JP2017157833A - R−t−b系永久磁石 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本R−T−B系永久磁石は、R2T14B型化合物からなる主相粒子4を有するR−T−B系永久磁石100であって、Rが希土類元素,TがFeまたはFeおよびCoを必須とする鉄族元素,Bがホウ素であり、R、T、B以外に、少なくとも、C、Ga、およびM(Mは、Zr、Ti、Nbからなる群から選ばれた少なくとも1種)を含みBの含有量が、0.71質量%以上0.88質量%以下、Cの含有量が、0.15質量%以上0.34質量%以下、Gaの含有量が、0.40質量%以上1.40質量%以下、Mの含有量が、0.25質量%以上2.50質量%以下、である。
【選択図】図1
Description
Rが希土類元素,TがFeまたはFeおよびCoを必須とする鉄族元素,Bがホウ素であり、
R、T、B以外に、少なくとも、C、Ga、およびM(Mは、Zr、Ti、Nbからなる群から選ばれた少なくとも1種)を含み
Bの含有量が、0.71質量%以上0.88質量%以下、
Cの含有量が、0.15質量%以上0.34質量%以下、
Gaの含有量が、0.40質量%以上1.40質量%以下、
Mの含有量が、0.25質量%以上2.50質量%以下、
であり、下記(1)式および(2)式を満足することを特徴とする。
0.14≦[C]/([B]+[C])≦0.30 (1)
5.0≦[B]+[C]−[M]≦5.6 (2)
ここで、[B]は原子%で表したB含有量、[C]は原子%で表したC含有量、[M]は原子%で表したM含有量である。
(1) B量が化学量論比組成よりも少ない組成に一定量のCを添加した原料を出発原料とした場合、主相粒子を構成するR2T14B型化合物を形成するためのB量が不足するため、Cが主相粒子のR2T14B型化合物のBサイトに固溶し、R2T14BxC(1−x)という組成式で表されるR2T14B型化合物を形成する。また、添加したGaと元素Mの少なくとも一部もR2T14B型化合物に固溶すると考えられる。
(2)永久磁石の作製時において、500℃近傍での時効処理を施した際、粒界相が液相に変化するが、当該工程において、主相粒子の最表面部も一部溶解し液相にとりこまれる。従来のR−T−B系永久磁石の場合、時効処理によって溶解した主相粒子最表面部のR2T14B型化合物は、冷却によって液相が再び固相に変化する際に再びR2T14B型化合物として主相粒子表面に析出する。そのため、R−T−B系永久磁石における主相粒子の体積割合に大きな変化は起きない。
(3) しかしながら、本発明のR−T−B系永久磁石は、Mを一定量含有している。Mは、炭化物の標準生成自由エネルギーが希土類元素Rよりも低いため、Cと結合し、炭化物を生成しやすい。そのため、時効処理によって主相粒子最表面から溶解した組成式R2T14BxC(1−x)で表される化合物に含まれる元素のうち、CはMと結合し、Mの炭化物を生成すると考えられる。
(4) このように主相粒子最表面から溶解した元素のうちCが消費されると、冷却後に再びR2T14B型化合物を生成しようとしても、Cが消費されたた分だけTが余剰となる。通常、Tが余剰となる組成では、軟磁性のR2T17化合物が生成し、磁気特性に悪影響を及ぼすと考えられる。しかし、本発明のR−T−B系永久磁石は一定量のGaを含有するため、R6T13Gaに代表されるR−T−Ga化合物を生成することが可能である。
(5) すなわち、本発明のR−T−B系永久磁石においては、時効処理で溶解した主相粒子最表面部のR2T14BxC(1−x)に含まれていた元素のうち、R2T14Cの分は、Mの炭化物、およびR−T−Ga化合物の生成で消費される。そして、主相粒子最表面へは組成式R2T14Bで表される化合物が冷却時に再析出する。つまり、時効処理で溶解した主相粒子最表面部のR2T14BxC(1−x)に含まれていた元素のうちR2T14Cの分だけ、主相粒子の割合が減り粒界相の割合が増えることとなる。
(6) このようなメカニズムにより、本発明のR−T−B系永久磁石においては、500℃近傍での時効処理により主相粒子同士の間に厚い二粒子粒界が形成されると考えられる。厚い二粒子粒界が形成されると、主相粒子同士が磁気的に分断されやすくなり、1つの主相粒子の磁化反転が隣接する主相粒子に伝播しにくくなることによって、高い保磁力が発現する、と考えられる。
(7) そのため、500℃近傍での時効処理によって、主相粒子間に十分な厚みの二粒子粒界を確実に形成し、高い保磁力を得るためには、(ア)主相であるR2T14B型化合物に十分な量のCが固溶していること、(イ)時効処理時に溶解した主相最表面のR2T14BxC(1−x)のCを消費できるための適切な量のMが存在すること、が必要となる。そのため、(ア)[C]/([B]+[C])、(イ)[B]+[C]−[M]という2つのパラメータが適切なバランスにある時だけ、高い保磁力が発現する、と考えられる。
5.2≦[B]+[C]−[M]≦5.4 (3)
ここで、[B]は原子%で表したB含有量、[C]は原子%で表したC含有量、[M]は原子%で表したM含有量である。
このような範囲の組成であることによって、主相粒子間の二粒子粒界が十分に厚く形成されやすくなり、より一層高い保磁力が得られやすくなる傾向がある。
Cuの含有量が、0.05質量%以上1.5質量%以下であってもよい。
Alの含有量が、0.03質量%以上0.6質量%以下であってもよい。
本発明の第1実施形態はR−T−B系永久磁石の一種であるR−T−B系焼結磁石に関する。
本発明の第1実施形態に係るR−T−B系焼結磁石について説明する。図1に示すように、本実施形態に係るR−T−B系焼結磁石100は、R2T14B型化合物から成る主相粒子4と、主相粒子4の間に存在する粒界6とを有する。
(1) まず、前述した分析手法により、R−T−B系焼結磁石中に含まれる各元素の含有量を分析し、各元素の含有量の質量%での分析値(X1)を求める。分析対象とする元素は、R−T−B系焼結磁石中に0.05質量%以上含有される元素、および、酸素、炭素、窒素、とする。
(2) 各元素の含有量の質量%での分析値(X1)を、各元素の原子量でそれぞれ割った値(X3)を求める。
(3) 分析した全元素について上記(X3)の値を合計した値に対する、各元素の(X3)の値の割合を百分率で表したものを求め、それを各元素の原子%で表した含有量(X2)とする。
上述したような構成を有する本実施形態に係るR−T−B系焼結磁石を製造する方法の一例について図面を用いて説明する。図2は、本発明の実施形態に係るR−T−B系焼結磁石を製造する方法の一例を示すフローチャートである。図2に示すように、本実施形態に係るR−T−B系焼結磁石を製造する方法は、以下の工程を有する。
(b)原料合金を粉砕する粉砕工程(ステップS12)
(c)粉砕した原料粉末を成形する成形工程(ステップS13)
(d)成形体を焼結し、R−T−B系焼結磁石を得る焼結工程(ステップS14)
(e)R−T−B系焼結磁石を時効処理する時効処理工程(ステップS15)
(f)R−T−B系焼結磁石を冷却する冷却工程(ステップS16)
本実施形態に係るR−T−B系焼結磁石における原料合金を準備する(合金準備工程(ステップS11))。合金準備工程(ステップS11)では、本実施形態に係るR−T−B系焼結磁石の組成に対応する原料金属を、真空またはArガスなどの不活性ガス雰囲気中で溶融した後、これを用いて鋳造を行うことによって所望の組成を有する原料合金を作製する。なお、本実施形態では、原料合金として単独の合金を使用する1合金法の場合について説明するが、第1合金と第2合金との2種類の合金を混合して原料粉末を作製する2合金法を用いてもよい。
原料合金が作製された後、原料合金を粉砕する(粉砕工程(ステップS12))。粉砕工程(ステップS12)は、粒径が数百μm〜数mm程度になるまで粉砕する粗粉砕工程(ステップS12−1)と、粒径が数μm程度になるまで微粉砕する微粉砕工程(ステップS12−2)とがある。
原料合金を各々粒径が数百μm〜数mm程度になるまで粗粉砕する(粗粉砕工程(ステップS12−1))。これにより、原料合金の粗粉砕粉末を得る。粗粉砕は、原料合金に水素を吸蔵させた後、異なる相間の水素吸蔵量の相違に基づいて水素を放出させ、脱水素を行なうことで自己崩壊的な粉砕を生じさせる(水素吸蔵粉砕)ことによって行うことができる。
原料合金を粗粉砕した後、得られた原料合金の粗粉砕粉末を平均粒径が数μm程度になるまで微粉砕する(微粉砕工程(ステップS12−2))。これにより、原料合金の微粉砕粉末を得る。粗粉砕した粉末を更に微粉砕することで、平均粒径が0.1μm以上4.0μm以下の粒子を有する微粉砕粉末を得てもよい。平均粒径は0.5μm以上3.0μm以下であってもよい。微粉砕粉末の平均粒径をこのような範囲とすることで、焼結後の主相粒子の平均粒径を小さくしやすくなり、高い保磁力が得やすくなる傾向がある。
原料合金を微粉砕した後、微粉砕粉末を目的の形状に成形する(成形工程(ステップS13))。成形工程(ステップS13)では、微粉砕粉末を、電磁石中に配置された金型内に充填して加圧することによって、微粉砕粉末を任意の形状に成形する。このとき、磁場を印加しながら行い、磁場印加によって微粉砕粉末に所定の配向を生じさせ、結晶軸を配向させた状態で磁場中成形する。これにより成形体が得られる。得られる成形体は、特定方向に配向するので、より磁性の強い異方性を有するR−T−B系焼結磁石が得られる。
磁場中で成形し、目的の形状に成形して得られた成形体を真空または不活性ガス雰囲気中で焼結し、R−T−B系焼結磁石を得る(焼結工程(ステップS14))。成形体に対して、例えば、真空中または不活性ガスの存在下、900℃以上1200℃以下で1時間以上72時間以下で加熱する処理を行うことにより焼結する。これにより、微粉砕粉末が液相焼結を生じ、主相の体積比率が向上したR−T−B系焼結磁石(R−T−B系磁石の焼結体)が得られる。
成形体を焼結した後、R−T−B系焼結磁石を時効処理する(時効処理工程(ステップS15))。焼結後、得られたR−T−B系焼結磁石を焼結時よりも低い温度で保持することなどによって、R−T−B系焼結磁石に時効処理を施す。時効処理は、例えば、真空中または不活性ガスの存在下、400℃以上900℃以下で10分以上10時間以下で加熱する処理を行うことにより行うことができる。時効処理は、必要に応じて、温度を変えて、複数回処理を行ってもよい。このような時効処理によって、R−T−B系焼結磁石の磁気特性を向上させることができる。
R−T−B系焼結磁石に時効処理を施した後、R−T−B系焼結磁石はArガス雰囲気中で急冷を行う(冷却工程(ステップS16))。これにより、本実施形態に係るR−T−B系焼結磁石を得ることができる。厚い二粒子粒界を形成し、高い保磁力を得るためには、冷却速度は、30℃/min以上としてもよい。
本発明の第2実施形態は熱間加工によって製造されるR−T−B系永久磁石に関する。第2実施形態は以下に記載されていない点は第1実施形態と同様である。また、第1実施形態で「焼結」と記載されている部分は、適宜読み替える。
本実施形態に係るR−T−B系永久磁石を製造する方法は、以下の工程を有する。
(a)原料金属を溶解し、得られた溶湯を急冷して薄帯を得る溶解急冷工程
(b)薄帯を粉砕してフレーク状の原料粉末を得る粉砕工程
(c)粉砕した原料粉末を冷間成形する冷間成形工程
(d)冷間成形体を予備加熱する予備加熱工程
(e)予備加熱した冷間成形体を熱間成形する熱間成形工程
(f)熱間成形体を所定の形状に塑性変形させる熱間塑性加工工程。
(g)R−T−B系永久磁石を時効処理する時効処理工程
まず、原料合金を準備した。表1に示す組成のR−T−B系焼結磁石が得られるよう原料を配合し、それらの原料を溶解したのち、ストリップキャスティング法により鋳造して、フレーク状の原料合金を作製した。原料のうち炭素量は黒鉛を用いて調整を行い、微粉砕時の粉砕助剤から混入する炭素量を勘案し、粉砕助剤による増加が見込まれる分を仕込み組成から減らすことにより、最終的なR−T−B系焼結磁石の組成が表1に示す組成となるように原料合金を作製した。
表2に示す組成のR−T−B系焼結磁石が得られるように原料を配合したこと以外は、実験例1〜7と同様にして、実験例8〜14の各R−T−B系焼結磁石を得た。得られた各R−T−B系焼結磁石について、実験例1〜7と同様にして、組成分析した結果を表2に合わせて示す。
表3に示す組成のR−T−B系焼結磁石が得られるように原料を配合したこと以外は、実験例1〜7と同様にして、実験例15〜21の各R−T−B系焼結磁石を得た。得られた各R−T−B系焼結磁石について、実験例1〜7と同様にして、組成分析した結果を表3に合わせて示す。
表4に示す組成のR−T−B系焼結磁石が得られるように原料を配合したこと以外は、実験例1〜7と同様にして、実験例22〜28の各R−T−B系焼結磁石を得た。得られた各R−T−B系焼結磁石について、実験例1〜7と同様にして、組成分析した結果を表4に合わせて示す。
表5に示す組成のR−T−B系焼結磁石が得られるようにGa量を変えて原料を配合したこと以外は、実験例1〜7と同様にして、実験例29〜34の各R−T−B系焼結磁石を得た。得られた各R−T−B系焼結磁石について、実験例1〜7と同様にして、組成分析した結果を表5に合わせて示す。
MとしてZrに変えてTiを用い、表6に示す組成のR−T−B系焼結磁石が得られるように原料を配合したこと以外は、実験例1〜7と同様にして、実験例35〜41の各R−T−B系焼結磁石を得た。また、MとしてZrおよびTiを含む実験例38aのR−T−B系焼結磁石を得た。得られた各R−T−B系焼結磁石について、実験例1〜7と同様にして、組成分析した結果を表6に合わせて示す。
MとしてZrに変えてNbを用い、表7に示す組成のR−T−B系焼結磁石が得られるように原料を配合したこと以外は、実験例1〜7と同様にして、実験例42〜48の各R−T−B系焼結磁石を得た。得られた各R−T−B系焼結磁石について、実験例1〜7と同様にして、組成分析した結果を表7に合わせて示す。
表8に示す組成のR−T−B系焼結磁石が得られるように原料を配合したこと以外は、実験例1〜7と同様にして、実験例49〜54の各R−T−B系焼結磁石を得た。得られた各R−T−B系焼結磁石について、実験例1〜7と同様にして、組成分析した結果を表8に合わせて示す。
6 粒界
7 Rリッチ相
8 R−T−Ga相
9 ZrC相
100 R−T−B系焼結磁石
Claims (11)
- R2T14B型化合物からなる主相粒子を有するR−T−B系永久磁石であって、
Rが希土類元素,TがFeまたはFeおよびCoを必須とする鉄族元素,Bがホウ素であり、
R、T、B以外に、少なくとも、C、Ga、およびM(Mは、Zr、Ti、Nbからなる群から選ばれた少なくとも1種)を含み
Bの含有量が、0.71質量%以上0.88質量%以下、
Cの含有量が、0.15質量%以上0.34質量%以下、
Gaの含有量が、0.40質量%以上1.40質量%以下、
Mの含有量が、0.25質量%以上2.50質量%以下、
であり、下記(1)式および(2)式を満足することを特徴とする、R−T−B系永久磁石。
0.14≦[C]/([B]+[C])≦0.30 (1)
5.0≦[B]+[C]−[M]≦5.6 (2)
ここで、[B]は原子%で表したB含有量、[C]は原子%で表したC含有量、[M]は原子%で表したM含有量である。 - 下記(3)式を満足することを特徴とする、請求項1記載のR−T−B系永久磁石。
5.2≦[B]+[C]−[M]≦5.4 (3)
ここで、[B]は原子%で表したB含有量、[C]は原子%で表したC含有量、[M]は原子%で表したM含有量である。 - Rの含有量が、29質量%以上37質量%以下である請求項1または2に記載のR−T−B系永久磁石。
- さらにCuを含有し、
Cuの含有量が、0.05質量%以上1.5質量%以下である請求項1〜3のいずれかに記載のR−T−B系永久磁石。 - さらにAlを含有し、
Alの含有量が、0.03質量%以上0.6質量%以下である請求項1〜4のいずれかに記載のR−T−B系永久磁石。 - Coの含有量が0.3質量%以上4.0質量%以下である請求項1〜5のいずれかに記載のR−T−B系永久磁石。
- 前記R2T14B型化合物からなる主相粒子および粒界を有し、前記粒界は、R,T,Gaを含むR−T−Ga相、およびMの炭化物相を有する請求項1〜6のいずれかに記載のR−T−B系永久磁石。
- Bの含有量が0.71質量%以上0.85質量%以下である請求項1〜7のいずれかに記載のR−T−B系永久磁石。
- Cの含有量が0.15質量%以上0.30質量%以下である請求項1〜8のいずれかに記載のR−T−B系永久磁石。
- Gaの含有量が0.70質量%以上1.40質量%以下である請求項1〜9のいずれかに記載のR−T−B系永久磁石。
- Mの含有量が0.65質量%以上2.50質量%以下である請求項1〜10のいずれかに記載のR−T−B系永久磁石。
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