」レベルとなる期間(スイッチング素子Q1がオンしている期間)が減少し、後続のフリップフロップ回路107を介して端子8からスイッチング素子Q1に対するオン信号が出力されない時比率が増加する。これにより、リアクトルLの電流はある時点でバランスし、バランスした時点の電流は、図4の整流回路RECの出力電圧瞬時値が大きいほど大きい値となり(リアクトルLの電流の増加率が整流回路RECの出力電圧瞬時値に比例するため)、結果として、リアクトルLの電流ひいては交流入力電流は交流入力電圧と同位相で相似の正弦波となる。
ここで、図6は、補償電圧VCOMPとランプ波との関係を示す波形図であり、特許文献1や非特許文献1に記載されている。
これらの文献に開示されているように、1サイクル力率制御方式では、誤差アンプ101の出力に比例させてランプ波の傾きを制御することにより、スイッチング周期Tsの最後の時点でランプ波の振幅が補償電圧VCOMPに到達するように調整する。例えば、図6の補償電圧VCOMP1,VCOMP2に応じて、ランプ波1,2がそれぞれ生成されることになる。
また、図7は、加算器104の出力電圧とランプ波との関係を示す波形図であり、非特許文献1に記載されているものと基本的に同一である。前述した図5の回路は、図7における加算器104の出力電圧とランプ波との交点を求めてゲート信号を生成する回路に相当する回路であるということができる。
図7におけるaは、電流連続モードにおいてスイッチング周期開始時のリアクトルLの電流初期値に比例する値である。また、bは、スイッチング素子Q1がオフする直前に流れているリアクトルLの最大電流値に相当する値であり、スイッチング素子Q1がオンしている期間の平均電流値は、図7のaとbとの平均値である。この図7から判るように、補償電圧VCOMPすなわち(VREF−VFB)が大きいほど多くの電流を流すことができるため、VFBをVREFに収束させることができる。
更に、交流入力電圧Vinが高いほど、加算器104の出力電圧の傾きが大きくなるため、入力電流が交流入力電圧Vinの瞬時値に応じて変化し、これによって入力力率を改善することが可能である。
次に、図8は特許文献2に記載されたPFC回路の構成図である。
図8の主回路において、ACは交流電源(商用電源)、C1,C2はコンデンサ、R1〜R4は分圧抵抗、D1はダイオード、LOADはDC/DCコンバータ等の負荷であり、その他の部分については図4と同一の符号を付してある。
また、スイッチング素子Q1をオンオフさせるための制御回路において、AVRはPI(比例積分)調節器等からなる電圧調節器、ACRはP(比例)調節器等からなる電流調節器、CMPは比較器、GDはゲート駆動回路である。
この従来技術では、電圧調節器AVRから出力される電流ILの振幅指令と整流電圧Vrの分圧値とを乗算してILの瞬時値指令を求め、ILの検出値が瞬時値指令に一致するように電流調節器ACRを動作させる。そして、整流電圧Vrの分圧値と電流調節器ACRの出力との差を出力電圧の瞬時値指令Vsw *とし、これをキャリア信号と比較することにより、PWM波形を生成する。このPWM波形を反転させてゲート駆動回路GDに入力し、スイッチング素子Q1をオンオフさせるゲート信号を生成している。
この従来技術においても、交流入力電流Iinを交流入力電圧Vinと同相の正弦波に制御して入力力率を改善することができる。
特開2006−87288号公報(段落[0015]〜[0022]、図1〜図5等) 特開2016−93001号公報(段落[0002]〜[0015]、図3〜図5等)
図8に示した特許文献2のPFC回路では、整流電圧Vrの分圧値を制御回路内に取り込む必要があるため、分圧抵抗R1,R2による損失が常に発生する。近年では、いわゆる待機電力をできるだけ少なくすることが求められており、わずかな抵抗損失も生じないことが望ましい。
これに対して、図4,図5に示した特許文献1のPFC回路によれば、整流電圧等の検出が不要になるが、キャリア信号としてのランプ波の振幅を(傾きを介して)操作する方式であるため、条件によってはこの振幅が小さくなる。しかし、キャリア信号の振幅が小さくなるとPWM演算を行う場合にノイズの影響を受け易くなり、電流波形の歪みが増加するという問題があった。
そこで、本発明の解決課題は、交流入力電圧やその整流電圧の検出手段を不要とし、電流波形を歪ませずに入力力率を改善可能とした交流−直流変換装置を提供することにある。
上記課題を解決するため、請求項1に係る発明は、交流電源電圧を整流して得た整流電圧を、リアクトルと直列に接続された半導体スイッチング素子のオンオフにより所定の大きさの直流出力電圧に変換する交流−直流変換装置であって、
前記直流出力電圧の指令値及び検出値と、前記リアクトルを流れる整流電流の検出値とを用いて前記半導体スイッチング素子をオンオフすることにより力率改善を行う交流−直流変換装置において、
前記直流出力電圧の検出値が指令値に一致するように前記整流電流の振幅指令を演算する電圧調節手段と、
前記振幅指令と前記整流電圧の推定値とから前記整流電流の瞬時値指令を演算する手段と、
前記整流電流の検出値が前記瞬時値指令に一致するように動作する電流調節手段と、
前記電流調節手段の出力と前記整流電圧の推定値とから前記半導体スイッチング素子に対する出力電圧指令を演算する手段と、
前記出力電圧指令とキャリア信号とを比較して前記半導体スイッチング素子の駆動信号を生成する手段と、
を備え、
前記出力電圧指令に基づいて前記整流電圧の推定値を生成することを特徴とする。
請求項2に係る発明は、請求項1に記載した交流−直流変換装置において、
前記半導体スイッチング素子のデューティ比に比例する前記出力電圧指令から前記整流電圧の推定値を生成することを特徴とする。
請求項3に係る発明は、請求項2に記載した交流―直流変換装置において、
前記デューティ比が、前記半導体スイッチング素子のオフ時比率であることを特徴とする。
請求項4に係る発明は、請求項2または3に記載した交流―直流変換装置において、
前記半導体スイッチング素子の一スイッチング周期における前記出力電圧指令の平均値から前記整流電圧の推定値を生成することを特徴とする。
請求項5に係る発明は、請求項1〜4の何れか1項に記載した交流―直流変換装置において、
前記出力電圧指令から高周波リプル成分を除去して前記整流電圧の推定値を生成することを特徴とする。
また、請求項6に係る発明は、請求項1または5に記載した交流―直流変換装置において、
ローパスフィルタまたはバンドパスフィルタを用いて、前記出力電圧指令から前記整流電圧の推定値を生成することを特徴とする。
本発明によれば、交流電源電圧やその整流電圧を検出する分圧抵抗を用いることなく整流電圧を推定し、この推定値から生成した整流電流(リアクトル電流)の瞬時値指令に基づく出力電圧指令を用いてスイッチング素子をPWM制御するため、従来技術に比べて抵抗損失を低減し、効率を向上させることができる。
また、特許文献1に係る従来技術ではキャリア信号の振幅を操作しているため、振幅が小さいとPWM演算時にノイズの影響を受け易いが、本発明では振幅が一定のキャリア信号を使用可能であるから、ノイズの影響を受ける心配がなく、入力力率を高精度に改善することができる。
本発明の実施形態の構成を示すブロック図である。 図1の主要部を示す回路図である。 本発明の実施形態の動作を示す波形図である。 特許文献1に記載されたPFC回路の構成図である。 図4における集積回路の内部構成図である。 図5における補償電圧とランプ波との関係を示す波形図である。 図5における加算器の出力電圧とランプ波との関係を示す波形図である。 特許文献2に記載されたPFC回路の構成図である。
以下、図に沿って本発明の実施形態を説明する。
図1は、本発明の実施形態に係る交流−直流変換装置としてのPFC回路の構成図である。この図1において、図8と同一の部分には同一の参照記号を付してあり、以下では図8と異なる部分を中心に説明する。
図1における主回路の構成は、分圧抵抗R1,R2(図1に破線にて示す)が除去されている点以外は、図8と同一である。また、制御回路の構成は、図8の分圧抵抗R1,R2によって生成された分圧値の代わりに、ローパスフィルタLPF1から出力される電圧Vr1(整流電圧Vrの推定分圧値)が乗算器12及び減算器14に入力されている点以外は、図8と同一である。
制御回路において、図8と同様に、主回路の出力側の分圧抵抗R3,R4により検出した直流出力電圧Ed(その分圧値)と指令値Ed *との電圧偏差が減算器11により演算される。この減算器11の出力側の電圧調節器AVRはPI調節器等からなり、前記電圧偏差がゼロになるように動作して整流電流(リアクトル電流)ILの振幅指令を出力する。
L振幅指令は乗算器12に入力され、ローパスフィルタLPF1から出力される電圧Vr1(整流電圧Vrの推定分圧値)と乗算される。この乗算結果は、IL瞬時値指令として減算器13に入力される。ここで、ローパスフィルタLPF1は、後述する電流調節器ACR等の電流制御系から混入する電流ILのリプル成分等を除去する。また、ローパスフィルタLPF1と乗算器12との間のローパスフィルタLPF2はノイズや歪を除去するためのものであるが、本発明に必要不可欠なものではない。
乗算器12の出力側の減算器13には、主回路の電流検出抵抗Rsによる電流検出値ILが入力され、IL瞬時値指令と電流検出値ILとの電流偏差が演算されてPI調節器等の電流調節器ACRに入力される。
電流調節器ACRは上記電流偏差がゼロになるように動作し、整流電圧Vrの推定分圧値Vr1と電流調節器ACRの出力との差が減算器14により演算されてスイッチング素子Q1の出力電圧指令Vsw *となる。この出力電圧指令Vsw *は、減算器15及び比較器CMPによりキャリア信号発生器17からのキャリア信号と比較され、PWM波形が生成される。PWM波形は符号反転器16を介してゲート駆動回路GDに入力され、スイッチング素子Q1をオンオフさせるためのゲート信号が生成される。
次に、前述した推定分圧値Vr1について説明する。
この実施形態では、出力電圧指令Vsw *の一スイッチング周期における平均値を整流電圧Vrの推定分圧値Vr1としてリアクトルLの入力電圧Vrの代わりに使用する。
乗算器12から出力されるIL瞬時値指令は、ローパスフィルタLPF1の出力信号(整流電圧Vrの推定分圧値)をIL振幅指令に乗算した信号であるため商用周波数の2倍の周波数を有しており、スイッチング素子Q1のスイッチング周波数が商用周波数より十分に高い場合には、一スイッチング周期にわたって、整流電流ILや整流電圧Vrは大きさがほぼ一定の直流とみなすことができる。
Lの瞬時値制御が機能しており、ILの検出値がその指令値とほぼ一致する場合(スイッチング周波数成分は無視する。以下、同じ)、電流変化率は十分に小さく、リアクトルLの両端電圧はほぼゼロ(両端の電圧はほぼ等しい)とみなせるので、リアクトルLの一端に加わる整流電圧Vrは、リアクトルLの他端に加わるスイッチング素子Q1の両端電圧Vswの平均値とほぼ等しい。また、スイッチング素子Q1のオフ時比率(オフ期間)をαとすれば、Vswの平均値はα×Ed(Edは直流出力電圧)に等しい。
従って、電圧調節器AVRの動作が安定しており、直流出力電圧Edが電圧指令値Ed *に一致している条件のもとでは、
r≒Vswの平均値=α×Ed
という関係から、α,Edが既知であればVrを推定することができる。
ここで、Vsw,Vswの平均値、オフ時比率α,Vr、及び電流ILの関係を図2,図3に基づいて説明する。
図2は、図1における主回路の主要部を示している。この図2において、リアクトルLの両端電圧は、そのインダクタンスをLとすれば、Vr−Vsw=L(di/dt)である。なお、図3(a)はVswの平均値を示し、図3(b),(c)はVrとVswの平均値との大小関係に応じた電流ILの状態を示している。
図1に示す制御系により、ILをフィードバックしてILがその瞬時値指令付近でほぼ一定になった時は、リアクトルLの両端電圧の平均値がほぼ0[V]になった時であり、この時点では、図3(d)のように、結果的にVr≒Vswの平均値という関係が成立している。なお、詳述は省略するが、図3(d)において、αにおける整流電流ILの増分と、α以外の期間における整流電流ILの減分とが等しいとおくと、Vr≒Vswの平均値=α×Edが導かれる。
このため、前述したように、α,Edが既知であれば、Vswの平均値からVrを推定することができる。
なお、Vrに対するVr1の分圧比をK1とすると、前述したVr=α×Edの関係から、Vr1=αK1×Edである。また、動作原理(αはキャリア信号が出力電圧指令Vsw *に等しくなるまでの時間で決まる)からVsw *はαに比例するので、Vsw *=K2α(K2は比例定数)である。これより、α=Vsw */K2となる。
従って、Vr1=(K1/K2)×(Ed・Vsw *)となり、(K1/K2)×Ed=1となるようにEdを含む各定数を選択すると、出力電圧指令Vsw *そのものを推定分圧値Vr1として用いることで、結果としてVrを推定することができる。
ここで、Ed(その分圧値)は図1の電圧調節器AVRの入力側にフィードバックされて指令値Ed *に一致するように制御されているが、指令値と検出値とのずれや直流電圧リプルを考慮に入れて推定分圧値Vr1の精度を上げたい場合には、EdをVswに乗算することが望ましい。
以上のように、この実施形態によれば、交流電源電圧やその整流電圧を検出することなく出力電圧指令Vsw *を演算でき、また、キャリア信号の振幅を変化させる方式によらないため、交流入力電流の波形を歪のない正弦波に制御して入力力率を改善することができる。
なお、ローパスフィルタLPF1,LPF2はバンドパスフィルタに替えても良い。すなわち、ローパスフィルタまたはバンドパスフィルタを含む高周波リプルの除去手段もしくは減衰手段を通過させて整流電圧の推定値を生成し、更に、当該整流電圧の推定値をローパスフィルタまたはバンドパスフィルタを含む正弦波の整流波形に対する歪成分の除去手段もしくは減衰手段を通過させて整流電流の瞬時値指令の生成に用いれば良い。
AC:交流電源(商用電源)
REC:ダイオード整流回路
C1,C2:コンデンサ
L:リアクトル
R3,R4:分圧抵抗
s:電流検出抵抗
D1:ダイオード
LOAD:負荷
AVR:電圧調節器
ACR:電流調節器
CMP:比較器
GD:ゲート駆動回路
LPF1,LPF2:ローパスフィルタ
11,13,14,15:減算器
16:符号反転器
17:キャリア信号発生器

Claims (6)

  1. 交流電源電圧を整流して得た整流電圧を、リアクトルと直列に接続された半導体スイッチング素子のオンオフにより所定の大きさの直流出力電圧に変換する交流−直流変換装置であって、
    前記直流出力電圧の指令値及び検出値と、前記リアクトルを流れる整流電流の検出値とを用いて前記半導体スイッチング素子をオンオフすることにより力率改善を行う交流−直流変換装置において、
    前記直流出力電圧の検出値が指令値に一致するように前記整流電流の振幅指令を演算する電圧調節手段と、
    前記振幅指令と前記整流電圧の推定値とから前記整流電流の瞬時値指令を演算する手段と、
    前記整流電流の検出値が前記瞬時値指令に一致するように動作する電流調節手段と、
    前記電流調節手段の出力と前記整流電圧の推定値とから前記半導体スイッチング素子に対する出力電圧指令を演算する手段と、
    前記出力電圧指令とキャリア信号とを比較して前記半導体スイッチング素子の駆動信号を生成する手段と、
    を備え、
    前記出力電圧指令に基づいて前記整流電圧の推定値を生成することを特徴とする交流−直流変換装置。
  2. 請求項1に記載した交流−直流変換装置において、
    前記半導体スイッチング素子のデューティ比に比例する前記出力電圧指令から前記整流電圧の推定値を生成することを特徴とする交流―直流変換装置。
  3. 請求項2に記載した交流―直流変換装置において、
    前記デューティ比が、前記半導体スイッチング素子のオフ時比率であることを特徴とする交流―直流変換装置。
  4. 請求項2または3に記載した交流―直流変換装置において、
    前記半導体スイッチング素子の一スイッチング周期における前記出力電圧指令の平均値から前記整流電圧の推定値を生成することを特徴とする交流−直流変換装置。
  5. 請求項1〜4の何れか1項に記載した交流―直流変換装置において、
    前記出力電圧指令から高周波リプル成分を除去して前記整流電圧の推定値を生成することを特徴とする交流−直流変換装置。
  6. 請求項1または5に記載した交流―直流変換装置において、
    ローパスフィルタまたはバンドパスフィルタを用いて、前記出力電圧指令から前記整流電圧の推定値を生成することを特徴とする交流−直流変換装置。
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