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JP2017098330A - 基板保持装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】基板の直径が大きくなっても、基板の自重によるたわみ量を最小限とし、かつ基板の回転時の振動を抑制することができる基板保持装置を提供する。【解決手段】基板保持装置は、基板Ｗの周縁部を保持しつつ基板を回転させる基板保持装置であって、基台１に支持され基台１に対して上下方向に相対移動可能な複数の支柱２と、複数の支柱２にそれぞれ設けられ基板Ｗの周縁部を保持する複数のチャック３と、複数のチャック３により保持された基板Ｗの下面を支持する少なくとも１つのサポートピン４とを備える。【選択図】図６

Description

本発明は、半導体ウェハ等の基板の周縁部を保持しつつ基板を回転させる基板保持装置に関するものである。
半導体デバイスの製造工程においては、半導体ウェハ等の基板の表面に成膜、エッチング、研磨などの各種処理が施される。これら各種処理が施された基板は、処理後に清浄化するために、基板の洗浄処理および乾燥処理が行われる。例えば、基板の洗浄処理では、基板を保持しつつ基板を回転させ、この状態で基板に洗浄液を供給して洗浄する。基板の乾燥処理では、基板を保持しつつ基板を高速で回転させて基板をスピン乾燥させ、或いは、基板を保持しつつ基板を回転させながら基板の表面にＩＰＡ蒸気等を吹き付けて基板を乾燥させる。
このように基板の洗浄処理や乾燥処理を行うために、特開２００９−２９５７５１号公報（特許文献１）に開示されているように、基板の周縁部をチャックで保持しつつ基板を回転させる基板保持装置が知られている。
特開２００９−２９５７５１号公報
半導体デバイスの製造工程で用いられる半導体ウェハ（シリコンウェハ）の直径は、３００ｍｍから４５０ｍｍへと大口径化している。特許文献１に開示されているような基板保持装置を用い、直径が４５０ｍｍのウェハを保持しつつウェハを高速で回転させて基板を乾燥させる工程でウェハ割れが頻発するという問題がある。
本発明者らは、大口径のウェハの場合に頻発するウェハ割れの原因を究明するために種々の実験を行う過程で以下の知見を得たものである。
すなわち、特許文献１に開示されている基板保持装置は、ウェハの周縁部をウェハの円周方向に間隔をおいて配置された４個のチャックで保持しつつウェハを高速で回転させるように構成しているため、直径が４５０ｍｍの大口径ウェハの場合には、相隣接するチャック間の距離が大きくなってしまい、ウェハの自重によるたわみ量が増加するという問題がある。
また、ウェハをスピン乾燥させるために高速回転させると、ウェハの回転速度が、ウェハの周辺を等間隔に４点で支持した場合のウェハの固有振動数に近づき、ウェハの振動が大きくなるという問題がある。
本発明は、上述した知見に基づいてなされたものであり、ウェハ等の基板の直径が大きくなっても、基板の自重によるたわみ量を最小限とし、かつ基板の回転時の振動を抑制することができる基板保持装置を提供することを目的とする。
上述した目的を達成するために、本発明の基板保持装置は、基板の周縁部を保持しつつ基板を回転させる基板保持装置であって、基台に支持され、該基台に対して上下方向に相対移動可能な複数の支柱と、前記複数の支柱にそれぞれ設けられ、基板の周縁部を保持する複数のチャックと、前記複数のチャックにより保持された基板の下面を支持する少なくとも１つのサポートピンとを備えたことを特徴とする。
本発明によれば、基板を下から支えるサポートピンを設置しているため、基板の直径が大きくなっても基板の自重によるたわみ量を最小限とすることができる。また、複数のチャックにより基板の周縁部が保持された状態にある基板の固有振動数を、少なくとも１つのサポートピンによって基板の下面を支持させることにより変えることができる。
本発明の好ましい態様は、前記少なくとも１つのサポートピンは、前記基台の中心を中心とする円の円周方向に間隔をおいて設けられた複数のサポートピンからなることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記複数のチャックは、前記基台の中心を中心とする円の円周方向に間隔をおいて配置され、前記複数のサポートピンの各々は、相隣接する２つのチャックの間に配置されていることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記サポートピンの上端部は、半球面の形状をなすことを特徴とする。
本発明によれば、サポートピンの上端部が半球面の形状であるため、サポートピンの半球面は、その頂点が基板の下面に点接触で基板を支持することができる。
本発明の好ましい態様は、前記サポートピンは前記基台に固定されていることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記複数のチャックにより基板の周縁部が保持された状態にある基板の固有振動数を、前記少なくとも１つのサポートピンによって基板の下面を支持させることにより変えるようにしたことを特徴とする。
本発明の基板保持装置によれば、ウェハ等の基板の直径が大きくなっても、基板の自重によるたわみ量を最小限とし、かつ基板の回転時の振動を抑制することができる。したがって、基板を乾燥させる際に基板を高速回転させても基板が割れることがない。
図１は、本発明に係る基板保持装置の全体構成を示す縦断面図である。 図２は、図１に示す基板保持装置を示す平面図である。 図３は、図１に示す基板保持装置においてリフターによって支柱が上昇された状態を示す縦断面図である。 図４は、基板を下から支えるサポートピンを備えた基板保持装置の斜視図である。 図５は、基板保持装置の平面図である。 図６は、基板保持装置の要部縦断面図である。 図７（ａ）は、チャックを示す平面図であり、図７（ｂ）はチャックの側面図である。 図８（ａ）は、チャックがウェハを把持した状態を示す平面図であり、図８（ｂ）はチャックがウェハを解放した状態を示す平面図である。 図９は、図２のＡ−Ａ線断面図である。 図１０は、図９のＢ−Ｂ線断面図である。 第２の磁石と第３の磁石の配置を説明するための模式図であり、支柱の軸方向から見た図である。 リフターにより支柱を上昇させたときの図２に示すＡ−Ａ線断面図である。 図１２のＣ−Ｃ線断面図である。 ４つの支柱の下端を互いに連結する連結リングが設けられた断面図である。 ４つの支柱の下端を互いに連結する連結リングが設けられた平面図である。
以下、本発明に係る基板保持装置の実施形態を図１乃至図１５を参照して説明する。
図１は、本発明に係る基板保持装置の全体構成を示す縦断面図である。図２は図１に示す基板保持装置を示す平面図である。
図１および図２に示すように、基板保持装置は、４つのアーム１ａを有する基台１と、各アーム１ａの先端に支持された４つの支柱２と、これら支柱２の上端にそれぞれ設けられた４つのチャック３とを備えている。各支柱２は基台１に対して相対的に上下動可能であり、かつ各支柱２はその軸心まわりに回転可能に構成されている。支柱２は、基板の一例であるウェハＷの周縁部を把持するチャック３を有している。支柱２およびチャック３は、基台１の中心を中心とする円の円周上に等間隔で配置されている。すなわち、支柱２およびチャック３はウェハＷの周縁部に沿って等間隔で配置されている。
基台１は回転軸５の上端に固定されており、この回転軸５は軸受６によって回転自在に支持されている。軸受６は回転軸５を囲むように配置された円筒体７の内周面に固定されている。円筒体７の下端は架台９に取り付けられており、その位置は固定されている。回転軸５は、プーリー１１，１２およびベルト１４を介してモータ１５に連結されている。モータ１５を駆動させることにより、基台１はその軸心を中心として回転するようになっている。ウェハＷはチャック３によって把持され、モータ１５によってウェハＷの中心軸線まわりに回転される。
円筒体７を囲むように、支柱２を上昇させるリフター２０が配置されている。このリフター２０は、円筒体７に対して上下方向にスライド可能に構成されている。リフター２０は、４つの支柱２を持ち上げる４つのプッシャー２０ａを有している。円筒体７の外周面とリフター２０の内周面との間には、第１の気体チャンバ２１と第２の気体チャンバ２２が形成されている。これら第１の気体チャンバ２１と第２の気体チャンバ２２は、それぞれ第１の気体流路２４および第２の気体流路２５に連通しており、これら第１の気体流路２４および第２の気体流路２５は、図示しない加圧気体供給源に連結されている。
図３は、図１に示す基板保持装置においてリフターによって支柱が上昇された状態を示す縦断面図である。第１の気体チャンバ２１内の圧力を第２の気体チャンバ２２内の圧力よりも高くすると、図３に示すように、リフター２０が上昇する。一方、第２の気体チャンバ２２内の圧力を第１の気体チャンバ２１内の圧力よりも高くすると、図１に示すように、リフター２０が下降する。リフター２０により４つの支柱２および４つのチャック３は同時に上昇し、下降する。
基台１の上面には、回転カップ２８が固定されている。この回転カップ２８は、回転するウェハＷから遠心力により飛び出した液体を受け止めるためのものである。図１に示すように、回転カップ２８はウェハＷの全周を囲むように配置されている。回転カップ２８の縦断面形状は径方向内側に傾斜している。また、回転カップ２８の内周面は滑らかな曲面から構成されている。回転カップ２８の上端はウェハＷに近接しており、回転カップ２８の上端の内径は、ウェハＷの直径よりもやや大きい。回転カップ２８の上端には、支柱２の外周面形状に沿った切り欠き２８ａが形成されている。回転カップ２８の底面には、斜めに延びる液体排出孔（図示せず）が形成されている。図３に示すように、リフター２０が上昇すると、支柱２およびチャック３は上昇し、ウェハＷは回転カップ２８の上端より上方に位置する。
図４乃至図６は、相隣接するチャック３，３間にウェハＷを下から支えるサポートピン４を備えた基板保持装置を示す図であり、図４は基板保持装置の斜視図、図５は基板保持装置の平面図、図６は基板保持装置の要部縦断面図である。
図４および図５に示すように、基板保持装置には、相隣接するチャック３，３間にウェハＷを下から支えるサポートピン４が設置されている。すなわち、４つのチャック３の間には、垂直方向に延びる４つのサポートピン４が基台１の中心を中心とする円の円周上に間隔をおいて設置されている。４つのサポートピン４は、４つのチャック３が位置する円周上よりやや半径方向内側の円周上に位置している。
図６は、基板保持装置に設置されたサポートピン４の一つを示す縦断面図である。図６に示すように、サポートピン４は全体が棒状に形成されており、上端部は半球面４ａになっており、下端部はねじ部４ｂになっている。サポートピン４は、ねじ部４ｂが基台１に螺合されることにより基台１に固定されている。サポートピン４の半球面４ａは、その頂点がウェハＷの下面に点接触でウェハＷを支持するようになっている。サポートピン４の半球面４ａの頂点は、４つのチャック３により水平の姿勢で保持されるウェハＷの外周部の下面と略同一の高さか、又はわずかに低い高さに設定されている。具体的には、４本のサポートピン４の半球面４ａの頂点は、ウェハＷの外周部の下面より０ｍｍ〜０．１ｍｍだけ低い高さに設定されている。
本発明の基板保持装置によれば、図４乃至図６に示すように、相隣接するチャック３，３間にウェハＷを下から支えるサポートピン４を設置しているため、ウェハの直径が大きくなってもウェハの自重によるたわみ量を最小限とすることができる。
また、ウェハの周辺を等間隔に４点で支持することに加えて、ウェハＷの外周部の下面をサポートピン４で支持するようにしたため、ウェハの固有振動数を変えることができる。したがって、ウェハＷをスピン乾燥させるために、例えば、１５００〜３０００ｍｉｎ−１の速度で高速回転させた場合でも、ウェハの回転速度がウェハの固有振動数に近づかないようにすることができ、ウェハの振動を抑制することができる。
図７（ａ）は、チャック３を示す平面図であり、図７（ｂ）はチャック３の側面図である。チャック３は、支柱２の上端の偏心した位置に形成されている。このチャック３は、ウェハＷの周縁部に当接することによりウェハＷの周縁部を把持する。支柱２の上端には、チャック３から支柱２の軸心に向かって延びる位置決め部４１がさらに形成されている。位置決め部４１の一端はチャック３の側面に一体的に接続され、他端は支柱２の軸心上に位置している。この位置決め部４１の中心側の端部は、支柱２と同心の円に沿って湾曲した側面４１ａを有している。支柱２の上端は、下方に傾斜するテーパ面となっている。
図８（ａ）は、チャック３がウェハＷを把持した状態を示す平面図であり、図８（ｂ）はチャック３がウェハＷを解放した状態を示す平面図である。ウェハＷは、支柱２の上端（テーパ面）上に載置され、そして、支柱２を回転させることにより、チャック３をウェハＷの周縁部に当接させる。これにより、図８（ａ）に示すように、ウェハＷがチャック３に把持される。支柱２を反対方向に回転させると、図８（ｂ）に示すように、チャック３がウェハＷから離れ、これによりウェハＷが解放される。このとき、ウェハＷの周縁部は、位置決め部４１の中心側端部の側面４１ａに接触する。したがって、位置決め部４１の側面４１ａによって、支柱２が回転するときのウェハＷの変位を制限することができ、その後のウェハ搬送の安定性を向上させることができる。
図９は図２のＡ−Ａ線断面図であり、図１０は図９のＢ−Ｂ線断面図である。図９および図１０では、回転カップ２８の図示は省略されている。基台１のアーム１ａは、支柱２をスライド自在に保持する保持部材１ｂを有している。この保持部材１ｂはアーム１ａと一体に構成してもよい。保持部材１ｂには上下に延びる貫通孔が形成されており、この貫通孔に支柱２が挿入されている。貫通孔の直径は支柱２の直径よりも僅かに大きく、したがって支柱２は基台１に対して上下方向に相対移動可能となっており、さらに支柱２は、その軸心まわりに回転可能となっている。
基板保持装置は、支柱２をその軸方向に付勢するばね３０を有している。基台１の保持部材１ｂの下面には外側カバー３１が取り付けられている。外側カバー３１は、ばね３０の上側部位を囲む内周面を有している。本実施形態では、外側カバー３１は、ばね３０の上半分を囲むように配置されている。ばね３０の上端は、外側カバー３１の上端に形成された内側フランジ３２に接触している。内側フランジ３２は省略してもよい。この場合は、ばね３０の上端は基台１の保持部材１ｂの下面に接触する。外側カバー３１の内周面の直径は、ばね３０の外径と同じか、またはやや大きい。本実施形態では、外側カバー３１の内周面の直径は、ばね３０の外径よりもわずかに大きい。
支柱２の下部には、内側カラー３３が取り付けられている。この内側カラー３３は、円筒状の形状を有した部材である。ばね３０は、支柱２および内側カラー３３を囲むように配置されている。内側カラー３３はばね３０の内側に配置されており、ばね３０の下側部位を支持する外周面を有している。内側カラー３３の外周面の直径は、ばね３０の内径と同じか、またはやや小さい。本実施形態では、内側カラー３３の外周面の直径は、ばね３０の内径と同じであり、内側カラー３３の外周面はばね３０の下側部位に接触している。さらに、内側カラー３３の外周面の直径は、支柱２の外周面の直径よりも大きい。外側カバー３１および内側カラー３３は、耐摩耗性の高い樹脂から構成されている。例えば、外側カバー３１および内側カラー３３はＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）から構成されている。
内側カラー３３の下端にはばねストッパー３５が接続されている。本実施形態では、ばねストッパー３５は内側カラー３３と一体に形成されているが、内側カラー３３とばねストッパー３５とは別の部材であってもよい。支柱２は、その軸心まわりに回転可能なように内側カラー３３に連結されている。すなわち、支柱２は、内側カラー３３およびばねストッパー３５に対して相対的に回転可能となっている。
ばね３０の上端は基台１の保持部材１ｂを押圧し、ばね３０の下端は支柱２に連結されたばねストッパー３５を押している。したがって、本実施形態のばね３０は、支柱２を下方に付勢する。支柱２の外周面には、保持部材１ｂの貫通孔の直径よりも大きい径を有する支柱ストッパー２ａが形成されている。この支柱ストッパー２ａは基台１の保持部材１ｂよりも上方に位置している。したがって、図９に示すように、支柱２の下方への移動は支柱ストッパー２ａによって制限される。
基台１の保持部材１ｂには第１の磁石４３が埋設されている。支柱２内には第２の磁石４４および第３の磁石４５が配置されている。これら第２の磁石４４および第３の磁石４５は、上下方向に離間して配列されている。これらの第１〜第３の磁石４３，４４，４５としては、ネオジム磁石が好適に用いられる。
図１１は、第２の磁石４４と第３の磁石４５の配置を説明するための模式図であり、支柱２の軸方向から見た図である。図１１に示すように、第２の磁石４４と第３の磁石４５とは、支柱２の周方向においてずれて配置されている。すなわち、第２の磁石４４と支柱２の中心とを結ぶ線と、第３の磁石４５と支柱２の中心とを結ぶ線とは、支柱２の軸方向から見たときに所定の角度αで交わっている。
支柱２が、図９に示す下降位置にあるとき、第２の磁石４４は第１の磁石４３に近接し、第３の磁石４５は第１の磁石４３から離れている。このとき、第１の磁石４３と第２の磁石４４との間には引き合う力が働く。この引力は、支柱２にその軸心まわりに回転する力を与え、その回転方向は、チャック３がウェハＷの周縁部を押圧する方向である。したがって、図９に示す下降位置は、ウェハＷを把持するクランプ位置となる。
図１２は、リフター３０により支柱２を上昇させたときの図２に示すＡ−Ａ線断面図であり、図１３は図１２のＣ−Ｃ線断面図である。リフター３０により支柱２を図１２に示す上昇位置まで上昇させると、図１２および図１３に示すように第３の磁石４５が第１の磁石４３に接近し、第２の磁石４４は第１の磁石４３から離れる。このとき、第１の磁石４３と第３の磁石４５との間には引き合う力が働く。この引力は支柱２にその軸心まわりに回転する力を与え、その回転方向は、チャック３がウェハＷから離間する方向である。したがって、図１２に示す上昇位置は、基板をリリースするアンクランプ位置である。
第２の磁石４４と第３の磁石４５とは支柱２の周方向において異なる位置に配置されているので、支柱２の上下移動に伴って支柱２には回転力が作用する。この回転力によってチャック３にウェハＷを把持する力とウェハＷを解放する力が与えられる。したがって、支柱２を上下させるだけで、チャック３はウェハＷを把持し、かつ解放することができる。このように、第１の磁石４３、第２の磁石４４、および第３の磁石４５は、支柱２およびチャック３を支柱２の軸心まわりに回転させる回転機構として機能する。この回転機構は、支柱２の上下動に従って動作する。
支柱２がリフター２０によって上昇されるとき、リフター２０のプッシャー２０ａは、ばねストッパー３５に接触する。支柱２はばねストッパー３５とは独立に回転自在であるので、支柱２は上昇しながらその軸心まわりにスムーズに回転することができ、その一方でばねストッパー３５および内側カラー３３は回転しない。図１２に示すように、支柱２がばね３０の力に逆らって上昇されたとき、内側カラー３３は外側カバー３１内に収容される。内側カラー３３の外周面と外側カバー３１の内周面との間には円筒状の空間が形成され、圧縮されたばね３０はこの円筒状の空間内に収容される。リフター２０は、ばね３０の力に逆らって支柱２をその軸方向に移動させる移動機構である。
支柱２の側面には、その軸心に沿って延びる溝４６が形成されている。この溝４６は円弧状の水平断面を有している。基台１の保持部材１ｂには、溝４６に向かって突起する突起部４７が形成されている。この突起部４７の先端は、溝４６の内部に位置しており、突起部４７は溝４６に緩やかに係合している。この溝４６および突起部４７は、支柱２の回転角度を制限するために設けられている。
図３に示すように、支柱２が上昇すると、ウェハＷは回転カップ２８よりも高い位置にまで上昇されるとともに、チャック３はウェハＷの周縁部から離れる。したがって、搬送ロボットなどの搬送装置（図示せず）は、ウェハＷを基板保持装置から取り出すことができる。
ウェハＷは、図１に示す、支柱２が下降位置にある状態で、モータ１５によって回転される。ウェハＷが回転されているとき、ばね３０には遠心力が作用する。特に、ウェハＷを高速で（例えば、１５００〜３０００ｍｉｎ−１の速度で）回転させたときに、大きな遠心力がばね３０に作用し、ばね３０が外側に変形する。このようなばね３０の変形は、ばね３０を疲労させ、想定よりも早くばね３０が破断してしまう。
このようなばね３０の外側への変形を防止するために、図９に示すように、ばね３０の外側には外側カバー３１が設けられ、ばね３０の内側には内側カラー３３が設けられている。外側カバー３１は、ばね３０の上側部位の、支柱２の軸方向に対して垂直な方向への移動（変位）を制限する第１の構造体として機能し、内側カラー３３は、ばね３０の下側部位の、支柱２の軸方向に対して垂直な方向への移動（変位）を制限する第２の構造体として機能する。
ウェハＷが回転しているとき、ばね３０の上側部位は外側カバー３１によって外側から支持され、ばね３０の下側部位は内側カラー３３によって内側から支持される。したがって、ばね３０に強い遠心力が作用しても、ばね３０の外側への変形、すなわちばね３０の支柱２の軸方向に対して垂直な方向への移動は、外側カバー３１および内側カラー３３によって制限される。したがって、ばね３０はほとんど変形せず、大きな応力も発生しない。結果として、予期しないばね３０の破断を防ぐことができる。また、図３および図１２に示すように、ウェハＷをチャック３から解放するために支柱２が上昇されたとき、内側カラー３３は外側カバー３１内に収容されるので、内側カラー３３と外側カバー３１は支柱２の上昇を妨げることはなく、機構をコンパクトにすることができる。
ウェハＷが高速で回転しているとき、支柱２にも強い遠心力が作用し、支柱２の端部が外側に変位することがある。その結果、チャック３がウェハＷを保持する力が不安定となる可能性がある。そこで、このような支柱２の端部の外側への変位を防止するために、図１４および図１５に示すように、４つの支柱２の下端を互いに連結する連結リング５０が設けられている。この連結リング５０は、各支柱２の下端に取り付けられたばねストッパー３５に固定されている。したがって、連結リング５０は、ばねストッパー３５を介して各支柱２に連結されている。連結リング５０は、支柱２とともに上下動し、モータ１５によってウェハＷの軸心まわりに回転する支柱２と一体に連結リング５０も回転される。連結リング５０は、４つの支柱２の相対位置を制限するので、強い遠心力が支柱２に加わっても、支柱２の端部の外側への変位を防止することができる。支柱２は、アーム１ａと連結リング５０の上下２か所で支持されているため、ウェハＷが高速で回転しているときの支柱２の変形を防止することができる。
上述した実施形態は、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を実施できることを目的として記載されたものである。上記実施形態の種々の変形例は、当業者であれば当然になしうることであり、本発明の技術的思想は他の実施形態にも適用しうる。したがって、本発明は、記載された実施形態に限定されることはなく、特許請求の範囲によって定義される技術的思想に従った最も広い範囲に解釈されるものである。
１ 基台
１ａ アーム
２ 支柱
３ チャック
４ サポートピン
５ 回転軸
６ 軸受
７ 円筒体
９ 架台
１１，１２ プーリー
１４ ベルト
１５ モータ
２０ リフター
２０ａ プッシャー
２１ 第１の気体チャンバ
２２ 第２の気体チャンバ
２４ 第１の気体流路
２５ 第２の気体流路
２８ 回転カップ
３０ ばね
３１ 外側カバー
３３ 内側カラー
３５ ばねストッパー
４３ 第１の磁石
４４ 第２の磁石
４５ 第３の磁石
４６ 溝
４７ 突起部
５０ 連結リング

Claims (6)

  1. 基板の周縁部を保持しつつ基板を回転させる基板保持装置であって、
    基台に支持され、該基台に対して上下方向に相対移動可能な複数の支柱と、
    前記複数の支柱にそれぞれ設けられ、基板の周縁部を保持する複数のチャックと、
    前記複数のチャックにより保持された基板の下面を支持する少なくとも１つのサポートピンとを備えたことを特徴とする基板保持装置。
  2. 前記少なくとも１つのサポートピンは、前記基台の中心を中心とする円の円周方向に間隔をおいて設けられた複数のサポートピンからなることを特徴とする請求項１に記載の基板保持装置。
  3. 前記複数のチャックは、前記基台の中心を中心とする円の円周方向に間隔をおいて配置され、前記複数のサポートピンの各々は、相隣接する２つのチャックの間に配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の基板保持装置。
  4. 前記サポートピンの上端部は、半球面の形状をなすことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板保持装置。
  5. 前記サポートピンは前記基台に固定されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の基板保持装置。
  6. 前記複数のチャックにより基板の周縁部が保持された状態にある基板の固有振動数を、前記少なくとも１つのサポートピンによって基板の下面を支持させることにより変えるようにしたことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の基板保持装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018211876A1 (ja) 2017-05-17 2018-11-22 国立研究開発法人農業・食品産業技術総合研究機構 ビトリゲル膜乾燥体の製造方法及び製造装置
JP2019140210A (ja) * 2018-02-08 2019-08-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110098152B (zh) * 2018-01-31 2020-12-08 株洲中车时代半导体有限公司 一种压力分层串联夹具
JP7255078B2 (ja) * 2018-03-20 2023-04-11 日新電機株式会社 クランプ機構及び当該クランプ機構を備える基板保持装置
JP7020986B2 (ja) * 2018-04-16 2022-02-16 株式会社荏原製作所 基板処理装置および基板保持装置
CN110246783B (zh) * 2019-06-10 2021-06-15 宁波润华全芯微电子设备有限公司 一种去胶机夹持主轴
CN111048466B (zh) * 2019-12-26 2022-08-16 北京北方华创微电子装备有限公司 晶圆夹持装置
US11353497B2 (en) * 2020-03-27 2022-06-07 Yamaichi Electronics Co., Ltd. Test socket
JP7438015B2 (ja) * 2020-05-01 2024-02-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US20230390898A1 (en) * 2022-06-07 2023-12-07 Ebara Corporation Substrate clamping apparatus
CN118366905B (zh) * 2024-06-19 2024-08-16 深圳市石金科技股份有限公司 硅片生产用移动装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11186367A (ja) * 1997-12-24 1999-07-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板保持装置
JP2001196344A (ja) * 2000-01-14 2001-07-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2009094508A (ja) * 2007-10-05 2009-04-30 Semes Co Ltd スピンヘッド
US20090133722A1 (en) * 2007-10-23 2009-05-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus and method for cleaning a substrate
JP2009295751A (ja) * 2008-06-04 2009-12-17 Ebara Corp 基板把持機構および基板把持方法
JP2014133642A (ja) * 2013-01-11 2014-07-24 Ebara Corp 基板把持装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5879576A (en) * 1996-05-07 1999-03-09 Hitachi Electronics Engineering Co., Ltd. Method and apparatus for processing substrates
JPH1059540A (ja) * 1996-05-13 1998-03-03 Ebara Corp 基板把持装置
JP3660171B2 (ja) * 1999-09-22 2005-06-15 松下電器産業株式会社 通信装置及び通信方法
US8795032B2 (en) * 2008-06-04 2014-08-05 Ebara Corporation Substrate processing apparatus, substrate processing method, substrate holding mechanism, and substrate holding method
CN102741995A (zh) * 2010-02-05 2012-10-17 东京毅力科创株式会社 基板保持用具、基板输送装置及基板处理装置
JP4794685B1 (ja) * 2010-10-19 2011-10-19 ミクロ技研株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP6181438B2 (ja) 2013-06-24 2017-08-16 株式会社荏原製作所 基板保持装置および基板洗浄装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11186367A (ja) * 1997-12-24 1999-07-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板保持装置
JP2001196344A (ja) * 2000-01-14 2001-07-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2009094508A (ja) * 2007-10-05 2009-04-30 Semes Co Ltd スピンヘッド
US20090133722A1 (en) * 2007-10-23 2009-05-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus and method for cleaning a substrate
JP2009295751A (ja) * 2008-06-04 2009-12-17 Ebara Corp 基板把持機構および基板把持方法
JP2014133642A (ja) * 2013-01-11 2014-07-24 Ebara Corp 基板把持装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018211876A1 (ja) 2017-05-17 2018-11-22 国立研究開発法人農業・食品産業技術総合研究機構 ビトリゲル膜乾燥体の製造方法及び製造装置
JP2019140210A (ja) * 2018-02-08 2019-08-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
US11361979B2 (en) 2018-02-08 2022-06-14 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP7116550B2 (ja) 2018-02-08 2022-08-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

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