JP2017216330A - セラミックコンデンサ - Google Patents

Abstract

【課題】ＥＳＬが低く、基板への内蔵に好適なセラミックコンデンサを提供する。【解決手段】複数の外部電極は、第１の外部電極１５と、第２の外部電極１６と、第３の外部電極１７とを有する。第１、第２及び第３の外部電極１５，１６，１７のそれぞれは、スパッタリング電極膜１５Ａ、１６Ａ、１７Ａを含む。第１、第２及び第３の外部電極の最外層１５Ｂ、１６Ｂ、１７Ｂのそれぞれは、Ｃｕを含む。【選択図】図２

Description

本発明は、セラミックコンデンサに関する。

近年、携帯電話機や携帯音楽プレイヤーなどの情報端末機器の小型化及び薄型化が進んでいる。それに伴い、電子機器に搭載される基板や基板に搭載される電子部品においても、小型化が進んでいる。基板に実装される電子部品の高密度実装化も進んでいる。電子部品の更なる小型化を図るために、基板内に電子部品が埋め込まれた電子部品内蔵基板も開発されてきている（例えば、特許文献１）。電子部品内蔵基板においては、基板に形成された配線と、埋め込まれている電子部品とが確実に電気的に接続される必要がある。

また、電子機器の情報量が増える中、更なる高周波域での電子機器の使用頻度が増えてきている。そのため、電子部品内蔵基板に内蔵された電子部品の等価直列インダクタンス（ＥＳＬ）を低くして、高周波域での使用を可能にしたいという要望がある。

特開２０１２−１１４４５７号公報 特開２００１−１５５９６２号公報 特開２００１−１０２２４３号公報 特開２００１−１６７９８９号公報

例えば特許文献２，３では、セラミックコンデンサの低ＥＳＬ化を実現する手段として、３端子コンデンサ等の多端子コンデンサが提案されている。しかしながら、特許文献２、特許文献３に記載の多端子コンデンサは、基板への埋め込み、及び、基板に形成された配線との電気的な接続について考慮されていない。このため、特許文献２、特許文献３に記載の多端子コンデンサを好適に基板に埋め込むことは困難である。換言すれば、特許文献２、特許文献３に記載の多端子コンデンサは、基板への埋め込みに好適ではない。

また、特許文献２や特許文献３に記載されているグランド端子を構成している外部電極は、焼成電極により構成されている。焼成電極は、例えば、特許文献４に記載されているようなローラ塗布工法によって形成することができる。具体的には、ローラの円周面に形成された導電性ペースト用の溝を有するローラを用いて、ローラに保持させた導電性ペーストを転写し、セラミック素体の表面に導電性ペーストを塗布し、焼成することで焼成電極を形成することができる。このように、焼成電極は、一般的にローラ塗布工法によって形成することができる。しかし、この場合、セラミック素体の側面の上に導電性ペーストを塗布する際に、セラミック素体の主面上にも導電性ペーストが回り込む。このため、セラミック素体の主面上に塗布された塗布膜の上に、側面から回り込んだ導電性ペーストが塗布される。よって、焼成電極の側面側の部分が他の部分より厚くなる。従って、主面上にグランド端子を一の側面から他の側面に跨がるように形成する場合に、外部電極の平坦性が損なわれる場合がある。このような積層セラミックコンデンサを電子部品内蔵基板に埋め込む場合には、外部電極とビアホール電極との接続性が低下する虞がある。従って、積層セラミックコンデンサと電子部品内蔵基板との接続不良が生じる虞がある。

本発明の主な目的は、ＥＳＬが低く、基板への内蔵に好適なセラミックコンデンサを提供することにある。

本発明に係るセラミックコンデンサは、コンデンサ本体と、複数の内部電極と、外部電極とを備えている。コンデンサ本体は、第１及び第２の主面と、第１及び第２の側面と、第１及び第２の端面とを有する。第１及び第２の主面は、長さ方向及び幅方向に沿って延びている。幅方向は、長さ方向に対して垂直である。第１及び第２の側面は、長さ方向と、積層方向とに沿って延びている。積層方向は、長さ方向及び幅方向のそれぞれに対して垂直である。第１及び第２の端面は、幅方向及び積層方向に沿って延びている。複数の内部電極は、コンデンサ本体内に配されている。複数の内部電極は、第１及び第２の側面のそれぞれに露出している。複数の外部電極は、第１の側面の内部電極の露出部と、第２の側面の内部電極の露出部とから第１及び第２の主面の上に跨がるように形成されている。複数の内部電極は、第１の内部電極と、第２の内部電極とを含む。第２の内部電極は、第１の内部電極と積層方向において対向している。第１の内部電極は、第１の対向部と、第１及び第２の引き出し部と、第３及び第４の引き出し部とを有する。第１の対向部は、第２の内部電極と対向している。第１及び第２の引き出し部は、第１の対向部に接続されている。第１及び第２の引き出し部は、それぞれ、第１の側面に引き出されている。第３及び第４の引き出し部は、第１の対向部に接続されている。第３及び第４の引き出し部は、それぞれ、第２の側面に引き出されている。第２の内部電極は、第５の引き出し部と、第６の引き出し部とを有する。第２の対向部は、第１の対向部と対向している。第５の引き出し部は、第２の対向部に接続されている。第５の引き出し部は、第１の側面に引き出されている。第６の引き出し部は、第２の対向部に接続されている。第６の引き出し部は、第２の側面に引き出されている。複数の外部電極は、第１の外部電極と、第２の外部電極と、第３の外部電極とを有する。第１の外部電極は、第１の側面の第１の引き出し部の露出部と、第２の側面の第３の引き出し部の露出部とを覆い、かつ、第１の側面、第１の主面、第２の側面及び第２の主面を周回するように設けられている。第２の外部電極は、第１の側面の第２の引き出し部の露出部と、第２の側面の第４の引き出し部の露出部とを覆い、かつ、第１の側面、第１の主面、第２の側面及び第２の主面を周回するように設けられている。第３の外部電極は、第１の側面の第５の引き出し部の露出部と、第２の側面の第６の引き出し部の露出部とを覆うように、第１の側面、第１の主面、第２の側面及び第２の主面を周回するように設けられている。第１、第２及び第３の外部電極のそれぞれは、スパッタリング電極膜を含む。第１、第２及び第３の外部電極の最外層のそれぞれは、Ｃｕを含む。

本発明に係るセラミックコンデンサでは、外部電極が、スパッタリング電極を含む。このため、外部電極を薄くすることができる。このため、セラミックコンデンサを薄型化することができる。よって、本発明に係るセラミックコンデンサは、基板への内蔵に適している。

また、本発明に係るセラミックコンデンサでは、外部電極がスパッタリング電極を含むため、外部電極の平坦性を向上することができる。このため、セラミックコンデンサを基板に埋め込む場合に、外部電極とビアホール電極との接続性を向上することができる。従って、本発明に係るセラミックコンデンサは、基板への内蔵に適している。

また、本発明に係るセラミックコンデンサでは、外部電極の最外層がＣｕめっき層により構成されているため、基板への内蔵が容易である。具体的には、セラミックコンデンサを基板に内蔵する際には、電子部品と基板の配線とを接続するためのビアホール電極を設ける必要があるため、例えば、ＣＯ_２レーザー等を用いて基板に電子部品の外部電極に臨むビアホールを形成する必要がある。ここで、本発明に係るセラミックコンデンサでは、外部電極の最外層がＣｕめっき層により構成されている。このため、ビアホールを形成するために照射するレーザー光が外部電極により高い反射率で反射されるため、セラミックコンデンサの劣化を抑制することができる。従って、本発明に係るセラミックコンデンサは、基板への内蔵が容易である。

また、本発明に係るセラミックコンデンサでは、第１及び第２の内部電極の引き出し部のすべてをコンデンサ本体の第１及び第２の側面に引き出す構成とすることにより、第１の内部電極の引き出し部と第２の内部電極の引き出し部との間隔を短くすることができる。このため、セラミックコンデンサ内において電流の流れる経路長を短くできる。従って、本発明に係るセラミックコンデンサは、低い等価直列インダクタンス（ＥＳＬ）を有している。

本発明に係るセラミックコンデンサでは、スパッタリング電極膜は、ＮｉＣｒ膜と、ＮｉＣｒ膜上に配されたＮｉＣｕ膜を含むことが好ましい。

本発明に係るセラミックコンデンサでは、スパッタリング電極膜の厚みが、１００ｎｍ以上６５０ｎｍ以下であることが好ましい。

本発明に係るセラミックコンデンサでは、第１、第２及び第３の外部電極のそれぞれが、スパッタリング電極膜の上に配されたＣｕめっき層をさらに含むことが好ましい。

本発明に係るセラミックコンデンサでは、セラミックコンデンサの積層方向に沿った寸法が、セラミックコンデンサの幅方向に沿った寸法よりも小さいことが好ましい。

本発明に係るセラミックコンデンサでは、第１の外部電極は、第１の主面と第１の端面とにより構成された稜線部の上と、第２の主面と第１の端面とにより構成された稜線部の上と、第１の端面の上とに設けられておらず、第２の外部電極は、第１の主面と第２の端面とにより構成された稜線部の上と、第２の主面と第２の端面とにより構成された稜線部の上と、第２の端面の上とに設けられていないことが好ましい。

本発明に係るセラミックコンデンサでは、第３の外部電極の第１又は第２の主面上に位置する部分の長さ方向に沿った長さが、第３の外部電極の第１又は第２の側面の上に位置する部分の長さ方向に沿った長さよりも大きいことが好ましい。

本発明に係るセラミックコンデンサでは、第１の外部電極の第１又は第２の主面上に位置する部分の長さ方向に沿った長さが、第１の外部電極の第１及び第２の側面上に位置する部分の長さ方向に沿った長さよりも長く、第２の外部電極の第１又は第２の主面上に位置する部分の長さ方向に沿った長さが、第２の外部電極の第１及び第２の側面上に位置する部分の長さ方向に沿った長さよりも長いことが好ましい。

本発明に係るセラミックコンデンサでは、第１の外部電極は、第１の主面上に位置する部分から第１の端面の一部の上に至る第１の部分と、第２の主面上に位置する部分から第１の端面の一部の上に至る第２の部分と、第１の側面上に位置する部分から第１の端面の一部の上に至る第３の部分と、第２の側面上に位置する部分から第１の端面の一部の上に至る第４の部分とを有していてもよい。第２の外部電極は、第１の主面上に位置する部分から第２の端面の一部の上に至る第５の部分と、第２の主面上に位置する部分から第２の端面の一部の上に至る第６の部分と、第１の側面上に位置する部分から第２の端面の一部の上に至る第７の部分と、第２の側面上に位置する部分から第２の端面の一部の上に至る第８の部分とを有していていもよい。この場合、第１及び第２の部分並びに第５及び第６の部分のそれぞれの積層方向における長さが、セラミックコンデンサの積層方向に沿った寸法の５％以上１５％以下であり、第３及び第４の部分並びに第７及び第８の部分のそれぞれの積層方向における長さが、セラミックコンデンサの幅寸法の５％以上１５％以下であることが好ましい。

本発明に係るセラミックコンデンサでは、第１の外部電極は、第１の主面上に位置する部分から第１の端面の一部の上に至る第１の部分と、第２の主面上に位置する部分から第１の端面の一部の上に至る第２の部分と、第１の側面上に位置する部分から第１の端面の一部の上に至る第３の部分と、第２の側面上に位置する部分から第１の端面の一部の上に至る第４の部分とを有していてもよい。第２の外部電極は、第１の主面上に位置する部分から第２の端面の一部の上に至る第５の部分と、第２の主面上に位置する部分から第２の端面の一部の上に至る第６の部分と、第１の側面上に位置する部分から第２の端面の一部の上に至る第７の部分と、第２の側面上に位置する部分から第２の端面の一部の上に至る第８の部分とを有していていもよい。この場合、第１，第２，第５及び第６の部分のそれぞれの積層方向に沿った長さは、第３，第４，第７及び第８の部分の幅方向に沿った長さより短いことが好ましい。

本発明によれば、ＥＳＬが低く、基板への内蔵に好適なセラミックコンデンサを提供することができる。

第１の実施形態に係るコンデンサの模式的斜視図である。 図１の線ＩＩ−ＩＩ部分の模式的断面図である。 第１の実施形態に係るコンデンサの模式的断面図である。 第１の実施形態に係るコンデンサの模式的断面図である。 図１の線Ｖ−Ｖ部分の模式的断面図である。 図１の線ＶＩ−ＶＩ部分の模式的断面図である。 図１の線ＶＩＩ−ＶＩＩ部分の模式的断面図である。 第１の実施形態に係るコンデンサの第１の端面の模式的平面図である。 第１の実施形態に係るコンデンサの第２の端面の模式的平面図である。 第２の実施形態に係るコンデンサの模式的断面図である。 第２の実施形態に係るコンデンサの模式的断面図である。

以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。

また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものである。図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。

図１は、本実施形態に係るコンデンサの模式的斜視図である。図２は、図１の線ＩＩ−ＩＩ部分の模式的断面図である。図３は、第１の実施形態に係るコンデンサの長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿った模式的断面図である。図４は、第１の実施形態に係るコンデンサの長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿った模式的断面図である。なお、図３と図４とは、積層方向Ｔにおいて異なる部位の模式的断面図である。図５は、図１の線Ｖ−Ｖ部分の模式的断面図である。図６は、図１の線ＶＩ−ＶＩ部分の模式的断面図である。図７は、図１の線ＶＩＩ−ＶＩＩ部分の模式的断面図である。図８は、本実施形態に係るコンデンサの第１の端面の模式的平面図である。図９は、本実施形態に係るコンデンサの第２の端面の模式的平面図である。

図１〜図７に示すように、セラミックコンデンサ１は、コンデンサ本体１０を備えている。コンデンサ本体１０は、略直方体状である。コンデンサ本体１０は、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂと、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄと、第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆとを備えている。第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂは、それぞれ、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って延びている。長さ方向Ｌは、第１の端面１０ｅと第２の端面１０ｆとを結ぶ方向である。幅方向Ｗは、長さ方向Ｌに対して垂直である。幅方向Ｗは、第１の側面１０ｃと、第２の側面１０ｄとを結ぶ方向である。第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄは、それぞれ、長さ方向Ｌ及び積層方向Ｔに沿って延びている。積層方向Ｔは、第１の主面１０ａと、第２の主面１０ｂとを結ぶ方向である。積層方向Ｔは、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗのそれぞれに対して垂直である。第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆは、それぞれ、幅方向Ｗ及び積層方向Ｔに沿って延びている。コンデンサ本体１０の稜線部及び角部は、面取り状とされていてもよいし、丸められた形状とされていてもよいが、クラックが発生することを抑制する観点からは、丸められた形状を有することが好ましい。

コンデンサ本体１０は、例えば、適宜の誘電体セラミックスにより構成することができる。コンデンサ本体１０は、具体的には、例えば、ＢａＴｉＯ_３、ＣａＴｉＯ_３、ＳｒＴｉＯ_３、ＣａＺｒＯ_３などを含む誘電体セラミックスにより構成されていてもよい。コンデンサ本体１０には、Ｍｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物などが添加されていてもよい。

コンデンサ本体１０の寸法は、特に限定されないが、コンデンサ本体１０の高さ寸法をＤＴ、長さ寸法をＤＬ、幅寸法をＤＷとしたときに、ＤＴ＜ＤＷ＜ＤＬ、（１／７）ＤＷ≦ＤＴ≦（１／３）ＤＷ、または、ＤＴ＜０．２５ｍｍが満たされることが好ましい。具体的には、０．０５ｍｍ≦ＤＴ＜０．２５ｍｍ、０．４ｍｍ≦ＤＬ≦１ｍｍ、０．３ｍｍ≦ＤＷ≦０．５ｍｍであることが好ましい。このように、本実施形態のセラミックコンデンサ１の積層方向に沿った寸法が小さいため、基板への内蔵に適している。但し、セラミックコンデンサ１の積層方向に沿った寸法が小さすぎると、セラミックコンデンサ１の容量が小さくなりすぎる場合や、セラミックコンデンサ１の強度が低くなりすぎる場合がある。従って、セラミックコンデンサ１の積層方向に沿った寸法は、幅寸法の１／５倍以上であることが好ましく、１／２倍以上であることがより好ましい。

なお、セラミックコンデンサ１の各寸法は、マイクロメータ又は顕微鏡を用いて測定することができる。

図２に示すように、コンデンサ本体１０の内部には、複数の内部電極１１、１２が設けられている。具体的には、コンデンサ本体１０の内部には、複数の第１の内部電極１１と、複数の第２の内部電極１２とが、積層方向Ｔに沿って交互に配されている。積層方向Ｔにおいて隣り合う第１の内部電極１１と第２の内部電極１２とは、セラミック部１０ｇを介して対向している。これにより、容量が形成されている。なお、セラミック部１０ｇの厚みは、例えば、０．５μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。

図３に示すように、第１の内部電極１１は、第１の側面１０ｃ及び第２の側面１０ｄのそれぞれに露出している。具体的には、第１の内部電極１１は、対向部１１ａと、第１の引き出し部１１ｂと、第２の引き出し部１１ｃと、第３の引き出し部１１ｄと、第４の引き出し部１１ｅとを有する。

対向部１１ａは、第２の内部電極１２と積層方向Ｔにおいて対向している。対向部１１ａは、略矩形状である。

第１の引き出し部１１ｂは、対向部１１ａに接続されている。第１の引き出し部１１ｂは、第１の側面１０ｃに引き出されている。具体的には、第１の引き出し部１１ｂは、対向部１１ａの第１の側面１０ｃ側かつ第１の端面１０ｅ側の角部から第１の側面１０ｃに向かって延びている。

第２の引き出し部１１ｃは、対向部１１ａに接続されている。第２の引き出し部１１ｃは、第１の側面１０ｃに引き出されている。具体的には、第２の引き出し部１１ｃは、対向部１１ａの第１の側面１０ｃ側かつ第２の端面１０ｆ側の角部から第１の側面１０ｃに向かって延びている。第１の引き出し部１１ｃが、対向部１１ａの長さ方向Ｌの一方側端部に接続されている一方、第２の引き出し部１１ｃは、対向部１１ａの長さ方向Ｌの他方側端部に接続されている。

第３の引き出し部１１ｄは、対向部１１ａに接続されている。第３の引き出し部１１ｄは、第２の側面１０ｄに引き出されている。具体的には、対向部１１ａの第２の側面１０ｄ側かつ第１の端面１０ｅ側の角部から第２の側面１０ｄに向かって延びている。

第４の引き出し部１１ｅは、対向部１１ａに接続されている。第４の引き出し部１１ｅは、第２の側面１０ｄに引き出されている。具体的には、対向部１１ａの第２の側面１０ｄ側かつ第２の端面１０ｆ側の角部から第２の側面１０ｄに向かって延びている。第３の引き出し部１１ｄが対向部１１ａの長さ方向Ｌの一方側端部に接続されている一方、第４の引き出し部１１ｅは、対向部１１ａの長さ方向Ｌの他方側端部に接続されている。

図４に示すように、第２の内部電極１２は、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄのそれぞれに露出している。具体的には、第２の内部電極１２は、対向部１２ａと、第５の引き出し部１２ｂと、第６の引き出し部１２ｃとを有する。

対向部１２ａは、積層方向Ｔにおいて、第１の内部電極１１の対向部１１ａと対向している。対向部１２ａは、略矩形状である。

第５の引き出し部１２ｂは、対向部１２ａに接続されている。第５の引き出し部１２ｂは、第１の側面１０ｃに引き出されている。第５の引き出し部１２ｂは、長さ方向Ｌにおいて、第１の引き出し部１１ｂと、第２の引き出し部１１ｃとの間に位置している。第５の引き出し部１２ｂは、長さ方向Ｌにおいて、対向部１２ａの略中央から第１の側面１０ｃに向かって延びている。

第６の引き出し部１２ｃは、対向部１２ａに接続されている。第６の引き出し部１２ｃは、第２の側面１０ｄに引き出されている。第６の引き出し部１２ｃは、長さ方向Ｌにおいて第３の引き出し部１１ｄと第４の引き出し部１１ｅとの間に位置している。第６の引き出し部１２ｃは、長さ方向Ｌにおいて、対向部１２ａの略中央から第２の側面１０ｄに向かって延びている。

なお、引き出し部１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ、１２ｂ、１２ｃの幅は、それぞれ、例えば、５０μｍ以上１００μｍ以下とすることができる。

上述のように内部電極１１、１２の引き出し部１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ、１２ｂ、１２ｃのすべてをコンデンサ本体１０の第１及び第２の側面に引き出す構成とすることにより、第１の内部電極１１の引き出し部１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅと、第２の内部電極１２の引き出し部１２ｂ、１２ｃとの間のそれぞれの間隔を短くすることができる。このため、セラミックコンデンサ１内において電流の流れる経路長を短くできる。従って、セラミックコンデンサ１の等価直列インダクタンス（ＥＳＬ）を低くすることができる。

第１及び第２の内部電極１１、１２の厚みは、例えば、０．２μｍ以上２μｍ以下程度とすることができる。

第１及び第２の内部電極１１、１２は、適宜の導電材料により構成することができる。第１及び第２の内部電極は、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕなどの金属や、これらの金属の一種を含む例えばＡｇ−Ｐｄ合金などの合金により構成することができる。

図１に示すように、セラミックコンデンサ１は、複数の外部電極１５、１６、１７を有する。具体的には、セラミックコンデンサ１は、第１の外部電極１５と、第２の外部電極１６と、第３の外部電極１７とを有する。

第１の外部電極１５は、第１の内部電極１１の第１の引き出し部１１ｂの第１の側面１０ｃにおける露出部と、第１の内部電極１１の第３の引き出し部１１ｄの第２の側面１０ｄにおける露出部とから第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂの上に跨がるように設けられている。具体的には、第１の外部電極１５は、第１の引き出し部１１ｂと第３の引き出し部１１ｄの露出部を覆うように、第１の側面１０ｃ、第１の主面１０ａ、第２の側面１０ｄ、第２の主面１０ｂを周回するように設けられている。第１の外部電極１５の幅は、１９０μｍ以上２７０μｍ以下であることが好ましい。

第２の外部電極１６は、第１の内部電極１１の第２の引き出し部１１ｃの第１の側面１０ｃにおける露出部と、第１の内部電極１１の第４の引き出し部１１ｅの第２の側面１０ｄにおける露出部とから第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂの上に跨がるように設けられている。具体的には、第２の外部電極１６は、第２の引き出し部１１ｃと第４の引き出し部１１ｅの露出部を覆うように、第１の側面１０ｃ、第１の主面１０ａ、第２の側面１０ｄ、第２の主面１０ｂを周回するように設けられている。第２の外部電極１６の幅は、１９０μｍ以上２７０μｍ以下であることが好ましい。

第１の外部電極１５は、コンデンサ本体１０の長さ方向Ｌの一方側端部に設けられている一方、第２の外部電極１６は、コンデンサ本体１０の長さ方向Ｌの他方側端部に設けられている。

長さ方向Ｌにおいて、第１の外部電極１５と第２の外部電極１６との間には、第３の外部電極１７が設けられている。第３の外部電極１７は、第２の内部電極１２の第５の引き出し部１２ｂの第１の側面１０ｃにおける露出部と、第２の内部電極１２の第６の引き出し部１２ｃの第２の側面１０ｄにおける露出部とから第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂの上に跨がるように設けられている。具体的には、第３の外部電極１７は、第５の引き出し部１２ｂと第６の引き出し部１２ｃの露出部を覆うように、第１の側面１０ｃ、第１の主面１０ａ、第２の側面１０ｄ、第２の主面１０ｂを周回するように設けられている。第３の外部電極１７の幅は、２４０μｍ以上３２０μｍ以下であることが好ましい。第３の外部電極１７と、第１又は第２の外部電極１５、１６との間の長さ方向Ｌに沿った距離は、７０μｍ以上であることが好ましい。

以上のように、第１〜第３の外部電極１５〜１７は、それぞれコンデンサ本体１０を周回するように設けられているため、外部電極１５〜１７の面積を十分に確保することができ、基板に埋め込まれたセラミックコンデンサ１の外部電極１５〜１７に臨むビアホールを容易に形成することができる。また、外部電極１５〜１７のそれぞれに対して複数のビアホール電極を導通させることが可能となるため、基板側からセラミックコンデンサ１までの配線抵抗を小さくすることができる。従って、さらなる低ＥＳＬ化を図ることが可能となる。

第１〜第３の外部電極１５〜１７のそれぞれは、スパッタリング電極膜１５Ａ〜１７Ａを含む。具体的には、本実施形態では、コンデンサ本体１０の上に、直接接触するように、スパッタリング電極膜１５Ａ〜１７Ａが形成されている。このため、焼成電極を含む外部電極より、外部電極の厚みを小さくすることができる。よって、セラミックコンデンサ１を薄型化することができる。従って、セラミックコンデンサ１は、基板への内蔵に好適である。また、外部電極１５〜１７の厚みを小さくすることができる分、コンデンサ本体１０の寸法の設計の自由度が高まる。このため、内部電極１１，１２の大きな有効面積を確保することが可能となる。そのため、セラミックコンデンサ１の部品の大型化を抑制しつつ、セラミックコンデンサ１の容量の拡大をはかることも可能となる。

スパッタリング電極膜１５Ａ〜１７Ａに含まれる金属は、例えば、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｃｏ、Ｍｏ及びＶからなる群より選ばれた少なくとも一種を含むことが好ましい。なお、本発明において、「金属」には、「合金」が含まれるものとする。スパッタリング電極膜１５Ａ〜１７Ａに含まれる金属をこれらの金属とすることにより、コンデンサ本体１０とスパッタリング電極膜１５Ａ〜１７Ａとの密着性を高くすることができる。

なお、スパッタリング電極膜１５Ａ〜１７Ａは、単層により構成されていてもよいし、複数層により構成されていてもよい。本実施形態では、スパッタリング電極膜１５Ａ〜１７Ａは、複数層により構成されていることが好ましい。具体的には、スパッタリング電極膜１５Ａ〜１７Ａは、それぞれ、コンデンサ本体１０上に直接接触するように形成されたＮｉＣｒ膜１５Ａ１〜１７Ａ１と、ＮｉＣｒ膜１５Ａ１〜１７Ａ１の上に直接接触するように形成されたＮｉＣｕ膜１５Ａ２〜１７Ａ２とを含む。

スパッタリング電極膜１５Ａ〜１７Ａのそれぞれの厚みは、１００ｎｍ以上６５０ｎｍ以下であることが好ましい。スパッタリング電極膜１５Ａ〜１７Ａのそれぞれの厚みをこの範囲とすることにより、第１〜第３の外部電極１５〜１７の平坦性を確保すると共に、スパッタリング電極膜１５Ａ〜１７Ａの欠損及びスパッタリング電極膜１５Ａ〜１７Ａのコンデンサ本体１０からの剥離を抑制することができる。なお、スパッタリング電極膜１５Ａ〜１７Ａの厚みは、スパッタリング時における電力、加工時間、金属種を制御することにより適宜調節することができる。

第１〜第３の外部電極１５〜１７の最外層１５Ｂ〜１７Ｂのそれぞれは、Ｃｕを含む。具体的には、本実施形態では、スパッタリング電極膜１５Ａ〜１７Ａのそれぞれの上に、Ｃｕめっき層が配されていることが好ましい。Ｃｕめっき層は、単層により構成されていてもよいし、複数層により構成されていてもよい。

外部電極の最外層がＣｕめっき層により構成されていることにより、セラミックコンデンサ１を基板内に埋めこむ際に容易にセラミックコンデンサ１を内蔵することが可能となる。これは、基板にセラミックコンデンサ１を埋め込む際に、外部電極１５〜１７との導通を図るための電子部品接続用のビアホールを設けることが必要となるが、この電子部品接続用のビアホールは、例えば、ＣＯ_２レーザーなどのレーザーを用いて形成される。レーザーを用いてビアホールを形成する場合、レーザーがセラミックコンデンサ１の外部電極１５〜１７に直接照射されることとなる。この時、外部電極１５〜１７の最外層１５Ｂ〜１７ＢをＣｕめっき層により構成することにより、レーザーを高い反射率で反射させることができる。従って、外部電極の最外層１５Ｂ〜１７Ｂが、Ｃｕめっき層により構成されたセラミックコンデンサ１は、基板埋め込み型のコンデンサとして好適に使用することができる。仮に、外部電極１５〜１７のレーザーに対する反射率が低いと、レーザーがコンデンサの内部にまで至り、コンデンサが損傷してしまう場合がある。

めっき層の一層あたりの厚みは、１μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。

なお、本実施形態に係るセラミックコンデンサ１では、第１〜第３の外部電極１５〜１７は、焼成電極層を含んでいない。

図２に示すように、本実施形態では、第３の外部電極１７の第１又は第２の主面１０ａ、１０ｂの上に設けられた部分の厚みｔ１が、第１及び第２の外部電極１５、１６の第１又は第２の主面１０ａ、１０ｂの上に設けられた部分の厚みｔ２よりも小さい。このため、セラミックコンデンサ１を基板に実装する際に、実装機の実装ノズルが第３の外部電極１７のみに当接することを抑制でき、第１及び第２の外部電極１５、１６にも当接する。このため、実装ノズルで吸着する際に生じる応力を分散させることができる。従って、外部電極１５〜１７の端部を起点としてコンデンサ本体１０にクラック等が発生することを抑制することができる。すなわち、セラミックコンデンサ１の信頼性を向上することができる。

外部電極１５〜１７の端部を起点としてコンデンサ本体１０にクラック等が発生することをより効果的に抑制する観点からは、第３の外部電極１７の第１又は第２の主面１０ａ、１０ｂの上に設けられた部分の厚みｔ１と、第１及び第２の外部電極１５、１６の第１又は第２の主面１０ａ、１０ｂの上に設けられた部分の厚みｔ２との差が、０．５μｍ以上であることが好ましい。

図２、図３及び図８に示すように、第１の外部電極１５は、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄの上から第１の端面１０ｅの一部の上に跨がって設けられている。第１の外部電極１５は、第１の部分１５ａと、第２の部分１５ｂと、第３の部分１５ｃと、第４の部分１５ｄとを有する。

第１の部分１５ａは、第１の主面１０ａ上に位置する部分から、第１の端面１０ｅの一部の上に至っている。このため、第１の部分１５ａは、第１の主面１０ａと第１の端面１０ｅとにより構成されたコンデンサ本体１０の稜線部を覆っている。

第２の部分１５ｂは、第２の主面１０ｂ上に位置する部分から第１の端面１０ｅの上に至っている。このため、第２の部分１５ｂは、第２の主面１０ｂと第１の端面１０ｅとにより構成されたコンデンサ本体１０の稜線部を覆っている。第２の部分１５ｂは、第１の部分１５ａと直接接続されていない。このため、第１の端面１０ｅは、第１の部分１５ａと第２の部分１５ｂとの間において露出している。

第３の部分１５ｃは、第１の側面１０ｃ上に位置する部分から第１の端面１０ｅの上に至っている。このため、第３の部分１５ｃは、第１の側面１０ｃと第１の端面１０ｅとにより構成されたコンデンサ本体１０の稜線部を覆っている。

第４の部分１５ｄは、第２の側面１０ｄ上に位置する部分から、第１の端面１０ｅの上に至っている。このため、第４の部分１５ｄは、第２の側面１０ｄと第１の端面１０ｅとにより構成されたコンデンサ本体１０の稜線部を覆っている。第４の部分１５ｄは、第３の部分１５ｃと直接接続されていない。このため、第１の端面１０ｅは、第３の部分１５ｃと第４の部分１５ｄとの間において露出している。

図２、図３及び図９に示すように、第２の外部電極１６は、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄの上から第２の端面１０ｆの一部の上に跨がって設けられている。第２の外部電極１６は、第５の部分１６ａと、第６の部分１６ｂと、第７の部分１６ｃと、第８の部分１６ｄとを有する。

第５の部分１６ａは、第１の主面１０ａ上に位置する部分から、第２の端面１０ｆの一部の上に至っている。このため、第５の部分１６ａは、第１の主面１０ａと第２の端面１０ｆとにより構成されたコンデンサ本体１０の稜線部を覆っている。

第６の部分１６ｂは、第２の主面１０ｂ上に位置する部分から第２の端面１０ｆの上に至っている。このため、第６の部分１６ｂは、第２の主面１０ｂと第２の端面１０ｆとにより構成されたコンデンサ本体１０の稜線部を覆っている。第６の部分１６ｂは、第５の部分１６ａと直接接続されていない。このため、第２の端面１０ｆは、第５の部分１６ａと第６の部分１６ｂとの間において露出している。

第７の部分１６ｃは、第１の側面１０ｃ上に位置する部分から第２の端面１０ｆの上に至っている。このため、第７の部分１６ｃは、第１の側面１０ｃと第２の端面１０ｆとにより構成されたコンデンサ本体１０の稜線部を覆っている。

第８の部分１６ｄは、第２の側面１０ｄ上に位置する部分から、第２の端面１０ｆの上に至っている。このため、第８の部分１６ｄは、第２の側面１０ｄと第２の端面１０ｆとにより構成されたコンデンサ本体１０の稜線部を覆っている。第８の部分１６ｄは、第７の部分１６ｃと直接接続されていない。このため、第２の端面１０ｆは、第７の部分１６ｃと第８の部分１６ｄとの間において露出している。

以上のように、第１の外部電極１５の第１〜第４の部分１５ａ〜１５ｄにより、コンデンサ本体１０の第１の端面１０ｅと、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄのそれぞれとにより構成された稜線部が覆われている。第２の外部電極１６の第５〜第８の部分１６ａ〜１６ｄにより、コンデンサ本体１０の第２の端面１０ｆと、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄのそれぞれとにより構成された稜線部が覆われている。従って、コンデンサ本体１０の稜線部が、第１及び第２の外部電極１５，１６により保護されている。よって、セラミックコンデンサ１に対して、外部から衝撃や応力が加わったとしても、コンデンサ本体１０が破損しにくい。従って、セラミックコンデンサ１は、優れた信頼性を有する。

セラミックコンデンサ１では、第１の外部電極１５が第１の端面１０ｅの全面を覆っておらず、第２の外部電極１６が第２の端面１０ｆの全面を覆っていない。言い換えると、上述したように、第１の端面１０ｅは、第１の部分１５ａと第２の部分１５ｂとの間において露出しており、第３の部分１５ｃと第４の端面１５ｄとの間において一部が露出している。また、第２の端面１０ｆは、第５の部分１６ａと第６の部分１６ｂとの間において露出しており、第７の部分１６ｃと第８の部分１６ｄとの間において一部が露出している。よって、外部電極１５，１６の表面よりも基板との密着力の高いコンデンサ本体１０の表面を大きく露出させることができる。このため、セラミックコンデンサ１を基板に内蔵した際にセラミックコンデンサ１と基板との密着強度を高めることができる。従って、コンデンサ内蔵基板内への水分などの浸入を抑制することができる。よって、基板に内蔵された場合であっても、セラミックコンデンサ１は、優れた信頼性を有する。

セラミックコンデンサ１では、第１、第２、第５及び第６の部分１５ａ、１５ｂ、１６ａ、１６ｂのそれぞれの積層方向に沿った長さが、第３、第４、第７及び第８の部分１５ｃ、１５ｄ、１６ｃ、１６ｄのそれぞれの幅方向に沿った長さより短いことが好ましい。この構成によれば、第１，第２，第５及び第６の部分１５ａ、１５ｂ、１６ａ、１６ｂだけでなく積層方向Ｔにおいて、外部電極１５，１６の厚みも抑制することが可能となり、セラミックコンデンサ１を薄型とすることができる。よって、より基板への実装に適したセラミックコンデンサ１を実現することができる。

セラミックコンデンサ１では、第１の外部電極１５の第１及び第２の部分１５ａ、１５ｂと、第２の外部電極１６の第５及び第６の部分１６ａ、１６ｂとのそれぞれの積層方向Ｔにおける長さが、セラミックコンデンサ１の積層方向Ｔに沿った寸法の５％以上１５％以下である。第１の外部電極１５の第３及び第４の部分１５ｃ、１５ｄと、第２の外部電極１６の第７及び第８の部分１６ｃ、１６ｄとのそれぞれの積層方向Ｔにおける長さが、セラミックコンデンサ１の幅寸法の５％以上１５％以下である。このため、外部電極１５，１６の表面よりも基板との密着力の高いコンデンサ本体１０の表面を最適な範囲で露出させることができる。よって、セラミックコンデンサ１を基板に内蔵した際に、基板との密着性を向上できる。また、外部電極１５，１６によってコンデンサ本体１０の稜線部を保護できるため、セラミックコンデンサ１に割れや欠けが発生し難い。かつ、第１の外部電極１５の第３及び第４の部分１５ｃ、１５ｄと、第２の外部電極１６の第７及び第８の部分１６ｃ、１６ｄの長さを最適な範囲にすることにより、セラミックコンデンサ１の長さ方向における外部電極の寸法もコントロールすることができる。従って、セラミックコンデンサ１を実装する基板のキャビティへの挿入不良などが起こりにくく、セラミックコンデンサ１の実装エラーが生じにくい。

また、セラミックコンデンサ１では、第１の外部電極１５の第１及び第２の部分１５ａ、１５ｂと、第２の外部電極１６の第５及び第６の部分１６ａ、１６ｂとのそれぞれの積層方向Ｔにおける長さが、セラミックコンデンサ１の積層方向Ｔに沿った寸法の８％以上１２％以下であることがより好ましい。このようにすることにより上記の効果がより顕著に奏される。

第３の外部電極１７の第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ上に位置する部分の長さ方向Ｌにおける長さをＬ１、第３の外部電極１７の第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄ上に位置する部分の長さ方向Ｌにおける長さをＬ２としたとき、Ｌ１＞Ｌ２であることが好ましい。この構成によれば、第３の外部電極１７の第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ上に位置する部分の面積を大きくできる。このため、セラミックコンデンサ１が内蔵された基板に、セラミックコンデンサ１の第３の外部電極１７に臨むビアホールを形成するためにレーザー光を照射できる面積を大きくすることができる。従って、ビアホール電極とセラミックコンデンサ１との接続不良を抑制することができる。また、ビアホール電極の位置の自由度が向上する。

また、第３の外部電極１７の第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ上に位置する部分の幅寸法よりも、第３の外部電極１７の第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄ上に位置する部分の幅寸法が小さいことが好ましい。この構成によれば、基板との密着性が高いコンデンサ本体１０の露出部の面積を大きくすることができる。このため、セラミックコンデンサ１と基板との密着性を向上することができる。よって、セラミックコンデンサ１と基板とが剥離し、剥離部から水分等が浸入することを抑制することができる。その結果、マイグレーションが生じることを抑制することができる。

セラミックコンデンサ１では、第１及び第２の外部電極１５，１６の第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂの上に位置する部分の長さ方向Ｌにおける長さをＬ３とし、第１及び第２の外部電極１５，１６の第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄの上に位置する部分の長さ方向Ｌにおける長さをＬ４としたときに、Ｌ３＞Ｌ４であることが好ましい。この構成によれば、第１及び第２の外部電極１５，１６の第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ上に位置する部分の面積を大きくできる。このため、セラミックコンデンサ１が内蔵された基板に、セラミックコンデンサ１の第１及び第２の外部電極１５，１６に臨むビアホールを形成するためにレーザー光を照射できる面積を大きくすることができる。従って、ビアホール電極とセラミックコンデンサ１との接続不良を抑制することができる。また、ビアホール電極の位置の自由度を向上させることができる。また、第１及び第２の外部電極１５，１６の第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ上に位置する部分の幅よりも、第１及び第２の外部電極１５，１６の第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄ上に位置する部分の幅が小さいため、基板との密着性が高いコンデンサ本体１０の露出部の面積を大きくすることができる。このため、セラミックコンデンサ１と基板との密着性を向上することができる。よって、セラミックコンデンサ１と基板とが剥離し、剥離部から水分等が浸入することを抑制することができる。その結果、マイグレーションに起因する第１の外部電極１５と第２の外部電極１６との間で短絡が生じることを抑制することができる。

また、第１及び第２の外部電極１５，１６の主面１０ａ、１０ｂ上に位置する部分の幅寸法よりも、外部電極１５，１６の側面１０ｃ、１０ｄ上に位置する部分の幅寸法が小さいことが好ましい。この構成によれば、基板との密着性が高いコンデンサ本体１０の露出部の面積を大きくすることができる。よって、セラミックコンデンサ１と基板との密着性を向上することができる。よって、セラミックコンデンサ１と基板とが剥離し、剥離部から水分等が浸入することを抑制することができる。その結果、マイグレーションに起因する第１の外部電極１５と第２の外部電極１６との間で短絡が生じることを抑制することができる。

ビアホール電極とセラミックコンデンサ１との接続不良をより効果的に抑制する観点、並びに、基板とセラミックコンデンサ１との密着性をより向上し、マイグレーションの発生をより効果的に抑制する観点からは、Ｌ２／Ｌ１が０．９６以下であることが好ましい。

内部電極が露出しないようにする観点や、第１及び第２の外部電極１５，１６と第３の外部電極１７との間の距離を十分に確保する観点からは、Ｌ２／Ｌ１が０．７７以上であることが好ましい。

ビアホール電極とセラミックコンデンサ１との接続不良をより効果的に抑制する観点、並びに、基板とセラミックコンデンサ１との密着性をより向上し、マイグレーションの発生をより効果的に抑制する観点からは、Ｌ４／Ｌ３が０．９６以下であることが好ましい。

内部電極が露出しないようにする観点や、第１及び第２の外部電極１５，１６と第３の外部電極１７との間の距離を十分に確保する観点からは、Ｌ４／Ｌ３が０．７８以上であることが好ましい。

（セラミックコンデンサ１の製造方法）
次に、セラミックコンデンサ１の製造方法の一例について説明する。

まず、セラミックグリーンシート、内部電極用導電性ペースト及び外部端子電極用導電性ペーストをそれぞれ準備する。セラミックグリーンシート及び導電性ペーストは、バインダ及び溶剤を含有していてもよい。セラミックグリーンシート及び導電性ペーストに用いられるバインダ及び溶媒は、例えば、公知のものを用いることができる。

次に、セラミックグリーンシート上に、例えば、スクリーン印刷法やグラビア印刷法などにより所定のパターンに導電性ペーストを印刷し、内部電極パターンを形成する。

次に、内部電極パターンが印刷されていない外層用セラミックグリーンシートを所定枚数積層し、その上に内部電極パターンが印刷されたセラミックグリーンシートを順次積層し、その上に外層用セラミックグリーンシートを所定枚数積層し、マザー積層体を作製する。その後、マザー積層体を静水圧プレスなどの手段により積層方向にプレスする。

次に、マザー積層体を所定のサイズにカットし、生のセラミック積層体を切り出す。このとき、バレル研磨などにより生のセラミック積層体の稜線部や角部に丸みをつけてもよい。

次に、生のセラミック積層体を焼成することによりコンデンサ本体１０を得る。焼成温度は、用いられるセラミック材料や導電材料にもよるが、例えば、９００℃以上１３００℃以下であることが好ましい。この後に、コンデンサ本体１０をバレル研磨するなどしてコンデンサ本体１０の稜線部や角部に丸みをつけてもよい。

次に、スパッタリング電極膜を形成する。まず、焼成済みのコンデンサ本体１０を専用マスク冶具に振込む。このマスク冶具は、マスク治具に焼成済みのコンデンサ本体１０を振り込んだ際に、コンデンサ本体１０の薄膜電極層を形成したい領域のみが露出するように構成されている。そして、コンデンサ本体１０の主面うち、外部電極を形成したい領域のみを露出させた状態で、スパッタ設備にコンデンサ本体１０を供給して、コンデンサ本体１０の主面の所定の領域に、スパッタリング法により薄膜電極層を形成する。例えば、ＮｉＣｒ膜1５Ａ１〜１７Ａ１と、ＮｉＣｕ膜1５Ａ２〜１７Ａ２の２層の積層体により構成されたスパッタリング電極膜１５Ａ〜１７Ａを形成する。スパッタリング電極膜１５Ａ〜１７Ａの厚みは、電力、時間、金属種等を調整することに制御することができる。スパッタリング法に用いる金属種としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ａｇ等が挙げられる。また、スパッタリング法に用いる金属種として、ＮｉＣｒやＮｉＣｕ等の合金を用いてもよい。

その後、スパッタリング電極膜１５Ａ〜１７Ａの上に、電解めっき等の方法により、Ｃｕめっき膜を形成することにより外部電極１５〜１７を完成させる。

以上の工程により、セラミックコンデンサ１を製造することができる。

以下、本発明の好ましい実施形態の他の例について説明する。以下の説明において、上記第１の実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を省略する。

（第２の実施形態）
図１０及び図１１は、第２の実施形態に係るコンデンサの模式的断面図である。第１の実施形態では、第１の外部電極１５が、第１〜第４の部分１５ａ，１５ｂ、１５ｃ、１５ｄを有し、第２の外部電極１６が、第５〜第８の部分１６ａ，１６ｂ、１６ｃ、１６ｄを有している例について説明した。しかし、本発明は、この構成に限定されない。

図１０及び図１１に示すセラミックコンデンサ１ａのように、第１〜第３の外部電極１５〜１７が第１〜第８の部分１５ａ〜１５ｄ、１６ａ〜１６ｄを有していなくてもよい。具体的には、セラミックコンデンサ１ａでは、第１の外部電極１５は、第１の主面１０ａと第１の端面１０ｅとに構成された稜線部の上と、第２の主面１０ｂと第１の端面１０ｅとにより構成された稜線部の上と、第１の端面１０ｅの上とには設けられていない。また、第２の外部電極１６は、第１の主面１０ａと第２の端面１０ｆとに構成された稜線部の上と、第２の主面１０ｂと第２の端面１０ｆとにより構成された稜線部の上と、第２の端面１０ｆの上とには設けられていない。

以下、本発明について、具体的な実施例に基づいて、さらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において適宜変更して実施することが可能である。

（実施例１）
第１の実施形態に係るセラミックコンデンサ１と実質的に同様の構成を有するコンデンサを第１の実施形態において説明した製造方法を用いて、以下の条件で１０００個作製した。

条件：
セラミックコンデンサの寸法（規格寸法）：Ｌ×Ｗ×Ｔ＝１．０００ｍｍ×０．６００ｍｍ×０．２２０ｍｍ
コンデンサ本体の厚み：２００μｍ
セラミック材料：ＢａＴｉ_２Ｏ_３
容量：１μＦ
定格電圧：６．３Ｖ
スパッタリング電極膜：ＮｉＣｒ膜、ＮｉＣｕ膜（２層構造）
ＮｉＣｒ膜の厚み：１５０ｎｍ
ＮｉＣｕ膜の厚み：１５０ｎｍ
めっき層：１層のＣｕめっき層
めっき層の厚み：１０μｍ

（比較例１）
外部電極を、下地電極とＣｕめっき層との積層体により構成し、以下の条件としたこと以外は、実施例１と同様にして１０００個のサンプルを作製した。

コンデンサ本体の厚み：８４μｍ
下地電極層の材料：Ｎｉ
下地電極層の厚み：１０μｍ

（外部電極の平坦性の評価）
実施例１及び比較例１において作製したセラミックコンデンサを基板に埋め込み、セラミックコンデンサ内蔵基板を作製した。次に、セラミックコンデンサ内蔵基板の側面を、ビアホール電極の平面視における中心が露出するまで研磨した。

次に、露出させた断面を金属顕微鏡（ＮＩＫＯＮ製 ＭＭ−６０）を用いて、外部電極とビアホール電極との接続不良の有無を確認した。具体的には、外部電極とビアホール電極とが接触していないサンプル又は、外部電極とビアホール電極との間に樹脂残渣が確認されたサンプルを不良品として、不良品の数をカウントした。結果を表１に示す。

表１に示す結果から、セラミックコンデンサとセラミックコンデンサとの接続不良を抑制できることが分かる。

（実験例）
第１の実施形態に係るセラミックコンデンサ１と実質的に同様の構成を有するコンデンサを第１の実施形態において説明した製造方法を用いて、スパッタリング電極膜の厚みを表２に示す厚みとしてサンプルをそれぞれ複数個作製し、外部電極の平坦性、スパッタリング電極膜とコンデンサ本体との密着性、外部電極の欠損の評価を行った。尚、スパッタリング条件は、下記に示すとおりである。

スパッタリング条件
スパッタリング電極膜：ＮｉＣｒ膜とＮｉＣｕ膜との積層体
設備：バッチ式スパッタ装置
Ａｒガス流量：０．８ｃｃ／分
成膜室内圧力：０．３３Ｐａ

（スパッタリング電極膜の厚みの測定方法）
各実験例で作製したセラミックコンデンサの側面を幅寸法が１／２となるまで研磨し、断面を露出させた。

次に、露出させた断面を走査型電子顕微鏡を用いて観察し、スパッタリング電極膜の厚みを測定した。結果を表２に示す。

（外部電極の平坦性の評価）
各実験例で作製したセラミックコンデンサを基板に埋め込み、セラミックコンデンサ内蔵基板を作製した。次に、セラミックコンデンサ内蔵基板の側面を、ビアホール電極の平面視における中心が露出するまで研磨した。

次に、露出させた断面を金属顕微鏡（ＮＩＫＯＮ製 ＭＭ−６０）を用いて、外部電極とビアホール電極との接続不良の有無を確認した。具体的には、外部電極とビアホール電極とが接触していないサンプル又は、外部電極とビアホール電極との間に樹脂残渣が確認されたサンプルを平坦性不良品として、不良品の個数をカウントした。結果を表２に示す。

（スパッタリング電極膜の密着性の評価）
各実験例において形成したスパッタリング電極膜に、試験用テープとして、ＪＩＳ Ｚ １５２２で規定された粘着テープ（粘着力は，幅２５ｍｍ当たり，約８Ｎ、呼び幅：１２〜１９ｍｍ）を貼り付け、テープとスパッタリング電極膜との間に気泡ができないように注意しながら約１０秒間押圧した。その後、テープの、スパッタリング電極膜に貼り付けられていない部分を持ち、スパッタリング電極膜に対して垂直になるように引っ張り、テープを引き剥がした。その結果、テープにスパッタリング電極膜が付着していたサンプルを不良品として、不良品の数をカウントした。結果を表２に示す。

（外部電極の欠損の評価）
各実験例で作製したセラミックコンデンサを実体顕微鏡等を用いて観察し、外部電極に直径５ｎｍ以上の穴が形成され、コンデンサ本体の表面が露出しているサンプルを欠損不良品として、不良品の個数をカウントした。結果を表２に示す。

表２に示す結果から、スパッタリング電極の厚みを１００ｎｍ以上６５０ｎｍ以下とすることにより、外部電極の平坦性が向上すると共に、外部電極の欠損を抑制することができることが分かる。また、スパッタリング電極膜がコンデンサ本体から剥離することを抑制することができることが分かる。

１、１ａ ：セラミックコンデンサ
１０ ：コンデンサ本体
１０ａ ：第１の主面
１０ｂ ：第２の主面
１０ｃ ：第１の側面
１０ｄ ：第２の側面
１０ｅ ：第１の端面
１０ｆ ：第２の端面
１０ｇ ：セラミック部
１１ ：第１の内部電極
１１ａ ：対向部
１１ｂ ：第１の引き出し部
１１ｃ ：第２の引き出し部
１１ｄ ：第３の引き出し部
１１ｅ ：第４の引き出し部
１２ ：第２の内部電極
１２ａ ：対向部
１２ｂ ：第５の引き出し部
１２ｃ ：第６の引き出し部
１５ ：第１の外部電極
１５Ａ，１６Ａ，１７Ａ ：スパッタリング電極膜
１５Ａ１，１６Ａ１，１７Ａ１ ：ＮｉＣｒ膜
１５Ａ２，１６Ａ２，１７Ａ２ ：ＮｉＣｕ膜
１５Ｂ、１６Ｂ，１７Ｂ ：最外層
１５ａ ：第１の部分
１５ｂ ：第２の部分
１５ｃ ：第３の部分
１５ｄ ：第４の部分
１６ ：第２の外部電極
１６ａ ：第５の部分
１６ｂ ：第６の部分
１６ｃ ：第７の部分
１６ｄ ：第８の部分
１７ ：第３の外部電極

Claims (10)

1. 長さ方向及び長さ方向に対して垂直な幅方向に沿って延びる第１及び第２の主面と、長さ方向と、長さ方向及び幅方向のそれぞれに対して垂直な積層方向とに沿って延びる第１及び第２の側面と、幅方向及び積層方向に沿って延びる第１及び第２の端面とを有するコンデンサ本体と、
   前記コンデンサ本体内に配されており、前記第１及び第２の側面のそれぞれに露出する複数の内部電極と、
   前記第１の側面の前記内部電極の露出部と、前記第２の側面の前記内部電極の露出部とから前記第１及び第２の主面の上に跨がるように形成された複数の外部電極と、
   を備え、
   前記複数の内部電極は、
   第１の内部電極と、
   前記第１の内部電極と積層方向において対向する第２の内部電極と、
   を含み、
   前記第１の内部電極は、
   前記第２の内部電極と対向する第１の対向部と、
   前記第１の対向部に接続されており、それぞれ、前記第１の側面に引き出された第１及び第２の引き出し部と、
   前記第１の対向部に接続されており、それぞれ、前記第２の側面に引き出された第３及び第４の引き出し部と、
   を有し、
   前記第２の内部電極は、
   前記第１の対向部と対向する第２の対向部と、
   前記第２の対向部に接続されており、前記第１の側面に引き出された第５の引き出し部と、
   前記第２の対向部に接続されており、前記第２の側面に引き出された第６の引き出し部と、
   を有し、
   前記複数の外部電極は、
   前記第１の側面の前記第１の引き出し部の露出部と、前記第２の側面の前記第３の引き出し部の露出部とを覆い、かつ、前記第１の側面、前記第１の主面、前記第２の側面及び前記第２の主面を周回するように設けられた第１の外部電極と、
   前記第１の側面の前記第２の引き出し部の露出部と、前記第２の側面の前記第４の引き出し部の露出部とを覆い、かつ、前記第１の側面、前記第１の主面、前記第２の側面及び前記第２の主面を周回するように設けられた第２の外部電極と、
   前記第１の側面の前記第５の引き出し部の露出部と、前記第２の側面の前記第６の引き出し部の露出部とを覆うように、前記第１の側面、前記第１の主面、前記第２の側面及び前記第２の主面を周回するように設けられた第３の外部電極と、
   を有し、
   前記第１、第２及び第３の外部電極のそれぞれは、スパッタリング電極膜を含み、前記第１、第２及び第３の外部電極の最外層のそれぞれは、Ｃｕを含む、セラミックコンデンサ。
2. 前記スパッタリング電極膜は、ＮｉＣｒ膜と、当該ＮｉＣｒ膜上に配されたＮｉＣｕ膜とを含む、請求項１に記載のセラミックコンデンサ。
3. 前記スパッタリング電極膜の厚みが、１００ｎｍ以上６５０ｎｍ以下である、請求項１又は２に記載のセラミックコンデンサ。
4. 前記第１、第２及び第３の外部電極のそれぞれは、前記スパッタリング電極膜の上に配されたＣｕめっき層をさらに含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載のセラミックコンデンサ。
5. 前記セラミックコンデンサの積層方向に沿った寸法が、前記セラミックコンデンサの幅方向に沿った寸法よりも小さい、請求項１〜４のいずれか一項に記載のセラミックコンデンサ。
6. 前記第１の外部電極は、前記第１の主面と前記第１の端面とにより構成された稜線部の上と、前記第２の主面と前記第１の端面とにより構成された稜線部の上と、前記第１の端面の上とに設けられておらず、
   前記第２の外部電極は、前記第１の主面と前記第２の端面とにより構成された稜線部の上と、前記第２の主面と前記第２の端面とにより構成された稜線部の上と、前記第２の端面の上とに設けられていない、請求項１〜５のいずれか一項に記載のセラミックコンデンサ。
7. 前記第３の外部電極の前記第１又は第２の主面上に位置する部分の長さ方向に沿った長さが、前記第３の外部電極の前記第１又は第２の側面の上に位置する部分の長さ方向に沿った長さよりも大きい、請求項１〜６のいずれか一項に記載のセラミックコンデンサ。
8. 前記第１の外部電極の前記第１又は第２の主面上に位置する部分の長さ方向に沿った長さが、前記第１の外部電極の前記第１及び第２の側面上に位置する部分の長さ方向に沿った長さよりも長く、
   前記第２の外部電極の前記第１又は第２の主面上に位置する部分の長さ方向に沿った長さが、前記第２の外部電極の前記第１及び第２の側面上に位置する部分の長さ方向に沿った長さよりも長い、請求項１〜７のいずれか一項に記載のセラミックコンデンサ。
9. 前記第１の外部電極は、
   前記第１の主面上に位置する部分から前記第１の端面の一部の上に至る第１の部分と、
   前記第２の主面上に位置する部分から前記第１の端面の一部の上に至る第２の部分と、
   前記第１の側面上に位置する部分から前記第１の端面の一部の上に至る第３の部分と、
   前記第２の側面上に位置する部分から前記第１の端面の一部の上に至る第４の部分と、
   を有し、
   前記第２の外部電極は、
   前記第１の主面上に位置する部分から前記第２の端面の一部の上に至る第５の部分と、
   前記第２の主面上に位置する部分から前記第２の端面の一部の上に至る第６の部分と、
   前記第１の側面上に位置する部分から前記第２の端面の一部の上に至る第７の部分と、
   前記第２の側面上に位置する部分から前記第２の端面の一部の上に至る第８の部分と、
   を有し、
   前記第１及び第２の部分並びに前記第５及び第６の部分のそれぞれの積層方向における長さが、前記セラミックコンデンサの積層方向に沿った寸法の５％以上１５％以下であり、
   前記第３及び第４の部分並びに前記第７及び第８の部分のそれぞれの積層方向における長さが、前記セラミックコンデンサの幅寸法の５％以上１５％以下である、請求項１に記載のセラミックコンデンサ。
10. 前記第１の外部電極は、
    前記第１の主面上に位置する部分から前記第１の端面の一部の上に至る第１の部分と、
    前記第２の主面上に位置する部分から前記第１の端面の一部の上に至る第２の部分と、
    前記第１の側面上に位置する部分から前記第１の端面の一部の上に至る第３の部分と、
    前記第２の側面上に位置する部分から前記第１の端面の一部の上に至る第４の部分と、
    を有し、
    前記第２の外部電極は、
    前記第１の主面上に位置する部分から前記第２の端面の一部の上に至る第５の部分と、
    前記第２の主面上に位置する部分から前記第２の端面の一部の上に至る第６の部分と、
    前記第１の側面上に位置する部分から前記第２の端面の一部の上に至る第７の部分と、
    前記第２の側面上に位置する部分から前記第２の端面の一部の上に至る第８の部分と、
    を有し、
    前記第１，第２，第５及び第６の部分のそれぞれの積層方向に沿った長さは、前記第３，第４，第７及び第８の部分の幅方向に沿った長さより短い、請求項１に記載のセラミックコンデンサ。