JP2017167478A - 液晶表示装置及びそのマザー基板 - Google Patents

Abstract

【課題】マザー基板から取り出すことができる液晶表示パネルの数を増やす。
【解決手段】ＴＦＴ基板１００と対向基板２００が前記対向基板２００の周辺に形成されたシール部において接着し、前記ＴＦＴ基板１００において前記対向基板が対向していない部分に端子部が形成された液晶表示装置であって、前記ＴＦＴ基板１００には、前記端子部の端部に沿って土手状の有機パッシベーション膜１０２が形成され、前記有機パッシベーション膜１０２には段部１０２３が形成され、前記有機パッシベーション膜１０２の前記段部１０２３より前記端部側における膜厚は、前記段部より内側の膜厚よりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。
【選択図】図９

Description

本発明は表示装置に係り、特に、液晶表示パネルをマザー基板から多く取得できる技術に関する。

液晶表示装置では画素電極および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等を有する画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向して対向基板が配置され、ＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持されている構成となっている。そして液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。

液晶表示パネルは、１個ずつ形成したのでは効率が悪いので、マザー基板に多数の液晶表示パネルを形成し、マザー基板が完成した後、個々の液晶表示パネルをマザー基板から分離して取り出すことが行われている。液晶表示パネルをマザー基板から分離する際、分離線に沿ってスクライビングを行い、衝撃を加えて個々の液晶表示パネルを分離する。

特許文献１には、マザー基板から、個々の液晶表示パネルを分離する技術が記載されている。

ＷＯ２０１１／１３２４４５

１枚のマザー基板から多数の液晶表示パネルを得ることができれば、液晶表示パネルの製造コストの低減になる。マザー基板が出来るだけ多数の液晶表示パネルを取り出すためには、マザー基板における液晶表示パネル間に間隔を設けないことが理想である。

一方、液晶表示装置は、外形をある値に抑えたまま、表示領域を大きくしたいという要求が強い。この要求に応えるためには、額縁の幅を小さくするとともに、端子部の面積を小さくする必要ある。端子部には、液晶表示パネルに電力や信号を供給するための端子が形成されている。マザー基板の状態において、隣接する液晶表示パネルからシール材や配向膜がこの端子部にはみ出してくると、端子の接続不良をきたす。

また、画面が高精細になるにしたがって、端子のピッチが小さくなる。端子には、端子金属を覆ってＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）が形成されている。ＩＴＯはフォトリソグラフィによってパターニングされるが、ＩＴＯの残渣が存在すると、端子間のショートの問題が生ずる。

本発明の課題は、以上のような問題点を解決し、液晶表示装置の信頼性を維持しながら、マザー基板から多数の液晶表示パネルを取得することを可能にすることである。

本発明は上記問題を克服するものであり、具体的な主な手段は次のとおりである。

（１）ＴＦＴ基板と対向基板が前記対向基板の周辺に形成されたシール部において接着し、前記ＴＦＴ基板において前記対向基板が対向していない部分に端子部が形成された液晶表示装置であって、前記ＴＦＴ基板には、前記端子部の端部に沿って土手状の有機パッシベーション膜が形成され、
前記有機パッシベーション膜には段部が形成され、前記有機パッシベーション膜の前記段部より前記端部側における膜厚は、前記段部より内側の膜厚よりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。

（２）有機パッシベーション膜を有するＴＦＴ基板と対向基板が前記対向基板の周辺に形成されたシール部において接着し、前記ＴＦＴ基板において前記対向基板が対向していない部分に端子部が形成され、前記シール部に囲まれた領域に表示領域が形成された液晶表示装置であって、前記端子部の反対側の辺の前記シール部おいて、前記対向基板には、前記辺に沿って土手状スペーサが形成され、前記土手状スペーサは、前記辺の端部に沿って第１の膜厚を有する第１の部分と、前記第１の部分よりも内側に前記第１の膜厚よりも大きい第２の膜厚を有する第２の部分を有し、前記ＴＦＴ基板には前記土手状スペーサに対応する位置に第１の土手状有機パッシベーション膜が形成され、前記第１の土手状有機パッシベーション膜の先端は、前記土手状スペーサの前記第１の部分と対向していることを特徴とする液晶表示装置。

本発明の液晶表示装置の平面図である。 図１のＡ−Ａ断面図である。 従来例のマザー基板における液晶セルの配置図である。 マザー基板に液晶セルを隙間なく配置した場合の平面図である。 図４における問題点を示す図４のＢ−Ｂ断面である。 図５の領域Ａに対応するＴＦＴ基板側の平面図である。 図６のＤ−Ｄ断面図である。 有機パッシベーション膜の形成範囲を示す平面図である。 本発明における図４のＢ−Ｂ断面に相当する断面図である。 図１０の領域Ｂに対応するＴＦＴ基板側の平面図である。 図１０のＦ−Ｆ断面図である。 本発明における有機パッシベーション膜の形成範囲を示す平面図である。 図９におけるマザー基板を分離線に沿って分離した後における液晶表示パネルの端子部の断面図である。 図９におけるマザー基板を分離線に沿って分離した後における液晶表示パネルのシール部の断面図である。 土手状有機パッシベーション膜に段差を形成する方法を示す模式断面図である。 土手状スペーサに凹部を形成する方法を示す模式断面図である。 本発明の他の形態を示す断面図である。 本発明のさらに他の形態を示す断面図である。

以下に実施例を用いて本発明の内容を詳細に説明する。

図１は本発明が適用される液晶表示パネルの例を示す平面図であり、図２は、図１のＡ−Ａ部分の断面図である。図１の液晶表示パネルは、例えば、携帯電話等に使用される液晶表示装置に使用される。図１および図２において、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００がシール材１６０によって接着し、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間に液晶３００が挟持されている。ＴＦＴ基板１００は対向基板２００よりも大きく形成され、ＴＦＴ基板１００が対向基板２００と重畳していない部分は端子部１５０となっている。

図１において、表示領域２０の外側が額縁領域になっており、額縁領域にシール材１６０が形成されている。図１に示すような液晶表示装置では、表示領域２０を出来るだけ大きくすることが要求されており、その結果、額縁領域の幅ｗａは１ｍｍ以下あるいは、０．７ｍｍ以下となっている。

表示領域２０では、走査線１１が第１の方向に延在し、第２の方向に配列している。また、映像信号線１２が第２の方向に延在し、第１の方向に配列している。走査線１１と映像信号線１２で囲まれた領域が画素１３となっている。高精細の表示装置では、画素１３が小さくなり、映像信号線１２のピッチは、３０μｍ以下である場合も存在する。

図１において、ＴＦＴ基板１００が対向基板２００と重畳していない部分である端子部１５０には、液晶表示パネルに電力や信号を供給するフレキシブル配線基板を接続するための端子が形成されている。また、走査線１１や映像信号線１２を駆動するためのドライバＩＣがＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）等によって接続されるが、このための端子も形成されている。

図２において、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００がシール材１６０によって接着し、内部に液晶３００が封入されている。ＴＦＴ基板１００の端子部１５０の上からは、対向基板２００を除去する必要があるので、分離線４５０において、対向基板２００の端材２１０を除去する。端材２１０を除去する方法は、分離線４５０の部分にスクライビングを入れ、衝撃を加えて、除去する。一方、液晶表示パネルは、分離線４００において、ＴＦＴ基板１００側と対向基板２００にスクライビングを入れ、衝撃を加えることによってマザー基板から分離される。
図３は、従来例によるマザー基板における液晶表示パネルの配置例である。以後、マザー基板から分離されていない状態の個々の液晶表示パネルを液晶セルと呼ぶこともある。図３において、表示領域を囲んで、ディスペンサ等によってシール材１６０が塗布される。端子部１５０側では、シール材１６０が２本形成されている。また、端子部１５０と反対側の短辺側には、分離線４００を挟んでダミーのシール材が形成されている。スクライビング時のガラスの撓みを防止して、スクライビングを均一に行うためである。

図３において、横方向では液晶セルが密接して形成されているが、縦方向では、距離ｄだけ分離して液晶セルが配置されている。端子部１５０において、隣接する他の液晶セルからのシール材１６０や配向膜の影響が端子部１５０に及ぶことを防止するためである。また、端子部１５０にはＩＴＯで覆われた端子が小さなピッチで多数存在しているが、液晶セルを縦方向にｄだけ分離して配置することによって、ＩＴＯの残渣の影響によるショートを防止するための構成をとることが可能になっている。

しかし、図３に示すｄの部分は捨てられることになるので、マザー基板からの液晶セルの取り出し個数を上げるには不利である。そこで、製造コストの要請から、縦方向においても、隙間を作らず、液晶セルを隣接して形成することが要求されている。
図４は縦方向にも液晶セルを隙間なく配置した例を示すマザー基板の平面図である。図４では、端子部において、隣接する液晶セルと分離線４００が共有されている。そうすると、端子部１５０において、隣接する液晶セルのシール部の構造の影響が現れる。

図５は、図４のＢ−Ｂ断面図である。分離線４００より左側が端子部１５０であり、分離線４００より右側が図４において下方向に隣接する液晶セルのシール部である。図５において、ＴＦＴ基板１００の上には、絶縁層１０１が形成されている。絶縁層１０１は、ゲート絶縁膜、層間絶縁膜等を含む層である。絶縁層１０１の上に有機パッシベーション膜１０２が形成されている。有機パッシベーション膜１０２は、表示領域において、走査線１０１あるいは映像信号線１０２等の配線と画素電極あるいはコモン電極とを絶縁する役割を有している。有機パッシベーション膜１０２は、上記配線と、画素電極あるいはコモン電極との容量カップリングを小さくするために、厚く形成され、例えば、２乃至５μｍ程度である。

有機パッシベーション膜１０２は、図５の領域Ａの部分であるスクライビング部においては、スクライビングおよびその後の衝撃による液晶セルの分離を容易にするためのスペーサとしても使用される。したがって、分離線４００の部分では、有機パッシベーション膜が土手状に存在している。以降、分離線４００に位置する土手状の有機パッシベーション膜を有機パッシベーション膜１０２Ａとして表現する。
図８は、有機パッシベーション膜が存在している部分を示すＴＦＴ基板１００の平面図である。図８において、表示領域２０には全面に有機パッシベーション膜１０２が形成されている。また、分離線４００、４５０に対応する部分にも有機パッシベーション膜１０２Ａが形成されている。図８における分離線４５０は対向基板２００側に形成されるので、図８では、対応する場所としての意味で点線４５０で示している。

図８において、表示領域２０の外側には、表示領域２０を囲むようにして、有機パッシベーション膜１０２の存在しない、有機パッシベーション膜溝部１０２１が形成されている。水分は、樹脂を透過して外部から液晶表示パネル内部に侵入するが、有機パッシベーション膜１０２はアクリル樹脂、シリコン樹脂等の樹脂で形成されているので、この水分を遮断するために有機パッシベーション膜の溝部１０２１が形成されている。

また、端子部１５０では、端子の導電部を露出させるため、有機パッシベーション膜は不要である。しかし、分離線４００あるいは４５０においては、スペーサとしての有機パッシベーション膜が必要なので、有機パッシベーション膜１０２Ａが端子部を枠状に囲むように形成されている。

図５に戻り、図５の有機パッシベーション膜溝１０２１は、図８に示す有機パッシベーション膜溝１０２１に対応するものである。また、分離線４００付近を除いては、端子部には有機パッシベーション膜１０２は形成されていない。図５において、有機パッシベーション膜１０２、１０２Ａの上には、ＳｉＮ等によって無機絶縁膜１０３が形成されている。無機絶縁膜１０３は、表示領域において、例えば、画素電極とコモン電極を絶縁するために使用される。

図５における端子部１５０側には、端子が形成されている。端子には表示領域側から延在してきた、例えば、映像信号線と同層で形成された端子金属５０が形成されている。端子金属５０の上では、無機絶縁膜１０３にコンタクトホールが形成され、コンタクトホール部分は端子ＩＴＯ５１によって覆われている。ＩＴＯは化学的に安定なので、端子金属５０を保護する。なお、ＩＴＯ５１は表示領域において画素電極を形成する時に同時に形成することができる。

図５における第１の問題点は、ＩＴＯ５１をパターニングする際、ＩＴＯ残渣５２が有機パッシベーション膜１０２Ａの根本に残ってしまうことである。つまり、有機パッシベーション膜１０２，１０２Ａは、例えば、３μｍ程度と厚いために、土手状の有機パッシベーション膜１０２Ａの根本が十分に露光されない、または、土手状の有機パッシベーション膜１０２Ａの根本にエッチング液が十分に侵入しないという現象が生ずる。このために、土手状の有機パッシベーション膜１０２Ａの根本にＩＴＯ残渣５２が生ずる。

ＩＴＯ残渣５２が発生すると、端子間がＩＴＯ残渣５２によってショートしてしまうという問題を生ずる。図６は、図５の領域Ａに対応するＴＦＴ基板１００側の平面図である。図５の領域Ａは、図６におけるＣ−Ｃ断面に対応する。図６において、土手状の有機パッシベーション膜１０２Ａの土手の根本まで、端子を構成するＩＴＯ５１が形成されている。端子と反対側である、シール部側の土手状の有機パッシベーション膜１０２Ａの根本にはＩＴＯ残渣５２が存在している。

ＩＴＯ残渣５２が存在すると、図６に示すように、端子間がショートされてしまうという重大な問題を生ずる。図７は、図６のＤ−Ｄ断面図である。図７において土手状の有機パッシベーション膜１０２Ａの根本には、ＩＴＯの残渣５２が存在している。図７における土手状の有機パッシベーション膜１０２Ａの左側のＩＴＯ残渣５２が端子間のショートを引き起こす。

このようなＩＴＯの残渣５２によるショートの問題は、端子部の面積が大きければ、例えば、端子を土手状の有機パッシベーション膜１０２Ａから十分な距離を取って形成する、等の手段をとることも出来るが、表示領域の面積を大きくし、液晶表示パネルの外形を抑えようとすると、端子部の面積を十分にとることができない。

一方、表示領域において、画素電極が形成された後、液晶を初期配向するために、配向膜１０４が形成される。配向膜１０４は、当初は液体であり、フレキソ印刷あるいはインクジェットによって形成される。液体の配向膜材料は、塗布後、流動するので、ストッパーが十分ではないと、マザー基板において、他の液晶セルの端子部にも流入してしまう。

図５はこの問題を示している。図５において、隣接する液晶セルのシール部において、右側の液晶セルの配向膜１０４はストップされずに、土手状有機パッシベーション膜１０２Ａを超えて左側に隣接する液晶セルの端子の上にまで流入している。配向膜１０４は、２００℃程度で焼成された後、絶縁膜となる。端子に配向膜１０４が存在すると導通不良を生ずる。したがって、隣接液晶セルからの配向膜１０４の流入は抑えなければならない。

図５において、ＴＦＴ基板１００と対向して対向基板２００が配置している。対向基板２００にはブラックマトリクス２０１が形成され、その上にカラーフィルタ２０２が形成されている。カラーフィルタ２０２は、シール部においては、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００のギャップの調整に用いられている。このカラーフィルタ２０２には例えば青カラーフィルタが用いられる。カラーフィルタ２０１およびブラックマトリクス２０１を覆ってオーバーコート膜２０３が形成されている。

図５において、オーバーコート膜２０３の上には、壁状スペーサ２０４が形成されている。壁状スペーサ２０４は、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間隔を規定する他に、対向基板２００側の配向膜１０４が液晶セルの端部にまで流れ込まないようにする役割も有している。液晶セルと液晶セルの境界の分離線４００に対応して土手状スペーサ２０５が形成されている。壁状スペーサ２０４も土手状スペーサ２０５も表示領域において、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間隔を規定する柱状スペーサ等と同じプロセスで形成される。

図５において、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００はシール材１６０によって接着している。シール材１６０は、シール部のみに存在することが望ましいが、図５においては、土手状スペーサ２０５と土手状有機パッシベーション膜１０２Ａとの隙間から隣接する液晶セルの端子部にはみ出している。シール材１６０のはみ出しは、端子の面積が大きければ大きな問題にならないが、高精細になって端子面積が小さくなると導通不良の原因となる。

このように、液晶セルを隙間なく、マザー基板に配置すると、端子部において、ＩＴＯ残渣５２による端子のショート、配向膜１０４の隣接液晶セルへの流入による端子の導通不良、シール材１６０の隣接液晶セルへのはみ出しによる端子の導通不良の問題を生ずる。

図９はこのような問題を解決する本発明の構成を示す断面図である。図９は、図４におけるＢ−Ｂ断面に相当する。図９において、ＴＦＴ基板１００の上に絶縁層１０１が形成されている。絶縁層１０１の上に有機パッシベーション膜１０２，１０２Ａが形成されている。有機パッシベーション膜１０２，１０２Ａの役割は図５で説明したものと同様である。図９の特徴は、分離線４００に対応する部分における土手状の有機パッシベーション膜１０２Ａが段部１０２３を有しているということである。土手状の有機パッシベーション膜１０２Ａの底部から段部１０２３までの高さｈ１は、例えば１μｍであり、段部１０２３から土手状の有機パッシベーション膜１０２Ａの頂点までの高さｈ２は、例えば２μｍである。

ＩＴＯの残渣５２は、土手状の有機パッシベーション膜１０２Ａの溝の深さが２μｍを超えると急激に増加する。図９では、土手状有機パッシベーション膜１０２Ａは段部１０２３を有しているので、有機パッシベーション膜溝１０２１の深さは２μｍと１μｍとで段階的に分かれており、いずれの深さもＩＴＯ残渣５２が発生しにくい深さとなっている。しがって、図５の場合と異なり、端子ＩＴＯ５１のショートを防止することができる。

図１０は、図９の領域Ｂに対応するＴＦＴ基板１００の平面図である。図９のＴＦＴ基板１００側における領域Ｂは、図１０のＥ−Ｅ断面に相当する。図９および図１０に示すように、土手状有機パッシベーション膜１０２Ａの段部１０２３にも根本にもＩＴＯの残渣は存在していない。
図１１は、図１０のＦ−Ｆ断面図である。図１０および図１１に示すように、土手状有機パッシベーション膜１０２Ａのいずれの段部１０２３にも、また、土手状有機パッシベーション膜１０２Ａの根本にもＩＴＯの残渣は存在しない。したがって、ＩＴＯの残渣によって端子ＩＴＯ５１がショートされるということは無い。

図９の他の特徴は、土手状スペーサ２０５の先端に凹部が形成され、この凹部に土手状有機パッシベーション膜１０２Ａの先端が挿入されていることである。言い換えると、土手状有機パッシベーション膜１０２Ａの先端が土手状スペーサ２０５の凹部に対向している。このように、土手状有機パッシベーション膜１０２Ａの先端が土手状スペーサ２０５に形成された凹部に挿入されていることによって、シール材１６０が隣接する液晶セルの端子部にはみ出しにくい構成となっている。したがって、はみ出したシール材１６０によって隣接する液晶セルの端子を覆って導通不良を生じさせる現象を回避することができる。なお、図９における凹部は、土手状有機パッシベーション膜１０２Ａが挿入されるものであるから、溝状に形成されている。

図９のさらに他の特徴は、有機パッシベーション膜溝１０２１のさらに内側に第２の有機パッシベーション膜の溝１０２２が形成され、その結果第２の土手状有機パッシベーション膜１０２が形成されていることである。第２の有機パッシベーション膜溝１０２２の深さは、第１の有機パッシベーション膜溝１０２１の深さよりも浅く、ｈ２である。ｈ２は例えば２μｍである。したがって、第２の有機パッシベーション膜溝１０２２の底は、絶縁層１０１でなく、有機パッシベーション膜１０２となっている。

図９に示すように、第２の有機パッシベーション膜溝１０２２が存在することによる第２の土手状有機パッシベーション膜１０２によって、配向膜の流れを阻止することができる。また、第２の土手状有機パッシベーション膜１０２によって配向膜をストップできない場合であっても、第１の土手状有機パッシベーション膜１０２によって配向膜１０４の流れを阻止することができる。

図１２は、ＴＦＴ基板１００における、有機パッシベーション膜１０２の形状を示す平面図である。有機パッシベーション膜１０２の平面図の基本的な構成は図８で説明したものと同様である。図１２が図８と異なる点は、有機パッシベーション膜溝１０２１の内側、すなわち、表示領域２０側に第２の有機パッシベーション膜溝１０２２が形成されていることである。

第２の有機パッシベーション膜溝１０２２の深さは、図９に示すｈ２であり、例えば２μｍである。第１の有機パッシベーション膜溝１０２１の深さはｈ１＋ｈ２であり、例えば３μｍである。したがって、第１の有機パッシベーション膜溝１０２１の方が、配向膜１０４をストップする能力は優れているが、本発明では、第２の有機パッシベーション膜溝１０２２を加えることによって、配向膜１０４の流れをストップする機会をより多くしている。

なお、図９において、溝の深さの関係は、ｈ２＞ｈ１である。あるいは、ｈ１＜（ｈ１＋ｈ２）／２である。このような構成とすることによって、第２の有機パッシベーション膜溝１０２２による配向膜１０４の流れを阻止する効果をより上げることができる。

図１３および図１４は、マザー基板に形成された隣接する液晶セルを分離線４００において分離した場合の、第１の液晶セルの端子部の断面図と第１のセルに隣接する第２の液晶セルにおけるシール部の断面図である。図１３は、第１の液晶セルの端子部の断面図である。図１３においては、対向基板側は、図２における端材２１０として捨てられるので、ＴＦＴ基板１００側の構成のみが残っている。

図１３において、ＴＦＴ基板１００の上に絶縁層１０１が形成され、その上に段部１０２３を有する土手状有機パッシベーション膜１０２Ａの片側が残っている。図１３において、土手状有機パッシベーション膜１０２の根本には、ＩＴＯの残渣は存在していないので、端子がＩＴＯの残渣によってショートされる危険はない。また、シール材の端子へのはみ出しも配向膜の端子への流入もないので、端子の接続不良は回避することができる。

図１４は第１の液晶セルに隣接する第２の液晶セルのシール部の断面図である。図１４において、土手状スペーサ２０５と土手状有機パッシベーション膜１０２Ａは、分離線４００によって半分に分断されている。図１４のこの構成を言い換えると、土手状スペーサ２０５は第１の部分と、縁部であって、第１の部分よりも膜厚の大きい第２の部分を有し、土手状有機パッシベーション膜１０２Ａの先端は、土手状スペーサ２０５の第１の部分と対向していると言い換えることが出来る。

その他の構成は、図９において説明したとおりである。このように、本発明によれば、マザー基板内に液晶セルを隙間なく連続して配置しても、隣接する液晶セルのシール部の影響による、端子の接続不良、あるいは、ＩＴＯ残渣による端子のショートを防止することができる。

図１５は、図９における土手状有機パッシベーション膜１０２Ａに段部１０２３を設ける方法を示す模式断面図である。有機パッシベーション膜１０２Ａは感光性の樹脂が使用される。この感光性の樹脂は、光が照射された部分において、樹脂が硬化し、光が当たらない部分は、現像液によって除去される。

図１５において、土手状有機パッシベーション膜１０２Ａの段部１０２３は、ハーフ露光によって形成することができる。段部１０２３の高さは、ハーフ露光における光の強度によって調整することができる。すなわち、土手状有機パッシベーション膜１０２Ａとして有機パッシベーション膜をフルに残したい部分は、マスクの透過領域５０３を通してフル露光を行い、有機パッシベーション膜を除去したい部分にはマスクの遮光領域５０１を対応させる。そして、有機パッシベーション膜の段部１０２３に続く膜厚の小さい部分は、マスクのハーフトーン部５０２を通して露光することにより形成することができる。

図１６は、対向基板２００において、凹部を有する土手状スペーサ２０５を形成する方法を示す模式断面図である。土手状スペーサ２０５の凹部もハーフ露光技術を用いて形成することができる。土手状スペーサ２０５には例えば感光性のアクリル樹脂を用いることができる。図１６において、土手状スペーサ２０５の両側の膜厚が大きい部分はマスクの透明部分５０３を介してフル露光を行う。土手状スペーサ２０５を除去したい部分には、マスクの遮光部分５０１を対応させる。土手状スペーサ２０５の凹部の部分にはマスクのハーフトーン部５０２を対応させて露光し、所定の厚さとする。図１６において、土手状スペーサ２０５の凹部の深さｈ４あるいは土手状スペーサの凹部における土手状スペーサの厚さｈ３は、ハーフ露光の露光強度を調整することによって制御することができる。

図１７は、本発明の他の構成を示す断面図である。土手状スペーサ２０５の凹部に土手状有機パッシベーション膜１０２Ａを挿入する目的は、シール材１６０を端子部側にはみ出させないことである。この目的のためには、土手状スペーサ２０５の縁部２０５１は、土手状有機パッシベーション膜１０２Ａの両側ではなく、片側に存在していればよい。図１６は、端子側の縁部を省略してシール部側にのみ土手状スペーサの縁部２０５１を形成したものである。

この構成であれば、土手状有機パッシベーション膜１０２Ａを土手状スペーサ２０５の凹部に挿入する必要がないので、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００の位置合わせが容易になるというメリットを有する。図１７のその他の構成は図９と同様である。

図１８は、本発明のさらに他の変形例を示す断面図である。図１８が図９と異なる点は、土手状スペーサ２０５の高さを調整するカラーフィルタを２層用いている点である。つまり、土手状スペーサ２０５の縁部２０５１に対応して赤カラーフィルタ２０２Ｒを配置し、この部分は、赤カラーフィルタ２０２Ｒと青カラーフィルタ２０２Ｂの積層となっている。一方、土手状スペーサの他の部分には、青カラーフィルタ２０２Ｂのみ形成されている。

すなわち、土手状スペーサ２０５の縁部２０５１では、土台が高くなっているので、縁部の高さと凹部の高さの差をつけやすい。言い換えると、土手状スペーサ２０５の凹部を形成するために、ハーフ露光にたよる割合を小さくすることができ、その分ハーフ露光のプロセス条件の裕度を上げることができる。図１８のその他の構成は図９と同様である。

図１７の構成も図１８の構成も、図９の構成の場合と同様の効果を得ることができる。

１１…走査線、 １２…映像信号線、 １３…画素、 ２０…表示領域、 ５０…端子金属、 ５１…端子ＩＴＯ、 ５２…ＩＴＯ残渣、 １００…ＴＦＴ基板、 １０１…絶縁層、 １０２、１０２Ａ…有機パッシベーション膜、 １０３…無機絶縁膜、 １０４…配向膜、 １５０…端子部、 １６０…シール材、 ２００…対向基板、 ２０１…ブラックマトリクス、 ２０２…カラーフィルタ、 ２０２Ｂ…青カラーフィルタ、 ２０２Ｒ…赤カラーフィルタ、 ２０３…オーバーコート膜、 ２０４…壁状スペーサ、 ２０５…土手状スペーサ、 ２１０…端材、 ３００…液晶、 ４００、４５０…分離線、 ５０１…マスクの遮光部、 ５０２…マスクのハーフトーン部、 ５０３…マスクの透過部、 １０２１…有機パッシベーション膜溝、 １０２２…有機パッシベーション膜の第２の溝、 １０２３…有機パッシベーション膜の段部

Claims (13)

1. ＴＦＴ基板と対向基板が前記対向基板の周辺に形成されたシール部において接着し、前記ＴＦＴ基板において前記対向基板が対向していない部分に端子部が形成された液晶表示装置であって、
   前記ＴＦＴ基板には、前記端子部が形成されている前記ＴＦＴ基板縁部に沿って土手状の有機パッシベーション膜が形成され、
   前記有機パッシベーション膜の前記端子部側の側面には、少なくとも一つの段差部が形成されることを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記有機パッシベーション膜の底部から段差部までの膜厚をｈ１とし、前記段差部から前記有機パッシベーション膜の頂点までの膜厚をｈ２とした場合、ｈ２＞ｈ１であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記端子部には、端子が形成され、前記端子には前記有機パッシベーション膜は形成されていないことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
4. 有機パッシベーション膜を有するＴＦＴ基板と、対向基板と、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板とが前記対向基板の周辺に形成されたシール部において接着され、前記ＴＦＴ基板において前記対向基板が対向していない部分に端子部が形成され、前記シール部に囲まれた領域に表示領域が形成された液晶表示装置であって、
   前記端子部が形成された辺と反対側の辺において、
   前記ＴＦＴ基板には、当該対向基板縁部に沿って土手状の第１の有機パッシベーション膜が形成され、
   前記第１の有機パッシベーション膜の表示領域側の側面には、少なくとも一つの段差部が形成され、
   前記対向基板には、前記第１の有機パッシベーション膜に対応する位置に第１のスペーサが形成され、
   前記第１の有機パッシベーション膜の先端は、前記第１のスペーサと対向していることを特徴とする液晶表示装置。
5. 前記第１の有機パッシベーション膜の底部から前記段差部までの膜厚をｈ１とし、前記段差部から前記第１の有機パッシベーション膜の頂点までの膜厚をｈ２とした場合、ｈ２＞ｈ１であることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
6. 前記第１のスペーサは、前記第１の有機パッシベーション膜の頂点から側面の一部に掛けて接触する部分を有することを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
7. 前記第１の有機パッシベーション膜の表示領域側には、前記表示領域を囲むように、土手状の第２の有機パッシベーション膜が形成され、
   前記第１及び第２の有機パッシベーション膜の間に第１の溝が形成され、前記第２の有機パッシベーション膜の表示領域側には第２の溝が形成され、
   前記第２の有機パッシベーション膜の側面には、少なくとも一つの段差部が形成されることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
8. 前記第２の有機パッシベーション膜の底部から前記段差部までの膜厚をｈ１とし、前記段差部から前記第２の有機パッシベーション膜の頂点までの膜厚をｈ２とした場合、ｈ２＞ｈ１であることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
9. 前記対向基板には、前記第２の有機パッシベーション膜と対向する位置に第２のスペーサが形成されていることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
10. 前記第１および第２のスペーサと前記対向基板の間には、第１のカラーフィルタ層が形成されていることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
11. 前記第２のスペーサと前記対向基板の間には、さらに第２のカラーフィルタ層が形成されていることを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
12. ＴＦＴ基板と対向基板が表示領域ごとに形成される複数のシール部によって接着されてなる複数の液晶セルが形成されるマザー基板において、
    前記ＴＦＴ基板には、前記液晶セルの縁領域に沿って土手状の第１の有機パッシベーション膜が形成され、前記各液晶セルの表示領域内には第２の有機絶縁膜が形成され、
    前記第１の有機パッシベーション膜と前記第２の有機パッシベーション膜の間には、前記第２の有機パッシベーション膜を取り囲む形で第１の溝部が形成され、
    前記第１の有機パッシベーション膜は、前記液晶セルごとに、端子部用の開口領域として第２の溝部が形成され、
    前記第１の溝部と前記第２の溝部にある前記第１の有機パッシベーション膜で各液晶セルの分断領域となることを特徴とするマザー基板。
13. 前記分断領域の対向基板には、スペーサが形成され、前記スペーサは、前記第１の有機パッシベーション膜と接するように形成されることを特徴とする請求項１２に記載のマザー基板。

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