JP2017005014A - 研磨装置 - Google Patents
研磨装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017005014A JP2017005014A JP2015114767A JP2015114767A JP2017005014A JP 2017005014 A JP2017005014 A JP 2017005014A JP 2015114767 A JP2015114767 A JP 2015114767A JP 2015114767 A JP2015114767 A JP 2015114767A JP 2017005014 A JP2017005014 A JP 2017005014A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light source
- polishing
- optical fiber
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 130
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims abstract description 106
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 74
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims abstract description 53
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims abstract description 27
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 60
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 8
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012886 linear function Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
- B24B37/10—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
- B24B37/013—Devices or means for detecting lapping completion
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/205—Lapping pads for working plane surfaces provided with a window for inspecting the surface of the work being lapped
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/12—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving optical means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
【課題】光ファイバーの光路切り替え器を用いることなく、複数の光センサを用いてウェハの膜厚を測定することができる研磨装置を提供する。【解決手段】研磨装置は、研磨テーブル３内の異なる位置に配置された複数の先端３４ａ，３４ｂを有する投光ファイバー３４と、ウェハＷからの反射光を波長に従って分解して各波長での反射光の強度を測定する分光器２６と、研磨テーブル３内の異なる位置に配置された複数の先端５０ａ，５０ｂを有する受光ファイバー５０と、反射光の強度と波長との関係を示す分光波形を生成する処理部２７とを備える。処理部２７は、分光波形に基づいて膜厚を決定する。【選択図】図１
Description
本発明は、膜が表面に形成されているウェハを研磨する研磨装置に関し、特に、ウェハからの反射光に含まれる光学情報を解析することによりウェハの膜厚を検出することができる研磨装置に関する。
半導体デバイスの製造プロセスには、ＳｉＯ２などの絶縁膜を研磨する工程や、銅、タングステンなどの金属膜を研磨する工程などの様々な工程が含まれる。裏面照射型ＣＭＯＳセンサおよびシリコン貫通電極（ＴＳＶ）の製造工程では、絶縁膜や金属膜の研磨工程の他にも、シリコン層（シリコンウェハ）を研磨する工程が含まれる。ウェハの研磨は、その表面を構成する膜（絶縁膜、金属膜、シリコン層など）の厚さが所定の目標値に達したときに終了される。
ウェハの研磨は研磨装置を使用して行われる。図１３は、研磨装置の一例を示す模式図である。研磨装置は、一般的に、研磨パッド２０１を支持する回転可能な研磨テーブル２０２と、研磨テーブル２０２上の研磨パッド２０１にウェハＷを押し付ける研磨ヘッド２０５と、研磨パッド２０１上に研磨液（スラリー）を供給する研磨液供給ノズル２０６と、ウェハＷの膜厚を測定する膜厚測定装置２１０を備える。
図１３に示す膜厚測定装置２１０は、光学式膜厚測定装置である。この膜厚測定装置２１０は、光を発する光源２１２と、光源２１２に接続された投光光ファイバー２１５と、研磨テーブル２０２内の異なる位置に先端が配置された第１光ファイバー２１６および第２光ファイバー２１７と、第１光ファイバー２１６および第２光ファイバー２１７のうちのいずれか一方を選択的に投光光ファイバー２１５に接続する第１光路切り替え器２２０と、ウェハＷからの反射光の強度を測定する分光器２２２と、分光器２２２に接続された受光光ファイバー２２４と、研磨テーブル２０２内の異なる位置に先端が配置された第３光ファイバー２２７および第４光ファイバー２２８と、第３光ファイバー２２７および第４光ファイバー２２８のうちのいずれか一方を選択的に受光光ファイバー２２４に接続する第２光路切り替え器２３０とを備える。
第１光ファイバー２１６の先端および第３光ファイバー２２７の先端は第１光センサ２３４を構成し、第２光ファイバー２１７の先端および第４光ファイバー２２８の先端は第２光センサ２３５を構成する。これら第１光センサ２３４および第２光センサ２３５は、研磨テーブル２０２内の異なる位置に配置されており、研磨テーブル２０２が回転するとともに、第１光センサ２３４および第２光センサ２３５は、交互にウェハＷを横切る。第１光センサ２３４および第２光センサ２３５は、ウェハＷに光を導き、ウェハＷからの反射光を受ける。反射光は、第３光ファイバー２２７または第４光ファイバー２２８を通じて受光光ファイバー２２４に伝達され、さらに受光光ファイバー２２４を通じて分光器２２２に伝達される。分光器２２２は、反射光を波長に従って分解し、反射光の各波長での強度を測定する。処理部２４０は、分光器２２２に接続されており、反射光の強度の測定値から分光波形（スペクトル）を生成し、分光波形からウェハＷの膜厚を決定する。
図１４は、第１光路切り替え器２２０を示す模式図である。第１光路切り替え器２２０は、第１光ファイバー２１６および第２光ファイバー２１７の端部を移動させる圧電アクチュエータ２４４を備えている。この圧電アクチュエータ２４４が第１光ファイバー２１６および第２光ファイバー２１７の端部を移動させることにより、第１光ファイバー２１６および第２光ファイバー２１７のうちの一方が、投光光ファイバー２１５に接続される。図示しないが、第２光路切り替え器２３０も同じ構成を有している。
第１光路切り替え器２２０および第２光路切り替え器２３０は、第１光センサ２３４がウェハＷを横切っている間、第１光ファイバー２１６および第３光ファイバー２２７を投光光ファイバー２１５および受光光ファイバー２２４にそれぞれ接続し、第２光センサ２３５がウェハＷを横切っている間、第２光ファイバー２１７および第４光ファイバー２２８を投光光ファイバー２１５および受光光ファイバー２２４にそれぞれ接続する。このように、研磨テーブル２０２が一回転する間に第１光路切り替え器２２０および第２光路切り替え器２３０が作動するので、分光器２２２は第１光センサ２３４および第２光センサ２３５が受光した反射光を別々に処理することができる。
しかしながら、第１光路切り替え器２２０および第２光路切り替え器２３０は、機械的な切り替え装置であるので、長期間使用し続けると不具合が起こる場合がある。第１光路切り替え器２２０または第２光路切り替え器２３０に不具合が起こると、第１光センサ２３４および第２光センサ２３５から分光器２２２に導かれる反射光の強度が変わり、処理部２４０で決定される膜厚が変動してしまう。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、光ファイバーの光路切り替え器を用いることなく、複数の光センサを用いてウェハの膜厚を測定することができる研磨装置を提供することを目的とする。
上述した目的を達成するために、本発明の一態様は、研磨パッドを支持する研磨テーブルと、ウェハを前記研磨パッドに押し付ける研磨ヘッドと、光を発する光源と、前記研磨テーブル内の異なる位置に配置された複数の先端を有する投光ファイバーと、ウェハからの反射光を波長に従って分解して各波長での反射光の強度を測定する分光器と、前記研磨テーブル内の前記異なる位置に配置された複数の先端を有する受光ファイバーと、前記反射光の強度と波長との関係を示す分光波形を生成する処理部とを備え、前記投光ファイバーは前記光源に接続され、前記光源から発せられた光をウェハの表面に導き、前記受光ファイバーは前記分光器に接続され、ウェハからの反射光を前記分光器まで導き、前記処理部は、前記分光波形に基づいて膜厚を決定することを特徴とする研磨装置である。
本発明の好ましい態様は、前記投光ファイバーは、前記光源に接続された投光主幹ファイバーと、前記投光主幹ファイバーから分岐した第１投光分岐ファイバーおよび第２投光分岐ファイバーとを有し、前記受光ファイバーは、前記分光器に接続された受光主幹ファイバーと、前記受光主幹ファイバーから分岐した第１受光分岐ファイバーおよび第２受光分岐ファイバーとを有することを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記投光ファイバーの先端および前記受光ファイバーの先端は、ウェハに光を導き、ウェハからの反射光を受ける第１光センサおよび第２光センサを構成し、前記第２光センサは、前記研磨テーブルの中心に関して前記第１光センサの反対側に配置されていることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記投光ファイバーの先端および前記受光ファイバーの先端は、ウェハに光を導き、ウェハからの反射光を受ける第１光センサおよび第２光センサを構成し、前記第２光センサは、前記研磨テーブルの中心に関して前記第１光センサの反対側に配置されていることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、特定波長を持つ光を発する較正用光源をさらに備え、前記較正用光源は、前記分光器に較正用光ファイバーで接続されていることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記光源は、第１光源および第２光源から構成されていることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記第１光源および前記第２光源は、同じ波長範囲の光を発することを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記第１光源および前記第２光源は、異なる波長範囲の光を発することを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記分光器は、第１分光器および第２分光器から構成されていることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記第１分光器および前記第２分光器は、異なる波長範囲で反射光の強度を測定するように構成されていることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記処理部は、前記分光波形にフーリエ変換処理を行なって、膜厚と周波数成分の強度との関係を示す周波数スペクトルを生成し、しきい値よりも大きい周波数成分の強度のピークを決定し、該ピークに対応する膜厚を決定することを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記光源は、第１光源および第２光源から構成されていることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記第１光源および前記第２光源は、同じ波長範囲の光を発することを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記第１光源および前記第２光源は、異なる波長範囲の光を発することを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記分光器は、第１分光器および第２分光器から構成されていることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記第１分光器および前記第２分光器は、異なる波長範囲で反射光の強度を測定するように構成されていることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記処理部は、前記分光波形にフーリエ変換処理を行なって、膜厚と周波数成分の強度との関係を示す周波数スペクトルを生成し、しきい値よりも大きい周波数成分の強度のピークを決定し、該ピークに対応する膜厚を決定することを特徴とする。
ウェハからの反射光は、投光ファイバーおよび受光ファイバーの先端がウェハの下に存在するときにのみ分光器に導かれる。言い換えれば、投光ファイバーおよび受光ファイバーの先端がウェハの下にないときは、分光器に導かれる光の強度は極めて低い。つまり、ウェハからの反射光以外の光は、膜厚決定に使用されない。したがって、光路切り替え器を設けることなく、膜厚を決定することができる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る研磨装置を示す図である。図１に示すように、研磨装置は、研磨パッド１を支持する研磨テーブル３と、ウェハＷを保持しウェハＷを研磨テーブル３上の研磨パッド１に押し付ける研磨ヘッド５と、研磨パッド１に研磨液（例えばスラリー）を供給するための研磨液供給ノズル１０と、ウェハＷの研磨を制御する研磨制御部１２とを備えている。
研磨テーブル３は、テーブル軸３ａを介してその下方に配置されるテーブルモータ１９に連結されており、このテーブルモータ１９により研磨テーブル３が矢印で示す方向に回転されるようになっている。この研磨テーブル３の上面には研磨パッド１が貼付されており、研磨パッド１の上面がウェハＷを研磨する研磨面１ａを構成している。研磨ヘッド５は研磨ヘッドシャフト１６の下端に連結されている。研磨ヘッド５は、真空吸引によりその下面にウェハＷを保持できるように構成されている。研磨ヘッドシャフト１６は、図示しない上下動機構により上下動できるようになっている。
ウェハＷの研磨は次のようにして行われる。研磨ヘッド５および研磨テーブル３をそれぞれ矢印で示す方向に回転させ、研磨液供給ノズル１０から研磨パッド１上に研磨液（スラリー）を供給する。この状態で、研磨ヘッド５は、ウェハＷを研磨パッド１の研磨面１ａに押し付ける。ウェハＷの表面は、研磨液に含まれる砥粒の機械的作用と研磨液の化学的作用により研磨される。
研磨装置は、ウェハＷの膜厚を測定する光学式膜厚測定器（膜厚測定装置）２５を備えている。この光学式膜厚測定器２５は、光を発する光源３０と、研磨テーブル３内の異なる位置に配置された複数の先端３４ａ，３４ｂを有する投光ファイバー３４と、ウェハＷからの反射光を波長に従って分解して各波長での反射光の強度を測定する分光器２６と、研磨テーブル３内の前記異なる位置に配置された複数の先端５０ａ，５０ｂを有する受光ファイバー５０と、反射光の強度と波長との関係を示す分光波形を生成する処理部２７とを備えている。処理部２７は研磨制御部１２に接続されている。
投光ファイバー３４は光源３０に接続されており、光源３０から発せられた光をウェハＷの表面に導くように配置されている。受光ファイバー５０は分光器２６に接続されており、ウェハＷからの反射光を分光器２６まで導くように配置されている。投光ファイバー３４の一方の先端３４ａと、受光ファイバー５０の一方の先端５０ａは、互いに隣接しており、これらの先端３４ａ，５０ａは第１光センサ６１を構成する。投光ファイバー３４の他方の先端３４ｂと、受光ファイバー５０の他方の先端５０ｂは、互いに隣接しており、これらの先端３４ｂ，５０ｂは第２光センサ６２を構成する。研磨パッド１は、第１光センサ６１および第２光センサ６２の上方に位置する通孔１ｂ，１ｃを有しており、第１光センサ６１および第２光センサ６２は、これらの通孔１ｂ，１ｃを通じて研磨パッド１上のウェハＷに光を導き、ウェハＷからの反射光を受けることができるようになっている。
図２は、研磨パッド１および研磨テーブル３を示す上面図である。第１光センサ６１および第２光センサ６２は、研磨テーブル３の中心から異なる距離に位置しており、かつ研磨テーブル３の周方向において互いに離れて配置されている。図２に示す実施形態では、第２光センサ６２は、研磨テーブル３の中心に関して第１光センサ６１の反対側に配置されている。第１光センサ６１および第２光センサ６２は、研磨テーブル３が一回転するたびに異なる軌跡を描いてウェハＷを交互に横切る。具体的には、第１光センサ６１はウェハＷの中心を横切り、第２光センサ６２はウェハＷのエッジ部のみを横切る。第１光センサ６１および第２光センサ６２は、交互にウェハＷに光を導き、ウェハＷからの反射光を受ける。
図３は、光源３０に接続された投光ファイバー３４を示す拡大図である。投光ファイバー３４は、結束具３１で結束された多数の素線光ファイバー３２から構成される。投光ファイバー３４は、光源３０に接続された投光主幹ファイバー３５と、投光主幹ファイバー３５から分岐した第１投光分岐ファイバー３６および第２投光分岐ファイバー３７とを有している。
図４は、分光器２６に接続された受光ファイバー５０を示す拡大図である。受光ファイバー５０も、同様に、結束具５１で結束された多数の素線光ファイバー５２から構成される。受光ファイバー５０は、分光器２６に接続された受光主幹ファイバー５５と、受光主幹ファイバー５５から分岐した第１受光分岐ファイバー５６および第２受光分岐ファイバー５７とを有している。
投光ファイバー３４の先端３４ａ，３４ｂは、第１投光分岐ファイバー３６および第２投光分岐ファイバー３７の先端から構成されており、これら先端３４ａ，３４ｂは、上述したように、研磨テーブル３内に位置している。受光ファイバー５０の先端５０ａ，５０ｂは、第１受光分岐ファイバー５６および第２受光分岐ファイバー５７の先端から構成されており、これら先端５０ａ，５０ｂも、研磨テーブル３内に位置している。
図３および図４に示す実施形態では、１本の主幹ファイバーが２本の分岐ファイバーに分岐しているが、素線光ファイバーを追加することにより、３本以上の分岐ファイバーに分岐することも可能である。さらに、素線光ファイバーを追加することにより、ファイバーの径を簡単に大きくすることができる。このような多数の素線光ファイバーから構成されるファイバーは、曲げやすく、かつ折れにくいという利点を備えている。
ウェハＷの研磨中は、投光ファイバー３４から光がウェハＷに照射され、受光ファイバー５０によってウェハＷからの反射光が受光される。分光器２６は、反射光を波長に従って分解して各波長での反射光の強度を所定の波長範囲に亘って測定し、得られた光強度データを処理部２７に送る。この光強度データは、ウェハＷの膜厚を反映した光学信号であり、反射光の強度及び対応する波長から構成される。処理部２７は、光強度データから波長ごとの光の強度を表わす分光波形を生成する。
図５は、光学式膜厚測定器２５の原理を説明するための模式図である。図５に示す例では、ウェハＷは、下層膜と、その上に形成された上層膜とを有している。上層膜は、例えばシリコン層または絶縁膜などの、光の透過を許容する膜である。ウェハＷに照射された光は、媒質（図５の例では水）と上層膜との界面、および上層膜と下層膜との界面で反射し、これらの界面で反射した光の波が互いに干渉する。この光の波の干渉の仕方は、上層膜の厚さ（すなわち光路長）に応じて変化する。このため、ウェハＷからの反射光から生成される分光波形は、上層膜の厚さに従って変化する。
分光器２６は、反射光を波長に従って分解し、反射光の強度を波長ごとに測定する。処理部２７は、分光器２６から得られた反射光の強度データ（光学信号）から分光波形を生成する。この分光波形は、光の波長と強度との関係を示す線グラフとして表される。光の強度は、後述する相対反射率などの相対値として表わすこともできる。
図６は、分光波形の一例を示すグラフである。図６において、縦軸はウェハＷからの反射光の強度を示す相対反射率を表し、横軸は反射光の波長を表す。相対反射率とは、反射光の強度を示す指標値であり、光の強度と所定の基準強度との比である。各波長において光の強度（実測強度）を所定の基準強度で割ることにより、装置の光学系や光源固有の強度のばらつきなどの不要なノイズが実測強度から除去される。
基準強度は、各波長について予め取得された強度であり、相対反射率は各波長において算出される。具体的には、各波長での光の強度（実測強度）を、対応する基準強度で割り算することにより相対反射率が求められる。基準強度は、例えば、膜厚センサから発せられた光の強度を直接測定するか、または膜厚センサから鏡に光を照射し、鏡からの反射光の強度を測定することによって得られる。あるいは、基準強度は、膜が形成されていないシリコンウェハ（ベアウェハ）を水の存在下で水研磨しているときに得られた光の強度としてもよい。実際の研磨では、実測強度からダークレベル（光を遮断した条件下で得られた背景強度）を引き算して補正実測強度を求め、さらに基準強度から上記ダークレベルを引き算して補正基準強度を求め、そして、補正実測強度を補正基準強度で割り算することにより、相対反射率が求められる。具体的には、相対反射率Ｒ（λ）は、次の式を用いて求めることができる。
ここで、λは波長であり、Ｅ（λ）はウェハから反射した波長λでの光の強度であり、Ｂ（λ）は波長λでの基準強度であり、Ｄ（λ）は光を遮断した条件下で取得された波長λでの背景強度（ダークレベル）である。
処理部２７は、分光波形にフーリエ変換処理（例えば、高速フーリエ変換処理）を行って周波数スペクトルを生成し、周波数スペクトルからウェハＷの膜厚を決定する。図７は、図６に示す分光波形にフーリエ変換処理を行って得られた周波数スペクトルを示すグラフである。図７において、縦軸は分光波形に含まれる周波数成分の強度を表し、横軸は膜厚を表す。周波数成分の強度は、正弦波として表される周波数成分の振幅に相当する。分光波形に含まれる周波数成分は、所定の関係式を用いて膜厚に変換され、図７に示すような膜厚と周波数成分の強度との関係を示す周波数スペクトルが生成される。上述した所定の関係式は、周波数成分を変数とした、膜厚を表す一次関数であり、膜厚の実測結果または光学的膜厚測定シミュレーションなどから求めることができる。
図７に示すグラフにおいて、周波数成分の強度のピークは膜厚ｔ１で現れる。言い換えれば、膜厚ｔ１において、周波数成分の強度が最も大きくなる。つまり、この周波数スペクトルは、膜厚がｔ１であることを示している。このようにして、処理部２７は、周波数成分の強度のピークに対応する膜厚を決定する。
処理部２７は、膜厚測定値として膜厚ｔ１を研磨制御部１２に出力する。研磨制御部１２は、処理部２７から送られた膜厚ｔ１に基づいて研磨動作（例えば、研磨終了動作）を制御する。例えば、研磨制御部１２は、膜厚ｔ１が予め設定された目標値に達した場合には、ウェハＷの研磨を終了する。
本実施形態に係る膜厚測定装置２５は、図１３に示す膜厚測定装置２１０とは異なり、複数の分岐ファイバーを主幹ファイバーに選択的に接続するための光路切り替え器を備えていない。すなわち、投光主幹ファイバー３５は、第１投光分岐ファイバー３６および第２投光分岐ファイバー３７に常に接続されている。同様に、受光主幹ファイバー５５は、第１受光分岐ファイバー５６および第２受光分岐ファイバー５７に常に接続されている。
第２光センサ６２は、研磨テーブル３の中心に関して第１光センサ６１の反対側に配置されている。したがって、ウェハＷの研磨中は、研磨テーブル３が一回転するたびに、第１光センサ６１および第２光センサ６２はウェハＷを交互に横切る。分光器２６は、受光ファイバー５０の第１受光分岐ファイバー５６および第２受光分岐ファイバー５７を通じて光を常に受け取る。しかしながら、投光ファイバー３４および受光ファイバー５０の先端３４ａ，３４ｂ，５０ａ，５０ｂがウェハＷの下にないときは、分光器２６が受ける光の強度は極めて低い。そこで、処理部２７は、ウェハＷからの反射光と、それ以外の光とを区別するために、図７に示すように、処理部２７には、周波数成分の強度についてのしきい値が予め記憶されている。
投光ファイバー３４および受光ファイバー５０の先端３４ａ，３４ｂ，５０ａ，５０ｂがウェハＷの下にないときは、分光器２６に入射される光の強度は低い。この場合、周波数スペクトルに含まれる周波数成分の強度は全体的に低くなる。図８は、投光ファイバー３４の先端および受光ファイバー５０の先端がウェハＷの下にないときに生成された周波数スペクトルを示すグラフである。図８に示すように、周波数成分の強度は全体的にしきい値よりも低い。したがって、この周波数スペクトルは、膜厚決定に使用されない。
これに対し、図７に示すように、ウェハＷからの反射光から生成された周波数スペクトルは、しきい値よりも大きい周波数成分の強度を含み、周波数成分の強度のピークはしきい値よりも大きい。したがって、この周波数スペクトルは、膜厚決定に使用される。
このように、処理部２７は、周波数スペクトルに含まれる周波数成分の強度をしきい値と比較することによって、ウェハＷからの反射光と、それ以外の光とを区別することができる。さらに、第１光センサ６１および第２光センサ６２はウェハＷを交互に横切るので、第１光センサ６１および第２光センサ６２が受ける反射光は重畳しない。したがって、光路切り替え器を設ける必要がない。上述した実施形態の膜厚測定は、ウェハＷの研磨中のみならず、ウェハＷの研磨前および／または研磨後にも行うことが可能である。
図９は、第１光源３０Ａと第２光源３０Ｂを備えた実施形態を示す模式図である。図９に示すように、本実施形態の光源３０は、第１光源３０Ａと第２光源３０Ｂとから構成される。投光ファイバー３４は、第１光源３０Ａと第２光源３０Ｂの両方に接続されている。すなわち、投光主幹ファイバー３５は２つの入力端子ライン３５ａ，３５ｂを有しており、これらの入力端子ライン３５ａ，３５ｂは第１光源３０Ａと第２光源３０Ｂにそれぞれ接続されている。
第１光源３０Ａと第２光源３０Ｂは、異なる構成を持つ光源でもよい。例えば、第１光源３０Ａはハロゲンランプからなり、第２光源３０Ｂは発光ダイオードからなる。ハロゲンランプは、発する光の波長範囲が広く（例えば、３００nm〜１３００nm）、かつ寿命が短い（約２０００時間）のに対し、発光ダイオードは、発する光の波長範囲が狭く（例えば、９００nm〜１０００nm）、寿命が長い（約１００００時間）。本実施形態によれば、ウェハＷの膜の種類に基づいて、第１光源３０Ａまたは第２光源３０Ｂのいずれかを適宜選択することができる。キセノンランプ、重水素ランプ、レーザーなどの他のタイプの光源を使用してもよい。
第１光源３０Ａと第２光源３０Ｂは、同じ波長範囲の光を発する同じ構成を持つ光源でもよい。例えば、第１光源３０Ａおよび第２光源３０Ｂの両方にハロゲンランプを使用してもよい。ハロゲンランプの寿命は比較的短く、約２０００時間である。本実施形態によれば、第１光源３０Ａの光量が低下した場合に第２光源３０Ｂに切り換えることにより、膜厚測定装置２５が長寿命化できる。さらに、第２光源３０Ｂの光量も低下した場合には、第１光源３０Ａおよび第２光源３０Ｂの両方を新たなものに交換する。本実施形態によれば、一回の交換作業で２倍の寿命が実現できるので、研磨装置の運転を停止させる時間を短くできる。
図１０は、光源３０に加えて、特定の波長を持つ光を発する較正用光源６０をさらに備えた実施形態を示す模式図である。較正用光源６０は、分光器２６に較正用光ファイバー６３で接続されている。較正用光ファイバー６３は、受光ファイバー５０の一部から構成されてもよい。すなわち、較正用光ファイバー６３は、受光主幹ファイバー５５から分岐した第３受光分岐ファイバーから構成されてもよい。
較正用光源６０としては、特定波長の光を強く発する放電系の光源、例えばキセノンランプを使用することができる。較正用光源６０から発せられた光は、分光器２６によって分解され、処理部２７によって分光波形が生成される。較正用光源６０の光は特定の波長を有しているので、分光波形は輝線スペクトルとして生成される。較正用光源６０の光の波長は既知である。したがって、輝線スペクトルに含まれる輝線の波長が、較正用光源６０の光の波長に一致するように、分光器２６が較正される。
膜厚測定装置が正確な膜厚を測定するためには、分光器を定期的または不定期に調整することが必要である。従来の較正方法は、研磨パッドの上に較正用光源を置いて、第１光センサまたは第２光センサ２に光を照らし、分光器で光の強度を測定するというものである。しかしながら、このような従来の較正方法は、研磨装置の運転を停止させる必要があるのみならず、研磨パッドの研磨面が汚染されるおそれがある。本実施形態では、較正用光源６０は研磨テーブル３に設置され、分光器２６に接続されているので、分光器２６の較正は、研磨装置の運転を停止させることなく実施することができる。例えば、ウェハＷの研磨工程の間に分光器２６の較正を行ってもよい。
図１１は、第１分光器２６Ａと第２分光器２６Ｂを備えた実施形態を示す模式図である。図１１に示すように、本実施形態の分光器２６は、第１分光器２６Ａと第２分光器２６Ｂとから構成される。受光ファイバー５０は、第１分光器２６Ａと第２分光器２６Ｂの両方に接続されている。すなわち、受光主幹ファイバー５５は２つの出力端子ライン５５ａ，５５ｂを有しており、これらの出力端子ライン５５ａ，５５ｂは第１分光器２６Ａと第２分光器２６Ｂにそれぞれ接続されている。第１分光器２６Ａおよび第２分光器２６Ｂの両方は、処理部２７に接続されている。
第１分光器２６Ａおよび第２分光器２６Ｂは、異なる波長範囲で反射光の強度を測定するように構成されている。例えば、第１分光器２６Ａの測定可能な波長範囲は４００nm〜８００nmであり、第２分光器２６Ｂの測定可能な波長範囲は８００nm〜１１００nmである。光源３０としては、ハロゲンランプ（発光波長範囲３００nm〜１３００nm）が使用される。処理部２７は、第１分光器２６Ａおよび第２分光器２６Ｂから送られてくる光強度データ（反射光の強度と、対応する波長を含む光学信号）から分光波形を生成し、さらに分光波形に対してフーリエ変換を行って周波数スペクトルを生成する。２つの分光器２６Ａ，２６Ｂを備えた光学式膜厚測定器２５は、４００nm〜１１００nmの波長範囲で測定可能な１つ分光器よりも、分解能を向上させることができる。
第１分光器２６Ａおよび第２分光器２６Ｂは、異なる構成を有してもよい。例えば、第２分光器２６Ｂはフォトダイオードから構成されてもよい。この場合、処理部２７は、第１分光器２６Ａから送られてくる光強度データ（反射光の強度と、対応する波長を含む光学信号）から分光波形を生成し、さらに分光波形に対して、例えば、フーリエ変換を行って周波数スペクトルを生成する。
フォトダイオードから構成される第２分光器２６Ｂは、水の存在を検出するために使用される。光源３０としては、ハロゲンランプ（発光波長範囲３００nm〜１３００nm）が使用される。フォトダイオードは、一般に、９００nm〜１６００nmの波長範囲での光の強度を測定することが可能である。ウェハＷとファイバー３４，５０の先端との間に水が存在すると、１０００nm周辺の波長での反射光の強度が低下する。処理部２７は、１０００nm周辺の波長での反射光の強度の低下に基づいて、水の存在を検出することができる。
上述した実施形態は適宜組み合わせることができる。例えば、図１２に示すように、第１光源３０Ａおよび第２光源３０Ｂと、第１分光器２６Ａおよび第２分光器２６Ｂを設けてもよい。より具体的には、第１光源３０Ａとしてハロゲンランプを、第２光源３０Ｂとして発光ダイオードを、第２分光器２６Ｂとしてフォトダイオードを用いてもよい。
上述した実施形態は、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を実施できることを目的として記載されたものである。上記実施形態の種々の変形例は、当業者であれば当然になしうることであり、本発明の技術的思想は他の実施形態にも適用しうる。したがって、本発明は、記載された実施形態に限定されることはなく、特許請求の範囲によって定義される技術的思想に従った最も広い範囲に解釈されるものである。
１ 研磨パッド
３ 研磨テーブル
５ 研磨ヘッド
１０ 研磨液供給ノズル
１２ 研磨制御部
１６ 研磨ヘッドシャフト
１９ テーブルモータ
２５ 光学式膜厚測定器（膜厚測定装置）
２６ 分光器
２７ 処理部
３０ 光源
３０Ａ 第１光源
３０Ｂ 第２光源
３１ 結束具
３２ 素線光ファイバー
３４ 投光ファイバー
３５ 投光主幹ファイバー
３６ 第１投光分岐ファイバー
３７ 第２投光分岐ファイバー
５０ 受光ファイバー
５１ 結束具
５２ 素線光ファイバー
５５ 受光主幹ファイバー
５６ 第１受光分岐ファイバー
５７ 第２受光分岐ファイバー
６０ 較正用光源
６１ 第１光センサ
６２ 第２光センサ
６３ 較正用光ファイバー
３ 研磨テーブル
５ 研磨ヘッド
１０ 研磨液供給ノズル
１２ 研磨制御部
１６ 研磨ヘッドシャフト
１９ テーブルモータ
２５ 光学式膜厚測定器（膜厚測定装置）
２６ 分光器
２７ 処理部
３０ 光源
３０Ａ 第１光源
３０Ｂ 第２光源
３１ 結束具
３２ 素線光ファイバー
３４ 投光ファイバー
３５ 投光主幹ファイバー
３６ 第１投光分岐ファイバー
３７ 第２投光分岐ファイバー
５０ 受光ファイバー
５１ 結束具
５２ 素線光ファイバー
５５ 受光主幹ファイバー
５６ 第１受光分岐ファイバー
５７ 第２受光分岐ファイバー
６０ 較正用光源
６１ 第１光センサ
６２ 第２光センサ
６３ 較正用光ファイバー
Claims (10)
- 研磨パッドを支持する研磨テーブルと、
ウェハを前記研磨パッドに押し付ける研磨ヘッドと、
光を発する光源と、
前記研磨テーブル内の異なる位置に配置された複数の先端を有する投光ファイバーと、
ウェハからの反射光を波長に従って分解して各波長での反射光の強度を測定する分光器と、
前記研磨テーブル内の前記異なる位置に配置された複数の先端を有する受光ファイバーと、
前記反射光の強度と波長との関係を示す分光波形を生成する処理部とを備え、
前記投光ファイバーは前記光源に接続され、前記光源から発せられた光をウェハの表面に導き、
前記受光ファイバーは前記分光器に接続され、ウェハからの反射光を前記分光器まで導き、
前記処理部は、前記分光波形に基づいて膜厚を決定することを特徴とする研磨装置。 - 前記投光ファイバーは、前記光源に接続された投光主幹ファイバーと、前記投光主幹ファイバーから分岐した第１投光分岐ファイバーおよび第２投光分岐ファイバーとを有し、
前記受光ファイバーは、前記分光器に接続された受光主幹ファイバーと、前記受光主幹ファイバーから分岐した第１受光分岐ファイバーおよび第２受光分岐ファイバーとを有することを特徴とする請求項１に記載の研磨装置。 - 前記投光ファイバーの先端および前記受光ファイバーの先端は、ウェハに光を導き、ウェハからの反射光を受ける第１光センサおよび第２光センサを構成し、
前記第２光センサは、前記研磨テーブルの中心に関して前記第１光センサの反対側に配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の研磨装置。 - 特定波長を持つ光を発する較正用光源をさらに備え、
前記較正用光源は、前記分光器に較正用光ファイバーで接続されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の研磨装置。 - 前記光源は、第１光源および第２光源から構成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の研磨装置。
- 前記第１光源および前記第２光源は、同じ波長範囲の光を発することを特徴とする請求項５に記載の研磨装置。
- 前記第１光源および前記第２光源は、異なる波長範囲の光を発することを特徴とする請求項５に記載の研磨装置。
- 前記分光器は、第１分光器および第２分光器から構成されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の研磨装置。
- 前記第１分光器および前記第２分光器は、異なる波長範囲で反射光の強度を測定するように構成されていることを特徴とする請求項８に記載の研磨装置。
- 前記処理部は、前記分光波形にフーリエ変換処理を行なって、膜厚と周波数成分の強度との関係を示す周波数スペクトルを生成し、しきい値よりも大きい周波数成分の強度のピークを決定し、該ピークに対応する膜厚を決定することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の研磨装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015114767A JP6473050B2 (ja) | 2015-06-05 | 2015-06-05 | 研磨装置 |
| SG10201604365YA SG10201604365YA (en) | 2015-06-05 | 2016-05-30 | Polishing apparatus |
| KR1020160067480A KR102246521B1 (ko) | 2015-06-05 | 2016-05-31 | 연마 장치 |
| CN201610382395.5A CN106239352B (zh) | 2015-06-05 | 2016-06-01 | 研磨装置 |
| TW105117169A TWI677404B (zh) | 2015-06-05 | 2016-06-01 | 研磨裝置 |
| US15/170,645 US10124462B2 (en) | 2015-06-05 | 2016-06-01 | Polishing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015114767A JP6473050B2 (ja) | 2015-06-05 | 2015-06-05 | 研磨装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017005014A true JP2017005014A (ja) | 2017-01-05 |
| JP6473050B2 JP6473050B2 (ja) | 2019-02-20 |
Family
ID=57451502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015114767A Active JP6473050B2 (ja) | 2015-06-05 | 2015-06-05 | 研磨装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10124462B2 (ja) |
| JP (1) | JP6473050B2 (ja) |
| KR (1) | KR102246521B1 (ja) |
| CN (1) | CN106239352B (ja) |
| SG (1) | SG10201604365YA (ja) |
| TW (1) | TWI677404B (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180126374A (ko) | 2017-05-17 | 2018-11-27 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 연마 장치 및 연마 방법 |
| KR20190011206A (ko) | 2017-07-24 | 2019-02-01 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 연마 장치 및 연마 방법 |
| JP2019021748A (ja) * | 2017-07-14 | 2019-02-07 | 株式会社荏原製作所 | 膜厚測定装置、研磨装置、および研磨方法 |
| CN109719614A (zh) * | 2017-10-31 | 2019-05-07 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种抛光设备 |
| JP2019075526A (ja) * | 2017-10-19 | 2019-05-16 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置 |
| JP2019125733A (ja) * | 2018-01-18 | 2019-07-25 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7023062B2 (ja) | 2017-07-24 | 2022-02-21 | 株式会社荏原製作所 | 基板研磨装置及び方法 |
| JP7517832B2 (ja) * | 2020-01-17 | 2024-07-17 | 株式会社荏原製作所 | 研磨ヘッドシステムおよび研磨装置 |
Citations (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5414552U (ja) * | 1977-07-01 | 1979-01-30 | ||
| JP2001105308A (ja) * | 1999-10-04 | 2001-04-17 | Asahi Kasei Corp | 光伝送路付研磨装置 |
| JP2001141563A (ja) * | 1999-11-17 | 2001-05-25 | Toshiba Corp | 分光測定方法と装置および温度測定装置と膜圧測定装置 |
| JP2001235311A (ja) * | 1999-12-13 | 2001-08-31 | Ebara Corp | 基板膜厚測定方法、基板膜厚測定装置及び基板処理装置 |
| JP2003168667A (ja) * | 2001-12-04 | 2003-06-13 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ研磨装置の研磨終点検出方法及び装置 |
| JP2004191107A (ja) * | 2002-12-10 | 2004-07-08 | Hitachi Ltd | 膜厚計測方法及びその装置 |
| JP2005257475A (ja) * | 2004-03-11 | 2005-09-22 | Horiba Ltd | 測定方法、解析方法、測定装置、解析装置、エリプソメータ及びコンピュータプログラム |
| JP2005268424A (ja) * | 2004-03-17 | 2005-09-29 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 化学機械研磨装置及び化学機械研磨方法 |
| JP2009510760A (ja) * | 2005-11-25 | 2009-03-12 | ドゥーサン メカテック シーオー エルティディ | 半導体ウェーハの化学機械的研磨装置用ローディングデバイス |
| JP2010023210A (ja) * | 2008-07-23 | 2010-02-04 | Ebara Corp | 研磨終点検知方法および研磨装置 |
| JP2012508875A (ja) * | 2008-11-17 | 2012-04-12 | マーポス、ソチエタ、ペル、アツィオーニ | 物体の厚さを干渉分析法によって光学的に計測するための方法、計測装置、及び、計測システム |
| JP2012138442A (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-19 | Ebara Corp | ポリッシング装置およびポリッシング方法 |
| JP2013110390A (ja) * | 2011-10-26 | 2013-06-06 | Ebara Corp | 研磨方法および研磨装置 |
| JP2014504041A (ja) * | 2011-01-28 | 2014-02-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 多数の光ヘッドからのスペクトルの収集 |
| JP2014216457A (ja) * | 2013-04-25 | 2014-11-17 | 株式会社荏原製作所 | 研磨方法および研磨装置 |
| JP2015053349A (ja) * | 2013-09-06 | 2015-03-19 | 株式会社荏原製作所 | 研磨方法および研磨装置 |
| JP2015100911A (ja) * | 2013-11-28 | 2015-06-04 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5414552A (en) | 1977-07-05 | 1979-02-02 | Kibun Kk | Production of gathered fiber like paste food |
| US5433651A (en) * | 1993-12-22 | 1995-07-18 | International Business Machines Corporation | In-situ endpoint detection and process monitoring method and apparatus for chemical-mechanical polishing |
| JPH1015807A (ja) * | 1996-07-01 | 1998-01-20 | Canon Inc | 研磨システム |
| US6190234B1 (en) * | 1999-01-25 | 2001-02-20 | Applied Materials, Inc. | Endpoint detection with light beams of different wavelengths |
| US6628397B1 (en) * | 1999-09-15 | 2003-09-30 | Kla-Tencor | Apparatus and methods for performing self-clearing optical measurements |
| US8747189B2 (en) * | 2011-04-26 | 2014-06-10 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling polishing |
| US9472475B2 (en) * | 2012-02-27 | 2016-10-18 | Applied Materials, Inc. | Feedback control using detection of clearance and adjustment for uniform topography |
| US9248544B2 (en) * | 2012-07-18 | 2016-02-02 | Applied Materials, Inc. | Endpoint detection during polishing using integrated differential intensity |
| FR2994734B1 (fr) * | 2012-08-21 | 2017-08-25 | Fogale Nanotech | Dispositif et procede pour faire des mesures dimensionnelles sur des objets multi-couches tels que des wafers. |
| US20140078495A1 (en) * | 2012-09-14 | 2014-03-20 | Stmicroelectronics, Inc. | Inline metrology for attaining full wafer map of uniformity and surface charge |
| US20140120802A1 (en) * | 2012-10-31 | 2014-05-01 | Wayne O. Duescher | Abrasive platen wafer surface optical monitoring system |
| US9227293B2 (en) * | 2012-11-21 | 2016-01-05 | Applied Materials, Inc. | Multi-platen multi-head polishing architecture |
| JP6266493B2 (ja) * | 2014-03-20 | 2018-01-24 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置及び研磨方法 |
-
2015
- 2015-06-05 JP JP2015114767A patent/JP6473050B2/ja active Active
-
2016
- 2016-05-30 SG SG10201604365YA patent/SG10201604365YA/en unknown
- 2016-05-31 KR KR1020160067480A patent/KR102246521B1/ko active IP Right Grant
- 2016-06-01 US US15/170,645 patent/US10124462B2/en active Active
- 2016-06-01 TW TW105117169A patent/TWI677404B/zh active
- 2016-06-01 CN CN201610382395.5A patent/CN106239352B/zh active Active
Patent Citations (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5414552U (ja) * | 1977-07-01 | 1979-01-30 | ||
| JP2001105308A (ja) * | 1999-10-04 | 2001-04-17 | Asahi Kasei Corp | 光伝送路付研磨装置 |
| JP2001141563A (ja) * | 1999-11-17 | 2001-05-25 | Toshiba Corp | 分光測定方法と装置および温度測定装置と膜圧測定装置 |
| JP2001235311A (ja) * | 1999-12-13 | 2001-08-31 | Ebara Corp | 基板膜厚測定方法、基板膜厚測定装置及び基板処理装置 |
| JP2003168667A (ja) * | 2001-12-04 | 2003-06-13 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ研磨装置の研磨終点検出方法及び装置 |
| JP2004191107A (ja) * | 2002-12-10 | 2004-07-08 | Hitachi Ltd | 膜厚計測方法及びその装置 |
| JP2005257475A (ja) * | 2004-03-11 | 2005-09-22 | Horiba Ltd | 測定方法、解析方法、測定装置、解析装置、エリプソメータ及びコンピュータプログラム |
| JP2005268424A (ja) * | 2004-03-17 | 2005-09-29 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 化学機械研磨装置及び化学機械研磨方法 |
| JP2009510760A (ja) * | 2005-11-25 | 2009-03-12 | ドゥーサン メカテック シーオー エルティディ | 半導体ウェーハの化学機械的研磨装置用ローディングデバイス |
| JP2010023210A (ja) * | 2008-07-23 | 2010-02-04 | Ebara Corp | 研磨終点検知方法および研磨装置 |
| JP2012508875A (ja) * | 2008-11-17 | 2012-04-12 | マーポス、ソチエタ、ペル、アツィオーニ | 物体の厚さを干渉分析法によって光学的に計測するための方法、計測装置、及び、計測システム |
| JP2012138442A (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-19 | Ebara Corp | ポリッシング装置およびポリッシング方法 |
| JP2014504041A (ja) * | 2011-01-28 | 2014-02-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 多数の光ヘッドからのスペクトルの収集 |
| JP2013110390A (ja) * | 2011-10-26 | 2013-06-06 | Ebara Corp | 研磨方法および研磨装置 |
| JP2014216457A (ja) * | 2013-04-25 | 2014-11-17 | 株式会社荏原製作所 | 研磨方法および研磨装置 |
| JP2015053349A (ja) * | 2013-09-06 | 2015-03-19 | 株式会社荏原製作所 | 研磨方法および研磨装置 |
| JP2015100911A (ja) * | 2013-11-28 | 2015-06-04 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置 |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180126374A (ko) | 2017-05-17 | 2018-11-27 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 연마 장치 및 연마 방법 |
| JP2018194427A (ja) * | 2017-05-17 | 2018-12-06 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置および研磨方法 |
| US11045921B2 (en) | 2017-05-17 | 2021-06-29 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and polishing method |
| US10816323B2 (en) | 2017-07-14 | 2020-10-27 | Ebara Corporation | Film-thickness measuring apparatus, polishing apparatus, and polishing method |
| JP2019021748A (ja) * | 2017-07-14 | 2019-02-07 | 株式会社荏原製作所 | 膜厚測定装置、研磨装置、および研磨方法 |
| KR20190011206A (ko) | 2017-07-24 | 2019-02-01 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 연마 장치 및 연마 방법 |
| US11911867B2 (en) | 2017-07-24 | 2024-02-27 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and polishing method |
| JP2019075526A (ja) * | 2017-10-19 | 2019-05-16 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置 |
| US11413720B2 (en) | 2017-10-19 | 2022-08-16 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
| CN109719614A (zh) * | 2017-10-31 | 2019-05-07 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种抛光设备 |
| JP2019125733A (ja) * | 2018-01-18 | 2019-07-25 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置 |
| KR20190088413A (ko) | 2018-01-18 | 2019-07-26 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 연마 장치 |
| US10663287B2 (en) | 2018-01-18 | 2020-05-26 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
| TWI750444B (zh) * | 2018-01-18 | 2021-12-21 | 日商荏原製作所股份有限公司 | 研磨裝置 |
| JP7068831B2 (ja) | 2018-01-18 | 2022-05-17 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US10124462B2 (en) | 2018-11-13 |
| CN106239352B (zh) | 2020-06-12 |
| TWI677404B (zh) | 2019-11-21 |
| JP6473050B2 (ja) | 2019-02-20 |
| SG10201604365YA (en) | 2017-01-27 |
| KR102246521B1 (ko) | 2021-04-30 |
| US20160354894A1 (en) | 2016-12-08 |
| CN106239352A (zh) | 2016-12-21 |
| TW201710026A (zh) | 2017-03-16 |
| KR20160143536A (ko) | 2016-12-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6473050B2 (ja) | 研磨装置 | |
| KR102283692B1 (ko) | 막 두께 측정 방법, 막 두께 측정 장치, 연마 방법 및 연마 장치 | |
| KR102522882B1 (ko) | 연마 장치 및 연마 방법 | |
| TWI750444B (zh) | 研磨裝置 | |
| JP2022002870A (ja) | 研磨方法 | |
| KR20230069017A (ko) | 연마 장치 및 연마 방법 | |
| JP6902452B2 (ja) | 研磨装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171108 |
|
| A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20171108 |
|
| A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20171127 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171205 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180201 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180227 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180426 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20180703 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181002 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20181106 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190115 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190124 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6473050 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |