デッドタイム期間ｂでは、第１の半導体スイッチング素子１がオフ状態となる。その結果、第１の半導体スイッチング素子１と第２の半導体スイッチング素子２とが共にオフ状態となる。このときには、電源１０１の正極→リアクトル５→第２のダイオード４→負荷１０２→電源１０２の負極の経路を電流が流れる。期間ｂでは、リアクトル５の電流は減少するが、どれだけ電流が減少するかは、リアクトル５のインダクタンス値と、電源１０１の電圧と、負荷１０２の電圧と、デッドタイム期間ｂの長さとに依存する。リアクトル５のインダクタンス値が小さければ電流減少量は多くなる。電源１０１と負荷１０２の電圧差が大きければ電流減少量が多くなる。デッドタイム期間ｂが長ければ電流減少量は多くなる。
In dead de time period b, a first semiconductor switching element 1 is turned off. As a result, both the first semiconductor switching element 1 and the second semiconductor switching element 2 are turned off. At this time, a current flows through the path of the positive electrode of the power supply 101 → the reactor 5 → the second diode 4 → the load 102 → the negative electrode of the power supply 102. In the period b, the current of the reactor 5 decreases, but how much the current decreases depends on the inductance value of the reactor 5, the voltage of the power source 101, the voltage of the load 102, and the length of the dead time period b. To do. If the inductance value of the reactor 5 is small, the amount of current decrease increases. If the voltage difference between the power supply 101 and the load 102 is large, the amount of current decrease increases. If the dead time period b is long, the amount of current decrease increases.
デッドタイム期間ｄでは、第２の半導体スイッチング素子２がオフ状態となる。その結果、第１の半導体スイッチング素子１と第２の半導体スイッチング素子２とが共にオフ状態となる。期間ｄでも、デッドタイム期間ｂと同様の電流経路で電流が流れる。
In the dead time period d, the second semiconductor switching element 2 is turned off. As a result, both the first semiconductor switching element 1 and the second semiconductor switching element 2 are turned off. Any period d, a current flows in the same current path and dead de-time period b.
デッドタイム期間ｆでは、第１の半導体スイッチング素子１がオフ状態となる。その結果、第１の半導体スイッチング素子１と第２の半導体スイッチング素子２とが共にオフ状態となる。このときには、電源１０１の正極→リアクトル５→第２のダイオード４→負荷１０２→電源１０２の負極の経路を電流が流れる。このとき、リアクトル５の電流は減少する。
In dead de time period f, the first semiconductor switching element 1 is turned off. As a result, both the first semiconductor switching element 1 and the second semiconductor switching element 2 are turned off. At this time, a current flows through the path of the positive electrode of the power supply 101 → the reactor 5 → the second diode 4 → the load 102 → the negative electrode of the power supply 102. At this time, the current of the reactor 5 decreases.
デッドタイム期間ｂ′では、第２の半導体スイッチング素子２がオフ状態となる。その結果、第１の半導体スイッチング素子１と第２の半導体スイッチング素子２とが共にオフ状態となる。このときには、負荷８０１の負極→第１のダイオード３→リアクトル５→負荷８０１の正極の経路を電流が流れる。デッドタイム期間ｂ′では、リアクトル５の電流は減少するが、どれだけ電流が減少するかは、リアクトル５のインダクタンス値と、負荷８０１の電圧と、デッドタイムの期間とに依存する。リアクトル５のインダクタンス値が小さければ電流減少量は多くなる。負荷８０１の電圧が高ければ電流減少量が多くなる。デッドタイム期間ｂ′の長さが長ければ電流減少量は多くなる。
In dead de-time period b ', the second semiconductor switching element 2 is turned off. As a result, both the first semiconductor switching element 1 and the second semiconductor switching element 2 are turned off. At this time, a current flows through a path of the negative electrode of the load 801 → the first diode 3 → the reactor 5 → the positive electrode of the load 801. In dead de-time period b ', although the current of the reactor 5 decreases, how much current is reduced, depends on the inductance value of the reactor 5, the voltage of the load 801 and to the duration of the dead time. If the inductance value of the reactor 5 is small, the amount of current decrease increases. If the voltage of the load 801 is high, the amount of current decrease increases. If the length of the dead time period b ′ is long, the amount of current decrease increases.
駆動装置１２は、制御信号ＣｔＡと比較の対象となる三角波ＴＡ、制御信号ＣｔＢと比較の対象となる三角波ＴＢ、制御信号ＣｔＣと比較の対象となる三角波ＴＣを生成する三角波ＴＡ、ＴＢ、ＴＣの位相を等間隔でずらすことによって、２つの半導体スイッチング素子がそれぞれオン状態となるタイミング、すなわちスイッチング位相がＤＣ−ＤＣ変換回路ごとにずれる。その結果、リアクトル２００３を流れる電流リプルの位相と、リアクトル２００４を流れる電流リプルの位相と、リアクトル２００５を流れる電流リプルの位相とがずれることになる。これによって、電源２００１、第１のコンデンサ６、第２のコンデンサ７、および負荷２００２には、位相がすれた複数の電流が入力される。互いに電流の増減を打ち消しあうように動作する期間が発生し、結果として電流のリプルが低減して動作することができる。
Drive 12, the control signal CtA and subject to triangular wave TA of the comparison, the control signal CtB and subject to triangular wave TB of the comparison, the control signal CtC the comparison subject to triangular wave TC triangular wave TA that generates a, TB By shifting the phase of TC at equal intervals, the timing at which the two semiconductor switching elements are turned on, that is, the switching phase is shifted for each DC-DC conversion circuit. As a result, the phase of the current ripple flowing through the reactor 2003, the phase of the current ripple flowing through the reactor 2004, and the phase of the current ripple flowing through the reactor 2005 are shifted. As a result, a plurality of currents out of phase are input to the power supply 2001, the first capacitor 6, the second capacitor 7, and the load 2002. A period in which the currents increase and decrease to cancel each other is generated, and as a result, the operation can be performed with reduced current ripple.