JP2018531075A - 複合発生器用の回路トポロジ - Google Patents
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Abstract
Description
本願は、2015年9月30日に出願された「GENERATOR FOR PROVIDING COMBINED RADIO FREQUENCY AND ULTRASONIC ENERGIES」と題する米国特許仮出願第62/235,260号、2015年9月30日に出願された「CIRCUIT TOPOLOGIES FOR GENERATOR」と題する米国特許仮出願第62/235,368号及び2015年9月30日に出願された「SURGICAL INSTRUMENT WITH USER ADAPTABLE ALGORITHMS」と題する米国特許仮出願第62/235,466号の利益を主張するものであり、それぞれの内容は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
本開示は、組織の凝固、封着及び/又は切断などの外科手技を実施するための超音波外科用システム、電気外科用システム及び電気外科用/超音波システムの組み合わせに概ね関する。特に、本開示は、無線周波数(RF)出力及び超音波出力用の合成信号を医療機器に伝達するように構成される複合発生器用の回路トポロジに関する。
代理人整理番号END7768USNP2/150449−2、Wiener et al.による、名称「CIRCUITS FOR SUPPLYING ISOLATED DIRECT CURRENT(DC)VOLTAGE TO SURGICAL INSTRUMENTS」、
代理人整理番号END7768USNP3/150449−3、Yates et al.による、名称「FREQUENCY AGILE GENERATOR FOR A SURGICAL INSTRUMENT」、
代理人整理番号END7768USNP4/150449−4、Asher et al.による、名称「METHOD AND APPARATUS FOR SELECTING OPERATIONS OF A SURGICAL INSTRUMENT BASED ON USER INTENTION」、
代理人整理番号END7769USNP1/150448−1、Wiener et al.による、名称「GENERATOR FOR DIGITALLY GENERATING ELECTRICAL SIGNAL WAVEFORMS FOR ELECTROSURGICAL AND ULTRASONIC SURGICAL INSTRUMENTS」、
代理人整理番号END7769USNP2/150448−2、Wiener et al.による、名称「GENERATOR FOR DIGITALLY GENERATING COMBINED ELECTRICAL SIGNAL WAVEFORMS FOR ULTRASONIC SURGICAL INSTRUMENTS」、
代理人整理番号END7769USNP3/150448−3、Yates et al.による、名称「PROTECTION TECHNIQUES FOR GENERATOR FOR DIGITALLY GENERATING ELECTROSURGICAL AND ULTRASONIC DIGITAL ELECTRICAL SIGNAL WAVEFORMS」、
これらはそれぞれその全体が参照により本明細書に組み込まれる。
米国特許出願第15/177,430号、名称「SURGICAL INSTRUMENT WITH USER ADAPTABLE TECHNIQUES」、
米国特許出願第15/177,439号、名称「SURGICAL INSTRUMENT WITH USER ADAPTABLE TECHNIQUES BASED ON TISSUE TYPE」、
米国特許出願第15/177,449号、名称「SURGICAL SYSTEM WITH USER ADAPTABLE TECHNIQUES EMPLOYING MULTIPLE ENERGY MODALITIES BASED ON TISSUE」、
米国特許出願第15/177,456号、名称「SURGICAL SYSTEM WITH USER ADAPTABLE TECHNIQUES BASED ON TISSUE IMPEDANCE」、
米国特許出願第15/177,466号、名称「SURGICAL SYSTEM WITH USER ADAPTABLE TECHNIQUES EMPLOYING SIMULTANEOUS ENERGY MODALITIES BASED ON TISSUE PARAMETERS」、
これらはそれぞれその全体が参照により本明細書に組み込まれる。
1.発生器によって出力されるRF信号及び超音波信号を管理するためのシステムであって、システムは、RFエネルギー出力部と、超音波エネルギー出力部と、合成された無線周波数(RF)信号及び超音波信号を発生器から受信するように構成された回路と、を含む、外科用器具を含み、回路は、合成信号の周波数成分をフィルタ処理するように構成され、第1のフィルタ処理信号をRFエネルギー出力部に、第2のフィルタ処理信号を超音波エネルギー出力部に、提供するように構成されている、システム。
2.回路は、共振器を含む、項目1に記載のシステム。
3.回路は、高周波帯域消去フィルタを含む、項目1又は2に記載のシステム。
4.高周波帯域消去フィルタは、第1のLCフィルタ回路と、第2のLCフィルタ回路と、を含む、項目1〜3のいずれか一項に記載のシステム。
5.合成信号は、350kHz成分を含む、項目1〜4のいずれか一項に記載のシステム。
6.合成信号は、55kHz成分を含む、項目1〜5のいずれか一項に記載のシステム。
7.外科用器具は、RFエネルギー出力部及び超音波エネルギー出力部から同時に治療を適用するように構成されている、項目1〜6のいずれか一項に記載のシステム。
8.発生器によって出力されるRF信号及び超音波信号を管理するためのシステムであって、システムは、RFエネルギー出力部と、超音波エネルギー出力部と、合成された無線周波数(RF)信号及び超音波信号を発生器から受信するように構成された回路と、を含む、外科用器具を含み、回路は、発生器から受信した合成信号に従ってRFエネルギー出力部と超音波エネルギー出力部との間で切り替えるように構成されている、システム。
9.回路は、2対のMOSFETスイッチを含む、項目8に記載のシステム。
10.2対のMOSFETスイッチのそれぞれは、ソース同士が接続されている、項目9に記載のシステム。
11.第1の結合インダクタ及び第2の結合インダクタを更に含む、項目9又は10に記載のシステム。
12.第1の対のMOSFETスイッチのそれぞれのMOSFETのゲートは、互いに連結され、かつ第1の結合インダクタに連結されている、項目11に記載のシステム。
13.第2の対のMOSFETスイッチのそれぞれのMOSFETのゲートは、互いに連結され、かつ第2の結合インダクタに連結されている、項目11又は12に記載のシステム。
14.第1のコンデンサと、第2のコンデンサと、を更に含み、第1のコンデンサは、第1の結合インダクタの一次側に連結され、第2のコンデンサは、第2の結合インダクタの一次側に連結されている、項目11〜13のいずれか一項に記載のシステム。
15.制御回路と、第1のパルストランスと、第2のパルストランスと、を更に含み、制御回路は、第1及び第2のパルストランスに連結され、第1のパルストランスは、2対のMOSFETスイッチのうちの第1の対に連結され、第2のパルストランスは、2対のMOSFETスイッチのうちの第2の対に連結されている、項目9〜14のいずれか一項に記載のシステム。
16.2対のMOSFETスイッチのそれぞれは、ソース同士が接続されている、項目15に記載のシステム。
17.MOSFETスイッチの第1の対のそれぞれのMOSFETのゲートは、互いに連結され、かつ第1のパルストランスに連結されている、項目16に記載のシステム。
18.MOSFETスイッチの第2の対のそれぞれのMOSFETのゲートは、互いに連結され、かつ第2のパルストランスに連結されている、項目16又は17に記載のシステム。
19.回路は、RFエネルギー出力部に連結された第1の切替要素と、超音波エネルギー出力部に連結された第2の切替要素と、を含む、項目18に記載のシステム。
20.第1の切替要素及び第2の切替要素は、それぞれ電気機械式リレーである、項目19に記載のシステム。
21.第1の切替要素及び第2の切替要素は、制御回路に連結されている、項目19又は20に記載のシステム。
22.第1の切替要素及び第2の切替要素を作動させるために切替機構を更に含む、項目19〜21のいずれか一項に記載のシステム。
23.切替機構は、機械式ロッカ様式の切替機構である、項目22に記載のシステム。
24.発生器によって出力されるRF信号及び超音波信号を管理するためのシステムであって、システムは、RFエネルギー出力部と、超音波エネルギー出力部と、合成された無線周波数(RF)信号及び超音波信号を発生器から受信するように構成された回路と、を含む、外科用器具を含み、回路は、合成信号の周波数成分をフィルタ処理するように構成されたフィルタ回路と、発生器から受信した合成信号に従ってRFエネルギー出力部又は超音波エネルギー出力部のうちの一方に対するオン状態とオフ状態との間で切り替えるように構成された切替要素と、を含む、システム。
25.フィルタ回路は、超音波エネルギー出力部に連結され、切替要素は、RFエネルギー出力部に連結された、項目24に記載のシステム。
26.発生器によって出力される無線周波数(RF)信号及び超音波信号を管理するためのシステムであって、システムは、RFエネルギー出力部と、超音波エネルギー出力部と、回路と、を含む、外科用器具を含み、回路は、合成されたRF信号及び超音波信号を発生器から受信することと、合成信号からRF周波数成分をフィルタ処理することによってRFフィルタ処理信号を生成することと、合成信号から超音波周波数成分をフィルタ処理することによって超音波フィルタ処理信号を生成することと、RFフィルタ処理信号をRFエネルギー出力部に提供することと、超音波フィルタ処理信号を超音波エネルギー出力部に提供することと、を行うように構成されている、システム。
27.回路は、RF出力の周波数に同調される第1の共振器と、超音波出力の周波数に同調される第2の共振器と、を含む、項目26に記載のシステム。
28.回路は、高周波帯域消去フィルタを含む、項目26又は27に記載のシステム。
29.高周波帯域消去フィルタは、合成信号のRF周波数成分を遮断するように構成された第1のインダクタ−コンデンサ(LC)フィルタ回路と、合成信号の超音波周波数成分を遮断するように構成された第2のLCフィルタ回路と、を含む、項目26〜項目28に記載のシステム。
30.回路は、高周波通過帯域フィルタを含む、項目26〜29のいずれか一項に記載のシステム。
31.高周波通過帯域フィルタは、第1の抵抗器−インダクタ−コンデンサ(RLC)フィルタ回路と、第2のRLCフィルタ回路と、を含み、第1のRLCフィルタ回路は、合成信号のRF周波数成分を通過させる一方で、他のすべての周波数成分を遮断するように構成され、第2のRLCフィルタ回路は、合成信号の超音波周波数成分を通過させる一方で、他のすべての周波数成分を遮断するように構成されている、項目26〜30に記載のシステム。
32.外科用器具は、RFエネルギー出力部及び超音波エネルギー出力部から同時に治療を適用するように構成されている、項目26〜31のいずれか一項に記載のシステム。
33.発生器によって出力される無線周波数(RF)信号及び超音波信号を管理するためのシステムであって、システムは、RFエネルギー出力部と、超音波エネルギー出力部と、回路と、を含む、外科用器具を含み、回路は、合成されたRF信号及び超音波信号を発生器から受信することと、発生器から受信した合成信号に従ってRFエネルギー出力部と超音波エネルギー出力部との間で切り替えることと、を行うように構成されている、システム。
34.回路は、2対の金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)スイッチを含む、項目33に記載のシステム。
35.2対のMOSFETスイッチのそれぞれは、ソース同士が接続されている、項目33又は34に記載のシステム。
36.回路は、第1の結合インダクタ及び第2の結合インダクタを更に含む、項目34又は35に記載のシステム。
37.2対のMOSFETスイッチは、第1の対のMOSFETスイッチ及び第2の対のMOSFETスイッチを含み、第1の対のMOSFETスイッチのそれぞれのMOSFETのゲートは、互いに連結され、かつ第1の結合インダクタに連結されている、項目33〜36いずれか一項に記載のシステム。
38.第2の対のMOSFETスイッチのそれぞれのMOSFETのゲートは、互いに連結され、かつ第2の結合インダクタに連結されている、項目33〜37いずれか一項に記載のシステム。
39.回路は、第1のコンデンサ及び第2のコンデンサを更に含み、第1のコンデンサは、第1の結合インダクタの一次側に連結され、第2のコンデンサは、第2の結合インダクタの一次側に連結されている、項目33〜38いずれか一項に記載のシステム。
40.回路は、特定用途向け集積回路(ASIC)と、第1のパルストランスであって、第1のパルストランスの第1の側でASICに連結され、第1のパルストランスの第2の側で2対のMOSFETスイッチのうちの第1の対に連結されている、第1のパルストランスと、第2のパルストランスであって、第2のパルストランスの第1の側でASICに連結され、第2のパルストランスの第2の側で2対のMOSFETスイッチのうちの第2の対に連結されている、第2のパルストランスと、を更に含む、項目33〜39いずれか一項に記載のシステム。
41.第1のパルストランスに印加される差分パルスの一方の極性は、MOSFET対のうちの第1の対をエンハンスト状態にするように構成され、第1のパルストランスに印加される差分パルスの反対の極性は、MOSFET対のうちの第1の対をオフにするように構成されている、項目33〜40いずれか一項に記載のシステム。
42.回路は、特定用途向け集積回路(ASIC)と、ASIC及びRFエネルギー出力部に連結され、RFエネルギー出力部に切り替えるように構成された第1の電気機械式リレーと、ASIC及び超音波エネルギー出力部に連結され、超音波エネルギー出力部に切り替えるように構成された第2の電気機械式リレーと、を含む、項目33〜41いずれか一項に記載のシステム。
43.回路は、第1の電気機械式リレー及び第2の電気機械式リレーを作動させるように構成された切替機構を更に含む、項目33〜42いずれか一項に記載のシステム。
44.切替機構は、機械式ロッカ様式の切替機構を含む、項目33〜44いずれか一項に記載のシステム。
45.発生器によって出力される無線周波数(RF)信号及び超音波信号を管理するためのシステムであって、システムは、RFエネルギー出力部、超音波エネルギー出力部、及び回路を含む外科用器具を含み、回路は、合成されたRF信号及び超音波信号を発生器から受信するように構成され、回路は、合成信号の周波数成分をフィルタ処理するように構成されたフィルタ回路と、発生器から受信した合成信号に従ってRFエネルギー出力部又は超音波エネルギー出力部のうちの一方に対するオン状態とオフ状態との間で切り替えるように構成された切替要素と、を含む、システム。
(1) 発生器によって出力される無線周波数(RF)信号及び超音波信号を管理するためのシステムであって、
前記システムは、RFエネルギー出力部と、超音波エネルギー出力部と、回路と、を含む、外科用器具を含み、
前記回路は、
合成されたRF信号及び超音波信号を前記発生器から受信することと、
前記合成信号からRF周波数成分をフィルタ処理することによってRFフィルタ処理信号を生成することと、
前記合成信号から超音波周波数成分をフィルタ処理することによって超音波フィルタ処理信号を生成することと、
前記RFフィルタ処理信号を前記RFエネルギー出力部に提供することと、
前記超音波フィルタ処理信号を前記超音波エネルギー出力部に提供することと、を行うように構成されている、システム。
(2) 前記回路は、
前記RF出力の周波数に同調される第1の共振器と、
前記超音波出力の周波数に同調される第2の共振器と、を含む、実施態様1に記載のシステム。
(3) 前記回路は、高周波帯域消去フィルタを含む、実施態様1に記載のシステム。
(4) 前記高周波帯域消去フィルタは、前記合成信号の前記RF周波数成分を遮断するように構成された第1のインダクタ−コンデンサ(LC)フィルタ回路と、前記合成信号の前記超音波周波数成分を遮断するように構成された第2のLCフィルタ回路と、を含む、実施態様3に記載のシステム。
(5) 前記回路は、高周波通過帯域フィルタを含む、実施態様1に記載のシステム。
(7) 前記外科用器具は、前記RFエネルギー出力部及び前記超音波エネルギー出力部から同時に治療を適用するように構成されている、実施態様1に記載のシステム。
(8) 発生器によって出力される無線周波数(RF)信号及び超音波信号を管理するためのシステムであって、
前記システムは、RFエネルギー出力部と、超音波エネルギー出力部と、回路と、を含む、外科用器具を含み、
前記回路は、
合成されたRF信号及び超音波信号を前記発生器から受信することと、
前記発生器から受信した前記合成信号に従って前記RFエネルギー出力部と前記超音波エネルギー出力部との間で切り替えることと、を行うように構成されている、システム。
(9) 前記回路は、2対の金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)スイッチを含む、実施態様8に記載のシステム。
(10) 前記2対のMOSFETスイッチのそれぞれは、ソース同士が接続されている、実施態様9に記載のシステム。
(12) 前記2対のMOSFETスイッチは、第1の対のMOSFETスイッチ及び第2の対のMOSFETスイッチを含み、
前記第1の対のMOSFETスイッチのそれぞれのMOSFETのゲートは、互いに連結され、かつ前記第1の結合インダクタに連結されている、実施態様11に記載のシステム。
(13) 前記第2の対のMOSFETスイッチのそれぞれのMOSFETのゲートは、互いに連結され、かつ前記第2の結合インダクタに連結されている、実施態様12に記載のシステム。
(14) 前記回路は、第1のコンデンサ及び第2のコンデンサを更に含み、
前記第1のコンデンサは、前記第1の結合インダクタの一次側に連結され、
前記第2のコンデンサは、前記第2の結合インダクタの一次側に連結されている、実施態様12に記載のシステム。
(15) 前記回路は、
特定用途向け集積回路(ASIC)と、
第1のパルストランスであって、前記第1のパルストランスの第1の側で前記ASICに連結され、前記第1のパルストランスの第2の側で前記2対のMOSFETスイッチのうちの第1の対に連結されている、第1のパルストランスと、
第2のパルストランスであって、前記第2のパルストランスの第1の側で前記ASICに連結され、前記第2のパルストランスの第2の側で前記2対のMOSFETスイッチのうちの第2の対に連結されている、第2のパルストランスと、を更に含む、実施態様9に記載のシステム。
(17) 前記回路は、
特定用途向け集積回路(ASIC)と、
前記ASIC及び前記RFエネルギー出力部に連結され、前記RFエネルギー出力部に切り替えるように構成された第1の電気機械式リレーと、
前記ASIC及び前記超音波エネルギー出力部に連結され、前記超音波エネルギー出力部に切り替えるように構成された第2の電気機械式リレーと、を含む、実施態様8に記載のシステム。
(18) 前記回路は、前記第1の電気機械式リレー及び前記第2の電気機械式リレーを作動させるように構成された切替機構を更に含む、実施態様17に記載のシステム。
(19) 前記切替機構は、機械式ロッカ様式の切替機構を含む、実施態様18に記載のシステム。
(20) 発生器によって出力される無線周波数(RF)信号及び超音波信号を管理するためのシステムであって、
前記システムは、RFエネルギー出力部、超音波エネルギー出力部、及び回路を含む外科用器具を含み、
前記回路は、合成されたRF信号及び超音波信号を前記発生器から受信するように構成され、
前記回路は、
前記合成信号の周波数成分をフィルタ処理するように構成されたフィルタ回路と、
前記発生器から受信した前記合成信号に従って前記RFエネルギー出力部又は前記超音波エネルギー出力部のうちの一方に対するオン状態とオフ状態との間で切り替えるように構成された切替要素と、を含む、システム。
Claims (20)
- 発生器によって出力される無線周波数(RF)信号及び超音波信号を管理するためのシステムであって、
前記システムは、RFエネルギー出力部と、超音波エネルギー出力部と、回路と、を含む、外科用器具を含み、
前記回路は、
合成されたRF信号及び超音波信号を前記発生器から受信することと、
前記合成信号からRF周波数成分をフィルタ処理することによってRFフィルタ処理信号を生成することと、
前記合成信号から超音波周波数成分をフィルタ処理することによって超音波フィルタ処理信号を生成することと、
前記RFフィルタ処理信号を前記RFエネルギー出力部に提供することと、
前記超音波フィルタ処理信号を前記超音波エネルギー出力部に提供することと、を行うように構成されている、システム。 - 前記回路は、
前記RF出力の周波数に同調される第1の共振器と、
前記超音波出力の周波数に同調される第2の共振器と、を含む、請求項1に記載のシステム。 - 前記回路は、高周波帯域消去フィルタを含む、請求項1に記載のシステム。
- 前記高周波帯域消去フィルタは、前記合成信号の前記RF周波数成分を遮断するように構成された第1のインダクタ−コンデンサ(LC)フィルタ回路と、前記合成信号の前記超音波周波数成分を遮断するように構成された第2のLCフィルタ回路と、を含む、請求項3に記載のシステム。
- 前記回路は、高周波通過帯域フィルタを含む、請求項1に記載のシステム。
- 前記高周波通過帯域フィルタは、第1の抵抗器−インダクタ−コンデンサ(RLC)フィルタ回路と、第2のRLCフィルタ回路と、を含み、前記第1のRLCフィルタ回路は、前記合成信号の前記RF周波数成分を通過させる一方で、他のすべての周波数成分を遮断するように構成され、前記第2のRLCフィルタ回路は、前記合成信号の前記超音波周波数成分を通過させる一方で、他のすべての周波数成分を遮断するように構成されている、請求項5に記載のシステム。
- 前記外科用器具は、前記RFエネルギー出力部及び前記超音波エネルギー出力部から同時に治療を適用するように構成されている、請求項1に記載のシステム。
- 発生器によって出力される無線周波数(RF)信号及び超音波信号を管理するためのシステムであって、
前記システムは、RFエネルギー出力部と、超音波エネルギー出力部と、回路と、を含む、外科用器具を含み、
前記回路は、
合成されたRF信号及び超音波信号を前記発生器から受信することと、
前記発生器から受信した前記合成信号に従って前記RFエネルギー出力部と前記超音波エネルギー出力部との間で切り替えることと、を行うように構成されている、システム。 - 前記回路は、2対の金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)スイッチを含む、請求項8に記載のシステム。
- 前記2対のMOSFETスイッチのそれぞれは、ソース同士が接続されている、請求項9に記載のシステム。
- 前記回路は、第1の結合インダクタ及び第2の結合インダクタを更に含む、請求項9に記載のシステム。
- 前記2対のMOSFETスイッチは、第1の対のMOSFETスイッチ及び第2の対のMOSFETスイッチを含み、
前記第1の対のMOSFETスイッチのそれぞれのMOSFETのゲートは、互いに連結され、かつ前記第1の結合インダクタに連結されている、請求項11に記載のシステム。 - 前記第2の対のMOSFETスイッチのそれぞれのMOSFETのゲートは、互いに連結され、かつ前記第2の結合インダクタに連結されている、請求項12に記載のシステム。
- 前記回路は、第1のコンデンサ及び第2のコンデンサを更に含み、
前記第1のコンデンサは、前記第1の結合インダクタの一次側に連結され、
前記第2のコンデンサは、前記第2の結合インダクタの一次側に連結されている、請求項12に記載のシステム。 - 前記回路は、
特定用途向け集積回路(ASIC)と、
第1のパルストランスであって、前記第1のパルストランスの第1の側で前記ASICに連結され、前記第1のパルストランスの第2の側で前記2対のMOSFETスイッチのうちの第1の対に連結されている、第1のパルストランスと、
第2のパルストランスであって、前記第2のパルストランスの第1の側で前記ASICに連結され、前記第2のパルストランスの第2の側で前記2対のMOSFETスイッチのうちの第2の対に連結されている、第2のパルストランスと、を更に含む、請求項9に記載のシステム。 - 前記第1のパルストランスに印加される差分パルスの一方の極性は、前記MOSFET対のうちの前記第1の対をエンハンスト状態にするように構成され、前記第1のパルストランスに印加される前記差分パルスの反対の極性は、前記MOSFET対のうちの前記第1の対をオフにするように構成されている、請求項15に記載のシステム。
- 前記回路は、
特定用途向け集積回路(ASIC)と、
前記ASIC及び前記RFエネルギー出力部に連結され、前記RFエネルギー出力部に切り替えるように構成された第1の電気機械式リレーと、
前記ASIC及び前記超音波エネルギー出力部に連結され、前記超音波エネルギー出力部に切り替えるように構成された第2の電気機械式リレーと、を含む、請求項8に記載のシステム。 - 前記回路は、前記第1の電気機械式リレー及び前記第2の電気機械式リレーを作動させるように構成された切替機構を更に含む、請求項17に記載のシステム。
- 前記切替機構は、機械式ロッカ様式の切替機構を含む、請求項18に記載のシステム。
- 発生器によって出力される無線周波数(RF)信号及び超音波信号を管理するためのシステムであって、
前記システムは、RFエネルギー出力部、超音波エネルギー出力部、及び回路を含む外科用器具を含み、
前記回路は、合成されたRF信号及び超音波信号を前記発生器から受信するように構成され、
前記回路は、
前記合成信号の周波数成分をフィルタ処理するように構成されたフィルタ回路と、
前記発生器から受信した前記合成信号に従って前記RFエネルギー出力部又は前記超音波エネルギー出力部のうちの一方に対するオン状態とオフ状態との間で切り替えるように構成された切替要素と、を含む、システム。
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