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JP2018207030A - Organic electroluminescent element, organic electroluminescent device, and electronic device - Google Patents

Organic electroluminescent element, organic electroluminescent device, and electronic device Download PDF

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JP2018207030A
JP2018207030A JP2017113265A JP2017113265A JP2018207030A JP 2018207030 A JP2018207030 A JP 2018207030A JP 2017113265 A JP2017113265 A JP 2017113265A JP 2017113265 A JP2017113265 A JP 2017113265A JP 2018207030 A JP2018207030 A JP 2018207030A
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organic electroluminescent
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達也 松海
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哲征 松末
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Abstract

To provide an organic electroluminescent element the performance of which can be improved, an organic electroluminescent device, and an electronic device.SOLUTION: An organic electroluminescent element according to an embodiment of the disclosure includes a first electrode, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and a second electrode in this order. The hole transport layer, the light emitting layer, and the electron transport layer satisfy the following formula. ΔEg(T1)≥0e V. ΔEg(T1)=E+E-2×E. E: T1 level of the hole transport layer. E: T1 level of the electron transport layer. E: T1 level of the light emitting layer.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本開示は、有機電界発光素子、有機電界発光装置および電子機器に関する。   The present disclosure relates to an organic electroluminescent element, an organic electroluminescent device, and an electronic apparatus.

有機電界発光素子を用いた有機電界発光装置(有機電界発光ディスプレイ)として、種々のものが提案されている(例えば、特許文献1〜3参照)。   Various types of organic electroluminescent devices (organic electroluminescent displays) using organic electroluminescent elements have been proposed (see, for example, Patent Documents 1 to 3).

特開2008−270770号公報JP 2008-270770 A 特開2011−009205号公報JP 2011-009205 A 特開2014−225710号公報JP 2014-225710 A

ところで、有機電界発光装置では、一般的に、有機電界発光素子の素子性能を向上させることが求められている。そのため、有機電界発光素子の素子性能を向上させることの可能な有機電界発光素子、有機電界発光装置および電子機器を提供することが望ましい。   By the way, in the organic electroluminescent device, generally, it is required to improve the element performance of the organic electroluminescent element. Therefore, it is desirable to provide an organic electroluminescent element, an organic electroluminescent device, and an electronic device that can improve the element performance of the organic electroluminescent element.

本開示の一実施形態の第1の有機電界発光素子は、第1電極と、正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層と、第2電極とをこの順に備えている。正孔輸送層、発光層および電子輸送層は、以下の式(1),(2)を満たす。
ΔEg(T1)≧0eV…(1)
ΔEg(T1)=ET a+ET b−2×ET EML…(2)
T a:正孔輸送層のT1(三重項エネルギー)準位
T b:電子輸送層のT1準位
T EML:発光層のT1準位
A first organic electroluminescent element according to an embodiment of the present disclosure includes a first electrode, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and a second electrode in this order. The hole transport layer, the light emitting layer, and the electron transport layer satisfy the following formulas (1) and (2).
ΔEg (T1) ≧ 0 eV (1)
ΔEg (T1) = E T a + E T b −2 × E T EML (2)
E T a : T1 (triplet energy) level of the hole transport layer E T b : T1 level of the electron transport layer E T EML : T1 level of the light-emitting layer

本開示の一実施形態の第2の有機電界発光素子は、第1電極と、正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層と、第2電極とをこの順に備えている。発光層は、当該発光層内のうち、正孔輸送層および電子輸送層のいずれか一方寄りに発光領域を有している。正孔輸送層、発光層および電子輸送層は、以下の式(3)を満たす。
T ULL>ET EML…(3)
T ULL:正孔輸送層および電子輸送層のうち発光領域からより離れている層のT1準位
T EML:発光層のT1準位
The second organic electroluminescent element according to an embodiment of the present disclosure includes a first electrode, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and a second electrode in this order. The light emitting layer has a light emitting region in the light emitting layer near one of the hole transport layer and the electron transport layer. The hole transport layer, the light emitting layer, and the electron transport layer satisfy the following formula (3).
E T ULL > E T EML (3)
E T ULL : T1 level of the layer farther from the light emitting region among the hole transport layer and the electron transport layer E T EML : T1 level of the light emitting layer

本開示の一実施形態の第1の有機電界発光装置は、複数の有機電界発光素子を備えている。この有機電界発光装置において、複数の有機電界発光素子のうちの少なくとも1つは、上記の第1の有機電界発光素子と同一の構成要素を有している。   A first organic electroluminescent device according to an embodiment of the present disclosure includes a plurality of organic electroluminescent elements. In this organic electroluminescent device, at least one of the plurality of organic electroluminescent elements has the same components as the first organic electroluminescent element.

本開示の一実施形態の第2の有機電界発光装置は、複数の有機電界発光素子を備えている。この有機電界発光装置において、複数の有機電界発光素子のうちの少なくとも1つは、上記の第2の有機電界発光素子と同一の構成要素を有している。   The 2nd organic electroluminescent apparatus of one embodiment of this indication is provided with a plurality of organic electroluminescent elements. In this organic electroluminescent device, at least one of the plurality of organic electroluminescent elements has the same components as the second organic electroluminescent element.

本開示の一実施形態の第1の電子機器は、有機電界発光装置を備えている。この電子機器における有機電界発光装置は、上記の第1の有機電界発光装置と同一の構成要素を有している。   A first electronic device according to an embodiment of the present disclosure includes an organic electroluminescent device. The organic electroluminescent device in this electronic apparatus has the same components as the first organic electroluminescent device.

本開示の一実施形態の第2の電子機器は、有機電界発光装置を備えている。この電子機器における有機電界発光装置は、上記の第2の有機電界発光装置と同一の構成要素を有している。   A second electronic device according to an embodiment of the present disclosure includes an organic electroluminescent device. The organic electroluminescent device in this electronic apparatus has the same components as those of the second organic electroluminescent device.

本開示の一実施形態の第1の有機電界発光素子、第1の有機電界発光装置および第1の電子機器によれば、正孔輸送層、発光層および電子輸送層が上記の式(1),(2)を満たようになっているので、有機電界発光素子の素子性能を向上させることができる。   According to the first organic electroluminescent element, the first organic electroluminescent device, and the first electronic device of an embodiment of the present disclosure, the hole transport layer, the light emitting layer, and the electron transport layer are represented by the above formula (1). , (2) is satisfied, the device performance of the organic electroluminescent device can be improved.

本開示の一実施形態の第2の有機電界発光素子、第2の有機電界発光装置および第2の電子機器によれば、正孔輸送層、発光層および電子輸送層が上記の式(3)を満たようになっているので、有機電界発光素子の素子性能を向上させることができる。   According to the second organic electroluminescent element, the second organic electroluminescent device, and the second electronic device of an embodiment of the present disclosure, the hole transport layer, the light emitting layer, and the electron transport layer are represented by the above formula (3). Therefore, the device performance of the organic electroluminescent device can be improved.

なお、上記内容は本開示の一例である。本開示の効果は、上述したものに限らず、他の異なる効果であってもよいし、更に他の効果を含んでいてもよい。   The above content is an example of the present disclosure. The effects of the present disclosure are not limited to those described above, and may be other different effects or may include other effects.

本開示の第1の実施の形態に係る有機電界発光素子の断面構成の一例を表す図である。It is a figure showing an example of the section composition of the organic electroluminescence element concerning a 1st embodiment of this indication. 図1の発光層内の発光領域の一例を表す図である。It is a figure showing an example of the light emission area | region in the light emitting layer of FIG. 図1の有機電界発光素子の各層のエネルギー準位の一例を模式的に表す図である。It is a figure which represents typically an example of the energy level of each layer of the organic electroluminescent element of FIG. S1準位と効率との関係の一例を表す図である。It is a figure showing an example of the relationship between S1 level and efficiency. S1準位と効率との関係の一例を表す図である。It is a figure showing an example of the relationship between S1 level and efficiency. T1準位と効率との関係の一例を表す図である。It is a figure showing an example of the relationship between T1 level and efficiency. T1準位と効率との関係の一例を表す図である。It is a figure showing an example of the relationship between T1 level and efficiency. 図1の発光層内の発光領域の一変形例を表す図である。It is a figure showing the modification of the light emission area | region in the light emitting layer of FIG. 本開示の第2の実施の形態に係る有機電界発光装置の概略構成の一例を表す図である。It is a figure showing an example of schematic structure of an organic electroluminescent device concerning a 2nd embodiment of this indication. 図9の画素の回路構成の一例を表す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating an example of a circuit configuration of the pixel in FIG. 9. 本開示の有機電界発光装置を備えた電子機器の外観の一例を斜視的に表す図である。It is a figure which represents perspectively an example of the appearance of electronic equipment provided with the organic electroluminescent device of this indication. 本開示の有機電界発光素子を備えた照明装置の外観の一例を斜視的に表す図である。It is a figure which represents perspectively an example of the external appearance of the illuminating device provided with the organic electroluminescent element of this indication.

以下、本開示を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。以下に説明する実施の形態は、いずれも本開示の好ましい一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態などは、一例であって本開示を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本開示の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。なお、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。なお、説明は以下の順序で行う。

1.第1の実施の形態(有機電界発光素子)
2.第1の実施の形態の変形例(有機電界発光素子)
3.第2の実施の形態(有機電界発光装置)
4.適用例(電子機器、照明装置)
Hereinafter, modes for carrying out the present disclosure will be described in detail with reference to the drawings. Each of the embodiments described below shows a preferred specific example of the present disclosure. Therefore, the numerical values, shapes, materials, components, component arrangement positions, connection forms, and the like shown in the following embodiments are merely examples and do not limit the present disclosure. Therefore, among the constituent elements in the following embodiments, constituent elements that are not described in the independent claims indicating the highest concept of the present disclosure are described as arbitrary constituent elements. Each figure is a schematic diagram and is not necessarily illustrated strictly. Moreover, in each figure, the same code | symbol is attached | subjected to the substantially same structure, The overlapping description is abbreviate | omitted or simplified. The description will be given in the following order.

1. 1st Embodiment (organic electroluminescent element)
2. Modification of the first embodiment (organic electroluminescence device)
3. Second embodiment (organic electroluminescence device)
4). Application examples (electronic equipment, lighting equipment)

<1.第1の実施の形態>
[構成]
図1は、本開示の第1の実施の形態に係る有機電界発光素子1の断面構成の一例を表したものである。有機電界発光素子1は、例えば、基板10上に設けられたものである。有機電界発光素子1は、例えば、発光層13と、発光層13を挟み込むように配置された、正孔輸送層12および電子輸送層14とを備えている。正孔輸送層12は、発光層13の正孔注入側に設けられており、電子輸送層14は、発光層13の電子注入側に設けられている。有機電界発光素子1は、例えば、陽極11、正孔輸送層12、発光層13、電子輸送層14および陰極15を基板10側からこの順に含んで構成された素子構造となっている。有機電界発光素子1において、他の機能層(例えば、正孔注入層や電子注入層など)が含まれていてもよい。
<1. First Embodiment>
[Constitution]
FIG. 1 illustrates an example of a cross-sectional configuration of the organic electroluminescent element 1 according to the first embodiment of the present disclosure. The organic electroluminescent element 1 is provided on the substrate 10, for example. The organic electroluminescent element 1 includes, for example, a light emitting layer 13 and a hole transport layer 12 and an electron transport layer 14 disposed so as to sandwich the light emitting layer 13. The hole transport layer 12 is provided on the hole injection side of the light emitting layer 13, and the electron transport layer 14 is provided on the electron injection side of the light emitting layer 13. The organic electroluminescent element 1 has an element structure including, for example, an anode 11, a hole transport layer 12, a light emitting layer 13, an electron transport layer 14, and a cathode 15 in this order from the substrate 10 side. In the organic electroluminescent element 1, other functional layers (for example, a hole injection layer, an electron injection layer, etc.) may be included.

基板10は、例えば、透明基板等の光透過性を有する透光基板であり、例えば、ガラス材からなるガラス基板である。なお、基板10は、ガラス基板に限るものではなく、ポリカーボネート樹脂やアクリル樹脂等の透光性樹脂材料からなる透光性樹脂基板や、有機EL表示装置のバックプレーンであるTFT(薄膜トランジスタ)基板であってもよい。   The substrate 10 is a light-transmitting substrate such as a transparent substrate, and is a glass substrate made of a glass material, for example. The substrate 10 is not limited to a glass substrate, but is a translucent resin substrate made of a translucent resin material such as polycarbonate resin or acrylic resin, or a TFT (thin film transistor) substrate that is a backplane of an organic EL display device. There may be.

陽極11は、例えば、基板10の上に形成される。陽極11は、透光性を有する透明電極であって、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)又はIZO(Indium Zinc Oxide)等の透明導電性材料からなる透明導電膜が用いられる。なお、陽極11は、透明電極に限るものではなく、例えば、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、アルミニウムもしくは銀の合金等、または、反射性を有する反射電極であってもよい。陽極11は、反射電極と透明電極とが積層されたものであってもよい。   The anode 11 is formed on the substrate 10, for example. The anode 11 is a transparent electrode having translucency, and for example, a transparent conductive film made of a transparent conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide) is used. The anode 11 is not limited to a transparent electrode, and may be, for example, aluminum (Al), silver (Ag), aluminum or a silver alloy, or a reflective electrode having reflectivity. The anode 11 may be a laminate of a reflective electrode and a transparent electrode.

正孔輸送層12は、陽極11から注入された正孔を発光層13へ輸送する機能を有する。正孔輸送層12は、例えば、塗布膜であり、例えば、正孔輸送性材料12Mを溶質とする溶液を塗布および乾燥することにより形成されている。すなわち、正孔輸送層12は、正孔輸送性材料12Mを含んで構成されている。また、溶質である正孔輸送性材料12Mは、不溶化する機能を有している。不溶化する機能とは、架橋性基又は熱解離可溶性基などの不溶化基が、熱あるいは紫外光等の照射もしくはその組み合わせにより、化学変化し、有機溶媒や水に対し不溶化する機能のことをいう。従って、正孔輸送層12は、不溶化された塗布膜で構成されている。なお、正孔輸送層12は、蒸着膜で構成されていてもよい。   The hole transport layer 12 has a function of transporting holes injected from the anode 11 to the light emitting layer 13. The hole transport layer 12 is, for example, a coating film, and is formed by, for example, applying and drying a solution containing the hole transporting material 12M as a solute. That is, the hole transport layer 12 includes the hole transport material 12M. Moreover, the hole transport material 12M which is a solute has a function of insolubilizing. The insolubilizing function refers to a function in which an insolubilizing group such as a crosslinkable group or a heat dissociable soluble group undergoes a chemical change by irradiation with heat or ultraviolet light or a combination thereof, and insolubilizes in an organic solvent or water. Therefore, the hole transport layer 12 is composed of an insolubilized coating film. In addition, the positive hole transport layer 12 may be comprised with the vapor deposition film.

正孔輸送層12は、不溶化する機能を有する正孔輸送性材料12Mで構成されている。正孔輸送層12の原料(材料)である正孔輸送性材料12Mは、例えば、アリールアミン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ブタジエン化合物、ポリスチレン誘導体、ヒドラゾン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、テトラフェニルベンジン誘導体等、または、これらの組み合わせからなる材料である。正孔輸送性材料12Mは、さらに、例えば、溶解性および不溶化の機能のために、その分子構造中に、可溶性基や架橋性基、又は、熱解離可溶性基などを有している。   The hole transport layer 12 is composed of a hole transport material 12M having a function of insolubilization. The hole transporting material 12M which is a raw material (material) of the hole transporting layer 12 is, for example, an arylamine derivative, a triazole derivative, an oxadiazole derivative, an imidazole derivative, a polyarylalkane derivative, a pyrazoline derivative and a pyrazolone derivative, phenylenediamine Derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, butadiene compounds, polystyrene derivatives, hydrazone derivatives, triphenylmethane derivatives, tetraphenylbenzine derivatives, etc., or a combination thereof Material. The hole transporting material 12M further has, for example, a soluble group, a crosslinkable group, or a thermally dissociable soluble group in its molecular structure for the function of solubility and insolubilization.

発光層13は、正孔と電子との再結合により、所定の色の蛍光を発する機能を有する。発光層13は、例えば、塗布膜であり、例えば、有機発光材料13Mを溶質とする溶液の塗布および乾燥により形成されている。有機発光材料13Mを溶質とする溶液は、例えば、有機発光材料13Mと溶媒とを含んで構成されている。なお、発光層13は、蒸着膜で構成されていてもよい。   The light emitting layer 13 has a function of emitting fluorescence of a predetermined color by recombination of holes and electrons. The light emitting layer 13 is, for example, a coating film, and is formed, for example, by applying and drying a solution containing the organic light emitting material 13M as a solute. The solution containing the organic light emitting material 13M as a solute is configured to include, for example, the organic light emitting material 13M and a solvent. In addition, the light emitting layer 13 may be comprised with the vapor deposition film.

発光層13は、陽極11から注入された正孔と、陰極15から注入された電子とが、発光層13内で再結合することで励起子が生成されて発光する層である。発光層13は、例えば、青色有機発光材料によって構成された青色発光層である。発光層13の原料(材料)である有機発光材料13Mは、ホスト材料と蛍光ドーパント材料との組み合わせがよい。つまり、発光層13は、有機発光材料として、ホスト材料および蛍光ドーパント材料を含んで構成されている。ホスト材料は、主に電子又は正孔の電荷輸送の機能を担っており、蛍光ドーパント材料は、蛍光発光の機能を担っている。ホスト材料および蛍光ドーパント材料は1種類のみに限られるものではなく、2種類以上の組み合わせであってもよい。ドーパント材料の量は、ホスト材料に対して、0.01重量%以上30重量%以下であるとよく、より好ましくは、0.01重量%以上10重量%以下である。   The light emitting layer 13 is a layer that emits light by generating excitons by recombining holes injected from the anode 11 and electrons injected from the cathode 15 in the light emitting layer 13. The light emitting layer 13 is, for example, a blue light emitting layer made of a blue organic light emitting material. The organic light emitting material 13M that is a raw material (material) of the light emitting layer 13 is preferably a combination of a host material and a fluorescent dopant material. That is, the light emitting layer 13 includes a host material and a fluorescent dopant material as an organic light emitting material. The host material mainly has a function of transporting electrons or holes, and the fluorescent dopant material has a function of fluorescent emission. The host material and the fluorescent dopant material are not limited to one type, and may be a combination of two or more types. The amount of the dopant material is preferably 0.01% by weight to 30% by weight and more preferably 0.01% by weight to 10% by weight with respect to the host material.

発光層13のホスト材料としては、例えば、アミン化合物、縮合多環芳香族化合物、ヘテロ環化合物が用いられる。アミン化合物としては、例えば、モノアミン誘導体、ジアミン誘導体、トリアミン誘導体、テトラアミン誘導体が用いられる。縮合多環芳香族化合物としては、例えば、アントラセン誘導体、ナフタレン誘導体、ナフタセン誘導体、フェナントレン誘導体、クリセン誘導体、フルオランテン誘導体、トリフェニレン誘導体、ペンタセン誘導体、または、ペリレン誘導体等が挙げられる。ヘテロ環化合物としては、例えば、カルバゾール誘導体、フラン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、イミダゾール誘導体、ピラゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピロール誘導体、インドール誘導体、アザインドール誘導体、アザカルバゾール、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、または、フタロシアニン誘導体等が挙げられる。   As a host material of the light emitting layer 13, for example, an amine compound, a condensed polycyclic aromatic compound, or a heterocyclic compound is used. As the amine compound, for example, a monoamine derivative, a diamine derivative, a triamine derivative, or a tetraamine derivative is used. Examples of the condensed polycyclic aromatic compound include anthracene derivatives, naphthalene derivatives, naphthacene derivatives, phenanthrene derivatives, chrysene derivatives, fluoranthene derivatives, triphenylene derivatives, pentacene derivatives, and perylene derivatives. Examples of heterocyclic compounds include carbazole derivatives, furan derivatives, pyridine derivatives, pyrimidine derivatives, triazine derivatives, imidazole derivatives, pyrazole derivatives, triazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, pyrrole derivatives, indole derivatives, azaindole derivatives, Azacarbazole, a pyrazoline derivative, a pyrazolone derivative, a phthalocyanine derivative, or the like can be given.

また、発光層13の蛍光ドーパント材料としては、例えば、ピレン誘導体、フルオランテン誘導体、アリールアセチレン誘導体、フルオレン誘導体、ペリレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アントラセン誘導体、または、クリセン誘導体が用いられる。また、発光層13の蛍光ドーパント材料としては、金属錯体が用いられてもよい。金属錯体としては、例えば、イリジウム(Ir)、白金(Pt)、オスミウム(Os)、金(Au)、レニウム(Re)、もしくは、ルテニウム(Ru)等の金属原子と配位子とを有するものが挙げられる。   Moreover, as a fluorescent dopant material of the light emitting layer 13, a pyrene derivative, a fluoranthene derivative, an aryl acetylene derivative, a fluorene derivative, a perylene derivative, an oxadiazole derivative, an anthracene derivative, or a chrysene derivative is used, for example. Further, a metal complex may be used as the fluorescent dopant material of the light emitting layer 13. Examples of the metal complex include a metal atom and a ligand such as iridium (Ir), platinum (Pt), osmium (Os), gold (Au), rhenium (Re), or ruthenium (Ru). Is mentioned.

発光層13は、正孔移動度が電子移動度よりも大きな有機発光材料によって構成されている。つまり、発光層13は、正孔輸送性の高い材料によって構成された層であり、かつ、正孔移動度が電子移動度よりも大きな層である。正孔輸送層12および電子輸送層14を構成する材料は、発光層13を構成する材料に応じた材料によって構成されている。   The light emitting layer 13 is made of an organic light emitting material having a hole mobility larger than the electron mobility. That is, the light emitting layer 13 is a layer made of a material having a high hole transporting property, and has a hole mobility larger than the electron mobility. The material constituting the hole transport layer 12 and the electron transport layer 14 is made of a material corresponding to the material constituting the light emitting layer 13.

発光層13は、発光層13内のうち、電子輸送層14側に発光領域13Aを有している。発光領域13Aとは、発光層13内で生成された励起子の、発光層13内での分布を指している。図2は、発光層13内での発光領域13Aの一例を表したものである。図2では、発光層13が真ん中で分けられており、正孔輸送層12が配置されている側の領域と、電子輸送層14が配置されている側の領域に二等分されている。「発光領域13Aが電子輸送層14側にある」とは、例えば、図2に示したように、発光層13内の発光領域13Aの90%以上が、電子輸送層14が配置されている側の領域に存在していることを指している。なお、図2には、発光領域13Aの一例が示されている。例えば、発光領域13Aのピークが発光層13の界面ではなく、発光層13内に位置している場合もある。発光領域13Aを変化させる方法としては、例えば、発光層13に含まれるホスト材料と蛍光ドーパント材料の比率を調整する方法がある。   The light emitting layer 13 has a light emitting region 13 </ b> A on the electron transport layer 14 side in the light emitting layer 13. The light emitting region 13 </ b> A refers to the distribution of excitons generated in the light emitting layer 13 in the light emitting layer 13. FIG. 2 shows an example of the light emitting region 13 </ b> A in the light emitting layer 13. In FIG. 2, the light emitting layer 13 is divided in the middle, and is divided into two equal parts: a region where the hole transport layer 12 is disposed and a region where the electron transport layer 14 is disposed. “The light emitting region 13A is on the electron transport layer 14 side” means, for example, as shown in FIG. 2, 90% or more of the light emitting region 13A in the light emitting layer 13 is the side where the electron transport layer 14 is disposed. Points to existing in the area. FIG. 2 shows an example of the light emitting region 13A. For example, the peak of the light emitting region 13 </ b> A may be located not in the interface of the light emitting layer 13 but in the light emitting layer 13. As a method of changing the light emitting region 13A, for example, there is a method of adjusting the ratio of the host material and the fluorescent dopant material contained in the light emitting layer 13.

電子輸送層14は、陰極15から注入された電子を発光層13へ輸送する機能を有する。電子輸送層14は、蒸着膜である。電子輸送層14は、例えば、電子輸送性を有する有機材料(以下、「電子輸送性材料14M」と称する。)によって構成されている。電子輸送層14は、正孔ブロック性および励起子失活を防ぐのに適した、広いエネルギーギャップを有する有機材料によって構成されている。電子輸送層14は、電子輸送層14のエネルギーギャップが発光層13におけるエネルギーギャップよりも大きい有機材料によって構成されている。   The electron transport layer 14 has a function of transporting electrons injected from the cathode 15 to the light emitting layer 13. The electron transport layer 14 is a vapor deposition film. The electron transport layer 14 is made of, for example, an organic material having an electron transport property (hereinafter referred to as “electron transport material 14M”). The electron transport layer 14 is made of an organic material having a wide energy gap suitable for preventing hole blocking and exciton deactivation. The electron transport layer 14 is made of an organic material in which the energy gap of the electron transport layer 14 is larger than the energy gap of the light emitting layer 13.

電子輸送層14は、発光層13と陰極15との間に介在し、陰極15から注入された電子を発光層13へ輸送する機能を有する。なお、電子輸送層14は、さらに、発光層13から陰極15への電荷(本実施の形態では正孔)の突き抜けを抑制する電荷ブロック機能や、発光層13の励起状態の消光を抑制する機能等を有していることが好ましい。電子輸送層14の原料(材料)である電子輸送性材料14Mは、例えば、分子内にヘテロ原子を1個以上含有する芳香族ヘテロ環化合物である。芳香族ヘテロ環化合物としては、例えば、ピリジン環、ピリミジン環、トリアジン環、ベンズイミダゾール環、フェナントロリン環、キナゾリン環等を骨格に含む化合物が挙げられる。また、電子輸送層14は、電子輸送性を有する金属を含んでもよい。電子輸送層14は、電子輸送性を有する金属を含むことで、電子輸送層14の電子輸送性を向上できる。電子輸送層14に含まれる金属としては、例えば、バリウム(Ba)、リチウム(Li)、カルシウム(Ca)、カリウム(K)、セシウム(Cs)、ナトリウム(Na)、ルビジウム(Rb)等を用いることができる。   The electron transport layer 14 is interposed between the light emitting layer 13 and the cathode 15 and has a function of transporting electrons injected from the cathode 15 to the light emitting layer 13. Note that the electron transport layer 14 further has a charge blocking function for suppressing penetration of charges (holes in the present embodiment) from the light emitting layer 13 to the cathode 15 and a function for suppressing quenching of the excited state of the light emitting layer 13. Etc. are preferable. The electron transporting material 14M that is a raw material (material) of the electron transport layer 14 is, for example, an aromatic heterocyclic compound containing one or more heteroatoms in the molecule. Examples of the aromatic heterocyclic compound include compounds containing a pyridine ring, a pyrimidine ring, a triazine ring, a benzimidazole ring, a phenanthroline ring, a quinazoline ring or the like in the skeleton. The electron transport layer 14 may include a metal having an electron transport property. The electron transport layer 14 can improve the electron transport property of the electron transport layer 14 by containing the metal which has electron transport property. Examples of the metal contained in the electron transport layer 14 include barium (Ba), lithium (Li), calcium (Ca), potassium (K), cesium (Cs), sodium (Na), and rubidium (Rb). be able to.

陰極15は、光反射性を有する反射電極であり、例えば反射性を有する金属材料を用いて形成された金属電極である。陰極15の材料としては、例えば、アルミニウム(Al)、マグネシウム(Mg)、銀(Ag)、アルミニウム−リチウム合金、マグネシウム−銀合金等が用いられる。なお、陰極15は、反射電極に限るものではなく、陽極11と同様に、ITO膜等の透明電極であってもよい。本実施の形態では、基板10及び陽極11が透光性を有し、陰極15が反射性を有するので、有機電界発光素子1は、基板10側から光が放出するボトムエミッション構造である。なお、有機電界発光素子1は、ボトムエミッション構造に限るものではなく、トップエミッション構造であってもよい。   The cathode 15 is a reflective electrode having light reflectivity, for example, a metal electrode formed using a metal material having reflectivity. As the material of the cathode 15, for example, aluminum (Al), magnesium (Mg), silver (Ag), an aluminum-lithium alloy, a magnesium-silver alloy, or the like is used. The cathode 15 is not limited to the reflective electrode, and may be a transparent electrode such as an ITO film, like the anode 11. In the present embodiment, since the substrate 10 and the anode 11 are translucent and the cathode 15 is reflective, the organic electroluminescent element 1 has a bottom emission structure in which light is emitted from the substrate 10 side. The organic electroluminescent element 1 is not limited to the bottom emission structure, and may have a top emission structure.

次に、有機電界発光素子1の各層のエネルギー準位について説明する。図3(A)、図3(B)は、有機電界発光素子1の各層のエネルギー準位の一例を模式的に表したものである。図3(A)には、有機発光層13が1種類のホスト材料と、1種類の蛍光ドーパント材料とを含有する場合のエネルギー準位が例示されており、図3(B)には、有機発光層13が2種類以上のホスト材料と、2種類以上の蛍光ドーパント材料とを含有する場合のエネルギー準位が例示されている。ES aは、正孔輸送層12のS1(一重項エネルギー)準位である。ET aは、正孔輸送層12のT1(三重項エネルギー)準位である。ES hは、発光層13のホスト材料のS1準位である。ET hは、発光層13のホスト材料のT1準位である。なお、有機発光層13が2種類以上のホスト材料を含有する場合、ES_MAXは最もS1準位が広いホスト材料のS1準位を指し、ES h_minは最もS1準位が狭いホスト材料のS1準位を指す。また、ET h_MAXは最もT1準位が高いホスト材料のT1準位を指し、ET h_minは最もT1準位が低いホスト材料のT1準位を指す。ES dは、発光層13の蛍光ドーパント材料のS1準位である。ET dは、発光層13の蛍光ドーパント材料のT1準位である。なお、有機発光層13が2種類以上のドーパント材料を含有する場合、ES d_MAXは最もS1準位が広いドーパント材料のS1準位を指し、ES d_minは最もS1準位が狭いドーパント材料のS1準位を指す。また、ET d_MAXは最もT1準位が高いドーパント材料のT1準位を指し、ET d_minは最もT1準位が低いドーパント材料のT1準位を指す。ES bは、電子輸送層14のS1準位である。ET bは、電子輸送層14のT1準位である。 Next, the energy level of each layer of the organic electroluminescent element 1 will be described. 3A and 3B schematically show an example of the energy level of each layer of the organic electroluminescent element 1. FIG. FIG. 3A illustrates an energy level in the case where the organic light emitting layer 13 contains one type of host material and one type of fluorescent dopant material, and FIG. The energy levels in the case where the light emitting layer 13 contains two or more types of host materials and two or more types of fluorescent dopant materials are illustrated. E S a is S1 (singlet energy) level of the hole transport layer 12. E T a is the T1 (triplet energy) level of the hole transport layer 12. E S h is is S1 level position of the host material of the light emitting layer 13. E T h is the T1 level of the host material of the light emitting layer 13. When the organic light emitting layer 13 contains two or more types of host materials, E S — MAX indicates the S1 level of the host material having the widest S1 level, and E S h — min has the narrowest S1 level. Refers to the S1 level of the host material. E T h — MAX indicates the T1 level of the host material having the highest T1 level, and E T h — min indicates the T1 level of the host material having the lowest T1 level. E S d is the S1 level of the fluorescent dopant material of the light emitting layer 13. E T d is the T1 level of the fluorescent dopant material of the light emitting layer 13. When the organic light emitting layer 13 contains two or more kinds of dopant materials, E S d — MAX indicates the S1 level of the dopant material having the widest S1 level, and E S d — min indicates the highest S1 level. It refers to the S1 level of a narrow dopant material. E T d — MAX indicates the T1 level of the dopant material having the highest T1 level, and E T d — min indicates the T1 level of the dopant material having the lowest T1 level. E S b is the S1 level of the electron transport layer 14. E T b is the T1 level of the electron transport layer 14.

S1準位の測定方法
例えば、光吸収分光法による吸収端からの算出、又はHOMO(最高被占準位,Highest occupied molecular orbital)準位とLUMO(最低空準位,Lowest unoccupied molecular orbital)準位の差から算出する手法がある。HOMO準位の測定法としては、例えば、大気中光電子分光法、電気化学的手法(サイクリックボルタメトリー)、又は、光電子分光法(PES)等が挙げられる。一方、LUMO準位の測定法としては、例えば、逆光電子分光法(IPES)が挙げられる。また、それぞれの準位を、分子起動法計算を用いて、HOMO準位及びLUMO準位を算出する手法を用いてもよい。
Measurement method of S1 level For example, calculation from absorption edge by optical absorption spectroscopy, or HOMO (highest occupied molecular orbital) level and LUMO (lowest unoccupied molecular orbital) level There is a method of calculating from the difference. Examples of the method for measuring the HOMO level include atmospheric photoelectron spectroscopy, electrochemical techniques (cyclic voltammetry), and photoelectron spectroscopy (PES). On the other hand, as a method for measuring the LUMO level, for example, inverse photoelectron spectroscopy (IPES) can be mentioned. Further, for each level, a method of calculating the HOMO level and the LUMO level using molecular activation method calculation may be used.

T1準位の測定方法
例えば、フォトルミネッセンス法により、冷却状態の遅延蛍光スペクトルから算出する方法、又は分子起動法計算を用いて算出する手法等がある。
Measurement method of T1 level For example, there is a method of calculating from a delayed fluorescence spectrum in a cooled state by a photoluminescence method, a method of calculating using a molecular activation method calculation, or the like.

有機電界発光素子1では、正孔輸送層12および電子輸送層14により、発光層13内で生じた3重項励起子を発光層13内に閉じ込め、3重項励起子を高頻度で衝突融合させ1重項励起子を生成させる。このTTF(Triplet−Triplet Fusion)現象により、蛍光発光の高効率化を図っている。具体的には、発光層13のホスト材料のET h(またはET h_MAX)が、正孔輸送層12のET aおよび電子輸送層14のET bよりも小さくなっている。これにより、発光層13のホスト材料の3重項励起子が正孔輸送層12および電子輸送層14に拡散することを防ぐ。また、発光層13の蛍光ドーパント材料のET d(またはET d_MAX)が、正孔輸送層12のET aおよび電子輸送層14のET bよりも小さくなっている。これにより、発光層13の蛍光ドーパント材料の3重項励起子が正孔輸送層12および電子輸送層14に拡散することを防ぐ。 In the organic electroluminescence device 1, triplet excitons generated in the light emitting layer 13 are confined in the light emitting layer 13 by the hole transport layer 12 and the electron transport layer 14, and the triplet excitons are collided with high frequency. Singlet excitons are generated. By this TTF (triplet-triplet fusion) phenomenon, the efficiency of fluorescence emission is increased. Specifically, E T h of the host material of the light-emitting layer 13 (or E T h _ MAX) is smaller than E T b of E T a and the electron transport layer 14 of the hole transport layer 12. This prevents triplet excitons of the host material of the light emitting layer 13 from diffusing into the hole transport layer 12 and the electron transport layer 14. Also, E T d of the fluorescent dopant material of the light emitting layer 13 (or E T d _ MAX) is smaller than E T b of E T a and the electron transport layer 14 of the hole transport layer 12. This prevents triplet excitons of the fluorescent dopant material of the light emitting layer 13 from diffusing into the hole transport layer 12 and the electron transport layer 14.

また、有機電界発光素子1では、発光層13は、ET h<ET d(または、ET h_MAX<ET d_min)の関係を満たす。この関係が満たされることにより、発光層13のホスト材料上で再結合し発生した三重項励起子は、より高い三重項エネルギーを持つ蛍光ドーパント材料には移動しない。また、発光層13の蛍光ドーパント材料上で再結合し発生した三重項励起子は速やかに発光層13のホスト材料にエネルギー移動する。即ち、発光層13のホスト材料の三重項励起子が発光層13の蛍光ドーパント材料に移動することなくTTF現象によって効率的に発光層13のホスト材料上で三重項励起子同士が衝突することで一重項励起子が生成される。さらに、発光層13の蛍光ドーパント材料のES d(または、ES d_MAX)は、発光層13のホスト材料のES h(または、ES h_min)より小さいので、TTF現象によって生成された一重項励起子は、発光層13のホスト材料から発光層13の蛍光ドーパント材料へエネルギー移動し、発光層13の蛍光ドーパント材料の蛍光性発光に寄与する。電子輸送層14、発光層13のホスト材料、発光層13の蛍光ドーパント材料の三重項エネルギーの関係を上記のようにすることにより、三重項励起子が熱的失活を起こす前に互いの衝突により効率的に一重項励起子を生成し発光効率が向上する。 Further, in the organic electroluminescent element 1, the light emitting layer 13, E T h <E T d ( or, E T h _ MAX <E T d _ min) satisfy the relationship. By satisfying this relationship, triplet excitons generated by recombination on the host material of the light-emitting layer 13 do not move to a fluorescent dopant material having higher triplet energy. Further, triplet excitons generated by recombination on the fluorescent dopant material of the light emitting layer 13 quickly transfer energy to the host material of the light emitting layer 13. That is, triplet excitons of the host material of the light-emitting layer 13 collide with each other on the host material of the light-emitting layer 13 efficiently by the TTF phenomenon without moving to the fluorescent dopant material of the light-emitting layer 13. Singlet excitons are generated. Further, since E S d (or E S d — MAX ) of the fluorescent dopant material of the light-emitting layer 13 is smaller than E S h (or E S h — min ) of the host material of the light-emitting layer 13, The generated singlet excitons transfer energy from the host material of the light emitting layer 13 to the fluorescent dopant material of the light emitting layer 13, and contribute to the fluorescence emission of the fluorescent dopant material of the light emitting layer 13. By making the relationship between the triplet energies of the electron transport layer 14, the host material of the light emitting layer 13, and the fluorescent dopant material of the light emitting layer 13 as described above, the triplet excitons collide with each other before thermal deactivation occurs. As a result, singlet excitons are efficiently generated and the light emission efficiency is improved.

図4は、S1準位と効率との関係の一例を表したものである。図4には、正孔輸送層12および電子輸送層14の材料を変えることにより得られた結果がプロットされている。図4の縦軸は、規格化した効率を示している。図4の横軸は、発光層13のS1準位に対する、両輸送層のS1準位の和を示している。図3、図4から、正孔輸送層12、発光層13および電子輸送層14は、以下の式(A),(B)を満たす。正孔輸送層12、発光層13および電子輸送層14が、以下の式(A),(B)を満たすことにより、発光層13内への励起子の閉じ込め性が向上する。
ΔEg(S1)≧0eV…(A)
ΔEg(S1)=ES a+ES b−2×ES EML…(B)
S a:正孔輸送層12のS1準位
S b:電子輸送層14のS1準位
S EML:発光層13のS1準位(=ES hまたはES h_MAX
FIG. 4 shows an example of the relationship between the S1 level and the efficiency. FIG. 4 plots the results obtained by changing the materials of the hole transport layer 12 and the electron transport layer 14. The vertical axis in FIG. 4 indicates normalized efficiency. The horizontal axis of FIG. 4 represents the sum of the S1 levels of both transport layers with respect to the S1 level of the light emitting layer 13. 3 and 4, the hole transport layer 12, the light emitting layer 13, and the electron transport layer 14 satisfy the following formulas (A) and (B). When the hole transport layer 12, the light emitting layer 13, and the electron transport layer 14 satisfy the following formulas (A) and (B), the confinement property of excitons in the light emitting layer 13 is improved.
ΔEg (S1) ≧ 0 eV (A)
ΔEg (S1) = E S a + E S b −2 × E S EML (B)
E S a : S1 level of the hole transport layer 12 E S b : S1 level of the electron transport layer 14 E S EML : S1 level of the light-emitting layer 13 (= E S h or E S h — MAX )

図5は、発光層13のS1準位に対する、非発光側の輸送層(正孔輸送層12)のS1準位と効率との関係の一例を表したものである。なお、「非発光側の輸送層」とは、「両輸送層(正孔輸送層12および電子輸送層14)のうち、発光領域13Aから相対的に離れている方の輸送層」を指している。図5には、正孔輸送層12の材料を変えることにより得られた結果がプロットされている。図5の縦軸は、規格化した効率を示している。図5の横軸は、発光層13に対する、正孔輸送層12のS1準位を示している。図3、図5から、正孔輸送層12、発光層13および電子輸送層14は、以下の式(C),(D)を満たす。正孔輸送層12、発光層13および電子輸送層14が、以下の式(C),(D)を満たすことにより、発光層13内への励起子の閉じ込め性が向上する。
S a>ES EML…(C)
S b>ES EML…(D)
FIG. 5 shows an example of the relationship between the S1 level of the non-light-emitting side transport layer (hole transport layer 12) and the efficiency with respect to the S1 level of the light-emitting layer 13. The “non-light-emitting transport layer” refers to “the transport layer that is relatively far from the light-emitting region 13A out of both transport layers (the hole transport layer 12 and the electron transport layer 14)”. Yes. FIG. 5 plots the results obtained by changing the material of the hole transport layer 12. The vertical axis in FIG. 5 indicates normalized efficiency. The horizontal axis in FIG. 5 indicates the S1 level of the hole transport layer 12 with respect to the light emitting layer 13. 3 and 5, the hole transport layer 12, the light emitting layer 13, and the electron transport layer 14 satisfy the following formulas (C) and (D). When the hole transport layer 12, the light emitting layer 13, and the electron transport layer 14 satisfy the following expressions (C) and (D), the confinement property of excitons in the light emitting layer 13 is improved.
E S a > E S EML (C)
E S b> E S EML ... (D)

図6は、T1準位と効率との関係の一例を表したものである。図6には、正孔輸送層12および電子輸送層14の材料を変えることにより得られた結果がプロットされている。図6の縦軸は、規格化した効率を示している。図6の横軸は、発光層13のT1準位に対する、両輸送層のT1準位の和を示している。図3、図6から、正孔輸送層12、発光層13および電子輸送層14は、以下の式(E),(F)を満たす。正孔輸送層12、発光層13および電子輸送層14が、以下の式(E),(F)を満たすことにより、発光層13内への励起子の閉じ込め性が向上する。
ΔEg(T1)≧0eV…(E)
ΔEg(T1)=ET a+ET b−2×ET EML…(F)
T a:正孔輸送層12のT1準位
T b:電子輸送層14のT1準位
T EML:発光層13のT1準位(=ET dまたはET d_MAX
FIG. 6 shows an example of the relationship between the T1 level and the efficiency. FIG. 6 plots the results obtained by changing the materials of the hole transport layer 12 and the electron transport layer 14. The vertical axis in FIG. 6 indicates normalized efficiency. The horizontal axis of FIG. 6 shows the sum of the T1 levels of both transport layers with respect to the T1 level of the light emitting layer 13. 3 and 6, the hole transport layer 12, the light emitting layer 13, and the electron transport layer 14 satisfy the following formulas (E) and (F). When the hole transport layer 12, the light emitting layer 13, and the electron transport layer 14 satisfy the following expressions (E) and (F), the confinement property of excitons in the light emitting layer 13 is improved.
ΔEg (T1) ≧ 0 eV (E)
ΔEg (T1) = E T a + E T b −2 × E T EML (F)
E T a : T1 level of hole transport layer 12 E T b : T1 level of electron transport layer 14 E T EML : T1 level of light-emitting layer 13 (= E T d or E T d — MAX )

図7は、非発光側の輸送層(正孔輸送層12)のT1準位と効率との関係の一例を表したものである。図7には、正孔輸送層12の材料を変えることにより得られた結果がプロットされている。図7の縦軸は、規格化した効率を示している。図7の横軸は、発光層13のT1準位に対する、正孔輸送層12のT1準位を示している。図3、図7から、正孔輸送層12、発光層13および電子輸送層14は、以下の式(G),(H)を満たす。正孔輸送層12、発光層13および電子輸送層14が、以下の式(G),(H)を満たすことにより、発光層13内への励起子の閉じ込め性が向上する。
T a>ET EML…(G)
T b>ET EML…(H)
FIG. 7 shows an example of the relationship between the T1 level of the transport layer (hole transport layer 12) on the non-light-emitting side and the efficiency. FIG. 7 plots the results obtained by changing the material of the hole transport layer 12. The vertical axis in FIG. 7 indicates normalized efficiency. The horizontal axis in FIG. 7 indicates the T1 level of the hole transport layer 12 with respect to the T1 level of the light emitting layer 13. 3 and 7, the hole transport layer 12, the light emitting layer 13, and the electron transport layer 14 satisfy the following formulas (G) and (H). When the hole transport layer 12, the light emitting layer 13, and the electron transport layer 14 satisfy the following formulas (G) and (H), the confinement property of excitons in the light emitting layer 13 is improved.
E T a > E T EML (G)
E T b > E T EML (H)

なお、図4〜図7には、発光層13が青色有機材料によって構成されている場合の結果が示されているが、上記の式(A)〜(H)は、発光層13が青色有機材料以外の材料(例えば、赤色有機材料または緑色有機材料)によって構成されている場合にも成り立ち得る。   4 to 7 show the results in the case where the light emitting layer 13 is made of a blue organic material. In the above formulas (A) to (H), the light emitting layer 13 is blue organic. This can also be realized when the material is made of a material other than the material (for example, a red organic material or a green organic material).

[効果]
次に、本実施の形態の有機電界発光素子1の効果について説明する。
[effect]
Next, the effect of the organic electroluminescent element 1 of the present embodiment will be described.

有機電界発光装置では、励起子の生成効率を高めるため、電子輸送層と発光層の界面に、正孔輸送層から供給された電荷が溜まるような構成が採られている。この場合、発光領域は電子輸送層側にあり、生成した励起子が熱的失活を起こさないように、電子輸送層のS1準位の高い材料が使用される。しかし、そのようにした場合であっても、発光層の発光能力(素子性能)を十分に引き出せていない。   In the organic electroluminescence device, in order to increase the generation efficiency of excitons, a configuration is adopted in which charges supplied from the hole transport layer accumulate at the interface between the electron transport layer and the light emitting layer. In this case, the light emitting region is on the electron transport layer side, and a material having a high S1 level of the electron transport layer is used so that the generated excitons do not cause thermal deactivation. However, even in such a case, the light emitting ability (element performance) of the light emitting layer cannot be sufficiently extracted.

一方、本実施の形態では、正孔輸送層12、発光層13および電子輸送層14が、上記の式(A),(B)を満たす。これにより、発光層13内への励起子の閉じ込め性が向上するので、有機電界発光素子の発光能力(素子性能)を向上させることができる。   On the other hand, in the present embodiment, the hole transport layer 12, the light emitting layer 13, and the electron transport layer 14 satisfy the above formulas (A) and (B). Thereby, since the confinement property of the exciton in the light emitting layer 13 improves, the light emission capability (element performance) of an organic electroluminescent element can be improved.

また、本実施の形態では、正孔輸送層12、発光層13および電子輸送層14が、上記の式(C),(D)を満たす。これにより、発光層13内への励起子の閉じ込め性が向上するので、有機電界発光素子の発光能力(素子性能)を向上させることができる。   Moreover, in this Embodiment, the positive hole transport layer 12, the light emitting layer 13, and the electron carrying layer 14 satisfy | fill said Formula (C), (D). Thereby, since the confinement property of the exciton in the light emitting layer 13 improves, the light emission capability (element performance) of an organic electroluminescent element can be improved.

また、本実施の形態では、発光層13において、正孔移動度が電子移動度よりも大きくなっている。これにより、発光領域13Aが電子輸送層14側となる。このとき、正孔輸送層12および電子輸送層14が励起子の熱的失活を起こさないように、正孔輸送層12および電子輸送層14のS1準位の高い材料が使用されている場合には、有機電界発光素子の発光能力(素子性能)を向上させることができる。   In the present embodiment, the hole mobility is higher than the electron mobility in the light emitting layer 13. Thereby, the light emitting region 13A becomes the electron transport layer 14 side. At this time, a material having a high S1 level of the hole transport layer 12 and the electron transport layer 14 is used so that the hole transport layer 12 and the electron transport layer 14 do not cause thermal deactivation of excitons. In addition, the light emission capability (device performance) of the organic electroluminescent device can be improved.

また、本実施の形態において、正孔輸送層12が不溶化された塗布膜で構成されている場合であっても、発光層13内への励起子の閉じ込め性が高いときには、有機電界発光素子の発光能力(素子性能)の低下を抑制することができる。   Further, in the present embodiment, even when the hole transport layer 12 is composed of an insolubilized coating film, when the confinement property of excitons in the light emitting layer 13 is high, the organic electroluminescent element A decrease in light emission capability (element performance) can be suppressed.

また、本実施の形態では、正孔輸送層12、発光層13および電子輸送層14が、上記の式(E),(F)を満たす。これにより、発光層13内への励起子の閉じ込め性が向上するので、有機電界発光素子の発光能力(素子性能)を向上させることができる。   Moreover, in this Embodiment, the positive hole transport layer 12, the light emitting layer 13, and the electron carrying layer 14 satisfy | fill said Formula (E) and (F). Thereby, since the confinement property of the exciton in the light emitting layer 13 improves, the light emission capability (element performance) of an organic electroluminescent element can be improved.

また、本実施の形態では、正孔輸送層12、発光層13および電子輸送層14が、上記の式(G),(H)を満たす。これにより、発光層13内への励起子の閉じ込め性が向上するので、有機電界発光素子の発光能力(素子性能)を向上させることができる。   Moreover, in this Embodiment, the positive hole transport layer 12, the light emitting layer 13, and the electron carrying layer 14 satisfy | fill said Formula (G) and (H). Thereby, since the confinement property of the exciton in the light emitting layer 13 improves, the light emission capability (element performance) of an organic electroluminescent element can be improved.

<2.第1の実施の形態の変形例>
図8は、上記実施の形態の発光層13内の発光領域13Aの一変形例を表したものである。上記実施の形態では、発光層13は、発光層13内のうち、電子輸送層14側に発光領域13Aを有していたが、例えば、図8に示したように、発光層13内のうち、正孔輸送層12側に発光領域13Aを有していてもよい。
<2. Modification of First Embodiment>
FIG. 8 shows a modification of the light emitting region 13A in the light emitting layer 13 of the above embodiment. In the above embodiment, the light emitting layer 13 has the light emitting region 13A on the electron transport layer 14 side in the light emitting layer 13, but for example, in the light emitting layer 13 as shown in FIG. The light emitting region 13A may be provided on the hole transport layer 12 side.

「発光領域13Aが正孔輸送層12側にある」とは、例えば、図8に示したように、発光層13内の発光領域13Aの90%以上が、正孔輸送層12が配置されている側の領域に存在していることを指している。なお、図8には、発光領域13Aの一例が示されている。例えば、発光領域13Aのピークが発光層13の界面ではなく、発光層13内に位置している場合もある。発光領域13Aを変化させる方法としては、例えば、発光層13に含まれるホスト材料と蛍光ドーパント材料の比率を調整する方法がある。   “The light emitting region 13A is on the hole transport layer 12 side” means that, for example, 90% or more of the light emitting region 13A in the light emitting layer 13 is disposed on the hole transport layer 12 as shown in FIG. It is present in the area on the other side. FIG. 8 shows an example of the light emitting region 13A. For example, the peak of the light emitting region 13 </ b> A may be located not in the interface of the light emitting layer 13 but in the light emitting layer 13. As a method of changing the light emitting region 13A, for example, there is a method of adjusting the ratio of the host material and the fluorescent dopant material contained in the light emitting layer 13.

本変形例において、正孔輸送層12、発光層13および電子輸送層14は、上記の式(A),(B)を満たしていることが好ましい。これにより、発光層13内への励起子の閉じ込め性が向上する。その結果、有機電界発光素子の発光能力(素子性能)を向上させることができる。   In this modification, it is preferable that the hole transport layer 12, the light emitting layer 13, and the electron transport layer 14 satisfy the above formulas (A) and (B). Thereby, the confinement property of excitons in the light emitting layer 13 is improved. As a result, the light emission capability (device performance) of the organic electroluminescent device can be improved.

また、本変形例において、正孔輸送層12、発光層13および電子輸送層14は、上記の式(C),(D)を満たしていることが好ましい。これにより、発光層13内への励起子の閉じ込め性が向上する。その結果、有機電界発光素子の発光能力(素子性能)を向上させることができる。   Moreover, in this modification, it is preferable that the positive hole transport layer 12, the light emitting layer 13, and the electron carrying layer 14 satisfy | fill said Formula (C), (D). Thereby, the confinement property of excitons in the light emitting layer 13 is improved. As a result, the light emission capability (device performance) of the organic electroluminescent device can be improved.

また、本変形例の発光層13において、電子移動度が正孔移動度よりも大きくなっている場合には、発光領域13Aが正孔輸送層12側となる。このとき、正孔輸送層12および電子輸送層14が励起子の熱的失活を起こさないように、正孔輸送層12および電子輸送層14のS1準位の高い材料が使用されている場合には、有機電界発光素子の発光能力(素子性能)を向上させることができる。   Moreover, in the light emitting layer 13 of this modification, when the electron mobility is larger than the hole mobility, the light emitting region 13A is on the hole transport layer 12 side. At this time, a material having a high S1 level of the hole transport layer 12 and the electron transport layer 14 is used so that the hole transport layer 12 and the electron transport layer 14 do not cause thermal deactivation of excitons. In addition, the light emission capability (device performance) of the organic electroluminescent device can be improved.

また、本変形例において、正孔輸送層12、発光層13および電子輸送層14は、上記の式(E),(F)を満たしていることが好ましい。これにより、発光層13内への励起子の閉じ込め性が向上する。その結果、有機電界発光素子の発光能力(素子性能)を向上させることができる。   Moreover, in this modification, it is preferable that the positive hole transport layer 12, the light emitting layer 13, and the electron carrying layer 14 satisfy | fill said Formula (E) and (F). Thereby, the confinement property of excitons in the light emitting layer 13 is improved. As a result, the light emission capability (device performance) of the organic electroluminescent device can be improved.

また、本変形例において、正孔輸送層12、発光層13および電子輸送層14は、上記の式(G),(H)を満たしていることが好ましい。これにより、発光層13内への励起子の閉じ込め性が向上する。その結果、有機電界発光素子の発光能力(素子性能)を向上させることができる。   Moreover, in this modification, it is preferable that the positive hole transport layer 12, the light emitting layer 13, and the electron carrying layer 14 satisfy | fill said Formula (G) and (H). Thereby, the confinement property of excitons in the light emitting layer 13 is improved. As a result, the light emission capability (device performance) of the organic electroluminescent device can be improved.

<3.第2の実施の形態>
[構成]
図9は、本開示の第2の実施の形態に係る有機電界発光装置2の概略構成の一例を表したものである。図10は、有機電界発光装置2に設けられた各画素21の回路構成の一例を表したものである。有機電界発光装置2は、例えば、表示パネル20、コントローラ30およびドライバ40を備えている。ドライバ40は、表示パネル20の外縁部分に実装されている。表示パネル20は、行列状に配置された複数の画素21を有している。コントローラ30およびドライバ40は、外部から入力された映像信号Dinおよび同期信号Tinに基づいて、表示パネル20(複数の画素21)を駆動する。
<3. Second Embodiment>
[Constitution]
FIG. 9 illustrates an example of a schematic configuration of the organic electroluminescent device 2 according to the second embodiment of the present disclosure. FIG. 10 illustrates an example of a circuit configuration of each pixel 21 provided in the organic electroluminescent device 2. The organic electroluminescent device 2 includes, for example, a display panel 20, a controller 30, and a driver 40. The driver 40 is mounted on the outer edge portion of the display panel 20. The display panel 20 has a plurality of pixels 21 arranged in a matrix. The controller 30 and the driver 40 drive the display panel 20 (the plurality of pixels 21) based on the video signal Din and the synchronization signal Tin input from the outside.

(表示パネル20)
表示パネル20は、コントローラ30およびドライバ40によって各画素21がアクティブマトリクス駆動されることにより、外部から入力された映像信号Dinおよび同期信号Tinに基づく画像を表示する。表示パネル20は、行方向に延在する複数の走査線WSLと、列方向に延在する複数の信号線DTLおよび複数の電源線DSLと、行列状に配置された複数の画素21とを有している。
(Display panel 20)
The display panel 20 displays an image based on the video signal Din and the synchronization signal Tin input from the outside, by the active matrix driving of each pixel 21 by the controller 30 and the driver 40. The display panel 20 includes a plurality of scanning lines WSL extending in the row direction, a plurality of signal lines DTL and a plurality of power supply lines DSL extending in the column direction, and a plurality of pixels 21 arranged in a matrix. doing.

走査線WSLは、各画素21の選択に用いられるものであり、各画素21を所定の単位(例えば画素行)ごとに選択する選択パルスを各画素21に供給するものである。信号線DTLは、映像信号Dinに応じた信号電圧Vsigの、各画素21への供給に用いられるものであり、信号電圧Vsigを含むデータパルスを各画素21に供給するものである。電源線DSLは、各画素21に電力を供給するものである。   The scanning line WSL is used for selecting each pixel 21 and supplies a selection pulse for selecting each pixel 21 for each predetermined unit (for example, pixel row) to each pixel 21. The signal line DTL is used for supplying each pixel 21 with a signal voltage Vsig corresponding to the video signal Din, and supplies a data pulse including the signal voltage Vsig to each pixel 21. The power supply line DSL supplies power to each pixel 21.

複数の画素21は、例えば、赤色光を発する複数の画素21、緑色光を発する複数の画素21および青色光を発する複数の画素21で構成されている。なお、複数の画素21は、例えば、さらに、他の色(例えば、白色や、黄色など)を発する複数の画素21を含んで構成されていてもよい。   The plurality of pixels 21 includes, for example, a plurality of pixels 21 that emit red light, a plurality of pixels 21 that emit green light, and a plurality of pixels 21 that emit blue light. In addition, the some pixel 21 may be comprised including the some pixel 21 which emits another color (for example, white, yellow, etc.) further, for example.

各信号線DTLは、後述の水平セレクタ41の出力端に接続されている。各画素列には、例えば、複数の信号線DTLが1本ずつ、割り当てられている。各走査線WSLは、後述のライトスキャナ42の出力端に接続されている。各画素行には、例えば、複数の走査線WSLが1本ずつ、割り当てられている。各電源線DSLは、電源の出力端に接続されている。各画素行には、例えば、複数の電源線DSLが1本ずつ、割り当てられている。   Each signal line DTL is connected to an output terminal of a horizontal selector 41 described later. For example, one signal line DTL is assigned to each pixel column. Each scanning line WSL is connected to an output end of a write scanner 42 described later. For example, one scanning line WSL is assigned to each pixel row. Each power line DSL is connected to the output terminal of the power source. For example, one power line DSL is allocated to each pixel row.

各画素21は、例えば、画素回路21Aと、有機電界発光素子21Bとを有している。有機電界発光素子21Bは、例えば、上記実施の形態の有機電界発光素子1である。表示パネル20に含まれる複数の画素21のうち、少なくとも1つは、上記実施の形態の有機電界発光素子1を有している。つまり、表示パネル20に含まれる複数の有機電界発光素子21Bのうち、少なくとも1つは、上記実施の形態の有機電界発光素子1で構成されている。例えば、青色光を発する各画素21が、有機電界発光素子21Bとして、上記実施の形態の有機電界発光素子1を有している。   Each pixel 21 includes, for example, a pixel circuit 21A and an organic electroluminescent element 21B. The organic electroluminescent element 21B is, for example, the organic electroluminescent element 1 of the above embodiment. At least one of the plurality of pixels 21 included in the display panel 20 has the organic electroluminescent element 1 of the above embodiment. That is, at least one of the plurality of organic electroluminescent elements 21B included in the display panel 20 is configured by the organic electroluminescent element 1 of the above embodiment. For example, each pixel 21 that emits blue light has the organic electroluminescent element 1 of the above embodiment as the organic electroluminescent element 21B.

画素回路21Aは、有機電界発光素子21Bの発光・消光を制御する。画素回路21Aは、後述の書込走査によって各画素21に書き込んだ電圧を保持する機能を有している。画素回路21Aは、例えば、駆動トランジスタTr1、書込トランジスタTr2および保持容量Csを含んで構成されている。   The pixel circuit 21A controls light emission / quenching of the organic electroluminescent element 21B. The pixel circuit 21A has a function of holding a voltage written in each pixel 21 by writing scanning described later. The pixel circuit 21A includes, for example, a drive transistor Tr1, a write transistor Tr2, and a storage capacitor Cs.

書込トランジスタTr2は、駆動トランジスタTr1のゲートに対する、映像信号Dinに対応した信号電圧Vsigの印加を制御する。具体的には、書込トランジスタTr2は、信号線DTLの電圧をサンプリングするとともに、サンプリングにより得られた電圧を駆動トランジスタTr1のゲートに書き込む。駆動トランジスタTr1は、有機電界発光素子21Bに直列に接続されている。駆動トランジスタTr1は、有機電界発光素子21Bを駆動する。駆動トランジスタTr1は、書込トランジスタTr2によってサンプリングされた電圧の大きさに応じて有機電界発光素子21Bに流れる電流を制御する。保持容量Csは、駆動トランジスタTr1のゲート−ソース間に所定の電圧を保持するものである。保持容量Csは、所定の期間中に駆動トランジスタTr1のゲート−ソース間電圧Vgsを一定に保持する役割を有する。なお、画素回路21Aは、上述の2Tr1Cの回路に対して各種容量やトランジスタを付加した回路構成となっていてもよいし、上述の2Tr1Cの回路構成とは異なる回路構成となっていてもよい。   The write transistor Tr2 controls application of the signal voltage Vsig corresponding to the video signal Din to the gate of the drive transistor Tr1. Specifically, the write transistor Tr2 samples the voltage of the signal line DTL and writes the voltage obtained by the sampling to the gate of the drive transistor Tr1. The drive transistor Tr1 is connected in series to the organic electroluminescent element 21B. The drive transistor Tr1 drives the organic electroluminescent element 21B. The drive transistor Tr1 controls the current flowing through the organic electroluminescent element 21B according to the voltage sampled by the write transistor Tr2. The holding capacitor Cs holds a predetermined voltage between the gate and source of the driving transistor Tr1. The storage capacitor Cs has a role of holding the gate-source voltage Vgs of the drive transistor Tr1 constant during a predetermined period. The pixel circuit 21A may have a circuit configuration in which various capacitors and transistors are added to the above-described 2Tr1C circuit, or may have a circuit configuration different from the above-described 2Tr1C circuit configuration.

各信号線DTLは、後述の水平セレクタ41の出力端と、書込トランジスタTr2のソースまたはドレインとに接続されている。各走査線WSLは、後述のライトスキャナ42の出力端と、書込トランジスタTr2のゲートとに接続されている。各電源線DSLは、電源回路33の出力端と、駆動トランジスタTr1のソースまたはドレインに接続されている。   Each signal line DTL is connected to an output terminal of a horizontal selector 41, which will be described later, and the source or drain of the write transistor Tr2. Each scanning line WSL is connected to an output terminal of a write scanner 42 described later and a gate of the write transistor Tr2. Each power line DSL is connected to the output terminal of the power circuit 33 and the source or drain of the driving transistor Tr1.

書込トランジスタTr2のゲートは、走査線WSLに接続されている。書込トランジスタTr2のソースまたはドレインが信号線DTLに接続されている。書込トランジスタTr2のソースおよびドレインのうち信号線DTLに未接続の端子が駆動トランジスタTr1のゲートに接続されている。駆動トランジスタTr1のソースまたはドレインが電源線DSLに接続されている。駆動トランジスタTr1のソースおよびドレインのうち電源線DSLに未接続の端子が有機電界発光素子21Bの陽極11に接続されている。保持容量Csの一端が駆動トランジスタTr1のゲートに接続されている。保持容量Csの他端が駆動トランジスタTr1のソースおよびドレインのうち有機電界発光素子21B側の端子に接続されている。   The gate of the writing transistor Tr2 is connected to the scanning line WSL. The source or drain of the write transistor Tr2 is connected to the signal line DTL. Of the source and drain of the write transistor Tr2, a terminal not connected to the signal line DTL is connected to the gate of the drive transistor Tr1. The source or drain of the drive transistor Tr1 is connected to the power supply line DSL. Of the source and drain of the drive transistor Tr1, a terminal not connected to the power supply line DSL is connected to the anode 11 of the organic electroluminescent element 21B. One end of the storage capacitor Cs is connected to the gate of the drive transistor Tr1. The other end of the storage capacitor Cs is connected to a terminal on the organic electroluminescent element 21B side of the source and drain of the drive transistor Tr1.

(ドライバ40)
ドライバ40は、例えば、水平セレクタ41およびライトスキャナ42を有している。水平セレクタ41は、例えば、制御信号の入力に応じて(同期して)、コントローラ30から入力されたアナログの信号電圧Vsigを、各信号線DTLに印加する。ライトスキャナ42は、複数の画素21を所定の単位ごとに走査する。
(Driver 40)
The driver 40 has, for example, a horizontal selector 41 and a write scanner 42. For example, the horizontal selector 41 applies the analog signal voltage Vsig input from the controller 30 to each signal line DTL in response to (in synchronization with) the input of the control signal. The write scanner 42 scans the plurality of pixels 21 for each predetermined unit.

(コントローラ30)
次に、コントローラ30について説明する。コントローラ30は、例えば、外部から入力されたデジタルの映像信号Dinに対して所定の補正を行い、それにより得られた映像信号に基づいて、信号電圧Vsigを生成する。コントローラ30は、例えば、生成した信号電圧Vsigを水平セレクタ41に出力する。コントローラ30は、例えば、外部から入力された同期信号Tinに応じて(同期して)、ドライバ40内の各回路に対して制御信号を出力する。
(Controller 30)
Next, the controller 30 will be described. For example, the controller 30 performs a predetermined correction on the digital video signal Din input from the outside, and generates a signal voltage Vsig based on the video signal obtained thereby. For example, the controller 30 outputs the generated signal voltage Vsig to the horizontal selector 41. For example, the controller 30 outputs a control signal to each circuit in the driver 40 in response to (in synchronization with) a synchronization signal Tin input from the outside.

[効果]
本実施の形態では、表示パネル20に含まれる複数の有機電界発光素子21Bのうち、少なくとも1つは、上記実施の形態の有機電界発光素子1で構成されている。従って、発光効率の高い有機電界発光装置2を実現することができる。
[effect]
In the present embodiment, at least one of the plurality of organic electroluminescent elements 21B included in the display panel 20 is configured by the organic electroluminescent element 1 of the above-described embodiment. Accordingly, it is possible to realize the organic electroluminescent device 2 with high luminous efficiency.

<4.適用例>
[適用例その1]
以下では、上記第2の実施の形態で説明した有機電界発光装置2の適用例について説明する。有機電界発光装置2は、テレビジョン装置、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、シート状のパーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
<4. Application example>
[Application example 1]
Below, the application example of the organic electroluminescent apparatus 2 demonstrated by the said 2nd Embodiment is demonstrated. The organic electroluminescent device 2 is a television signal, a digital camera, a notebook personal computer, a sheet-like personal computer, a mobile terminal device such as a mobile phone, or a video camera. The present invention can be applied to display devices for electronic devices in various fields that display signals as images or videos.

図11は、本適用例に係る電子機器3の外観を斜視的に表したものである。電子機器3は、例えば、筐体310の主面に表示面320を備えたシート状のパーソナルコンピュータである。電子機器3は、電子機器3の表示面320に、有機電界発光装置2を備えている。有機電界発光装置2は、表示パネル20が外側を向くように配置されている。本適用例では、有機電界発光装置2が表示面320に設けられているので、発光効率の高い電子機器3を実現することができる。   FIG. 11 is a perspective view of the appearance of the electronic apparatus 3 according to this application example. The electronic device 3 is, for example, a sheet-like personal computer having a display surface 320 on the main surface of the housing 310. The electronic device 3 includes the organic electroluminescent device 2 on the display surface 320 of the electronic device 3. The organic electroluminescent device 2 is arranged so that the display panel 20 faces the outside. In this application example, since the organic electroluminescent device 2 is provided on the display surface 320, the electronic device 3 having high luminous efficiency can be realized.

[適用例その2]
以下では、上記第1の実施の形態で説明した有機電界発光素子1の適用例について説明する。有機電界発光素子1は、卓上用もしくは床置き用の照明装置、または、室内用の照明装置など、あらゆる分野の照明装置の光源に適用することが可能である。
[Application example 2]
Below, the application example of the organic electroluminescent element 1 demonstrated in the said 1st Embodiment is demonstrated. The organic electroluminescent element 1 can be applied to a light source of a lighting device in various fields such as a desk or floor lighting device or a room lighting device.

図12は、有機電界発光素子1が適用される室内用の照明装置の外観を表したものである。この照明装置は、例えば、1または複数の有機電界発光素子1を含んで構成された照明部410を有している。照明部410は、建造物の天井420に適宜の個数および間隔で配置されている。なお、照明部410は、用途に応じて、天井420に限らず、壁430または床(図示せず)など任意の場所に設置することが可能である。   FIG. 12 shows the appearance of an indoor lighting device to which the organic electroluminescent element 1 is applied. This illuminating device has the illumination part 410 comprised including the one or some organic electroluminescent element 1, for example. The illumination units 410 are arranged on the ceiling 420 of the building at an appropriate number and interval. Note that the illumination unit 410 can be installed in an arbitrary place such as a wall 430 or a floor (not shown), not limited to the ceiling 420, depending on the application.

これらの照明装置では、有機電界発光素子1からの光により、照明が行われる。これにより、発光効率の高い照明装置を実現することができる。   In these illumination devices, illumination is performed by light from the organic electroluminescent element 1. Thereby, an illuminating device with high luminous efficiency can be realized.

以上、実施の形態および適用例を挙げて本開示を説明したが、本開示は実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。なお、本明細書中に記載された効果は、あくまで例示である。本開示の効果は、本明細書中に記載された効果に限定されるものではない。本開示が、本明細書中に記載された効果以外の効果を持っていてもよい。   While the present disclosure has been described with the embodiment and application examples, the present disclosure is not limited to the embodiment and the like, and various modifications can be made. In addition, the effect described in this specification is an illustration to the last. The effects of the present disclosure are not limited to the effects described in this specification. The present disclosure may have effects other than those described in this specification.

また、例えば、本開示は以下のような構成を取ることができる。
(1)
第1電極と、
正孔輸送層と、
発光層と、
電子輸送層と、
第2電極と
をこの順に備え、
前記正孔輸送層、前記発光層および前記電子輸送層は、以下の式を満たす
有機電界発光素子。
ΔEg(T1)≧0eV
ΔEg(T1)=ET a+ET b−2×ET EML
T a:前記正孔輸送層のT1準位
T b:前記電子輸送層のT1準位
T EML:前記発光層のT1準位
(2)
前記発光層は、当該発光層内のうち、前記電子輸送層側に発光領域を有し、
前記正孔輸送層、前記発光層および前記電子輸送層は、以下の式を満たす
(1)に記載の有機電界発光素子。
T a>ET EML
T b>ET EML
(3)
前記発光層において、正孔移動度が電子移動度よりも大きい
(2)に記載の有機電界発光素子。
(4)
前記発光層は、当該発光層内のうち、前記正孔輸送層側に発光領域を有し、
前記正孔輸送層、前記発光層および前記電子輸送層は、以下の式を満たす
(1)に記載の有機電界発光素子。
T a>ET EML
T b>ET EML
(5)
前記発光層において、電子移動度が正孔移動度よりも大きい
(4)に記載の有機電界発光素子。
(6)
前記正孔輸送層は、不溶化された塗布膜で構成され、
前記発光層は、塗布膜で構成される
(1)ないし(5)のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
(7)
第1電極と、
正孔輸送層と、
発光層と、
電子輸送層と、
第2電極と
をこの順に備え、
前記発光層は、当該発光層内のうち、前記正孔輸送層および前記電子輸送層のいずれか一方寄りに発光領域を有し、
前記正孔輸送層、前記発光層および前記電子輸送層は、以下の式を満たす
有機電界発光素子。
T ULL>ET EML
T ULL:前記正孔輸送層および前記電子輸送層のうち前記発光領域からより離れている層のT1準位
T EML:前記発光層のT1準位
(8)
複数の有機電界発光素子を備え、
前記複数の有機電界発光素子のうちの少なくとも1つは、
第1電極と、
正孔輸送層と、
発光層と、
電子輸送層と、
第2電極と
をこの順に備え、
前記正孔輸送層、前記発光層および前記電子輸送層は、以下の式を満たす
有機電界発光装置。
ΔEg(T1)≧0eV
ΔEg(T1)=ET a+ET b−2×ET EML
T a:前記正孔輸送層のT1準位
T b:前記電子輸送層のT1準位
T EML:前記発光層のT1準位
(9)
複数の有機電界発光素子を備え、
前記複数の有機電界発光素子のうちの少なくとも1つは、
第1電極と、
正孔輸送層と、
発光層と、
電子輸送層と、
第2電極と
をこの順に有し、
前記発光層は、当該発光層内のうち、前記正孔輸送層および前記電子輸送層のいずれか一方寄りに発光領域を有し、
前記正孔輸送層、前記発光層および前記電子輸送層は、以下の式を満たす
有機電界発光装置。
T ULL>ET EML
T ULL:前記正孔輸送層および前記電子輸送層のうち前記発光領域からより離れている層のT1準位
T EML:前記発光層のT1準位
(10)
複数の有機電界発光素子を有する有機電界発光装置を備え、
前記複数の有機電界発光素子のうちの少なくとも1つは、
第1電極と、
正孔輸送層と、
発光層と、
電子輸送層と、
第2電極と
をこの順に備え、
前記正孔輸送層、前記発光層および前記電子輸送層は、以下の式を満たす
電子機器。
ΔEg(T1)≧0eV
ΔEg(T1)=ET a+ET b−2×ET EML
T a:前記正孔輸送層のT1準位
T b:前記電子輸送層のT1準位
T EML:前記発光層のT1準位
(11)
複数の有機電界発光素子を有する有機電界発光装置を備え、
前記複数の有機電界発光素子のうちの少なくとも1つは、
第1電極と、
正孔輸送層と、
発光層と、
電子輸送層と、
第2電極と
をこの順に有し、
前記発光層は、当該発光層内のうち、前記正孔輸送層および前記電子輸送層のいずれか一方寄りに発光領域を有し、
前記正孔輸送層、前記発光層および前記電子輸送層は、以下の式を満たす
電子機器。
T ULL>ET EML
T ULL:前記正孔輸送層および前記電子輸送層のうち前記発光領域からより離れている層のT1準位
T EML:前記発光層のT1準位
For example, this indication can take the following composition.
(1)
A first electrode;
A hole transport layer;
A light emitting layer;
An electron transport layer;
A second electrode and in this order,
The hole transport layer, the light emitting layer, and the electron transport layer satisfy the following formula: an organic electroluminescent device.
ΔEg (T1) ≧ 0 eV
ΔEg (T1) = E T a + E T b −2 × E T EML
E T a : T1 level of the hole transport layer E T b : T1 level of the electron transport layer E T EML : T1 level of the light emitting layer (2)
The light emitting layer has a light emitting region on the electron transport layer side in the light emitting layer,
The organic electroluminescent element according to (1), wherein the hole transport layer, the light emitting layer, and the electron transport layer satisfy the following formula.
E T a > E T EML
E T b > E T EML
(3)
The organic electroluminescent element according to (2), wherein the hole mobility is higher than the electron mobility in the light emitting layer.
(4)
The light emitting layer has a light emitting region on the hole transport layer side in the light emitting layer,
The organic electroluminescent element according to (1), wherein the hole transport layer, the light emitting layer, and the electron transport layer satisfy the following formula.
E T a > E T EML
E T b > E T EML
(5)
The organic electroluminescent element according to (4), wherein the electron mobility is higher than the hole mobility in the light emitting layer.
(6)
The hole transport layer is composed of an insolubilized coating film,
The said light emitting layer is comprised with a coating film. The organic electroluminescent element as described in any one of (1) thru | or (5).
(7)
A first electrode;
A hole transport layer;
A light emitting layer;
An electron transport layer;
A second electrode and in this order,
The light emitting layer has a light emitting region in the light emitting layer near one of the hole transport layer and the electron transport layer,
The hole transport layer, the light emitting layer, and the electron transport layer satisfy the following formula: an organic electroluminescent device.
E T ULL > E T EML
E T ULL : T1 level of the hole transport layer and the electron transport layer farther from the light emitting region E T EML : T1 level of the light emitting layer (8)
Comprising a plurality of organic electroluminescent elements,
At least one of the plurality of organic electroluminescent elements is:
A first electrode;
A hole transport layer;
A light emitting layer;
An electron transport layer;
A second electrode and in this order,
The said hole transport layer, the said light emitting layer, and the said electron transport layer are organic electroluminescent apparatuses with which the following formula | equation is satisfy | filled.
ΔEg (T1) ≧ 0 eV
ΔEg (T1) = E T a + E T b −2 × E T EML
E T a : T1 level of the hole transport layer E T b : T1 level of the electron transport layer E T EML : T1 level of the light emitting layer (9)
Comprising a plurality of organic electroluminescent elements,
At least one of the plurality of organic electroluminescent elements is:
A first electrode;
A hole transport layer;
A light emitting layer;
An electron transport layer;
Having the second electrode in this order,
The light emitting layer has a light emitting region in the light emitting layer near one of the hole transport layer and the electron transport layer,
The said hole transport layer, the said light emitting layer, and the said electron transport layer are organic electroluminescent apparatuses with which the following formula | equation is satisfy | filled.
E T ULL > E T EML
E T ULL : T1 level of the hole transport layer and the electron transport layer farther from the light emitting region E T EML : T1 level of the light emitting layer (10)
Comprising an organic electroluminescent device having a plurality of organic electroluminescent elements;
At least one of the plurality of organic electroluminescent elements is:
A first electrode;
A hole transport layer;
A light emitting layer;
An electron transport layer;
A second electrode and in this order,
The hole transport layer, the light emitting layer, and the electron transport layer satisfy the following formula.
ΔEg (T1) ≧ 0 eV
ΔEg (T1) = E T a + E T b −2 × E T EML
E T a : T1 level of the hole transport layer E T b : T1 level of the electron transport layer E T EML : T1 level of the light emitting layer (11)
Comprising an organic electroluminescent device having a plurality of organic electroluminescent elements;
At least one of the plurality of organic electroluminescent elements is:
A first electrode;
A hole transport layer;
A light emitting layer;
An electron transport layer;
Having the second electrode in this order,
The light emitting layer has a light emitting region in the light emitting layer near one of the hole transport layer and the electron transport layer,
The hole transport layer, the light emitting layer, and the electron transport layer satisfy the following formula.
E T ULL > E T EML
E T ULL : T1 level of the hole transport layer and the electron transport layer that are further away from the light emitting region E T EML : T1 level of the light emitting layer

1…有機電界発光素子、2…有機電界発光装置、3…電子機器、10…基板、11…陽極、12…正孔輸送層、12M…正孔輸送性材料、13…発光層、13M…有機発光材料、14…電子輸送層、14M…電子輸送性材料、15…陰極、20…表示パネル、21…画素、21A…画素回路、21B…有機電界発光素子、30…コントローラ、40…ドライバ、41…水平セレクタ、42…ライトスキャナ、310…筐体、320…表示面、410…照明部、420…天井、430…壁、Cs…保持容量、DTL…信号線、DSL…電源線、Tr1…駆動トランジスタ、Tr2…書込トランジスタ、Vgs…ゲート−ソース間電圧、Vsig…信号電圧、WSL…走査線。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Organic electroluminescent element, 2 ... Organic electroluminescent apparatus, 3 ... Electronic equipment, 10 ... Board | substrate, 11 ... Anode, 12 ... Hole transport layer, 12M ... Hole transport material, 13 ... Light emitting layer, 13M ... Organic Light emitting material, 14 ... electron transport layer, 14M ... electron transport material, 15 ... cathode, 20 ... display panel, 21 ... pixel, 21A ... pixel circuit, 21B ... organic electroluminescent element, 30 ... controller, 40 ... driver, 41 ... Horizontal selector, 42 ... Light scanner, 310 ... Housing, 320 ... Display surface, 410 ... Illumination unit, 420 ... Ceiling, 430 ... Wall, Cs ... Retention capacity, DTL ... Signal line, DSL ... Power line, Tr1 ... Drive Transistor, Tr2 ... write transistor, Vgs ... gate-source voltage, Vsig ... signal voltage, WSL ... scanning line.

Claims (11)

第1電極と、
正孔輸送層と、
発光層と、
電子輸送層と、
第2電極と
をこの順に備え、
前記正孔輸送層、前記発光層および前記電子輸送層は、以下の式を満たす
有機電界発光素子。
ΔEg(T1)≧0eV
ΔEg(T1)=ET a+ET b−2×ET EML
T a:前記正孔輸送層のT1準位
T b:前記電子輸送層のT1準位
T EML:前記発光層のT1準位
A first electrode;
A hole transport layer;
A light emitting layer;
An electron transport layer;
A second electrode and in this order,
The hole transport layer, the light emitting layer, and the electron transport layer satisfy the following formula: an organic electroluminescent device.
ΔEg (T1) ≧ 0 eV
ΔEg (T1) = E T a + E T b −2 × E T EML
E T a : T1 level of the hole transport layer E T b : T1 level of the electron transport layer E T EML : T1 level of the light emitting layer
前記発光層は、当該発光層内のうち、前記電子輸送層側に発光領域を有し、
前記正孔輸送層、前記発光層および前記電子輸送層は、以下の式を満たす
請求項1に記載の有機電界発光素子。
T a>ET EML
T b>ET EML
The light emitting layer has a light emitting region on the electron transport layer side in the light emitting layer,
The organic electroluminescent element according to claim 1, wherein the hole transport layer, the light emitting layer, and the electron transport layer satisfy the following formula.
E T a > E T EML
E T b > E T EML
前記発光層において、正孔移動度が電子移動度よりも大きい
請求項2に記載の有機電界発光素子。
The organic electroluminescent element according to claim 2, wherein hole mobility is higher than electron mobility in the light emitting layer.
前記発光層は、当該発光層内のうち、前記正孔輸送層側に発光領域を有し、
前記正孔輸送層、前記発光層および前記電子輸送層は、以下の式を満たす
請求項1に記載の有機電界発光素子。
T a>ET EML
T b>ET EML
The light emitting layer has a light emitting region on the hole transport layer side in the light emitting layer,
The organic electroluminescent element according to claim 1, wherein the hole transport layer, the light emitting layer, and the electron transport layer satisfy the following formula.
E T a > E T EML
E T b > E T EML
前記発光層において、電子移動度が正孔移動度よりも大きい
請求項4に記載の有機電界発光素子。
The organic electroluminescent element according to claim 4, wherein the electron mobility is higher than the hole mobility in the light emitting layer.
前記正孔輸送層は、不溶化された塗布膜で構成され、
前記発光層は、塗布膜で構成される
請求項1ないし請求項5のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
The hole transport layer is composed of an insolubilized coating film,
The organic electroluminescent element according to any one of claims 1 to 5, wherein the light emitting layer is formed of a coating film.
第1電極と、
正孔輸送層と、
発光層と、
電子輸送層と、
第2電極と
をこの順に備え、
前記発光層は、当該発光層内のうち、前記正孔輸送層および前記電子輸送層のいずれか一方寄りに発光領域を有し、
前記正孔輸送層、前記発光層および前記電子輸送層は、以下の式を満たす
有機電界発光素子。
T ULL>ET EML
T ULL:前記正孔輸送層および前記電子輸送層のうち前記発光領域からより離れている層のT1準位
T EML:前記発光層のT1準位
A first electrode;
A hole transport layer;
A light emitting layer;
An electron transport layer;
A second electrode and in this order,
The light emitting layer has a light emitting region in the light emitting layer near one of the hole transport layer and the electron transport layer,
The hole transport layer, the light emitting layer, and the electron transport layer satisfy the following formula: an organic electroluminescent device.
E T ULL > E T EML
E T ULL : T1 level of the hole transport layer and the electron transport layer that are further away from the light emitting region E T EML : T1 level of the light emitting layer
複数の有機電界発光素子を備え、
前記複数の有機電界発光素子のうちの少なくとも1つは、
第1電極と、
正孔輸送層と、
発光層と、
電子輸送層と、
第2電極と
をこの順に備え、
前記正孔輸送層、前記発光層および前記電子輸送層は、以下の式を満たす
有機電界発光装置。
ΔEg(T1)≧0eV
ΔEg(T1)=ET a+ET b−2×ET EML
T a:前記正孔輸送層のT1準位
T b:前記電子輸送層のT1準位
T EML:前記発光層のT1準位
Comprising a plurality of organic electroluminescent elements,
At least one of the plurality of organic electroluminescent elements is:
A first electrode;
A hole transport layer;
A light emitting layer;
An electron transport layer;
A second electrode and in this order,
The said hole transport layer, the said light emitting layer, and the said electron transport layer are organic electroluminescent apparatuses with which the following formula | equation is satisfy | filled.
ΔEg (T1) ≧ 0 eV
ΔEg (T1) = E T a + E T b −2 × E T EML
E T a : T1 level of the hole transport layer E T b : T1 level of the electron transport layer E T EML : T1 level of the light emitting layer
複数の有機電界発光素子を備え、
前記複数の有機電界発光素子のうちの少なくとも1つは、
第1電極と、
正孔輸送層と、
発光層と、
電子輸送層と、
第2電極と
をこの順に有し、
前記発光層は、当該発光層内のうち、前記正孔輸送層および前記電子輸送層のいずれか一方寄りに発光領域を有し、
前記正孔輸送層、前記発光層および前記電子輸送層は、以下の式を満たす
有機電界発光装置。
T ULL>ET EML
T ULL:前記正孔輸送層および前記電子輸送層のうち前記発光領域からより離れている層のT1準位
T EML:前記発光層のT1準位
Comprising a plurality of organic electroluminescent elements,
At least one of the plurality of organic electroluminescent elements is:
A first electrode;
A hole transport layer;
A light emitting layer;
An electron transport layer;
Having the second electrode in this order,
The light emitting layer has a light emitting region in the light emitting layer near one of the hole transport layer and the electron transport layer,
The said hole transport layer, the said light emitting layer, and the said electron transport layer are organic electroluminescent apparatuses with which the following formula | equation is satisfy | filled.
E T ULL > E T EML
E T ULL : T1 level of the hole transport layer and the electron transport layer that are further away from the light emitting region E T EML : T1 level of the light emitting layer
複数の有機電界発光素子を有する有機電界発光装置を備え、
前記複数の有機電界発光素子のうちの少なくとも1つは、
第1電極と、
正孔輸送層と、
発光層と、
電子輸送層と、
第2電極と
をこの順に備え、
前記正孔輸送層、前記発光層および前記電子輸送層は、以下の式を満たす
電子機器。
ΔEg(T1)≧0eV
ΔEg(T1)=ET a+ET b−2×ET EML
T a:前記正孔輸送層のT1準位
T b:前記電子輸送層のT1準位
T EML:前記発光層のT1準位
Comprising an organic electroluminescent device having a plurality of organic electroluminescent elements;
At least one of the plurality of organic electroluminescent elements is:
A first electrode;
A hole transport layer;
A light emitting layer;
An electron transport layer;
A second electrode and in this order,
The hole transport layer, the light emitting layer, and the electron transport layer satisfy the following formula.
ΔEg (T1) ≧ 0 eV
ΔEg (T1) = E T a + E T b −2 × E T EML
E T a : T1 level of the hole transport layer E T b : T1 level of the electron transport layer E T EML : T1 level of the light emitting layer
複数の有機電界発光素子を有する有機電界発光装置を備え、
前記複数の有機電界発光素子のうちの少なくとも1つは、
第1電極と、
正孔輸送層と、
発光層と、
電子輸送層と、
第2電極と
をこの順に有し、
前記発光層は、当該発光層内のうち、前記正孔輸送層および前記電子輸送層のいずれか一方寄りに発光領域を有し、
前記正孔輸送層、前記発光層および前記電子輸送層は、以下の式を満たす
電子機器。
T ULL>ET EML
T ULL:前記正孔輸送層および前記電子輸送層のうち前記発光領域からより離れている層のT1準位
T EML:前記発光層のT1準位
Comprising an organic electroluminescent device having a plurality of organic electroluminescent elements;
At least one of the plurality of organic electroluminescent elements is:
A first electrode;
A hole transport layer;
A light emitting layer;
An electron transport layer;
Having the second electrode in this order,
The light emitting layer has a light emitting region in the light emitting layer near one of the hole transport layer and the electron transport layer,
The hole transport layer, the light emitting layer, and the electron transport layer satisfy the following formula.
E T ULL > E T EML
E T ULL : T1 level of the hole transport layer and the electron transport layer that are further away from the light emitting region E T EML : T1 level of the light emitting layer
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