[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP2018121067A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2018121067A5
JP2018121067A5 JP2018047786A JP2018047786A JP2018121067A5 JP 2018121067 A5 JP2018121067 A5 JP 2018121067A5 JP 2018047786 A JP2018047786 A JP 2018047786A JP 2018047786 A JP2018047786 A JP 2018047786A JP 2018121067 A5 JP2018121067 A5 JP 2018121067A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
current control
control tft
pixel
light
electrically connected
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2018047786A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2018121067A (ja
JP6561164B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Publication of JP2018121067A publication Critical patent/JP2018121067A/ja
Publication of JP2018121067A5 publication Critical patent/JP2018121067A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6561164B2 publication Critical patent/JP6561164B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Claims (10)

  1. 画素部は、赤色に発光する第1の画素と、緑色に発光する第2の画素と、青色に発光する第3の画素と、を有し、
    前記赤色に発光する第1の画素は、
    第1のEL素子と、
    前記第1のEL素子と電気的に接続され、かつ前記第1のEL素子に流れる電流を制御するための、第1の電流制御TFTと、
    前記第1の電流制御TFT入力される信号を制御するための、第1のスイッチングTFTと、
    前記第1の電流制御TFTのゲート電極と電気的に接続され、かつ前記第1の電流制御TFTのゲート電極に印加される電圧を保持するための、第1のコンデンサと、
    を有し、
    前記緑色に発光する第2の画素は、
    第2のEL素子と、
    前記第2のEL素子と電気的に接続され、かつ前記第2のEL素子に流れる電流を制御するための、第2の電流制御TFTと、
    前記第2の電流制御TFT入力される信号を制御するための、第2のスイッチングTFTと、
    前記第2の電流制御TFTのゲート電極と電気的に接続され、かつ前記第2の電流制御TFTのゲート電極に印加される電圧を保持するための、第2のコンデンサと、
    を有し、
    前記青色に発光する第3の画素は、
    第3のEL素子と、
    前記第3のEL素子と電気的に接続され、かつ前記第3のEL素子に流れる電流を制御するための、第3の電流制御TFTと、
    前記第3の電流制御TFT入力される信号を制御するための、第3のスイッチングTFTと、
    前記第3の電流制御TFTのゲート電極と電気的に接続され、かつ前記第3の電流制御TFTのゲート電極に印加される電圧を保持するための、第3のコンデンサと、
    を有し、
    前記第1のEL素子乃至前記第3のEL素子は、それぞれ、下部電極と上部電極との間に、発光層を有し、
    前記第1のEL素子乃至前記第3のEL素子からの発光はいずれも、前記下部電極側へ放射され、
    前記第1のEL素子は、トリプレットより発光し、
    前記第3のEL素子は、シングレットより発光し、
    前記第1のEL素子、前記第2のEL素子、及び前記第3のEL素子の動作電圧は、いずれも10V以下となることを特徴とするアクティブマトリクス型発光装置。
  2. 画素部は、赤色に発光する第1の画素と、緑色に発光する第2の画素と、青色に発光する第3の画素と、を有し、
    前記赤色に発光する第1の画素は、
    第1のEL素子と、
    前記第1のEL素子と電気的に接続され、かつ前記第1のEL素子に流れる電流を制御するための、第1の電流制御TFTと、
    前記第1の電流制御TFT入力される信号を制御するための、第1のスイッチングTFTと、
    前記第1の電流制御TFTのゲート電極と電気的に接続され、かつ前記第1の電流制御TFTのゲート電極に印加される電圧を保持するための、第1のコンデンサと、
    を有し、
    前記緑色に発光する第2の画素は、
    第2のEL素子と、
    前記第2のEL素子と電気的に接続され、かつ前記第2のEL素子に流れる電流を制御するための、第2の電流制御TFTと、
    前記第2の電流制御TFT入力される信号を制御するための、第2のスイッチングTFTと、
    前記第2の電流制御TFTのゲート電極と電気的に接続され、かつ前記第2の電流制御TFTのゲート電極に印加される電圧を保持するための、第2のコンデンサと、
    を有し、
    前記青色に発光する第3の画素は、
    第3のEL素子と、
    前記第3のEL素子と電気的に接続され、かつ前記第3のEL素子に流れる電流を制御するための、第3の電流制御TFTと、
    前記第3の電流制御TFT入力される信号を制御するための、第3のスイッチングTFTと、
    前記第3の電流制御TFTのゲート電極と電気的に接続され、かつ前記第3の電流制御TFTのゲート電極に印加される電圧を保持するための、第3のコンデンサと、
    を有し、
    前記第1のEL素子乃至前記第3のEL素子は、それぞれ、下部電極と上部電極との間に、発光層を有し、
    前記第1のEL素子乃至前記第3のEL素子からの発光はいずれも、前記下部電極側へ放射され、
    前記第1のEL素子は、トリプレットより発光し、
    前記第3のEL素子は、シングレットより発光することを特徴とするアクティブマトリクス型発光装置。
  3. 画素部は、赤色に発光する第1の画素と、緑色に発光する第2の画素と、青色に発光する第3の画素と、を有し、
    前記赤色に発光する第1の画素は、
    第1のEL素子と、
    前記第1のEL素子と電気的に接続され、かつ前記第1のEL素子に流れる電流を制御するための、第1の電流制御TFTと、
    前記第1の電流制御TFTに入力される信号を制御するための、第1のスイッチングTFTと、
    前記第1の電流制御TFTのゲート電極と電気的に接続され、かつ前記第1の電流制御TFTのゲート電極に印加される電圧を保持するための、第1のコンデンサと、
    を有し、
    前記緑色に発光する第2の画素は、
    第2のEL素子と、
    前記第2のEL素子と電気的に接続され、かつ前記第2のEL素子に流れる電流を制御するための、第2の電流制御TFTと、
    前記第2の電流制御TFTに入力される信号を制御するための、第2のスイッチングTFTと、
    前記第2の電流制御TFTのゲート電極と電気的に接続され、かつ前記第2の電流制御TFTのゲート電極に印加される電圧を保持するための、第2のコンデンサと、
    を有し、
    前記青色に発光する第3の画素は、
    第3のEL素子と、
    前記第3のEL素子と電気的に接続され、かつ前記第3のEL素子に流れる電流を制御するための、第3の電流制御TFTと、
    前記第3の電流制御TFTに入力される信号を制御するための、第3のスイッチングTFTと、
    前記第3の電流制御TFTのゲート電極と電気的に接続され、かつ前記第3の電流制御TFTのゲート電極に印加される電圧を保持するための、第3のコンデンサと、
    を有し、
    前記第1のEL素子乃至前記第3のEL素子は、それぞれ、下部電極と上部電極との間に、正孔注入層及び発光層を有し、
    前記第1のEL素子の正孔注入層、前記第2のEL素子の正孔注入層、及び前記第3のEL素子の正孔注入層は、前記第1の画素乃至前記第3の画素において共通の層として設けられており、
    前記第1のEL素子乃至前記第3のEL素子からの発光はいずれも、前記下部電極側へ放射され、
    前記第1のEL素子は、トリプレットより発光し、
    前記第3のEL素子は、シングレットより発光することを特徴とするアクティブマトリクス型発光装置。
  4. 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
    前記下部電極は、前記上部電極より仕事関数の大きい導電膜を有することを特徴とするアクティブマトリクス型発光装置。
  5. 請求項1乃至請求項のいずれか一において、
    前記上部電極は、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛又はそれらの化合物を有することを特徴とするアクティブマトリクス型発光装置。
  6. 画素部は、赤色に発光する第1の画素と、緑色に発光する第2の画素と、青色に発光する第3の画素と、を有し、
    前記赤色に発光する第1の画素は、
    第1のEL素子と、
    前記第1のEL素子と電気的に接続され、かつ前記第1のEL素子に流れる電流を制御するための、第1の電流制御TFTと、
    前記第1の電流制御TFT入力される信号を制御するための、第1のスイッチングTFTと、
    前記第1の電流制御TFTのゲート電極と電気的に接続され、かつ前記第1の電流制御TFTのゲート電極に印加される電圧を保持するための、第1のコンデンサと、
    を有し、
    前記緑色に発光する第2の画素は、
    第2のEL素子と、
    前記第2のEL素子と電気的に接続され、かつ前記第2のEL素子に流れる電流を制御するための、第2の電流制御TFTと、
    前記第2の電流制御TFT入力される信号を制御するための、第2のスイッチングTFTと、
    前記第2の電流制御TFTのゲート電極と電気的に接続され、かつ前記第2の電流制御TFTのゲート電極に印加される電圧を保持するための、第2のコンデンサと、
    を有し、
    前記青色に発光する第3の画素は、
    第3のEL素子と、
    前記第3のEL素子と電気的に接続され、かつ前記第3のEL素子に流れる電流を制御するための、第3の電流制御TFTと、
    前記第3の電流制御TFT入力される信号を制御するための、第3のスイッチングTFTと、
    前記第3の電流制御TFTのゲート電極と電気的に接続され、かつ前記第3の電流制御TFTのゲート電極に印加される電圧を保持するための、第3のコンデンサと、
    を有し、
    前記第1のEL素子乃至前記第3のEL素子は、それぞれ、下部電極と上部電極との間に、発光層を有し、
    前記第1のEL素子乃至前記第3のEL素子からの発光はいずれも、前記上部電極側へ放射され、
    前記第1のEL素子は、トリプレットより発光し、
    前記第3のEL素子は、シングレットより発光し、
    前記第1のEL素子、前記第2のEL素子、及び前記第3のEL素子の動作電圧は、いずれも10V以下となることを特徴とするアクティブマトリクス型発光装置。
  7. 画素部は、赤色に発光する第1の画素と、緑色に発光する第2の画素と、青色に発光する第3の画素と、を有し、
    前記赤色に発光する第1の画素は、
    第1のEL素子と、
    前記第1のEL素子と電気的に接続され、かつ前記第1のEL素子に流れる電流を制御するための、第1の電流制御TFTと、
    前記第1の電流制御TFT入力される信号を制御するための、第1のスイッチングTFTと、
    前記第1の電流制御TFTのゲート電極と電気的に接続され、かつ前記第1の電流制御TFTのゲート電極に印加される電圧を保持するための、第1のコンデンサと、
    を有し、
    前記緑色に発光する第2の画素は、
    第2のEL素子と、
    前記第2のEL素子と電気的に接続され、かつ前記第2のEL素子に流れる電流を制御するための、第2の電流制御TFTと、
    前記第2の電流制御TFT入力される信号を制御するための、第2のスイッチングTFTと、
    前記第2の電流制御TFTのゲート電極と電気的に接続され、かつ前記第2の電流制御TFTのゲート電極に印加される電圧を保持するための、第2のコンデンサと、
    を有し、
    前記青色に発光する第3の画素は、
    第3のEL素子と、
    前記第3のEL素子と電気的に接続され、かつ前記第3のEL素子に流れる電流を制御するための、第3の電流制御TFTと、
    前記第3の電流制御TFT入力される信号を制御するための、第3のスイッチングTFTと、
    前記第3の電流制御TFTのゲート電極と電気的に接続され、かつ前記第3の電流制御TFTのゲート電極に印加される電圧を保持するための、第3のコンデンサと、
    を有し、
    前記第1のEL素子乃至前記第3のEL素子は、それぞれ、下部電極と上部電極との間に、発光層を有し、
    前記第1のEL素子乃至前記第3のEL素子からの発光はいずれも、前記上部電極側へ放射され、
    前記第1のEL素子は、トリプレットより発光し、
    前記第3のEL素子は、シングレットより発光することを特徴とするアクティブマトリクス型発光装置。
  8. 画素部は、赤色に発光する第1の画素と、緑色に発光する第2の画素と、青色に発光する第3の画素と、を有し、
    前記赤色に発光する第1の画素は、
    第1のEL素子と、
    前記第1のEL素子と電気的に接続され、かつ前記第1のEL素子に流れる電流を制御するための、第1の電流制御TFTと、
    前記第1の電流制御TFTに入力される信号を制御するための、第1のスイッチングTFTと、
    前記第1の電流制御TFTのゲート電極と電気的に接続され、かつ前記第1の電流制御TFTのゲート電極に印加される電圧を保持するための、第1のコンデンサと、
    を有し、
    前記緑色に発光する第2の画素は、
    第2のEL素子と、
    前記第2のEL素子と電気的に接続され、かつ前記第2のEL素子に流れる電流を制御するための、第2の電流制御TFTと、
    前記第2の電流制御TFTに入力される信号を制御するための、第2のスイッチングTFTと、
    前記第2の電流制御TFTのゲート電極と電気的に接続され、かつ前記第2の電流制御TFTのゲート電極に印加される電圧を保持するための、第2のコンデンサと、
    を有し、
    前記青色に発光する第3の画素は、
    第3のEL素子と、
    前記第3のEL素子と電気的に接続され、かつ前記第3のEL素子に流れる電流を制御するための、第3の電流制御TFTと、
    前記第3の電流制御TFTに入力される信号を制御するための、第3のスイッチングTFTと、
    前記第3の電流制御TFTのゲート電極と電気的に接続され、かつ前記第3の電流制御TFTのゲート電極に印加される電圧を保持するための、第3のコンデンサと、
    を有し、
    前記第1のEL素子乃至前記第3のEL素子は、それぞれ、下部電極と上部電極との間に、正孔注入層及び発光層を有し、
    前記第1のEL素子の正孔注入層、前記第2のEL素子の正孔注入層、及び前記第3のEL素子の正孔注入層は、前記第1の画素乃至前記第3の画素において共通の層として設けられており、
    前記第1のEL素子乃至前記第3のEL素子からの発光はいずれも、前記上部電極側へ放射され、
    前記第1のEL素子は、トリプレットより発光し、
    前記第3のEL素子は、シングレットより発光することを特徴とするアクティブマトリクス型発光装置。
  9. 請求項6乃至請求項8のいずれか一において、
    前記上部電極は、前記下部電極より仕事関数の大きい導電膜を有することを特徴とするアクティブマトリクス型発光装置。
  10. 請求項乃至請求項のいずれか一において、
    前記上部電極は、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛又はそれらの化合物を有することを特徴とするアクティブマトリクス型発光装置。
JP2018047786A 2000-06-05 2018-03-15 アクティブマトリクス型発光装置 Expired - Lifetime JP6561164B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000168325 2000-06-05
JP2000168325 2000-06-05

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016227344A Division JP6517776B2 (ja) 2000-06-05 2016-11-23 アクティブマトリクス型発光装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2018121067A JP2018121067A (ja) 2018-08-02
JP2018121067A5 true JP2018121067A5 (ja) 2019-01-24
JP6561164B2 JP6561164B2 (ja) 2019-08-14

Family

ID=18671343

Family Applications (9)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010272180A Withdrawn JP2011091418A (ja) 2000-06-05 2010-12-07 発光装置
JP2013122469A Withdrawn JP2013225519A (ja) 2000-06-05 2013-06-11 発光装置
JP2015020144A Withdrawn JP2015109473A (ja) 2000-06-05 2015-02-04 発光装置
JP2016227344A Expired - Lifetime JP6517776B2 (ja) 2000-06-05 2016-11-23 アクティブマトリクス型発光装置
JP2018017299A Expired - Lifetime JP6517959B2 (ja) 2000-06-05 2018-02-02 アクティブマトリクス型発光装置
JP2018047786A Expired - Lifetime JP6561164B2 (ja) 2000-06-05 2018-03-15 アクティブマトリクス型発光装置
JP2018227057A Withdrawn JP2019054278A (ja) 2000-06-05 2018-12-04 アクティブマトリクス型発光装置
JP2019135116A Withdrawn JP2019208048A (ja) 2000-06-05 2019-07-23 アクティブマトリクス型発光装置
JP2020204967A Withdrawn JP2021057349A (ja) 2000-06-05 2020-12-10 アクティブマトリクス型発光装置

Family Applications Before (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010272180A Withdrawn JP2011091418A (ja) 2000-06-05 2010-12-07 発光装置
JP2013122469A Withdrawn JP2013225519A (ja) 2000-06-05 2013-06-11 発光装置
JP2015020144A Withdrawn JP2015109473A (ja) 2000-06-05 2015-02-04 発光装置
JP2016227344A Expired - Lifetime JP6517776B2 (ja) 2000-06-05 2016-11-23 アクティブマトリクス型発光装置
JP2018017299A Expired - Lifetime JP6517959B2 (ja) 2000-06-05 2018-02-02 アクティブマトリクス型発光装置

Family Applications After (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018227057A Withdrawn JP2019054278A (ja) 2000-06-05 2018-12-04 アクティブマトリクス型発光装置
JP2019135116A Withdrawn JP2019208048A (ja) 2000-06-05 2019-07-23 アクティブマトリクス型発光装置
JP2020204967A Withdrawn JP2021057349A (ja) 2000-06-05 2020-12-10 アクティブマトリクス型発光装置

Country Status (2)

Country Link
US (13) US7339317B2 (ja)
JP (9) JP2011091418A (ja)

Families Citing this family (77)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7339317B2 (en) 2000-06-05 2008-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device having triplet and singlet compound in light-emitting layers
US7430025B2 (en) 2000-08-23 2008-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Portable electronic device
US6864628B2 (en) * 2000-08-28 2005-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device comprising light-emitting layer having triplet compound and light-emitting layer having singlet compound
JP4554047B2 (ja) * 2000-08-29 2010-09-29 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
SG118110A1 (en) 2001-02-01 2006-01-27 Semiconductor Energy Lab Organic light emitting element and display device using the element
JP4785271B2 (ja) * 2001-04-27 2011-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置、電子機器
JP4439761B2 (ja) * 2001-05-11 2010-03-24 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置、電子機器
KR100682377B1 (ko) * 2001-05-25 2007-02-15 삼성전자주식회사 유기 전계발광 디바이스 및 이의 제조 방법
TW582005B (en) 2001-05-29 2004-04-01 Semiconductor Energy Lab Pulse output circuit, shift register, and display device
US7211828B2 (en) 2001-06-20 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic apparatus
TW548860B (en) * 2001-06-20 2003-08-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
SG148032A1 (en) * 2001-07-16 2008-12-31 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
JP2003045874A (ja) 2001-07-27 2003-02-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 金属配線およびその作製方法、並びに金属配線基板およびその作製方法
US6788108B2 (en) 2001-07-30 2004-09-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP4831895B2 (ja) * 2001-08-03 2011-12-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US7218349B2 (en) * 2001-08-09 2007-05-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP3804858B2 (ja) * 2001-08-31 2006-08-02 ソニー株式会社 有機電界発光素子およびその製造方法
JP4397555B2 (ja) * 2001-11-30 2010-01-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子機器
US7141817B2 (en) 2001-11-30 2006-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
TWI286044B (en) 2002-02-22 2007-08-21 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device and method of manufacturing the same, and method of operating manufacturing apparatus
JP3481231B2 (ja) * 2002-03-05 2003-12-22 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法
US7242140B2 (en) * 2002-05-10 2007-07-10 Seiko Epson Corporation Light emitting apparatus including resin banks and electronic device having same
KR100467553B1 (ko) * 2002-05-21 2005-01-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 고분자 유기전기발광 디스플레이 소자와 그 제조방법
JP4217428B2 (ja) 2002-05-31 2009-02-04 キヤノン株式会社 表示装置
JP2004192935A (ja) * 2002-12-11 2004-07-08 Hitachi Displays Ltd 有機el表示装置
CN1729198B (zh) * 2002-12-19 2010-11-03 株式会社半导体能源研究所 有机金属配合物及应用上述有机金属配合物的电致发光元件和发光装置
JP4339103B2 (ja) * 2002-12-25 2009-10-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び表示装置
US7862906B2 (en) 2003-04-09 2011-01-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electroluminescent element and light-emitting device
US6998776B2 (en) * 2003-04-16 2006-02-14 Corning Incorporated Glass package that is hermetically sealed with a frit and method of fabrication
US7344901B2 (en) * 2003-04-16 2008-03-18 Corning Incorporated Hermetically sealed package and method of fabricating of a hermetically sealed package
CN1541038B (zh) * 2003-04-17 2012-07-25 三星移动显示器株式会社 具有改进的白平衡的平板显示器
JP4144436B2 (ja) 2003-06-02 2008-09-03 セイコーエプソン株式会社 電気光学モジュール及び電子機器
US7161185B2 (en) * 2003-06-27 2007-01-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US7816863B2 (en) * 2003-09-12 2010-10-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method for manufacturing the same
KR100611226B1 (ko) * 2003-11-25 2006-08-09 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
KR101206449B1 (ko) * 2003-12-02 2012-11-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자
JP4225237B2 (ja) * 2004-04-21 2009-02-18 セイコーエプソン株式会社 有機el装置及び有機el装置の製造方法並びに電子機器
KR101187399B1 (ko) * 2004-05-20 2012-10-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광소자 및 발광장치
US7211825B2 (en) * 2004-06-14 2007-05-01 Yi-Chi Shih Indium oxide-based thin film transistors and circuits
US20060042685A1 (en) * 2004-08-25 2006-03-02 Ying Wang Electronic devices having a charge transport layer that has defined triplet energy level
WO2006059802A1 (en) * 2004-12-03 2006-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organometallic complex, and light-emitting element and light-emitting device using the organometallic complex
US7771844B2 (en) * 2004-12-03 2010-08-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Organic metal complex and photoelectronic device, light-emitting element and light-emitting device using the same
US7951471B2 (en) * 2004-12-07 2011-05-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organometallic complex, and light-emitting element and light-emitting device using the same
US8026531B2 (en) * 2005-03-22 2011-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7960038B2 (en) 2005-05-20 2011-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic appliance using the same
KR101160840B1 (ko) * 2005-05-31 2012-06-29 삼성전자주식회사 디스플레이 장치와 그 제조방법
US7652283B2 (en) 2005-08-09 2010-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organometallic complex, and light emitting element and electronic appliance using the same
KR100721948B1 (ko) * 2005-08-30 2007-05-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
US9153341B2 (en) 2005-10-18 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register, semiconductor device, display device, and electronic device
KR101157265B1 (ko) * 2005-12-30 2012-06-15 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광표시장치
US20080124558A1 (en) * 2006-08-18 2008-05-29 Heather Debra Boek Boro-silicate glass frits for hermetic sealing of light emitting device displays
KR100859691B1 (ko) * 2007-03-07 2008-09-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
EP1973386B8 (en) * 2007-03-23 2016-01-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device
WO2008120714A1 (ja) * 2007-03-29 2008-10-09 Dai Nippon Printing Co., Ltd. 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP5241173B2 (ja) * 2007-08-28 2013-07-17 キヤノン株式会社 有機el素子の製造方法
JP2010039241A (ja) * 2008-08-06 2010-02-18 Canon Inc 有機el表示装置
WO2010032629A1 (en) 2008-09-19 2010-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US20100095705A1 (en) 2008-10-20 2010-04-22 Burkhalter Robert S Method for forming a dry glass-based frit
JP5624784B2 (ja) * 2009-03-31 2014-11-12 株式会社半導体エネルギー研究所 ヘテロ芳香環を有する誘導体、ヘテロ芳香環を有する誘導体を用いた発光素子、発光装置、照明装置、電子機器
KR20190141791A (ko) * 2009-07-31 2019-12-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
JP5326999B2 (ja) * 2009-11-04 2013-10-30 セイコーエプソン株式会社 有機el装置、有機el装置の製造方法、電子機器
KR101815255B1 (ko) * 2010-12-16 2018-01-08 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 이에 적용되는 입력패드
JP2012186158A (ja) 2011-02-14 2012-09-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 照明装置及び発光装置の作製方法及び製造装置
KR101904012B1 (ko) * 2011-09-30 2018-10-04 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102072253B1 (ko) * 2012-03-14 2020-01-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
TWI482287B (zh) * 2013-04-24 2015-04-21 Au Optronics Corp 電激發光顯示面板及其製造方法
CN105283461B (zh) 2013-06-14 2018-07-17 株式会社半导体能源研究所 有机金属铱配合物、发光元件、发光装置以及照明装置
KR102139577B1 (ko) 2013-10-24 2020-07-31 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102083982B1 (ko) * 2013-10-29 2020-04-16 삼성디스플레이 주식회사 유기발광소자 및 그 제조방법
KR20150137214A (ko) * 2014-05-28 2015-12-09 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
CN106057828A (zh) * 2016-08-12 2016-10-26 京东方科技集团股份有限公司 一种基板及其制备方法、显示面板
US10244230B2 (en) * 2017-03-01 2019-03-26 Avalon Holographics Inc. Directional pixel for multiple view display
JP7083103B2 (ja) * 2017-10-03 2022-06-10 Tianma Japan株式会社 Oled表示装置及びその製造方法
JP7554673B2 (ja) 2018-12-20 2024-09-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN110277053B (zh) * 2019-06-25 2020-12-08 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制作方法、驱动方法、显示装置
US11296163B2 (en) * 2020-05-27 2022-04-05 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. OLED display panel and OLED display device
ES2897523B2 (es) 2021-08-10 2022-07-18 Advanced Thermal Devices S L Cátodo basado en el material C12A7:e ''electride'' para la emisión termiónica de electrones y procedimiento para el empleo del mismo

Family Cites Families (102)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0278038A1 (de) 1987-02-13 1988-08-17 Battelle-Institut e.V. Aktiver Bildschirm in Flachbauweise
JPS63224190A (ja) * 1987-03-12 1988-09-19 株式会社日立製作所 El素子
JPH02261889A (ja) 1989-03-31 1990-10-24 Toshiba Corp 有機電界発光素子
JPH03115486A (ja) 1989-09-29 1991-05-16 Toshiba Corp 有機電界発光素子
DE69027697T2 (de) 1989-03-31 1997-01-23 Toshiba Kawasaki Kk Organische elektrolumineszente Vorrichtung
JP2991450B2 (ja) 1990-02-06 1999-12-20 株式会社東芝 有機膜発光素子
JPH03230583A (ja) 1990-02-06 1991-10-14 Toshiba Corp 有機膜発光素子
JPH03107188A (ja) * 1989-09-20 1991-05-07 Olympus Optical Co Ltd El表示装置
JP2780880B2 (ja) 1990-11-28 1998-07-30 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子および該素子を用いた発光装置
JPH0517765A (ja) 1991-07-16 1993-01-26 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネツセンス素子
JP3300069B2 (ja) * 1992-11-19 2002-07-08 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US5529853A (en) 1993-03-17 1996-06-25 Sanyo Electric Co., Ltd. Organic electroluminescent element
JPH0794278A (ja) 1993-09-21 1995-04-07 Fuji Electric Co Ltd 有機薄膜発光素子
US5485055A (en) * 1994-07-11 1996-01-16 Alliedsignal Inc. Active matrix electroluminescent display having increased brightness and method for making the display
JP2002516629A (ja) 1994-08-11 2002-06-04 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 固体画像増倍器及び固体画像増倍器からなるx線検査装置
US5587329A (en) * 1994-08-24 1996-12-24 David Sarnoff Research Center, Inc. Method for fabricating a switching transistor having a capacitive network proximate a drift region
US5703436A (en) * 1994-12-13 1997-12-30 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US5684365A (en) 1994-12-14 1997-11-04 Eastman Kodak Company TFT-el display panel using organic electroluminescent media
JP3401356B2 (ja) * 1995-02-21 2003-04-28 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法
JP3412076B2 (ja) 1995-03-08 2003-06-03 株式会社リコー 有機el素子
JP3036436B2 (ja) * 1996-06-19 2000-04-24 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリックス型有機el表示体の製造方法
JPH1039791A (ja) 1996-07-22 1998-02-13 Mitsubishi Electric Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP3793607B2 (ja) 1996-08-14 2006-07-05 Tdk株式会社 クマリン誘導体を用いた有機el素子
JP3763325B2 (ja) 1996-09-24 2006-04-05 ソニー株式会社 有機電界発光素子
JP3471181B2 (ja) 1996-11-18 2003-11-25 大日精化工業株式会社 光制御方法および光制御装置
JP3899566B2 (ja) 1996-11-25 2007-03-28 セイコーエプソン株式会社 有機el表示装置の製造方法
JP3530362B2 (ja) * 1996-12-19 2004-05-24 三洋電機株式会社 自発光型画像表示装置
JPH10183112A (ja) 1996-12-27 1998-07-14 Sony Corp 電界発光素子
TW441136B (en) 1997-01-28 2001-06-16 Casio Computer Co Ltd An electroluminescent display device and a driving method thereof
JPH10214060A (ja) 1997-01-28 1998-08-11 Casio Comput Co Ltd 電界発光表示装置およびその駆動方法
JPH10319909A (ja) 1997-05-22 1998-12-04 Casio Comput Co Ltd 表示装置及びその駆動方法
JP3641342B2 (ja) 1997-03-07 2005-04-20 Tdk株式会社 半導体装置及び有機elディスプレイ装置
JP3828980B2 (ja) 1997-03-13 2006-10-04 出光興産株式会社 表示素子
US5935720A (en) 1997-04-07 1999-08-10 Eastman Kodak Company Red organic electroluminescent devices
JPH10288965A (ja) * 1997-04-14 1998-10-27 Casio Comput Co Ltd 表示装置
US6358633B1 (en) * 1997-05-15 2002-03-19 Sanyo Electric Co., Ltd. Organic electroluminescence element
US5928802A (en) * 1997-05-16 1999-07-27 Eastman Kodak Company Efficient blue organic electroluminescent devices
US6175345B1 (en) * 1997-06-02 2001-01-16 Canon Kabushiki Kaisha Electroluminescence device, electroluminescence apparatus, and production methods thereof
JP3541625B2 (ja) * 1997-07-02 2004-07-14 セイコーエプソン株式会社 表示装置及びアクティブマトリクス基板
JPH1140370A (ja) * 1997-07-24 1999-02-12 Toray Ind Inc 有機elディスプレイ
US6072278A (en) * 1997-08-06 2000-06-06 Alliedsignal Inc. High capacitance pixel for electronic displays
JP3580092B2 (ja) 1997-08-21 2004-10-20 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型表示装置
JP3830238B2 (ja) 1997-08-29 2006-10-04 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型装置
JP3539844B2 (ja) 1997-10-07 2004-07-07 シャープ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US6303238B1 (en) 1997-12-01 2001-10-16 The Trustees Of Princeton University OLEDs doped with phosphorescent compounds
JPH11204259A (ja) 1998-01-09 1999-07-30 Sony Corp 電界発光素子
JPH11256148A (ja) * 1998-03-12 1999-09-21 Oki Electric Ind Co Ltd 発光用材料およびこれを用いた有機el素子
KR100660383B1 (ko) 1998-03-17 2006-12-21 세이코 엡슨 가부시키가이샤 유기이엘장치의 제조방법
CN1239396A (zh) 1998-04-08 1999-12-22 Lg电子株式会社 有机电致发光装置
JP3466954B2 (ja) * 1998-04-24 2003-11-17 キヤノン株式会社 発光ダイオード装置及びその製造方法
US6350996B1 (en) 1998-04-24 2002-02-26 Canon Kabushiki Kaisha Light emitting diode device
JPH11312581A (ja) 1998-04-27 1999-11-09 Hokuriku Electric Ind Co Ltd El素子とその製造方法
JPH11339968A (ja) * 1998-05-25 1999-12-10 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH11338786A (ja) 1998-05-29 1999-12-10 Pfu Ltd 主記憶アドレスバス診断方法およびその診断装置並びに記録媒体
US6133693A (en) * 1998-07-30 2000-10-17 Alliedsignal Inc. Interconnects and electrodes for high luminance emissive displays
JP4300435B2 (ja) 1998-08-18 2009-07-22 ソニー株式会社 電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置用の駆動基板の製造方法
JP3711760B2 (ja) 1998-09-11 2005-11-02 カシオ計算機株式会社 自発光表示装置
US6097147A (en) 1998-09-14 2000-08-01 The Trustees Of Princeton University Structure for high efficiency electroluminescent device
US6830828B2 (en) 1998-09-14 2004-12-14 The Trustees Of Princeton University Organometallic complexes as phosphorescent emitters in organic LEDs
JP2000091084A (ja) 1998-09-16 2000-03-31 Trustees Of Princeton Univ ホ―ル注入性改良電極
JP4269195B2 (ja) 1998-09-25 2009-05-27 ソニー株式会社 発光又は調光素子、及びその製造方法
JP3674819B2 (ja) 1998-09-30 2005-07-27 富士電機ホールディングス株式会社 カラーフィルターおよび有機多色発光表示素子
WO2000023976A1 (en) * 1998-10-16 2000-04-27 Sarnoff Corporation Linear array of light-emitting elements
US6274887B1 (en) * 1998-11-02 2001-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method therefor
JP3879281B2 (ja) 1998-11-06 2007-02-07 カシオ計算機株式会社 表示装置及び表示装置の駆動方法
JP2000150152A (ja) 1998-11-16 2000-05-30 Toyo Ink Mfg Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2000227771A (ja) * 1998-12-01 2000-08-15 Sanyo Electric Co Ltd カラーel表示装置
TW439387B (en) 1998-12-01 2001-06-07 Sanyo Electric Co Display device
US6366025B1 (en) 1999-02-26 2002-04-02 Sanyo Electric Co., Ltd. Electroluminescence display apparatus
JP4073107B2 (ja) * 1999-03-18 2008-04-09 三洋電機株式会社 アクティブ型el表示装置
US7001536B2 (en) 1999-03-23 2006-02-21 The Trustees Of Princeton University Organometallic complexes as phosphorescent emitters in organic LEDs
JP4136185B2 (ja) * 1999-05-12 2008-08-20 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス多色ディスプレイ及びその製造方法
US8853696B1 (en) * 1999-06-04 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and electronic device
TW527735B (en) * 1999-06-04 2003-04-11 Semiconductor Energy Lab Electro-optical device
US7288420B1 (en) * 1999-06-04 2007-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing an electro-optical device
JP5210473B2 (ja) 1999-06-21 2013-06-12 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US6310360B1 (en) * 1999-07-21 2001-10-30 The Trustees Of Princeton University Intersystem crossing agents for efficient utilization of excitons in organic light emitting devices
JP3952125B2 (ja) * 1999-09-14 2007-08-01 セイコーエプソン株式会社 複合フレキシブル配線基板、電気光学装置、電子機器
US6641933B1 (en) * 1999-09-24 2003-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting EL display device
KR20010090848A (ko) * 1999-10-05 2001-10-19 모리시타 요이찌 발광소자와 그 제조방법, 및 그것을 이용한 표시장치,조명장치
TW587239B (en) * 1999-11-30 2004-05-11 Semiconductor Energy Lab Electric device
TWI252592B (en) * 2000-01-17 2006-04-01 Semiconductor Energy Lab EL display device
US7060153B2 (en) * 2000-01-17 2006-06-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
US6780687B2 (en) * 2000-01-28 2004-08-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device having a heat absorbing layer
US6559594B2 (en) * 2000-02-03 2003-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US7129918B2 (en) * 2000-03-10 2006-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and method of driving electronic device
US6872607B2 (en) * 2000-03-21 2005-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
TW484238B (en) * 2000-03-27 2002-04-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and a method of manufacturing the same
US7579203B2 (en) * 2000-04-25 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP4048521B2 (ja) * 2000-05-02 2008-02-20 富士フイルム株式会社 発光素子
US6608449B2 (en) * 2000-05-08 2003-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Luminescent apparatus and method of manufacturing the same
KR20010104215A (ko) * 2000-05-12 2001-11-24 야마자끼 순페이 발광장치 제작방법
US7339317B2 (en) * 2000-06-05 2008-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device having triplet and singlet compound in light-emitting layers
US6872604B2 (en) * 2000-06-05 2005-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating a light emitting device
JP2002062824A (ja) * 2000-06-05 2002-02-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
US6864628B2 (en) 2000-08-28 2005-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device comprising light-emitting layer having triplet compound and light-emitting layer having singlet compound
US6537688B2 (en) * 2000-12-01 2003-03-25 Universal Display Corporation Adhesive sealed organic optoelectronic structures
KR100439648B1 (ko) 2001-08-29 2004-07-12 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광소자
US6750608B2 (en) * 2001-11-09 2004-06-15 Konica Corporation Organic electroluminescence element and display
US6878470B2 (en) * 2002-02-08 2005-04-12 Fuji Photo Film Co., Ltd. Visible image receiving material, conductive pattern material and organic electroluminescence element, using member having surface hydrophilicity
KR100560789B1 (ko) 2003-11-25 2006-03-13 삼성에스디아이 주식회사 풀칼라유기전계발광소자 및 그의 제조방법
US8909559B1 (en) * 2013-03-28 2014-12-09 Linkedin Corporation Techniques to facilitate recommendations for non-member connections

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2018121067A5 (ja)
US11991919B2 (en) Display device
US11005064B2 (en) Transparent display substrate and driving method thereof and transparent display device
KR102092924B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
US8436376B2 (en) Organic light emitting diode display
US20180069069A1 (en) Organic light emitting diode display
US9312321B2 (en) Double-sided organic light-emitting diode, and manufacturing method and display device thereof
US9543363B2 (en) Organic light emitting diode display device
US10290690B2 (en) Organic light emitting display panel with uniform luminance
US9953576B2 (en) Organic light-emitting diode display
US10043439B2 (en) Display device
US20180097038A1 (en) Organic Light Emitting Display Device and Touch Sensing Method for the Same
KR20150005099A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20160101181A (ko) 투명 oled 부품 및 그 부품을 적용한 디스플레이 장치
TW201442215A (zh) 有機發光二極體顯示器
CN107004695B (zh) 有机发光装置
JP2017198812A (ja) アクティブマトリクス表示装置
JP2017194640A5 (ja)
JP2017194640A (ja) 表示装置及び表示方法
US20190221161A1 (en) Power configuration structure and method for top-emitting amoled panel
KR102382591B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102394650B1 (ko) 유기발광 표시장치
KR102324765B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102101613B1 (ko) 유기발광표시장치
KR102464904B1 (ko) 유기발광표시장치