JP2018107397A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】処理液を基板に供給して当該基板を処理する空間、つまり処理空間の雰囲気と異なる別雰囲気が配管および待機ポッドを介して処理空間に流入するのを防止する。
【解決手段】待機位置から基板の上方に移動された処理液ノズルから処理液を基板に供給する基板処理装置であって、上方に向かって開口する開口部を有し、待機位置に位置する処理液ノズルから吐出される処理液を開口部を介して受ける待機ポッドと、待機ポッドの排液口に接続されて待機ポッドから処理液を排液する配管と、を備え、待機ポッドは、少なくとも処理液を含む液体を貯留する貯留部を内部に形成して開口部と排液口との間での気体の流通を規制する液封構造を有する。
【選択図】図３

Description

この発明は、待機位置から基板の上方に移動された処理液ノズルから処理液を前記基板に供給して基板に対して所定の処理を施す基板処理技術に関するものである。なお、基板には、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、磁気または光ディスク用のガラスまたはセラミック基板、有機ＥＬ用ガラス基板、太陽電池用ガラス基板またはシリコン基板などが含まれる。

半導体ウエハ等の基板に種々の処理を行うために薬液や純水などの処理液を吐出ヘッド（本発明の「処理液ノズル」の一例に相当）から基板に供給する基板処理装置が知られている（特許文献１参照）。この特許文献１に記載の基板処理装置では、基板の搬入時には、吐出ヘッドはカップ部の外側に配置されたヘッド待機部（本発明の「待機ポッド」の一例に相当）にて待機している。

特開２０１４−１７９４９４号公報

ヘッド待機部には、吐出ヘッドに対応した開口が設けられている。また、待機ポッドの底部には配管が接続されており、吐出ヘッドの待機中に使用した液体が上記配管を介して基板処理装置の外部へと排液される。このため、吐出ヘッドから処理液を基板に供給して所定処理を行っている空間（以下「処理空間」という）の雰囲気と異なる別雰囲気が配管およびヘッド待機部を介して処理空間に流入することがあり、これによって処理に影響が及ぶ可能性があった。

この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、処理液を基板に供給して当該基板を処理する空間、つまり処理空間の雰囲気と異なる別雰囲気が配管および待機ポッドを介して処理空間に流入するのを防止することができる基板処理装置を提供することを目的とする。

この発明の一態様は、待機位置から基板の上方に移動された処理液ノズルから処理液を基板に供給する基板処理装置であって、上方に向かって開口する開口部を有し、待機位置に位置する処理液ノズルから吐出される処理液を開口部を介して受ける待機ポッドと、待機ポッドの排液口に接続されて待機ポッドから処理液を排液する配管と、を備え、待機ポッドは、少なくとも処理液を含む液体を貯留する貯留部を内部に形成して開口部と排液口との間での気体の流通を規制する液封構造を有することを特徴としている。

上記のように、本発明では、液体を貯留する貯留部を開口部と排液口との間に設けることで、待機ポッドの内部に液封構造を形成し、開口部と排液口との間での気体の流通を規制している。このため、処理液ノズルから処理液を基板に供給して所定処理を行う処理空間の雰囲気と異なる別雰囲気が配管および待機ポッドを介して処理空間に流入するのを確実に防止することができる。

本発明に係る基板処理装置の一実施形態を示す平面図である。 図１に示す基板処理装置の部分断面図である。 待機ポッドの構成を示す断面図である。

図１は本発明に係る基板処理装置の一実施形態を示す平面図である。また、図２は図１に示す基板処理装置の部分断面図である。この基板処理装置１はシリコンウエハ等の基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置１は、略五角柱状のチャンバ２と、チャンバ２の内部空間２１に収容されて基板Ｗを保持するスピンチャック３（図２）とを備えている。

チャンバ２には、図１に示すように、シャッター２２が設けられている。このシャッター２２は装置全体を制御する制御部４からの開閉指令に応じて開閉される。すなわち、基板処理装置１では、未処理の基板Ｗをチャンバ２に搬入する際にシャッター２２は開き、図示を省略する搬送ロボットのハンドによって未処理の基板Ｗがスピンチャック３にローディングされる。そして、当該ローディング完了後に搬送ロボットのハンドがチャンバ２から退避すると、シャッター２２は閉じ、チャンバ２の内部空間２１内で各種処理液が基板Ｗに供給されて所望の基板処理が実行される。また、基板処理の終了後においては、シャッター２２は再び開き、搬送ロボットのハンドが処理済の基板Ｗをスピンチャック３からアンローディングする。このように、本実施形態では、チャンバ２の内部空間２１が上記処理空間に相当している。

スピンチャック３は、基板Ｗを把持する複数のチャックピン３１と、複数のチャックピン３１を支持して水平方向に沿う円盤形状に形成されたスピンベース３２と、スピンベース３２に連結され基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸線Ｃ１まわりに回転する中心軸３３と、モータによって中心軸３３を回転軸線Ｃ１まわりに回転させる基板回転駆動機構３４とを備えている。複数のチャックピン３１は、スピンベース３２の上面の周縁部に設けられている。この実施形態では、チャックピン３１は周方向に等間隔を空けて配置されている。そして、スピンチャック３に載置された基板Ｗをチャックピン３１で把持した状態で制御部４からの回転指令に応じて基板回転駆動機構３４のモータが作動すると、基板Ｗは回転軸線Ｃ１まわりに回転する。また、このように基板Ｗを回転させた状態で、制御部４からの供給指令に応じて複数の処理液ノズルから処理液が順次基板Ｗの表面に供給される。

本実施形態では、処理液ノズルとして３本のノズル５１〜５３がチャンバ２の内部空間２１内で移動自在に設けられている。また、ノズル５１〜５３をそれぞれ移動させるために、第１〜第３ノズル移動機構５４〜５６がチャンバ２内に収容されている。より詳しくは、第１ノズル移動機構５４は第１ノズル５１を移動させ、第２ノズル移動機構５５は第２ノズル５２を移動させ、第３ノズル移動機構５６は第３ノズル５３を移動させる。なお、これらのノズル移動機構５４〜５６は同一構成を有しているため、ここでは第１ノズル移動機構５４の構成について説明し、残りの第２ノズル移動機構５５および第３ノズル移動機構５６については同一符号を付して説明を省略する。

第１ノズル移動機構５４は、鉛直方向に沿う回動軸５７を有している。この回動軸５７の上端部にノズルアーム５８の基端部が連結される一方、回動軸５７の下端部に回動軸駆動機構５９が連結されている。このノズルアーム５８は水平方向に延設されており、その端部で第１ノズル５１を保持する。このため、制御部４からの回動指令に応じて回動軸駆動機構５９のアクチュエータ（図示省略）が回動軸５７の中心軸線まわりに回動軸５７を回動させることによって、回動軸５７とともにノズルアーム５８が回動する。これにより、第１ノズル５１は、基板Ｗの上面中央の上方位置と、基板Ｗの上面と鉛直方向Ｚに対向しない待機位置（図１の実線位置）との間を往復移動する。なお、本実施形態では、待機位置に移動してきた第１ノズル５１を待機させるための待機ポッド６が設けられるとともに、第２ノズル５２および第３ノズル５３に対しても、第１ノズル５１と同様に待機ポッド６が設けられている。待機ポッド６の構成および機能については、後で詳述する。

基板Ｗに供給される処理液は、基板Ｗの表面を処理するための流体であり、例えば、フッ酸等の薬液や脱イオン水（ＤＩＷ）等のリンス液やイソプロピルアルコール（Isopropyl Alcohol: IPA）等の有機溶剤が処理液として使用される。ここで、薬液は、フッ酸に限られず、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（例えば、クエン酸、蓚酸等）、有機アルカリ（例えば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド等）、界面活性剤、腐食防止剤のうちの少なくとも１つを含む液であってもよい。これらを混合した薬液の例としては、ＳＰＭ（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：硫酸過酸化水素水混合液）、ＳＣ１（ammonia-hydrogen peroxide mixture：アンモニア過酸化水素水混合液）等が挙げられる。また、リンス液は、脱イオン水に限られず、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、および希釈濃度（例えば、１０〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水のいずれかであってもよい。さらに、有機溶剤は、ＩＰＡに限られず、ＩＰＡ、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）、メタノール、エタノール、アセトンおよびTrans-1,2ジクロロエチレンのうちの少なくとも１つを含む液であってもよい。また、有機溶剤は、単体成分のみからなる必要はなく、他の成分と混合した液体であってもよい。例えば、ＩＰＡ液と純水との混合液であってもよいし、ＩＰＡ液とＨＦＥ液との混合液であってもよい。

本実施形態では、処理液として、フッ酸、ＳＰＭおよびＤＩＷの３種類を用いて基板処理する。より具体的には、第１ノズル５１は、スピンチャック３に保持された基板Ｗの上面にフッ酸を供給するフッ酸供給ノズルであり、供給管７１を介してフッ酸供給部（図示省略）と接続されている。この供給管７１には、その流路を開閉する開閉バルブ（図示省略）が介装されている。このため、制御部４からの開指令に応じて当該開閉バルブが開成することでフッ酸供給部からフッ酸が供給管７１を介して第１ノズル５１に送液され、第１ノズル５１の吐出口からフッ酸が鉛直下方に向けて吐出される。

また、第２ノズル５２は、スピンチャック３に保持された基板Ｗの上面にＤＩＷを供給するＤＩＷ供給ノズルであり、供給管７２を介してＤＩＷ供給部（図示省略）と接続されている。この供給管７２には、その流路を開閉する開閉バルブ（図示省略）が介装されている。このため、制御部４からの開指令に応じて当該開閉バルブが開成することでＤＩＷ供給部からＤＩＷがリンス液として供給管７２を介して第２ノズル５２に送液され、第２ノズル５２の吐出口からＤＩＷが鉛直下方に向けて吐出される。なお、この第２ノズル５２によって、スピンチャック３のチャックピン３１を洗浄することもできる。これにより、基板Ｗの連続処理時にチャックピン３１が汚染されるのを防止することができる。

さらに、第３ノズル５３は、スピンチャック３に保持された基板Ｗの上面にＳＰＭを供給するＳＰＭ供給ノズルであり、供給管７３を介してＳＰＭ供給部（図示省略）と接続されている。この供給管７３には、その流路を開閉する開閉バルブ（図示省略）が介装されている。このため、制御部４からの開指令に応じて当該開閉バルブが開成することでＳＰＭ供給部からＳＰＭが供給管７３を介して第３ノズル５３に送液され、第３ノズル５３の吐出口からＳＰＭが鉛直下方に向けて吐出される。

基板処理装置１では、スピンチャック３を取り囲むように、排気桶８０が設けられている。また、スピンチャック３と排気桶８０との間に配置された複数のカップ８１，８２（第１カップ８１および第２カップ８２）と、基板Ｗの周囲に飛散した処理液を受け止める複数のガード８４〜８６（第１〜第３ガード８４〜８６）とが設けられている。

これらのガード８４〜８６に対してガード昇降駆動機構８７〜８９（第１〜第３ガード昇降駆動機構８７〜８９）がそれぞれ連結されており、制御部４からの昇降指令に応じてガード８４〜８６を独立して昇降可能となっている。なお、昇降駆動機構８７〜８９は、一部を除いて内部空間２１に収容されており、内部空間２１内において複数のノズル５１〜５３のノズルアーム５８の水平移動範囲の直下に配置されている。

排気桶８０は、円筒状の筒状部８０Ａと、筒状部８０Ａの径方向外方に筒状部８０Ａから突出した複数（本実施形態では２つ）の突出部８０Ｂと、複数の突出部８０Ｂをそれぞれ上方から覆う複数の蓋部８０Ｃとを有している。ガード昇降駆動機構８７〜８９は、筒状部８０Ａの周方向において突出部８０Ｂと同じ位置で、突出部８０Ｂよりも基板Ｗの回転径方向内側に配置されている。詳しくは、周方向において各突出部８０Ｂと同じ位置には、第１ガード昇降駆動機構８７、第２ガード昇降駆動機構８８および第３ガード昇降駆動機構８９により構成される組が１組ずつ配置されている。

各カップ８１，８２は、円筒状であり、排気桶８０の筒状部８０Ａよりも基板Ｗの回転径方向内側でスピンチャック３を取り囲んでいる。第２カップ８２は、第１カップ８１よりも基板Ｗの回転径方向外側に配置されている。第２カップ８２は、例えば、第１ガード８４と一体であり、第１ガード８４と共に昇降する。各カップ８１，８２は、上向きに開いた環状の溝を形成している。各カップ８１，８２の溝には、回収配管（図示せず）または廃液配管（図示せず）が接続されている。各カップ８１，８２の底部に導かれた処理液は、回収配管または廃液配管を通じてチャンバ２の外壁に設けられた排出口２３（図１）を介して回収または廃棄される。

各ガード８４〜８６は、円筒状であり、排気桶８０の筒状部８０Ａよりも基板Ｗの回転径方向内側でスピンチャック３を取り囲んでいる。各ガード８４〜８６は、各ガード８４〜８６の傾斜部の内周面が基板Ｗの周端面に対向する上位置と、全体が基板Ｗよりも下側に位置する下位置との間で移動可能である。基板Ｗへの処理液の供給や基板Ｗの乾燥は、いずれかのガード８４〜８６が上位置にある状態で行われる。詳しくは、処理液による基板Ｗの処理は、第１ガード８４および第２ガード８５のいずれかが上位置にある状態で行われる。基板Ｗに処理液が供給されているときに基板Ｗの周囲に飛散した処理液は、全てのガード８４〜８６が上位置にあるときには、第１ガード８４によって第１カップ８１に案内され、第２ガード８５および第３ガード８６が上位置にあり第１ガード８４が下位置にあるときには、第２ガード８５によって第２カップ８２に案内される。基板Ｗの乾燥は、最も外側の第３ガード８６のみが上位置にある状態で行われる。

基板処理装置１は、スピンチャック３に保持された基板Ｗの上面に間隔を空けて対向する遮断板９と、遮断板９に連結され、水平に延びる遮断板支持部材９１と、遮断板支持部材９１を介して遮断板９に連結され、遮断板９の昇降を駆動する遮断板昇降駆動機構９２と、遮断板９を回転軸線Ｃ１まわりに回転させる遮断板回転駆動機構９３とをさらに備えている。遮断板９は、内部空間２１内で昇降可能な昇降部材の一例であり、遮断板昇降駆動機構９２は、昇降部材としての遮断板９の昇降を駆動する昇降駆動機構の一例である。

図３は待機ポッドの構成を示す断面図である。基板処理装置１では、第１ノズル５１〜第３ノズル５３から基板Ｗに処理液を吐出しない間、ノズルを待機させるための待機ポッド６が設けられている。そして、その待機中に処理液を予備的に吐出する、いわゆるプリディスペンス処理が実行される。その際に吐出された処理液は待機ポッド６に捕集され、排液配管７４を介して排液回収部７５に回収される。ここで、待機ポッド６を介して基板処理装置１の内部空間２１と、排液配管７４とが空間的に接続されると、排液配管７４および待機ポッド６を通してミストや反応ガスなどが内部空間２１に逆流され、チャンバ２内の雰囲気が汚染されてしまう。そこで、本実施形態では、待機ポッド６は単にノズルから吐出される処理液を捕集する機能のみならず、内部空間２１と排液配管７４とを空間的に遮断する機能を備えるように構成されている。以下、図３を参照しつつ待機ポッド６の構成および動作について詳述する。ここでは、第３ノズル５３を待機させるための待機ポッド６を例示して説明するが、その他の待機ポッド６も同様である。

待機ポッド６は容器６１を有している。この容器６１の上面には、待機ポッド６に対して第３ノズル５３の先端部５３１を差し入れるための開口部６２が設けられており、第３ノズル５３が待機ポッド６から離れた状態では開口部６２は開放状態となる。一方、第３ノズル５３の先端部５３１の挿入によって開口部６２が塞がれるとともに、第３ノズル５３から吐出される処理液（本実施形態では、ＳＣ１）を容器６１の内部で受けることが可能となっている。

容器６１の内部には、２つの隔壁６３、６４が設けられ、待機ポッド６の内部が３つの空間６５１〜６５３に区分けされている。より詳しくは、容器６１の内底面から鉛直上方に排液側隔壁６３が立設されている。これによって、図３に示すように、当該内底面が半分ずつ区分けされ、そのうちの一方の底面領域（図３の左手側領域）に排液口６６が設けられるとともに、他方の底面領域（図３の右手側領域）が側壁から排液側隔壁６３に向けて下り傾斜面に仕上げられている。なお、本実施形態では、排液側隔壁６３を挟んで排液口側を「排液側」と称するとともに、反排液口側を「貯留側」と称する。

また、もう一方の捕集側隔壁６４は、排液側隔壁６３の上方位置に配置された傾斜板６４１と、排液側隔壁６３よりも貯留側（図３の右手側）に配置された垂下板６４２とを連結した連結体で構成されている。傾斜板６４１は開口部６２と対向して設けられている。また、傾斜板６４１は、排液側から貯留側に向けて下り傾斜しながら排液側隔壁６３よりも貯留側に延設した状態で容器６１の内壁面に取り付けられている。さらに、垂下板６４２は傾斜板６４１の貯留側の端部から鉛直下方に垂設され、垂下板６４２の下端部は、鉛直方向Ｚにおいて排液側隔壁６３の上端部と重なるように設けられている。こうして、２つの隔壁６３、６４を設けることで、待機ポッド６の内部は、傾斜板６４１の上方空間と垂下板６４２の貯留側の空間とで構成される捕集空間６５１と、垂下板６４２と排液側隔壁６３とで挟まれた液封空間６５２と、排液側隔壁６３の排液側の排液空間６５３とに区分けされている。このため、開口部６２の差し込まれた第３ノズル５３からＳＰＭが吐出されると、ＳＰＭは傾斜板６４１の上面で受け止められる。そして、同図の破線で示すように、ＳＰＭは傾斜板６４１に沿って貯留側に流動し、貯留側の底面領域に到達する。また、この貯留側の底面領域は上記したように排液側隔壁６３に向かって下り傾斜しているため、当該底面領域に捕集されたＳＰＭは排液側隔壁６３で堰き止められる形で液封空間６５２で貯留されて貯留部６５４が形成される。

また、本実施形態では、貯留部６５４に貯留されたＳＰＭの濃度が時間経過に伴って高くなるのを防止するとともに、貯留部６５４に貯留される液体のレベルが鉛直方向において垂下板６４２と排液側隔壁６３と重なっている範囲Ｒに入って液封構造が形成されるように、本実施形態では、基板処理装置１に電源が投入されている間、待機ポッド６へのＤＩＷのスローリークを常時継続して行っている。すなわち、容器６１の貯留側では、側面に開口部６７が設けられるとともにスローリーク用配管６８を介してスローリーク用供給部６９と接続されている。このスローリーク用供給部６９は単位時間当たりの供給量を微小に抑えながらＤＩＷを補充液として待機ポッド６に供給する機能を有しており、開口部６７を介して捕集空間６５１にＤＩＷが補充されて待機ポッド６内で液封構造を形成するのに十分な量の液体が確保される。すなわち、貯留部６５４でＳＰＭの濃度は低濃度となるとともに、貯留部６５４に貯留される液体、つまりＳＰＭとＤＩＷとの混合液の量が増え、その液レベルは範囲Ｒに入り、液封空間６５２に液封構造が形成される。そして、時間経過に伴ってＳＰＭの吐出やＤＩＷの供給が継続されると、液レベルは範囲Ｒの上限に到達する。さらに、上記継続によって、液封構造が形成されたまま、ＳＰＭとＤＩＷとの混合液は排液側隔壁６３を越えて排液空間６５３に流入する、つまり液封空間６５２からオーバーフローする。なお、オーバーフローした混合液は排液口６６および排液配管７４を介して排液回収部７５に回収される。

以上のように、本実施形態では、２つの隔壁６３、６４を待機ポッド６の内部に設けることで液体（第３ノズル用の待機ポッド６では、ＳＰＭとＤＩＷの混合液）を貯留する貯留部６５４が開口部６７と排液口６６との間に設けられている。そして、開口部６７を介してＤＩＷを常時スローリークしているため、液封空間６５２内での液体（＝ＳＰＭとＤＩＷの混合液）の液レベルは範囲Ｒに入って液封構造が形成される。したがって、開口部６２、６７と排液口６６との間での気体やミストの流通を規制することができ、内部空間２１の雰囲気と異なる別雰囲気が排液配管７４および待機ポッド６を介して内部空間２１に流入するのを確実に防止することができる。このような作用効果については、他の待機ポッド６においても同様である。つまり、第１ノズル５１に対応して設けられた待機ポッド６では、処理液（フッ酸）と異なる種類の補充液（ＤＩＷ）を補充し、両者の混合液（＝フッ酸＋ＤＩＷ）による液封構造を形成する。また、第２ノズル５２に対応して設けられた待機ポッド６では、処理液（ＤＩＷ）と同じ種類の補充液（ＤＩＷ）を補充し、ＤＩＷによる液封構造を形成する。したがって、これらの液封構造によって、他の雰囲気が内部空間２１に流入するのを確実に防止することができる。

また、本実施形態では、ノズル５１〜５３から吐出された処理液が傾斜板６４１を落下し、その後で傾斜板６４１を伝わって移動し、貯留部６５４に着液する。このため、次のような作用効果が得られる。仮に、ノズル５１〜５３から吐出した処理液が貯留部６５４に直接落液すると、液跳ねを起こしてミストを生じ、チャンバ２の内部空間２１を汚染する恐れがある。これに対し、本実施形態では、上記したように吐出した処理液は一旦、傾斜板６４１に当たった後、傾斜板６４１を介して貯留部６５４に落液する。このため、貯留部６５４への落液に際して多量のミストが発生することが防止できる。

上記実施形態では、第１ノズル５１ないし第３ノズル５３が本発明の「処理液ノズル」の一例に相当している。また、スローリーク用供給部６９が本発明の「補充液供給部」の一例に相当し、スローリーク用供給部６９から供給されるＤＩＷが本発明の「補充液」の一例に相当している。さらに、排液配管７４が本発明の「配管」の一例に相当している。

なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上記実施形態では、３つの待機ポッド６の全部に対して本発明を適用する、つまり隔壁６３、６４を設けて液封を形成しているが、一部の待機ポッド６についてものみ本発明を適用してもよい。例えば図１に示すように、上記実施形態では、チャンバ２の外壁に設けられた排出口２３を介して処理液の排出とともに排気処理が行われるため、排出口２３に近接する待機ポッド６（ノズル５１用の待機ポッド６）については液封構造が不要となる場合があるが、スピンチャック３を挟んで排出口２３の反対側に配置された第３ノズル５３用の待機ポッド６については、上記した液封構造を設けるのが望ましい。

また、上記実施形態では、３種類の処理液を用いる基板処理装置１に対して本発明を適用しているが、本発明の適用対象はこれに限定されるものではなく、処理液の種類やノズル本数などを問わず、ノズルから処理液を基板に供給して所定の処理を施す基板処理装置全般に適用可能である。

また、上記実施形態では、待機ポッド６へのＤＩＷのスローリークを常時継続して待機ポッド６内で液体（＝処理液＋ＤＩＷ）をオーバーフローさせている。しかしながら、液封空間６５２内での上記液体の液レベルを範囲Ｒに入れて液封構造を形成しているという条件を満足させつつＤＩＷのスローリークを一時的に停止させたり、当該スローリークを断続的に行うように構成してもよい。この場合、ＤＩＷの使用量を抑制することができ、ランニングコストを抑制しながら他の雰囲気が内部空間２１に流入するのを確実に防止することができる。

また、上記実施形態では、待機ポッド６に対してＤＩＷを本発明の「補充液」としてスローリークさせているが、ＤＩＷの代わりに他の液体、例えば炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、および希釈濃度（例えば、１０〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水などを用いてもよい。つまり、これらが本発明の「水」の一例に相当している。

また、上記実施形態では、ノズル５１〜５３から吐出された処理液のみならずＤＩＷを待機ポッド６に供給することで待機ポッド６に液封構造を形成しているが、処理液のみにより液封構造を形成してもよく、この場合、ＤＩＷのスローリークは不要となる。

この発明は、待機位置から基板の上方に移動された処理液ノズルから処理液を基板に供給して基板に対して所定の処理を施す基板処理技術全般に適用することができる。

１…基板処理装置
６…待機ポッド
２１…内部空間
５１…第１ノズル（処理液ノズル）
５２…第２ノズル（処理液ノズル）
５３…第３ノズル（処理液ノズル）
６２…開口部
６３…排液側隔壁
６４…捕集側隔壁
６６…排液口
６８…スローリーク用配管
６９…スローリーク用供給部（補充液供給部）
７４…排液配管
６４１…傾斜板
６５１…捕集空間
６５２…液封空間
６５３…排液空間
６５４…貯留部
Ｗ…基板

Claims (6)

1. 待機位置から基板の上方に移動された処理液ノズルから処理液を前記基板に供給する基板処理装置であって、
   上方に向かって開口する開口部を有し、前記待機位置に位置する前記処理液ノズルから吐出される前記処理液を前記開口部を介して受ける待機ポッドと、
   前記待機ポッドの排液口に接続されて前記待機ポッドから前記処理液を排液する配管と、を備え、
   前記待機ポッドは、少なくとも前記処理液を含む液体を貯留する貯留部を内部に形成して前記開口部と前記排液口との間での気体の流通を規制する液封構造を有する
   ことを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   前記待機ポッドの内部は、複数の隔壁によって、前記開口部に連通されて前記処理液を捕集する捕集空間と、前記排液口に連通されて前記処理液を前記配管に案内する排液空間と、前記捕集空間および前記排液空間との間で前記貯留部を形成する液封空間とに仕切られている基板処理装置。
3. 請求項２に記載の基板処理装置であって、
   前記複数の隔壁のうち前記捕集空間と前記液封空間とを仕切る捕集側隔壁は、前記開口部の鉛直下方で傾斜して設けられた傾斜板を有し、前記開口部を介して前記待機ポッドの内部に吐出された前記処理液を前記傾斜板で受けるとともに前記傾斜板に沿って前記貯留部に向けて流動させる基板処理装置。
4. 請求項２または３に記載の基板処理装置であって、
   前記複数の隔壁のうち前記液封空間と前記排液空間とを区切る排液側隔壁は、前記待機ポッドの内底面から上方に立設され、前記貯留部に貯留された前記液体を前記液封空間から前記排液空間にオーバーフロー可能としている基板処理装置。
5. 請求項２ないし４のいずれか一項に記載の基板処理装置であって、
   前記捕集空間に前記処理液と同じあるいは異なる種類の補充液を供給する補充液供給部をさらに備える基板処理装置。
6. 請求項５に記載の基板処理装置であって、
   前記補充液供給部は前記補充液として水を供給する基板処理装置。

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