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JP2018056743A - 逆光補正プログラム及び半導体装置 - Google Patents

逆光補正プログラム及び半導体装置 Download PDF

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JP2018056743A JP2016189272A JP2016189272A JP2018056743A JP 2018056743 A JP2018056743 A JP 2018056743A JP 2016189272 A JP2016189272 A JP 2016189272A JP 2016189272 A JP2016189272 A JP 2016189272A JP 2018056743 A JP2018056743 A JP 2018056743A
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Abstract

【課題】従来の逆光補正処理では、露光時間を制御しなければならず、レンズ及びセンサを製造していないものにとって逆光補正処理を実装することが難しい問題があった。【解決手段】一実施の形態によれば、撮像素子から取得した1枚分の画像を構成する画素情報から抽出された画像の輝度分布を示す輝度情報に基づき逆光状態を検出し、当該輝度情報に基づき画像の逆光状態を補正する補正設定値を算出し、算出した補正設定値に基づき前記画素情報から生成する画像情報の逆光状態を補正することで逆光補正処理を行う。【選択図】図2

Description

本発明は逆光補正プログラム及び半導体装置に関し、例えば画像センサから得た画素情報に基づき生成した出力画像に対して逆光補正を行う逆光補正プログラム及び半導体装置に関する。
近年、カメラシステムでは、撮影対象の光の状態によらず、明瞭度の高い画像を取得することが要求されている。画像の明瞭度が低下する一例として、逆光状態がある。逆光状態では、画像の一部の輝度が他の部分よりも極端に高いため、画像の一部に黒つぶれが発生する。そこで、この逆光状態の画像に対して補正処理を加えて画像の明瞭度を向上させる逆光補正技術がある。逆光補正技術の一例が特許文献1に開示されている。
特許文献1に記載の逆光補正装置は、被写体を撮像した映像信号の撮像エリアを複数に分割し、分割された前記撮像エリア毎の明るさを検出する第1の手段と、前記複数の撮像エリアの中で所定の撮像エリアを選択し、選択された撮像エリア内の明るさ信号および撮像エリア外の明るさ信号を検出する第2の手段と、前記第2の手段により検出された前記撮像エリア内外の明るさの比率またはコントラスト差を計算する手段と、前記計算手段より得られる結果に基づき逆光状態であると判断したとき、前記選択した撮像エリア内の明るさを基に撮像装置の露光量を調整する手段を有する。
特開2004−88545号公報
特許文献1に記載の逆光補正方法を利用しようとした場合、レンズ及び撮像素子の特性に応じて露光制御方法を調整する必要がある。しかし、レンズ、撮像素子及びこれら構成部品の制御回路を個別に組み合わせてカメラシステムを構築するメーカーにおいては、個別の構成部品の特性を把握した上で露光制御のためのプログラムを設計しなければならずこのプログラムの作成に多くの工数を要する。また、レンズ、或いは、撮像素子を変更した場合には、改めて露光制御のプログラムを作成し直さなければならない。さらに、レンズと撮像素子の特性のマッチングによっては露光量を調整するのみでは逆光補正が行えないことがある。このようなことから、露光制御を用いた逆光補正方法による逆光補正処理は、レンズ或いは撮像素子を部品メーカーから調達するカメラシステムメーカーにとっては多くの困難を伴う問題がある。
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
一実施の形態によれば、逆光補正プログラム及び半導体装置は、撮像素子から取得した1枚分の画像を構成する画素情報から抽出された画像の輝度分布を示す輝度情報に基づき逆光状態を検出し、当該輝度情報に基づき画像の逆光状態を補正する補正設定値を算出し、算出した補正設定値に基づき前記画素情報から生成する画像情報の逆光状態を補正する。
前記一実施の形態によれば、露光量を制御することなく、出力する画像情報の逆光状態を補正することができる。
実施の形態1にかかる撮像素子を含むカメラシステムのブロック図である。 実施の形態1にかかる半導体装置のブロック図である。 実施の形態1にかかるガンマ制御部のブロック図である。 実施の形態1にかかる半導体装置の動作を示すフローチャートである。 実施の形態1にかかる半導体装置における逆光補正の態様を説明する図である。 実施の形態1にかかるカメラシステムにおけるソフトウェア構成を説明する図である。 実施の形態2にかかる半導体装置のブロック図である。 実施の形態3にかかる半導体装置のブロック図である。
説明の明確化のため、以下の記載及び図面は、適宜、省略、及び簡略化がなされている。また、様々な処理を行う機能ブロックとして図面に記載される各要素は、ハードウェア的には、CPU、メモリ、その他の回路で構成することができ、ソフトウェア的には、メモリにロードされたプログラムなどによって実現される。したがって、これらの機能ブロックがハードウェアのみ、ソフトウェアのみ、またはそれらの組合せによっていろいろな形で実現できることは当業者には理解されるところであり、いずれかに限定されるものではない。なお、各図面において、同一の要素には同一の符号が付されており、必要に応じて重複説明は省略されている。
また、上述したプログラムは、様々なタイプの非一時的なコンピュータ可読媒体(non−transitory computer readable medium)を用いて格納され、コンピュータに供給することができる。非一時的なコンピュータ可読媒体は、様々なタイプの実体のある記録媒体(tangible storage medium)を含む。非一時的なコンピュータ可読媒体の例は、磁気記録媒体(例えばフレキシブルディスク、磁気テープ、ハードディスクドライブ)、光磁気記録媒体(例えば光磁気ディスク)、CD−ROM(Read Only Memory)CD−R、CD−R/W、半導体メモリ(例えば、マスクROM、PROM(Programmable ROM)、EPROM(Erasable PROM)、フラッシュROM、RAM(Random Access Memory))を含む。また、プログラムは、様々なタイプの一時的なコンピュータ可読媒体(transitory computer readable medium)によってコンピュータに供給されてもよい。一時的なコンピュータ可読媒体の例は、電気信号、光信号、及び電磁波を含む。一時的なコンピュータ可読媒体は、電線及び光ファイバ等の有線通信路、又は無線通信路を介して、プログラムをコンピュータに供給できる。
図1に実施の形態1にかかるカメラシステム1のブロック図を示す。図1に示すように、カメラシステム1は、ズームレンズ11、絞り機構12、固定レンズ13、フォーカスレンズ14、センサ15、ズームレンズアクチュエータ16、フォーカスレンズアクチュエータ17、信号処理回路18、システム制御MCU19、モニタ、記憶装置を有する。ここで、モニタ及び記憶装置は、カメラシステム1で撮影した画像を確認及び記憶するものであり、これらをカメラシステム1とは切り離した別のシステム上に設けても良い。
ズームレンズ11、絞り機構12、固定レンズ13及びフォーカスレンズ14は、カメラシステム1のレンズ群を構成する。ズームレンズ11は、ズームアクチュエータ16により位置の変更が行われる。フォーカスレンズ14は、フォーカスアクチュエータ17により位置の変更が行われる。そして、カメラシステム1では、各種アクチュエータによりレンズを移動させることでズーム倍率、フォーカスを変更し、かつ、絞り機構12を動作させることで入射光量を変更する。
ズームアクチュエータ16は、システム制御MCU19が出力するズーム制御信号SZCに基づきズームレンズ11を移動させる。フォーカスアクチュエータ17は、フォーカスアクチュエータ17は、システム制御MCU19が出力するフォーカス制御信号SFCに基づきフォーカスレンズ14を移動させる。絞り機構12は、システム制御MCU19が出力する絞り制御信号SDCにより絞り量を調節する。
センサ15は、実施の形態1にかかる撮像素子に外とするものであり、例えば、フォトダイオード等の光電変換素子を有し、当該受光素子から得られた受光画素情報をデジタル値に変換して画素情報Doを出力する。また、センサ15は、センサ15が出力する画素情報Doを解析して画素情報Doの特徴を表す画像特徴情報DCIを出力する。この画像特徴情報DCIには、後述するオートフォーカス処理において取得されるコントラスト情報が含まれる。さらに、センサ15は、モジュール制御MCU18から与えられるセンサ制御信号SSCに基づき画素情報Doの画素毎のゲイン制御、及び、画素情報Doの露光制御制御を行う。センサ15の詳細については後述する。
信号処理プロセッサ18は、センサ15から受信した画素情報Doから所定のフォーマットに沿った画像情報の生成及び生成する画像情報に対する補正処理等の画像処理を施して画像情報Dimgを出力する。また、信号処理プロセッサ18は、受信した画素情報Doを解析して輝度情報Dilmを出力する。輝度情報Dilmには、例えば、1枚分の画像を構成する画素情報Doについて、画像の領域を分割した分割領域毎の輝度レベルを示す輝度情報が含まれる。
システム制御MCU19は、センサ15から出力される画像特徴情報DCIに基づきレンズ群のフォーカスを制御する。より具体的には、システム制御MCU19は、フォーカス制御信号SFCをフォーカスアクチュエータ17に出力することでレンズ群のフォーカスを制御する。システム制御MCU19は、絞り制御信号SDCを絞り機構12に出力して絞り機構12の絞り量を調節する。さらに、システム制御MCU19は、外部から与えられるズーム指示に従ってズーム制御信号SZCを生成し、ズーム制御信号SZCをズームアクチュエータ16に出力することでレンズ群のズーム倍率を制御する。
より具体的には、ズームアクチュエータ16によりズームレンズ11を移動することでフォーカスがずれる。そこで、システム制御MCU19は、センサ15から得た画像特徴情報DCIに含まれるコントラスト情報(対象画素同士のコントラスト比)基づきレンズ群のデフォーカス量を算出する。システム制御MCU19は、このデフォーカス量に応じて自動的にフォーカスを合わせる。この処理がオートフォーカス制御である。
また、システム制御MCU19は、信号処理プロセッサ18が出力する輝度情報Dilmに含まれる輝度情報に基づき画像情報Dimgの逆光状態を補正する補正設定値Dgamを算出する。そして、信号処理プロセッサ18は、システム制御MCU19にて算出された補正設定値Dgamに基づき画素情報Doに逆光補正処理を加えて画像情報Dimgを生成する。このとき、システム制御MCU19は、露出を変更する際に絞り機構12の制御値を算出しても良い。
実施の形態1にかかるカメラシステム1では、センサ15における露光制御の状態によらず、センサ15から出力される画素情報Doを用いて信号処理プロセッサ18及びシステム制御MCU19が画像情報Dimgの逆光状態を補正することに特徴の1つを有する。そこで、以下では、信号処理プロセッサ18及びシステム制御MCU19についてより詳細に説明する。
図2に実施の形態1にかかる半導体装置のブロック図を示す。図2に示すように、実施の形態1にかかる半導体装置は、複数の半導体チップにより構成される。図2に示す例では、第1の半導体チップとしてシステム制御MCU19を用い、第2の半導体チップとして信号処理プロセッサ18を用いる。なお、図2では、信号処理プロセッサ18及びシステム制御MCU19により用いられる画素情報Doを出力する装置として撮像素子(例えば、センサ15)を示した。
システム制御MCU19は、センサ15から出力される1枚分の画像を構成する画素情報Doについて、画像の領域を分割した分割領域毎の画素情報Doの輝度の分布を示す輝度情報Dilmを取得し、取得した輝度情報Dilmに基づき画像の黒つぶれを補正する補正設定値Dgamを算出して、算出した補正設定値Dgamを出力する。信号処理プロセッサ18は、画素情報Doから生成する画像情報Dimgの輝度レベルを補正設定値Dgamに基づき補正して最終的に出力する画像情報Dimgを生成する。また、信号処理プロセッサ18は、センサ15から1枚分の画像を構成する画素情報Doを取得し、取得した画素情報Doから輝度情報Dilmを生成してシステム制御MCU19に出力する。
より具体的には、実施の形態1にかかる半導体装置では、信号処理プロセッサ18及びシステム制御MCU19で実行される逆光補正プログラムにより上記逆光補正処理を行う。なお、図2では、当該逆光補正プログラムの処理単位毎を1つの処理ブロックとし、当該処理ブロックをブロック図として表した。また、図2で示した処理ブロックは、一部又は全部をハードウェアとして構成することもできる。
図2に示したセンサ15は、画素アレイ21、画素制御部22、画素読出制御部23を有する。画素アレイ21は、受光素子が格子状に配置され、受光量に応じた信号レベルの画素出力信号を出力する。画素制御部22は、画素アレイ21に配置された受光素子の露光制御及び画素出力信号の出力タイミングの制御を行う。画素読出制御部23は、画素アレイ21から出力された画素出力信号の信号レベルに応じたデジタル値を有する画素情報Doを生成する。
図2に示すように、信号処理プロセッサ18は、信号処理部31、輝度情報生成部32、逆光補正部(例えば、ガンマ制御部33)を有する。信号処理部31は、センサ15から取得した画素情報Doを所定のフォーマットに従って画像情報Dimgを生成する。また、信号処理プロセッサ18は、画像情報Dimgを生成する前にガンマ制御部33を利用して画素情報Doから生成した画像情報Dimgに対する補正処理を行う。
輝度情報生成部32は、センサ15から1枚分の画像を構成する画素情報Doを取得し、取得した画素情報Doから輝度情報を生成する輝度情報生成処理を行う。ここで、輝度情報生成部32が生成する輝度情報は、画像の領域を分割した分割領域毎の画素情報Doの輝度の分布を示す。
ガンマ制御部33は、画素情報Doから生成する画像情報Dimgの輝度レベルを規定設定値(例えば、表示するモニタの特性)に合わせて補正する規定ガンマ補正処理(例えば、モニタ用ガンマ補正処理)と、逆光状態を補正する逆光補正用ガンマ補正処理と、を行う。この逆光補正用ガンマ補正処理では、ガンマ制御部33は、画素情報Doから生成する画像情報Dimgの輝度レベルをシステム制御MCU19において算出された補正設定値Dgamに基づき補正して最終的に出力する画像情報Dimgを生成する。
システム制御MCU19は、輝度情報取得部41、逆光状態検出部42、補正設定値算出部43を有する。輝度情報取得部41は、輝度情報生成部32が生成した輝度情報Dilmを取得する。例えば、輝度情報取得部41は、メモリを含み、当該メモリに輝度情報生成部32から取得した輝度情報Dilmを保持する。
逆光状態検出部42は、輝度情報取得部41に保持されている輝度情報Dilmを検証し、少なくとも1つの分割領域と他の分割領域との輝度の差が予め定めた所定の値よりも大きな状態であった場合に画像の逆光状態を検出する。
補正設定値算出部43は、逆光状態が検出されたことに応じて、センサ15から取得した画素情報Doに対応して出力される画像情報Dimgの輝度レベルを変更する補正設定値Dgamを算出する。ここで、補正設定値Dgamは、画素情報Doの輝度レベルと画像情報Dimgの輝度レベルとの対応関係を示すガンマカーブを含む。
図2に示す例では、輝度情報生成部32を信号処理プロセッサ18内に設けたが、輝度情報生成部32はセンサ15内に設けることもできる。この場合、輝度情報取得部41は、センサ15から輝度情報Dilmを取得する。
ここで、実施の形態1にかかるガンマ制御部33では2つのガンマ補正処理を行う。ガンマ制御部33についてより詳細に説明を行う。そこで、図3に実施の形態1にかかるガンマ制御部のブロック図を示す。なお、図3では、ガンマ制御部33の入出力信号を理解するために信号処理部31も示した。
図3に示すように、ガンマ制御部33は、モニタ用ガンマ補正部34、逆光補正用ガンマ補正部35、メモリ36を有する。モニタ用ガンマ補正部34は、例えば、規定ガンマ補正処理を行う処理部である。モニタ用ガンマ補正部34は、逆光状態が不検出である場合であっても予め決定された規定ガンマ補正データ(例えば、モニタ用ガンマ補正カーブデータ)に基づき画素情報Doから生成する画像情報Dimgの輝度レベルを補正する。
逆光補正用ガンマ補正部35は、システム制御MCU19が出力するDgamに基づき逆光状態の有無及び逆光状態の強度を把握し、逆光状態が検出されている場合には、メモリ36から逆光状態の強度に応じた逆光補正用ガンマ補正カーブデータを読み出す。そして、逆光補正用ガンマ補正部35は、読み出したガンマ補正カーブデータに基づきモニタ用ガンマ補正部34が補正処理を施した画素情報Doに更に輝度補正処理を加えて信号処理部31に出力する。
メモリ36には、モニタ用ガンマ補正カーブデータ及び逆光補正用ガンマ補正カーブデータA〜Cが格納される。モニタ用ガンマ補正カーブデータは、逆光状態が検出されたか否かに関わらずに画素情報Doに適用される規定ガンマ補正データである。逆光補正用ガンマ補正カーブデータA〜Cは、逆光状態が検出された場合に画素情報Doに適用されるガンマ補正カーブのデータである。例えば、逆光補正用ガンマ補正カーブデータAは、逆光状態を生じさせている光の強度が強い場合に適用されるガンマ補正カーブデータである。逆光補正用ガンマ補正カーブデータBは、逆光状態を生じさせている光の強度が中程度であった場合に適用されるガンマ補正カーブデータである。逆光補正用ガンマ補正カーブデータCは、逆光状態を生じさせている光の強度が弱い場合に適用されるガンマ補正カーブデータである。
続いて、実施の形態1にかかる半導体装置の動作について説明する。そこで、図4に実施の形態1にかかる半導体装置の動作を示すフローチャートを示す。図4に示すように、実施の形態1にかかる半導体装置は、動作を開始すると、センサ15、信号処理プロセッサ18、システム制御MCU19の状態をパワーオンリセット処理により初期化する(ステップS1)。
次いで、実施の形態1にかかる半導体装置は、初期設定処理を行う(ステップS2)。当該初期設定処理では、予め設定された設定値に基づきセンサ15、信号処理プロセッサ18、及び、システム制御MCU19の動作開始状態での動作設定値を設定する。その後、実施の形態1にかかる半導体装置は動作を開始し、センサ15は画素情報Doの出力を開始する(ステップS3)。
次いで、実施の形態1にかかる半導体装置は、センサ15が画素情報Doを出力する(ステップS4)。輝度情報生成部32は、ステップS4でセンサ15が出力した画素情報Doを取得して、輝度情報Dilmを生成する(ステップS5)。また、実施の形態1にかかる半導体装置では、ガンマ制御部33において、メモリ33に記憶されているモニタ補正用ガンマ補正カーブデータを用いてモニタ用ガンマ補正部34がモニタ用ガンマ補正処理を施した画素情報を生成する(ステップS6)。
次いで、実施の形態1にかかる半導体装置は、システム制御MCU19の輝度情報取得部41が輝度情報生成部32から輝度情報Dilmを取得する。そして、システム制御MCU19の逆光状態検出部42が、輝度情報取得部41に保持された輝度情報Dilmに基づき画像の逆光状態を判断する(ステップS7)。このステップS7では、逆光状態検出部42は、画像の分割領域毎の輝度分布を検証し、少なくとも1つの分割領域と他の分割領域との輝度の差が予め定めた所定の値よりも大きな状態であった場合に画像が逆光状態であると判断し、画像の逆光状態を検出する。
そして、逆光状態検出部42において画像が逆光状態でないと判断された場合(ステップS8のNOの枝)、補正設定値算出部43は、予め設定された補正設定値Dgam(逆光状態が不検出であったことを示す値であって、例えば、予め決定された不存在のメモリアドレス)を出力する。そして、実施の形態1にかかる半導体装置は、逆光補正用ガンマ補正部35が補正処理を施さずにモニタ用ガンマ補正部34が生成した画素情報をそのまま信号処理部31に与えて、信号処理部31が与えられた画素情報から画像情報Dimgを生成して出力する(ステップS11)。実施の形態1にかかる半導体装置では、ステップS11の後はステップS4〜S8の処理を実施する。
一方、逆光状態検出部42において画像が逆光状態であると判断された場合(ステップS8のYESの枝)、補正設定値算出部43は、逆光状態を補正する補正設定値Dgam(例えば、逆光状態を生じさせている光の強度に対応した逆光補正用補正カーブデータが格納されたメモリアドレス)を算出し、算出した補正設定値Dgamをガンマ制御部33に出力する。そして、逆光補正用ガンマ補正部35は、与えられた補正設定値Dgamに基づき逆光補正用ガンマ補正カーブデータを選択する(ステップS9)。そして、信号処理部31は、逆光補正用ガンマ補正部35により選択した逆光補正用ガンマ補正カーブデータに基づき、モニタ用ガンマ補正部34が補正処理を施した画素情報に更に逆光補正用の補正処理を加えて新たな画素情報を生成する(ステップS10)。その後、実施の形態1にかかる半導体装置は逆光補正用ガンマ補正部35が補正処理を施した画素情報を信号処理部31に与えて、信号処理部31が与えられた画素情報から画像情報Dimgを生成して出力する(ステップS11)。実施の形態1にかかる半導体装置では、ステップS11の後はステップS4〜S8の処理を実施する。
ここで、実施の形態1にかかる半導体装置における逆光補正処理についてより詳細に説明する。そこで、図5に実施の形態1にかかる半導体装置における逆光補正の態様を説明する図を示す。図5に示す例では、画像中に自動車と人物が写っており、自動車のヘッドライトに起因した逆光状態が生じている。このような場合、自動車のヘッドライト付近の領域の輝度が高く、その他の部分の輝度が低くなる。また、輝度が高い領域と輝度が低い領域との間に所定値以上の輝度レベルの差が生じる。このような場合、逆光状態検出部42は、画像に逆光状態が生じていると判断する。そして、補正設定値算出部43は、入力される画素情報Doの輝度レベルと出力する画像情報Dimgの輝度レベルとの対応関係を示すガンマカーブを補正する。具体的には、補正設定値算出部43は、入力される画素情報Doのうち低輝度側の画素情報Doに基づき生成される画像情報Dimgが補正前のガンマカーブに基づき生成される画像情報Dimgよりも高くなるようにガンマカーブを補正する。
また、実施の形態1にかかる半導体装置では、逆光状態を生じさせている光の強度毎にガンマ補正カーブを準備している。逆光状態を生じさせている光の強度が強くなるほど、光の強度が低くなる領域が暗くなり、明瞭度が低下するためである。より具体的には、実施の形態1にかかる半導体装置では、逆光状態を生じさせている光の強度が強い程、輝度レベルが低い領域での補正強度を高くするように、逆光補正用ガンマ補正カーブを作成する。このような補正を行うことで、補正後の画像では、人物と自動車とをより明瞭にすることができる。
続いて、信号処理プロセッサ18及びシステム制御MCU19で実行されるプログラムの構成について説明する。そこで、図6に実施の形態1にかかるカメラシステム1におけるプログラムの構成を説明する図を示す。図6に示すように、カメラシステム1で実行されるプログラムの構成の一例では、OS/ドライバ層のソフトウェアとして、OS、センサ制御ドライバ、モータドライバ、評価データ取得ドライバ等が搭載される。OSは、ドライバ、ミドルウェア等のソフトを動作させる基本ソフトである。センサ制御ドライバは、センサ15の基本的な制御を行うためのソフトウェアである。モータドライバは、カメラシステム1のレンズ等を駆動するモータを制御するためのソフトウェアである。評価データ取得ドライバは、信号処理プロセッサ18においてセンサ15から画素情報Doを受信して輝度分布等の画質を評価するソフトウェアである。
また、AP/ミドルウェア層のソフトとしては、自動露出制御(AE)ソフト、自動フォーカス制御(AF)ソフト、コマンドインタフェースソフト、電源管理ソフト、自動ホワイトバランス制御(AWB)ソフト、逆光補正ソフト、ブート制御ソフト等が含まれる。自動露出制御ソフトは、カメラシステム1の光学機構内の絞り、又は、センサ15の露光時間を制御するソフトである。自動フォーカス制御ソフトは、カメラシステム1のレンズを移動させて被写体に対するフォーカスを調節する制御ソフトである。コマンドインタフェースソフトは、ソフトウェア間で送受信されるコマンドを仲介するソフトである。電源管理ソフトは、カメラシステム1の電源を管理するためのソフトである。自動ホワイトバランス制御ソフトは、信号処理プロセッサ18を制御して画像情報Dimgのホワイトバランスを調整するためのソフトである。逆光補正ソフトは、輝度情報取得部41、逆光状態検出部42、補正設定値算出部43、ガンマ制御部33で行われる逆光補正処理を行うためのソフトである。ブートソフトは、カメラシステムの起動処理を行うソフトである。
また、ユーザーAP/API層のソフトとしては、ユーザーインタフェースを提供するWebアプリケーションソフト等が含まれる。
図6に示したようなソフトウェア構成を取ることで、ドライバ、ミドルウェア、ユーザーソフトを追加或いは削除することもできる。また、図6に示したようなソフトウェア構成を取ることで、ソフトウェアの機能の変更も行うことができる。ソフトウェアの機能の変更は、例えば、逆光補正処理における補正方法を変更する等が考えられる。
上記説明より、実施の形態1にかかる半導体装置では、センサ15から得た画素情報Doの輝度分布に基づき逆光状態の検出と、当該逆光状態に対する補正処理を行う。これにより、実施の形態1にかかる半導体装置では、センサ15の露光時間の制御等の露光制御を行うことなく逆光補正処理された画像情報Dimgを出力することができる。
また、実施の形態1にかかる半導体装置を用いることで、レンズ及びセンサ15の特性によらず逆光補正処理を施した画像情報Dimgを得ることができる。露光時間制御を用いた逆光補正を行う場合、レンズ及びセンサ15の特性に合わせた補正制御を行わなければならず、これら部品の特性を十分に理解していなければ、逆光補正の効果を引き出すことが難しい問題がある。しかしながら、実施の形態1にかかる半導体装置を用いることで、レンズ及びセンサ15の特性を意識することなく逆光補正を行うことができる。
また、実施の形態1にかかる半導体装置を用いることで、レンズ及びセンサ15を変更した場合であっても逆光補正処理に関するプログラムを変更する必要がなく、部品変更に起因するプログラムの再作成を行う必要がない。
さらに、実施の形態1にかかる半導体装置は、センサ15から取得した画素情報Doに基づき逆光補正を行うため、センサ15から取得した画像が逆光状態であれば当該画像に対して即座に逆光補正を行うことができる。一方、露光制御による逆光補正では、逆光状態を取得した後の画像に対して逆光補正を行うことができるが、既に取得された画像に対しては逆光補正を行うことが出来ない問題がある。
また、実施の形態1にかかる半導体装置を用いた逆光補正処理は、画素情報Doが動画を構成する複数の画像の1つであった場合であっても、リアルタイムに逆光補正が可能であるため、逆光状態のフレームを生じさせることなく動画の明瞭度を動画全体に亘って維持することができる。
実施の形態2
実施の形態2では、実施の形態1にかかる半導体装置の別の形態について説明する。なお、実施の形態2にかかる半導体装置の説明において、実施の形態1と同じ構成要素については実施の形態1と同じ符号を付して説明を省略する。
図7に実施の形態2にかかる半導体装置のブロック図を示す。図7に示すように、実施の形態2にかかる半導体装置では、信号処理プロセッサ18及びシステム制御MCU19に代えて信号処理LSI50を有する。そして、信号処理LSI50内には、信号処理プロセッサ18及び演算部(例えば、プログラム実行部51)が設けられる。プログラム実行部51は、システム制御MCU19の機能のうち輝度情報取得部41、逆光状態検出部42、補正設定値算出部43に関係する機能或いはプログラム実行機能を抜き出した物である。
信号処理LSI50は、信号処理プロセッサ18及びプログラム実行部51を含むが、これら処理ブロックは1つの半導体チップ上に形成されていても良く、異なる半導体チップに形成された状態で2つの半導体チップが1つのパッケージに含まれるものでも良い。
実施の形態2にかかる半導体装置では、信号処理プロセッサ18とプログラム実行部51とを1つのパッケージに納めることで、半導体装置の実装面積を削減することができる。また、1つのパッケージ内に逆光補正に関する処理ブロックが含まれるため、逆光補正のためのソフトウェアの実装が容易になる。
実施の形態3
実施の形態3では、実施の形態1にかかるセンサ15の別の形態となるセンサ15aについて説明する。なお、実施の形態3にかかる半導体装置の説明において、実施の形態1、2と同じ構成要素については実施の形態1、2と同じ符号を付して説明を省略する。
図8に実施の形態3にかかる半導体装置のブロック図を示す。図8に示すように、実施の形態3にかかる半導体装置では、センサ15に代えてセンサ15aを有する。センサ15aは、異なる露光時間により、低輝度領域の明瞭度が高い低輝度画素情報と、高輝度領域の明瞭度が高い高輝度画素情報と、生成し、低輝度画素情報と高輝度画素情報とを合成して1枚の画像を構成する画素情報を出力する。
センサ15aは、センサ15に対して、短秒露光画素情報バッファ61、長秒露光画素情報バッファ62、信号合成部63を追加したものである。また、センサ15aでは、画素制御部22及び画素読出制御部23は、異なる露光時間の露光処理及び画素情報の出力を連続して行う。
短秒露光画素情報バッファ61は、異なる露光時間のうち露光時間が短く高輝度領域の明瞭度が高い高輝度画素情報を保持する。長秒露光画素情報バッファ62は、異なる露光時間のうち露光時間が長く低輝度領域の明瞭度が高い低輝度画素情報を保持する。信号合成部63は、短秒露光画素情報バッファ61に保持されている高輝度画素情報と、長秒露光画素情報バッファ62に保持されている低輝度画素情報と、を合成して1枚分の画像を構成する画素情報を出力する。具体的には、信号合成部63は、規定された輝度閾値以下の画素情報として長秒露光画素情報バッファ62から読み出した低輝度画素情報を出力し、輝度閾値よりも高い画素情報として短秒露光画素情報バッファ61から読み出した高輝度画素情報を出力する。
つまり、センサ15aは、センサ15a内で画像のダイナミックレンジを画素アレイ21に配置された受光素子から得られるダイナミックレンジ以上に拡大したHDR(High Dynamic Range)画像を生成するための画素情報を出力する。
このようなセンサ内での合成処理によりHDR画像を出力する撮像素子を用いた場合、露光時間の制御により逆光を補正する場合、露光時間の変更がHDR画像の明瞭度に影響してしまうため、実質的に露光時間による逆光補正を行うことが難しい。
しかしながら、実施の形態1、2で説明した半導体装置を用いることで、HDR画像として出力される画素情報を用いて、HDR合成処理が施された画像に対する逆光補正処理を行うことができる。このように、露光時間による逆光補正が困難な場合には、実施の形態1、2で説明した半導体装置による逆光補正処理は高い効果を奏する。
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は既に述べた実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能であることはいうまでもない。
1 カメラシステム
11 ズームレンズ
12 絞り機構
13 固定レンズ
14 フォーカスレンズ
15 センサ
16 ズームレンズアクチュエータ
17 フォーカスレンズアクチュエータ
18 信号処理プロセッサ
19 システム制御MCU
21 画素アレイ
22 画素制御部
23 画素読出制御部
31 信号処理部
32 輝度情報生成部
33 ガンマ制御部
34 モニタ用ガンマ補正部
35 逆光補正用ガンマ補正部
36 メモリ
41 輝度情報取得部
42 逆光状態検出部
43 補正設定値算出部
50 信号処理LSI
51 プログラム実行部
61 短秒露光画素情報バッファ
62 長秒露光画素情報バッファ
63 信号合成部
Do 画素情報
Dimg 画像情報
Dilm 輝度情報
Dgam 補正設定値

Claims (15)

  1. 撮像素子が出力した画素情報に対して信号処理を加えて画像情報を出力する画像処理装置において実行される逆光補正プログラムであって、
    前記撮像素子から出力される1枚分の画像を構成する前記画素情報について、前記画像の領域を分割した分割領域毎の前記画素情報の輝度の分布を示す輝度情報を取得する輝度情報取得処理と、
    前記輝度情報を検証し、少なくとも1つの分割領域と他の分割領域との輝度の差が予め定めた所定の値よりも大きな状態であった場合に前記画像の逆光状態を検出する逆光状態検出処理と、
    前記逆光状態が検出されたことに応じて、前記撮像素子から取得した画素情報に対応して出力される前記画像情報の輝度レベルを変更する補正設定値を算出する補正設定値算出処理と、
    前記画素情報から生成する前記画像情報の輝度レベルを前記補正設定値に基づき補正して最終的に出力する前記画像情報を生成する逆光補正処理と、
    を行う逆光補正プログラム。
  2. 逆光状態が不検出である場合であっても予め決定された規定ガンマ補正データに基づき前記画素情報から生成する前記画像情報の輝度レベルを補正する規定ガンマ補正処理を更に行う請求項1に記載の逆光補正プログラム。
  3. 前記撮像素子から1枚分の画像を構成する前記画素情報を取得し、
    取得した前記画素情報から前記輝度情報を生成する輝度情報生成処理を行う請求項1に記載の逆光補正プログラム。
  4. 前記補正設定値は、前記画素情報の輝度レベルと前記画像情報の輝度レベルとの対応関係を示すガンマカーブを含む請求項1に記載の逆光補正プログラム。
  5. 前記撮像素子は、低輝度領域の明瞭度が高い低輝度画素情報と、高輝度領域の明瞭度が高い高輝度画素情報と、を合成して1枚の前記画像を構成する前記画素情報を出力する請求項1に記載の逆光補正プログラム。
  6. 前記画像処理装置は、複数の半導体チップにおいて分散して前記逆光補正プログラムの各処理を実行する請求項1に記載の逆光補正プログラム。
  7. 第1の半導体チップと第2の半導体チップとを有し、
    前記第1の半導体チップは、
    撮像素子から出力される1枚分の画像を構成する画素情報について、前記画像の領域を分割した分割領域毎の前記画素情報の輝度の分布を示す輝度情報を取得し、取得した前記輝度情報に基づき前記画像の黒つぶれを補正する補正設定値を算出して、算出した前記補正設定値を出力し、
    前記第2の半導体チップは、
    前記画素情報から生成する画像情報の輝度レベルを前記補正設定値に基づき補正して最終的に出力する前記画像情報を生成する半導体装置。
  8. 前記第2の半導体チップは、逆光状態が不検出である場合であっても予め決定された規定ガンマ補正データに基づき前記画素情報から生成する前記画像情報の輝度レベルを補正する規定ガンマ補正処理を更に行う請求項7に記載の半導体装置。
  9. 前記第2の半導体チップは、前記撮像素子から1枚分の画像を構成する前記画素情報を取得し、取得した前記画素情報から前記輝度情報を生成して前記第1の半導体チップに出力する請求項7に記載の半導体装置。
  10. 撮像素子から出力される1枚分の画像を構成する画素情報について、前記画像の領域を分割した分割領域毎の前記画素情報の輝度の分布を示す輝度情報を取得する輝度情報取得部と、
    前記輝度情報を検証し、少なくとも1つの分割領域と他の分割領域との輝度の差が予め定めた所定の値よりも大きな状態であった場合に前記画像の逆光状態を検出する逆光状態検出部と、
    前記逆光状態が検出されたことに応じて、前記撮像素子から取得した画素情報に対応して出力される画像情報の輝度レベルを変更する補正設定値を算出する補正設定値算出部と、
    前記画素情報から生成する前記画像情報の輝度レベルを前記補正設定値に基づき補正して最終的に出力する前記画像情報を生成する逆光補正部と、
    を有する半導体装置。
  11. 逆光状態が不検出である場合であっても予め決定された規定ガンマ補正データに基づき前記画素情報から生成する前記画像情報の輝度レベルを補正する規定ガンマ補正部を更に行う請求項10に記載の半導体装置。
  12. 前記撮像素子から1枚分の画像を構成する前記画素情報を取得し、取得した前記画素情報から前記輝度情報を生成する輝度情報生成部を更に有する請求項10に記載の半導体装置。
  13. 前記補正設定値は、前記画素情報の輝度レベルと前記画像情報の輝度レベルとの対応関係を示すガンマカーブを含む請求項10に記載の半導体装置。
  14. 前記撮像素子は、低輝度領域の明瞭度が高い低輝度画素情報と、高輝度領域の明瞭度が高い高輝度画素情報と、を合成して1枚の前記画像を構成する前記画素情報を出力する請求項10に記載の半導体装置。
  15. 前記輝度情報取得部と、前記逆光状態検出部と、前記補正設定値算出部と、前記逆光補正部と、の少なくとも1つは、異なる半導体チップ上に形成される請求項10に記載の半導体装置。
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